JP3920218B2 - 表面検査装置 - Google Patents
表面検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3920218B2 JP3920218B2 JP2002542855A JP2002542855A JP3920218B2 JP 3920218 B2 JP3920218 B2 JP 3920218B2 JP 2002542855 A JP2002542855 A JP 2002542855A JP 2002542855 A JP2002542855 A JP 2002542855A JP 3920218 B2 JP3920218 B2 JP 3920218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mode
- light
- laser
- filter
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
- G02B21/0016—Technical microscopes, e.g. for inspection or measuring in industrial production processes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
本発明は、少なくとも一つのレーザー光源と、検査されるべき表面によって反射される光のための検出器とを有し、表面を検査する、特に、一つ以上の半導体の表面(複数の表面)を検査する装置のような表面を検査する装置と、光ビームの一つ以上のモードを抑制するモードフィルタのようなモードフィルタと、表面が少なくとも一つのレーザー光源によって照射され、検査されるべき表面によって反射される光が少なくとも一つの検出器で検出される、表面を検査する、特に、一つ以上の半導体の表面(複数の表面)を検査する方法のような表面を検査する方法とに関わる。
【0002】
WO97/34123は、表面によって反射された光が検出される表面の場所を検査するためにレーザーを使用することを教授する。表面において或いは表面上に欠陥があるとき、レーザー光源によって表面に供給される光は、少なくとも光の一部が欠陥によって散乱されるように反射される。それにより反射された成分における強度は減少する。従って、欠陥の位置探しは、反射された光の強度を測定することで可能となる。解像力は制限され、約500nmとなる。しかしながら、このような解像力は、互いに近接して位置する導体トラック或いは構成要素の群を有する微細構造には十分でない。欠陥により生ずる散乱光が検出された場合でも、実現され得る最適感度は、約60nmの範囲にある。感度を高めるためには、照射される領域を小さくすることが必要である。しかしこの場合、測定に非常に時間がかかる。
【0003】
本発明は、表面の汚染或いは損傷の測定を向上させることを目的とする。
【0004】
この目的は、本発明に従って、上記反射された光と関連付けられる、且つ、少なくとも一つの横方向のレーザーモードをフィルタ処理するように具現された、少なくとも一つのモードフィルタを有することを特徴とする装置のような装置を用いて、Guoy位相原理に従って動作することを特徴とする、モードフィルタのようなモードフィルタを用いて、及び、所定のモードで光が上記レーザー光源から放出され、上記表面によって反射される光が、少なくとも一つの横方向のレーザーモードをフィルタ処理するように具現されたモードフィルタを通じて案内されることを特徴とする方法のような方法を用いて実現される。更なる有利な実施例に関して上記モードフィルタが、上記レーザー光源のモードに対応する上記反射された光のモードを抑制することを特徴とする装置、互いと干渉する少なくとも2つのサブビームに光ビームを分離するビームスプリッタを有することを特徴とする装置、上記サブビームの一方が、モード選択位相シフトのための装置を通過することを特徴とする装置、上記装置が、経路の長さにおける差と共に全体的に180°にわたるモードの位相シフトを実現し、上記サブビームがこのモードに関して破壊的に干渉することを特徴とする装置、180°にわたる位相シフトを実現するようGuoy位相系に基づいて動作するレンズ系が設けられることを特徴とする装置、上記モードフィルタにおいてこの目的のためにビーム分割が実施され、上記サブビームの一方の位相を反転させ2つの集束レンズを含む装置が設けられ、上記集束レンズの焦点において位相シフトが実現されることを特徴とするモードフィルタ、上記モードフィルタが上記レーザー光源のモードを抑制し、上記モードに影響を与えない反射の場合には信号が検出されないことを特徴とする方法を参照する。
【0005】
