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JP3885747B2 - Wire bonding method - Google Patents

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JP3885747B2
JP3885747B2 JP2003067959A JP2003067959A JP3885747B2 JP 3885747 B2 JP3885747 B2 JP 3885747B2 JP 2003067959 A JP2003067959 A JP 2003067959A JP 2003067959 A JP2003067959 A JP 2003067959A JP 3885747 B2 JP3885747 B2 JP 3885747B2
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wire
nozzle
cut
bonding
laser
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Denso Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H10W72/07141—
    • H10W72/075—
    • H10W72/07535—
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザを用いてワイヤを被接合部材に接合させるレーザワイヤボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種のワイヤボンディング方法は、レーザ照射可能なノズルを備えるワイヤボンディング装置によって行われる。すなわち、ワイヤをパッドやターミナル等の被接合部材上に位置させるとともにノズルによってワイヤを被接合部材に押し付けた状態で、ワイヤにレーザを照射することにより、ワイヤの接合を行うものである（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
そして、ワイヤ接合後には、ワイヤのうち接合部から離れた部位にてワイヤを切断するが、この切断は、ワイヤを案内するガイド部に一体化して設けられたカッターを用いて行われている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−３７９２２号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開平５−３４３８９９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、従来ではワイヤの切断は、ガイド部材に一体に設けられたカッターを用いているため、カッター（刃具）の摩耗により、カッターを定期的に交換する必要があり、設備の稼働率が低下するという問題があった。
【０００７】
また、カッターおよびこれを駆動させる駆動部が、被接合部材側の製品における他の部分と干渉するのを防止する必要があり、その分、スペースの確保が必要となるため、被接合部材側の製品において部品配置の自由度に制約が生じていた。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、レーザワイヤボンディング方法において、カッターを用いないでワイヤの切断を行えるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、カッターを用いずに、レーザをワイヤに照射し、その熱でワイヤを切断することを考え、鋭意検討を行った。
【００１０】
その結果、ワイヤにノズルや被接合部材を接触させたままレーザを当てると、ワイヤからノズルや被接合部材を介して熱の逃げが生じるので高エネルギーのレーザが必要になるが、ワイヤにノズルや被接合部材等の他部材を接触させない状態でレーザ照射すれば、熱がワイヤの切断部に集中し、低エネルギーで切断可能なことを見出した。本発明はこの点に着想を得て創出されたものである。
【００１１】
すなわち、請求項１に記載の発明では、ワイヤ（４０）を被接合部材（２１）上に位置させるとともにノズル（５０）によってワイヤを被接合部材に押し付けた状態で、ワイヤにレーザを照射することにより、ワイヤを前記被接合部材に接合する工程と、続いて、ワイヤのうち接合部（８０）から離れた部位にてワイヤを切断する工程とを備えるワイヤボンディング方法において、ワイヤの切断工程では、ワイヤの切断すべき部位（４１）を被接合部材から離すとともに、ノズルを移動させワイヤの切断すべき部位の上に離して位置させた状態で、レーザの照射を再度行うことにより、ワイヤの切断を行うことを特徴とする。
【００１２】
それによれば、ワイヤ（４０）の切断工程では、ワイヤの切断すべき部位（４１）を被接合部材（２１）およびノズル（５０）から離した状態で、ワイヤの切断すべき部位にレーザの照射を行うことになる。そのため、レーザ照射によってワイヤの切断すべき部位に熱が集中し、低いエネルギーによってワイヤの切断を行うことができる。
