JP3950681B2

JP3950681B2 - 伝送線路基板

Info

Publication number: JP3950681B2
Application number: JP2001371835A
Authority: JP
Inventors: 哲也真栄城; 均邊見
Original assignee: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International
Current assignee: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International
Priority date: 2001-12-05
Filing date: 2001-12-05
Publication date: 2007-08-01
Anticipated expiration: 2021-12-05
Also published as: JP2003174304A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第１の伝送線路と該第１の伝送線路に対して絶縁された第２の伝送線路とが形成された伝送線路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高速化を達成するために電子機器に使用されるプリント基板が小型化され、プリント基板に形成される伝送線路が微細化されるとともに、伝送線路により伝達される信号が高速化される傾向にある。
【０００３】
上記のように微細化された伝送線路を用いて信号を高速に伝送する場合、伝送線路のインピーダンスの値を所望の値に設定するインピーダンス制御が重要になってくる。すなわち、インピーダンス制御が正確に行われない場合、高速信号を安定に伝送することができず、電子機器が動作しなくなる場合がある。
【０００４】
ここで、伝送線路のインピーダンスは、伝送線路の幅及び高さ、伝送線路とグランド層との間の距離、伝送線路が形成されるプリント基板の絶縁層の誘電率等に依存し、一般的に、伝送線路の断面積（幅×高さ）に反比例するとともに、基板の誘電率にも反比例する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実現可能な伝送線路の幅及び高さにはプリント基板の製造技術による限界があり、ある一定値以上のインピーダンスを実現することは困難である。特に、ポリイミド等の誘電率が高い絶縁層を使用しなければならないフレキシブル基板では、インピーダンスの値を高くすることがより困難となっている。
【０００６】
また、伝送線路の微細化に伴い、伝送線路等の加工精度のバラツキ等が伝送線路のインピーダンスの値に大きく影響し、伝送線路のインピーダンスの値を所望の値に正確に設定することも困難になってきている。
【０００７】
本発明の目的は、伝送線路のインピーダンスの値をより高くすることができるとともに、所望の値に正確に設定することができる伝送線路基板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
（１）第１の発明
第１の発明に係る伝送線路基板は、第１の伝送線路と第１の伝送線路に対して絶縁された第２の伝送線路とが形成された伝送線路基板であって、第１及び第２の伝送線路が連続して立体的に交差し、伝送線路基板は、第３の伝送線路と第３の伝送線路に対して絶縁された第４の伝送線路とをさらに含み、第１及び第２の伝送線路は、第１の間隔で立体的に交差し、第３及び第４の伝送線路は、第１及び第２の伝送線路に対して並列に配置されるとともに、第１の間隔と異なる第２の間隔で立体的に交差するものである。
【０００９】
本発明に係る伝送線路基板においては、第１の伝送線路と第１の伝送線路に対して絶縁された第２の伝送線路とが連続して立体的に交差するように形成されているので、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間の間隔及び第１及び第２の伝送線路の交差間隔を増大させることにより、第１及び第２の伝送線路のインピーダンスの値を高くすることができる。したがって、第１及び第２の伝送線路のパターン間隔及び交差間隔を調整することにより、伝送線路のインピーダンスの値をより高くすることができるとともに、所望の値に正確に設定することができる。また、第１及び第２の伝送線路が第１の間隔で立体的に交差し、第３及び第４の伝送線路が第１の間隔と異なる第２の間隔で立体的に交差しているので、第１及び第２の伝送線路により伝送される信号と第３及び第４の伝送線路により伝送される信号との間のクロストークを低減することができる。
【００１０】
（２）第２の発明
第２の発明に係る伝送線路基板は、第１の発明に係る伝送線路基板の構成において、第１の伝送線路は、第１の伝送線路と第２の伝送線路とを絶縁するための絶縁層の一方側に形成され、第２の伝送線路は、絶縁層の他方側に形成され、第１及び第２の伝送線路は、所定間隔で立体的に交差する。
【００１１】
この場合、第１の伝送線路が絶縁層の一方側に形成され、第２の伝送線路が絶縁層の他方側に形成されるので、所定間隔で立体的に交差する第１及び第２の伝送線路を絶縁層上に容易に形成することができる。
【００１２】
（３）第３の発明
第３の発明に係る伝送線路基板は、第１の発明に係る伝送線路基板の構成において、第１の伝送線路は、第１の伝送線路と第２の伝送線路とを絶縁するための絶縁層の一方側に形成された複数の第１の導電部と、絶縁層の他方側に形成された複数の第２の導電部とを含み、第２の伝送線路は、絶縁層の他方側に形成された複数の第３の導電部と、絶縁層の一方側に形成された複数の第４の導電部とを含み、第１及び第２の導電部は、絶縁層を貫通する第１の接続部を介して電気的に順次接続され、第３及び第４の導電部は、絶縁層を貫通する第２の接続部を介して電気的に順次接続され、第１及び第２の伝送線路は、所定間隔で立体的に交差する。
【００１３】
この場合、絶縁層の一方側に形成された複数の第１の導電部と絶縁層の他方側に形成された複数の第２の導電部とが絶縁層を貫通する第１の接続部を介して電気的に順次接続されるとともに、絶縁層の他方側に形成された複数の第３の導電部と絶縁層の一方側に形成された複数の第４の導電部とが絶縁層を貫通する第２の接続部を介して電気的に順次接続されるので、立体的に螺旋状に交差した第１及び第２の伝送線路を容易に形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態による伝送線路基板について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態による伝送線路基板の構成を模式的に示す平面図であり、図２は、図１に示す伝送線路基板の断面構造を模式的に示すＡ−Ａ’断面図である。
【００１７】
図１及び図２に示す伝送線路基板１０ａは、フレキシブル基板であり、第１の伝送線路１ａ、第２の伝送線路２ａ、第１のカバーレイ３ａ、第２のカバーレイ４ａ及びベース５ａを備える。なお、図１では、図示を容易にするために、基板となるベース５ａの下に配置されている第２の伝送線路２ａを実線で示すとともに、第１のカバーレイ３ａ、第２のカバーレイ４ａ及びベース５ａは外形のみを実線で示している。
【００１８】
絶縁層となるベース５ａの一方側（図２において上側）に第１の伝送線路１ａが形成され、第１の伝送線路１ａの上に絶縁層となる第１のカバーレイ３ａが形成される。一方、ベース５ａの他方側（図２において下側）に第２の伝送線路２ａが形成され、第２の伝送線路２ａの上に絶縁層となる第２のカバーレイ４ａが形成される。例えば、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａは、厚さ約１８μｍの銅箔から構成され、第１及び第２のカバーレイ３ａ，４ａは、厚さ約３５μｍの接着層及び厚さ約２５μｍのポリイミドから構成され、ベース５ａは、厚さ約２２μｍの接着層、厚さ約２５μｍのポリイミド及び厚さ約２２μｍの接着層から構成される。
【００１９】
なお、伝送線路基板１０ａの構成は、上記の例に特に限定されず、種々の変更が可能である。また、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａの材質は、上記の例に特に限定されず、他の導電性材料を用いてもよく、第１及び第２のカバーレイ３ａ，４ａ及びベース５ａの材質及び構造も、上記の例に特に限定されず、他の絶縁性材料を用いてもよい。また、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａ、第１及び第２のカバーレイ３ａ，４ａ並びにベース５ａの厚さも、上記の例に特に限定されず、種々の変更が可能である。
【００２０】
第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａは、線対称な配線パターンを有し、第１の伝送線路１ａは、直線部Ｐ１と当該直線部Ｐ１に対して約４５度屈曲された交差部Ｐ２とを順次連結した略波型パターンから構成され、第２の伝送線路２ａは、直線部Ｐ１と略平行に配置された直線部Ｐ３と当該直線部Ｐ３に対して約４５度屈曲された交差部Ｐ４とを順次連結した略波型パターンから構成される。
【００２１】
上記の配線パターンにより、パターン幅Ｗの直線部Ｐ１とパターン幅Ｗの直線部Ｐ３とがパターン間隔Ｓを隔てて平行に配置され、交差部Ｐ３と交差部Ｐ４とが約９０度で交差し、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａは交差間隔Ｌで立体的に交差する。
【００２２】
上記のように構成された伝送線路基板１０ａでは、例えば、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａの一方により高速信号が伝送され、他方はグランド線として使用される。なお、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａにより伝送される信号は、上記の例に特に限定されず、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａにより差動信号等を伝送するようにしてもよい。
【００２３】
次に、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺに対するパターン幅Ｗ、パターン間隔Ｓ及び交差間隔Ｌの影響について下記表１を用いて説明する。なお、表１において、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺの単位は（Ω）であり、パターン幅Ｗ、パターン間隔Ｓ及び交差間隔Ｌの単位は（ｍｉｌ）である。
【００２４】
【表１】

【００２５】
表１は、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺとパターン幅Ｗ、パターン間隔Ｓ及び交差間隔Ｌとの関係を示し、表１に示す実施例１〜５は、図１及び図２に示す伝送線路基板１０ａを表１に示すパターン幅Ｗ、パターン間隔Ｓ及び交差間隔Ｌで作成したものである。また、比較例１は、ベースの両面にパターン幅Ｗ＝６（ｍｉｌ）の直線状の伝送線路をそれぞれ形成したものであり、比較例２は、ベースの一方側にパターン幅Ｗ＝５（ｍｉｌ）の直線状の２本の伝送線路をパターン間隔Ｓ＝１９（ｍｉｌ）で形成したものであり、比較例１，２は、交差部を有しない２本の平行伝送線路である。なお、オーバーレイ等は実施例１〜５及び比較例１，２ともに同一のものを使用している。
【００２６】
実施例１〜５のインピーダンスＺは、９０〜１３０（Ω）であり、比較例１のインピーダンスＺ＝６０（Ω）の約１．５〜２．１７倍になり、比較例２のインピーダンスＺ＝８５（Ω）の約１．０６〜１．５３倍になった。この結果、実施例１〜５のように第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａを所定間隔で互いに交差させることにより、インピーダンスＺを向上できることがわかった。
【００２７】
また、パターン幅Ｗ＝１０（ｍｉｌ）の実施例５のインピーダンスＺは９０（Ω）になり、パターン幅Ｗ＝６（ｍｉｌ）の実施例１〜４のインピーダンスＺは９８〜１３０（Ω）になり、パターン幅Ｗを減少させることによりインピーダンスＺを向上できることがわかった。
【００２８】
また、パターン間隔Ｓ＝４（ｍｉｌ）の実施例１のインピーダンスＺは１００（Ω）になり、パターン間隔Ｓ＝９（ｍｉｌ）の実施例３のインピーダンスＺは１１０（Ω）になり、パターン間隔Ｓ＝１４（ｍｉｌ）の実施例４のインピーダンスＺは１３０（Ω）になり、パターン間隔Ｓを増加させることによりインピーダンスＺを向上できることがわかった。
【００２９】
交差間隔Ｌ＝４５．５（ｍｉｌ）の実施例２のインピーダンスＺは９８（Ω）になり、交差間隔Ｌ＝９０（ｍｉｌ）の実施例１のインピーダンスＺは１００（Ω）になり、交差間隔Ｌを増加させることによりインピーダンスＺを向上できることがわかった。
【００３０】
次に、伝送線路のインピーダンスに対するパターン幅の影響について説明する。一般の伝送線路のインピーダンスＺ₀は、近似的に次式により与えられる（STEPHEN H. HALL，et all：High-Speed Digital System Design，A Handbook of Interconnect Theory and Design Practices，pp318を参照）。
【００３１】
Ｚ₀＝（μ₀ε₀／ε_e）^1/2・（１／Ｃ_a） …（１）
Ｃ_a＝２πε₀／ｌｎ（８Ｈ／Ｗ＋Ｗ／４Ｈ） …（２）
ε_e＝（ε_r＋１）／２＋（（ε_r−１）／２）・（１＋１２Ｈ／Ｗ）^-1/2＋Ｆ−０．２１７（ε_r−１）・（Ｔ／（ＷＨ）^1/2） …（３）
Ｆ＝０．０２（ε_r−１）・（１−Ｗ／Ｈ）² …（４）
ここで、μ₀は真空の透磁率であり、ε₀は真空の誘電率であり、Ｈは伝送線路とグランド層との距離であり、Ｔは伝送線路の高さであり、Ｗは伝送線路のパターン幅であり、ε_rは絶縁層となるベースの誘電率である。
【００３２】
上記の式（２）及び式（３）では、距離Ｈの係数（例えば、８，４，１２）がパターン幅Ｗ及び高さＴの係数より大きくなっており、距離Ｈのバラツキすなわちベースの厚さのバラツキはインピーダンスＺ₀の値に大きく影響するが、パターン幅Ｗのバラツキはあまり影響しないことがわかる。
【００３３】
したがって、本実施の形態でも、製造バラツキ等によるパターン幅Ｗのバラツキは第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺにあまり影響しないので、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのパターン幅Ｗを減少させることにより、パターン幅Ｗのバラツキによる影響をあまり受けることなく、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺの値を高くすることができる。この結果、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのパターン幅Ｗを調整することにより、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺを所望の値に高精度に且つ容易に設定することができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、第１の伝送線路１ａと第２の伝送線路２ａとが連続して立体的に交差するように形成されているので、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのパターン間隔Ｓを増加させることにより第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺの値を高くすることができるとともに、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａの交差間隔Ｌを増加させることによっても第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスＺの値を高くすることができる。
【００３５】
したがって、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのパターン間隔Ｓ及び交差間隔Ｌを調整することにより、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａのインピーダンスの値をより高くすることができるとともに、所望の値に正確に設定することができる。この結果、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａにより伝送される信号に発生するノイズを低減することができ、より高速に信号を伝送することができる。
【００３６】
さらに、本実施の形態では、第１の伝送線路１ａがベース５ａの一方側に形成され、第２の伝送線路２ａがベース５ａの他方側に形成されるので、第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａをベース５ａ上に容易に形成することができる。
【００３７】
次に、本発明の第２の実施の形態による伝送線路基板について説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態による伝送線路基板の構成を模式的に示す平面図であり、図４は、図３に示す伝送線路基板の断面構造を模式的に示すＢ−Ｂ’断面図である。
【００３８】
図３及び図４に示す伝送線路基板１０ｂは、フレキシブル基板であり、第１の伝送線路１ｂ、第２の伝送線路２ｂ、第１のカバーレイ３ｂ、第２のカバーレイ４ｂ及びベース５ｂを備える。
【００３９】
第１の伝送線路１ｂは、複数の第１及び第２の導電部Ｄ１，Ｄ２及び複数の第１のバイアホール６ａから構成され、第１及び第２の導電部Ｄ１，Ｄ２は、第１の実施形態と同様に、直線部と当該直線部に対して約４５度屈曲された交差部とを有する。第２の伝送線路２ａは、複数の第３及び第４の導電部Ｄ３，Ｄ４及び複数の第２のバイアホール６ｂから構成され、第３及び第４の導電部Ｄ３，Ｄ４は、第１の実施形態と同様に、直線部と当該直線部に対して約４５度屈曲された交差部とを有する。なお、図３では、図示を容易にするために、基板となるベース５ｂの下に配置されている第２の導電部Ｄ２及び第３及の導電部Ｄ３を実線で示すとともに、第１のカバーレイ３ｂ、第２のカバーレイ４ｂ及びベース５ｂは外形のみを実線で示している。
【００４０】
絶縁層となるベース５ｂの一方側（図４において上側）に複数の第１の導電部Ｄ１が形成され、ベース５ｂの他方側（図４において下側）に複数の第２の導電部Ｄ２が形成され、第１及び第２の導電部Ｄ１，Ｄ２がベース５ｂを貫通する第１の接続部となるバイアホール６ａを介して順次接続され、略螺旋状に第１の伝送線路１ｂが形成される。
【００４１】
一方、ベース５ｂの他方側に複数の第３の導電部Ｄ３が形成され、ベース５ｂの一方側に複数の第４の導電部Ｄ４が形成され、第３及び第４の導電部Ｄ３，Ｄ４がベース５ｂを貫通する第２の接続部となるバイアホール６ｂを介して順次接続され、略螺旋状に第２伝送線路２ｂが形成される。
【００４２】
第１及び第２のバイアホール６ａ，６ｂは、例えば、銅からなり、第１のバイアホール６ａは第１及び第２の導電部Ｄ１，Ｄ２を電気的に接続し、第２のバイアホール６ｂは第３及び第４の導電部Ｄ３，Ｄ４を電気的に接続する。なお、第１及び第２のバイアホール６ａ，６ｂの材質は、上記の例に特に限定されず、他の導電性材料を用いてもよい。
【００４３】
また、第１及び第３の導電部Ｄ１，Ｄ３上に絶縁層となる第１のカバーレイ３ｂが形成され、第２及び第４の導電部Ｄ１，Ｄ３の上に絶縁層となる第２のカバーレイ４ｂが形成される。なお、上記の点以外は、第１の実施の形態と同様である。
【００４４】
上記のようにして、第１〜第４の導電部Ｄ１〜Ｄ４を第１及び第２のバイアホール６ａ，６ｂを介して順次接続することにより、螺旋状に立体的に交差した第１及び第２の伝送線路１ｂ，２ｂが形成され、第１の実施の形態と同様にパターン幅Ｗ、パターン間隔Ｓ及び交差間隔Ｌの第１及び第２の伝送線路１ｂ，２ｂを形成することができる。
【００４５】
上記の構成により、本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができるとともに、螺旋状に立体的に交差した第１及び第２の伝送線路１ｂ，２ｂを伝送線路基板１０ｂに容易に形成することができる。
【００４６】
次に、本発明の第３の実施の形態による伝送線路基板について説明する。図５は、本発明の第３の実施の形態による伝送線路基板の構成を模式的に示す平面図である。
【００４７】
図５に示す伝送線路基板１０ｃは、フレキシブル基板であり、第１の伝送線路１ｃ、第２の伝送線路２ｃ、第３の伝送線路１ｄ、第４の伝送線路２ｄ及び第１のカバーレイ３ｃ等を備える。なお、第３の実施の形態でも、第１の実施の形態と同様にベース及び第２のカバーレイを備えているが、図３では、図示を容易にするために、基板となるベースの下に配置されている第２の伝送線路２ｃ及び第４の伝送線路２ｄを実線で示すとともに、第１のカバーレイ３ｃ、第２のカバーレイ及びベースは外形のみを実線で示している。
【００４８】
第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃと第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄとは、それぞれ第１の実施形態の第１及び第２の伝送線路１ａ，２ａと同様に作成されるとともに、第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃの交差間隔はＬ１に設定され、第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄの交差間隔はＬ２（＞Ｌ１）に設定されている。
【００４９】
上記の構成により、本実施の形態では、第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃと第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄとでは、それぞれ第１の実施の形態と同様の効果を得ることができるとともに、第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃが交差間隔Ｌ１で互いに交差し、第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄが交差間隔Ｌ１と異なる交差間隔Ｌ２で互いに交差しているので、第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃと第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄとにより伝送される信号間のクロストークを低減することができる。
【００５０】
なお、交差間隔Ｌ１と交差間隔Ｌ２との関係は、単に異なるだけでなく、所定の距離Ｌ０に対する第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃの交差数ｎ（＝Ｌ０／Ｌ１）と第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄの交差数ｍ（＝Ｌ０／Ｌ２）との差（＝ｎ−ｍ、図５に示す例では、ｎ＝１０，ｍ＝９）が１になることが好ましい。この場合、第１及び第２の伝送線路１ｃ，２ｃと第３及び第４の伝送線路１ｄ，２ｄとにより伝送される信号間のクロストークをより低減することができる。
【００５１】
なお、上記の説明では、直線部と交差部とを交互に構成することにより伝送線路を立体的に交差させたが、この例に特に限定されず、直線部を省略して交差部のみから三角波状のパターンを形成したり、サイン波等の曲線パターンを形成するようにしてもよい。また、直線部と交差部との角度も、上記の４５度に特に限定されず、３０度、６０度等の他の角度を用いて交差部を形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、ベースの両側の導体層を用いて一対の伝送線路を形成したが、この例に特に限定されず、種々の変更が可能であり、ベースの両側の導体層を用いてベースの主面方向に一対の伝送線路を３つ以上形成するようにしてもよい。また、導体層を４層以上にして基板の厚み方向に一対の伝送線路を２つ以上形成してもよく、この場合、一対の伝送線路と他の一対の伝送線路との間の絶縁層としては、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂ＦＲ４、絶縁処理されたアルミニウム基板等を用いることができる。
【００５３】
また、上記の各実施の形態では、本発明をフレキシブル基板に適用した例について説明したが、この例に特に限定されず、硬質プリント基板、フレックスリジッド基板等の他のプリント基板、ＩＣ（集積回路）内部の配線等にも本発明を同様に適用することができる。
【００５４】
また、上記の各実施の形態では、伝送線路のみを設ける例について説明したが、抵抗、コンデンサ、ＩＣ等の電気部品等を伝送線路とともに各基板に設けるようにしてもよいし、本発明の伝送線路以外に通常の直線状の伝送線路を設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による伝送線路基板の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示す伝送線路基板の断面構造を模式的に示すＡ−Ａ’断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による伝送線路基板の構成を模式的に示す平面図である。
【図４】図３に示す伝送線路基板の断面構造を模式的に示すＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態による伝送線路基板の構成を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｃ第１の伝送線路
１ｄ第３の伝送線路
２ａ〜２ｃ第２の伝送線路
２ｄ第４の伝送線路
３ａ〜３ｃ第１のカバーレイ
４ａ，４ｂ第２のカバーレイ
５ａ，５ｂベース
６ａ，６ｂバイアホール
１０ａ〜１０ｃ伝送線路基板
Ｐ１，Ｐ３直線部
Ｐ２，Ｐ４交差部
Ｄ１第１の導電部
Ｄ２第２の導電部
Ｄ３第３の導電部
Ｄ４第４の導電部

Claims

第１の伝送線路と前記第１の伝送線路に対して絶縁された第２の伝送線路とが形成された伝送線路基板であって、
前記第１及び第２の伝送線路が連続して立体的に交差し、
前記伝送線路基板は、第３の伝送線路と前記第３の伝送線路に対して絶縁された第４の伝送線路とをさらに含み、
前記第１及び第２の伝送線路は、第１の間隔で立体的に交差し、
前記第３及び第４の伝送線路は、前記第１及び第２の伝送線路に対して並列に配置されるとともに、前記第１の間隔と異なる第２の間隔で立体的に交差することを特徴とする伝送線路基板。
前記第１の伝送線路は、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路とを絶縁するための絶縁層の一方側に形成され、
前記第２の伝送線路は、前記絶縁層の他方側に形成され、
前記第１及び第２の伝送線路は、所定間隔で立体的に交差することを特徴とする請求項１記載の伝送線路基板。
前記第１の伝送線路は、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路とを絶縁するための絶縁層の一方側に形成された複数の第１の導電部と、前記絶縁層の他方側に形成された複数の第２の導電部とを含み、
前記第２の伝送線路は、前記絶縁層の他方側に形成された複数の第３の導電部と、前記絶縁層の一方側に形成された複数の第４の導電部とを含み、
前記第１及び第２の導電部は、前記絶縁層を貫通する第１の接続部を介して電気的に順次接続され、
前記第３及び第４の導電部は、前記絶縁層を貫通する第２の接続部を介して電気的に順次接続され、
前記第１及び第２の伝送線路は、所定間隔で立体的に交差することを特徴とする請求項１記載の伝送線路基板。