表面によって反射される光が一つ以上のモードフィルタを通過する本発明による装置の構造は、供給される光に対する反射光の位相及び/又は振幅の変化の測定を可能にさせる。このような変化は、理想の円滑な表面からの反射と比べて偏りを示す全ての光の反射によって生じ、検出され得る。従って、本発明による装置の感度は、吸収或いは散乱の上記測定と比べて著しく増加する。これにより、現在の最新技術に従って検出することができる大きさの四分の一しかない大きさの欠陥も検出することが可能となる。モードフィルタは、検出器に供給される光のスペクトルフィルタ処理を実施する。その結果、空気からのより大部分の散乱信号が抑制される。特に、非弾性散乱であるため供給される光に対して散乱光の周波数シフトを生じさせるブリユアン散乱による信号は、完全に抑制される。レイリー散乱もある程度抑制される。更に、信号の強さが著しく増加される:1.5の屈折率を有するガラスが照射されるとき、約60nmの大きさの欠陥を検出する際に本発明による測定方法によって与えられる信号の強さは、散乱信号が測定されるときよりも約8倍高い。シリコン表面が照射されるとき、信号の強さは約132倍高い。更に、直径dの粒子によってまだ妨害されている最高のモードインデックスNMAXは(1/d)2に比例するため、検出された欠陥の大きさはモードの変化に基づいて決定され得る。適当なモードに基づいて所与の欠陥の大きさに関して制限を予め設定することも可能である。散乱光を検出する方法では、信号の強さは(d/λ)4に依存し、このときdは欠陥の大きさであり、λは供給される光の波長である。本発明による方法では、信号の強さは(d/λ)2に比例する。従って、欠陥が小さいと、散乱光を検出する方法の場合よりも信号の強さの減少率がかなり少なくなり、小さい欠陥をまだ検出することができる。これにより、より大きい変動の波長の光が可能となる。
【0006】
共焦点測定方法、つまり、表面にビームを合焦する光学系の焦点に検出される領域が位置し、この焦点だけが検出器においてイメージングされる方法の場合、空気での散乱による妨害は焦点の近接場に減少される。それにより空気の更なる層からの散乱の相当部分が排除され、測定の感度は著しく高められる。更に、集束面に位置しない光学素子からの散乱も測定信号から除去される。
【0007】
供給されるレーザー光のモードをモードフィルタが除去するとき、いわゆる暗視野測定が実施される。この場合、欠陥が表面で測定されたときだけ信号が受信される。信号対ノイズ比は、明視野測定の場合の方がよい。
【0008】
モードフィルタにGuoyの原理が適用されるとき、複数のモードを有する光ビームからあるモードが除去される。例えば、レーザーのモードは、モードの混合を有する反射光の場合にもフィルタアウトされ得る。
【0009】
これまで公知の欠陥に対する強度の変化、散乱、又は、位相遅延の検出に関して、本発明による光の振動モードのトラッキングは、完全に新規な測定の原理を提供する。欠陥が検出されるとき、欠陥が存在するときに理想的反射からの偏りが生ずるため、供給される光のガウス固有モードは、表面から反射された光において生じない。この変化が検出され得る。
【0010】
本発明の更なる利点及び詳細は、図面を参照して説明する本発明の以下の実施例から明らかとなるであろう。
【0011】
図1に示す装置の実施例は、レーザー光源として構成され、従って、高強度を発生する光源1を有する。レーザー光源1は、例えば、互いに対して調節可能であり、且つ、放射される光ビーム2のビーム路において互いから距離Lだけ離間されているミラー4、5を含む光共振器3を具備する。ミラー4、5は、調節し易いよう平面ミラーとして又は凹面ミラーとして構成される。共振条件が満たされるとこれらミラーの間で定在波が形成され、この定在波はTEMmnpとして分類され得、このときTEMは横方向の電磁モーメントであり、添え字mはx方向における零の位置の数を示し、nはy方向における零の位置の数を示し、pは(可視光であり、共振器が10センチメートル(cm)の大きさのオーダーの長さの寸法を有するとき106の大きさのオーダーである)共振器の軸の長さLの方向におけるノードの数である。共振器3が例えば、モードTEM10pとなるよう調節されるとき、図5に従って零交差がx方向に生ずる。このようなレーザーの所定のモード分布は、ガウス固有モードでの振動と呼ばれる。図示する共振器3を使用するとき、レーザー光源1は従って単一モードの振動で光ビーム2を生成する。図2に示すように、共振器3は、誘導放出によって光ビーム2を生成する実際のレーザー媒体6に後続するよう接続され得る。更に、レーザー媒体を囲うキャビティー内素子もその域に配置され、これら素子はレーザー媒体6において既にモード選択を実現している。この場合共振器3は、下流のファインフィルタとして機能し、実際に出力側においてビーム2が一つのモードだけを有することを確実にする。更に、レーザー媒体6を囲うミラー7及び8、又は、レーザー媒体6と直接的に関連付けられる他の手段が、単一の共振器3として機能することも可能である。レーザー1は、絶えず動作し、例えば、可視範囲で単色光を伝達し、光は、典型的には、例えば、488nm(アルゴンレーザー)の波長を有する。原則として、様々なタイプのレーザー、例えば、ソリッド・ステートレーザー、半導体レーザー、又は、ガスレーザーが使用され得る。本実施例では、チタンサファイアレーザーが使用される。
【0012】
解像力を改善するために波長が減少した光源を使用することができるが、表面を外被する空気での光の散乱断面は増加する。ヘリウム環境又は真空状態における測定は理論的に可能であるが、非常に高価である。
【0013】
レーザー1によって放出されるビーム2のビーム路にビームスプリッタ9が配置される。ビームスプリッタは、様々な方法、例えば、フレネルミラーとして、二重ギャップとして、偏向光キューブ及びλ/2板の組合せとして、又は、別の公知の機構として構成され得る。本実施例は、半透明な偏光ミラー9を有し、このミラーの後には検査されるべき表面10の方向にλ/4板11がおかれ、この板は、供給される光の偏光面を回転し、出力側で楕円偏光を生成し、この光は、顕微鏡対物(microscope objective)12を介して例えば、ウェーハ14の表面10に直角に入射される。表面10が理想的な円滑な表面である場合、反射された光13は、再びλ/4板11を通過し、ビームスプリッタ9で偏向され、モードフィルタ15に供給されることが確実となる。
【0014】
表面10に光を合焦するために顕微鏡対物12を使用することで本発明による測定方法において高い正確さを得ることを可能にする。所望の解像力に従って異なる顕微鏡対物12を使用することができる。表面10の光点9の大きさが小さくなるため、正確さが高いほど、測定にかかる時間は長くなる。
【0015】
対物12によって表面10に結像される光点9は、この場合検査されるべきウェーハ14の半径方向に可動な光学系を用いて移動され得、ウェーハの表面10を完全に走査することが可能となる。入射ビーム2に影響を与え、要求される正確さになるよう非常に正確に調節されなくてはならない全体的な光学系が代わりに非常に有利に一定に保たれる一方で、ウェーハ14は、回転運動に加えて、重畳された直進運動を実施し得、これにより図7に示す対象物14の螺旋状の軌道Bが得られる。光点は、その位置を維持し、ウェーハ14は表面10が完全に走査され得るよう光点の下に移動される。
【0016】
モードフィルタ15として様々な、部分的に公知のモードフィルタを使用することができる。例えば、更なる共振器或いは位相素子、又は、光学ファイバが使用されてもよい。
【0017】
図3は、共振器に基づくモードフィルタを示す図である。記載する共振器3に類似して、2つの凹面ミラー16、17がレーザー光源1の一部として中に設けられ、これらミラーは光軸に対して垂直に、互いに対向しておかれる。入射光13は、ミラー16を介してミラー16と17の間の共振器空間18に入り、リヤミラー17によって反射される。ミラー16及び17は、光学軸の方向に互いから距離L1離間して位置する。この距離は、第1のミラー16の焦点幅f1と第2のミラー17の焦点幅f2の和に対応する。焦点幅f1は及びf2は、図3に示す実施例では、同じである。しかしながら、必ずしもそうではない。ミラー16と17の間の距離と焦点幅は、共振器において抑制されるべき該モードに依存する。反射光13のビーム路におけるモードフィルタ15の前にはコリメーター光学系19があり、この場合、コリメーター光学系19は、レンズ19と第1のミラー16との間の距離と、第1のミラー16の焦点幅f1との和に焦点幅f3が対応する集束レンズである。従って、ミラー16及び17の焦点F1及びF2と、レンズ19の焦点F3は、本実施例において同じ点に位置する。これは、抑制されるべき所望のモードに依存して変化し得る。光学系に入る平行光13は、焦点F3において束となる。凹面ミラー16及び17の曲率によって課される共振条件を満たすモードの光13だけがモードフィルタ15を通ることができる。
【0018】
図4は、全体的な構造がマッハ−ツェンダー干渉計の構造に類似する代替のモードフィルタ15.1を示し、ここでは、様々なモードの混合を含む場合がある入射ビーム13が最初にλ/2板20を通過する。従って、入射ビームの偏向面は90°回転される。
【0019】
影響を与えられた光ビーム13.1は、ビーム13.1をサブビーム13.2及び13.3に分離する偏光ビームスプリッタ21に入射し、サブビーム13.2は、ビーム13.2及び13.3を再び組み合わす第2のビームスプリッタ23に直線的に供給される。
【0020】
サブビーム13.3は直角に偏向され、2つのミラー24及び25を介してビームスプリッタ23に供給され、第1のサブビーム13.2と再び組み合わされる。サブビーム13.3は、サブビーム13.2と比べてより長い光学距離を移動しなくてはならない。ミラー24と25との間には、光学軸の方向に互いから距離L2だけ離間されている2つのレンズ26及び27の系が配置されている。この距離は、本実施例においてレンズ26、27の焦点幅の2倍である。
【0021】
距離L2は、レーザー光源のモードに正確に調節され、つまり、このモードの光は焦点F4において位相シフトを受ける。サブビーム13.2と13.3との間の位相差が正確に180°となるときサブビーム13.2及び13.3は、このモードで正確に振動する限りビームスプリッタ23で破壊的に干渉する。位相差は、レンズ26及び27での位相シフト、及び、サブビーム13.2及び13.3の間の路の長さにおける差から生ずる。表面10からの理想的な反射の場合、つまり、入射ビーム2の位相プロファイル及び振幅プロファイルに変化が無い反射の場合、モードフィルタ15の後に続く検出器28によってどの信号も受信されない(暗視野測定)。その結果、妨害は、明視野測定の場合よりも測定された信号に対してより少ない影響を与える。
【0022】
2つのレンズ間のモードの記載した位相シフト(Guoy位相)は、モードフィルタに関して初めて提案されたものである。しかしながら、このようなモードフィルタ15.1は、表面検査以外のモードフィルタの様々な用途にも使用され得る。従って、一つのモードを確実に分離するモータフィルタ15.1が実現され、他の幾つかのモードは構成上の干渉に制御される。様々なモードがレンズ26と27の距離及び焦点幅に依存して分離され得る。モードフィルタ15は、従って、レンズ26及び27の変化によって同調され得る。
【0023】
検出器28は、表面10に入射するビーム2の調節によって空間解像度が提供されるため、空間解像された方法で動作する必要はない。電気信号に入る光子を変換する様々な装置が検出器、例えば、二次電子増倍器としての使用に好適である。このような装置は、光に非常に感応なため、光の非常に弱い散乱も検出することができる。
【0024】
光源1、表面10、及び検出器28が適切な偏向及び集束光学系の選択によって実現され得る様々な方法で配置され得ることは明らかである。当然のことながら、光2が表面10に上から入射されることも必要でなく、下から入射されてもよく、或いは、異なる方向付けを有してもよい。
【0025】
測定の典型的なパラメータは、以下の表に基づいて推定される。
【0026】
【表1】
これらパラメータに対する信号対ノイズ比(SNR)は、約700である。この値が欠陥の大きさの5乗に比例するため、SNR=1の場合には16ナノメートル(nm)の大きさの粒子がまだ検出され得る。
【0027】
本発明による装置は、ウェーハ14の検査に好適なだけでなく、任意の他の半導体表面又は他の表面、例えば、薄層を有する基板、光学又は磁気記憶媒体、CD、DVDの表面、及び、半導体構造等の適用のためのマスクにも好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 装置の第1の実施例を示す図である。
【図2】 レーザー光源の詳細図である。
【図3】 モードフィルタを示す図である。
【図4】 代替のモードフィルタを示す図である。
【図5】 x方向に見たときの、レーザーのTEM10p振動モードを示す図である。
【図6】 サンプルホルダを示す図である。
【図7】 動きの軌道を示す、検査されるべき表面の平面図である。
Claims (8)
- 少なくとも一つのレーザー光源と、検査されるべき表面によって反射される光のための検出器とを有し、表面を検査する、特に、一つ以上の半導体の表面(複数の表面)を検査する装置であって、
上記反射された光と関連付けられる、且つ、少なくとも一つの横方向のレーザーモードをフィルタ処理するように具現された、少なくとも一つのモードフィルタを有することを特徴とする装置。 - 上記モードフィルタは、上記レーザー光源のモードに対応する上記反射された光のモードを抑制することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 互いと干渉する少なくとも2つのサブビームに光ビームを分離するビームスプリッタを有することを特徴とする請求項1又は2記載の装置。
- 上記サブビームの一方は、モード選択位相シフトのための装置を通過することを特徴とする請求項3記載の装置。
- 上記装置は、経路の長さにおける差と共に全体的に180°にわたるモードの位相シフトを実現し、上記サブビームはこのモードに関して破壊的に干渉することを特徴とする請求項4記載の装置。
- 180°にわたる位相シフトを実現するようGuoy位相系に基づいて動作するレンズ系が設けられることを特徴とする請求項5記載の装置。
- 表面が少なくとも一つのレーザー光源によって照射され、検査されるべき表面によって反射される光が少なくとも一つの検出器で検出される、表面を検査する、特に、一つ以上の半導体の表面(複数の表面)を検査する方法であって、
所定のモードで光が上記レーザー光源から放出され、上記表面によって反射される光が、少なくとも一つの横方向のレーザーモードをフィルタ処理するように具現されたモードフィルタを通じて案内されることを特徴とする方法。 - 上記モードフィルタが上記レーザー光源のモードを抑制し、上記モードに影響を与えない反射の場合には信号が検出されないことを特徴とする請求項7記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00204103 | 2000-11-20 | ||
PCT/EP2001/013146 WO2002040976A2 (en) | 2000-11-20 | 2001-11-12 | Inspection of surfaces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004514134A JP2004514134A (ja) | 2004-05-13 |
JP3920218B2 true JP3920218B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=8172296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002542855A Expired - Fee Related JP3920218B2 (ja) | 2000-11-20 | 2001-11-12 | 表面検査装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6906803B2 (ja) |
EP (1) | EP1407252A2 (ja) |
JP (1) | JP3920218B2 (ja) |
WO (1) | WO2002040976A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW594630B (en) * | 2002-03-28 | 2004-06-21 | Ind Tech Res Inst | Transreflective liquid crystal display |
CA2504335A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Apparatus of wiring pattern, inspection method, detection apparatus, detection method |
EP1610088B1 (de) * | 2004-06-22 | 2007-01-03 | Polytec GmbH | Vorrichtung zum optischen Vermessen eines Objektes |
KR101300131B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2013-09-10 | 플루케 코오포레이션 | 플라스틱 패키지 밀봉에서의 결함을 감시 및 검출하기 위한방법 및 그 장치 |
DE102005061834B4 (de) | 2005-12-23 | 2007-11-08 | Ioss Intelligente Optische Sensoren & Systeme Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum optischen Prüfen einer Oberfläche |
WO2017210281A1 (en) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | Tokyo Electron Limited | Dark field wafer nano-defect inspection system with a singular beam |
CN112858345B (zh) * | 2021-01-22 | 2022-03-11 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种随机移相的光学元件缺陷快速超分辨检测装置及检测方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2471595B1 (ja) * | 1979-12-14 | 1982-12-31 | Thomson Csf | |
US4516855A (en) * | 1981-04-03 | 1985-05-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining the polarization state of a light wave field |
US5200795A (en) * | 1989-08-31 | 1993-04-06 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Passive quadrature phase detection system for coherent fiber optic systems |
DE4209701A1 (de) * | 1992-03-25 | 1993-09-30 | Asea Brown Boveri | Optischer Entfernungssensor |
US5661559A (en) | 1996-03-14 | 1997-08-26 | Phase Metrics, Inc. | Optical surface detection for magnetic disks |
WO1998050779A1 (en) * | 1997-05-06 | 1998-11-12 | Holcomb Matthew J | Surface analysis using gaussian beam profiles |
TW367407B (en) * | 1997-12-22 | 1999-08-21 | Asml Netherlands Bv | Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system |
US6151127A (en) * | 1998-05-28 | 2000-11-21 | The General Hospital Corporation | Confocal microscopy |
US6088092A (en) * | 1999-06-21 | 2000-07-11 | Phase Metrics, Inc. | Glass substrate inspection apparatus |
-
2001
- 2001-11-12 JP JP2002542855A patent/JP3920218B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-12 WO PCT/EP2001/013146 patent/WO2002040976A2/en not_active Application Discontinuation
- 2001-11-12 EP EP01996731A patent/EP1407252A2/en not_active Withdrawn
- 2001-11-19 US US09/989,654 patent/US6906803B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6906803B2 (en) | 2005-06-14 |
EP1407252A2 (en) | 2004-04-14 |
US20020109848A1 (en) | 2002-08-15 |
JP2004514134A (ja) | 2004-05-13 |
WO2002040976A3 (en) | 2003-01-23 |
WO2002040976A2 (en) | 2002-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6328468B2 (ja) | 欠陥検査装置および検査方法 | |
KR101556430B1 (ko) | 간섭 결함 검출 및 분류 | |
JP5568444B2 (ja) | 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器 | |
JP5520737B2 (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
US7924434B2 (en) | Systems configured to generate output corresponding to defects on a specimen | |
US10345246B2 (en) | Dark field wafer nano-defect inspection system with a singular beam | |
WO2012090367A1 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP2013231631A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
KR102755835B1 (ko) | 매립된 계측 타겟을 위한 이미징 시스템 | |
WO2007061704A2 (en) | Overlay metrology using the near infra-red spectral range | |
US9863841B2 (en) | Measuring device having ideal wavefront generator for detecting point diffraction interferometric wavefront aberration of measured optical system and method for detecting wavefront aberration thereof | |
JP5815798B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP3934051B2 (ja) | 表面欠陥の測定 | |
JP3920218B2 (ja) | 表面検査装置 | |
KR20170015116A (ko) | 샘플 스택 내의 층의 두께를 결정하기 위한 방법 및 조립체 | |
US7206066B2 (en) | Reflectance surface analyzer | |
JP6117305B2 (ja) | 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器 | |
JP2015052537A (ja) | 計測装置 | |
US6259530B1 (en) | Method and device for measuring the depths of bottoms of craters in a physico-chemical analyzer | |
JP2004513364A (ja) | 表面欠陥の測定 | |
WO2021199340A1 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
US20240230528A1 (en) | Terahertz signal measuring apparatus and measuring method | |
WO2025017831A1 (ja) | 検査装置 | |
JPH1151875A (ja) | 位相欠陥計測装置および位相欠陥計測方法 | |
JPH08278114A (ja) | 表面形状測定方法及び表面形状測定器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20051213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20051220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |