JP3881164B2

JP3881164B2 - Substrate processing equipment

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Publication number: JP3881164B2
Application number: JP2000216921A
Authority: JP
Inventors: 雅和真田; 和士茂森
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-18
Filing date: 2000-07-18
Publication date: 2007-02-14
Anticipated expiration: 2020-07-18
Also published as: JP2002033261A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ等の略円形の基板の表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給するための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置としては、スピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給するとともに、スピンチャックを高速回転させることにより、基板の表面に供給された処理液を遠心力を利用して基板の表面に均一に拡張する構成を有するものが使用されている。
【０００３】
しかしながら、このような基板処理装置においては、基板の表面に処理液を均一に拡張するためには、基板を極めて速い回転速度で、しかも、長時間回転させる必要がある。また、このように基板を高速かつ長時間回転させている間に、基板の表面に供給された処理液が基板の端縁から振り切られることから、基板の表面に多量の処理液を供給する必要があり、処理液の利用効率が悪いという欠点がある。
【０００４】
このため、特開平６−３４９７２１号公報においては、基板としての半導体ウエハの直径方向に配置された溝状の滴下ノズルから処理液を滴下するとともに、半導体ウエハを１／２回転以上回転させることにより、半導体ウエハの表面全域に処理液を供給する基板処理装置が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置においては、滴下ノズルにおける半導体ウエハの半径方向の位置によって、滴下ノズルと半導体ウエハとの相対的な周速度が異なることになるため、半導体ウエハの表面に供給される処理液の量が半導体ウエハの半径方向の位置により異なることになる。従って、半導体ウエハの表面に均一に処理液を供給することは不可能となる。このため、特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置においても、結局は基板を高速回転させ、処理液に均一化を図る必要がある。
【０００６】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であって、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心からこの基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを、処理液供給時に、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁付近を中心に、前記吐出部の先端部が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と対向する位置からこの基板の端縁より内側の位置と対向する位置まで回動させるノズル回動機構と、を備え、前記ノズル回動機構は、前記処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より内側の位置に配置された軸を中心として回動させることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記吐出部は、その先端部と基端部との距離が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さなスリットから構成されている。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であって、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを、前記吐出部の基端部付近を中心に回動させるノズル回動機構と、前記回動機構により回動するノズルの回動中心を、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径上を移動させることにより、前記回動機構により回動する処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径方向に移動させるノズル移動機構と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る基板処理装置の正面概要図であり、図２はその要部を示す平面図である。
【００１１】
この基板処理装置は、半導体ウエハからなる基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためのものであり、モータ１１の駆動により基板Ｗを回転可能に支持するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を供給するための処理液供給ノズル１３とを備える。
【００１２】
この処理液供給ノズル１３は、その下面に処理液の吐出部としてのスリット１４を備える。このスリット１４は、処理液供給管２４を介して図示しない処理液供給機構と連結されている。このスリット１４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方向を向く直線状の形状を有し、また、このスリット１４の先端部は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向する位置に配置されている。さらに、このスリット１４における先端部と基端部との距離Ｌ１は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒよりわずかに小さくなっている。
【００１３】
このため、このスリット１４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃからこの基板Ｗの端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給することが可能となる。
【００１４】
また、この処理液供給ノズル１３は、支持台２１上に固定されたモータ２２の回転軸と軸２３を介して連結されており、軸２３を中心に回動自在となっている。この軸２３は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より内側の位置の上方に配置されている。
【００１５】
このため、処理液供給ノズル１３は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より内側の位置に配置された軸２３を中心として回動する。そして、処理液供給ノズル１３の回動範囲は、スリット１４の先端部が、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向する位置と、この基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置との間となっている。
【００１６】
次にこの発明に係る基板処理装置の電気的構成について説明する。図３は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００１７】
この基板処理装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ３１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ３２と、論理演算を実行するＣＰＵ３３とから成る制御部３０を備える。この制御部３０は、インターフェース３４を介して、スピンチャック１２を回転駆動するためのモータ１１と連結されている。また、この制御部３０は、インターフェース３４を介して、処理液供給ノズル１３を回動させるためのモータ２２と連結されている。
【００１８】
次に、上述した基板処理装置により、基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給するための供給動作について説明する。
【００１９】
この基板処理装置により基板Ｗの表面に処理液を供給する際には、先ず、モータ２２の駆動により処理液供給ノズル１３を、図２において実線で示す位置まで移動させる。この状態においては、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４の先端部は、スピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向している。
【００２０】
そして、モータ１１の駆動によりスピンチャック１２に支持された基板Ｗを低速で回転させる。このときの基板Ｗの回転速度は、例えば、数ＲＰＭ程度とすることが好ましい。
【００２１】
この状態において、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４から、基板Ｗの表面に向けて処理液を吐出する。また、これと同時に、モータ２２の駆動により、処理液供給ノズル１３を、基板Ｗの端縁より内側の位置の上方に配置された軸２３を中心として反時計方向（図２において矢印１０１で示す方向）に低速で回動させる。
【００２２】
処理液供給ノズル１３が処理液を吐出しながら回動を続け、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置に到達すれば、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４からの処理液の吐出を停止する。また、基板Ｗを支持するスピンチャック１２の回転も停止させる。これにより、基板Ｗの表面への処理液の供給動作は終了する。
【００２３】
この基板処理装置においては、処理液供給ノズル１３の回動速度と基板Ｗの回転速度とを適切な値に制御することにより、上述した供給動作で基板Ｗの表面に処理液が均一に供給される。
【００２４】
以下、この点について説明する。図４は、長さＬ１のスリット１４のうちの長さΔＬの微小領域により、基板Ｗに処理液が供給される状態を示す説明図である。
【００２５】
上述した基板処理装置において、処理液供給ノズル１３を回動させないで基板Ｗに処理液を供給した場合においては、上述した特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置の場合と同様、スリット１４における基板Ｗの半径方向の位置によって、スリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が異なることになるため、基板Ｗの表面に供給される処理液の量が基板Ｗの半径方向の位置により異なることになり、基板Ｗに対する処理液の供給ムラが発生する。より具体的には、基板Ｗの回転中心Ｃ付近においてはスリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が小さくなり、基板Ｗに多量の処理液が供給されることになる。一方、基板Ｗの端縁付近ではスリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が大きくなり、基板Ｗに少量の処理液しか供給されないことになる。
【００２６】
一方、この発明においては、処理液供給ノズル１３を、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置まで回動させている。
【００２７】
処理液供給ノズル１３をこのように回動させた場合には、図４に示すように、基板Ｗの回転中心Ｃ付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける幅Ｓ１の量域に処理液を供給することになる。また、基板Ｗの半径の中央付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける上記幅Ｓ１より狭い幅Ｓ２の量域に処理液を供給することになる。さらに、基板Ｗの端縁付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける上記幅Ｓ２よりさらに狭い幅Ｓ３の量域に処理液を供給することになる。
【００２８】
このため、スリット１４から均一に処理液を吐出させた場合においては、スリット１４における各微小領域ΔＬから基板Ｗに供給される処理液の相対量は、基板Ｗの回転中心Ｃ付近で少なく、また、基板Ｗの端縁付近で多くなることになる。従って、スリット１４を回動させない場合に発生する上述した処理液の供給ムラの発生の原因をうち消す作用が生じることになり、この作用により基板Ｗの表面に処理液を均一に供給することが可能となる。
【００２９】
なお、上述したように、基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためには、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速度とを適切な値に制御する必要がある。このためには、処理液を均一に供給するための基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速度との関係を予め実験的に求めるとともに、このときの基板Ｗを回転させるためのモータ１１と処理液供給ノズル１３を回動させるためのモータ２２との回転速度の関係を示すデータを、制御部３０におけるＲＡＭ３２に記憶させておく。そして、処理液の供給時には、このデータをＣＰＵ３１によりＲＡＭ３２から呼び出してモータ１１、２２を制御するようにすればよい。
【００３０】
このような場合においては、制御部３０は、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速度とが所定の関係となるように制御する制御手段として機能することになる。
【００３１】
なお、上述した実施形態においては、処理液供給ノズル１３を、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置まで回動させている。このため、図５に示すように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔した位置までの領域Ｅには、処理液が供給されないことになる。このように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔した位置までの領域Ｅに処理液を供給しないようにしているのは、次のような理由による。
【００３２】
すなわち、フォトレジスト等の処理液が基板Ｗの端縁に供給された場合には、この処理液が基板搬送機構や基板収納カセットの収納溝等に当接して基板Ｗから剥離し、パーティクル発生の原因となる。このため、従来、このようなパーティクルの発生を防止するために、基板処理装置とは別に端縁洗浄装置を使用し、基板Ｗの端縁から一定の領域にのみ洗浄液を供給することにより、基板Ｗの端縁付近に供給された処理液を洗浄除去するようにしている。
【００３３】
しかしながら、この発明に係る基板処理装置を使用した場合においては、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄ以上離隔した位置にのみ処理液を供給する構成を採用することにより、基板Ｗの端縁付近の領域Ｅに処理液が供給されることを防止することができ、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。
【００３４】
上述した実施形態においては、処理液供給ノズル１３として、直線状のスリット１４を備えた構成のものを採用しているが、図６に示すように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔するような、曲線状のスリット１４を備えた処理液供給ノズル１３を使用してもよい。この場合においては、スリット１４の曲率半径は、基板Ｗの半径をＲとした場合［Ｒ−Ｄ］となっている。また、スリット１４における先端部と基端部との距離Ｌ１は、図２に示すスリット１４と同様、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒよりわずかに小さくなっている。
【００３５】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図７はこの発明の第２実施形態に係る基板処理装置の正面概要図であり、図８はその要部を示す平面図である。
【００３６】
上述した第１実施形態に係る基板処理装置は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃからこの基板Ｗの端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給することが可能なスリット１４を有する処理液供給ノズル１４と、この処理液供給ノズル１４を回動させる回動機構とを備えている。これに対し、この第２実施形態に係る基板処理装置は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能なスリット４４を備えた処理液供給ノズル４３と、この処理液供給ノズル４３を回動させるノズル回動機構と、この回動機構により回動する処理液供給ノズル４３をスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方向に移動させるノズル移動機構とを備えている。
【００３７】
すなわち、この基板処理装置も、第１実施形態の係る基板処理装置と同様、半導体ウエハからなる基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためのものであり、モータ１１の駆動により基板Ｗを回転可能に支持するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を供給するための処理液供給ノズル４３とを備える。
【００３８】
この処理液供給ノズル４３は、その下面に処理液の吐出部としてのスリット４４を備える。このスリット４４は、図示を省略した処理液供給管を介して図示しない処理液供給機構と連結されている。このスリット４４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方向を向く直線状の形状を有し、また、このスリット４４の先端部は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向可能な構成となっている。
【００３９】
この処理液供給ノズル４３におけるスリット４４の先端部と基端部との距離Ｌ２は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒの数分の一程度となっている。このため、このスリット４４は、距離Ｌ２の領域に対し連続的に処理液を供給することが可能となる。
【００４０】
また、この処理液供給ノズル４３は、支持腕５１上に固定されたモータ５２の回転軸と軸５３を介して連結されており、軸５３を中心に回動自在となっている。この支持腕５１における基部５４はボールねじ５５と螺合しており、また、このボールねじ５５は、支持台５６上に固定されたモータ５７により回転する構成となっている。このため、支持腕５１はモータ５７の駆動でボールねじ５５に沿って移動可能に構成されている。
【００４１】
このため、処理液供給ノズル４３は、モータ５２の駆動により軸５３を中心として図８に示す矢印１０２方向に回動するとともに、モータ５７の駆動により図８に示す矢印１０３方向に移動する。
【００４２】
図９は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００４３】
この基板処理装置は、第１実施形態に係る基板処理装置と同様、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ３１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ３２と、論理演算を実行するＣＰＵ３３とから成る制御部３０を備える。この制御部３０は、インターフェース３４を介して、スピンチャック１２を回転駆動するためのモータ１１と連結されている。また、この制御部３０は、インターフェース３４を介して、処理液供給ノズル４３を回動させるためのモータ５２と連結されている。さらに、この制御部３０は、処理液供給ノズル４３を移動させるためのモータ５７と連結されている。