【００１３】
よって、本発明によれば、カッターを用いないでワイヤの切断を行うことができる。その結果、カッターの交換が不要となり稼働率の向上が図れるとともに、ワイヤボンディング装置においてカッターおよびこれを駆動させる駆動部が無くなるため、被接合部材側の製品において部品配置の自由度が向上する。
【００１４】
ここで、請求項２に記載の発明のように、ワイヤ（４０）の切断工程では、ワイヤに対してワイヤの長手方向に引っ張る力を加えながら、ワイヤの切断を行うことが好ましい。それによれば、よりワイヤの切断が容易になる。
【００１５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は本実施形態のワイヤボンディング方法によりワイヤ接続が行われた後の装置Ｓ１の状態を示す概略断面図である。本例の装置Ｓ１は、自動車等に搭載される制御回路装置として構成されている。
【００１７】
装置Ｓ１において、アルミニウム（Ａｌ）等からなる放熱部材（フィン）１０の上には、セラミック基板等からなる回路基板２０が搭載され接着等により固定されている。
【００１８】
この回路基板２０は、ハイブリッドＩＣ基板として構成されており、回路基板２０の上には、鉄系金属等からなるパッド２１がはんだ付け等により、回路基板２０に固定されている。
【００１９】
また、放熱部材１０の上には、樹脂等からなるパッケージ３０が設けられており、このパッケージ３０には、外部引き出し用端子としてのターミナル３１が設けられている。このターミナル３１は真鍮等からなるもので、パッケージ３０にインサート成形等によって一体化されている。
【００２０】
そして、ターミナル３１と回路基板２０のパッド２１とは、銅（Ｃｕ）、Ａｌ、金（Ａｕ）等からなるワイヤ４０により結線されており、電気的に接続されている。そして、回路基板２０はこのワイヤ４０、ターミナル３１を介して外部と電気的に接続可能となっている。
【００２１】
また、このワイヤ４０は、図１に示されるノズル５０およびワイヤガイド６０を有するワイヤボンディング装置を用いて、レーザワイヤボンディング方法によって接続されたものである。ここでは、ターミナル３１を１次ボンディング側、パッド２１を２次ボンディング側としてボンディングが行われている。
【００２２】
また、図１では、本実施形態のワイヤボンディング装置のうちノズル５０およびワイヤガイド６０が示してあるが、詳しくは、上記した特許文献１に記載されているワイヤボンディング装置においてカッターを無くした構成のものを採用することができる。
【００２３】
ノズル５０は円筒状をなし、且つ、先端側（図中、下側）ほど細くなっている。ノズル５０は、ワイヤ４０の接合時にワイヤ４０と被接合部材２１、３１とを密着させるためのものである。
【００２４】
また、図１において、このノズル５０の上方位置には図示しないが、集光レンズが配置されている。そして、この集光レンズの上方からレーザビーム７０が照射され、集光レンズにより集光され、ノズル５０内を通り、ノズル５０の先端からレーザビーム７０が発射されるようになっている。
【００２５】
そして、ワイヤガイド６０は、ノズル５０の側方にわずかに離間して配置されている。このワイヤガイド６０は、ワイヤ４０を案内するガイド部材であり、ワイヤ４０を支持して被接合部材２１、３１に対してワイヤ４０を引き回すようになっている。
【００２６】
例えば、ノズル５０およびワイヤガイド６０は、それぞれ上記ワイヤボンディング装置に設けられているモータ等の駆動部によって、図１中の上下方向すなわちＺ方向に可動となっている。
【００２７】
また、ワイヤボンディング時において、装置Ｓ１は図示しない加工台に搭載されるが、この加工台は、例えば、図１中の紙面垂直方向に広がる面内に可動となっている。具体的には、この加工台は図１中に示すＸ方向、Ｙ方向へ可動となっており、さらにはＺ方向回りに回転可能となっている。
【００２８】
これにより、ノズル５０、ワイヤガイド６０およびワイヤガイド６０に支持されたワイヤ４０が、上記加工台に搭載された装置Ｓ１の所定位置へ移動することができるようになっている。
【００２９】
このような本実施形態の装置Ｓ１におけるレーザワイヤボンディング方法について、上記図１に加え、図２も参照して述べる。図２は、本実施形態のワイヤボンディング方法の要部を断面的に示す工程図である。
【００３０】
まず、パッケージ３０のターミナル３１において１次ボンディングを行う。この１次ボンディングは、上記特許文献１に記載されている方法と同様にして行われる。
【００３１】
すなわち、ワイヤ４０を支持したワイヤガイド６０およびノズル５０をターミナル３１の上に位置させ、ノズル５０を下降させて、ワイヤ４０をターミナル３１に押しつける。これにより、ワイヤ４０はターミナル３１とノズル５０との間に挟まれて固定される。この状態において、レーザビーム７０をワイヤ４０に照射することにより、ワイヤ４０とターミナル３１とが溶接される。
【００３２】
こうして１次ボンディングを行った後、ワイヤ４０を２次ボンディング側の被接合部材２１上に位置させるとともにノズル５０によってワイヤ４０を該被接合部材２１に押し付けた状態で、ワイヤ４０にレーザを照射することにより、ワイヤ４０を該被接合部材２１に接合する工程を行う。
【００３３】
すなわち、ワイヤガイド６０からワイヤ４０を引き出しながら、ノズル５０およびワイヤガイド６０を移動させ、２次ボンディング側の被接合部材つまり回路基板２０のパッド２１の上に位置させる。
【００３４】
そして、ノズル５０を下降させワイヤ４０をパッド２１に押しつける。これにより、ワイヤ４０はパッド２１とノズル５０との間に挟まれて固定される。この状態において、レーザビーム７０をワイヤ４０に照射することにより、ワイヤ４０とパッド２１とが溶接される。
【００３５】
このワイヤ４０とパッド２１とが溶接され２次ボンディングが行われた状態が図２（ａ）に示される。ここで、図２（ａ）では、ワイヤ４０とパッド２１とが溶け合った溶接部としての接合部８０が示されている。
【００３６】
この後、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ワイヤ４０のうち接合部８０から離れた部位４１にてワイヤ４０を切断する工程を行う。
【００３７】
このワイヤ４０の切断工程では、ワイヤガイド６０（図２では省略されている）によってワイヤ４０の切断すべき部位４１をパッド２１から離すとともに、ノズル５０を移動させてワイヤ４０の切断すべき部位４１の上に離して位置させた状態とする。そして、この状態でレーザビーム７０の照射を再度行うことにより、ワイヤ４０の切断を行う。
【００３８】
それによれば、ワイヤ４０の切断すべき部位４１をパッド２１およびノズル５０から離した状態で、ワイヤ４０の切断すべき部位４１にレーザの照射を行うことになる。そのため、レーザ照射によってワイヤ４０の切断すべき部位４１に熱が集中し、低いエネルギーによってワイヤ４０の切断を行うことができる。
【００３９】
ちなみに、もし、ワイヤ４０にノズル５０やパッド２１を接触させたままレーザを当てると、図２（ａ）中に矢印にて示すように放熱経路が生じる。つまり、ワイヤ４０からノズル５０やパッド２１を介して熱の逃げが生じるので高エネルギーのレーザが必要になる。また、溶融したワイヤ４０の一部が接触しているノズル５０やパッド２１に付着する可能性も高い。
【００４０】
こうして、ワイヤボンディングが完了し、上記図１に示すように、パッケージ３０のターミナル３１と回路基板２０のパッド２１とがワイヤ４０を介して結線され電気的に接続される。なお、以上のサイクルを、各ターミナル〜パッド間で繰り返すことにより、任意の本数、位置の電極間の結線が可能となる。
【００４１】
このように、本実施形態のレーザワイヤボンディング方法によれば、カッターを用いないでワイヤ４０の切断を行うことができる。その結果、カッターの交換が不要となり稼働率の向上が図れるとともに、ワイヤボンディング装置においてカッターおよびこれを駆動させる駆動部が無くなるため、被接合部材側の製品において部品配置の自由度が向上する。
【００４２】
また、上記ワイヤ４０の切断工程では、ワイヤ４０に対してワイヤ４０の長手方向に引っ張る力を加えながら、ワイヤ４０の切断を行うことが好ましい。
【００４３】
具体的には、図２（ｂ）に示すように、ワイヤガイド６０によってワイヤ４０を矢印Ｋに示す方向へ引っ張るようにしながら、レーザビーム７０の照射を行う。それによれば、ワイヤ４０に対して当該引っ張る力を加えない状態で切断を行う場合に比べて、よりワイヤ４０の切断が容易になるという利点がある。
【００４４】
なお、上記実施形態では、装置Ｓ１において、パッケージ３０のターミナル３１を１次ボンディング側、回路基板２０のパッド２１を２次ボンディング側としたが、逆に、パッド２１を１次ボンディング側、ターミナル３１を２次ボンディング側としてもよい。この場合、ターミナル３１へのワイヤ４０の接合後にワイヤ４０を切断する際に、上記レーザによる切断を行うようにする。
【００４５】
また、本発明のワイヤボンディング方法は、上記装置Ｓ１以外にも適用できることは言うまでもない。例えば、半導体チップとリードフレームとの間のワイヤボンディングや、半導体チップ同士の間のワイヤボンディング、あるいは半導体チップと回路チップとの間のワイヤボンディング等に適用できることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るワイヤボンディング方法によりワイヤ接続が行われた後の装置の状態を示す概略断面図である。
【図２】上記実施形態のワイヤボンディング方法の要部を示す工程図である。
【符号の説明】
２１…被接合部材としてのパッド、４０…ワイヤ、
４１…ワイヤの切断すべき部位、５０…ノズル、８０…ワイヤの接合部。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser wire bonding method for bonding a wire to a member to be bonded using a laser.
[0002]
[Prior art]
This type of wire bonding method is performed by a wire bonding apparatus including a nozzle capable of laser irradiation. That is, the wire is joined by irradiating the wire with a laser in a state where the wire is positioned on the member to be joined such as a pad or a terminal and the wire is pressed against the member to be joined by the nozzle (for example, (See Patent Documents 1 and 2).
[0003]
After wire bonding, the wire is cut at a portion of the wire that is away from the bonded portion. This cutting is performed using a cutter that is provided integrally with a guide portion that guides the wire.
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-37922
[Patent Document 2]
JP-A-5-343899 [0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, as described above, conventionally, the cutting of the wire uses a cutter provided integrally with the guide member. Therefore, it is necessary to periodically replace the cutter due to wear of the cutter (blade). There was a problem that the operation rate decreased.
[0007]
In addition, it is necessary to prevent the cutter and the driving unit for driving the same from interfering with other parts in the product on the bonded member side, and accordingly, it is necessary to secure space. There was a restriction on the degree of freedom of component placement in the product.
[0008]
In view of the above problems, an object of the present invention is to enable cutting of a wire without using a cutter in a laser wire bonding method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present inventor has conducted intensive studies in consideration of irradiating the wire with a laser without using a cutter and cutting the wire with the heat.
[0010]
As a result, if a laser is applied with the nozzle or member to be joined in contact with the wire, heat escapes from the wire through the nozzle or member to be joined, so a high-energy laser is required. It has been found that if laser irradiation is performed in a state where other members such as the members to be joined are not brought into contact with each other, heat concentrates on the cut portion of the wire and can be cut with low energy. The present invention was created with the idea in mind.
[0011]
That is, in the first aspect of the invention, the wire (40) is positioned on the member to be joined (21) and the wire is irradiated with the laser while the wire is pressed against the member to be joined by the nozzle (50). In the wire bonding method including the step of bonding the wire to the member to be bonded, and then the step of cutting the wire at a site away from the bonding portion (80) of the wire, The wire is cut by moving the nozzle away from the member to be cut (41) and moving the nozzle away from the member to be cut, and irradiating the laser again. It is characterized by performing.
[0012]
According to this, in the cutting process of the wire (40), the portion to be cut of the wire is irradiated with the laser in a state where the portion to be cut (41) is separated from the member to be joined (21) and the nozzle (50). Will do. Therefore, heat concentrates on the part of the wire to be cut by laser irradiation, and the wire can be cut with low energy.
[0013]
Therefore, according to the present invention, the wire can be cut without using a cutter. As a result, it is not necessary to replace the cutter and the operating rate can be improved, and the cutter and the drive unit for driving the wire bonding apparatus are eliminated, so that the degree of freedom of component placement is improved in the product on the bonded member side.
[0014]
Here, as in the invention described in claim 2, in the cutting step of the wire (40), it is preferable to cut the wire while applying a pulling force to the wire in the longitudinal direction of the wire. According to this, it becomes easier to cut the wire.
[0015]
In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments shown in the drawings will be described below. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state of the device S1 after wire connection is performed by the wire bonding method of the present embodiment. The device S1 of this example is configured as a control circuit device mounted on an automobile or the like.
[0017]
In the device S1, a circuit board 20 made of a ceramic substrate or the like is mounted on a heat radiating member (fin) 10 made of aluminum (Al) or the like and fixed by adhesion or the like.
[0018]
The circuit board 20 is configured as a hybrid IC board, and a pad 21 made of an iron-based metal or the like is fixed to the circuit board 20 on the circuit board 20 by soldering or the like.
[0019]
Further, a package 30 made of resin or the like is provided on the heat dissipation member 10, and a terminal 31 as an external lead terminal is provided on the package 30. The terminal 31 is made of brass or the like, and is integrated with the package 30 by insert molding or the like.
[0020]
The terminal 31 and the pad 21 of the circuit board 20 are connected by a wire 40 made of copper (Cu), Al, gold (Au) or the like, and are electrically connected. The circuit board 20 can be electrically connected to the outside through the wire 40 and the terminal 31.
[0021]
The wire 40 is connected by a laser wire bonding method using a wire bonding apparatus having the nozzle 50 and the wire guide 60 shown in FIG. Here, bonding is performed with the terminal 31 as the primary bonding side and the pad 21 as the secondary bonding side.
[0022]
1 shows the nozzle 50 and the wire guide 60 in the wire bonding apparatus according to the present embodiment. Specifically, the wire bonding apparatus described in Patent Document 1 has a configuration in which the cutter is eliminated. Things can be adopted.
[0023]
The nozzle 50 has a cylindrical shape and becomes thinner toward the tip side (lower side in the figure). The nozzle 50 is for bringing the wire 40 and the members 21 and 31 into close contact when the wire 40 is bonded.
[0024]
In FIG. 1, a condensing lens is disposed above the nozzle 50, although not shown. The laser beam 70 is irradiated from above the condenser lens, is condensed by the condenser lens, passes through the nozzle 50, and is emitted from the tip of the nozzle 50.
[0025]
The wire guide 60 is disposed slightly apart from the side of the nozzle 50. The wire guide 60 is a guide member that guides the wire 40, and supports the wire 40 so as to route the wire 40 with respect to the members 21 and 31 to be joined.
[0026]
For example, the nozzle 50 and the wire guide 60 are movable in the vertical direction in FIG. 1, that is, in the Z direction by a driving unit such as a motor provided in the wire bonding apparatus.
[0027]
At the time of wire bonding, the apparatus S1 is mounted on a processing table (not shown), and this processing table is movable in a plane extending in a direction perpendicular to the paper surface in FIG. Specifically, this processing table is movable in the X and Y directions shown in FIG. 1, and is further rotatable about the Z direction.
[0028]
Thereby, the nozzle 50, the wire guide 60, and the wire 40 supported by the wire guide 60 can move to a predetermined position of the apparatus S1 mounted on the processing table.
[0029]
The laser wire bonding method in the apparatus S1 of this embodiment will be described with reference to FIG. 2 in addition to FIG. FIG. 2 is a process diagram showing in cross section the main part of the wire bonding method of this embodiment.
[0030]
First, primary bonding is performed at the terminal 31 of the package 30. This primary bonding is performed in the same manner as the method described in Patent Document 1.
[0031]
That is, the wire guide 60 and the nozzle 50 that support the wire 40 are positioned on the terminal 31, the nozzle 50 is lowered, and the wire 40 is pressed against the terminal 31. As a result, the wire 40 is sandwiched and fixed between the terminal 31 and the nozzle 50. In this state, the wire 40 and the terminal 31 are welded by irradiating the wire 40 with the laser beam 70.
[0032]
After performing the primary bonding in this manner, the wire 40 is irradiated on the wire 40 in a state where the wire 40 is positioned on the member 21 to be bonded on the secondary bonding side and the wire 40 is pressed against the member 21 by the nozzle 50. Thus, the step of bonding the wire 40 to the member to be bonded 21 is performed.
[0033]
That is, while pulling out the wire 40 from the wire guide 60, the nozzle 50 and the wire guide 60 are moved to be positioned on the member to be bonded on the secondary bonding side, that is, on the pad 21 of the circuit board 20.
[0034]
Then, the nozzle 50 is lowered and the wire 40 is pressed against the pad 21. Thereby, the wire 40 is sandwiched and fixed between the pad 21 and the nozzle 50. In this state, the wire 40 and the pad 21 are welded by irradiating the wire 40 with the laser beam 70.
[0035]
FIG. 2A shows a state in which the wire 40 and the pad 21 are welded and the secondary bonding is performed. Here, in Fig.2 (a), the junction part 80 as a welding part which the wire 40 and the pad 21 melt | dissolved is shown.
[0036]
Thereafter, as shown in FIGS. 2B and 2C, a step of cutting the wire 40 at a portion 41 away from the joint 80 in the wire 40 is performed.
[0037]
In the cutting process of the wire 40, the portion 41 to be cut of the wire 40 is separated from the pad 21 by the wire guide 60 (not shown in FIG. 2), and the portion 41 to be cut of the wire 40 is moved by moving the nozzle 50. It is in a state where it is positioned apart from above. In this state, the wire 40 is cut by irradiating the laser beam 70 again.
[0038]
According to this, the portion 41 to be cut of the wire 40 is irradiated with laser in a state where the portion 41 to be cut of the wire 40 is separated from the pad 21 and the nozzle 50. Therefore, heat concentrates on the part 41 of the wire 40 to be cut by laser irradiation, and the wire 40 can be cut with low energy.
[0039]
Incidentally, if a laser is applied while the nozzle 50 and the pad 21 are in contact with the wire 40, a heat radiation path is generated as shown by an arrow in FIG. That is, since heat escapes from the wire 40 via the nozzle 50 and the pad 21, a high energy laser is required. In addition, there is a high possibility that a part of the melted wire 40 adheres to the nozzle 50 and the pad 21 that are in contact with each other.
[0040]
Thus, wire bonding is completed, and the terminal 31 of the package 30 and the pad 21 of the circuit board 20 are connected and electrically connected via the wire 40 as shown in FIG. In addition, by repeating the above cycle between each terminal and the pad, it becomes possible to connect between electrodes of any number and position.
[0041]
Thus, according to the laser wire bonding method of this embodiment, the wire 40 can be cut without using a cutter. As a result, it is not necessary to replace the cutter and the operating rate can be improved, and the cutter and the drive unit for driving the wire bonding apparatus are eliminated, so that the degree of freedom of component placement is improved in the product on the bonded member side.
[0042]
Further, in the step of cutting the wire 40, it is preferable to cut the wire 40 while applying a pulling force to the wire 40 in the longitudinal direction of the wire 40.
[0043]
Specifically, as shown in FIG. 2B, the laser beam 70 is irradiated while the wire 40 is pulled by the wire guide 60 in the direction indicated by the arrow K. According to this, there exists an advantage that the cutting of the wire 40 becomes easier compared with the case where it cut | disconnects in the state which does not apply the said pulling force with respect to the wire 40. FIG.
[0044]
In the above embodiment, in the device S1, the terminal 31 of the package 30 is the primary bonding side and the pad 21 of the circuit board 20 is the secondary bonding side, but conversely, the pad 21 is the primary bonding side and the terminal 31. May be the secondary bonding side. In this case, when the wire 40 is cut after the wire 40 is bonded to the terminal 31, the laser cutting is performed.
[0045]
Needless to say, the wire bonding method of the present invention can be applied to devices other than the device S1. For example, it can be clearly applied to wire bonding between a semiconductor chip and a lead frame, wire bonding between semiconductor chips, or wire bonding between a semiconductor chip and a circuit chip.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state of an apparatus after wire connection is performed by a wire bonding method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a process diagram showing the main part of the wire bonding method of the embodiment.
[Explanation of symbols]
21 ... Pad as a member to be joined, 40 ... Wire,
41... Part to be cut of the wire, 50... Nozzle, 80.

Claims (2)

ワイヤ（４０）を被接合部材（２１）上に位置させるとともにノズル（５０）によって前記ワイヤを前記被接合部材に押し付けた状態で、前記ワイヤにレーザを照射することにより、前記ワイヤを前記被接合部材に接合する工程と、
続いて、前記ワイヤのうち前記接合部（８０）から離れた部位にて前記ワイヤを切断する工程とを備えるワイヤボンディング方法において、
前記ワイヤの切断工程では、前記ワイヤの切断すべき部位（４１）を前記被接合部材から離すとともに、前記ノズルを移動させ前記ワイヤの切断すべき部位の上に離して位置させた状態で、レーザの照射を再度行うことにより、前記ワイヤの切断を行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。The wire (40) is positioned on the member to be joined (21) and the wire is irradiated with a laser in a state where the wire (40) is pressed against the member to be joined by the nozzle (50). Joining to the member;
Subsequently, in a wire bonding method comprising: cutting the wire at a portion of the wire that is away from the joint (80).
In the step of cutting the wire, the laser beam is moved in a state where the portion (41) to be cut of the wire is separated from the member to be joined and the nozzle is moved to be separated from the portion to be cut of the wire. The wire bonding method is characterized in that the wire is cut by performing the irradiation again. 前記ワイヤ（４０）の切断工程では、前記ワイヤに対して前記ワイヤの長手方向に引っ張る力を加えながら、前記ワイヤの切断を行うことを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング方法。  The wire bonding method according to claim 1, wherein, in the cutting step of the wire (40), the wire is cut while applying a pulling force to the wire in a longitudinal direction of the wire.
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