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JP3849726B2 - Method for manufacturing organic electroluminescent device - Google Patents

Method for manufacturing organic electroluminescent device Download PDF

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JP3849726B2
JP3849726B2 JP11585796A JP11585796A JP3849726B2 JP 3849726 B2 JP3849726 B2 JP 3849726B2 JP 11585796 A JP11585796 A JP 11585796A JP 11585796 A JP11585796 A JP 11585796A JP 3849726 B2 JP3849726 B2 JP 3849726B2
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JP
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organic
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光明 小山田
伸利 浅井
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、発光素子や表示素子として利用される有機EL(Electroluminescence ;電界発光)素子の製造方法に係り、特にレーザアブレーシヨン法を用いて微細加工を行う有機EL素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、CRT(Cathode Ray Tube)に代わる次世代のフラットパネルディスプレイが多くの関心を集めている。そしてフラツトパネルディスプレイ用の表示素子として有機EL素子が注目され、研究が進められている。
有機EL素子は、一対の電極と、その間に挟まれた発光性物質を含む少なくとも1層の有機層とにより構成される。そして通電時に各電極から注入されたホールと電子が有機層内を移動し、再結合することにより一重項励起子が生成し、この励起子から光が発せられると考えられている。
【0003】
また、こうした有機EL素子の構造としては、例えば陽極/ホール輸送層/発光層/陰極、又は陽極/発光層/電子輸送層/陰極といった2層積層構造や、陽極/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極といった3層積層構造がある。
【0004】
また、これらの積層構造を有する有機EL素子の製造方法において、電極の形成には、例えば真空蒸着法、イオンビームスパッタ法等が用いられ、ホール輸送層、発光層、電子輸送層等の有機層の形成には、例えば真空蒸着法、スピンコート法、LB法等が用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機EL素子が多数配置されたフラツトパネルディスプレイを作製する場合、各有機EL素子を精度よく形成することが要求される。
しかし、上記従来の真空蒸着法等を用いて有機EL素子を形成する場合、パターニングされたマスクと基板との僅かな隙間によるパターンずれが生じるため、各有機EL素子を精度よく作製することは非常に困難であった。また、各有機EL素子を微細化しようとする場合においても、パターニングするマスクのパターンの微細化にも限界があるために、有機EL素子を微細化することも困難であった。
【0006】
そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、微細な素子パターンを有する有機EL素子を高精度に形成することが可能な有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、レーザアブレーション法を用い、各有機EL素子を分離すべき微小領域に高出力のレーザを照射して、その微小分離領域に設けた物質を蒸発させることにより、各有機EL素子を分離し、微細な素子パターンを有する有機EL素子を高精度に形成することが可能になることを想到した。従って、上記課題は、以下の本発明に係る有機EL素子の製造方法により達成される。
【0008】
即ち、請求項1に係る有機EL素子の製造方法は、透明電極上に、所定の形状にパターニングしたレジストを形成する第1の工程と、前記透明電極及び前記レジスト上に、発光層を含む有機層を形成する第2の工程と、前記発光層を含む有機層上に、金属電極層を形成する第3の工程と、前記透明電極側からこの透明電極を透過して前記レジストに光を照射して、前記レジストを蒸発させると共に、前記レジスト上の前記発光層を含む有機層及び前記金属電極層のみを選択的に除去し、前記透明電極上に積層した前記発光層を含む有機層及び前記金属電極層を分離する第4の工程とを有することを特徴とする。
【0009】
このように本発明に係る有機EL素子の製造方法においては、透明電極上に所定の形状にパターニングしたレジストを形成し、これら透明電極及びレジスト上に発光層を含む有機層及び金属電極層を順に積層した後、透明電極側からこの透明電極を透過してレジストに光を照射してレジストを蒸発させ、同時にこのレジスト上の発光層を含む有機層及び金属電極層のみを選択的に除去して、発光層を含む有機層及び金属電極層を分離することにより、各有機EL素子の分離を行うことができる。即ち、各有機EL素子が分離される精度はレジストのパターニング精度に依存し、このレジスト層のパターニングはフォトリソグラフィ法を用いて微細かつ高精度に行うことが可能であるため、各有機EL素子を高精度に微細化することが可能となる。
【0010】
また、上記請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光層を含む有機層は、順に積層されたホール輸送層及び発光層であるのが好ましい。従って、本発明に係る有機EL素子の製造方法は、陽極/ホール輸送層/発光層/陰極という2層積層構造の有機EL素子に適用することが可能である。
また、請求項3に係る有機EL素子の製造方法は、上記請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光層を含む有機層が、順に積層された発光層及び電子輸送層である、ことを特徴とする。従って、本発明に係る有機EL素子の製造方法は、陽極/発光層/電子輸送層/陰極という2層積層構造の有機EL素子に適用することが可能である。
【0011】
また、上記請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光層を含む有機層は、順に積層されたホール輸送層、発光層、及び電子輸送層であるのが好ましい。従って、本発明に係る有機EL素子の製造方法は、陽極/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極という3層積層構造の有機EL素子に適用することが可能である。
【0012】
また、上記の有機電界発光素子の製造方法において、前記第1の工程における、前記透明電極上に形成する前記レジストは、所定の波長の光を吸収する色素を含有し、前記第4の工程における、前記レジストに照射する光は、前記所定の波長を有しているのが好ましい。
このように本発明に係る有機EL素子の製造方法においては、所定の波長の光を吸収する色素を含有するレジストを用い、このレジストに所定の波長を有している光を照射することにより、この所定の波長を有している光が照射されると、レジストに含有されている色素が光を吸収してレジストの分子同士の結合を開裂するため、容易にレジストを分解、蒸発させることが可能である。また、このレジストは有機EL素子の作製において透明電極表面の清浄化を目的として一般的に用いられる酸素プラズマ処理の際に分解、蒸発しないものが好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
図1乃至図5は、それぞれ本発明の一の実施の形態に係る有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
先ず、図1に示すように、透明ガラス基板10上に、例えば真空蒸着法を用いてITO(Indium Tin Oxide)膜を蒸着して、ITO陽極12を形成する。続いて、このITO陽極12上に、例えば塗布法を用いて、フォトレジスト層14を形成する。このフォトレジスト層14の材料としては、例えば耐熱性のポリイミド系レジストに、レーザ色素として知られるローダミン系色素やクマリン系色素等を混入したものを用いる。
【0014】
その後、フォトリソグラフィ法を用いて、UV(ultra-violet rays;紫外線)照射による露光及び現像を行い、フォトレジスト層14を所望のパターンにパターニングする。このとき、フォトレジスト層14はフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされるため、微細なパターンのフォトレジスト層14を高精度に形成することが可能である。
【0015】
次いで、図2に示すように、ITO陽極12及び所望のパターンにパターニングしたフォトレジスト層14上に、例えば真空蒸着法を用いて、例えばホール輸送層の材料としてのTPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル)、例えば発光層の材料としてのAlq3(トリス(8−キノリノ一ル)アルミニウム)、例えば陰極の材料としてのΑl(アルミニウム)を順に積層して、TPDからなるホール輸送層16、Alq3からなる発光層18、Αl陰極20を形成する。こうして、透明ガラス基板10上に、ITO陽極12、ホール輸送層16、発光層18、及びAl陰極20が順に積層され、各有機EL素子に共通の構造が形成される。
【0016】
次いで、図3に示すように、光源として高出力のレーザ、例えばKr(クリプトン)イオンレーザ又はAr(アルゴン)イオンレーザを用い、透明ガラス基板10の裏側からフォトレジスト層14にレーザ光を照射する。
【0017】
このとき、透明ガラス基板10及びITO陽極12は、Krイオンレーザ又はArイオンレーザが出力する可視領域の波長のレーザ光を透過する。また、ホール輸送層16をなすTPDや発光層18をなすAlq3等の有機物は、レーザ光によっては分解、蒸発し難い。しかし、フォトレジスト層14に含有されているローダミン系色素やクマリン系色素等のレーザ色素は可視領域の波長のレーザ光を吸収する特性をもっている。その結果、こうしたレーザ色素を含有しているフォトレジスト層14は、可視領域の波長のレーザ光の照射により、その分子同士の結合が開裂して、分解、蒸発する。
【0018】
従って、図4に示すように、このフォトレジスト層14の分解、蒸発に伴い、フォトレジスト層14上に積層されたホール輸送層16、発光層18、Al陰極20もフォトレジスト層14と一緒に除去される。即ち、所望のパターンにパターニングしたフォトレジスト層14上のホール輸送層16、発光層18、Al陰極20のみが選択的に除去されて、例えばホール輸送層16はホール輸送層16aとホール輸送層16bに、発光層18は発光層18aと発光層18bに、Al陰極20はAl陰極20aとAl陰極20bにそれぞれ切り離される。
【0019】
そして図5に示すように、ITO陽極12並びにその上に積層されたホール輸送層16a、発光層18a、及びAl陰極20aからなる有機EL素子22aと、ITO陽極12並びにその上に積層されたホール輸送層16b、発光層18b、及びAl陰極20bからなる有機EL素子22bとが分離して形成される。即ち、所望のパターンに従って各有機EL素子が分離して形成されることになる。
【0020】
このように本実施の形態に係る有機EL素子の製造方法によれば、各有機EL素子の分離領域のパターンにパターニングしたフォトレジスト層14をITO陽極12上に形成し、これらITO陽極12及びフォトレジスト層14上にホール輸送層16、発光層18、及びΑl陰極20を順に積層した後、フォトレジスト層14にレーザ光を照射して分解、蒸発させるというレーザアブレーション法を用いて、フォトレジスト層14と共にその上に積層されたホール輸送層16、発光層18、Al陰極20をも除去することにより、各有機EL素子の分離を行うことができる。
【0021】
そして各有機EL素子が分離される精度はフォトレジスト層14のパターンの精度に依存し、このフォトレジスト層14のパターンはフォトリソグラフィ法を用いて微細かつ高精度に形成することが可能であるため、各有機EL素子を高精度に微細化することが可能となる。従って、有機EL素子を用いたフラツトパネルディスプレイにおいて、その画素の高精度な微細化を実現することができる。
【0022】
なお、上記実施の形態に係る有機EL素子の製造方法においては、KrイオンレーザやArイオンレーザ等の高出力のレーザを用い、透明ガラス基板10の裏側からフォトレジスト層14にレーザ光を照射したが、フォトレジスト層14を分解、蒸発するために照射する光の光源としては、レーザに限られるものではなく、例えばフラッシュランプ等を利用することも可能である。また、有機EL素子の微小領域に限らず素子全面の広い範囲に照射してもよい。
【0023】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した通り、本発明に係る有機EL素子の製造方法によれば、透明電極上に所定の形状にパターニングしたレジストを形成し、これら透明電極及びレジスト上に、発光層を含む有機層及び金属電極層を順に積層した後、透明電極側からこの透明電極を透過してレジストに光を照射してレジストを蒸発させ、同時にこのレジスト上の発光層を含む有機層及び金属電極層のみを選択的に除去して、発光層を含む有機層及び金属電極層を分離することにより、各有機EL素子の分離を行うことができる。このとき、各有機EL素子が分離される精度はレジストのパターニング精度に依存し、このレジスト層のパターニングはフォトリソグラフィ法を用いて微細かつ高精度に行うことが可能であるため、各有機EL素子を高精度に微細化することが可能となる。従って、有機EL素子を用いたフラットパネルディスプレイにおいて、その画素の高精度な微細化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一の実施の形態に係る有機EL素子の製造方法を示す工程断面図(その1)である。
【図2】本発明の一の実施の形態に係る有機EL素子の製造方法を示す工程断面図(その2)である。
【図3】本発明の一の実施の形態に係る有機EL素子の製造方法を示す工程断面図(その3)である。
【図4】本発明の一の実施の形態に係る有機EL素子の製造方法を示す工程断面図(その4)である。
【図5】本発明の一の実施の形態に係る有機EL素子の製造方法を示す工程断面図(その5)である。
【符号の説明】
10……透明ガラス基板、12……ITO陽極、14……フォトレジスト層、16、16a、16b……ホール輸送層、18、18a、18b……発光層、20、20a、20b……Al陰極、22a、22b……有機EL素子。
[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL (Electroluminescence) element used as a light emitting element or a display element, and more particularly to a method for manufacturing an organic EL element that performs fine processing using a laser ablation method. is there.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a next-generation flat panel display replacing CRT (Cathode Ray Tube) has attracted much attention. An organic EL element has attracted attention as a display element for a flat panel display, and research is being conducted.
The organic EL element includes a pair of electrodes and at least one organic layer containing a light-emitting substance sandwiched therebetween. It is considered that holes and electrons injected from each electrode during energization move in the organic layer and recombine to generate singlet excitons, and light is emitted from the excitons.
[0003]
In addition, as a structure of such an organic EL element, for example, a two-layer structure such as an anode / hole transport layer / light-emitting layer / cathode, or an anode / light-emitting layer / electron transport layer / cathode, or an anode / hole transport layer / light-emitting layer / There is a three-layer structure of electron transport layer / cathode.
[0004]
In addition, in the method for producing an organic EL element having such a laminated structure, for example, a vacuum deposition method or an ion beam sputtering method is used to form an electrode, and an organic layer such as a hole transport layer, a light emitting layer, or an electron transport layer is used. For example, a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, an LB method, or the like is used.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when producing a flat panel display in which a large number of organic EL elements are arranged, it is required to accurately form each organic EL element.
However, when an organic EL element is formed by using the above-described conventional vacuum deposition method or the like, pattern deviation occurs due to a slight gap between the patterned mask and the substrate, so that it is very difficult to manufacture each organic EL element with high accuracy. It was difficult. Further, even when trying to miniaturize each organic EL element, it is difficult to miniaturize the organic EL element because there is a limit to the miniaturization of the pattern of the mask to be patterned.
[0006]
Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a method for manufacturing an organic EL element capable of forming an organic EL element having a fine element pattern with high accuracy. .
[0007]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies in order to solve the above problems, the inventors of the present invention used a laser ablation method to irradiate a minute region in which each organic EL element is to be separated with a high-power laser, and the minute separation region. It has been conceived that by evaporating the substance provided on the organic EL element, each organic EL element can be separated and an organic EL element having a fine element pattern can be formed with high accuracy. Therefore, the said subject is achieved by the manufacturing method of the organic EL element which concerns on the following this invention.
[0008]
That is, the organic EL device manufacturing method according to claim 1 includes a first step of forming a resist patterned in a predetermined shape on a transparent electrode, and an organic layer including a light emitting layer on the transparent electrode and the resist. A second step of forming a layer, a third step of forming a metal electrode layer on the organic layer including the light-emitting layer, and irradiating the resist through the transparent electrode from the transparent electrode side And evaporating the resist, selectively removing only the organic layer and the metal electrode layer including the light emitting layer on the resist, and the organic layer including the light emitting layer stacked on the transparent electrode and And a fourth step of separating the metal electrode layer.
[0009]
As described above, in the method for producing an organic EL device according to the present invention, a resist patterned in a predetermined shape is formed on a transparent electrode, and an organic layer and a metal electrode layer including a light emitting layer are sequentially formed on the transparent electrode and the resist. After laminating, the resist is irradiated with light through the transparent electrode from the transparent electrode side to evaporate the resist, and at the same time, only the organic layer and the metal electrode layer including the light emitting layer on the resist are selectively removed. By separating the organic layer including the light emitting layer and the metal electrode layer, each organic EL element can be separated. In other words, the accuracy with which each organic EL element is separated depends on the patterning accuracy of the resist, and the patterning of this resist layer can be performed with high precision using a photolithography method. It becomes possible to miniaturize with high precision.
[0010]
In the method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, the organic layer including the light emitting layer is preferably a hole transport layer and a light emitting layer which are sequentially stacked. Therefore, the method for producing an organic EL device according to the present invention can be applied to an organic EL device having a two-layer structure of anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode.
A method for producing an organic EL device according to claim 3 is the method for producing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic layer including the light emitting layer is a light emitting layer and an electron transport layer that are sequentially laminated. It is characterized by that. Therefore, the method for producing an organic EL device according to the present invention can be applied to an organic EL device having a two-layer structure of anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode.
[0011]
In the method for manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, the organic layer including the light emitting layer is preferably a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer which are sequentially stacked. Therefore, the method for producing an organic EL device according to the present invention can be applied to an organic EL device having a three-layer structure of anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode.
[0012]
In the method for manufacturing an organic electroluminescent element, the resist formed on the transparent electrode in the first step contains a dye that absorbs light of a predetermined wavelength, and in the fourth step The light applied to the resist preferably has the predetermined wavelength.
Thus, in the method for producing an organic EL element according to the present invention, by using a resist containing a dye that absorbs light of a predetermined wavelength, and irradiating the resist with light having a predetermined wavelength, When light having this predetermined wavelength is irradiated, the dye contained in the resist absorbs the light and cleaves the bonds between the resist molecules, so that the resist can be easily decomposed and evaporated. Is possible. The resist is preferably one that does not decompose or evaporate during oxygen plasma treatment that is generally used for the purpose of cleaning the surface of the transparent electrode in the production of an organic EL element.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
1 to 5 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an organic EL element according to an embodiment of the present invention.
First, as shown in FIG. 1, an ITO (Indium Tin Oxide) film is deposited on a transparent glass substrate 10 by using, for example, a vacuum deposition method to form an ITO anode 12. Subsequently, a photoresist layer 14 is formed on the ITO anode 12 by using, for example, a coating method. As a material of the photoresist layer 14, for example, a heat-resistant polyimide resist mixed with a rhodamine dye or a coumarin dye known as a laser dye is used.
[0014]
Thereafter, exposure and development by UV (ultra-violet rays) irradiation are performed using a photolithography method, and the photoresist layer 14 is patterned into a desired pattern. At this time, since the photoresist layer 14 is patterned using a photolithography method, it is possible to form the photoresist layer 14 with a fine pattern with high accuracy.
[0015]
Next, as shown in FIG. 2, for example, TPD (N, N′-diphenyl) as a material for a hole transport layer is formed on the ITO anode 12 and the photoresist layer 14 patterned in a desired pattern by using, for example, a vacuum deposition method. -N, N'-di (3-methylphenyl) 4,4'-diaminobiphenyl), for example Alq3 (tris (8-quinolinol) aluminum) as the material of the light-emitting layer, for example Αl ( (Aluminum) are sequentially laminated to form a hole transport layer 16 made of TPD, a light emitting layer 18 made of Alq3, and a cathode 20. Thus, the ITO anode 12, the hole transport layer 16, the light emitting layer 18, and the Al cathode 20 are sequentially laminated on the transparent glass substrate 10 to form a common structure for each organic EL element.
[0016]
Next, as shown in FIG. 3, a high-power laser such as a Kr (krypton) ion laser or Ar (argon) ion laser is used as a light source, and the photoresist layer 14 is irradiated with laser light from the back side of the transparent glass substrate 10. .
[0017]
At this time, the transparent glass substrate 10 and the ITO anode 12 transmit laser light having a wavelength in the visible region output from the Kr ion laser or Ar ion laser. Further, organic substances such as TPD forming the hole transport layer 16 and Alq3 forming the light emitting layer 18 are difficult to decompose and evaporate depending on the laser beam. However, laser dyes such as rhodamine dyes and coumarin dyes contained in the photoresist layer 14 have a characteristic of absorbing laser light having a wavelength in the visible region. As a result, the photoresist layer 14 containing such a laser dye is decomposed and evaporated by cleavage of the bonds between the molecules by irradiation with laser light having a wavelength in the visible region.
[0018]
Therefore, as shown in FIG. 4, as the photoresist layer 14 is decomposed and evaporated, the hole transport layer 16, the light emitting layer 18, and the Al cathode 20 laminated on the photoresist layer 14 are also formed together with the photoresist layer 14. Removed. That is, only the hole transport layer 16, the light emitting layer 18, and the Al cathode 20 on the photoresist layer 14 patterned into a desired pattern are selectively removed. For example, the hole transport layer 16 is composed of the hole transport layer 16a and the hole transport layer 16b. The light emitting layer 18 is separated into the light emitting layer 18a and the light emitting layer 18b, and the Al cathode 20 is separated into the Al cathode 20a and the Al cathode 20b.
[0019]
And as shown in FIG. 5, the organic EL element 22a which consists of the ITO anode 12, the hole transport layer 16a laminated | stacked on it, the light emitting layer 18a, and the Al cathode 20a, the ITO anode 12, and the hole laminated | stacked on it. The transport layer 16b, the light emitting layer 18b, and the organic EL element 22b including the Al cathode 20b are separately formed. That is, each organic EL element is formed separately according to a desired pattern.
[0020]
As described above, according to the method of manufacturing the organic EL element according to the present embodiment, the photoresist layer 14 patterned in the pattern of the separation region of each organic EL element is formed on the ITO anode 12, and the ITO anode 12 and the photo Using a laser ablation method in which a hole transport layer 16, a light emitting layer 18, and a cathode 20 are sequentially laminated on the resist layer 14, and then the photoresist layer 14 is decomposed and evaporated by irradiating the photoresist layer 14 with a laser beam. By removing the hole transport layer 16, the light emitting layer 18, and the Al cathode 20 laminated thereon together with 14, each organic EL element can be separated.
[0021]
The accuracy with which each organic EL element is separated depends on the accuracy of the pattern of the photoresist layer 14, and the pattern of the photoresist layer 14 can be formed finely and with high accuracy using a photolithography method. It becomes possible to miniaturize each organic EL element with high accuracy. Therefore, in a flat panel display using an organic EL element, it is possible to realize highly precise miniaturization of the pixel.
[0022]
In the method of manufacturing the organic EL element according to the above embodiment, a laser beam is irradiated onto the photoresist layer 14 from the back side of the transparent glass substrate 10 using a high-power laser such as a Kr ion laser or an Ar ion laser. However, the light source for irradiating to decompose and evaporate the photoresist layer 14 is not limited to the laser, and for example, a flash lamp or the like can be used. Moreover, you may irradiate not only the micro area | region of an organic EL element but the wide range of the element whole surface.
[0023]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the method for manufacturing an organic EL element according to the present invention, a resist patterned in a predetermined shape is formed on a transparent electrode, and an organic layer including a light emitting layer is formed on the transparent electrode and the resist. after stacking the layers and a metal electrode layer are sequentially passes through the transparent electrode from the transparent electrode side resist the resist is evaporated by irradiating light to, at the same time the organic layer and a metal electrode layer containing a light-emitting layer on the resist only Each organic EL element can be separated by selectively removing and separating the organic layer including the light emitting layer and the metal electrode layer. At this time, the accuracy with which each organic EL element is separated depends on the patterning accuracy of the resist, and the patterning of the resist layer can be performed finely and with high precision using a photolithography method. Can be miniaturized with high accuracy. Therefore, in a flat panel display using an organic EL element, it is possible to realize highly accurate miniaturization of the pixel.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process cross-sectional view (No. 1) showing a method for manufacturing an organic EL element according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a process cross-sectional view (part 2) illustrating the method for manufacturing the organic EL element according to the embodiment of the invention.
FIG. 3 is a process cross-sectional view (part 3) illustrating the method for manufacturing the organic EL element according to the embodiment of the invention.
FIG. 4 is a process cross-sectional view (part 4) illustrating the method for manufacturing the organic EL element according to the one embodiment of the present invention;
FIG. 5 is a process cross-sectional view (part 5) illustrating the method for manufacturing the organic EL element according to the embodiment of the invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Transparent glass substrate, 12 ... ITO anode, 14 ... Photoresist layer, 16, 16a, 16b ... Hole transport layer, 18, 18a, 18b ... Light emitting layer, 20, 20a, 20b ... Al cathode , 22a, 22b: Organic EL elements.

Claims (7)

透明電極上に、所定の形状にパターニングしたレジストを形成する第1の工程と、前記透明電極及び前記レジスト上に、発光層を含む有機層を形成する第2の工程と、前記発光層を含む有機層上に、金属電極層を形成する第3の工程と、前記透明電極側からこの透明電極を透過して前記レジストに光を照射して、前記レジストを蒸発させると共に、前記レジスト上の前記発光層を含む有機層及び前記金属電極層のみを選択的に除去し、前記透明電極上に積層した前記発光層を含む有機層及び前記金属電極層を分離する第4の工程とを有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。A first step of forming a resist patterned in a predetermined shape on the transparent electrode; a second step of forming an organic layer including a light emitting layer on the transparent electrode and the resist; and the light emitting layer. A third step of forming a metal electrode layer on the organic layer; and irradiating the resist with light through the transparent electrode from the transparent electrode side to evaporate the resist; and And a fourth step of selectively removing only the organic layer including the light emitting layer and the metal electrode layer, and separating the organic layer including the light emitting layer and the metal electrode layer stacked on the transparent electrode. A method for producing an organic electroluminescent device. 請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光層を含む有機層が、順に積層されたホール輸送層及び発光層であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。2. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic layer including the light emitting layer is a hole transport layer and a light emitting layer that are sequentially stacked. 請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光層を含む有機層が、順に積層された発光層及び電子輸送層であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。2. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic layer including the light emitting layer is a light emitting layer and an electron transport layer that are sequentially stacked. 請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光層を含む有機層が、順に積層されたホール輸送層、発光層、及び電子輸送層であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。2. The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic layer including the light emitting layer is a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer that are sequentially stacked. Production method. 請求項1乃至4のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記第1の工程における、前記透明電極上に形成する前記レジストが、所定の波長の光を吸収する色素を含有し、前記第4の工程における、前記レジストに照射する光が、前記所定の波長を有していることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。In the manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claims 1 thru | or 4, the said resist formed on the said transparent electrode in a said 1st process contains the pigment | dye which absorbs the light of a predetermined wavelength. The method for producing an organic electroluminescent element according to the fourth step, wherein the light applied to the resist has the predetermined wavelength. 請求項5記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記レジストの材料として、耐熱性のポリイミド系レジストに、レーザー色素であるローダミン系色素やクマリン系色素を混入したものを用いることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。6. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the resist material is a heat-resistant polyimide resist mixed with a rhodamine dye or coumarin dye as a laser dye. Manufacturing method of organic electroluminescent element. 請求項5記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記レジストに照射される光は、Krイオンレーザ又はArイオンレーザであること6. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the light applied to the resist is a Kr ion laser or an Ar ion laser. を特徴とする有機電界発光素子の製造方法。The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by these.
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