[go: up one dir, main page]

JP3969660B2 - 白色ledランプ - Google Patents

白色ledランプ Download PDF

Info

Publication number
JP3969660B2
JP3969660B2 JP2003287089A JP2003287089A JP3969660B2 JP 3969660 B2 JP3969660 B2 JP 3969660B2 JP 2003287089 A JP2003287089 A JP 2003287089A JP 2003287089 A JP2003287089 A JP 2003287089A JP 3969660 B2 JP3969660 B2 JP 3969660B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
chip
led lamp
mold layer
white led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003287089A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005057089A (ja
Inventor
巌 東海林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2003287089A priority Critical patent/JP3969660B2/ja
Publication of JP2005057089A publication Critical patent/JP2005057089A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3969660B2 publication Critical patent/JP3969660B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明はLEDランプに関するものであり、詳細には、LEDチップに青色発光のものが採用されると共に、このLEDチップの保護を兼ねて周囲を覆う樹脂中に、LEDチップからの光に励起され黄色発光を行う蛍光体を分散させておくことで、点灯時には青色と黄色との混合色である白色発光が得られるものとした白色LEDランプの構成に係るものである。
従来のこの種の白色LEDランプ90の形成方法としては、図11に示すように基板91上にマウントされたLEDチップ92を保護するために、このLEDチップ92を覆うレンズ93を形成するための、透明エポキシ樹脂93a中に所定の割合(例えば25重量%)で蛍光体93bを混和しておき、印刷手段、注入手段など適宜な手段で所定位置に配置し、熱硬化などで固化させるものである。(例えば特許文献1参照。)
特開2000−223750号公報(段落0033〜段落0037、図3)
ここで、前記LEDランプにおいては、白色発光が得られるものとなったことで、例えば、家庭用の照明器具、車両用の照明器具、携帯用の照明器具など新たな用途が検討されるものとなってきている。しかしながら、上記した従来のLEDランプにおいては、錯乱損失の発生と、リフレクタを設けたときの有効性が低いことで現在以上の発光効率の向上が困難であるという問題点を生じている。
即ち、前記錯乱損失は、LEDチップを覆う樹脂全体に均一な状態で蛍光体が分散されていることにより、前記LEDチップから発せられた光が、蛍光体が存在する領域を通過する距離が長くなり、複数の蛍光体に当接することで必要以上に強く錯乱(拡散)が行われて生じる現象であり、また、同じ要因でLEDチップの側方などにLEDチップからの光を照射方向に向けて反射するリフレクタを設けても、過剰に錯乱が行われ方向性を失っている光には実質的な効果は期待できないものとなる。
本発明は、前記した従来の課題を解決するための具体的な手段として窒化ガリウム系化合物半導体(InxAlYGa1-X-YN,0≦Y,X+Y≦1)から成る活性層を有するLEDチップが、内面に銀メッキによるリフレクタが形成されたチップ取付凹部が設けられているセラミック部材で形成された表面実装タイプのパッケージの、前記チップ取付凹部内の配線パターンにボンディングにより取付けが行われており、前記LEDチップにはのLEDチップの周囲を適宜の肉厚で略円筒形に覆う蛍光体が分散されたモールド樹脂による内側モールド層と、この内側モールド層の外側を覆うように前記チップ取付凹部内に充填される透明モールド樹脂による外側モールド層とから成る複層のモールドが行われていることを特徴とする白色LEDランプを提供することで課題を解決するものである。
以上に説明したように本発明により、窒化ガリウム系化合物半導体(InXAlYGa1-X-YN,0≦X,0≦Y,X+Y≦1)から成る活性層を有するLEDチップが、内面にリフレクタが形成されたチップ取付凹部が設けられているパッケージの、前記チップ取付凹部内の配線パターンにボンディングにより取付けが行われており、前記LEDチップにはこのLEDチップの周囲を適宜の肉厚で略円筒状に覆う蛍光体が分散されたモールド樹脂による内側モールド層と、この内側モールド層の外側を覆うように前記チップ取付凹部内に充填される透明モールド樹脂による外側モールド層とから成る複層のモールドが行われている白色LEDランプとしたことで、LEDチップから発せられた光が外部に放射されるまでの光路中で、蛍光体に接触する回数を適正化し、過剰な回数接触することで生じる過剰な拡散、錯乱により光量に内部損失が生じるのをなくして、この種の白色LEDランプの性能向上に極めて優れた効果を奏するものである。
また、上記のように過剰な拡散が行われなくなったことで、前記LEDチップから発せられる光は、蛍光体の層を透過した後にも方向性を有するものとなり、チップ収納凹部の内側面などにリフレクタを形成するときには、反射してパッケージ外部に放射させることが可能となる。従って、前記リフレクタにより白色LEDランプの出力光として回収される光も出力として加算することが可能となり、一層の性能向上が可能となるものである。
つぎに、本発明を図に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。図1、図2に示すものは本発明に係る白色LEDランプ1の第一実施形態であり、本発明の白色LEDランプ1においては、例えば、セラミック、樹脂など絶縁性部材で形成されたパッケージ2には、上面からチップ収納凹部2aが形成され、このチップ収納凹部2aの底面には導電性部材により配線パターン2bが形成され、該配線パターン2bは前記パッケージ2の裏面に至り延長されて端子部2cとされている。
そして、前記配線パターン2bの一方にはLEDチップ3がハンダ付け、導電接着剤などによりダイボンドされ、他の一方の配線パターン2bと金線4によりワイヤボンドが行われ、パッケージ2の裏面から端子部2cに給電を行うことで前記LEDチップ3の点灯が行えるものとされている。尚、本発明においては、前記チップ収納凹部2aの側面には、銀メッキ(蒸着)などによる反射処理が行われ、リフレクタ5が形成されている。
次いで、透明シリコーン樹脂6a中に蛍光体6bを分散した部材で前記LEDチップ3を覆い内側モールド層6を形成する。このときに、前記内側モールド層6は、LEDチップ3が放射する青色光と、内側モールド層6中の蛍光体6bにLEDチップ3からの光が当接して励起される黄色光とが混合され白色光を得るのに最適な量の蛍光体6bが保持されている。前記蛍光体6bとしては、セリウム賦活のイットリウム・アルミン酸塩系の蛍光体を使用する。
また、前記内側モールド層6の形成にあたっては、前記LEDチップ3からの光がこの内側モールド層6を透過するときの光路があまり長くならないように、例えば、頂上面が半球の円筒状などとされている。そして、前記内側モールド層6が形成された後には80℃程度と硬化温度よりも低い温度の加熱を行い、反応基を残す状態で仮硬化を行わせる。
続いて、前記チップ収納凹部2aの残りの部分に、蛍光体6bが添加されることのない透明シリコーン樹脂のみを注入し、外側モールド層7を形成する。しかる後に、全体を80℃以上の温度で加熱し硬化処理を行う。このようにすることで、前記内側モールド層6中の残余していた反応基も反応するものとなり、内側モールド層6と外側モールド層7とは一体化して硬化する。
次いで、以上のようにして形成が行われた本発明の白色LEDランプ1の作用および効果について説明を行う。図3は本発明に係る白色LEDランプ1における配光特性Dnw、Dnnを示すものであり、配光特性Dnwは前記パッケージ2の長径側、即ち、チップ収納凹部2aの長径側に平行する方向への配光特性であり、配光特性Dnnは短径側に対応する配光特性である。
上記配光特性Dnw、Dnnを観察すると、リフレクタ5の反射光も加算される左右30〜40°方向が、明らかにパッケージ2の正面方向よりも光量が増加しており、本発明の白色LEDランプ1からの光は、前記LEDチップ3を発光の中心とする方向性を有していて、それ故にリフレクタ5に達した光が照射方向に反射されているものであることが認められる。
これに対して、図4に示す配光特性Dow、Donは、チップ収納凹部2aに注入されている透明樹脂の全体に均一に蛍光体を分散させた従来例の白色LEDランプにおける配光特性であり、配光特性Dowはパッケージの長径側に対する配光特性であり、配光特性Donは短径側に対する配光特性である。
上記配光特性Dow、Donを観察すると、両配光特性Dow、Donはパッケージの正面方向に最高照度があり、実質的には両者が重なり合う略円形状の配光特性、即ち、完全拡散光的傾向を示す配光特性を示すものであり、何れの配光特性Dow、Donにもリフレクタ5による光量増加の効果が認められないものである。
即ち、チップ収納凹部2a内に充填される透明シリコーン樹脂の全体中に均一に蛍光体を分散させる従来の構成においては、LEDチップから放出された光はチップ収納凹部2a内に充填された樹脂中を通過している過程の時点ですでに必要以上の回数の蛍光体との衝突を行うものとなり、その衝突の度に拡散して損失となる部分を生じている。従って、リフレクタに達した時点では上記拡散により方向性を失っており、特定方向への反射は生ぜず、リフレクタは機能を生じないのである。
これに対して、本発明の構成とした白色LEDランプ1においては、蛍光体5が限定された厚みを有する内側モールド層6内にのみ配置されているものとしたことで、LEDチップ3から射出される光の蛍光体6bと衝突を行う回数が適正化され、過剰な衝突回数による過剰な拡散が行われないものとして、これに起因する内部での損失の発生も防止すると共に、光の方向性も失わないものとして、リフレクタ5による白色LEDランプ1としての照射方向への反射も可能とし、一層の光量増加を可能とするものである。
また、図5に示す光量曲線Bnは、本発明における内側モールド層6内における蛍光体6bの添加量を変化させたときの光量変化の状態を示すものであり、図6は従来例におけるチップ収納凹部2a内に充填する透明シリコーン樹脂の全体中に均一に蛍光体を分散させる状態での、添加量を変化させたときの光量曲線Boの変化の状態を示すものである。
先ず、本発明のもの(図5参照)では、内側モールド層6の透明シリコーン樹脂6aに対し混和、分散する蛍光体6bの割合を重量%で暫時に増加させていったときの状態を輝度の変化として捕らえたものであり、添加率を増すに従い輝度も向上し、約60(重量%)の添加では、この状態でLEDチップから放射されている光束の量、および、蛍光体からの波長変換された光量の和が、最大値と思われる約80(lm/W)に達するものとなる。
これに対して、従来例のものでは、約12(重量%)の蛍光体の添加で輝度の上昇値に飽和が認められ、そのときの輝度の最大値は約68(lm/W)である。そして、両者の数値の相違は、従来例の構成ではより長い(厚い)蛍光体が存在する層を透過してLEDチップからの光が外部に放射されるので、途上での光と蛍光体との衝突回数が増え、必要以上の拡散を生じて内部での損失を生じているものと考察できる。
尚、ここで、本発明と従来例との蛍光体の添加量を単純に比較すると、例えば同じ10(重量%)においての効率は、従来例では約66(lm/W)、本発明では約47(lm/W)となり、従来例の方が効率が高いように見えるが、これは、基準となる透明シリコーン樹脂の総量が従来例が圧倒的に大量であるからであり、蛍光体の使用量では本発明の方が少量である。
以上、説明のように本発明により、透明シリコーン樹脂6aと蛍光体6bとを適宜な比率で混和した内側モールド層6を形成し、更にその外側に透明シリコーン樹脂のみによる外側モールド層7を形成した白色LEDランプ1としたことで、第一には、LEDチップからの光に対して適正な量の蛍光体6bを適正な透過距離として配置することを可能とし、過剰な散乱を生じることをなくし、外部に取出し可能とする光量を増加させる。
また、第二には、上記したように過剰な散乱を生じないようにしたことで、チップ収納凹部2aの側面などにリフレクタ5を設けたときには、白色LEDランプ1の照射方向に光を反射できるものとして、一層の光量増加を可能とするものである。
図7は本発明に係る白色LEDランプ1の第二実施形態を示すものであり、この第二実施形態におけるLEDチップ31は、サファイヤ基板上にInGaNの活性層を持ち、上面には一対の正、負電極が設けられている。前記サファイヤ基板側をパッケージ2のチップ収納凹部2a内に接着剤などで固定し、正、負電極をそれぞれの配線パターン2bに金線4によりワイヤーボンディングし、その後には、第一実施形態と同様にして内側モールド層6と、外側モールド層7とを形成する。
図8は本発明に係る白色LEDランプ1の第三実施形態を示すものであり、この第三実施形態におけるLEDチップ31は、サファイヤ基板上にInGaNの活性層を持ち、上面には一対の正、負電極が設けられている第二実施形態のものと同じものが用いられている。但し、パッケージ2への取付けにあたっては、上下面を反転させ、正、負電極の側で配線パターン2bに固定する、いわゆる、フェースダウンで行われている。そして、その後には、第一実施形態、第二実施形態と同様にして内側モールド層6と、外側モールド層7とを形成する。
図9は本発明に係る白色LEDランプ1の第四実施形態を示すものであり、上記説明の第一〜第三実施形態は、何れも1個のLEDチップ3(31)をパッケージ2内にマウントするものであったが、本発明はこれを限定するものではなく図9に示すように複数個をマウントしても良いものである。そして、LEDチップ3(31)の形状も第一〜第三実施形態のものと何れを採用するのも自在である。
図10は、本発明に係る白色LEDランプ1の第五実施形態を示すものであり、上記した第一実施形態〜第四実施形態は何れもLEDチップの形状、数、あるいは、取付方法に相違があるものであったが、この第五実施形態においては、前記内側モールド層の構成に相違があるものである。
即ち、本発明においては、チップ収納凹部2a内に行われるモールドが、内側モールド層61と外側モールド層7とで二層として形成されているが、この実施形態では更に加えて、内側モールド層61がインナー層61aとアウター層61bとの二層として構成されている。
そして、前記インナー層61aは、比較的に少ない重量%の蛍光体6bを混和した透明シリコーン樹脂6a、あるいは、透明シリコーン樹脂6aのみで前記LEDチップ3を覆い、ドーム状などと称されている半球状の頂部を有する円筒状として形成されている。
また、アウター層61bは、前記インナー層61aを一定の厚みで覆うようにして形成されるものであり、このときには、前記LEDチップ3(31)からの直射光との混色で白色光を得られるのに必要充分な量の蛍光体6bの混和、分散が行われた透明シリコーン樹脂6aが用いられる。
このようにしたことで、LEDチップ3(31)から放射される光は、何れの方向へ向かうものも、ほぼ同じ距離のアウター層61bを透過するものとなり、即ち、蛍光体6bに対しての衝突の回数などはほぼ同一条件のものとすることができる。従って、この実施形態により形成された白色LEDランプ1は見る方向により色相が異なるなど、色ムラを生じないものとすることができる。
尚、上記した第一実施形態〜第五実施形態のものは何れも樹脂部材などで形成された、いわゆる面実装型のパッケージ2を採用した例で示したが、本発明はこれを限定するものではなく、この種の白色LEDランプにおいては近年、例えば懐中電灯の光源など、白熱電球を代替する照明用の用途も検討されている。
この場合、光量が必要となり駆動電力が増加されるので、LEDチップ3の冷却が従来以上に必要となり、例えばLEDチップ3がダイマウントされる部分を熱伝導に優れる金属ブロックとして形成される場合もある。本発明はこのようなケースでも当然に実施可能であり、即ち、パッケージ2の形状などを限定することはないものである。
本発明に係る白色LEDランプの第一実施形態を示す平面図である。 図1のA−A線に沿う断面図である。 本発明に係る白色LEDランプの配光特性を示すグラフである。 従来例の配光特性を示すグラフである。 本発明に係る白色LEDランプにおける蛍光体の添加量と光量との関係を示すグラフである。 従来例の蛍光体の添加量と光量との関係を示すグラフである。 同じく本発明に係る白色LEDランプの第二実施形態を示す断面図である。 同じく本発明に係る白色LEDランプの第三実施形態を示す断面図である。 同じく本発明に係る白色LEDランプの第四実施形態を示す断面図である。 同じく本発明に係る白色LEDランプの第五実施形態を示す断面図である。 従来例を示す断面図である。
符号の説明
1……白色LEDランプ
2……パッケージ
2a……チップ収納凹部
2b……配線パターン
2c……端子部
3、31……LEDチップ
4……金線
5……リフレクタ
6、61……内側モールド層
6a……透明シリコーン樹脂
6b……蛍光体
61a……インナー層
61b……アウター層
7……外側モールド層

Claims (2)

  1. 窒化ガリウム系化合物半導体(InxAlYGa1-X-YN,0≦Y,X+Y≦1)から成る活性層を有するLEDチップが、内面に銀メッキによるリフレクタが形成されたチップ取付凹部が設けられているセラミック部材で形成された表面実装タイプのパッケージの、前記チップ取付凹部内の配線パターンにボンディングにより取付けが行われており、前記LEDチップにはのLEDチップの周囲を適宜の肉厚で略円筒形に覆う蛍光体が分散されたモールド樹脂による内側モールド層と、この内側モールド層の外側を覆うように前記チップ取付凹部内に充填される透明モールド樹脂による外側モールド層とから成る複層のモールドが行われていることを特徴とする白色LEDランプ。
  2. 前記内側モールド層が、分散された蛍光体の濃度が異なる複層から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の白色LEDランプ。
JP2003287089A 2003-08-05 2003-08-05 白色ledランプ Expired - Fee Related JP3969660B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003287089A JP3969660B2 (ja) 2003-08-05 2003-08-05 白色ledランプ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003287089A JP3969660B2 (ja) 2003-08-05 2003-08-05 白色ledランプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005057089A JP2005057089A (ja) 2005-03-03
JP3969660B2 true JP3969660B2 (ja) 2007-09-05

Family

ID=34366200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003287089A Expired - Fee Related JP3969660B2 (ja) 2003-08-05 2003-08-05 白色ledランプ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3969660B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060125340A (ko) * 2005-06-02 2006-12-06 에이프로시스템즈 (주) 광학적 매개물을 포함하는 발광 다이오드
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
JP5205773B2 (ja) * 2006-11-07 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008311245A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Nichia Corp 発光装置
DE102007043355A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
JP5219530B2 (ja) * 2008-01-25 2013-06-26 パナソニック株式会社 発光ダイオード照明器具
KR101007062B1 (ko) * 2008-03-21 2011-01-12 주식회사 루멘스 발광다이오드 리드프레임과 그 리드프레임을 이용한발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8350370B2 (en) * 2010-01-29 2013-01-08 Cree Huizhou Opto Limited Wide angle oval light emitting diode package
JP6361647B2 (ja) 2015-12-28 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3257455B2 (ja) * 1997-07-17 2002-02-18 松下電器産業株式会社 発光装置
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ledランプ
JP2002033520A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005057089A (ja) 2005-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6079629B2 (ja) 発光装置
US7781783B2 (en) White light LED device
US20100078669A1 (en) Light emitting device and lead frame for the same
TW201251114A (en) Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
JP2007227925A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
JP2011523511A (ja) 近距離場で光を混合する光源
CN103534825A (zh) 包含密封剂和指标匹配的触变剂的发光二极管封装件
JP2008041699A (ja) Ledパッケージ
US8053798B2 (en) Light emitting device
JP3969660B2 (ja) 白色ledランプ
US20160056143A1 (en) Light emitting device package
JP2007012993A (ja) チップ型半導体発光素子
US8040039B2 (en) Device and method for emitting composite output light using multiple wavelength-conversion mechanisms
TW201251122A (en) Lighting device and illuminating device
JP2006332269A (ja) 発光装置
JP2011154844A (ja) 発光ユニット及びそれを用いた照明器具
KR100868204B1 (ko) 확산재를 이용하는 발광다이오드 및 그것의 제조방법
US20160254423A1 (en) Non-magnified led for high center-beam candle power
KR102397909B1 (ko) 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
JP2005235847A (ja) 発光装置
CN100428512C (zh) 发光二极管装置
JP2009177188A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP2018032693A (ja) 発光装置、及び、照明装置
KR20100063877A (ko) 발광 소자
KR100712880B1 (ko) 색온도 편차를 줄일 수 있는 백색 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070119

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070420

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070529

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070601

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3969660

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees