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JP3869387B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

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JP3869387B2
JP3869387B2 JP2003122256A JP2003122256A JP3869387B2 JP 3869387 B2 JP3869387 B2 JP 3869387B2 JP 2003122256 A JP2003122256 A JP 2003122256A JP 2003122256 A JP2003122256 A JP 2003122256A JP 3869387 B2 JP3869387 B2 JP 3869387B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路に係り、特に半導体集積回路のテスト容易化設計技術に係る。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の機能テスト方法として、スキャンを用いたテスト方法、組み込み自己テスト(BIST)回路を用いたテスト方法などの他に、半導体チップ外部から直接データを与え、或いはデータを読み出すテスト方法が知られている。特に、メモリを含む半導体デバイスの機能テストは、多量のデータの書き込み及び読み出しが必要となる。例えば、マイクロプロセッサに搭載されているキャッシュメモリ等のリフレッシュ動作を必要としない随時書き込み読み出しメモリ(スタティックRAM)或いはリフレッシュ動作を必要とする随時書き込み読み出しメモリ(ダイナミックRAM)特にインベデッドDRAMなどの直接機能テスト(DFT)がある。
【0003】
直接機能テストにおいて多量のデータを容易に書き込み及び読み出すために、通常動作時にシステムバスとなる内部バスとは別に直接機能テスト専用のデータバス(直接機能テスト用バス)を設ける第1の方法が考えられる。しかし、第1の方法では、配線リソース及びバッファの消費が問題となる。そこで、通常動作時にシステムバスとなる内部バスを直接機能テスト用バスとして兼用する第2の方法が用いられている。一般的に、システムバスは通常動作時においてデータを高速に転送するために複数の分割ステージに分割され、データはクロック信号に同期して分割ステージ間を伝播する(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開平9−218734号公報(第1図、段落[0012]−[0032])
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、直接機能テストの対象となる複数の機能モジュールが互いに異なる分割ステージに接続されている場合、半導体チップ外部に配置されたテスタ(外部テスタ)は、各機能モジュールが接続されている分割ステージの違いを考慮してテストしなければならず、テストパターンの複雑化を招き、テスト効率が低下する。特に、複数の機能モジュールが、例えば同一機能を有するメモリである等、同一の機能を有する場合、外部テスタは、各機能モジュールに対して分割ステージの違いを考慮して異なるシーケンスでテストしなければならず、テスト効率が著しく低下する。
【0006】
本発明はこのような従来技術の問題点を解決するために成されたものであり、その目的は、容易にテストを行い得る半導体集積回路を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の特徴は、信号を転送するシステムバスを分割した複数の分割ステージと、複数の分割ステージを直列に接続し、入力側の分割ステージから転送された信号をクロック信号に同期して出力側の分割ステージへ転送する分割モード及び入力側の分割ステージから転送された信号を随時に出力側の分割ステージへ転送するスルーモードにて動作するステージ素子と、互いに異なる分割ステージに接続された複数の機能モジュールとを有する半導体集積回路であることを要旨とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは類似の部分には同一あるいは類似な符号を付している。
【0009】
図1に示すように、本発明の実施の形態に係る半導体集積回路は、半導体チップ8と、半導体集積回路の主要な機能を実現する為の複数の機能モジュール(第1乃至第3の機能モジュール)1a〜1cと、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cに接続されたバスブロック11と、バスブロック11に接続されたI/Oバッファ7と、バスブロック11に接続された制御部9と、クロック信号Ckを生成するフェイズ−ロックド・ループ回路(PLL回路)10とを有する。クロック信号Ckは、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1c及び制御部9へ供給される。制御部9は、クロック信号Ckをバスブロック11へ転送するクロック伝播回路4を有する。I/Oバッファ7及びバスブロック11は、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cと半導体チップ8外部との間での信号の送受信を行う。制御部9は、半導体集積回路の通常動作及びテスト動作を制御する為のスルー信号Tsをバスブロック11へ供給する。
【0010】
図2は、図1に示した半導体集積回路のうち、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1c、バスブロック11、I/Oバッファ7及びクロック伝播回路4を示すブロック図である。バスブロック11は、信号を転送するシステムバス2を分割した複数の分割ステージ2a1〜2a4、2b1〜2b4と、複数の分割ステージ2a1〜2a4、2b1〜2b4を直列に接続するステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3と、MUX12a1、12a2、12b1、12b2、12c1、12c2とを有する。クロック伝播回路4は、スルー信号Tsが供給されるインバータ回路5と、インバータ回路5の出力信号とクロック信号Ckが供給される論理和回路(AND回路)6とを有する。システムバス2は、入力システムバス2aと出力システムバス2bとを有する。入力システムバス2aは、ステージ素子3a1〜3a3によって分割ステージ2a1〜2a4に分割されている。出力システムバス2bは、ステージ素子3b1〜3b3によって分割ステージ2b1〜2b4に分割されている。
【0011】
第1の機能モジュール1aは、MUX12a1、12c1を介して分割ステージ2a2に接続され、MUX12b1、12c1を介して分割ステージ2b2に接続されている。第2の機能モジュール1bは、MUX12a2、12c2を介して分割ステージ2a3に接続され、MUX12b2、12c2を介して分割ステージ2b3に接続されている。第3の機能モジュール1bは、分割ステージ2a4、2b4に接続されている。即ち、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cは、互いに異なる分割ステージ2a1〜2a4、2b1〜2b4に接続されている。AND回路6の出力は、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3に接続されている。I/Oバッファ7は、分割ステージ2a1、2b1に接続されている。クロック信号Ckは、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cに供給されている。AND回路6の出力信号及びスルー信号Tsは、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3にそれぞれ供給されている。第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cは、例えばデータを格納する機能を有するメモリ等、それぞれ同等の機能を有する。
【0012】
図3に示すように、ステージ素子3a1は、入力側の分割ステージ2a1に接続された記憶回路31と、記憶回路31及び出力側の分割ステージ2a2に接続されたセレクタ38と、記憶回路31へクロック信号Ckを供給するクロック供給回路35とを有する。
【0013】
記憶回路31は、入力側の分割ステージ2a1に接続されたインバータ回路51と、インバータ回路51の出力に接続された第1のラッチ回路52及びインバータ回路54と、インバータ回路54の出力に接続された第2のラッチ回路53とを有するフリップフロップ回路である。セレクタ38は、インバータ回路54の出力に接続されている。
【0014】
セレクタ38は、入力側の分割ステージ2a1に直接接続された第1の入力端子In1と、記憶回路31を介して入力側の分割ステージ2a1に接続された第2の入力端子In0と、出力側の分割ステージ2a2に接続された出力端子Otと、第1の入力端子In1又は第2の入力端子In0と出力端子Otとの接続を切り換えるスルー信号Tsが入力される切換端子Stとを備える。第2の入力端子In0は、インバータ回路54の出力に接続されている。
【0015】
クロック供給回路35は、クロック信号Ckが供給されるインバータ回路66と、インバータ回路66の出力に接続されたインバータ回路67とを有する。クロック供給回路35は、インバータ回路66の出力からクロック信号Ckと逆相のクロック信号を生成し、インバータ回路67の出力からクロック信号Ckと同相のクロック信号を生成する。クロック供給回路35が生成する同相及び逆相のクロック信号は、記憶回路31へそれぞれ供給する。具体的には、逆相のクロック信号は、インバータ回路54、55に供給され、同相のクロック信号は、インバータ回路51、56にそれぞれ供給される。
【0016】
なお、図2に示した他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3は、図3に示したステージ素子3a1と同様な回路構成を有する。
【0017】
次に、図1乃至図3に示した半導体集積回路の動作を説明する。
【0018】
図1の制御部9がスルー信号Tsの論理値を「0(disable)」に設定することにより、図2のクロック伝播回路4は、クロック信号Ckをステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3にそれぞれ転送する。また、スルー信号Tsの論理値を0に設定することにより、図3に示したセレクタ38は第2の入力端子3In0と出力端子Otとを接続する。これにより、入力側の分割ステージ2a1と出力側の分割ステージ2a2は、記憶回路31を介して接続される。即ち、ステージ素子3a1は「分割モード」に設定される。同様にして、図2の他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3も分割モードに設定される。
【0019】
クロック信号Ckの論理値が1の時、図3のインバータ回路51が開き、インバータ回路54、55が閉じる。よって、インバータ回路51は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の反転値を第1のラッチ回路52及びインバータ回路54へ転送する。一方、クロック信号Ckの論理値が0の時、インバータ回路51、56が閉じ、インバータ回路54、55が開く。よって、第1のラッチ回路52は入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の反転値を保持し、インバータ回路54は入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の反転値を更に反転させて、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の論理値を第2のラッチ回路53及びセレクタ38へ転送する。そして、セレクタ38は、インバータ回路54から転送された信号を出力側の分割ステージ2a2へ転送する。
【0020】
このように、記憶回路31は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の論理値及び反転値をクロック信号Ckに同期して取り込み及び保持する。したがって、ステージ素子3a1は、分割モードにおいて、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号をクロック信号Ckに同期して出力側の分割ステージ2a2へ転送する。同様にして、図2に示した他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3も、入力側の分割ステージ2a2、2a3、2b2〜2a4から転送された信号をクロック信号Ckに同期して出力側の分割ステージ2a3、2a4、2b1〜2a3へそれぞれ転送する。換言すれば、スルー信号Tsの論理値が0に設定されているとき、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3は、システムバス2を分割するフリップフロップ回路として機能する。したがって、半導体集積回路は、通常の動作を行うことができる、即ち、システムバス2を高速に動作させることができる。具体的には、システムバス2が図1の半導体チップ8内に長距離に渡り配置されている場合、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3でシステムバス2を分割することで、半導体集積回路は要求される動作周波数を満たすことができる。
【0021】
一方、図1の制御部9がスルー信号Tsの論理値を「1(enable)」に設定することにより、図2のクロック伝播回路4は、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3にクロック信号Ckを転送せずに、論理値0の信号を供給し続ける。また、スルー信号Tsの論理値を1に設定することにより、図3のセレクタ38は第1の入力端子In1と出力端子Otとを接続し、入力側の分割ステージ2a1及び出力側の分割ステージ2a2は、記憶回路31を介することなく直接接続される。即ち、ステージ素子3a1は「スルーモード」に設定される。同様にして、図2の他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3もスルーモードに設定される。スルーモードにおいて、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3は、システムバス2を分割するフリップフロップ回路として機能しない。よって、入力側の分割ステージ2a1〜2a3、2b2〜2a4から転送された信号は、そのまま出力側の分割ステージ2a2〜2a4、2b1〜2a3へ転送される。換言すれば、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3は、スルーモードにおいて、入力側の分割ステージ2a1〜2a3、2b2〜2a4から転送された信号を随時に出力側の分割ステージ2a2〜2a4、2b1〜2a3へ転送する。
【0022】
次に、図1のバスブロック11を介した第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cへのデータ転送について説明する。
【0023】
分割モードにおいて半導体集積回路は通常の動作を行う。通常動作時において、2周期分のクロック信号Ckを図2のステージ素子3a1へ供給することにより、I/Oバッファ7から第1の機能モジュール1aにデータが転送される。即ち、I/Oバッファ7から第1の機能モジュール1aにデータを転送する場合には、2クロックサイクルが必要となる。逆に、第1の機能モジュール1aからI/Oバッファ7にデータを転送する場合にも、2クロックサイクルが必要となる。I/Oバッファ7から第2の機能モジュール1bにデータを転送する場合、第2の機能モジュール1bからI/Oバッファ7にデータを転送する場合には、通過するステージ素子3a2、3b2が1つづつ増え、3クロックサイクルがそれぞれ必要となる。同様に、I/Oバッファ7から第3の機能モジュール1cにデータを転送する場合、第3の機能モジュール1cからI/Oバッファ7にデータを転送する場合には、通過するステージ素子3a3、3b3が更に1つ増え、4クロックサイクルがそれぞれ必要となる。
【0024】
一方、図1の半導体装置にI/Oバッファ7を介して外部テスタを接続することにより、半導体集積回路の直接機能テストが実施される。分割モードにおいて第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cをテストする場合を考える。第1の機能モジュール1aへのアクセスには往復4クロックサイクル、第2の機能モジュール1bへのアクセスには往復6クロックサイクル、第3の機能モジュール1cへのアクセスには往復8クロックサイクルのオーバーヘッドがそれぞれ必要となる。即ち、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cが接続されている分割ステージ2a1〜2a3、2b2〜2a4が互いに異なる為、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cへのアクセスに必要なオーバーヘッドも互いに異なる。したがって、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cが全く同じ機能を有し、テスト内容も同じであっても、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cに対するテストパターンは、オーバーヘッドのタイミングを考慮して各々別に作成する必要がある。
【0025】
そこで、外部テスタを用いて半導体集積回路の直接機能テストを実施する場合、スルー信号Tsの論理値を1(enable)に設定し、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3を、入力側の分割ステージ2a1〜2a3、2b2〜2a4から転送された信号を随時に出力側の分割ステージ2a2〜2a4、2b1〜2a3へ転送するスルーモードにて動作させる。スルーモードにおいて、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3は、入力側の分割ステージ2a1〜2a3、2b2〜2a4を出力側の分割ステージ2a2〜2a4、2b1〜2a3に直接接続し、入力システムバス2a及び出力システムバス2bは、複数のステージに分割されない1本の内部バスをそれぞれ形成する。よって、スルーモードにおいてI/Oバッファ7から第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cにデータを転送する場合には、1システムクロックが必要となる。逆に、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cからI/Oバッファ7にデータを転送する場合にも、1システムクロックが必要となる。即ち、接続されている分割ステージ2a1〜2a4、2b1〜2a4が互いに異なる総ての機能モジュール1a〜1cへI/Oバッファ7から1クロックサイクルでデータを転送することができ、総ての機能モジュール1a〜1cからI/Oバッファ7へ1クロックサイクルでデータを転送することができる。したがって、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cが接続されている分割ステージ2a1〜2a4、2b1〜2a4が互いに異なっていても、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cへのアクセスに必要なオーバーヘッドは同じになる。よって、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cに対するテストパターンは、オーバーヘッドのタイミングを考慮することなく作成することができる。特に、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cが全く同じ機能を有し、テスト内容も同じであれば、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cに対するテストパターンは、同じものとなる。換言すれば、外部テスタは、第1乃至第3の機能モジュール1a〜1cを全く等価に見ることができ、テストのハンドリングを簡略化することができる。具体的には、外部テスタは、ほぼ同じテストパターンを用いて、直接機能テストを行うことができる。
【0026】
また、分割モードにおいては、例えば第3の機能モジュール1cへのアクセスには4システムクロックが必要であった。しかし、スルーモードにおいては、1システムクロックで第3の機能モジュール1cへアクセスできる。したがって、スルーモードでの動作周波数は、分割モードでの動作周波数に対して、少なくとも1/4以下となる。なお、通常動作での動作周波数においてテストを行う際は、スルーモードではなく、スルー信号の論理値を0(disable)に設定して、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3のステージ分割機能を生かしてテストを行う。
【0027】
更に、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3は、スルーモードにおいてフリップフロップ回路としての機能を停止しているため、ステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3へクロック信号Ckを供給する必要がない。よって、クロック伝播回路4はステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3へクロック信号Ckの転送を停止し、半導体集積回路の消費電力を抑えることができる。なお、近年の半導体チップは高集積化、高動作周波数化が進み、リーク電流が増加したため、消費電流が大きくなっている。半導体チップの消費電流は、通常動作時に限らず、半導体チップの量産テスト時においても、削減すべきである。なぜなら、テスト動作時における消費電流の増加は、一度にテストできるチップ個数を制限する要因となる場合があるからである。そこで、並列テストを行えるチップ個数の上限がチップ1個あたりの消費電流で決まる場合、テスト時には、スルーモードとなるステージ素子3a1〜3a3、3b1〜3b3へのクロック供給を停止することで、テスト時の消費電流を下げ、並列にテストを行える個数の上限を緩和することができる。
【0028】
(第1の変形例)
本発明の実施の形態の第1の変形例として、図3に示したステージ素子3a1の変形例を示す。
【0029】
図4(a)に示すように、第1の変形例に係るステージ素子13a1は、入力側の分割ステージ2a1に接続された記憶回路32と、記憶回路32及び出力側の分割ステージ2a2に接続されたインバータ回路39と、記憶回路32に接続されたパルス生成回路36とを有する。記憶回路32は、入力側の分割ステージ2a1に接続されたインバータ回路57と、インバータ回路57の出力に接続されたラッチ回路58とを有するフリップフロップ回路である。インバータ回路57の出力はインバータ回路39の入力に接続されている。
【0030】
図4(b)に示すように、パルス生成回路36は、直列に接続された奇数段、例えば3段のインバータ回路からなる反転遅延回路68と、クロック信号Ckが遅延回路68を介して供給される第1の入力端子とクロック信号Ckが直接供給される第2の入力端子を有するNAND回路70と、スルー信号Tsが供給されるインバータ回路69と、NAND回路70の出力及びインバータ回路69の出力に接続されたNAND回路71と、NAND回路71の出力に接続されたインバータ回路72とを有する。
【0031】
なお、図2に示した他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3は、図4(a)及び図4(b)に示したステージ素子13a1と同様な回路構成を有する。
【0032】
次に、図4(a)及び図4(b)に示したステージ素子13a1の動作を説明する。
【0033】
図4(b)の反転遅延回路68は、クロック信号Ckに対して逆相のクロック信号を遅延して生成する。よって、NAND回路70には、クロック信号Ck及び反転遅延されたクロック信号Ckが供給され、クロック信号Ckに同期したパスル信号を生成する。例えば、パスル信号は、クロック信号Ckの立ち上がりと同時に立ち上がり、クロック信号Ckの1/2周期よりも短いパルス幅で立ち下がる。
【0034】
スルー信号Tsの論理値が0である時、NAND回路71には、NAND回路70からのパルス信号及びインバータ回路69からの論理値1の信号がそれぞれ供給される。よって、NAND回路71は、NAND回路70が生成するパルス信号に対して逆相のクロックパルス信号CKPBを生成する。そして、インバータ回路72は、NAND回路70が生成するパルス信号に対して同相のクロックパルス信号CKPを生成する。このように、分割モードにおいて、図4(a)のパルス生成回路36は、クロックパルス信号CKP、CKPBを生成し、インバータ回路57、59へ供給する。クロックパルス信号CKP、CKPBの論理値が(1、0)である時、インバータ回路57が開き、インバータ回路59が閉じる。よって、インバータ回路57は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の反転値をラッチ回路58及びインバータ回路39へ転送する。そして、インバータ回路39は、信号の反転値を更に反転させて、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の論理値を出力側の分割ステージ2a2へ転送する。一方、クロック信号CKP、CKPBの論理値が(0、1)である時、ラッチ回路58は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の反転値を保持する。
【0035】
このように、分割モードにおいて、記憶回路32は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号の反転値をクロックパルス信号CKP、CKPBに同期して取り込み及び保持するパルスフリップフロップ回路として機能する。即ち、パルスフリップフロップ回路は、クロックパスル信号CKPが立ち上がっている期間だけ信号を取り込み、立ち下がるとその信号を保持する。したがって、ステージ素子13a1は、分割モードにおいて、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号をクロック信号Ckに同期して出力側の分割ステージ2a2へ転送する。同様にして、図2に示した他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3も、入力側の分割ステージ2a2、2a3、2b2〜2a4から転送された信号をクロック信号Ckに同期して出力側の分割ステージ2a3、2a4、2b1〜2a3へそれぞれ転送する。
【0036】
一方、スルー信号Tsの論理値が1である時、NAND回路71には、NAND回路66からクロックパルス信号が、インバータ回路69から論理値0の信号がそれぞれ供給され、NAND回路71は、論理値0の信号を生成し続ける。したがって、パルス生成回路36は、クロックパルス信号CKPの替わりに論理値1の信号を、クロックパルス信号CKPBの替わりに論理値0の信号をそれぞれ生成し続ける。したがって、インバータ回路57は開いた状態、インバータ回路57は閉じた状態をそれぞれ維持し、記憶回路32は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号を随時に出力側の分割ステージ2a2へ転送する。
【0037】
以上説明したように、パルス生成回路36が、クロックパスル信号CKPが常に立ち上がった状態にする論理を取り入れることで、記憶回路32を常に通過するスルーモードを設けることができる。パルス生成回路36を用いることで、図2に示したセレクタ38が省略される。セレクタ38は、機能テストのために付加されているため、通常動作においてはシステムバス2のデータ通過速度を遅延させる原因となる。一方、図4(a)及び図4(b)のステージ素子13a1において、パルス生成回路36にテスト用の論理ゲート(NAND回路)71を加えても、データ通過速度の遅延を増やすことがない。また、1つのパルス生成回路36を複数の記憶回路32で共用すれば、テストのための論理追加による回路面積の増加も抑えることができる。
【0038】
(第2の変形例)
本発明の実施の形態の第2の変形例として、図3に示したステージ素子3a1の変形例を示す。
【0039】
図5に示すように、第2の変形例に係るステージ素子23a1は、入力側の分割ステージ2a1に接続された記憶回路33と、記憶回路33及び出力側の分割ステージ2a2に接続されたバッファ回路40と、記憶回路33に接続されたクロック制御回路37とを有する。
【0040】
記憶回路33は、入力側の分割ステージ2a1に接続されたインバータ回路60と、インバータ回路60の出力に接続された第1のラッチ回路61及びインバータ回路63と、インバータ回路63の出力に接続された第2のラッチ回路64とを有するフリップフロップ回路である。バッファ回路40は、インバータ回路63の出力に接続されている。
【0041】
クロック制御回路37は、クロック信号Ckが供給されるインバータ回路77と、スルー信号Tsが供給されるインバータ回路78と、クロック信号Ckが供給されるNOR回路74及びNAND回路75と、インバータ回路77の出力に接続されたNAND回路73及びNOR回路76とを有する。NAND回路73は、クロック信号CK0をインバータ回路60へ供給する。NOR回路77は、クロック信号CK1をインバータ回路62へ供給する。NAND回路75は、クロック信号CK2をインバータ回路63へ供給する。NOR回路76は、クロック信号CK3をインバータ回路65へ供給する。
【0042】
なお、図2に示した他のステージ素子3a2、3a3、3b1〜3b3は、図5に示したステージ素子23a1と同様な回路構成を有する。
【0043】
次に、図5に示したステージ素子23a1の動作を説明する。
【0044】
図1の制御部9がスルー信号Tsの論理値を0に設定することにより、図5に示したNOR回路74、76に論理値0の信号が供給され、NAND回路73、75には論理値1の信号が供給される。クロック信号Ckの論理値が(1、0)の時、NOR回路74及びNAND回路75に論理値(1、0)の信号が供給され、NAND回路73及びNOR回路76に論理値(0、1)の信号が供給される。したがって、クロック信号CK0の論理値は(1、0)となり、クロック信号CK1の論理値は(0、1)となり、クロック信号CK2の論理値は(0、1)となり、クロック信号CK3の論理値は(1、0)となる。即ち、クロック信号CK0、CK3は、クロック信号Ckと同相の信号となり、クロック信号CK1、CK2は、クロック信号Ckと逆相の信号となる。クロック信号Ckの論理値が1の時、インバータ回路60が開き、インバータ回路62、63が閉じる。一方、クロック信号Ckの論理値が0の時、インバータ回路60、65が閉じ、インバータ回路62、63が開く。したがって、ステージ素子23a1は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号をクロック信号Ckに同期して出力側の分割ステージ2a2へ転送する。即ち、記憶回路33は、フリップフロップ回路として機能し、ステージ素子23a1は分割モードに設定される。
【0045】
一方、図1の制御部9がスルー信号Tsの論理値を1に設定することにより、図5に示したNOR回路74、76に論理値1の信号が供給され、NAND回路73、75には論理値0の信号が供給される。したがって、クロック信号Ckの論理値が(1、0)の時、クロック信号CK0の論理値は(1、1)となり、クロック信号CK1の論理値は(0、0)となり、クロック信号CK2の論理値は(1、1)となり、クロック信号CK3の論理値は(0、0)となる。即ち、クロック信号CK0、CK2は、クロック信号Ckに係らず論理値1の信号となり、クロック信号CK1、CK3は、クロック信号Ckに係らず論理値0の信号となる。インバータ回路60、63は開いた状態を保持し、インバータ回路62、65は閉じた状態を保持する。したがって、ステージ素子23a1は、入力側の分割ステージ2a1から転送された信号をクロック信号Ckに随時に出力側の分割ステージ2a2へ転送する。即ち、記憶回路33は、フリップフロップ回路として機能せず、ステージ素子23a1はスルーモードに設定される。
【0046】
以上説明したように、クロック制御回路37が、クロック信号CK0、CK2が常に立ち上がった状態にする論理を取り入れることで、ステージ素子23a1をスルーモードに設定することができる。クロック制御回路37を用いることで、図2に示したセレクタ38が省略される。図5のステージ素子13a1に、クロック制御回路37を加えても、データ通過速度の遅延を増やすことがない。また、1つのクロック制御回路37を複数の記憶回路33で共用すれば、テストのための論理追加による回路面積の増加も抑えることができる。
【0047】
上記のように、本発明は、1つの実施の形態及び第1及び第2の変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、容易にテストを行い得る半導体集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路を示すブロック図である。
【図2】図1に示した半導体集積回路のうち、第1乃至第3の機能モジュール、バスブロック、I/Oバッファ及びクロック伝播回路を示すブロック図である。
【図3】図2に示したステージ素子の一例を示す回路図である。
【図4】図4(a)は、第1の変形例に係るステージ素子を示す回路図である。図4(b)は、図4(a)に示したパルス生成回路を示す回路図である。
【図5】第2の変形例に係るステージ素子を示す回路図である。
【符号の説明】
1a 第1の機能モジュール
1b 第2の機能モジュール
1c 第3の機能モジュール
2 システムバス
2a 入力システムバス
2b 出力システムバス
2a1〜2a4、2b1〜2b4 分割ステージ
3a1〜2a3、3b1〜3b3、13a1、23a1 ステージ素子
4 クロック伝播回路
5、39、51、54〜57、59、60、62、63、65〜67、69、72、77、78 インバータ回路
6 AND回路
7 I/Oバッファ
8 半導体チップ
9 制御部
10 PLL回路
11 バスブロック
12a1、12a2、12b1、12b2、12c1、12c2 MUX
31〜33 記憶回路
35 クロック供給回路
36 パルス生成回路
37 クロック制御回路
38 セレクタ
40 バッファ回路
52、61 第1のラッチ回路
53、64 第2のラッチ回路
58 ラッチ回路
68 反転遅延回路
70、71、73、75 NAND回路
74、76 NOR回路
Ck、CK0〜CK3 クロック信号
CKP、CKPB クロックパルス信号
Ts スルー信号
In1 第1の入力端子
In0 第2の入力端子
Ot 出力端子
St 切換端子
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a testability design technique for a semiconductor integrated circuit.
[0002]
[Prior art]
In addition to a test method using a scan and a test method using a built-in self test (BIST) circuit as a function test method for a semiconductor integrated circuit, a test method for directly applying data to or reading data from a semiconductor chip is known. It has been. In particular, a function test of a semiconductor device including a memory requires writing and reading a large amount of data. For example, direct function tests such as cache memory mounted on a microprocessor that does not require a refresh operation, an occasional write / read memory (static RAM), or an occasional write / read memory that requires a refresh operation (dynamic RAM), especially an embedded DRAM. (DFT).
[0003]
In order to easily write and read a large amount of data in the direct function test, a first method is considered in which a data bus dedicated to the direct function test (direct function test bus) is provided separately from the internal bus that becomes the system bus during normal operation. It is done. However, in the first method, the consumption of wiring resources and buffers becomes a problem. Therefore, a second method is used in which an internal bus serving as a system bus during normal operation is also used as a direct function test bus. In general, the system bus is divided into a plurality of division stages in order to transfer data at high speed during normal operation, and the data propagates between the division stages in synchronization with a clock signal (see, for example, Patent Document 1). .
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-9-218734 (FIG. 1, paragraphs [0012]-[0032])
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, when a plurality of functional modules subject to direct functional testing are connected to different division stages, the tester (external tester) arranged outside the semiconductor chip is connected to the division stage to which each functional module is connected. The test must be performed in consideration of the difference, resulting in a complicated test pattern and a decrease in test efficiency. In particular, when a plurality of functional modules have the same function, for example, a memory having the same function, the external tester must test each functional module in a different sequence in consideration of the difference in division stages. In other words, the test efficiency is significantly reduced.
[0006]
The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and an object thereof is to provide a semiconductor integrated circuit that can be easily tested.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a feature of the present invention is that a plurality of division stages obtained by dividing a system bus for transferring a signal and a plurality of division stages are connected in series, and a signal transferred from the division stage on the input side is clocked. Different divisions from stage elements that operate in a split mode that transfers to the output-side split stage in synchronization with the signal and a through mode that transfers the signal transferred from the input-side split stage to the output-side split stage at any time The gist of the present invention is a semiconductor integrated circuit having a plurality of functional modules connected to a stage.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals.
[0009]
As shown in FIG. 1, a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor chip 8 and a plurality of functional modules (first to third functional modules) for realizing main functions of the semiconductor integrated circuit. ) 1a to 1c, the bus block 11 connected to the first to third functional modules 1a to 1c, the I / O buffer 7 connected to the bus block 11, and the control unit 9 connected to the bus block 11 And a phase-locked loop circuit (PLL circuit) 10 for generating the clock signal Ck. The clock signal Ck is supplied to the first to third functional modules 1a to 1c and the control unit 9. The control unit 9 includes a clock propagation circuit 4 that transfers the clock signal Ck to the bus block 11. The I / O buffer 7 and the bus block 11 transmit and receive signals between the first to third functional modules 1 a to 1 c and the outside of the semiconductor chip 8. The control unit 9 supplies a through signal Ts for controlling the normal operation and the test operation of the semiconductor integrated circuit to the bus block 11.
[0010]
FIG. 2 is a block diagram showing the first to third functional modules 1a to 1c, the bus block 11, the I / O buffer 7, and the clock propagation circuit 4 in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. The bus block 11 includes a plurality of division stages 2a obtained by dividing the system bus 2 for transferring signals. 1 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2b Four And a plurality of division stages 2a 1 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2b Four Stage elements 3a connected in series 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three And MUX12a 1 , 12a 2 , 12b 1 , 12b 2 , 12c 1 , 12c 2 And have. The clock propagation circuit 4 includes an inverter circuit 5 to which a through signal Ts is supplied, and an OR circuit (AND circuit) 6 to which an output signal of the inverter circuit 5 and a clock signal Ck are supplied. The system bus 2 has an input system bus 2a and an output system bus 2b. The input system bus 2a is connected to the stage element 3a. 1 ~ 3a Three By dividing stage 2a 1 ~ 2a Four It is divided into The output system bus 2b is connected to the stage element 3b. 1 ~ 3b Three Split stage 2b by 1 ~ 2b Four It is divided into
[0011]
The first functional module 1a is the MUX 12a 1 , 12c 1 Through the split stage 2a 2 Connected to the MUX12b 1 , 12c 1 Split stage 2b through 2 It is connected to the. The second functional module 1b is a MUX 12a 2 , 12c 2 Through the split stage 2a Three Connected to the MUX12b 2 , 12c 2 Split stage 2b through Three It is connected to the. The third functional module 1b includes a split stage 2a Four 2b Four It is connected to the. That is, the first to third functional modules 1a to 1c are divided into different divided stages 2a. 1 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2b Four It is connected to the. The output of the AND circuit 6 is the stage element 3a. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three It is connected to the. The I / O buffer 7 is divided into division stages 2a. 1 2b 1 It is connected to the. The clock signal Ck is supplied to the first to third functional modules 1a to 1c. The output signal of the AND circuit 6 and the through signal Ts are supplied from the stage element 3a. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Are supplied to each. The first to third functional modules 1a to 1c each have an equivalent function such as a memory having a function of storing data.
[0012]
As shown in FIG. 3, the stage element 3a 1 Is the split stage 2a on the input side 1 Storage circuit 31 connected to the storage circuit 31, and the storage stage 31 and output-side split stage 2a 2 And a clock supply circuit 35 for supplying a clock signal Ck to the memory circuit 31.
[0013]
The memory circuit 31 includes an input side divided stage 2a. 1 , A first latch circuit 52 and an inverter circuit 54 connected to the output of the inverter circuit 51, and a second latch circuit 53 connected to the output of the inverter circuit 54. Circuit. The selector 38 is connected to the output of the inverter circuit 54.
[0014]
The selector 38 is connected to the split stage 2a on the input side. 1 First input terminal In directly connected to 1 And the split stage 2a on the input side via the storage circuit 31. 1 The second input terminal In connected to 0 And split stage 2a on the output side 2 And an output terminal Ot connected to the first input terminal In 1 Or the second input terminal In 0 And a switching terminal St to which a through signal Ts for switching the connection between the output terminal Ot and the output terminal Ot is input. Second input terminal In 0 Is connected to the output of the inverter circuit 54.
[0015]
The clock supply circuit 35 includes an inverter circuit 66 to which the clock signal Ck is supplied and an inverter circuit 67 connected to the output of the inverter circuit 66. The clock supply circuit 35 generates a clock signal having a phase opposite to that of the clock signal Ck from the output of the inverter circuit 66, and generates a clock signal having the same phase as that of the clock signal Ck from the output of the inverter circuit 67. The in-phase and anti-phase clock signals generated by the clock supply circuit 35 are supplied to the memory circuit 31, respectively. Specifically, the anti-phase clock signal is supplied to the inverter circuits 54 and 55, and the in-phase clock signal is supplied to the inverter circuits 51 and 56, respectively.
[0016]
The other stage element 3a shown in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is the stage element 3a shown in FIG. 1 The circuit configuration is the same as that.
[0017]
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIGS. 1 to 3 will be described.
[0018]
1 sets the logic value of the through signal Ts to “0 (disable)”, the clock propagation circuit 4 in FIG. 2 converts the clock signal Ck into the stage element 3a. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Forward to each. Further, by setting the logical value of the through signal Ts to 0, the selector 38 shown in FIG. 0 Are connected to the output terminal Ot. As a result, the split stage 2a on the input side 1 And output side split stage 2a 2 Are connected via the memory circuit 31. That is, the stage element 3a 1 Is set to “split mode”. Similarly, the other stage elements 3a in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is also set to split mode.
[0019]
When the logical value of the clock signal Ck is 1, the inverter circuit 51 in FIG. 3 is opened and the inverter circuits 54 and 55 are closed. Therefore, the inverter circuit 51 is connected to the divided stage 2a on the input side. 1 The inverted value of the signal transferred from is transferred to the first latch circuit 52 and the inverter circuit. On the other hand, when the logic value of the clock signal Ck is 0, the inverter circuits 51 and 56 are closed and the inverter circuits 54 and 55 are opened. Therefore, the first latch circuit 52 has the input-side divided stage 2a. 1 Holds the inverted value of the signal transferred from the inverter circuit 54, and the inverter circuit 54 1 The inverted value of the signal transferred from is further inverted, and the input side split stage 2a 1 The logic value of the signal transferred from is transferred to the second latch circuit 53 and the selector. The selector 38 outputs the signal transferred from the inverter circuit 54 to the divided stage 2a on the output side. 2 Forward to.
[0020]
In this way, the storage circuit 31 has the divided stage 2a on the input side. 1 The logic value and the inverted value of the signal transferred from are fetched and held in synchronization with the clock signal Ck. Therefore, the stage element 3a 1 Is a split stage 2a on the input side in split mode. 1 The signal transferred from the output stage is divided in synchronization with the clock signal Ck. 2 Forward to. Similarly, the other stage elements 3a shown in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Also, the split stage 2a on the input side 2 2a Three 2b 2 ~ 2a Four The signal transferred from the output stage is divided in synchronization with the clock signal Ck. Three 2a Four 2b 1 ~ 2a Three Forward to each. In other words, when the logic value of the through signal Ts is set to 0, the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Functions as a flip-flop circuit that divides the system bus 2. Therefore, the semiconductor integrated circuit can perform a normal operation, that is, the system bus 2 can be operated at high speed. Specifically, when the system bus 2 is arranged over a long distance in the semiconductor chip 8 of FIG. 1, the stage element 3a. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Thus, by dividing the system bus 2, the semiconductor integrated circuit can satisfy the required operating frequency.
[0021]
On the other hand, when the control unit 9 in FIG. 1 sets the logic value of the through signal Ts to “1 (enable)”, the clock propagation circuit 4 in FIG. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three The signal of logical value 0 is continuously supplied without transferring the clock signal Ck. Further, by setting the logic value of the through signal Ts to 1, the selector 38 in FIG. 1 And the output terminal Ot are connected, and the divided stage 2a on the input side 1 And output side split stage 2a 2 Are directly connected without going through the memory circuit 31. That is, the stage element 3a 1 Is set to “through mode”. Similarly, the other stage elements 3a in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is also set to through mode. In the through mode, the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Does not function as a flip-flop circuit that divides the system bus 2. Therefore, the split stage 2a on the input side 1 ~ 2a Three 2b 2 ~ 2a Four The signal transferred from is output as it is at the divided stage 2a on the output side. 2 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2a Three Forwarded to In other words, the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is a split stage 2a on the input side in the through mode. 1 ~ 2a Three 2b 2 ~ 2a Four The divided stage 2a on the output side at any time 2 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2a Three Forward to.
[0022]
Next, data transfer to the first to third functional modules 1a to 1c via the bus block 11 of FIG. 1 will be described.
[0023]
In the divided mode, the semiconductor integrated circuit performs a normal operation. During normal operation, the clock signal Ck for two cycles is supplied to the stage element 3a in FIG. 1 Is transferred from the I / O buffer 7 to the first functional module 1a. That is, when transferring data from the I / O buffer 7 to the first functional module 1a, two clock cycles are required. Conversely, when transferring data from the first functional module 1a to the I / O buffer 7, two clock cycles are required. When data is transferred from the I / O buffer 7 to the second functional module 1b, or when data is transferred from the second functional module 1b to the I / O buffer 7, the stage element 3a that passes therethrough 2 3b 2 Increases by one and requires three clock cycles each. Similarly, when data is transferred from the I / O buffer 7 to the third functional module 1c, or when data is transferred from the third functional module 1c to the I / O buffer 7, the stage element 3a that passes therethrough is transferred. Three 3b Three Increases by one and requires four clock cycles each.
[0024]
On the other hand, by connecting an external tester to the semiconductor device of FIG. 1 via the I / O buffer 7, a direct function test of the semiconductor integrated circuit is performed. Consider a case where the first to third functional modules 1a to 1c are tested in the split mode. Access to the first functional module 1a has a round trip of 4 clock cycles, access to the second functional module 1b has a round trip of 6 clock cycles, and access to the third functional module 1c has a round trip of 8 clock cycles. Each is required. That is, the divided stage 2a to which the first to third functional modules 1a to 1c are connected. 1 ~ 2a Three 2b 2 ~ 2a Four Are different from each other, the overheads required for accessing the first to third functional modules 1a to 1c are also different from each other. Therefore, even if the first to third functional modules 1a to 1c have the same function and the test contents are the same, the test pattern for the first to third functional modules 1a to 1c has an overhead timing. It is necessary to create each separately in consideration.
[0025]
Therefore, when a direct function test of a semiconductor integrated circuit is performed using an external tester, the logic value of the through signal Ts is set to 1 (enable), and the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Are divided on the input side 2a. 1 ~ 2a Three 2b 2 ~ 2a Four The divided stage 2a on the output side at any time 2 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2a Three Operate in through mode. In the through mode, the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is the split stage 2a on the input side 1 ~ 2a Three 2b 2 ~ 2a Four The output side split stage 2a 2 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2a Three The input system bus 2a and the output system bus 2b form a single internal bus that is not divided into a plurality of stages. Therefore, when data is transferred from the I / O buffer 7 to the first to third functional modules 1a to 1c in the through mode, one system clock is required. Conversely, when data is transferred from the first to third functional modules 1a to 1c to the I / O buffer 7, one system clock is required. That is, the divided stage 2a connected 1 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2a Four Can transfer data from the I / O buffer 7 to all the functional modules 1a to 1c different from each other in one clock cycle, and data from all the functional modules 1a to 1c to the I / O buffer 7 in one clock cycle. Can be transferred. Therefore, the divided stage 2a to which the first to third functional modules 1a to 1c are connected. 1 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2a Four Are different from each other, the overhead required for accessing the first to third functional modules 1a to 1c is the same. Therefore, the test patterns for the first to third functional modules 1a to 1c can be created without considering the overhead timing. In particular, if the first to third functional modules 1a to 1c have the same function and the test contents are the same, the test patterns for the first to third functional modules 1a to 1c are the same. In other words, the external tester can see the first to third functional modules 1a to 1c quite equivalently, and can simplify test handling. Specifically, the external tester can directly perform a function test using substantially the same test pattern.
[0026]
In the divided mode, for example, four system clocks are required for accessing the third functional module 1c. However, in the through mode, the third functional module 1c can be accessed with one system clock. Therefore, the operating frequency in the through mode is at least 1/4 or less than the operating frequency in the divided mode. When performing a test at the operating frequency in the normal operation, the logic value of the through signal is set to 0 (disable) instead of the through mode, and the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Test using the stage division function.
[0027]
Furthermore, the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Stops functioning as a flip-flop circuit in the through mode, so that the stage element 3a 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three There is no need to supply the clock signal Ck. Therefore, the clock propagation circuit 4 is connected to the stage element 3a. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three The transfer of the clock signal Ck can be stopped, and the power consumption of the semiconductor integrated circuit can be suppressed. In recent years, semiconductor chips have been highly integrated and have a higher operating frequency, and the leakage current has increased, resulting in an increase in current consumption. The consumption current of the semiconductor chip should be reduced not only during normal operation but also during mass production testing of the semiconductor chip. This is because an increase in current consumption during a test operation may limit the number of chips that can be tested at one time. Therefore, when the upper limit of the number of chips that can be subjected to the parallel test is determined by the current consumption per chip, the stage element 3a that is in the through mode during the test. 1 ~ 3a Three 3b 1 ~ 3b Three By stopping the clock supply to the power supply, the current consumption during the test can be reduced, and the upper limit of the number of tests that can be performed in parallel can be relaxed.
[0028]
(First modification)
As a first modification of the embodiment of the present invention, the stage element 3a shown in FIG. 1 The modification of is shown.
[0029]
As shown in FIG. 4A, the stage element 13a according to the first modification example. 1 Is the split stage 2a on the input side 1 Memory circuit 32 connected to the storage circuit 32, and the output side split stage 2a 2 And an inverter circuit 39 connected to the storage circuit 32 and a pulse generation circuit 36 connected to the memory circuit 32. The storage circuit 32 includes an input side split stage 2a. 1 And a latch circuit 58 connected to the output of the inverter circuit 57. The output of the inverter circuit 57 is connected to the input of the inverter circuit 39.
[0030]
As shown in FIG. 4B, the pulse generation circuit 36 is supplied with an inversion delay circuit 68 composed of an odd number of stages, for example, three stages of inverter circuits connected in series, and a clock signal Ck via the delay circuit 68. A NAND circuit 70 having a first input terminal and a second input terminal to which a clock signal Ck is directly supplied, an inverter circuit 69 to which a through signal Ts is supplied, an output of the NAND circuit 70 and an output of the inverter circuit 69 NAND circuit 71 connected to, and an inverter circuit 72 connected to the output of NAND circuit 71.
[0031]
The other stage element 3a shown in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is the stage element 13a shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). 1 The circuit configuration is the same as that.
[0032]
Next, the stage element 13a shown in FIG. 4 (a) and FIG. 4 (b). 1 The operation of will be described.
[0033]
The inversion delay circuit 68 in FIG. 4B delays and generates a clock signal having a phase opposite to that of the clock signal Ck. Therefore, the clock signal Ck and the inverted clock signal Ck are supplied to the NAND circuit 70, and a pulse signal synchronized with the clock signal Ck is generated. For example, the pulse signal rises simultaneously with the rise of the clock signal Ck, and falls with a pulse width shorter than a half cycle of the clock signal Ck.
[0034]
When the logic value of the through signal Ts is 0, the NAND circuit 71 is supplied with the pulse signal from the NAND circuit 70 and the signal with the logic value 1 from the inverter circuit 69, respectively. Therefore, the NAND circuit 71 generates a clock pulse signal CKPB having a phase opposite to that of the pulse signal generated by the NAND circuit 70. The inverter circuit 72 generates a clock pulse signal CKP having the same phase as the pulse signal generated by the NAND circuit 70. As described above, in the split mode, the pulse generation circuit 36 in FIG. 4A generates the clock pulse signals CKP and CKPB and supplies them to the inverter circuits 57 and 59. When the logical values of the clock pulse signals CKP and CKPB are (1, 0), the inverter circuit 57 is opened and the inverter circuit 59 is closed. Therefore, the inverter circuit 57 includes the split stage 2a on the input side. 1 The inverted value of the signal transferred from is transferred to the latch circuit 58 and the inverter circuit 39. Then, the inverter circuit 39 further inverts the inversion value of the signal, so that the divided stage 2a on the input side. 1 The logic value of the signal transferred from the output stage is divided into the output side dividing stage 2a. 2 Forward to. On the other hand, when the logical values of the clock signals CKP and CKPB are (0, 1), the latch circuit 58 is connected to the divided stage 2a on the input side. 1 Holds the inverted value of the signal transferred from.
[0035]
As described above, in the split mode, the storage circuit 32 is connected to the split stage 2a on the input side. 1 It functions as a pulse flip-flop circuit that captures and holds the inverted value of the signal transferred from the signal in synchronization with the clock pulse signals CKP and CKPB. That is, the pulse flip-flop circuit takes in the signal only during the period when the clock pulse signal CKP rises, and holds the signal when it falls. Therefore, the stage element 13a 1 Is a split stage 2a on the input side in split mode. 1 The signal transferred from the output stage is divided in synchronization with the clock signal Ck. 2 Forward to. Similarly, the other stage elements 3a shown in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Also, the split stage 2a on the input side 2 2a Three 2b 2 ~ 2a Four The signal transferred from the output stage is divided in synchronization with the clock signal Ck. Three 2a Four 2b 1 ~ 2a Three Forward to each.
[0036]
On the other hand, when the logic value of the through signal Ts is 1, the NAND circuit 71 is supplied with the clock pulse signal from the NAND circuit 66 and the signal with the logic value 0 from the inverter circuit 69. Continue to generate a 0 signal. Therefore, the pulse generation circuit 36 continues to generate a logic value 1 signal instead of the clock pulse signal CKP and a logic value 0 signal instead of the clock pulse signal CKPB. Therefore, the inverter circuit 57 is kept open and the inverter circuit 57 is kept closed, and the storage circuit 32 is stored in the divided stage 2a on the input side. 1 The divided stage 2a on the output side at any time 2 Forward to.
[0037]
As described above, it is possible to provide a through mode in which the pulse generation circuit 36 always passes through the memory circuit 32 by incorporating the logic that makes the clock pulse signal CKP always rise. By using the pulse generation circuit 36, the selector 38 shown in FIG. 2 is omitted. Since the selector 38 is added for the function test, it causes the data passing speed of the system bus 2 to be delayed in the normal operation. On the other hand, the stage element 13a of FIGS. 4 (a) and 4 (b). 1 Therefore, even if a test logic gate (NAND circuit) 71 is added to the pulse generation circuit 36, the delay of the data passing speed is not increased. Further, if one pulse generation circuit 36 is shared by a plurality of storage circuits 32, an increase in circuit area due to addition of logic for testing can be suppressed.
[0038]
(Second modification)
As a second modification of the embodiment of the present invention, the stage element 3a shown in FIG. 1 The modification of is shown.
[0039]
As shown in FIG. 5, the stage element 23a according to the second modification example. 1 Is the split stage 2a on the input side 1 Storage circuit 33 connected to the storage circuit 33, and the output side split stage 2a 2 And a clock control circuit 37 connected to the memory circuit 33.
[0040]
The memory circuit 33 is connected to the input-side divided stage 2a. 1 , A first latch circuit 61 and an inverter circuit 63 connected to the output of the inverter circuit 60, and a second latch circuit 64 connected to the output of the inverter circuit 63. Circuit. The buffer circuit 40 is connected to the output of the inverter circuit 63.
[0041]
The clock control circuit 37 includes an inverter circuit 77 to which a clock signal Ck is supplied, an inverter circuit 78 to which a through signal Ts is supplied, a NOR circuit 74 and a NAND circuit 75 to which a clock signal Ck is supplied, and an inverter circuit 77 It has a NAND circuit 73 and a NOR circuit 76 connected to the output. The NAND circuit 73 supplies the clock signal CK0 to the inverter circuit 60. The NOR circuit 77 supplies the clock signal CK1 to the inverter circuit 62. The NAND circuit 75 supplies the clock signal CK2 to the inverter circuit 63. The NOR circuit 76 supplies the clock signal CK3 to the inverter circuit 65.
[0042]
The other stage element 3a shown in FIG. 2 3a Three 3b 1 ~ 3b Three Is the stage element 23a shown in FIG. 1 The circuit configuration is the same as that.
[0043]
Next, the stage element 23a shown in FIG. 1 The operation of will be described.
[0044]
The control unit 9 in FIG. 1 sets the logic value of the through signal Ts to 0, so that a signal of logic value 0 is supplied to the NOR circuits 74 and 76 shown in FIG. 1 signal is supplied. When the logical value of the clock signal Ck is (1, 0), a signal of logical value (1, 0) is supplied to the NOR circuit 74 and the NAND circuit 75, and the logical value (0, 1) is supplied to the NAND circuit 73 and the NOR circuit 76. ) Signal is supplied. Therefore, the logical value of the clock signal CK0 is (1, 0), the logical value of the clock signal CK1 is (0, 1), the logical value of the clock signal CK2 is (0, 1), and the logical value of the clock signal CK3. Becomes (1, 0). That is, the clock signals CK0 and CK3 are signals in phase with the clock signal Ck, and the clock signals CK1 and CK2 are signals in phase opposite to the clock signal Ck. When the logical value of the clock signal Ck is 1, the inverter circuit 60 is opened and the inverter circuits 62 and 63 are closed. On the other hand, when the logical value of the clock signal Ck is 0, the inverter circuits 60 and 65 are closed and the inverter circuits 62 and 63 are opened. Therefore, the stage element 23a 1 Is the split stage 2a on the input side 1 The signal transferred from the output stage is divided in synchronization with the clock signal Ck. 2 Forward to. That is, the memory circuit 33 functions as a flip-flop circuit, and the stage element 23a. 1 Is set to split mode.
[0045]
On the other hand, when the control unit 9 in FIG. 1 sets the logical value of the through signal Ts to 1, a signal of logical value 1 is supplied to the NOR circuits 74 and 76 shown in FIG. A logic zero signal is supplied. Therefore, when the logic value of the clock signal Ck is (1, 0), the logic value of the clock signal CK0 is (1, 1), the logic value of the clock signal CK1 is (0, 0), and the logic value of the clock signal CK2 is The value is (1, 1), and the logical value of the clock signal CK3 is (0, 0). That is, the clock signals CK0 and CK2 are signals having a logical value 1 regardless of the clock signal Ck, and the clock signals CK1 and CK3 are signals having a logical value 0 regardless of the clock signal Ck. The inverter circuits 60 and 63 are kept open, and the inverter circuits 62 and 65 are kept closed. Therefore, the stage element 23a 1 Is the split stage 2a on the input side 1 The signal transferred from the output divided stage 2a as needed to the clock signal Ck. 2 Forward to. That is, the memory circuit 33 does not function as a flip-flop circuit, and the stage element 23a 1 Is set to through mode.
[0046]
As described above, the clock control circuit 37 takes in the logic that causes the clock signals CK0 and CK2 to always rise, whereby the stage element 23a. 1 Can be set to through mode. By using the clock control circuit 37, the selector 38 shown in FIG. 2 is omitted. Stage element 13a in FIG. 1 In addition, the addition of the clock control circuit 37 does not increase the delay of the data passing speed. Further, if one clock control circuit 37 is shared by a plurality of storage circuits 33, an increase in circuit area due to addition of logic for testing can be suppressed.
[0047]
As described above, the present invention has been described by one embodiment and the first and second modifications. However, it is understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. Should not. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art. That is, it should be understood that the present invention includes various embodiments not described herein. Therefore, the present invention is limited only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from this disclosure.
[0048]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a semiconductor integrated circuit that can be easily tested can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing first to third functional modules, a bus block, an I / O buffer, and a clock propagation circuit in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1;
3 is a circuit diagram showing an example of a stage element shown in FIG. 2. FIG.
FIG. 4A is a circuit diagram showing a stage element according to a first modification. FIG. 4B is a circuit diagram showing the pulse generation circuit shown in FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a stage element according to a second modification.
[Explanation of symbols]
1a First functional module
1b Second functional module
1c Third functional module
2 System bus
2a Input system bus
2b Output system bus
2a 1 ~ 2a Four 2b 1 ~ 2b Four Split stage
3a 1 ~ 2a Three 3b 1 ~ 3b Three , 13a 1 , 23a 1 Stage element
4 Clock propagation circuit
5, 39, 51, 54 to 57, 59, 60, 62, 63, 65 to 67, 69, 72, 77, 78 Inverter circuit
6 AND circuit
7 I / O buffer
8 Semiconductor chip
9 Control unit
10 PLL circuit
11 Bus block
12a 1 , 12a 2 , 12b 1 , 12b 2 , 12c 1 , 12c 2 MUX
31-33 Memory circuit
35 Clock supply circuit
36 Pulse generation circuit
37 Clock control circuit
38 selector
40 Buffer circuit
52, 61 First latch circuit
53, 64 Second latch circuit
58 Latch circuit
68 Inversion delay circuit
70, 71, 73, 75 NAND circuit
74, 76 NOR circuit
Ck, CK0 to CK3 clock signal
CKP, CKPB clock pulse signal
Ts Through signal
In 1 1st input terminal
In 0 Second input terminal
Ot output terminal
St switching terminal

Claims (9)

信号を転送するシステムバスを分割した複数の分割ステージと、
前記複数の分割ステージを直列に接続し、入力側の前記分割ステージから転送された信号をクロック信号に同期して出力側の前記分割ステージへ転送する分割モード及び前記入力側の分割ステージから転送された信号を随時に前記出力側の分割ステージへ転送するスルーモードにて動作するステージ素子と、
互いに異なる前記分割ステージに接続された複数の機能モジュール
とを有することを特徴とする半導体集積回路。
A plurality of division stages that divide the system bus for transferring signals; and
The plurality of division stages are connected in series, and a signal transferred from the division stage on the input side is transferred to the division stage on the output side in synchronization with a clock signal and transferred from the division stage on the input side A stage element that operates in a through mode for transferring the received signal to the output-side split stage at any time;
A semiconductor integrated circuit comprising: a plurality of functional modules connected to different division stages.
前記分割モードにおいて前記ステージ素子へ前記クロック信号を供給し、前記スルーモードにおいて前記ステージ素子への前記クロック信号の供給を停止するクロック伝播回路を更に有することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a clock propagation circuit that supplies the clock signal to the stage element in the division mode and stops supply of the clock signal to the stage element in the through mode. circuit. 前記複数の機能モジュールは、それぞれ同等の機能を有することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体集積回路。3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein each of the plurality of functional modules has an equivalent function. 前記機能モジュールは、データを格納する機能を有するメモリであることを特徴とする請求項3記載の半導体集積回路。4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the functional module is a memory having a function of storing data. 前記ステージ素子は、前記入力側の分割ステージから転送された信号を保持する記憶回路を有することを特徴とする請求項1乃至4何れか1項記載の半導体集積回路。5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the stage element includes a memory circuit that holds a signal transferred from the input-side divided stage. 6. 前記記憶回路は、前記クロック信号に同期して前記信号を取り込み及び保持するフリップフロップ回路であることを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路。6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the memory circuit is a flip-flop circuit that captures and holds the signal in synchronization with the clock signal. 前記ステージ素子は、前記入力側の分割ステージに接続された第1の入力端子と、前記フリップフロップ回路を介して前記入力側の分割ステージに接続された第2の入力端子と、前記出力側の分割ステージに接続された出力端子と、前記第1の入力端子又は第2の入力端子と前記出力端子との接続を切り換えるスルー信号が入力される切換端子とを備えるセレクタを更に有し、
前記セレクタは、前記分割モードにおいて前記第2の入力端子と前記出力端子とを接続し、前記スルーモードにおいて前記第1の入力端子と前記出力端子とを接続することを特徴とする請求項6記載の半導体集積回路。
The stage element includes a first input terminal connected to the input-side split stage, a second input terminal connected to the input-side split stage via the flip-flop circuit, and the output side A selector further comprising: an output terminal connected to a split stage; and a switching terminal to which a through signal for switching the connection between the first input terminal or the second input terminal and the output terminal is input;
7. The selector connects the second input terminal and the output terminal in the division mode, and connects the first input terminal and the output terminal in the through mode. Semiconductor integrated circuit.
前記ステージ素子は、前記分割モードにおいて前記クロック信号に同期したパルス信号を生成し、前記スルーモードにおいて前記パルス信号の生成を停止すると共に前記記憶回路を前記信号がスルーするような状態に保持するパルス生成回路を更に有し、前記フリップフロップ回路は、前記パルス信号に同期して前記信号を取り込み及び保持することを特徴とする請求項6記載の半導体集積回路。The stage element generates a pulse signal synchronized with the clock signal in the divided mode, stops generation of the pulse signal in the through mode, and holds the storage circuit in a state in which the signal passes through. 7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, further comprising a generation circuit, wherein the flip-flop circuit captures and holds the signal in synchronization with the pulse signal. 前記ステージ素子は、前記分割モードにおいて前記フリップフロップ回路へ前記クロック信号を供給し、前記スルーモードにおいて前記フリップフロップ回路への前記クロック信号の供給を停止すると共に前記記憶回路を前記信号がスルーするような状態に保持するクロック制御回路を更に有することを特徴とする請求項6記載の半導体集積回路。The stage element supplies the clock signal to the flip-flop circuit in the division mode, stops supplying the clock signal to the flip-flop circuit in the through mode, and causes the signal to pass through the storage circuit. 7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, further comprising a clock control circuit for maintaining a stable state.
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