【００４４】
次に、上述した第２実施形態に係る基板処理装置により、基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給するための供給動作について説明する。
【００４５】
この基板処理装置により基板Ｗの表面に処理液を供給する際には、先ず、処理液供給ノズル４３を、図８において実線で示す位置まで移動させる。この状態においては、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４の先端部は、スピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向している。
【００４６】
そして、モータ１１の駆動によりスピンチャック１２に支持された基板Ｗを低速で回転させる。このときの基板Ｗの回転速度は、例えば、数ＲＰＭ程度とすることが好ましい。
【００４７】
この状態において、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４から、基板Ｗの表面に向けて処理液を吐出する。また、これと同時に、モータ５２の駆動により、処理液供給ノズル４３を、軸５３を中心として反時計方向（図８において矢印１０２で示す方向）に低速で回動させるとともに、モータ５７の駆動により回動中の処理液供給ノズル４３を基板Ｗの半径方向（図８において矢印１０３で示す方向）に移動させる。
【００４８】
処理液供給ノズル４３が処理液を吐出しながら反時計方向への回動および基板Ｗの半径方向への移動を続け、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置に到達すれば、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４からの処理液の吐出を停止する。また、基板Ｗを支持するスピンチャック１２の回転も停止させる。これにより、基板Ｗの表面への処理液の供給動作は終了する。
【００４９】
この基板処理装置においては、処理液供給ノズル４３の回動および移動速度と基板Ｗの回転速度を適切な値に制御することにより、第１実施形態に係る基板処理装置の場合と同様、上述した供給動作により図４に示す作用を奏し、基板Ｗの表面に処理液が均一に供給される。
【００５０】
なお、基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためには、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移動速度とを適切な値に制御する必要がある。このためには、処理液を均一に供給するための基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移動速度との関係を予め実験的に求めるとともに、このときの基板Ｗを回転させるためのモータ１１と、処理液供給ノズル４３を回動させるためのモータ５２と、処理液供給ノズル４３を移動させるためのモータ５７との回転速度の関係を示すデータを、制御部３０におけるＲＡＭ３２に記憶させておく。そして、処理液の供給時には、このデータをＣＰＵ３１によりＲＡＭ３２から呼び出してモータ１１、５２、５７を制御するようにすればよい。
【００５１】
このような場合においては、制御部３０は、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移動速度とが所定の関係となるように制御する制御手段として機能することになる。
【００５２】
なお、上述した実施形態においては、処理液供給ノズル４３として、直線状のスリット４４を備えた構成のものを採用しているが、図１０に示すように、曲線状のスリット４４を備えた処理液供給ノズル４３を使用してもよい。この場合においては、スリット４４の曲率半径は、基板Ｗの半径をＲとした場合［Ｒ−Ｄ］となっている。
【００５３】
上述した第１、第２実施形態に係る基板処理装置によれば、基板Ｗを低速で回転させながらその表面に均一に処理液を供給することが可能となる。このため、従来のように、基板Ｗの端縁から処理液が振り切られることはなく、基板Ｗの表面に供給に必要な量以上の処理液を供給する必要はなくなる。
【００５４】
なお、上述した第１、第２実施形態に係る基板処理装置において、処理液の供給が完了した後に、基板Ｗの表面に供給された処理液を乾燥させる目的で、基板Ｗを回転させるようにしてもよい。
【００５５】
また、上述した第１、第２実施形態に係る基板処理装置において、処理液の膜厚をより均一にする目的から、処理液の供給後に基板Ｗを回転させるようにしてもよい。この場合においても、処理液は基板Ｗの表面に既に均一に供給させていることから、基板Ｗの回転速度を極度に高める必要はなく、また、この回転工程を短時間で完了することが可能となる。このため、基板Ｗの端縁から振り切られる処理液の量を最小とすることが可能となる。
【００５６】
なお、上述した実施形態においては、いずれも、処理液供給ノズル１３、４３を、処理液供給ノズル１３、４３におけるスリット１４、４４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置まで反時計方向に回動させているが、処理液供給ノズル１３、４３におけるスリット１４、４４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置から基板Ｗの中心Ｃと対向する位置まで時計方向に回動させるようにしてもよい。
【００５７】
また、上述した実施形態においては、いずれも、連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部として、スリット１４、４４を使用しているが、多数の処理液吐出孔を処理液供給ノズルの下面に連続した状態で穿設し、これらの処理液吐出孔から処理液を連続的に供給するようにしてもよい。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心からこの基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、処理液供給ノズルを吐出部の先端部がスピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と対向する位置とこの基板の端縁より内側の位置と対向する位置との間で回動させるノズル回動機構とを備えたことから、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。また、基板の端縁付近の領域に処理液が供給されることを防止することができることから、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。
【００５９】
また、請求項１に記載の発明によれば、ノズル移動機構が処理液供給ノズルをスピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より内側の位置に配置された軸を中心として回動させることから、処理液供給ノズルの回動中心を移動させることなく基板の表面に有効に処理液を供給することが可能となる。
【００６０】
請求項２に記載の発明によれば、吐出部がその先端部と基端部との距離がスピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さなスリットから構成されることから、基板の端縁付近を除く表面全域に有効に処理液を供給することが可能となる。
【００６１】
請求項３に記載の発明によれば、スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、処理液供給ノズルを吐出部の基端部付近を中心に回動させるノズル回動機構と、回動機構により回動する処理液供給ノズルの回動中心をスピンチャックに支持されて回転する基板の半径方向に移動させるノズル移動機構とを備えたことから、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。また、基板の端縁付近の領域に処理液が供給されることを防止することができることから、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の正面概要図である。
【図２】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【図３】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図４】長さＬ１のスリット１３のうちの長さΔＬの微小領域により、基板Ｗに処理液が供給される状態を示す説明図である。
【図５】基板Ｗの端縁付近の領域Ｅを示す説明図である。
【図６】この発明の第１実施形態の変形例に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【図７】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の正面概要図である。
【図８】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【図９】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図１０】この発明の第２実施形態の変形例に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
１１モータ
１２スピンチャック
１３処理液供給ノズル
１４スリット
２１支持台
２２モータ
２３軸
３０制御部
４３処理液供給ノズル
４４スリット
５１支持腕
５２モータ
５３軸
５５ボールねじ
５６支持台
５７モータ
Ｗ基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for uniformly supplying a processing liquid such as a photoresist onto the surface of a substantially circular substrate such as a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as such a substrate processing apparatus, a processing liquid is supplied to the surface of the substrate held by the spin chuck, and the processing liquid supplied to the surface of the substrate is subjected to centrifugal force by rotating the spin chuck at a high speed. Those having a structure that is used to uniformly extend to the surface of the substrate are used.
[0003]
However, in such a substrate processing apparatus, it is necessary to rotate the substrate at a very high rotation speed for a long time in order to uniformly extend the processing liquid onto the surface of the substrate. Further, while the substrate is rotated at a high speed for a long time, the processing liquid supplied to the surface of the substrate is shaken off from the edge of the substrate, so a large amount of processing liquid needs to be supplied to the surface of the substrate. There is a disadvantage that the use efficiency of the treatment liquid is poor.
[0004]
For this reason, in Japanese Patent Laid-Open No. 6-349721, a processing liquid is dropped from a groove-like dropping nozzle arranged in the diameter direction of a semiconductor wafer as a substrate, and the semiconductor wafer is rotated by 1/2 or more rotations. A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to the entire surface of a semiconductor wafer has been proposed.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the substrate processing apparatus described in JP-A-6-349721, the relative peripheral speed of the dropping nozzle and the semiconductor wafer varies depending on the radial position of the semiconductor wafer in the dropping nozzle. The amount of processing liquid supplied to the surface of the semiconductor wafer varies depending on the radial position of the semiconductor wafer. Therefore, it is impossible to uniformly supply the processing liquid to the surface of the semiconductor wafer. For this reason, even in the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-349721, it is necessary to rotate the substrate at high speed to make the processing liquid uniform.
[0006]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can uniformly supply a processing solution to the surface of a substrate without rotating the substrate at a high speed.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in claim 1 is a substrate processing apparatus for uniformly supplying a processing liquid to the surface of a substantially circular substrate, the spin chuck for rotatably supporting the substrate, and the spin chuck supported by the spin chuck. A processing liquid supply nozzle having a processing liquid discharge section capable of continuously supplying a processing liquid to a region from the rotation center of the rotating substrate to a position inside the edge of the substrate, and the processing liquid supply A position where the nozzle is opposed to the center of rotation of the substrate supported by the spin chuck and the tip of the discharge unit around the edge of the substrate supported by the spin chuck when rotating the processing liquid And a nozzle rotation mechanism that rotates the substrate to the position opposite to the position inside the edge of the substrate, and the nozzle rotation mechanism rotates the processing liquid supply nozzle supported by the spin chuck. And wherein the pivoting about an axis disposed in a position inside from the edge of the substrate.
[0008]
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the discharge portion is a slit whose distance between the tip end portion and the base end portion is smaller than the radius of the substrate that is supported by the spin chuck and rotates. It is configured.
[0009]
A third aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for uniformly supplying a processing liquid to the surface of a substantially circular substrate, the spin chuck for rotatably supporting the substrate, and the spin chuck supported by the spin chuck. A processing liquid supply nozzle having a processing liquid discharge section capable of continuously supplying a processing liquid to an area smaller than the radius of the rotating substrate, and the processing liquid supply nozzle centering around the base end of the discharge section A nozzle rotation mechanism for rotating the By moving the rotation center of the nozzle rotated by the rotation mechanism on the radius of the substrate supported by the spin chuck, And a nozzle moving mechanism for moving a processing liquid supply nozzle rotated by the rotating mechanism in a radial direction of a substrate supported and rotated by the spin chuck.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic front view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing an essential part thereof.
[0011]
This substrate processing apparatus is for uniformly supplying a processing liquid to the surface of a substrate W made of a semiconductor wafer. The spin chuck 12 rotatably supports the substrate W by driving a motor 11 and the spin chuck 12. And a processing liquid supply nozzle 13 for supplying a processing liquid such as a photoresist to the surface of the substrate W that is supported and rotated.
[0012]
The processing liquid supply nozzle 13 includes a slit 14 as a processing liquid discharge section on the lower surface thereof. The slit 14 is connected to a processing liquid supply mechanism (not shown) via a processing liquid supply pipe 24. The slit 14 has a linear shape that faces the radial direction of the substrate W rotating by being supported by the spin chuck 12, and the tip of the slit 14 is supported by the spin chuck 12 and rotating by the substrate W. Is disposed at a position opposite to the rotation center C. Further, the distance L1 between the front end and the base end of the slit 14 is slightly smaller than the radius R of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates.
[0013]
For this reason, the slit 14 continuously supplies the processing liquid to a region from the rotation center C of the substrate W rotating by being supported by the spin chuck 12 to a position inside the edge of the substrate W. Is possible.
[0014]
Further, the processing liquid supply nozzle 13 is connected to a rotating shaft of a motor 22 fixed on the support base 21 via a shaft 23 and is rotatable about the shaft 23. The shaft 23 is disposed above a position inside the edge of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates.
[0015]
For this reason, the processing liquid supply nozzle 13 rotates around the shaft 23 disposed at a position inside the edge of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates. Then, the rotation range of the treatment liquid supply nozzle 13 is a distance D from the position where the tip of the slit 14 faces the rotation center C of the substrate W rotated by being supported by the spin chuck 12 and the edge of the substrate W. Only between the inner position and the opposite position.
[0016]
Next, the electrical configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 3 is a block diagram showing the main electrical configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
[0017]
The substrate processing apparatus includes a control unit 30 including a ROM 31 that stores an operation program necessary for controlling the apparatus, a RAM 32 that temporarily stores data and the like during control, and a CPU 33 that executes a logical operation. The control unit 30 is connected to the motor 11 for rotationally driving the spin chuck 12 via the interface 34. Further, the control unit 30 is connected to a motor 22 for rotating the processing liquid supply nozzle 13 via an interface 34.
[0018]
Next, a supply operation for uniformly supplying a processing solution such as a photoresist to the surface of the substrate W by the above-described substrate processing apparatus will be described.
[0019]
When supplying the processing liquid to the surface of the substrate W by the substrate processing apparatus, first, the processing liquid supply nozzle 13 is moved to the position indicated by the solid line in FIG. In this state, the tip of the slit 14 in the processing liquid supply nozzle 13 faces the center C of the substrate W supported by the spin chuck 12.
[0020]
Then, the substrate 11 supported by the spin chuck 12 is rotated at a low speed by driving the motor 11. The rotation speed of the substrate W at this time is preferably about several RPM, for example.
[0021]
In this state, the processing liquid is discharged toward the surface of the substrate W from the slit 14 in the processing liquid supply nozzle 13. At the same time, by driving the motor 22, the processing liquid supply nozzle 13 is counterclockwise (indicated by an arrow 101 in FIG. 2) about the shaft 23 disposed above the position inside the edge of the substrate W. Rotate at low speed in the direction).
[0022]
The processing liquid supply nozzle 13 continues to rotate while discharging the processing liquid, and the tip end portion of the slit 14 in the processing liquid supply nozzle 13 is a position inside the distance D from the edge of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates. , The discharge of the processing liquid from the slit 14 in the processing liquid supply nozzle 13 is stopped. Further, the rotation of the spin chuck 12 that supports the substrate W is also stopped. Thereby, the supply operation of the processing liquid to the surface of the substrate W is completed.
[0023]
In this substrate processing apparatus, the processing liquid is uniformly supplied to the surface of the substrate W by the above-described supply operation by controlling the rotation speed of the processing liquid supply nozzle 13 and the rotation speed of the substrate W to appropriate values. The
[0024]
Hereinafter, this point will be described. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which the processing liquid is supplied to the substrate W by a minute region having a length ΔL in the slit 14 having a length L1.
[0025]
In the substrate processing apparatus described above, when the processing liquid is supplied to the substrate W without rotating the processing liquid supply nozzle 13, as in the case of the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-349721 described above. Since the relative peripheral speed between the slit 14 and the substrate W varies depending on the radial position of the substrate W in the slit 14, the amount of the processing liquid supplied to the surface of the substrate W is in the radial direction of the substrate W. Depending on the position, the supply unevenness of the processing liquid to the substrate W occurs. More specifically, the relative peripheral speed between the slit 14 and the substrate W decreases near the rotation center C of the substrate W, and a large amount of processing liquid is supplied to the substrate W. On the other hand, in the vicinity of the edge of the substrate W, the relative peripheral speed between the slit 14 and the substrate W increases, and only a small amount of processing liquid is supplied to the substrate W.
[0026]
On the other hand, in the present invention, the tip of the slit 14 is supported by the spin chuck 12 from a position where the tip of the slit 14 faces the center C of the substrate W supported by the spin chuck 12. The substrate is rotated by a distance D from the edge of the rotating substrate W to a position facing the inner position.
[0027]
When the processing liquid supply nozzle 13 is rotated in this way, as shown in FIG. 4, in the vicinity of the rotation center C of the substrate W, the minute region ΔL in the slit 14 is an amount region of the width S1 in the substrate W. The processing liquid is supplied to In the vicinity of the center of the radius of the substrate W, the minute region ΔL in the slit 14 supplies the processing liquid to an amount region of the width S2 narrower than the width S1 in the substrate W. Further, in the vicinity of the edge of the substrate W, the minute region ΔL in the slit 14 supplies the processing liquid to an amount region having a width S3 that is narrower than the width S2 in the substrate W.
[0028]
For this reason, when the processing liquid is uniformly ejected from the slit 14, the relative amount of the processing liquid supplied to the substrate W from each minute region ΔL in the slit 14 is small near the rotation center C of the substrate W, and This increases in the vicinity of the edge of the substrate W. Therefore, the effect of eliminating the cause of the above-described unevenness in supply of the processing liquid that occurs when the slit 14 is not rotated occurs, and the processing liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate W by this action. It becomes possible.
[0029]
As described above, in order to uniformly supply the processing liquid to the surface of the substrate W, it is necessary to control the rotation speed of the substrate W and the rotation speed of the processing liquid supply nozzle 13 to appropriate values. For this purpose, the relationship between the rotational speed of the substrate W for uniformly supplying the processing liquid and the rotational speed of the processing liquid supply nozzle 13 is experimentally obtained in advance, and the substrate W at this time is rotated. Data indicating the relationship between the rotation speed of the motor 11 and the motor 22 for rotating the processing liquid supply nozzle 13 is stored in the RAM 32 of the control unit 30. Then, when supplying the treatment liquid, the data may be called from the RAM 32 by the CPU 31 to control the motors 11 and 22.
[0030]
In such a case, the control unit 30 functions as a control unit that controls the rotation speed of the substrate W and the rotation speed of the processing liquid supply nozzle 13 to have a predetermined relationship.
[0031]
In the embodiment described above, the processing liquid supply nozzle 13 is moved from the position where the tip of the slit 14 faces the center C of the substrate W supported by the spin chuck 12, and the tip of the slit 14 extends from the spin chuck 12. The substrate is rotated by a distance D from the edge of the substrate W that is supported and rotated to a position facing the inner position. For this reason, as shown in FIG. 5, the processing liquid is not supplied to the region E from the edge of the substrate W to the position separated by the distance D. Thus, the reason why the processing liquid is not supplied to the region E from the edge of the substrate W to the position separated by the distance D is as follows.
[0032]
That is, when a processing liquid such as a photoresist is supplied to the edge of the substrate W, the processing liquid comes into contact with the substrate transport mechanism or the storage groove of the substrate storage cassette and peels from the substrate W, thereby generating particles. Cause. For this reason, conventionally, in order to prevent the generation of such particles, an edge cleaning device is used separately from the substrate processing apparatus, and the cleaning liquid is supplied only to a certain region from the edge of the substrate W, thereby The processing solution supplied near the edge of W is removed by washing.
[0033]
However, when the substrate processing apparatus according to the present invention is used, by adopting a configuration in which the processing liquid is supplied only to a position separated by a distance D or more from the edge of the substrate W rotated by being supported by the spin chuck 12. Further, it is possible to prevent the processing liquid from being supplied to the region E in the vicinity of the edge of the substrate W, and the edge cleaning process by the edge cleaning device can be omitted.
[0034]
Up In the embodiment described above, the treatment liquid supply nozzle 13 is configured to have a linear slit 14. FIG. As shown in FIG. 4, a processing liquid supply nozzle 13 having a curved slit 14 that is separated from the edge of the substrate W by a distance D may be used. In this case, the radius of curvature of the slit 14 is [RD] where R is the radius of the substrate W. In addition, the distance L1 between the distal end portion and the proximal end portion in the slit 14 is 2 Similar to the slit 14 shown, the radius R is slightly smaller than the radius R of the substrate W supported by the spin chuck 12 and rotating.
[0035]
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. Is a schematic front view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. These are top views which show the principal part.
[0036]
The substrate processing apparatus according to the first embodiment described above continuously processes a region from the rotation center C of the substrate W rotating by being supported by the spin chuck 12 to the position inside the edge of the substrate W. A treatment liquid supply nozzle 14 having a slit 14 capable of supplying a liquid and a turning mechanism for turning the treatment liquid supply nozzle 14 are provided. On the other hand, the substrate processing apparatus according to the second embodiment includes a processing liquid that includes a slit 44 that can continuously supply the processing liquid to a region smaller than the radius of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates. A supply nozzle 43, a nozzle rotation mechanism that rotates the processing liquid supply nozzle 43, and a processing liquid supply nozzle 43 that is rotated by the rotation mechanism are supported by the spin chuck 12 in the radial direction of the substrate W that rotates. And a nozzle moving mechanism to be moved.
[0037]
That is, this substrate processing apparatus is also for supplying the processing liquid uniformly to the surface of the substrate W made of a semiconductor wafer, like the substrate processing apparatus according to the first embodiment. A spin chuck 12 that is rotatably supported, and a processing liquid supply nozzle 43 that supplies a processing liquid such as a photoresist to the surface of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates.
[0038]
The processing liquid supply nozzle 43 includes a slit 44 as a processing liquid discharge section on the lower surface thereof. The slit 44 is connected to a processing liquid supply mechanism (not shown) via a processing liquid supply pipe (not shown). The slit 44 has a linear shape facing the radial direction of the substrate W rotating by being supported by the spin chuck 12, and the tip of the slit 44 is supported by the spin chuck 12 and rotating by the substrate W. The rotation center C can be opposed.
[0039]
The distance L2 between the front end and the base end of the slit 44 in the processing liquid supply nozzle 43 is about a fraction of the radius R of the substrate W that is supported by the spin chuck 12 and rotates. For this reason, the slit 44 can continuously supply the processing liquid to the region of the distance L2.
[0040]
Further, the processing liquid supply nozzle 43 is connected to a rotation shaft of a motor 52 fixed on the support arm 51 via a shaft 53 and is rotatable about the shaft 53. The base 54 of the support arm 51 is screwed with a ball screw 55, and the ball screw 55 is rotated by a motor 57 fixed on a support base 56. Therefore, the support arm 51 is configured to be movable along the ball screw 55 by driving the motor 57.
[0041]
For this reason, the processing liquid supply nozzle 43 is driven around the shaft 53 by driving the motor 52. FIG. Is rotated in the direction of arrow 102 shown in FIG. FIG. Move in the direction of arrow 103 shown in FIG.
[0042]
FIG. These are block diagrams which show the main electrical structures of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
[0043]
Similar to the substrate processing apparatus according to the first embodiment, the substrate processing apparatus includes a ROM 31 that stores an operation program necessary for controlling the apparatus, a RAM 32 that temporarily stores data during control, and a logical operation. The control part 30 which consists of CPU33 to perform is provided. The control unit 30 is connected to the motor 11 for rotationally driving the spin chuck 12 via the interface 34. The control unit 30 is connected to a motor 52 for rotating the processing liquid supply nozzle 43 via the interface 34. Further, the control unit 30 is connected to a motor 57 for moving the processing liquid supply nozzle 43.
[0044]
Next, a supply operation for uniformly supplying a processing solution such as a photoresist to the surface of the substrate W by the substrate processing apparatus according to the second embodiment described above will be described.
[0045]
When supplying the processing liquid to the surface of the substrate W by the substrate processing apparatus, first, the processing liquid supply nozzle 43 is set to FIG. To the position indicated by the solid line. In this state, the tip of the slit 44 in the processing liquid supply nozzle 43 faces the center C of the substrate W supported by the spin chuck 12.
[0046]
Then, the substrate 11 supported by the spin chuck 12 is rotated at a low speed by driving the motor 11. The rotation speed of the substrate W at this time is preferably about several RPM, for example.
[0047]
In this state, the processing liquid is discharged toward the surface of the substrate W from the slit 44 in the processing liquid supply nozzle 43. At the same time, the processing liquid supply nozzle 43 is moved counterclockwise about the shaft 53 by driving the motor 52 ( FIG. , The processing liquid supply nozzle 43 that is being rotated by driving the motor 57 is rotated in the radial direction of the substrate W (in the direction indicated by the arrow 102 in FIG. FIG. In the direction indicated by the arrow 103).
[0048]
The processing liquid supply nozzle 43 continues to rotate counterclockwise and move the substrate W in the radial direction while discharging the processing liquid, and the tip of the slit 44 in the processing liquid supply nozzle 43 is supported by the spin chuck 12. When reaching a position facing the position inside the distance D from the edge of the rotating substrate W, the discharge of the processing liquid from the slit 44 in the processing liquid supply nozzle 43 is stopped. Further, the rotation of the spin chuck 12 that supports the substrate W is also stopped. Thereby, the supply operation of the processing liquid to the surface of the substrate W is completed.
[0049]
In this substrate processing apparatus, the rotation and movement speed of the processing liquid supply nozzle 43 and the rotation speed of the substrate W are controlled to appropriate values, as in the case of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. The operation shown in FIG. 4 is performed by the supply operation, and the processing liquid is uniformly supplied to the surface of the substrate W.
[0050]
In order to uniformly supply the processing liquid to the surface of the substrate W, it is necessary to control the rotation speed of the substrate W and the rotation and movement speed of the processing liquid supply nozzle 43 to appropriate values. For this purpose, the relationship between the rotation speed of the substrate W for uniformly supplying the processing liquid and the rotation and movement speed of the processing liquid supply nozzle 43 is experimentally obtained in advance, and the substrate W at this time is rotated. In the RAM 32 of the control unit 30, data indicating the relationship between the rotational speeds of the motor 11 for rotating the processing liquid supply nozzle 43, the motor 52 for rotating the processing liquid supply nozzle 43, and the motor 57 for moving the processing liquid supply nozzle 43 is stored. Remember. Then, when supplying the processing liquid, the data may be called from the RAM 32 by the CPU 31 to control the motors 11, 52, 57.
[0051]
In such a case, the control unit 30 functions as a control unit that controls the rotation speed of the substrate W and the rotation and movement speed of the processing liquid supply nozzle 43 to have a predetermined relationship.
[0052]
In the above-described embodiment, the treatment liquid supply nozzle 43 is configured to have a linear slit 44. FIG. As shown in FIG. 4, a treatment liquid supply nozzle 43 having a curved slit 44 may be used. In this case, the radius of curvature of the slit 44 is [RD] where R is the radius of the substrate W.
[0053]
According to the substrate processing apparatus according to the first and second embodiments described above, the processing liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate W while rotating at a low speed. For this reason, unlike the prior art, the processing liquid is not shaken off from the edge of the substrate W, and it is not necessary to supply the surface of the substrate W with more processing liquid than is necessary for supply.
[0054]
In the substrate processing apparatuses according to the first and second embodiments described above, the substrate W is rotated for the purpose of drying the processing liquid supplied to the surface of the substrate W after the supply of the processing liquid is completed. May be.
[0055]
In the substrate processing apparatus according to the first and second embodiments described above, the substrate W may be rotated after supplying the processing liquid for the purpose of making the film thickness of the processing liquid more uniform. Even in this case, since the processing liquid is already supplied uniformly to the surface of the substrate W, it is not necessary to extremely increase the rotation speed of the substrate W, and this rotation process can be completed in a short time. It becomes. For this reason, it is possible to minimize the amount of the processing liquid swung off from the edge of the substrate W.
[0056]
In each of the above-described embodiments, the processing liquid supply nozzles 13 and 43 are connected to the center C of the substrate W in which the tips of the slits 14 and 44 in the processing liquid supply nozzles 13 and 43 are supported by the spin chuck 12. The position of the slits 14 and 44 in the processing liquid supply nozzles 13 and 43 is rotated in the counterclockwise direction from the facing position to a position facing the position on the inner side by a distance D from the edge of the substrate W. 12 may be rotated in a clockwise direction from a position facing the inner side by a distance D from the edge of the substrate W supported by 12 to a position facing the center C of the substrate W.
[0057]
In each of the above-described embodiments, the slits 14 and 44 are used as the processing liquid discharge portions capable of continuously supplying the processing liquid. However, a large number of processing liquid discharge holes are provided in the processing liquid supply nozzle. Alternatively, the processing liquid may be continuously drilled in the lower surface, and the processing liquid may be continuously supplied from these processing liquid discharge holes.
[0058]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, the processing liquid can be continuously supplied to the region from the rotation center of the substrate that is supported by the spin chuck and rotates to the position inside the edge of the substrate. A processing liquid supply nozzle having a liquid discharge portion, a position where the tip of the discharge portion faces the rotation center of the substrate rotating with the spin chuck supported by the processing liquid supply nozzle, and a position inside the edge of the substrate And a nozzle rotating mechanism that rotates between the position and the position facing each other, the processing liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate without rotating the substrate at a high speed. In addition, since the processing liquid can be prevented from being supplied to the region near the edge of the substrate, the edge cleaning step by the edge cleaning device can be omitted.
[0059]
According to the first aspect of the present invention, the nozzle moving mechanism rotates the processing liquid supply nozzle about an axis disposed at a position inside the edge of the substrate supported by the spin chuck and rotating. Thus, the processing liquid can be effectively supplied to the surface of the substrate without moving the rotation center of the processing liquid supply nozzle.
[0060]
According to the second aspect of the present invention, since the distance between the distal end portion and the proximal end portion of the discharge portion is configured by the slit smaller than the radius of the substrate rotated by the spin chuck, the edge of the substrate The treatment liquid can be effectively supplied to the entire surface except the vicinity.
[0061]
According to the invention described in claim 3, a processing liquid supply nozzle including a processing liquid discharge section capable of continuously supplying the processing liquid to a region smaller than the radius of the substrate supported by the spin chuck and rotating, A nozzle rotating mechanism that rotates the processing liquid supply nozzle about the vicinity of the proximal end of the discharge unit, and a substrate that rotates while being supported by a spin chuck at the rotation center of the processing liquid supply nozzle rotated by the rotating mechanism. Since the nozzle moving mechanism for moving in the radial direction is provided, the processing liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate without rotating the substrate at a high speed. In addition, since the processing liquid can be prevented from being supplied to the region near the edge of the substrate, the edge cleaning step by the edge cleaning device can be omitted.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic front view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the main part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing the main electrical configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which a processing liquid is supplied to a substrate W by a minute region having a length ΔL in a slit 13 having a length L1.
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a region E in the vicinity of an edge of a substrate W;
[ FIG. FIG. 10 is a plan view showing a main part of a substrate processing apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
[ FIG. A schematic front view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
[ FIG. A plan view showing a main part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
[ FIG. A block diagram showing a main electrical configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
[ FIG. A plan view showing a main part of a substrate processing apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
11 Motor
12 Spin chuck
13 Treatment liquid supply nozzle
14 Slit
21 Support stand
22 Motor
23 axes
30 Control unit
43 Treatment liquid supply nozzle
44 slits
51 Support arm
52 motor
53 axes
55 Ball screw
56 Support stand
57 motor
W substrate

Claims

A substrate processing apparatus for uniformly supplying a processing liquid to the surface of a substantially circular substrate,
A spin chuck that rotatably supports the substrate;
A processing liquid supply including a processing liquid discharge section capable of continuously supplying a processing liquid to a region from the center of rotation of the rotating substrate supported by the spin chuck to a position inside the edge of the substrate. A nozzle,
The processing liquid supply nozzle is rotated around the edge of the substrate supported and rotated by the spin chuck when the processing liquid is supplied, and the rotation center of the substrate rotated by the tip of the discharge unit supported by the spin chuck. A nozzle rotation mechanism that rotates from a position facing to a position facing an inner position from the edge of the substrate;
With
The nozzle rotation mechanism rotates the processing liquid supply nozzle about an axis disposed at a position inside an edge of a substrate supported by the spin chuck and rotating. .

The substrate processing apparatus according to claim 1,
The discharge unit is a substrate processing apparatus configured with a slit having a distance between a tip end portion and a base end portion that is smaller than a radius of a substrate that is supported by the spin chuck and rotates.

A substrate processing apparatus for uniformly supplying a processing liquid to the surface of a substantially circular substrate,
A spin chuck that rotatably supports the substrate;
A processing liquid supply nozzle having a processing liquid discharge section capable of continuously supplying the processing liquid to a region smaller than the radius of the substrate that is supported by the spin chuck and rotates;
A nozzle rotation mechanism for rotating the processing liquid supply nozzle around the vicinity of the base end of the discharge unit;
By moving the rotation center of the nozzle rotated by the rotation mechanism on the radius of the substrate supported by the spin chuck, the processing liquid supply nozzle rotated by the rotation mechanism is moved to the spin. A nozzle moving mechanism that moves in the radial direction of the substrate that is supported by the chuck and rotates;
A substrate processing apparatus comprising: