JP3851900B2 - 平面フィルタ、半導体装置、および無線装置 - Google Patents
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Description
小西良弘著 「マイクロ波回路の基礎とその応用」 総合電子出版社、1990年8月20日、p.369−373
第2のU字型先端開放伝送線路共振器と、
3本の直線部と2箇所の折れ曲がり部分とで構成されるクランク型先端開放伝送線路共振器を有することを特徴としている。
また、一実施形態の平面フィルタは、第1の入出力用の伝送線路と第2の入出力用の伝送線路を有し、上記第1の入出力用の伝送線路が上記第1のU字型先端開放伝送線路共振器に電磁結合するように配置されており、上記第2の入出力用の伝送線路が上記第2のU字型先端開放伝送線路共振器に電磁結合するように配置されている。
図1(A),(B)に、この発明の平面フィルタの第1の実施の形態を示す。図1(A)は平面図であり、図1(B)は図1(A)のA−A’断面図である。図1(A)に示すように、この第1の実施の形態の平面フィルタは、誘電体基板110上に、入力線路をなす第1の入出力用の伝送線路101と、出力線路をなす第2の入出力用の伝送線路102と、第1のU字型先端開放伝送線路共振器103と、第2のU字型先端開放伝送線路共振器105と、クランク型先端開放伝送線路共振器104とが形成されている。また、図1(B)に示すように、上記誘電体基板110は、裏面に接地導体111を有する。
次に、図2(A),(B)に、この発明の平面フィルタの第2実施形態を示す。図2(A)は平面図であり、図2(B)は図1(A)のB−B’断面図である。
次に、図4に、この発明の第3実施形態としての半導体装置である平面フィルタ一体型偶高調波ミキサ装置を示す。図4(A)は平面図であり、図4(B)は図4(A)のC−C’断面図である。この第3実施形態の平面フィルタ一体型偶高調波ミキサ装置は、図2に示す上記第2実施形態の平面フィルタ301と偶高調波ミキサ300を半導体基板上に集積化したものである。
この第3実施形態では、局部発振信号の周波数fLOとして27.769GHz、中間周波信号の周波数fIFとして3.471〜5.546GHz、高周波信号の周波数fRFとして59.01〜61.085GHzを想定している。また、基板のサイズは略1.5mm×1.0mm、砒化ガリウム基板の厚さは70ミクロンである。
したがって、先端短絡スタブ307は、周波数fRFの高周波信号に対しては、略2分の1波長となり、周波数fRFの高周波信号に対しては、接地と略等価となる。したがって、周波数fRFの高周波信号は局部発振信号用端子311から出力されない。
次に、図5に、この発明の第4実施形態である無線装置の構成を示す。この第4実施形態の無線装置は無線中継装置であり、上記第3実施形態の平面フィルタ一体型高調波ミキサ506を含んでいる。
次に、図9に、この発明の第5実施形態である無線装置の構成を示す。この第5実施形態の無線装置は無線中継装置であり、この発明の平面フィルタを含んでいる。
102、202 第2の入出力用の伝送線路
103、203 第1のU字型先端開放伝送線路共振器
104、204 クランク型先端開放伝送線路共振器
105、205 第2のU字型先端開放伝送線路共振器
11、12、13、14、15,16、17、18、19 伝送線路
21、22、23、24、25,26、27、28、29 伝送線路
110 誘電体基板
210、314 砒化ガリウム基板
111、211、315 接地導体
301 平面フィルタ
302 位相調整用伝送線路
303 先端開放スタブ
304 中間周波信号用伝送線路
305 MIMキャパシタ
306 アンチパラレルダイオードペア
307 先端短絡スタブ
308 局部発振信号用伝送線路
309 中間周波信号用端子
310 高周波信号端子
311 局部発振信号端子
502、503、504、505 帯域通過フィルタ
506 平面フィルタ一体型偶高調波ミキサ
507 位相同期発振器
508 8逓倍器
509 ミキサ
511、512、513 増幅器
514、515 分配器
516 合成器
517 アッテネータ
518、527 アンテナ
522、523 増幅器
524 ミリ波帯フィルタ
525 帯域通過フィルタ
526 ミキサ
601 アップコンバータ
602、603、604、622、623、624 帯域通過フィルタ
605、625 発振器
606、626 平面フィルタ一体型偶高調波ミキサ装置
607 位相同期発振器
609、629 ミキサ
611、612、613、631、632、633、634 増幅器
615、636 分配器
616 合成器
617 アッテネータ
618、627 アンテナ
621 ダウンコンバータ
Claims (9)
- 第1のU字型先端開放伝送線路共振器と、
第2のU字型先端開放伝送線路共振器と、
3本の直線部と2箇所の折れ曲がり部分とで構成されるクランク型先端開放伝送線路共振器を有することを特徴とする平面フィルタ。 - 請求項1に記載の平面フィルタにおいて、
上記第1および第2のU字型先端開放伝送線路共振器、および上記クランク型先端開放伝送線路共振器が、通過帯域の中心周波数成分の実効波長に対して、2分の1の長さの線路長を有することを特徴とする平面フィルタ。 - 請求項1に記載の平面フィルタにおいて、
上記第1および第2のU字型先端開放伝送線路共振器、および上記クランク型先端開放伝送線路共振器は、上記第1のU字型先端開放伝送線路共振器、上記クランク型先端開放伝送線路共振器、上記第2のU字型先端開放伝送線路共振器の順に電磁結合するように配置されていることを特徴とする平面フィルタ。 - 請求項3に記載の平面フィルタにおいて、
第1の入出力用の伝送線路と第2の入出力用の伝送線路を有し、
上記第1の入出力用の伝送線路が上記第1のU字型先端開放伝送線路共振器に電磁結合するように配置されており、上記第2の入出力用の伝送線路が上記第2のU字型先端開放伝送線路共振器に電磁結合するように配置されていることを特徴とする平面フィルタ。 - 請求項4に記載の平面フィルタにおいて、
上記第1および第2の入出力用の伝送線路のすくなくとも一方の一部と、上記クランク型先端開放伝送線路共振器の一部とが電磁結合するように配置されていることを特徴とする平面フィルタ。 - 請求項1に記載の平面フィルタにおいて、
上記第1および第2のU字型先端開放伝送線路共振器と、上記クランク型先端開放伝送線路共振器とが、半導体基板上に形成されていることを特徴とする平面フィルタ。 - 請求項1に記載の平面フィルタを備え、この平面フィルタが、半導体基板上にミキサと集積化されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の平面フィルタを備えたことを特徴とする無線装置。
- 請求項5に記載の平面フィルタにおいて、
上記クランク型先端開放伝送線路共振器と上記第1の入出力用の伝送線路とが、それぞれの開放端から、通過帯域の中心周波数成分の実効波長に対して8分の1の長さ以上離れた箇所で電磁結合する第1の並行部と、
上記クランク型先端開放伝送線路共振器と上記第2の入出力用の伝送線路とが、それぞれの開放端から、通過帯域の中心周波数成分の実効波長に対して8分の1の長さ以上離れた箇所で電磁結合する第2の並行部とを備えたことを特徴とする無線装置。
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