JP3829400B2 - 電話線のインターフェイスの過電圧に対する保護 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電話交換局、より詳細には電話線と交換局の間のインターフェイスの過電圧に対する保護に関する。現在、当業者には加入者線インターフェイス回路(SLIC)と呼ばれているこの種のインターフェイスは一般に例えば8本の電話線を受ける基板から構成されている。
【0002】
本発明は以下ではこれを応用した枠組みの中で記載するが、本発明は他の電気または電子回路に接続される一つまたは幾つかの電気的導体の保護にも適用できる保護システムを提供することに注目しなければならない。
【0003】
【従来の技術】
図1はSLICの従来の実施態様を示している。加入者電話線の導体T及びR(チップ及びリング)とSLICインターフェイス1の間に、リンギングリレーと呼ばれる反転用リレーの回路2が置かれている。リンギングリレーは二つの動作モードの間で電話線を切り替える役目をする。一番目の所謂“リンギング”動作モードにより導体T及びRはそれぞれリレーI1及びI2を通し電話線3a及び3bを経由してリンギング発生器3に接続される。(図1に示している)二番目の所謂“音声”動作モードでは、導体T及びRはリレーI1及びI2を通り、電話線E1 及びE2 を経由して回路1に接続されている。
【0004】
SLIC回路1は該2つの動作モードの間でトランジスタを制御している。回路1はリレーI1及びI2を動作させるブロック5を制御するための二つの状態の信号を発生する制御出力4を有している。ブロック5の制御は一般にトランジスタTcを通して行われ、該トランジスタのトランスミッタは接地され、コレクタはブロック5の制御入力に接続され、ベースは抵抗Rcを通して端子4に接続されている。ブロック5は正電圧V(一般的には約5ボルト)が供給されている。他の方法として、トランジスタTcと抵抗Rcからなる構成部品はSLIC回路1内に集約することができる。
【0005】
SLIC回路とリンギング発生器3の通常の保護は線路とリレー回路2の間に保護装置6を置き、更にSLIC回路1と回路2の間に保護装置7を置くことにより行われる。
【0006】
装置6は線路電圧が所定の閾値、例えば±200ボルトの電圧を越えるとすぐ、導体T及びRの一方または他方を接地することにより、リレーI1及びI2が線路に接続される時(リンギングモード)リンギング発生器3を保護する。電圧の閾値の選択はリンギング発生器の動作モードにより決定される。該リンギングモードでは、リンギング信号と呼ばれる交流電圧は線路に加えられ、一般に実効値が50ボルトから100ボルトの間のピーク値を有している。装置6の機能は該リンギングピーク電圧より高いあらゆる電圧を押えることである。
【0007】
保護装置7はリレー回路2の接点が線路に接続される時(図1に示す位置で、通話モード)SLIC回路1を保護する機能を有している。装置7は線路上の電圧が線路上の通常の電圧レベルに対応した所定の閾値を越えるとすぐ接続子TまたはRの一方または他方を接地する働きをする。通話モードでは、回路1には基準として接地を使用した一般に直流−30ボルトと−70ボルトの間に入る負電圧(例えば−48ボルト)が供給されている。この電圧は“バッテリー電圧”と呼ばれている。線路側にある回路1のそれぞれE1 及びE2 の入力は該バッテリー電圧より負であるあらゆる電圧と共に、あらゆる正の電圧から保護される。
【0008】
保護装置6及び7は一般に所謂クローバー装置である。典型的な保護装置の実施例及び該保護装置の例の電流−電圧特性をそれぞれ図2A及び図2Bに示している。
【0009】
図2Aは導体T又はRの一方に対するクローバータイプの片側保護回路の従来の実施態様を示している。図2Aにおいて、導体T及びRのそれぞれと接地の間の構造は同じなので保護装置6の半分のみ示している。
【0010】
図2Aに示す保護として(導体Tの保護)、装置6は導体Tと接地の間に取り付けられた1番目のアノード−ゲートサイリスタTh1 を含んでおり、該サイリスタのカソードは接地されている。サイリスタTh1 のゲートはアバランシェダイオードZ1 のカソードに接続され、そのアノードは接地されている。ダイオードZ1 のアバランシェ電圧を越える正の過電圧が導体Tに生ずると、ダイオードZ1 はアバランシェを開始し、サイリスタTh1 をオンにする。装置6は導体Tと接地の間に取り付けられた二番目のカソード−ゲートサイリスタTh2 を含んでおり、そのアノードは接地されている。サイリスタTh2 のゲートはサイリスタTh1 に関連したアバランシェダイオードZ1 のバイアスと反対にバイアスされ取り付けられた二番目のアバランシェダイオードZ2 を通して接地されている。ダイオードZ2 はアバランシェ電圧を越える負の過電圧が導体Tに生ずる時アバランシェを開始し、サイリスタTh2 がオンとなる。
【0011】
ダイオードZ1 及びZ2 のアバランシェ電圧は例えば±200ボルトである回路保護閾値電圧に対応して設定される。
【0012】
図2Bは図2Aに示すような保護回路の電流−電圧特性を示している。この図はサイリスタTh1 及びTh2 の電圧Vt に基づき導通するサイリスタTh1 及びTh2 を通る電流It の形を示している。曲線の右側部分はサイリスタTh1 及びダイオードZ1 の動作に対応しており、曲線の左側部分はサイリスタTh2 及びダイオードZ2 の動作に対応している。
【0013】
SLICと回路2の間にある保護装置7は装置6の保護装置と同じ構造を有しているが、例えば0ボルトと−50ボルトのように異なる非対称のトリガ用閾値を有している。音声モードでは、装置6は装置7が最初にトリガされるので必要ないことに注意する必要がある。
【0014】
図1に示すようなシステンムの欠点は、離れて電源が供給され取り付けられる少なくとも二つの保護装置が必要であるので、保護の費用が高いことである。
【0015】
この種のシステムの他の欠点は、リレーI1とI2により線路がSLIC回路1に接続される時過電圧を生ずるならば保護装置7は動作を開始する。しかし、過負荷の期間、強い電流がリレーI1及びI2の接点を通して流れ、これにより該接点に損傷を与える危険が生じ、静止リレーを使用することができない。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明は過負荷の場合リンギングリレー内に過度な電流の発生を避けることができる加入者のインターフェイスを保護する新規なシステムを提示することにより周知の保護システムの欠点を解決している。
【0017】
より一般的には、本発明は少なくとも一つのリレーを通し少なくとも一つの導体に接続された回路を保護し、異なる保護の閾値を有することが求められているシステムを提示している。
【0018】
これらの目的を達成するため、本発明は電話交換局と加入者線に接続されたリレーとの間の過負荷に対し保護を行うための方法を提示している。本方法は加入者線とリレーとの間に、単独の保護装置を接続する段階を含んでおり、該保護装置の動作のパラメータは該リレーを制御するため加入者インターフェイスが発生する信号に基づき決定される。
【0019】
言い換えれば、本発明は電話交換局と加入者線に接続されたリレーとの間のインターフェイス内の過負荷に対し保護するための装置を提示しており、該保護装置は線路の各導体に対し、過電圧が閾値を越える場合該導体を接地する少なくとも一つのスイッチング手段と、該リレーを制御するための信号に基づく閾値を自動的に設定するための少なくとも一つの手段とを含んでいる。
【0020】
本発明の一つの実施態様によれば、該閾値を設定するための手段は該スイッチング手段の電圧制御端子と所定の電位との間に取り付けられたスイッチを含み、該スイッチはインターフェイスが発生し該リレーを制御するための信号の状態に基づき制御される。
【0021】
本発明の他の実施態様によれば、該スイッチング手段は導体と接地との間に取り付けられたサイリスタを含み、該サイリスタのゲートはアバランシェダイオードを介して接地されており、前記スイッチング手段の動作モードを、閾値がダイオードのアバランシェ電圧に対応している一番目の動作モードと、該閾値が所定の電位に対応している二番目の動作モードとの間に設定する設定手段がもうけられる。
【0022】
本発明の更に他の実施態様によれば、該スイッチは該リレーを制御する信号の状態に応じて制御されるトランジスタを含んでいる。
【0023】
本発明の更に他の実施態様によれば、該装置は各導体に対し正の過電圧に対し保護する一番目のユニットと、負の過電圧に対し保護する二番目のユニットを含んでおり、それぞれのユニットはスイッチング手段に関連したスイッチを含んでいる。
【0024】
本発明の更に他の実施態様によれば、一番目のユニットのスイッチに関連した所定の電位は接地電圧であり、二番目のユニットのスイッチに関連した所定の電位はインターフェイスのバッテリー電位に対応している。
【0025】
本発明の他の様相によれば、電話交換局と加入者線に接続されたリレーとの間の過負荷に対する保護のシステムは線路とリレーとの間に結合された単独の保護装置を含んでいる。
【0026】
本発明の更に他の様相によれば、少なくとも一つのリレーを通り少なくとも一つの導体に接続される二つの回路を過負荷に対し保護するシステムは、導体と二つの電圧制御スイッチング手段を含むリレーとの間に結合された保護装置を含んでおり、過電圧が二つの閾値の間の一つを越えた時該導体を基準電位に接続し、該閾値により該回路の一つに関連した動作範囲が定められる。保護装置は更に該リレーを制御する信号に基づき閾値のそれぞれを自動的に設定する二つの手段を含んでいる。
【0027】
本発明の更に他の実施態様によれば、閾値を設定するそれぞれの手段は関連したスイッチング手段の制御端子を所定の電位に接続するスイッチを含んでおり、該制御端子は更にアバランシェダイオードを通り接地されている。
【0028】
本発明のこれらの目的、特徴及び利点は他のものと同様に添付の図面に関連して述べる本発明の実施態様の以下の詳細な記載から明らかになる。
【0029】
【発明の実施の形態】
明確にするため、同じ構成部品は異なる図面でも同じ参照番号により記載している。
【0030】
図3は本発明に基づく保護システムの一番目の実施態様を示している。
【0031】
本発明の特徴はSLIC回路1とリンギング発生器3の両方に対し単独の保護装置10を与えることである。図3は図1と同じタイプの図であるが、従来の保護装置6と7は(図1)本発明に基づくただ1つの保護装置10で置き換えられている。
【0032】
前述のように、コイルで制御されたリンギングリレーI1及びI2又は他の検出及び制御回路を含む回路2は一方では加入者線(導体T及びR)に、他方ではSLICインターフェイス1及びリンギング発生器3に接続されている。
【0033】
本発明の特徴は保護装置10がリレーI1及びI2の位置に基づく二つの動作モードを有していることである。装置10の動作モードの選択は一番目の出力端子4を通して回路1が発生し回路2を制御する信号により行われる。
【0034】
装置10は回路2と線路の間に置かれ、過負荷がリレーI1及びI2に届く前に電話線から過負荷を押える。本発明に基づく保護装置は更にリレー回路2も保護し、静止リレーの使用を可能にする。
【0035】
図4は装置10の一番目の部分的な実施態様の一部の概略を示している。図4では、装置10の半分のみ示している(導体T又はRの一方の過負荷に対する保護を行う)。全体の保護装置10は図4に示すような二つの構成部品を含んでおり、それぞれ導体T及びRに関連している。
【0036】
本発明によれば、保護装置10はそれぞれの導体R又はTに対し、正の過電圧に対するユニット11と負の過電圧に対するユニット12を含んでいる。
【0037】
ユニット11は導体T又はRと接地の間に取り付けられたアノード−ゲートサイリスタTh1 を含んでいる。サイリスタTh1 のゲートも一番目のアバランシェダイオードZ1 を通して接地されている。
【0038】
本発明の特徴は一番目のスイッチK1がダイオードZ1と並列に取り付けられており、リレー回路2を制御するための信号4により制御されていることである。
【0039】
スイッチK1の機能はリレーI1及びI2(図3)が線路とインターフェイス1の間の接触を行う時(音声モード)アバランシェダイオードZ1 の回路を短絡することにより保護にトリガーをかける所定の電位を設定し正の電圧が導体T又はRに現れるとすぐにサイリスタTh1 をオンにすることである。
【0040】
リンギングモードでは、即ち導体T及びRとリンギング発生器3との間の接触が行われる時、スイッチK1はオープンでありアバランシェダイオードZ1 に関連したサイリスタTh1 は図2Aに示す従来の装置のように動作する。
【0041】
ユニット12は導体T又はRと接地との間に取り付けられたカソード−ゲートサイリスタTh2 を含んでいる。サイリスタTh2 のゲートもアバランシェダイオードZ2 を通して接地されている。
【0042】
本発明の特徴はユニット12がサイリスタTh2 のゲートと負の電位−Vbatとの間に二番目のスイッチK2を含んでいることであり、該負の電位はインターフェイス1を保護するための負の電位の閾値、即ちバッテリー電圧−Vbatに対応して決定される。
【0043】
スイッチK2はリレーI1及びI2が線路とSLICインターフェイス1の間の接触を行うように置かれている時(音声モード)サイリスタTh2 のゲートの電位を電位−Vbatにする機能を有している。電位−VbatはスイッチK2の端子を加入者基板、例えばSLICインターフェイス1の二番目の出力端子13に存在するバッテリー電圧に接続することにより得られる。このように、音声モードでは、線路T又はRの上の電位が−Vbatより更に負になるとすぐ保護が働く。本発明によれば、スイッチK2はスイッチK1のように信号4により制御される。
【0044】
リンギングモードでは、スイッチK2はオフであり、ユニット12は図2Aに関連して述べた従来の回路と同じく動作する。
【0045】
このように各スイッチK1又はK2はユニットのトリガー用電位をリレーI1及びI2の制御用信号の状態に基づく所望の値に自動的に設定する手段11、 12を構成している。Z1 又はZ2 であるダイオードのアバランシェ電圧に対応したトリガー用電位の一番目の値と、0又は−Vbatである所定の電位に対応した二番目の値にそれぞれK1又はK2のスイッチが接続される。
【0046】
このように、本発明に基づく保護装置10のパラメータは二つの動作モード(音声及びリンギング)の間で決定される。更に、該動作モードの選択は本発明に基づきSLICインターフェイスで利用される制御信号により自動的に行われ、従来の回路のようにリレー回路2を制御することを意味している。
【0047】
本発明の利点は、単独の保護装置がSLICインターフェイス1、リンギング発生器3更にリレー回路2も線路からの過電圧に対し保護している。
【0048】
図5及び図6はそれぞれ本発明に基づく保護装置に部品が追加された二つの詳細な実施態様を示している。図5に示す最初の実施態様は図3に示すようなシステムに対する保護装置の実際的な実施例に対応しており、リレー回路2の制御トランジスタTc及び制御抵抗RcはSLICインターフェイス1の外側にある。図6に示す二番目の実施態様は、SLIC回路が制御トランジスタTcと抵抗Rcを集約しており、出力4に一番目の実施態様に対し反転された制御信号を発生するシステムに使用されている。
【0049】
図5に示す一番目の実施態様では、スイッチK1はNPN両極性トランジスタT1からなり、該トランジスタのトランスミッタは接地され、コレクタはサイリスタTh1 のゲートに接続されている。トランジスタT1のベースは保護抵抗Rpを通り導体T又はRに接続されていると共にNPNトランジスタT3のコレクタに接続されている。トランジスタT3はそのベースに抵抗R1を通り、SLICインターフェイス1の端子4が発生する制御信号を受ける。トランジスタT3のトランスミッタは接地されていると共に、抵抗R2を通りベースに接続されている。抵抗R1及びR2の機能はトランジスタT3にバイアスを与えることである。
【0050】
図5に示す実施態様では、端子4が発生する制御信号は音声モードではローの状態(0ボルト)にあり、リンギングモードではハイの状態(5ボルト)にあると仮定している。
【0051】
リンギングモードではトランジスタT3は抵抗R1を通りベース電流を受けこのように飽和する。トランジスタT1はそのベースがゼロボルトのレベルにあるのでこのように動作を停止する。これはスイッチK1のオフ状態に対応している。
【0052】
音声モードでは、トランジスタT3は動作を停止し、導体T又はRの電圧が正の時トランジスタT1のベースはこの様に電流を受ける。この様に、導体T又はRの電圧が正になるとすぐにトランジスタT1は飽和し、更にこの様にあらゆる正の過電圧を押える。トランジスタT1の保護抵抗Rpはこのトランジスタが飽和する様に選択されている。
【0053】
例えば、特別な実施態様では、1kΩの値が抵抗R1及びR2用に選択でき、10kΩの値が抵抗R3用に選択できる。
【0054】
ユニット12のスイッチK2はNPNタイプの両極性トランジスタT2からなり、該トランジスタのトランスミッタはサイリスタTh2 のゲートに接続され、コレクタは電圧−Vbatを発生する端子13に接続されている。トランジスタT2のベースは抵抗R7を通りPNP両極性トランジスタT4のコレクタに接続され、そのトランスミッタは接地され、更にベースは抵抗R4を通して端子4に接続されている。トランジスタT2のベースも抵抗R5を通りそのトランスミッタに接続され、トランジスタT4のベースは抵抗R6を通りトランジスタT2のコレクタに接続されている。
【0055】
リンギングモードでは、トランジスタT4のベース−トランスミッタ接合は端子4が正の電位にあるので逆バイアスされている。トランジスタT4はこの様に動作が停止され、トランジスタT2も抵抗R5により動作が停止されている。これはスイッチK2のオフ状態に対応している。
【0056】
音声モードでは、トランジスタT4は抵抗R4及びR6によりバイアスされ、この様に飽和している。この様に、電流は飽和するトランジスタT2のベースを通して流れる。これはスイッチK2のオン状態に対応している。
【0057】
抵抗R5の値はトランジスタT2の動作の停止がリンギングモードになる様に選択されている。トランジスタT4のバイアス電圧を分割するブリッジを構成する抵抗R4とR6は、端子4がゼロ電位である時それらの中間点(トランジスタT4のベース)が−0.6ボルト未満の電位である様に選択され、更に端子4が他の状態に対応した電位(例えば5ボルト)である時トランジスタT4のベースが−0.6ボルトを越える電位である様に選択される。
【0058】
例えば、特別な実施態様では、抵抗R4は100Ωの値を、抵抗R5は1MΩの値を、更に抵抗R6は4.7kΩの値を有している。
【0059】
トランジスタT1(ユニット11)及びT2(ユニット12)はダイオードZ1 及びZ2 のアバランシェ電圧に少なくとも等しい電圧を生ずる様に選択されている。この状態はトランジスタT3のみが端子4の制御電圧を見ているのでトランジスタT3(ユニット11)には必要でない。
【0060】
前述の記載では、過電圧が無視できる場合、サイリスタTh1 及びTh2 のスイッチングにベース−エミッタ間の電圧、及び抵抗による電圧の影響がある。
【0061】
図6は制御トランジスタTcと制御抵抗RcがSLICインターフェイス回路1に集約され、更に端子4がリンギング状態ではロー状態にあり音声モードではハイ状態にある制御信号を発生する場合の保護装置10の二番目の詳細な実施態様を示している。
【0062】
この場合、図5のユニット11のトランジスタT3はもはや必要ではなく、ユニット11’の抵抗R2(図6)は直接トランジスタT1に取り付けられる。ユニット12’に対し、インターフェイス1の端子4から発生する信号は反転される必要がある。これを行うため、抵抗R3とNPN両極性トランジスタT5は端子4とトランジスタT4のベースの間に挿入されている。トランジスタT5のコレクタはトランジスタT4のベースに接続されているが、そのトランスミッタは接地されている。トランジスタT5のベースは抵抗R3を通り端子4に接続されている。
【0063】
図6に示す実施態様の動作は図5に関連して述べた動作から推論できる。
【0064】
本発明は当業者が容易に考えられる種々の変更、修正及び改善を有していることは勿論である。特に、抵抗の値の選択は保護装置の動作電圧により左右される。同様に、種々の両極性トランジスタは必要な場合MOSトランジスタと置き換えられる。
【0065】
更に、本発明も回路がリレーを通して1つ又は幾つかの導体に接続され、保護の閾値が各回路に対し異なるあらゆるシステムに適用できる。この種の応用においては、基準電圧は接地でなく正又は負の電位であることに注意する必要がある。更に、あらゆるユニット11又は12は二つの導体の間で対称的に又は非対称的に動作する様に与えることができる。更に、保護される導体の数は必ずしも二つでなく多くの数とすることができる。
【0066】
この種の変更、修正及び改善はこの開示の一部であり、本発明の精神及び範囲の中である。従って、前述の記載は一例であり、これにより制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術の状態及び解決すべき問題を示す図である。
【図2A】従来の技術の状態及び解決すべき問題を示す図である。
【図2B】従来の技術の状態及び解決すべき問題を示す図である。
【図3】本発明による保護システムの実施態様のブロック図である。
【図4】図3のシステムに適用でき本発明に基づく保護装置の一番目の実施態様の部分的及び概略的な図である。
【図5】本発明に基づく保護装置の一部の一番目の実施態様の詳細な電気回路図である。
【図6】本発明に基づく保護装置の一部の二番目の実施態様の詳細な電気回路図である。
【符号の説明】
1 SLIC回路
2 反転リレーの回路
3 リンギング発生器
4 制御出力
5 リレーI1及びI2を動作させるブロック
6 保護装置
7 保護装置
10 単独の保護装置
11 正の過電圧に対するユニット
12 負の過電圧に対するユニット
13 SLICインターフェイスの二番目の出力端子
Claims (8)
- 電話交換局と加入者線(T,R)に接続されたリレー(I1,I2)との間のインターフェイス(1)を過負荷に対して保護する装置であって、該加入者線の各導線(T,R)に対し閾値を越える過電圧の場合該導線(T,R)を接地するための少なくとも1つのスイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)を含み、前記リレー(I1,I2)を制御するための信号に基づいて閾値を自動的に設定する少なくとも1つの設定手段(K1,K2)を含み、
前記スイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)が導体(T,R)と接地との間に取り付けられたサイリスタ(Th1;Th2)を含み、該サイリスタのゲートがアバランシェダイオード(Z1;Z2)を介して接地され、
前記設定手段(K1,K2)は、前記スイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)の動作モードを、閾値がダイオード(Z1;Z2)のアバランシェ電圧に対応している一番目の動作モードと、閾値が所定の電位(0;−Vbat)に対応している二番目の動作モードの間で切り替えるように構成されることを特徴とする保護装置。 - 閾値を設定するための手段がスイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)の電圧制御端子と所定の電位(0,−Vbat)の間に取り付けられたスイッチ(K1;K2)を含み、該スイッチ(K1;K2)がインターフェイス(1)により発生されリレー(I1,I2)を制御するための信号の状態に基づき制御されることを特徴とする請求項1に記載の保護装置。
- スイッチ(K1;K2)がリレー(I1,I2)を制御するための信号の状態に基づき制御されるトランジスタ(T1;T2)を含むことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の保護装置。
- 各導体(T,R)に対し、正の過電圧に対し保護する一番目のユニット(11,11’)と負の過電圧に対し保護する二番目のユニット(12,12’)とを含み、それぞれのユニット(11,11’;12,12’)がスイッチ手段(Th1−Z1;Th2−Z2)に関連したスイッチ(K1;K2)を含むことを特徴とする請求項2から3のいずれか1つに記載の保護装置。
- 一番目のユニット(11,11’)のスイッチ(K1)に関連した所定の電位が接地電圧であり、二番目のユニット(12,12’)のスイッチ(K2)に関連した所定の電位がインターフェイス(1)のバッテリー電位(−Vbat)に対応していることを特徴とする請求項4に記載の保護装置。
- 電話交換局と加入者線(T,R)に接続されたリレー(I1,I2)との間のインターフェイス(1)を過負荷に対し保護するシステムであって、該加入者線(T,R)とリレー(I1,I2)の間に請求項1から5のいずれか1つに記載の単独の保護装置を含むことを特徴とする保護システム。
- 少なくとも一つのリレー(I1,I2)を通り少なくとも一つの導体(T,R)に接続された2つの回路(1,3)を過負荷に対し保護するシステムであって、
該回路(1,3)の一つに関連した動作範囲を定める2つの閾値の一つを越える過電圧の場合、導体(T,R)を基準電位(0)に接続する2つの電圧制御スイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)と;
リレー(I1,I2)を制御するための信号に基づく閾値のそれぞれを自動的に設定する2つの設定手段(K1,K2)とを含み、
前記スイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)が導体(T,R)と接地との間に取り付けられたサイリスタ(Th1;Th2)を含み、該サイリスタのゲートがアバランシェダイオード(Z1;Z2)を通り接地され、
前記設定手段(K1,K2)は、前記スイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)の動作モードを、閾値がダイオード(Z1;Z2)のアバランシェ電圧に対応している一番目の動作モードと、閾値が所定の電位(0;−Vbat)に対応している二番目の動作モードの間で切り替えるように構成される保護装置を導体(T,R)とリレー(I1,I2)の間に含むことを特徴とする保護システム。 - 閾値を設定するためのそれぞれの手段が関連のあるスイッチング手段(Th1−Z1;Th2−Z2)の制御端子を所定の電位(0,−Vbat)に接続するスイッチ(K1,K2)を含み、該制御端子が更にアバランシェダイオード(Z1,Z2)を通り接地されていることを特徴とする請求項7に記載の過負荷に対する保護システム。
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