JP3879178B2 - Conductive low reflection laminate - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として、ディスプレーに利用される、透明導電膜および導電性低反射膜の技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
透明導電膜としては、主に、ITO(Indium Tin Oxide)が使用されている。しかし、高光線透過率と低抵抗を両立することは、光学的に困難であり、とりわけ、プラスチックフィルムを用いた場合などの低温成膜においては大問題となっている。
【0003】
低反射膜とは、LCD(Liquid Crystal Display)やCRT(Catode Ray Tube)等のディスプレーにおいて、最外層もしくはそれに準じる位置に形成され、蛍光灯や太陽光等の外光の反射によってディスプレーが見にくくなることを防止するために利用されている。即ち、ディスプレー表面において、可視光の反射率を低減させる機能を有する膜のことを言う。現在まで、屈折率の異なる材料から成る膜を積層することにより可視領域の光線反射率を低減させることが検討されてきている。一般的には、材料には低屈折材料の酸化シリコンと高屈折材料の酸化チタン等の酸化物を用い、屈折率と膜厚等を厳重に考慮して無機多層低反射膜を形成する。
【0004】
しかし、ディスプレーを有する多くの装置においては、外部から飛来する電磁波を遮蔽するため、もしくは該装置内部から発生する電磁波が外部に漏れることを防ぐための電磁波遮蔽膜が設けられていることが望ましい。
【0005】
そこで、上記無機多層低反射膜の高屈折率層にITOを用いる構成や、Ag薄膜の表裏にITO薄膜を積層(基材/ITO層1/銀層/ITO層2)して、構成される多層膜が検討されている。
【0006】
しかしながら、上記の構成はいずれも3層以上の構成であるため、コストが高いうえ、その層数の多さから、収率も低くなる可能性が極めて高い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は以上のような問題点に着目してなされたもので、透明導電膜の機能の面ではITO1層では達成困難な、高光線透過率と低抵抗を両立し、さらに、導電性低反射膜の機能の面では、2層という層数で、低光線反射率と低抵抗を両立する、積層体を提供することを課題とする。
基本的に2層構成で高導電性、高光線透過率、および低反射率の機能を合わせ持つことを特徴とする積層体を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、プラスチックフィルムからなる基材上に金属薄膜層/セラミック薄膜層の順に積層されている導電性低反射積層体であって、金属薄膜層が金、銀の合金をからなり、かつセラミック薄膜層が、酸化錫、酸化セリウムの混合酸化物をからなることを特徴とする導電性低反射積層体である。
【0009】
請求項2記載の発明は、基材と金属薄膜層の間にハードコートが形成されていることを特徴とする請求項1記載の導電性低反射積層体である。
【0010】
請求項3記載の発明は、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の導電性低反射積層体である。
【0013】
以下、本発明を詳述する。
本発明の積層体の高光線透過率および低光線反射率の性能は、セラミック薄膜層と金属薄膜層の光学特性によって発揮される。それ故、本発明としては、各層の膜厚には詳しく言及していないが、本願発明において発明の主題となっていないだけであって、積層体が高光線透過率および低光線反射率を得るためには、各層の膜厚の調整が必要なことは言うまでもなく、本願発明のように材料を変更すれば、高光線透過率および低光線反射率を得るためにさらなる膜厚の調整が必要なことは言うまでもない。
【0014】
本発明において、セラミック薄膜とは無機化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などから成る薄膜をいう。
【0015】
具体的に酸化物の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの2種もしくは3種の混合酸化物が挙げられるが、目的および用途によっていかなる材料を用いても良い。例えば、前記の酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫の他、ガリウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリコン、セリウムなどのIII族、IV族、ランタノイドの酸化物もしくはそれらの混合酸化物がある。
【0016】
なお、成膜法によつては、非化学量論的な膜が形成される場合もあるので、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫や、ガリウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリコン、セリウムなどのIII族、IV族、ランタノイドの酸化物は、通常の化学反応による元素組成比の膜組成であるとは限らない。また、膜方向により連続的もしくは断続的に一つの膜内で組成が変化するものであっても上記の条件を満たす層からなるものであれば、構わない。
また、本性質の膜の特性に反しない範囲ないで10%以内の他の成分による不純物を含むものでも本発明の意図する膜組成と言える。
【0017】
本発明にかかわる金属薄膜層は、導電性に優れていれば、いかなる材料でも良いが、例としては、金、銀、銅もしくはそれらの合金を挙げることができる。特に、これらの中で、銀を主成分としたものは、導電性および光学特性の面で優れている。
また、本性質の膜の特性に反しない範囲ないで10%以内の金、銀、銅以外の成分による不純物を含むものでも本発明の意図する膜組成と言える。
【0018】
本発明にかかわる基材は、いかなる材質であっても、また平板状に限らずいかなる形状であっても、可撓性があっても無くても良いが、ディスプレーへの応用を考慮すると、ガラスやプラスチックフィルムを挙げることができる。ここで、プラスチックとは有機物であって高分子のものをいう。
【0019】
本発明にかかわる成膜方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも良いが、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、CVD(化学的真空成膜法)などの成膜方法が適している。
【0020】
本発明で用いている、基材上に金属薄膜層/セラミック薄膜層の順に積層されている積層体とは、金属薄膜層/セラミック薄膜層が結果として連続して基材上に形成されていれば良く、基材上の両面もしくは片面、および、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側に、何らかの処理もしくは成膜を施すことは、目的の特性に実質的に悪影響を及ぼさないかぎり、なんら問題ない。
【0021】
たとえば、基材と金属薄膜層の間に、ハードコート、酸素および水蒸気バリア膜、密着層などの層を介したものであっても良い。また、セラミック層の金属薄膜層とは反対側に撥水層や防汚層などの層を形成したものであっても良い。
金属薄膜層およびセラミック薄膜層は、前処理、後処理、表面処理を全く行わなくとも良いが、必要に応じて処理(プラズマ処理、イオンボンバード処理等)を施しても良い。
【発明の実施の形態】
【0022】
実施の形態について、実施例を参照して説明する。
図1に、本発明の積層体実施例を示す。金属薄膜層、セラミック薄膜層は、それぞれ、膜厚、屈折率、吸収係数など光学膜の設計に必要な条件を充分考慮して構成される。
【実施例】
【0023】
基材に厚さ100μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム、セラミック薄膜層に酸化錫、酸化セリウム混合酸化物、金属薄膜層に銀、銅の合金、を用いた。
【0024】
セラミック薄膜の酸化物の混合比は、酸化錫:酸化セリウム=95:5重量%、金属薄膜層の混合比は、銀:銅=98:2原子%のものを用いた。成膜方法は、金属薄膜層にはDC(直流)マグネトロンスパッタリング法を用い、セラミック膜にはプラズマアシストEB(電子ビーム)蒸着法を用いた。各層の目標膜厚は、セラミック薄膜層が約30nm、金属薄膜層が約7nm、とした。
【0025】
形成した積層体の光線透過率と光線反射率のグラフを図2に、基材であるPETフィルムのものとあわせて示す。それぞれ波長550nmでの値は、それぞれ光線透過率が83.3%(基材のみ:86.0%)、光線反射率が0.8%(基材のみ:6.7%)となり、高光線透過率、および、低反射率が得られた。
【0026】
また、積層体の表面抵抗を測定したところ、15Ω/□(膜厚および形状考慮の四端子法による)となった。この抵抗値は、膜厚および光線透過率を考慮すると極めて低抵抗である。
【0027】
図3に積層体が2層構成であることを明確にするために、X線光電子分光法による深さ方向の分析結果を示す。分析の際は、セラミック薄膜層を示すSn、金属薄膜層を示すAgと、基材であるPETフィルムを示すCを分析した。この測定結果により、本積層体が2層構成であることが明確となった。
【発明の効果】
【0028】
本発明の積層体によれば、膜厚、屈折率、吸収係数等、光学膜の設計に必要な条件を考慮して、基材上に金属薄膜層/セラミック薄膜層の順に積層体を形成することにより、透明導電膜の機能の面ではITO1層では達成困難な、高光線透過率と低抵抗を両立し、さらに、導電性低反射膜の機能の面では、2層という層数で、低光線反射率と低抵抗を両立する、積層体が得られる。また、この層数が少ないことにより、飛躍的なコストダウンと、収率の格段の向上が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す説明図である。
【図2】実施例の光線透過率および光線反射率を示すグラフである。
【図3】実施例が2層構成であることを示す光電子分光法による深さ方向分析の結果のグラフである。
【符号の説明】
1…基材 2…金属薄膜層 3…セラミック薄膜層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention mainly belongs to the technical field of transparent conductive films and conductive low-reflection films used for displays.
[0002]
[Prior art]
As the transparent conductive film, ITO (Indium Tin Oxide) is mainly used. However, it is optically difficult to achieve both high light transmittance and low resistance, and in particular, it is a serious problem in low-temperature film formation such as when a plastic film is used.
[0003]
The low-reflection film is formed in the outermost layer or a position according to it in a display such as a liquid crystal display (LCD) or a cathode ray tube (CRT), and the display is difficult to see due to reflection of external light such as a fluorescent lamp or sunlight. It is used to prevent this. That is, it refers to a film having a function of reducing the reflectance of visible light on the display surface. Until now, it has been studied to reduce the light reflectance in the visible region by laminating films made of materials having different refractive indexes. In general, an oxide such as silicon oxide, which is a low refractive material, and titanium oxide, which is a high refractive material, is used as a material, and an inorganic multilayer low reflective film is formed in consideration of the refractive index and film thickness.
[0004]
However, in many apparatuses having a display, it is desirable to provide an electromagnetic wave shielding film for shielding electromagnetic waves flying from the outside or preventing leakage of electromagnetic waves generated from the inside of the apparatus.
[0005]
Therefore, it is configured by using ITO for the high refractive index layer of the inorganic multilayer low reflection film, or by laminating ITO thin films on the front and back of the Ag thin film (base material /
[0006]
However, all of the above-described configurations are composed of three or more layers, so that the cost is high and the possibility of a low yield is very high due to the large number of layers.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made by paying attention to the above-mentioned problems. It achieves both high light transmittance and low resistance, which are difficult to achieve with the
It is an object of the present invention to provide a laminate having a two-layer structure, which has functions of high conductivity, high light transmittance, and low reflectance.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to
[0009]
The invention according to
[0010]
A third aspect of the present invention is the conductive low-reflection laminate according to the first or second aspect, wherein an antifouling layer is formed on the opposite side of the ceramic thin film layer from the metal thin film layer.
[0013]
The present invention is described in detail below.
The high light transmittance and low light reflectance performance of the laminate of the present invention is exhibited by the optical properties of the ceramic thin film layer and the metal thin film layer. Therefore, although the thickness of each layer is not specifically mentioned in the present invention, it is not only the subject of the invention in the present invention, and the laminate obtains high light transmittance and low light reflectance. Therefore, it goes without saying that adjustment of the film thickness of each layer is necessary, and if the material is changed as in the present invention, further adjustment of the film thickness is necessary to obtain high light transmittance and low light reflectance. Needless to say.
[0014]
In the present invention, the ceramic thin film is an inorganic compound thin film, which is a thin film made of oxide, sulfide, fluoride, nitride or the like.
[0015]
Specific examples of oxides include indium oxide, zinc oxide, and tin oxide, or mixed oxides of two or three of them. Any material may be used depending on the purpose and application. good. For example, in addition to the indium oxide, zinc oxide, and tin oxide, there are Group III, Group IV, Lanthanoid oxides such as gallium, magnesium, titanium, aluminum, silicon, and cerium, or mixed oxides thereof.
[0016]
Depending on the film formation method, a non-stoichiometric film may be formed, so that indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium, magnesium, titanium Group III, IV, and lanthanoid oxides such as aluminum, silicon, and cerium do not necessarily have a film composition with an elemental composition ratio by a normal chemical reaction. Even if the composition changes continuously or intermittently in one film depending on the film direction, it does not matter as long as it is composed of layers satisfying the above conditions.
Further, a film composition intended by the present invention can be used even if it contains impurities by other components within 10% without departing from the characteristics of the film having this property.
[0017]
The metal thin film layer according to the present invention may be made of any material as long as it is excellent in conductivity. Examples thereof include gold, silver, copper, and alloys thereof. Among these, those mainly composed of silver are excellent in terms of conductivity and optical properties.
Moreover, even if it contains impurities by components other than gold, silver and copper within 10% without departing from the characteristics of the film having this property, it can be said to be a film composition intended by the present invention.
[0018]
The substrate according to the present invention may be made of any material, and is not limited to a flat plate shape but may have any shape, and may or may not be flexible. And plastic film. Here, the plastic means an organic substance and a polymer.
[0019]
The film forming method according to the present invention may be any method as long as the target thin film can be formed, but film forming methods such as sputtering, vapor deposition, ion plating, and CVD (chemical vacuum film forming method) are suitable. Yes.
[0020]
As used in the present invention, a laminate in which a metal thin film layer / ceramic thin film layer is laminated in this order on a substrate means that the metal thin film layer / ceramic thin film layer is continuously formed on the substrate as a result. Any treatment or film formation on both sides or one side of the substrate and the opposite side of the ceramic thin film layer to the metal thin film layer may be used as long as the target properties are not substantially adversely affected. no problem.
[0021]
For example, a layer such as a hard coat, an oxygen and water vapor barrier film, or an adhesion layer may be interposed between the substrate and the metal thin film layer. Further, a layer such as a water repellent layer or an antifouling layer may be formed on the opposite side of the ceramic layer from the metal thin film layer.
The metal thin film layer and the ceramic thin film layer need not be pre-treated, post-treated, or surface-treated at all, but may be subjected to treatment (plasma treatment, ion bombardment treatment, etc.) as necessary.
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[0022]
Embodiments will be described with reference to examples.
In FIG. 1, the laminated body Example of this invention is shown. Each of the metal thin film layer and the ceramic thin film layer is configured in consideration of conditions necessary for designing an optical film such as a film thickness, a refractive index, and an absorption coefficient.
【Example】
[0023]
A PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 100 μm was used for the substrate, a tin oxide or cerium oxide mixed oxide was used for the ceramic thin film layer, and an alloy of silver and copper was used for the metal thin film layer.
[0024]
The oxide ratio of the ceramic thin film was tin oxide: cerium oxide = 95: 5% by weight, and the metal thin film layer was mixed with silver: copper = 98: 2 atomic%. As the film forming method, a DC (direct current) magnetron sputtering method was used for the metal thin film layer, and a plasma assist EB (electron beam) evaporation method was used for the ceramic film. The target film thickness of each layer was about 30 nm for the ceramic thin film layer and about 7 nm for the metal thin film layer.
[0025]
A graph of light transmittance and light reflectance of the formed laminate is shown in FIG. 2 together with that of the PET film as the substrate. Each value at a wavelength of 550 nm is 83.3% (base material only: 86.0%) and light reflectivity of 0.8% (base material only: 6.7%), respectively. A transmittance and a low reflectance were obtained.
[0026]
Moreover, when the surface resistance of the laminated body was measured, it was 15 Ω / □ (by the four-terminal method in consideration of the film thickness and shape). This resistance value is extremely low considering the film thickness and light transmittance.
[0027]
FIG. 3 shows the analysis results in the depth direction by X-ray photoelectron spectroscopy in order to clarify that the laminate has a two-layer structure. In the analysis, Sn indicating a ceramic thin film layer, Ag indicating a metal thin film layer, and C indicating a PET film as a substrate were analyzed. From this measurement result, it was clarified that the laminate has a two-layer structure.
【The invention's effect】
[0028]
According to the laminated body of the present invention, the laminated body is formed in the order of the metal thin film layer / the ceramic thin film layer on the substrate in consideration of the conditions necessary for the design of the optical film such as the film thickness, refractive index, absorption coefficient, etc. This makes it possible to achieve both high light transmittance and low resistance, both of which are difficult to achieve with the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing light transmittance and light reflectance of an example.
FIG. 3 is a graph showing the results of depth direction analysis by photoelectron spectroscopy showing that an example has a two-layer structure.
[Explanation of symbols]
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