[go: up one dir, main page]

JP3926588B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3926588B2
JP3926588B2 JP2001220231A JP2001220231A JP3926588B2 JP 3926588 B2 JP3926588 B2 JP 3926588B2 JP 2001220231 A JP2001220231 A JP 2001220231A JP 2001220231 A JP2001220231 A JP 2001220231A JP 3926588 B2 JP3926588 B2 JP 3926588B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
gas
insulating film
semiconductor device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001220231A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003031572A (ja
Inventor
喜美 塩谷
裕子 西本
智美 鈴木
博志 猪鹿倉
和夫 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Marketing Japan Inc
Original Assignee
Canon Marketing Japan Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Marketing Japan Inc filed Critical Canon Marketing Japan Inc
Priority to JP2001220231A priority Critical patent/JP3926588B2/ja
Priority to TW091112568A priority patent/TW544919B/zh
Priority to US10/164,709 priority patent/US6649495B2/en
Priority to EP02013435A priority patent/EP1280194A3/en
Priority to KR10-2002-0036224A priority patent/KR100494480B1/ko
Publication of JP2003031572A publication Critical patent/JP2003031572A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3926588B2 publication Critical patent/JP3926588B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
    • H01L21/76834—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers formation of thin insulating films on the sidewalls or on top of conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2
    • H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1005—Formation and after-treatment of dielectrics
    • H01L2221/101—Forming openings in dielectrics
    • H01L2221/1015—Forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H01L2221/1036—Dual damascene with different via-level and trench-level dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、銅膜を主とする配線を被覆してバリア絶縁膜と低誘電率を有する主絶縁膜とを順に形成する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の高集積度化、高密度化とともに、データ転送速度の高速化が要求されている。このため、ＲＣディレイの小さい低誘電率を有する絶縁膜（以下、低誘電率絶縁膜と称する。）が用いられている。
このような低誘電率絶縁膜を形成するため、一つは、トリメチルシラン（SiH(CH3) 3）とＮ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法が知られている。例えば、M.J.Loboda, J.A.Seifferly, R.F.Schneider, and C.M.Grove, Electrochem. Soc. Fall Meeting Abstracts, p.344(1998)等に記載されている。また、テトラメチルシラン（Si(CH3) 4）とＮ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法は、例えば、J.Shi, M.A-Plano, T.Mountsier, and S.Nag, SEMICON Korea Technical Symposium 2000, p.279(2000)等に記載されている。
【０００３】
その他、フェニ−ルシラン等を用いたプラズマＣＶＤ法も知られている。例えば、遠藤和彦，篠田啓介，辰巳徹，第４６回春応用物理学会（1999），p.897、松下信雄，森貞佳紀，内藤雄一，松野下綾，第６０回秋応用物理学会（1999），1p-ZN-9(1999)、内田恭敬，松澤剛雄，菅野聡，松村正清，第４回春応用物理学会，p.897(1999)等に記載されている。
【０００４】
これらの低誘電率絶縁膜を銅膜を主とする配線上に形成する場合、まず銅膜を主とする配線上に銅の拡散を防止するため窒化膜からなるバリア絶縁膜を形成し、そのバリア絶縁膜上に低誘電率絶縁膜を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この場合、銅膜を主とする配線上に窒化膜からなるバリア絶縁膜と低誘電率を有する主絶縁膜とをＣＶＤ法により形成するときに、窒素含有ガスで窒化膜を形成した後、シリコン含有ガスに切り換えて低誘電率を有する絶縁膜を形成している。成膜ガスを切り換えるのに合わせてガス流量等も適宜調整している。このように、銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成しようとした場合、ガスの切替作業や、ガス流量の調整作業等が必要である。その上、ガスの切替後にチャンバ内を成膜ガスで置換させるために相当の時間を要し、スループットが上がらない。
【０００６】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成する場合、スループットの向上を図りつつ、銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを形成することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、第１の発明は、半導体装置の製造方法に係り、被成膜基板上にバリア絶縁膜と比誘電率３．２以下の低誘電率を有する絶縁膜とをプラズマＣＶＤ法により形成する半導体装置の製造方法であって、成膜ガスをプラズマ化する手段として、前記被成膜基板を保持する第１の電極と、該第１の電極と対向する第２の電極とからなる平行平板型の電極を準備する工程と、少なくともシリコン含有ガスと酸素含有ガスとを含む第１の成膜ガスを前記第１の電極と第２の電極の間に導入する工程と、１００kHz乃至１MHzの範囲の周波数ｆ１の電力を前記第１の電極に印加して、前記第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記被成膜基板上に前記バリア絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記シリコン含有ガスと前記酸素含有ガスとを含む第２の成膜ガスを前記第１の電極と第２の電極の間に導入する工程と、前記第１の電極には電力を印加せずに、１MHz以上の周波数ｆ２の電力を前記第２の電極に印加して、前記第２の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記バリア絶縁膜上に前記低誘電率を有する絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とし、
第２の発明は、第１の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記バリア絶縁膜を形成する際の成膜ガスのガス圧力を維持したまま引き続き前記バリア絶縁膜上に前記低誘電率を有する絶縁膜を形成することを特徴とし、
第３の発明は、第１又は第２の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記バリア絶縁膜は比誘電率４以上を有することを特徴とし、
第４の発明は、第１乃至第３の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記第１の成膜ガス及び第２の成膜ガスのうち、前記シリコン含有ガスはシロキサン結合を有するアルキル化合物であり、前記酸素含有ガスはＮ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又はＣＯ2のうち何れか一であることを特徴とする。
【０００８】
第５の発明は、第４の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記シロキサン結合を有するアルキル化合物は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
【０００９】
【化３】
Figure 0003926588
【００１０】
）、
又はテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
【００１１】
【化４】
Figure 0003926588
【００１２】
）
のうち何れか一であることを特徴とし、
第６の発明は、第１乃至第５の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記第１の成膜ガス又は第２の成膜ガスのうち少なくとも何れか一は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とし、
第７の発明は、第１乃至第６の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記第１の成膜ガスは、前記シリコン含有ガスと前記酸素含有ガスの他に、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とし、
第８の発明は、第１乃至第７の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記第２の成膜ガスは、前記シリコン含有ガスと前記酸素含有ガスの他に、メチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を含むものであることを特徴とし、
第９の発明は、第１乃至第８の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとは、同じガスを含む混合ガスであることを特徴とし、
第１０の発明は、第１乃至第９の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記基板は、表面に銅膜を主とする配線が露出しているものであることを特徴とし、
第１１の発明は、第１０の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記バリア絶縁膜と前記低誘電率を有する絶縁膜とは銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜を構成していることを特徴としている。
【００１３】
以下に、上記本発明の構成により奏される作用を説明する。
ところで、１ＭＨｚ未満の低い周波数、例えば３８０ｋＨｚの電力によりシリコン含有ガスと酸素含有ガスを含む成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜すると、緻密な絶縁膜を形成することができ、従って銅の拡散を阻止することができる。また、１ＭＨｚ以上の高い周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの電力により成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜すると、低誘電率を有する主絶縁膜を形成することができる。これは、低周波では陰極降下電圧が大きいため、イオン等が加速され易く、いわゆるボンバードメント効果により膜が緻密になるのに対して、高周波では陰極降下電圧が小さいため、いわゆるボンバードメント効果は弱く、緻密性では低周波に比較して劣るが、低誘電率を有するようになるからである。従って、同じ成膜ガスで形成しても、上記の異なる性能を有する絶縁膜を形成することが可能である。
【００１４】
この発明では、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを含む、原則的に同じ第１及び第２の成膜ガスを用いて、バリア絶縁膜と低誘電率を有する主絶縁膜を形成している。即ち、バリア絶縁膜を形成するとき、第１の周波数ｆ１を有する電力を第１の成膜ガスに印加し、第１の成膜ガスをプラズマ化してバリア絶縁膜を形成し、第１の周波数ｆ１よりも高い第２の周波数ｆ２を有する電力を第２の成膜ガスに印加し、第２の成膜ガスをプラズマ化して低誘電率を有する主絶縁膜を形成している。例えば、第１の周波数ｆ１を周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満とし、第２の周波数ｆ２を周波数１ＭＨｚ以上とする。
【００１５】
従って、プラズマ化するための電力の周波数を調整するだけで、原則として同じ第１及び第２の成膜ガスを用いて銅膜を主とする配線等の上に層間絶縁膜として必要な特性を有する多層の絶縁膜を連続して成膜することができる。このため、スループットの向上を図ることができる。
シリコン含有ガスと酸素含有ガスの好ましい組み合わせとして、シロキサン結合を有するアルキル化合物とＮ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又はＣＯ2のうち何れか一の組み合わせを用いることができる。
【００１６】
さらに、バリア絶縁膜を成膜するための第１の成膜ガスとして、シリコン含有ガスと酸素含有ガスに、特にアンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）等の窒素含有ガスのうち何れか一を加えたものを用いると、成膜された絶縁膜について銅に対するバリア性を向上させることができる。また、低誘電率を有する主絶縁膜を成膜するための第２の成膜ガスとして、シリコン含有ガスと酸素含有ガスに、特にメチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を含むものを加えると、成膜された絶縁膜についてより低誘電率化を図ることができる。
【００１７】
或いは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）等の不活性ガスを用いることで、銅膜を主とする配線やバリア絶縁膜との間の密着力を低下させることなく成膜ガスを希釈することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマ成膜装置１０１の構成を示す側面図である。
【００１９】
このプラズマ成膜装置１０１は、プラズマガスにより被成膜基板２１上に絶縁膜を形成する場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガスを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス供給部１０１Ｂとから構成されている。
成膜部１０１Ａは、図１に示すように、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通／非導通を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。
【００２０】
チャンバ１内には対向する一対の上部電極（第２の電極）２と下部電極（第１の電極）３とが備えられ、下部電極３に第１の周波数（ｆ１）１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満、此の実施の形態の場合には周波数３８０ｋＨｚの低周波電力を供給する低周波電力供給電源８が接続され、上部電極２に第１の周波数（ｆ１）よりも高い第２の周波数（ｆ２）１ＭＨｚ以上、この実施の形態の場合には周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続されている。これらの電源７、８から上部電極２及び下部電極３に電力を供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極２、下部電極３及び電源７、８が成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。
【００２１】
上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねている。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えられることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００乃至２００℃程度に加熱することにより、成膜ガス等の反応生成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを防止するためである。
【００２２】
下部電極３は被成膜基板２１の保持台を兼ね、また、保持台上の被成膜基板２１を加熱するヒータ１２を備えている。
成膜ガス供給部１０１Ｂには、シロキサン結合を有するアルキル化合物の供給源と、シクロヘキサン（Ｃ6Ｈ12）又はメチルシクロヘキサン（CH3C6H11）のうち何れか一の供給源と、酸素含有ガスの供給源と、アンモニア（ＮＨ3）の供給源と、希釈ガスの供給源と、窒素（Ｎ2）の供給源とが設けられている。
【００２３】
これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｇ及びこれらすべての分岐配管９ｂ乃至９ｇが接続された配管９ａを通して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐配管９ｂ乃至９ｇの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１ｆや、分岐配管９ｂ乃至９ｇの導通／非導通を制御する開閉手段１０ｂ乃至１０ｍが設置され、配管９ａの途中に配管９ａの閉鎖／導通を行う開閉手段１０ａが設置されている。
【００２４】
また、Ｎ2ガスを流通させて分岐配管９ｂ乃至９ｅ内の残留ガスをパージするため、Ｎ2ガスの供給源と接続された分岐配管９ｇとその他の分岐配管９ｂ乃至９ｅの間の導通／非導通を制御する開閉手段１０ｎ、１０ｐ乃至１０ｒが設置されている。なお、Ｎ2ガスは分岐配管９ｂ乃至９ｅ内のほかに、配管９ａ内及びチャンバ１内の残留ガスをパージする。他に、希釈ガスとして用いることもある。
【００２５】
以上のような成膜装置１０１によれば、シリコン含有化合物の供給源と、酸素含有ガスの供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段として、下部電極３と、下部電極３に接続された第１の周波数（ｆ１）１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を供給する低周波電源8と、上部電極２と、上部電極２に接続された第１の周波数（ｆ１）よりも高い第２の周波数（ｆ２）1MHz以上の高周波電力を供給する高周波電源７とを備えている。
【００２６】
これにより、下記の実施の形態に示すように、プラズマＣＶＤ法により低い誘電率を有する絶縁膜であって、かつ銅配線と密着強度の高い絶縁膜を形成することができる。
バリア絶縁膜と主絶縁膜を形成する際に、上部電極２及び下部電極３に電力を印加する方法は、以下の通りである。
【００２７】
即ち、バリア絶縁膜を形成する工程において、下部電極３のみに第１の周波数（ｆ１）１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印可し、低誘電率を有する主絶縁膜を形成する工程において、上部電極２のみに第１の周波数（ｆ１）よりも高い第２の周波数（ｆ２）１ＭＨｚ以上の高周波電力を印加する。
次に、本発明が適用される成膜ガスであるシロキサン結合を有するアルキル化合物、酸素含有ガス、及び希釈ガスについては、代表例として以下に示すものを用いることができる。
【００２８】
（ｉ）シロキサン結合を有するアルキル化合物
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
【００２９】
【化５】
Figure 0003926588
【００３０】
）、
テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
【００３１】
【化６】
Figure 0003926588
【００３２】
)
（ii）酸素含有ガス
一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）
水（Ｈ2Ｏ）
炭酸ガス（ＣＯ2）
（iii）希釈ガス
ヘリウム（Ｈｅ）
アルゴン（Ａｒ）
窒素（Ｎ2）
次に、本願発明者の行なった実験について説明する。
【００３３】
以下の成膜条件により、プラズマ励起ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）によりＳｉ基板上にシリコン酸化膜を成膜した。シロキサン結合を有するアルキル化合物としてＨＭＤＳＯを用い、酸素含有ガスとしてＮ2Ｏを用い、希釈ガスとしてＨｅを用いた。なお、成膜においては、ガス導入から成膜開始(プラズマ励起)までのチャンバ内のガスの置換に必要な時間（安定化期間）を１分３０秒間とり、上部電極２への反応生成物の付着を防止するため上部電極２を１００℃で加熱している。
【００３４】
成膜条件
成膜ガス
ＨＭＤＳＯ流量：５０ SCCM
Ｎ2Ｏ流量（パラメータ）：５０，２００，４００，８００ SCCM
ガス圧力（パラメータ）：０．３，０．５，０．７，０．８，０．９，１．０ Torr
プラズマ励起条件
下部電極（第１の電極）
低周波電力（周波数３８０ｋＨｚ）：１５０Ｗ
上部電極（第２の電極）
高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）：２５０Ｗ
基板加熱条件：３７５℃
図４は調査用資料について示す断面図である。図中、２１は被成膜基板であるＳｉ基板、２２はこの発明の成膜方法である低周波電力により成膜ガスをプラズマ化して形成されたPE-CVDSiOCH膜、２３はこの発明の成膜方法である高周波電力により成膜ガスをプラズマ化して形成されたPE-CVD SiOCH膜、２４は水銀プローブを用いた電極である。電極２４とPE-CVDSiOCH膜２２又は２３との接触面積は０．０２３０ｃｍ2である。なお、SiOCH膜とは、Si、O、C、Hを含む膜のことをいう。
【００３５】
（ａ）成膜ガス中のＮ2Ｏ流量と成膜の比誘電率及び屈折率の関係
図４は、この調査に用いられた調査用絶縁膜であるPE-CVD SiOCH膜２２を有する調査用試料を示す。調査用絶縁膜２２は、上記成膜条件のパラメータのうち、Ｎ2Ｏ流量５０，２００，４００，８００sccmの４条件で、かつ下部電極３に印加する周波数３８０ｋＨｚの低周波電力１５０Ｗの１条件で成膜した。上部電極２には高周波電力を印加していない。また、他のバラメータであるガス圧力は１Torr一定としている。
【００３６】
図２は、低周波電力を下部電極３に印加したときの、成膜ガス中のＮ2Ｏ流量(sccm)とＳｉ基板２１上に形成したPE-CVD SiOCH膜２２の比誘電率及び屈折率の関係を示す図である。左側の縦軸は線型目盛りで表したPE-CVD SiOCH膜２２の比誘電率を示し、右側の縦軸は線形目盛りで表したPE-CVD SiOCH膜２２の屈折率を示し、横軸は線形目盛りで表したＮ2Ｏ流量(sccm)を示す。
【００３７】
比誘電率は、Ｓｉ基板２１と電極２４の間に直流電圧を印加し、その直流電圧に周波数１ＭＨｚの信号を重畳したＣ−Ｖ測定法によりPE-CVD SiOCH膜２２の容量値を測定し、その容量値から算出した。また、屈折率は、エリプソメータで６３３８オングストロームのＨｅ−Ｎｅレーザを用いて測定した。
図２によれば、Ｎ2Ｏ流量５０乃至８００sccmの全調査範囲において、Ｎ2Ｏ流量の増加とともに比誘電率約４から約４．３まで漸増する。屈折率はＮ2Ｏ流量５０sccmのとき、約１．６８であり、以降Ｎ2Ｏ流量が増すにつれて漸減し、Ｎ2Ｏ流量８００sccmのとき、約１．６２となる。なお、PE-CVD SiOCH膜２２の屈折率は高いほどPE-CVD SiOCH膜２２が緻密であることを示す。
【００３８】
（ｂ）ガス圧力と成膜の比誘電率及び屈折率の関係
図４は、この調査に用いられた調査用絶縁膜であるPE-CVD SiOCH膜２３を有する調査用試料を示す。調査用絶縁膜２３は、上記成膜条件のパラメータのうち、成膜ガスのガス圧力０．３，０．５，０．７，０．８，０．９，１．０Torrの６条件で、かつ上部電極２に印加する周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力２５０Ｗの１条件で成膜した。下部電極３には低周波電力を印加していない。他のパラメータであるＮ2Ｏ流量は２００sccm一定とした。
【００３９】
図３は、高周波電力を上部電極２に印加したときの、ガス圧力とＳｉ基板２１上に形成したPE-CVD SiOCH膜２３の比誘電率の関係を示す図である。左側の縦軸は線形目盛りで表したPE-CVD SiOCH膜２３の比誘電率を示し、右側の縦軸は線形目盛りで表したPE-CVD SiOCH膜２３の屈折率を示し、横軸は線形目盛りで表したチャンバ１内の成膜ガスのガス圧力（Torr）を示す。
【００４０】
比誘電率及び屈折率は上記（ａ）と同様にして測定した。
図３によれば、ガス圧力０．３Torrのとき、比誘電率は３．２で、ガス圧力の増加とともに漸減し、ガス圧力１．０Torrのとき、比誘電率は２．６程度となる。屈折率はガス圧力０．３Torrのとき、約１．５となり、以降ガス圧力が増すにつれて漸減し、ガス圧力１Torrのとき、約１．３９となる。
【００４１】
上記実験結果に示すように、低周波電力による成膜ガスのプラズマを用いると緻密なPE-CVD SiOCH膜２３を形成することができ、高周波電力による成膜ガスのプラズマを用いると低誘電率を有するPE-CVD SiOCH膜２３を形成することができたが、その理由は、以下の通り推定される。即ち、低周波では陰極降下電圧が大きいため、イオン等が加速され易く、いわゆるボンバードメント効果により膜が緻密になるのに対して、高周波では陰極降下電圧が小さいため、いわゆるボンバードメント効果は弱く、緻密性では低周波に比較して劣るが、低誘電率を有するようになるからである。
【００４２】
（ｃ）膜のリーク電流
銅に対するバリア性、即ち膜の緻密性を調査するため、アニール前後の膜のリーク電流を測定した結果について説明する。
調査用試料１は、Ｃｕ膜上に、この発明に係る第１の成膜ガスとして、この発明が適用されるＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏの混合ガスを用いて膜厚約１００ｎｍのPE-CVD SiOCH膜を積層し、さらにPE-CVD SiOCH膜上に電極を形成することにより作成した。調査用絶縁膜は、上記成膜条件のパラメータのうちＮ2Ｏ流量を０，２００，８００sccmとし、下部電極３に印加する周波数３８０ｋＨｚの低周波電力１５０Ｗの１条件で成膜した。上部電極２には高周波電力を印加していない。また、他のパラメータであるガス圧力を１Torr一定としている。
【００４３】
また、第１の成膜ガスとしてＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏを用いる代わりに、この発明が適用されるＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏ＋ＮＨ3を用いたＰＥ−ＣＶＤ法により膜厚約１００ｎｍのPE-CVD SiOCHN膜を積層した調査用試料２を作成した。なお、SiOCHN膜とは、Si、O、C、H、Nを含む膜のことをいう。上記成膜条件のパラメータのうちＮ2Ｏ流量を２００sccm一定とし、かつ下部電極３に印加する周波数３８０ｋＨｚの低周波電力１５０Ｗの１条件で成膜した。上部電極２には高周波電力を印加していない。新たに加えたＮＨ3流量に関して、０，２００，６００sccmの３条件とした。
【００４４】
また、比較のため、ＨＭＤＳＯ＋ＮＨ3の混合ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法により膜厚約１００ｎｍのPE-CVD SiN膜を成膜した比較試料を作成した。上記成膜条件のパラメータのうちＮ2Ｏ流量を０sccmとし、かつ下部電極３に印加する周波数３８０ｋＨｚの低周波電力１５０Ｗの１条件で成膜した。上部電極２には高周波電力を印加していない。ＮＨ3流量に関して、０，５０，１００，２００，４００，６００sccmの６条件とした。
【００４５】
また、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜（ｐ−ＳｉＮ膜）を成膜した比較試料２についても作成した。
これらの調査用試料や比較試料について、成膜直後とアニール（窒素中、４５０℃で４時間）後にそれぞれ、以下のようにしてリーク電流を測定した。即ち、銅膜と電極との間に電圧を印加し、銅膜と電極との間に流れるリーク電流を測定した。銅膜を接地し、電極に負の電圧を印加する。
【００４６】
その結果を図５乃至７に示す。図５は、この発明に係る第１の成膜ガスにより成膜したPE-CVD SiOCH膜（調査用試料１）及び比較試料２について成膜直後とアニール後とにおけるリーク電流の測定結果を示すグラフである。図中、実線は成膜直後のリーク電流の測定値を示し、点線はアニール後のリーク電流の測定値を示す。
【００４７】
図６は調査用試料２及び比較試料２について成膜直後とアニール後とにおけるリーク電流の測定結果を示すグラフである。図中、実線は成膜直後のリーク電流の測定値を示し、点線はアニール後のリーク電流の測定値を示す。
図７は比較試料１についてアニール後におけるリーク電流の測定結果を示すグラフである。
【００４８】
図５乃至図７において、それぞれ、縦軸は線形目盛りで表したリーク電流密度（Ａ／ｃｍ2）を示し、横軸は線形目盛りで表した電界強度（ＭＶ／ｃｍ）を示す。
アニール前後でのリーク電流の変動は膜中の銅の移動を示しており、図５乃至図７によれば、成膜直後のリーク電流に関し、及びアニール後のリーク電流の増加を抑制することに関して、比較試料２であるｐ−ＳｉＮ膜は非常に良好な結果を示している。
【００４９】
また、Ｎ2ＯやＮＨ3を含む成膜ガスを用いれば、アニール後のリーク電流の増加を抑制することができることがわかった。即ち、膜の緻密性を向上させるのに有効であることがわかった。
一方、成膜直後のリーク電流の大きさについては、図６の調査用試料２が一番小さく、図５、図７の順になっている。即ち、図６の試料以外は、シリコン含有ガス（ＨＭＤＳＯ）にＮＨ3を加えたもの（図７に示す比較試料１）でも必ずしも良い結果を示さなかった。シリコン含有ガス（ＨＭＤＳＯ）と酸素含有ガス（Ｎ2Ｏ）との混合ガスにＮＨ3を加えると、成膜直後のリーク電流を低減させるのに有効であることがわかった。
【００５０】
以上のように、第１の実施の形態によれば、成膜ガスに印加する高低２つの周波数の電力に関しては、下部電極３への電力の印加に対応する低い周波数の電力を成膜ガスに印加した方が、PE-CVD SiOCH膜２２の比誘電率は高いが、緻密であることが分かった。さらに、成膜ガス、特に酸素含有ガスを含む成膜ガスにＮＨ3を加えると、緻密さが増すことがわかった。
【００５１】
また、上部電極２への電力の印加に対応する高い周波数の電力を成膜ガスに印加した方が、PE-CVD SiOCH膜２３の比誘電率は小さいが、緻密性の点では、低い周波数の電力を成膜ガスに印加した場合よりも劣ることが分かった。
従って、銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜を形成する場合は、成膜ガスに印加する電力の周波数を低い周波数（第１の周波数（ｆ１））とする。バリア絶縁膜上の低誘電率を有する主絶縁膜を形成する場合は、同じ成膜ガスに印加する電力の周波数を高い周波数（第２の周波数（ｆ２））とする。
【００５２】
これにより、成膜ガスに印加する電力の周波数を調整するだけで、銅膜を主とする配線等の上に層間絶縁膜である一連の絶縁膜を連続して成膜することができる。このため、スループットの向上を図ることができる。
（第２の実施の形態）
次に、図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【００５３】
図８（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。配線層間絶縁膜３４の成膜ガスとしてＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏを用いている。
まず、図８（ａ）に示すように、基板（被成膜基板）３１上に、膜厚約１μｍのＳｉＯ2膜からなる下部配線埋込絶縁膜３２を形成する。
【００５４】
続いて、下部配線埋込絶縁膜３２をエッチングして配線溝を形成した後、配線溝３３の内面に銅拡散防止膜としてＴａＮ膜３４ａを形成する。次いで、ＴａＮ膜３４ａ表面に図示しない銅シード層をスパッタ法により形成した後、メッキ法により銅膜３４ｂを埋め込む。ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing 法）により、配線溝３３から突出した銅膜及びＴａＮ膜３３ａを研磨して表面を平坦化する。これにより、銅配線３４ｂ及びＴａＮ膜３４ａからなる下部配線３４が形成される。
【００５５】
次に、ＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏを用いたプラズマ励起ＣＶＤ法により膜厚数５００ｎｍのPE-CVD SiOCH膜からなる配線層間絶縁膜３５を形成する。以下にその詳細を説明する。
即ち、配線層間絶縁膜３５を形成するには、まず、被成膜基板２１を成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、基板保持具３に保持する。続いて、被成膜基板２１を加熱し、温度３７５℃に保持する。ＨＭＤＳＯを流量５０sccmで、Ｎ2Ｏガスを流量２００sccmで、図１に示すプラズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を１．５Torrに保持する。次いで、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力１５０Ｗ（０．１８Ｗ／ｃｍ2に相当）を印加する。なお、上部電極２には高周波電力を印加しなくてもよいし、場合により、印加してもよい。
【００５６】
これにより、ＨＭＤＳＯとＮ2Ｏがプラズマ化する。この状態を所定時間保持して、図８（ｂ）に示すように、膜厚凡そ１００ｎｍのPE-CVD SiOCH膜からなるバリア絶縁膜３５ａを形成する。
引き続き、成膜ガスとして同じ反応ガスの組み合わせを用い、かつ同じガス流量及びガス圧力を保持し、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力２５０Ｗ（０．３Ｗ／ｃｍ2に相当）を印加する。なお、下部電極３には低周波電力を印加しない。ガス圧力を１．５Torrに調整し、同じプラズマ励起条件で成膜する。この状態を所定時間保持して、図８（ｃ）に示すように、膜厚約４００ｎｍのPE-CVD SiOCH膜からなる主絶縁膜３５ｂを形成する。
【００５７】
以上により、バリア絶縁膜３５ａと主絶縁膜３５ｂからなる配線層間絶縁膜３５が形成される。
次いで、SiOCH膜３２を形成したときと同じ方法により、図８（ｄ）に示すように、配線層間絶縁膜３５上に膜厚約１μｍのSiOCH膜からなる上部配線埋込絶縁膜３６を形成する。
【００５８】
次に、よく知られたデュアルダマシン法により銅膜３７ｂ、３８ｂを主とする接続導体３７と上部配線３８を形成する。なお、図中、符号３７ａ、３８ａはＴａＮ膜である。
次に、配線層間絶縁膜３５のバリア絶縁膜３５ａと同じ成膜条件を用いたＰＥ−ＣＶＤ法により全面にバリア絶縁膜３９を形成する。これにより、半導体装置が完成する。
【００５９】
以上のように、この第２の実施の形態によれば、下部配線３４が埋め込まれた下部配線埋込絶縁膜３２と上部配線３８が埋め込まれた上部配線埋込絶縁膜３６の間に配線層間絶縁膜３５を挟んでなる半導体装置の製造方法において、同じ成膜ガスを用い、プラズマ生成電力の周波数を変えてプラズマ励起ＣＶＤ法によりバリア絶縁膜３５ａと主絶縁膜３５ｂとをそれぞれ形成している。即ち、バリア絶縁膜３５ａを形成するとき、第１の周波数（ｆ１）３８０ｋＨｚを有する電力をＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏからなる成膜ガス（第１の成膜ガス）に印加し、成膜ガスをプラズマ化してバリア絶縁膜３５ａを形成し、第１の周波数（ｆ１）よりも高い第２の周波数（ｆ２）１３．５６ＭＨｚを有する電力を同じ成膜ガス（第２の成膜ガス）に印加し、その成膜ガスをプラズマ化して低誘電率を有する主絶縁膜３５ｂを形成している。
【００６０】
１ＭＨｚ未満の低い周波数の電力によりＨＭＤＳＯ＋Ｎ2Ｏからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜すると、緻密な絶縁膜を形成することができ、従って、銅の拡散を阻止することができる。また、１ＭＨｚ以上の高い周波数の電力により同じ成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜すると、低誘電率を有する主絶縁膜を形成することができる。
【００６１】
従って、同じ成膜ガスを用いてプラズマ生成電力の周波数を調整するだけで、銅膜を主とする下部配線３４上の層間絶縁膜３５として必要な特性を有する多層の絶縁膜３５ａ、３５ｂを連続して形成することができる。即ち、下部配線３４上の層間絶縁膜３５の成膜時においてスループットの向上を図ることができる。以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【００６２】
例えば、シリコン含有ガスとして、第２の実施の形態で用いたＨＭＤＳＯの代わりに、第１の実施の形態で記載した他のシロキサン結合を有するアルキル化合物を用いることができる。
さらに、特にバリア絶縁膜３５ａを成膜するための第１の成膜ガスとして、シリコン含有ガスと酸素含有ガスに、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）等の窒素含有ガスのうち何れか一を加えたものを用いてもよい。これにより、成膜された絶縁膜について銅に対するバリア性を向上させることができる。
【００６３】
また、特に主絶縁膜３５ｂを形成するための第２の成膜ガスとして、シリコン含有ガスと酸素含有ガスに、メチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を加えたものを用いてもよい。これらを添加することにより、膜の多孔性が増加し、比誘電率を更に低下させることができる。
また、第１又は第２の成膜ガスの何れか一は、ヘリウム（Ｈｅ）の代わり
アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含む不活性ガスを加えてもよい。これにより、銅膜を主とする下部配線３４やバリア絶縁膜３５ａとの密着性を保持しつつ、成膜ガスを希釈することができる。
【００６４】
また、銅膜を主とする配線として、バリア膜としてのＴａＮ膜と、その上の主たる配線である銅膜とからなるものを用いているが、銅膜を主とする他の構造の配線や銅膜のみの配線を用いてもよい。
また、銅膜を主とする配線はダマシン法により形成されたものを用いているが、他の製造方法により作成されたものを用いてもよい。即ち、本発明は、銅膜を主とする配線を被覆する絶縁膜に、又は銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜に適用することができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを含む同じ成膜ガスを用いてバリア絶縁膜と低誘電率を有する主絶縁膜とを形成している。即ち、バリア絶縁膜を形成するとき、第１の周波数（ｆ１）を有する電力を第１の成膜ガスに印加し、第１の成膜ガスをプラズマ化してバリア絶縁膜を形成し、第１の周波数（ｆ１）よりも高い第２の周波数（ｆ２）を有する電力を第１の成膜ガスと同じ第２の成膜ガスに印加し、第２の成膜ガスをプラズマ化して主絶縁膜を形成している。
【００６６】
即ち、成膜ガスをプラズマ化するための電力の周波数を調整するだけで、同じ成膜ガスを用いて銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを連続して形成することができる。
このように、この発明によれば、スループットの向上を図りつつ、銅膜を主とする配線上の層間絶縁膜として必要な特性を有する多層の絶縁膜を形成するができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるプラズマ成膜装置の構成を示す側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態である低周波電力による成膜ガスのプラズマを用いた成膜方法におけるＮ2Ｏ流量に対する成膜された絶縁膜の比誘電率及び屈折率の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第１の実施の形態である高周波電力による成膜ガスのプラズマを用いた成膜方法におけるガス圧力に対する成膜された絶縁膜の比誘電率及び屈折率の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態である成膜方法により成膜された絶縁膜の特性を調査する試料について示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態である成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成した絶縁膜についての成膜直後とアニール後のリーク電流を比較したグラフである。
【図６】本発明の第１の実施の形態である成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成した絶縁膜についての成膜直後とアニール後のリーク電流を比較したグラフである。
【図７】比較例である成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成した絶縁膜についてのアニール後のリーク電流の測定結果を示すグラフである。
【図８】（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態である半導体装置及びその製造方法について示す断面図である。
【符号の説明】
１ チャンバ
２ 上部電極
３ 下部電極
４ 排気配管
５ バルブ
６ 排気装置
７ 高周波電力供給電源（ＲＦ電源）
８ 低周波電力供給電源
９ａ 配管
９ｂ〜９ｊ 分岐配管
１０ａ〜１０ｎ，１０ｐ〜１０ｚ 開閉手段
１１ａ〜１１ｉ 流量調整手段
１２ ヒータ
２１ 被成膜基板
２２、２３ 調査用絶縁膜
２４ 電極
３１ 基板
３２ 下部配線埋込絶縁膜（SiO2膜）
３３ 配線溝
３４ 下部配線
３４ａ、３７ａ、３８ａ ＴａＮ膜
３４ｂ、３７ｂ、３８ｂ 銅膜
３５ 配線層間絶縁膜
３５ａ、３９ バリア絶縁膜（PE-CVD SiOCH膜）
３５ｂ 主絶縁膜（PE-CVD SiOCH膜）
３６ 上部配線埋込絶縁膜（SiOCH膜）
３７ 接続導体
３８ 上部配線
１０１ 成膜装置
１０１Ａ 成膜部
１０１Ｂ 成膜ガス供給部

Claims (11)

  1. 被成膜基板上にバリア絶縁膜と比誘電率３．２以下の低誘電率を有する絶縁膜とをプラズマＣＶＤ法により形成する半導体装置の製造方法であって、
    成膜ガスをプラズマ化する手段として、前記被成膜基板を保持する第１の電極と、該第１の電極と対向する第２の電極とからなる平行平板型の電極を準備する工程と、
    少なくともシリコン含有ガスと酸素含有ガスとを含む第１の成膜ガスを前記第１の電極と第２の電極の間に導入する工程と、
    １００kHz乃至１MHzの範囲の周波数ｆ１の電力を前記第１の電極に印加して、前記第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記被成膜基板上に前記バリア絶縁膜を形成する工程と、
    少なくとも前記シリコン含有ガスと前記酸素含有ガスとを含む第２の成膜ガスを前記第１の電極と第２の電極の間に導入する工程と、
    前記第１の電極には電力を印加せずに、１MHz以上の周波数ｆ２の電力を前記第２の電極に印加して、前記第２の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記バリア絶縁膜上に前記低誘電率を有する絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記バリア絶縁膜を形成する際の成膜ガスのガス圧力を維持したまま引き続き前記バリア絶縁膜上に前記低誘電率を有する絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記バリア絶縁膜は比誘電率４以上を有することを特徴とする請求項１又は２の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記第１の成膜ガス及び第２の成膜ガスのうち、前記シリコン含有ガスはシロキサン結合を有するアルキル化合物であり、前記酸素含有ガスはＮ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又はＣＯ2のうち何れか一であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記シロキサン結合を有するアルキル化合物は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
    Figure 0003926588
     ）、
    又はテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
    Figure 0003926588
    ）
    のうち何れか一であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記第１の成膜ガス又は第２の成膜ガスのうち少なくとも何れか一は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記第１の成膜ガスは、前記シリコン含有ガスと前記酸素含有ガスの他に、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記第２の成膜ガスは、前記シリコン含有ガスと前記酸素含有ガスの他に、メチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとは、同じガスを含む混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記基板は、表面に銅膜を主とする配線が露出しているものであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記バリア絶縁膜と前記低誘電率を有する絶縁膜とは銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜を構成していることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
JP2001220231A 2001-07-19 2001-07-19 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3926588B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001220231A JP3926588B2 (ja) 2001-07-19 2001-07-19 半導体装置の製造方法
TW091112568A TW544919B (en) 2001-07-19 2002-06-10 Manufacturing method of semiconductor device
US10/164,709 US6649495B2 (en) 2001-07-19 2002-06-10 Manufacturing method of semiconductor device
EP02013435A EP1280194A3 (en) 2001-07-19 2002-06-13 Manufacturing method of semiconductor device
KR10-2002-0036224A KR100494480B1 (ko) 2001-07-19 2002-06-27 반도체 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001220231A JP3926588B2 (ja) 2001-07-19 2001-07-19 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003031572A JP2003031572A (ja) 2003-01-31
JP3926588B2 true JP3926588B2 (ja) 2007-06-06

Family

ID=19054086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001220231A Expired - Fee Related JP3926588B2 (ja) 2001-07-19 2001-07-19 半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6649495B2 (ja)
EP (1) EP1280194A3 (ja)
JP (1) JP3926588B2 (ja)
KR (1) KR100494480B1 (ja)
TW (1) TW544919B (ja)

Families Citing this family (337)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6797643B2 (en) * 2002-10-23 2004-09-28 Applied Materials Inc. Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power
US6932092B2 (en) * 2002-11-22 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Method for cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber using very high frequency energy
JP2010087475A (ja) * 2008-09-03 2010-04-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び製造装置
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
US11103722B1 (en) 2020-05-19 2021-08-31 Biothread Llc Light therapy wearable
US11154722B1 (en) 2020-05-19 2021-10-26 Biothread Llc Light therapy wearable
US11130000B1 (en) 2020-05-19 2021-09-28 Biothread Llc Light therapy wearable
US10933253B1 (en) 2020-05-19 2021-03-02 Biothread Llc Light therapy wearable
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5040046A (en) 1990-10-09 1991-08-13 Micron Technology, Inc. Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced thereby
EP0519079B1 (en) 1991-01-08 1999-03-03 Fujitsu Limited Process for forming silicon oxide film
JP2684942B2 (ja) 1992-11-30 1997-12-03 日本電気株式会社 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
JP3617283B2 (ja) * 1997-11-10 2005-02-02 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置
JP3141827B2 (ja) * 1997-11-20 2001-03-07 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6287990B1 (en) * 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
JP3348084B2 (ja) * 1999-12-28 2002-11-20 キヤノン販売株式会社 成膜方法及び半導体装置
JP3545364B2 (ja) * 2000-12-19 2004-07-21 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR100713900B1 (ko) * 2001-02-23 2007-05-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 제조방법
JP2002270691A (ja) * 2002-02-07 2002-09-20 Nec Corp 配線構造

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030009135A (ko) 2003-01-29
US6649495B2 (en) 2003-11-18
EP1280194A3 (en) 2004-08-18
KR100494480B1 (ko) 2005-06-10
US20030022468A1 (en) 2003-01-30
JP2003031572A (ja) 2003-01-31
TW544919B (en) 2003-08-01
EP1280194A2 (en) 2003-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3926588B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3545364B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3745257B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US6417092B1 (en) Low dielectric constant etch stop films
US7888741B2 (en) Structures with improved interfacial strength of SiCOH dielectrics and method for preparing the same
US6448186B1 (en) Method and apparatus for use of hydrogen and silanes in plasma
KR20010106215A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP3701626B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003531493A (ja) 炭化ケイ素密着プロモータ層を用いた低誘電率フッ素含有アモルファスカーボンへの窒化ケイ素の密着性を高めるための方法
JP3532830B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10335322A (ja) 絶縁膜の形成方法
JP2005294333A (ja) 成膜方法及び半導体装置
JP3934343B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20020009440A (ko) 성막 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP3749162B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100468796B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR100443628B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2002305242A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004200713A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees