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JP3823774B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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JP3823774B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶などの電気光学物質を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置において電気光学物質を駆動するためのストライプ状電極の構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表示部として、液晶装置などの電気光学装置が広く用いられている。このような電気光学装置のうち、例えば、能動素子として2端子型非線形素子であるTFD素子(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置では、TFD素子および画素電極がマトリクス状に形成された素子基板と、ストライプ状電極が形成された対向基板とがシール材を介して所定の間隙を介して貼り合わされ、これらの基板間のうち、シール材で区画された領域内に液晶が注入、保持されている。
【0003】
ここで、対向基板は、図16に示すように、シール材6で区画される領域内に、ストライプ状電極からなる液晶駆動用のデータ線52が複数、所定の間隔を介して並列して形成されているとともに、データ線52の各々からは、液晶駆動用ICチップの実装領域80bに向けて配線部分520が延びている。
【0004】
また、液晶装置においてカラー画像を表示する場合、対向基板7bの各位置での断面(図16のA−A′断面、B−B′断面、C−C′断面、D−D′断面)を図17にそれぞれ示すように、対向基板7bの基体たる透明基板17bの表面側には、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜43、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ40R、40G、40B、絶縁性のオーバーコート層45、データ線52、および配向膜68がこの順に積層されている。ここで、オーバーコート層45は、下層側に形成されたカラーフィルタ40R、40B、40Bによって生じた凹凸を解消するための膜であり、対向基板7bの表面のうち、シール材6で囲まれた領域内の所定領域(図16の二点鎖線L2で囲まれた領域)にのみ形成されている。このため、データ線52は、図16に円F,Gで囲んだ領域をそれぞれ図18(a)、(b)に拡大して示すように、オーバーコート層45の形成領域45aおよび非形成領域45bの双方に跨って等幅で延びている。なお、図16、図18(a)、(b)において、シール材6が形成される領域は一点鎖線L1で示し、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領域45bとの境界部分は二点鎖線L2で示し、画面見切り用の遮光膜44の形成領域は点線L3で示してある。また、図17に示すD−D′断面は、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領域45bの境界部分に相当し、オーバーコート層45は表されているが、遮光膜43、44、およびカラーフィルタ40R、40G、40Bはここには形成されていないので、図には表されていない。
【0005】
このような構成の対向基板7bの製造工程において、データ線52を形成する際には、まず、図19(a)に示すように、透明基板17bの表面に、遮光膜43、44、カラーフィルタ40R、40G、40B、およびオーバーコート層45をこの順に形成した後、オーバーコート層45の上層側に、データ線52を形成するためのITO膜52′を基板表面全体に形成し、次に、ITO膜52′の表面全体に感光性レジスト600を塗布した後、この感光性レジスト600を露光マスク610を介して露光、現像して、図19(b)に示すように、エッチング用のレジストマスク601を形成する。次に、レジストマスク601を介してITO膜52′をドライエッチングなどの方法でパターニングし、図19(c)に示すように、ストライプ状のデータ線52を形成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
液晶装置に対しては画像の高精細化などといった表示品位の向上が強く要求される中、対向基板7bでは、データ線52のピッチをさらに狭め、その分、データ線52の数を増やそうという動きがあるが、このような対応を行うと、データ線52の短絡に起因する不具合が発生しやすくなるという問題点がある。このような不具合について本願発明者が種々、検討を行った結果、以下に述べる理由から、データ線52同士の短絡は、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領域45bとの境界部分で発生しやすいという知見を得た。
【0007】
すなわち、オーバーコート層45は、カラーフィルタ40R、40G、40Bによって生じた凹凸を解消することを目的としていることから、例えば、2000nm〜3000nmという分厚い膜として形成される。このため、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領域45bとの境界には、図17に示すように、大きな段差450が形成され、この段差450上をデータ線52が通ることになる。このため、図19(a)に示す露光工程を行う際、段差450に起因する影の影響によって、本来露光されるべき部分のレジスト600が露光されず、段差450に相当する部分では図19(b)に点線L4で示すように、ITO膜600を除去すべき位置に余計なレジストマスク601′が残ってしまう。その結果、ITO膜52′をパターニングしたとき、図18(a)、および図19(c)に示すように、データ線52の間に余計なITO膜52″が残ってしまい、この余計なITO膜52″によって、データ線52同士が短絡してしまうのである。
【0008】
また、レジスト600に対する露光に異常が発生しなくても、図19(b)に示すパターニング工程で、ITO膜52′をドライエッチングによりパターニングする際、段差450に起因する影の影響でデータ線52の間に余計なITO膜52″が残ってしまい、この余計なITO膜52″によって、データ線52同士が短絡してしまうこともある。
【0009】
しかも、ITO膜52′をスパッタ形成する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタ40R、40G、40Bが形成されている場合には、カラーフィルタ40R、40G、40Bを構成する有機物の耐熱性からみて、ITO膜52′をあまり高温条件下でスパッタ形成することできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成したITO膜52′は、高い精度でパターニングできないので、段差上に余計なITO膜52″が残りやすいという影響もある。
【0010】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ストライプ状電極が段差上を通る構成であっても、この段差上でストライプ状電極が短絡することを確実に回避することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、電気光学物質を保持する第1の基板上の所定領域に絶縁膜が形成されているとともに、該絶縁膜の上層側では当該絶縁膜の形成領域および非形成領域の双方に跨って複数のストライプ状電極が並列に延びている電気光学装置において、前記ストライプ状電極の下層側には、前記絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に相当する部分に段差が形成され、前記複数のストライプ状電極は、前記段差上を通る部分が前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっていることを特徴とする。
【0012】
電気光学装置において、オーバーコート層などとして形成した絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に大きな段差が形成され、この段差上をストライプ状電極が通っている場合でも、本発明では、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分が絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。このため、ストライプ状電極をパターニング形成するためのレジストマスクを形成するための露光時に段差に起因する影によって露光異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。また、ストライプ状電極をパターニング形成するためのドライエッチングを行った際、段差に起因する影によってエッチング異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。
【0013】
本発明において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分は、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分、および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分になっていることが好ましい。ストライプ状電極の幅を狭くすると、この部分の電気的抵抗が大きくなるが、短絡が発生しやすい段差上のみ括れさせた構成であれば、このような電気的抵抗の増大を最小限に止めることができる。
【0014】
本発明において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分が、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して幅が狭くなっている構成であってもよい。ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分は、駆動用ICあるいは外部から信号供給する配線部分として所定のパターンに引きまわれることになるが、このような配線部分を細幅に形成すれば、狭い領域内に多数の配線を引き回すことができるので、ストライプ状電極の数の増大に対応することができる。
【0015】
本発明において、前記絶縁膜は、該絶縁膜の下層側に形成されたカラーフィルタによって形成された凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜である。ストライプ状電極を形成するための導電膜をスパッタ形成する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタが形成されている場合には、カラーフィルタの耐熱性からみて導電膜をあまり高温条件下でスパッタ形成することできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成した導電膜は、高い精度でパターニングできないので、段差上に余計な導電膜が残りやすい。それでも、本発明では、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分の幅が狭くなっているため、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。
【0016】
本発明において、前記ストライプ状電極は、スパッタ形成した膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしてなる。この場合、ストライプ状電極は、ITO膜などといった導電性の金属酸化膜などから構成される。
【0017】
本発明においては、前記ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分については、前記金属酸化膜と金属膜との多層構造になっていることが好ましい。このように構成すると、電極幅が狭くなっている部分の電気的な抵抗を小さくできるので、前記ストライプ状電極に信号供給する際、信号の遅延が発生しない。
【0018】
本発明が適用される電気光学装置は、例えば、前記第1の基板と、該第1の基板とシール材を介して貼り合わされた第2の基板との間のうち、前記シール材で囲まれた領域に前記電気光学物質としての液晶が保持された液晶装置である。
【0019】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器の表示部として用いられる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子としてTFD素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
【0021】
[液晶パネルの構成]
図1は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図2(a)、(b)はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層を挟持する対向基板(第1の基板)および素子基板(第2の基板)のうち、素子基板における1画素分の平面図、および図2(a)のI−I′断面図である。なお、本形態の液晶装置に用いた対向基板は、基本的な構成が共通するので、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
【0022】
図1に示すように、液晶装置に用いられる液晶パネル2では、複数の配線としての走査線51が行方向(X方向)に形成され、複数のデータ線52が列方向(Y方向)に形成されている。走査線51とデータ線52との各交差点に対応する位置には画素53が形成され、この画素53では、液晶層54とTFD素子56とが直列に接続されている。各走査線51は走査線駆動回路57によって駆動され、各データ線52はデータ線駆動回路58によって駆動される。本実施形態において、走査線駆動回路57およびデータ線駆動回路58は、図3を参照して後述する液晶駆動用IC8aおよび液晶駆動用IC8bにそれぞれ構成されている。
【0023】
図2(a)、(b)において、TFD素子56は、素子基板7aの表面に成膜された下地層61の上に形成された第1TFD素子56aおよび第2TFD素子56bからなる2つのTFD素子要素によって、いわゆるBack−to−back構造として構成されている。このため、TFD素子56は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層61は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化タンタル(Ta25)によって構成されている。第1TFD素子56aおよび第2TFD素子56bは、第1金属層62と、この第1金属層62の表面に形成された絶縁層63と、絶縁層63の表面に互いに離間して形成された第2金属層64a、64bとによって構成されている。第1金属層62は、例えば、厚さが100〜500nm程度のTa単体膜、Ta合金膜等によって形成され、絶縁層63は、例えば、陽極酸化法によって第1金属層62の表面を酸化することによって形成された厚さが10〜35nmの酸化タンタル(Ta25)である。
【0024】
第2金属層64a、64bは、例えばクロム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm程度の厚さに形成されている。第2金属層64aは、そのまま走査線51となり、他方の第2金属層64bは、ITO(Indium Tin Oxide)等といった透明導電材からなる画素電極66に接続されている。
【0025】
なお、以下に説明する液晶装置は、透過型であるため、画素電極66をITO膜から構成したが、画素電極66をAl(アルミニウム)等といった光反射性材料によって形成すれば、反射型の液晶装置を構成することができ、この場合、後述するバックライト装置は使用されない。また、画素電極66をAl(アルミニウム)等といった光反射性材料で構成し、かつ、画素電極66の一部に開口部を形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を構成することができる。さらに、画素電極66の下層側などに半透過・半反射性の膜を形成しても半透過・半反射型の液晶装置を構成することができる。このような半透過・半反射型の液晶装置では、夜間などはバックライト装置からの光を利用して画像を表示し、昼間などは外光を利用して画像を表示することができる。
【0026】
また、素子基板7aを構成する基板17aは、対向基板7aを構成する基板17b(図3および図4参照)と同様、例えば、石英、ガラス、プラスチック等によって形成される。ここで、全反射型の場合には基板17aが透明であることは、必須要件ではないが、本実施形態のような透過型の場合、あるいは前記した半透過・半反射型の液晶装置では、素子基板17aが透明であることは必須の要件となる。
【0027】
[液晶装置の構成]
このようにして走査線51およびTFD素子56が形成された素子基板7aは、図3および図4を参照して説明するように、ITO等といった透明導電材からなるデータ線52がストライプ状に形成された対向基板7bと対向配置され、素子基板7aと対向基板7bは、一列分の画素電極66と1本のデータ線52とが互いに対向する位置関係となるように互いに貼り合わされる。対向基板7bの詳細な構成は、図5、図6および図7を参照して後述する。
【0028】
図3および図4はぞれぞれ、液晶装置の分解斜視図およびその断面図である。
【0029】
図3および図4に示すように、液晶装置1は、例えば、液晶パネル2にFPC(Flexible Printed Circuit:可撓性プリント基板)3a、3bを接続し、さらに液晶パネル2の裏面側に導光体4を取り付け、さらに導光体4の裏面側に制御基板5を設けることによって形成される。
【0030】
液晶パネル2において、素子基板7aと対向基板7bとは、これらの基板のうちの一方に環状に塗布されたシール材6によって貼り合わされている。素子基板7aのうち、対向基板7bから張り出す部分の表面には、ACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)9によって液晶駆動用IC8aがCOG(Chip On Glass)実装されている。また、対向基板7bのうち、素子基板7aから張り出す部分には、ACF9によって液晶駆動用IC8bがCOG実装されている。
【0031】
図4に示すように、素子基板7aの内面には、図2(a)、(b)を参照して説明した複数の画素電極66がマトリクス状に形成され、その外面には、光学シートとしての偏光板12aが貼着されている。なお、素子基板7aの内面には液晶Lの配向を揃えるための配向膜67が形成されている。この配向膜67は、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって形成され、ポリイミドのポリマー主鎖がラビング処理によって所定の方向へ延伸されることにより、基板間に封入された液晶L内の液晶分子が配向膜の延伸方向に沿って方向配位する。
【0032】
また、詳しくは後述するが、対向基板7bの内面には複数のデータ線52がストライプ状に形成され、その外面には、光学シートとしての偏光板12bが貼着されている。そして、素子基板7aと対向基板7bとの基板間のうち、シール材6によって区画された間隙(セルギャップ)に液晶Lが封入されている。対向基板7bの内面にも、液晶Lの配向を揃えるための配向膜68が設けられる。この配向膜68も、配向膜67と同様、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって形成される。
【0033】
図3において、素子基板7aの張出し部分には複数の端子13aが形成され、これらの端子は、素子基板7aの表面に画素電極66を形成する際に同時に形成される。また、対向基板7bの張出し部分にも複数の端子13bが形成され、これらの端子は、対向基板7bの表面にデータ線52を形成する際に同時に形成される。FPC3bの端部には複数の端子22が設けられ、ACF等を用いてそれらの端子が対向基板7bの端子13bに導電接続されている。また、FPC3bの他の端部に形成された複数の端子23は、制御基板5の端子(図示せず)に接続されている。FPC3aでは、裏面側端部に複数のパネル側端子14が形成され、その反対側の端部においてその表面側には複数の制御基板側端子16が形成されている。ここで、FPC3aの表面には配線パターン18が適宜、形成され、この配線パターン18は、一方の端部で制御基板側端子16に直接に接続し、他方の端部がスルーホール19を介してパネル端子14に接続している。
【0034】
導光体4の液晶パネル2側の表面には、拡散板27が貼着等によって装着され、導光体4の液晶パネル2と反対側の表面には、反射板28が貼着等によって装着される。また、導光体4の1つの側面に設定された光取込み面4aに対向して発光手段としての複数のLED(Light Emitting Diode)21がLED基板38に支持されて配置されている。
【0035】
図4に示すように、導光体4は、ゴム、プラスチック等によって形成された緩衝材32を挟んで液晶パネル2の裏面側に取り付けられる。また、制御基板5は導光体4の反射板28が装着された面に対向して配設される。なお、制御基板5の端部には、外部回路との接続をとるための端子33が形成される。
【0036】
このように構成した液晶装置1のバックライト装置において、LED21が発光すると、その光が導光体4へ導入され、その導入された光が反射板28で反射して液晶パネル2の方向へ進行し、拡散板27によって平面内で一様な強度となるように拡散された状態で液晶パネル2へ供給される。供給された光は、導光体4側の偏光板12aを通過した成分が液晶Lの層へ供給され、さらに画素電極66とデータ線52との間に印加される電圧の変化に応じて画素毎に配向が制御された液晶Lによって画素毎に変調され、さらにその変調光を表示側の偏光板12bに通すことにより、外部に像を表示する。
【0037】
[対向基板7bの構成]
図5は、本発明を適用した液晶装置に用いた対向基板の平面図である。図6は、図5に示す対向基板を図5のA−A′線、B−B′線、C−C′線、D−D′線で切断したときの断面図である。図7(a)、(b)はそれぞれ、図5に示す対向基板の円Fおよび円Gで囲んだ領域を拡大して示す平面図である。なお、図5、図7(a)、(b)において、シール材が形成される領域は一点鎖線L1で示し、オーバーコート層の形成領域と非形成領域との境界部分は二点鎖線L2で示し、画面見切り用の遮光膜の形成領域は点線L3で示してある。また、図17に示すD−D′断面は、オーバーコート層の形成領域と非形成領域の境界部分に相当し、オーバーコート層は表されているが、遮光膜およびカラーフィルタはここには形成されていないので、図には表されていない。
【0038】
液晶装置1においてカラー表示を行う場合、対向基板24bは、以下に説明するように構成される。まず、図5に示すように、対向基板7aには、シール材6で区画される領域内に、ストライプ状電極からなるデータ線52が複数、所定の間隔を介して並列して形成されているとともに、データ線52の各々からは、液晶駆動用ICチップの実装領域80bに向けて配線部分520が延びている。
【0039】
また、対向基板7aには、図6に対向基板7bの各位置での断面(図5のA−A′断面、B−B′断面、C−C′断面、D−D′断面)をそれぞれ示すように、透明基板17bの表面側には、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜43、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ40R、40G、40B、絶縁性のオーバーコート層45、データ線52、および配向膜68がこの順に積層されている。また、シール材6で囲まれた領域の内側にはシール材6に沿って画面見切り用の遮光膜45が形成され、この遮光膜45で囲まれた領域は、画像が表示される画像表示領域となる。従って、画面見切り用の遮光膜45で囲まれた領域の内側にのみカラーフィルタ40R、40G、40Bや遮光膜43が形成されている。なお、遮光膜43は、図4からわかるように、素子基板7aに形成されている画素電極66に対向しない領域に形成され、カラーフィルタ40R、40G、40Bは、画素電極66に対向する領域に形成されている。
【0040】
再び図6において、オーバーコート層45は、下層側に形成されたカラーフィルタ40R、40B、40Bによって生じた凹凸を解消するための分厚い有機絶縁膜あるいは無機絶縁膜から構成され、その上層側にデータ線52が形成されている。オーバーコート層45は、対向基板7bの表面のうち、画面見切り用の遮光膜45で囲まれた領域よりも広いが、シール材6で囲まれた領域よりも狭い領域に形成されている。これに対して、データ線52は、一方の端部451がオーバーコート層45の形成領域45aからはみ出ている一方、他方側は、オーバーコート層45の形成領域45aからさらにシール材6が形成されている領域を通って液晶駆動用IC8bがCOG実装される領域にまで延びている。このため、データ線52は、図5、図6および図7(a)、(b)に示すように、オーバーコート層45の形成領域45aおよび非形成領域45bの双方に跨って延びている。ここで、オーバーコート層45は、例えば、2000nm〜3000nmという分厚い絶縁膜からなるため、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領域45bとの境界には大きな段差450が形成され、この段差450上をデータ線52が通っている。
【0041】
ここに、データ線52は、段差450上を通る部分が、オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。すなわち、データ線52のうち、段差450上を通る部分は、オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分、およびオーバーコート層45の非形成領域45b上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分525になっている。このため、以下に説明する方法で液晶装置1を製造したとき、データ線52は、段差450上で短絡することがない。
【0042】
[液晶装置1および対向基板7bの製造方法]
図8は、本形態の液晶装置1の製造方法を示す工程図である。図9および図10は、本形態の液晶装置1に用いた対向基板7bの製造方法を示す工程断面図である。
【0043】
図8に示すように、液晶装置1および液晶パネル2を製造するにあたっては、能動素子形成工程P11〜シール材印刷工程P15からなる素子基板形成工程と、遮光膜形成工程P21〜ラビング処理工程P26からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。
【0044】
まず、素子基板7aを形成するにあたっては、基板17aの表面に対して、能動素子形成工程P11において走査線51およびTFD素子56を形成した後、画素電極形成工程P12において画素電極66を形成する。次に、配向膜工程P13において基板17aの表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜67を形成した後、ラビング処理工程P14において配向膜67に対してラビング処理その他の配向処理を行う。次に、シール材印刷工程P15においてディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材6を環状に塗布する。なお、シール材6の一部分には、液晶注入用の開口6aが形成される。
【0045】
一方、対向基板7bを形成するにあたっては、まず、遮光膜形成工程P21において、図9(a)に示すように、透明基板17bの表面の所定領域にフォトリソグラフィ技術を用いて遮光膜43、44を形成する。次に、カラーフィルタ形成工程P22において、図9(b)に示すように、カラーフィルタ40R、40G、40Bを形成する。このようなカラーフィルタ40R、40G、40Bは、フレキソ印刷、フォトリソグラフィ技術、あるいはインクジェット法などによって形成される。次に、オーバーコート層形成工程P23において、図9(c)に示すように、フレキソ印刷、あるいはフォリソグラフィ技術を用いて絶縁性のオーバーコート層45を形成する。次に、データ線形成工程P24において、ITO膜によりストライプ状電極、すなわち、データ線52を形成する。
【0046】
それにはまず、図9(d)に示すように、透明基板17bの表面全体にスパッタ法によりITO膜52′を形成する。次に、図10(a)に示すように、ITO膜52′の表面全体に感光性レジスト600を塗布した後、この感光性レジスト600を露光マスク610を介して露光、現像して、図10(b)に示すように、レジストマスク601を形成する。次に、レジストマスク601を介してITO膜52′をパターニングして、図10(c)に示すように、ストライプ状のデータ線52を形成する。
【0047】
次に、配向膜形成工程P25において、データ線52等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜68を形成した後、ラビング処理工程P26において、配向膜68に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板7bが完成する。
【0048】
このような工程は、素子基板7aおよび対向基板7bをそれぞれ多数枚取りできる大型のマザー基板の状態で行われる。従って、上記の各工程を終えた後、マザー基板同士をシール材6を挟んで貼り合わせ(貼り合わせ工程P31)、次に、紫外線硬化その他の方法でシール材6を硬化させる(シール材硬化工程P32)。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体の所定位置に切断溝を形成し、さらにそのスクライブ溝を基準にパネル構造体を短冊状に切断する(1次ブレイク工程P33)。これにより、各液晶パネルのシール材6の液晶注入用の開口6aが外部に露出する短冊状の空のパネル構造体が形成される。次に、露出した液晶注入用の開口6aからパネルの内側に液晶を減圧注入した後、各開口6aを樹脂等によって封止する(液晶注入・注入口封止工程P34)。その後、パネル構造体に再び切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体を切断することにより、複数個の液晶パネルが切り出される(2次ブレイク工程P35)。このようにして製造された液晶パネル2に対して、図4に示すように、偏光板12a、12bを貼り付ける(偏光板貼り付け工程P17)。しかる後に、図3に示すように、液晶駆動用IC8a、8b、制御基板5を実装し、さらにFPC3a、3bを接続することにより、液晶装置1が完成する(実装工程P37)。
【0049】
[本形態の効果]
このような製造工程のうち、対向基板7bにデータ線52を形成するデータ線形成工程P24において、図10(a)に示すように露光を行う際、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領域45bとの境界に形成されている段差450に起因する影の影響によって、本来露光されるべき部分のレジスト600が露光されず、図10(b)に点線L4で示すように、ITO膜600を除去すべき位置に余計なレジスト601が残ってしまうと、ITO膜52′をパターニングしたとき、余計なレジスト601が残っていた部分では、図7(a)、(b)、および図10(c)に示すように、データ線52の間に余計なITO膜52″が残ってしまうことがある。また、レジスト600に対する露光に異常が発生しなくても、ITO膜52′をドライエッチングによりパターニングする際、段差450に起因する影によって、データ線52の間に余計なITO膜52″が残ってしまうこともある。しかも、ITO膜52′をスパッタ形成する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタ40R、40G、40Bが形成されているので、カラーフィルタ40R、40G、40Bを構成する有機物の耐熱性からみて、ITO膜52′をあまり高温条件下でスパッタ形成することできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成したITO膜52′は、高い精度でパターニングできないので、段差上に余計なITO膜52″が残りやすい。しかるに本形態では、データ線52は、段差450上を通る部分がオーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分、およびオーバーコート層45の非形成領域45b上を通る部分と比較して幅が狭い括れ部分525になっているため、段差450上に余計なITO膜52″が残っていてもデータ線52が短絡することがない。それ故、データ線52のピッチを狭めることができる。
【0050】
また、データ線52の幅を狭くすると、この部分の電気的抵抗が大きくなるが、本形態では、短絡が発生しやすい段差450上に括れ部分525を設け、その他の部分は、オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分と略等しい幅である。それ故、データ線52の電気的抵抗の増大を最小限に止めることができる。
【0051】
[その他の実施の形態]
図11(a)、(b)はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた別の対向基板において、図5の円Fおよび円Gに相当する位置を拡大して示す平面図である。図12(a)〜(d)はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた各対向基板においてデータ線の構成を示す断面図である。
【0052】
上記実施形態では、データ線52のうち、段差450上を通る部分については、オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分、およびオーバーコート層45の非形成領域45b上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分525を設けたが、図11(a)、(b)に示す対向基板7bでは、データ線52のうち、段差450上を通る部分およびオーバーコート層45の非形成領域45bを通る配線部分520が、オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分と比較して幅が狭くなっている。その他の構成は前記した形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして説明を省略する。
【0053】
このように構成した場合も、段差450上において、データ線52の間に余計なITO膜52″が残ったとしてもデータ線52が短絡することがないので、データ線52のピッチを狭めることができる。また、データ線52から延びてオーバーコート層45の非形成領域45b上を通る配線部分520はICの実装領域に向けて収束するように斜めに引き回されるが、このような配線部分520を細幅に形成すれば、狭い領域内に多数の配線を形成できるので、ストライプ状電極52の数を増やした場合に有利である。
【0054】
なお、上記のいずれの形態でも、図11(a)に示すように、データ線52および配線部分520がITO膜(金属酸化膜)から構成されていたが、データ線52のうち、オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分については、図12(b)、(c)、(d)に示すように、ITO膜などの金属酸化膜と、金属膜Mとの多層構造になっている構成を採用すれば、電極幅が狭くなっている部分の電気的抵抗を下げることができる。ここで、図12(b)に示すデータ線52は、ITO膜などの金属酸化膜の上層に金属膜Mが積層された構造になっている。図12(c)に示すデータ線52は、ITO膜などの金属酸化膜の下層に金属膜Mが積層された構造になっている。この場合、金属膜Mの下地との密着性が弱い場合、あるいは、金属膜Mから液晶への不純物の溶出が問題となる場合には、図12(d)に示すように、ITO膜などの金属酸化膜、金属膜M、およびITO膜などの金属酸化膜をこの順に積層した構造にすればよく、かつ、金属膜Mよりも上層および下層のITO膜を幅広に形成して金属膜MをITO膜で完全に覆うすれば、金属膜Mからの不純物の溶出や密着性の問題を解消することができる。ここで、金属膜は、銀単体、98%程度の銀の他に白金(Pt)や銅(Cu)を含む合金、銀−金−銅合金、銀−ルテニウム−銅合金などを用いることができる。
【0055】
また、上記のいずれの形態でも、能動素子としてTFD素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置1を例に説明したが、基板上にストライプ状に形成されている電気光学装置であれば、パッシブマトリクス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置に本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【0056】
[電子機器の実施形態]
図13は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源70、表示情報処理回路71、電源回路72、タイミングジェネレータ73、そして液晶装置74を有する。また、液晶装置74は、液晶表示パネル75及び駆動回路76を有する。液晶装置74および液晶パネル75としては、前述した液晶装置1および液晶パネル2を用いることができる。
【0057】
表示情報出力源70は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ73によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路71に供給する。
【0058】
表示情報処理回路71は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路76へ供給する。駆動回路76は、図1における走査線駆動回路57やデータ線駆動回路58、検査回路等を総称したものである。また、電源回路72は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【0059】
図14は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユニット83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述した液晶装置1を含んで構成される。
【0060】
図15は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と液晶装置1を有している。
【0061】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、オーバーコート層などとして形成した絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に大きな段差が形成され、この段差上をストライプ状電極が通っている場合でも、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分が絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。このため、ストライプ状電極をパターニング形成するためのレジストマスクを形成するための露光時に段差に起因する影によって露光異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。また、ストライプ状電極をパターニング形成するためのドライエッチングを行った際、段差に起因する影によってエッチング異常が起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。それ故、ストライプ状電極のピッチを狭めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図2】(a)、(b)はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層を挟持する1対の基板のうち、素子基板における1画素分の平面図、および図2(a)のI−I′線断面図である。
【図3】液晶装置の分解斜視図である。
【図4】液晶装置の断面図である。
【図5】本発明を適用した液晶装置に用いた対向基板の平面図である。
【図6】図5に示す対向基板を図5のA−A′線、B−B′線、C−C′線、D−D′線で切断したときの断面図である。
【図7】(a)、(b)はそれぞれ、図5に示す対向基板の円Fおよび円Gで囲んだ領域を拡大して示す平面図である。
【図8】本発明を適用した液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図9】(a)〜(d)はそれぞれ、図5に示す対向基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図10】(a)〜(c)はそれぞれ、図5に示す対向基板の製造工程のうち、図9に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図11】(a)、(b)はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた別の対向基板において、図5の円Fおよび円Gに相当する位置を拡大して示す平面図である。
【図12】(a)〜(d)はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた各対向基板においてデータ線の構成を示す断面図である。
【図13】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図14】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図15】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図16】従来の液晶装置に用いた対向基板の平面図である。
【図17】図16に示す対向基板を図16のA−A′線、B−B′線、C−C′線、D−D′線で切断したときの断面図である。
【図18】(a)、(b)はそれぞれ、図16に示す対向基板の円Fおよび円Gで囲んだ領域を拡大して示す平面図である。
【図19】図16に示す対向基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
1 液晶装置(電気光学装置)
2 液晶パネル
6 シール材
7a 素子基板
8a、8b 液晶駆動用IC
17a 素子基板を構成する基板
17b 対向基板を構成する透明基板
40R、40G、40B カラーフィルタ
43、44 遮光膜
45 オーバーコート層(絶縁膜)
45a オーバーコート層の形成領域
45b オーバーコート層の非形成領域
51 走査線
52 データ線(ストライプ状電極)
52′ ITO膜
52″ 余計なITO膜
53 画素
54 液晶層
56 TFD素子
57 走査線駆動回路
58 データ線駆動回路
66 画素電極
450 段差
520 配線部分
525 括れ部分
600 フォトレジスト
601 レジストマスク
610 露光マスク
601′ 余計なレジストマスク
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device using an electro-optical material such as liquid crystal, and an electronic apparatus using the electro-optical device. More specifically, the present invention relates to a configuration of a striped electrode for driving an electro-optical material in an electro-optical device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, electro-optical devices such as liquid crystal devices have been widely used as display units of electronic devices such as mobile phones and mobile computers. Among such electro-optical devices, for example, in an active matrix liquid crystal device using a TFD element (Thin Film Diode) which is a two-terminal nonlinear element as an active element, the TFD elements and the pixel electrodes are formed in a matrix. The element substrate and the counter substrate on which the striped electrode is formed are bonded to each other with a predetermined gap through a sealing material, and liquid crystal is injected into a region defined by the sealing material between these substrates. Is retained.
[0003]
Here, as shown in FIG. 16, the counter substrate is formed with a plurality of data lines 52 for driving the liquid crystal composed of stripe-like electrodes arranged in parallel at predetermined intervals in the region defined by the sealant 6. In addition, a wiring portion 520 extends from each of the data lines 52 toward the mounting area 80b of the liquid crystal driving IC chip.
[0004]
Further, when displaying a color image in the liquid crystal device, cross sections (cross sections AA ′, BB ′, CC ′, and DD ′ in FIG. 16) at each position of the counter substrate 7b are shown. As shown in FIG. 17, on the surface side of the transparent substrate 17b which is the base of the counter substrate 7b, there is a light shielding film 43 called a black matrix, and red (R), green (G) and blue (B) color filters 40R. , 40G, 40B, the insulating overcoat layer 45, the data line 52, and the alignment film 68 are laminated in this order. Here, the overcoat layer 45 is a film for eliminating unevenness caused by the color filters 40R, 40B, and 40B formed on the lower layer side, and is surrounded by the sealing material 6 on the surface of the counter substrate 7b. It is formed only in a predetermined region within the region (region surrounded by a two-dot chain line L2 in FIG. 16). For this reason, the data line 52 includes the formation region 45a and the non-formation region of the overcoat layer 45, as shown in FIGS. 18A and 18B by enlarging the regions surrounded by the circles F and G in FIG. 45b extends at the same width across both sides. In FIGS. 16, 18A and 18B, the region where the sealing material 6 is formed is indicated by a one-dot chain line L1, and the boundary portion between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 is two. The dotted line L2 indicates a region where the light shielding film 44 for screen parting is formed by a dotted line L3. 17 corresponds to a boundary portion between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. Although the overcoat layer 45 is shown, the light shielding films 43, 44, Also, the color filters 40R, 40G, and 40B are not formed here, and thus are not shown in the drawing.
[0005]
In the manufacturing process of the counter substrate 7b having such a configuration, when the data line 52 is formed, first, as shown in FIG. 19A, on the surface of the transparent substrate 17b, the light shielding films 43 and 44, the color filters are formed. 40R, 40G, 40B and the overcoat layer 45 are formed in this order, and then an ITO film 52 'for forming the data line 52 is formed on the entire surface of the substrate on the upper layer side of the overcoat layer 45. After the photosensitive resist 600 is applied to the entire surface of the ITO film 52 ', the photosensitive resist 600 is exposed and developed through the exposure mask 610, and as shown in FIG. 601 is formed. Next, the ITO film 52 ′ is patterned by a method such as dry etching through the resist mask 601 to form stripe-shaped data lines 52 as shown in FIG.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
While the liquid crystal device is strongly required to improve display quality such as high definition of images, the counter substrate 7b further narrows the pitch of the data lines 52 and increases the number of data lines 52 accordingly. Although there is a movement, if such a countermeasure is taken, there is a problem that a problem due to a short circuit of the data line 52 is likely to occur. As a result of various investigations by the inventor of the present application regarding such a defect, a short circuit between the data lines 52 occurs at the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 for the reason described below. The knowledge that it is easy to do was acquired.
[0007]
In other words, the overcoat layer 45 is formed as a thick film of, for example, 2000 nm to 3000 nm because it aims to eliminate the unevenness caused by the color filters 40R, 40G, and 40B. Therefore, a large step 450 is formed at the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45, and the data line 52 passes through the step 450 as shown in FIG. For this reason, when the exposure process shown in FIG. 19A is performed, the resist 600 in the portion that should be originally exposed is not exposed due to the influence of the shadow caused by the step 450, and the portion corresponding to the step 450 is not exposed in FIG. As indicated by a dotted line L4 in FIG. 5B, an extra resist mask 601 ′ remains at a position where the ITO film 600 is to be removed. As a result, when the ITO film 52 ′ is patterned, an extra ITO film 52 ″ remains between the data lines 52 as shown in FIGS. 18A and 19C, and this extra ITO The data line 52 is short-circuited by the film 52 ″.
[0008]
Even if there is no abnormality in the exposure of the resist 600, the data line 52 is affected by the shadow caused by the step 450 when the ITO film 52 'is patterned by dry etching in the patterning step shown in FIG. In this case, an extra ITO film 52 "remains, and the extra ITO film 52" may cause a short circuit between the data lines 52.
[0009]
Moreover, when the ITO film 52 'is formed by sputtering, if the color filters 40R, 40G, and 40B made of an organic material are already formed on the lower layer side, the heat resistance of the organic material that constitutes the color filters 40R, 40G, and 40B. As a result, the ITO film 52 'cannot be sputtered under a very high temperature condition, and the ITO film 52' sputtered under such a low temperature condition cannot be patterned with high accuracy. There is also an effect that 52 ″ tends to remain.
[0010]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of reliably avoiding a short circuit of a stripe electrode on the step even if the stripe electrode passes on the step. And an electronic apparatus using the electro-optical device.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, in the present invention, an insulating film is formed in a predetermined region on the first substrate holding the electro-optic material, and the insulating film forming region and the non-layer are formed on the upper layer side of the insulating film. In the electro-optical device in which a plurality of stripe electrodes extend in parallel across both formation regions, a portion corresponding to a boundary between the formation region and the non-formation region of the insulating film is provided on a lower layer side of the stripe electrode. A step is formed, and the plurality of striped electrodes are characterized in that an electrode width is narrower in a portion passing over the step than in a portion passing over the formation region of the insulating film.
[0012]
In the electro-optical device, even when a large step is formed at the boundary between the formation region of the insulating film formed as an overcoat layer and the non-formation region, and the stripe electrode passes over the step, the present invention The stripe-shaped electrode has a narrower electrode width than a portion passing over the step and a portion passing through the insulating film formation region. For this reason, even when an exposure abnormality occurs due to a shadow due to a step during exposure for forming a resist mask for patterning the stripe-shaped electrode, and an extra conductive film remains between the stripe-shaped electrodes, the step There is no short circuit between the striped electrodes. In addition, when dry etching for patterning the stripe electrode is performed, even if an etching abnormality occurs due to a shadow caused by the step, and an extra conductive film remains between the stripe electrodes, the stripe is formed on the step. The electrode-like electrodes are not short-circuited.
[0013]
In the present invention, a portion of the plurality of stripe-shaped electrodes passing over the step is compared with both a portion passing over the insulating film forming region and a portion passing over the non-forming region of the insulating film. It is preferable that the width is a narrowed portion. If the width of the striped electrode is narrowed, the electrical resistance of this part increases, but if the configuration is constricted only on the step where a short circuit is likely to occur, such an increase in electrical resistance should be minimized. Can do.
[0014]
In the present invention, among the plurality of striped electrodes, a portion passing over the step and a portion passing through the non-formation region of the insulating film are narrower than a portion passing through the formation region of the insulating film. The structure which has become may be sufficient. Of the striped electrode, a portion passing over the non-insulating region of the insulating film is drawn in a predetermined pattern as a wiring portion for supplying a signal from the driving IC or the outside. In this case, since a large number of wirings can be routed in a narrow region, it is possible to cope with an increase in the number of stripe electrodes.
[0015]
In the present invention, the insulating film is an overcoat film for flattening irregularities formed by a color filter formed on a lower layer side of the insulating film. When a conductive film for forming a striped electrode is formed by sputtering, if a color filter made of an organic material has already been formed on the lower layer side, the conductive film is sputtered at a very high temperature in view of the heat resistance of the color filter. A conductive film that cannot be formed and is sputtered under such a low temperature condition cannot be patterned with high accuracy, so that an excessive conductive film tends to remain on the step. Nevertheless, in the present invention, since the width of the portion of the plurality of striped electrodes passing over the step is narrow, even if an extra conductive film remains between the striped electrodes, the striped electrodes are arranged on the step. Will not short circuit.
[0016]
In the present invention, the striped electrode is formed by patterning a sputtered film using a photolithography technique. In this case, the striped electrode is composed of a conductive metal oxide film such as an ITO film.
[0017]
In the present invention, a portion of the striped electrode having a narrower electrode width than a portion passing over the insulating film formation region has a multilayer structure of the metal oxide film and the metal film. It is preferable. With this configuration, the electrical resistance of the portion where the electrode width is narrow can be reduced, so that no signal delay occurs when a signal is supplied to the stripe electrode.
[0018]
The electro-optical device to which the present invention is applied is, for example, surrounded by the sealing material between the first substrate and the second substrate bonded to the first substrate via the sealing material. A liquid crystal device in which a liquid crystal as the electro-optical material is held in a region.
[0019]
An electro-optical device to which the present invention is applied is used as a display unit of an electronic apparatus such as a mobile phone or a mobile computer.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of embodiments, an active matrix liquid crystal device using a TFD element as an active element among various electro-optical devices will be described as an example.
[0021]
[Configuration of LCD panel]
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the electrical configuration of the liquid crystal device. FIGS. 2A and 2B are plan views of one pixel in the element substrate among the counter substrate (first substrate) and the element substrate (second substrate) that sandwich the liquid crystal layer in the liquid crystal panel, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. Note that since the counter substrate used in the liquid crystal device of this embodiment has a common basic configuration, portions having common functions are denoted by the same reference numerals.
[0022]
As shown in FIG. 1, in the liquid crystal panel 2 used in the liquid crystal device, scanning lines 51 as a plurality of wirings are formed in the row direction (X direction), and a plurality of data lines 52 are formed in the column direction (Y direction). Has been. A pixel 53 is formed at a position corresponding to each intersection of the scanning line 51 and the data line 52. In the pixel 53, a liquid crystal layer 54 and a TFD element 56 are connected in series. Each scanning line 51 is driven by a scanning line driving circuit 57, and each data line 52 is driven by a data line driving circuit 58. In the present embodiment, the scanning line driving circuit 57 and the data line driving circuit 58 are respectively configured as a liquid crystal driving IC 8a and a liquid crystal driving IC 8b described later with reference to FIG.
[0023]
2A and 2B, the TFD element 56 includes two TFD elements composed of a first TFD element 56a and a second TFD element 56b formed on the base layer 61 formed on the surface of the element substrate 7a. Depending on the elements, a so-called back-to-back structure is formed. Therefore, in the TFD element 56, the current-voltage nonlinear characteristic is symmetric in both positive and negative directions. The underlayer 61 is made of, for example, tantalum oxide (Ta 2 O Five ). The first TFD element 56a and the second TFD element 56b include a first metal layer 62, an insulating layer 63 formed on the surface of the first metal layer 62, and a second metal layer formed on the surface of the insulating layer 63 so as to be separated from each other. The metal layers 64a and 64b are configured. The first metal layer 62 is formed of, for example, a Ta single film or a Ta alloy film having a thickness of about 100 to 500 nm, and the insulating layer 63 oxidizes the surface of the first metal layer 62 by, for example, an anodic oxidation method. Tantalum oxide (Ta) having a thickness of 10 to 35 nm 2 O Five ).
[0024]
The second metal layers 64a and 64b are formed to a thickness of about 50 to 300 nm by a metal film such as chromium (Cr). The second metal layer 64a becomes the scanning line 51 as it is, and the other second metal layer 64b is connected to the pixel electrode 66 made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).
[0025]
Since the liquid crystal device described below is a transmissive type, the pixel electrode 66 is made of an ITO film. However, if the pixel electrode 66 is made of a light reflective material such as Al (aluminum), a reflective liquid crystal device is used. In this case, the backlight device described later is not used. Further, if the pixel electrode 66 is made of a light reflective material such as Al (aluminum) and an opening is formed in a part of the pixel electrode 66, a transflective liquid crystal device can be formed. it can. Further, even if a semi-transmissive / semi-reflective film is formed on the lower layer side of the pixel electrode 66, a semi-transmissive / semi-reflective liquid crystal device can be configured. In such a semi-transmissive / semi-reflective liquid crystal device, an image can be displayed using light from a backlight device at night and the like, and an image can be displayed using outside light during the day.
[0026]
Further, the substrate 17a constituting the element substrate 7a is formed of, for example, quartz, glass, plastic, or the like, similarly to the substrate 17b (see FIGS. 3 and 4) constituting the counter substrate 7a. Here, in the case of the total reflection type, it is not essential that the substrate 17a is transparent. However, in the case of the transmission type as in the present embodiment, or in the above-described transflective / semi-reflective liquid crystal device, It is an essential requirement that the element substrate 17a is transparent.
[0027]
[Configuration of liquid crystal device]
In the element substrate 7a on which the scanning lines 51 and the TFD elements 56 are thus formed, the data lines 52 made of a transparent conductive material such as ITO are formed in a stripe shape, as will be described with reference to FIGS. The element substrate 7a and the counter substrate 7b are bonded to each other so that the pixel electrodes 66 for one column and the one data line 52 are in a positional relationship facing each other. The detailed configuration of the counter substrate 7b will be described later with reference to FIG. 5, FIG. 6, and FIG.
[0028]
3 and 4 are an exploded perspective view and a cross-sectional view of the liquid crystal device, respectively.
[0029]
As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the liquid crystal device 1 includes, for example, an FPC (Flexible Printed Circuit) 3 a and 3 b connected to the liquid crystal panel 2 and further guides light to the back side of the liquid crystal panel 2. It is formed by attaching the body 4 and further providing a control substrate 5 on the back side of the light guide 4.
[0030]
In the liquid crystal panel 2, the element substrate 7 a and the counter substrate 7 b are bonded to each other by a sealing material 6 applied in an annular shape to one of these substrates. On the surface of the element substrate 7a that protrudes from the counter substrate 7b, a liquid crystal driving IC 8a is mounted by COG (Chip On Glass) with an ACF (Anisotropic Conductive Film) 9. In addition, a liquid crystal driving IC 8b is COG-mounted by an ACF 9 on a portion of the counter substrate 7b that protrudes from the element substrate 7a.
[0031]
As shown in FIG. 4, a plurality of pixel electrodes 66 described with reference to FIGS. 2A and 2B are formed in a matrix on the inner surface of the element substrate 7a, and an optical sheet is formed on the outer surface thereof. The polarizing plate 12a is stuck. An alignment film 67 for aligning the alignment of the liquid crystal L is formed on the inner surface of the element substrate 7a. This alignment film 67 is formed, for example, by baking after applying a polyimide solution, and the polymer main chain of polyimide is stretched in a predetermined direction by rubbing treatment, so that the liquid crystal L in the liquid crystal L sealed between the substrates is contained. Liquid crystal molecules are coordinated along the stretching direction of the alignment film.
[0032]
As will be described in detail later, a plurality of data lines 52 are formed in a stripe shape on the inner surface of the counter substrate 7b, and a polarizing plate 12b as an optical sheet is attached to the outer surface thereof. The liquid crystal L is sealed in a gap (cell gap) defined by the sealing material 6 between the element substrate 7a and the counter substrate 7b. An alignment film 68 for aligning the alignment of the liquid crystal L is also provided on the inner surface of the counter substrate 7b. Similar to the alignment film 67, the alignment film 68 is formed, for example, by baking after applying a polyimide solution.
[0033]
In FIG. 3, a plurality of terminals 13a are formed on the projecting portion of the element substrate 7a, and these terminals are simultaneously formed when the pixel electrode 66 is formed on the surface of the element substrate 7a. A plurality of terminals 13b are also formed on the protruding portion of the counter substrate 7b, and these terminals are formed at the same time when the data lines 52 are formed on the surface of the counter substrate 7b. A plurality of terminals 22 are provided at the end of the FPC 3b, and these terminals are conductively connected to the terminals 13b of the counter substrate 7b using ACF or the like. A plurality of terminals 23 formed at the other end of the FPC 3 b are connected to terminals (not shown) of the control board 5. In the FPC 3a, a plurality of panel-side terminals 14 are formed at the back surface side end portion, and a plurality of control board side terminals 16 are formed on the surface side at the opposite end portion. Here, a wiring pattern 18 is appropriately formed on the surface of the FPC 3a. The wiring pattern 18 is directly connected to the control board side terminal 16 at one end, and the other end is connected through the through hole 19. It is connected to the panel terminal 14.
[0034]
A diffusion plate 27 is attached to the surface of the light guide 4 on the liquid crystal panel 2 side by sticking or the like, and a reflector 28 is attached to the surface of the light guide 4 opposite to the liquid crystal panel 2 by sticking or the like. Is done. In addition, a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) 21 as light emitting means are arranged to be supported by the LED substrate 38 so as to face the light capturing surface 4 a set on one side surface of the light guide 4.
[0035]
As shown in FIG. 4, the light guide 4 is attached to the back side of the liquid crystal panel 2 with a cushioning material 32 formed of rubber, plastic or the like interposed therebetween. The control board 5 is disposed so as to face the surface of the light guide 4 on which the reflection plate 28 is mounted. A terminal 33 for connecting to an external circuit is formed at the end of the control board 5.
[0036]
In the backlight device of the liquid crystal device 1 configured as described above, when the LED 21 emits light, the light is introduced into the light guide 4, and the introduced light is reflected by the reflecting plate 28 and proceeds toward the liquid crystal panel 2. Then, the light is supplied to the liquid crystal panel 2 in a state of being diffused by the diffusion plate 27 so as to have a uniform strength in a plane. As for the supplied light, the component that has passed through the polarizing plate 12 a on the light guide 4 side is supplied to the layer of the liquid crystal L, and the pixel is further changed in accordance with the change in the voltage applied between the pixel electrode 66 and the data line 52. Each pixel is modulated by the liquid crystal L whose orientation is controlled every time, and the modulated light is passed through the polarizing plate 12b on the display side, thereby displaying an image on the outside.
[0037]
[Configuration of counter substrate 7b]
FIG. 5 is a plan view of the counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied. 6 is a cross-sectional view of the counter substrate shown in FIG. 5 taken along line AA ′, line BB ′, line CC ′, and line DD ′ in FIG. FIGS. 7A and 7B are plan views showing enlarged views of the regions surrounded by the circles F and G of the counter substrate shown in FIG. In FIGS. 5, 7A, and 7B, the region where the sealing material is formed is indicated by a one-dot chain line L1, and the boundary portion between the overcoat layer formation region and the non-formation region is indicated by a two-dot chain line L2. The region where the light shielding film for parting the screen is formed is indicated by a dotted line L3. 17 corresponds to the boundary portion between the overcoat layer formation region and the non-formation region, and the overcoat layer is shown, but the light shielding film and the color filter are formed here. Not shown in the figure.
[0038]
When color display is performed in the liquid crystal device 1, the counter substrate 24b is configured as described below. First, as shown in FIG. 5, in the counter substrate 7a, a plurality of data lines 52 made of striped electrodes are formed in parallel at a predetermined interval in a region defined by the sealing material 6. At the same time, a wiring portion 520 extends from each of the data lines 52 toward the mounting region 80b of the liquid crystal driving IC chip.
[0039]
Further, the counter substrate 7a has cross sections (cross sections AA ', BB', CC ', and DD' in FIG. 5) at the respective positions of the counter substrate 7b in FIG. As shown, a light shielding film 43 called a black matrix, red (R), green (G), and blue (B) color filters 40R, 40G, and 40B, an insulating overcoat are provided on the surface side of the transparent substrate 17b. The layer 45, the data line 52, and the alignment film 68 are stacked in this order. In addition, a light shielding film 45 for parting the screen is formed along the sealing material 6 inside the area surrounded by the sealing material 6, and the area surrounded by the light shielding film 45 is an image display area where an image is displayed. It becomes. Accordingly, the color filters 40R, 40G, and 40B and the light shielding film 43 are formed only inside the region surrounded by the light shielding film 45 for screen parting. As can be seen from FIG. 4, the light shielding film 43 is formed in a region not facing the pixel electrode 66 formed on the element substrate 7a, and the color filters 40R, 40G, and 40B are formed in a region facing the pixel electrode 66. Is formed.
[0040]
In FIG. 6 again, the overcoat layer 45 is composed of a thick organic insulating film or inorganic insulating film for eliminating unevenness caused by the color filters 40R, 40B, and 40B formed on the lower layer side, and the data is formed on the upper layer side. A line 52 is formed. The overcoat layer 45 is formed in a region of the surface of the counter substrate 7 b that is wider than the region surrounded by the screen light-shielding film 45 but narrower than the region surrounded by the sealing material 6. In contrast, in the data line 52, one end portion 451 protrudes from the formation region 45a of the overcoat layer 45, while the seal material 6 is further formed from the formation region 45a of the overcoat layer 45 on the other side. The liquid crystal driving IC 8b extends through the region to the region where the COG mounting is performed. For this reason, the data line 52 extends over both the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45, as shown in FIGS. Here, since the overcoat layer 45 is made of, for example, a thick insulating film of 2000 nm to 3000 nm, a large step 450 is formed at the boundary between the formation region 45 a and the non-formation region 45 b of the overcoat layer 45. A data line 52 passes above.
[0041]
Here, in the data line 52, the electrode width is narrower in the portion passing over the step 450 than in the portion passing over the formation region 45a of the overcoat layer 45. That is, the portion of the data line 52 that passes over the step 450 is wider than both the portion that passes over the formation region 45a of the overcoat layer 45 and the portion that passes over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. Is a narrow constricted portion 525. For this reason, when the liquid crystal device 1 is manufactured by the method described below, the data line 52 is not short-circuited on the step 450.
[0042]
[Method of Manufacturing Liquid Crystal Device 1 and Counter Substrate 7b]
FIG. 8 is a process diagram showing a method for manufacturing the liquid crystal device 1 of the present embodiment. 9 and 10 are process cross-sectional views illustrating a manufacturing method of the counter substrate 7b used in the liquid crystal device 1 of the present embodiment.
[0043]
As shown in FIG. 8, in manufacturing the liquid crystal device 1 and the liquid crystal panel 2, from the element substrate forming process including the active element forming process P11 to the sealing material printing process P15, and the light shielding film forming process P21 to the rubbing process P26. The counter substrate forming step is performed separately.
[0044]
First, in forming the element substrate 7a, the scanning lines 51 and the TFD elements 56 are formed on the surface of the substrate 17a in the active element forming step P11, and then the pixel electrode 66 is formed in the pixel electrode forming step P12. Next, after an alignment film 67 is formed by forming polyimide, polyvinyl alcohol, etc. on the surface of the substrate 17a in a uniform thickness in the alignment film process P13, a rubbing process is performed on the alignment film 67 in a rubbing process process P14. Other alignment treatment is performed. Next, the sealing material 6 is annularly applied by a dispenser, screen printing, or the like in the sealing material printing step P15. An opening 6a for liquid crystal injection is formed in a part of the sealing material 6.
[0045]
On the other hand, in forming the counter substrate 7b, first, in the light shielding film forming step P21, as shown in FIG. 9A, the light shielding films 43 and 44 are applied to a predetermined region on the surface of the transparent substrate 17b using a photolithography technique. Form. Next, in the color filter forming step P22, as shown in FIG. 9B, color filters 40R, 40G, and 40B are formed. Such color filters 40R, 40G, and 40B are formed by flexographic printing, a photolithography technique, an inkjet method, or the like. Next, in the overcoat layer forming step P23, as shown in FIG. 9C, an insulating overcoat layer 45 is formed using flexographic printing or photolithography technology. Next, in the data line forming step P24, a stripe electrode, that is, the data line 52 is formed from the ITO film.
[0046]
First, as shown in FIG. 9D, an ITO film 52 'is formed on the entire surface of the transparent substrate 17b by sputtering. Next, as shown in FIG. 10 (a), a photosensitive resist 600 is applied to the entire surface of the ITO film 52 ', and the photosensitive resist 600 is exposed and developed through an exposure mask 610. As shown in (b), a resist mask 601 is formed. Next, the ITO film 52 ′ is patterned through the resist mask 601 to form stripe-shaped data lines 52 as shown in FIG.
[0047]
Next, after an alignment film 68 having a uniform thickness is formed on the data lines 52 and the like with polyimide or the like in the alignment film formation process P25, a rubbing process or the like is performed on the alignment film 68 in the rubbing process P26. An orientation process is performed. Thereby, the counter substrate 7b is completed.
[0048]
Such a process is performed in a state of a large mother substrate capable of obtaining a large number of element substrates 7a and counter substrates 7b. Therefore, after finishing each of the above steps, the mother substrates are bonded to each other with the sealing material 6 interposed therebetween (bonding step P31), and then the sealing material 6 is cured by ultraviolet curing or other methods (sealing material curing step). P32). As a result, an empty panel structure including a plurality of liquid crystal devices is formed. Thereafter, a cutting groove is formed at a predetermined position of the empty panel structure, and the panel structure is cut into a strip shape based on the scribe groove (primary breaking step P33). Thereby, a strip-shaped empty panel structure in which the liquid crystal injection opening 6a of the sealing material 6 of each liquid crystal panel is exposed to the outside is formed. Next, after the liquid crystal is injected into the inside of the panel under reduced pressure from the exposed liquid crystal injection opening 6a, each opening 6a is sealed with resin or the like (liquid crystal injection / injection port sealing step P34). Then, after forming a cutting groove again in the panel structure, a plurality of liquid crystal panels are cut out by cutting the strip-shaped panel structure along the cutting groove (secondary break process P35). As shown in FIG. 4, polarizing plates 12a and 12b are attached to the liquid crystal panel 2 thus manufactured (polarizing plate attaching step P17). After that, as shown in FIG. 3, the liquid crystal driving ICs 8a and 8b and the control board 5 are mounted, and the FPCs 3a and 3b are connected to complete the liquid crystal device 1 (mounting process P37).
[0049]
[Effect of this embodiment]
In such a manufacturing process, in the data line forming process P24 for forming the data line 52 on the counter substrate 7b, when exposure is performed as shown in FIG. 10A, the formation area 45a of the overcoat layer 45 is not formed. Due to the influence of the shadow caused by the step 450 formed at the boundary with the region 45b, the resist 600 in the portion that should be originally exposed is not exposed. 10 As shown by a dotted line L4 in FIG. 5B, when an extra resist 601 remains at a position where the ITO film 600 is to be removed, when the ITO film 52 ′ is patterned, in the portion where the extra resist 601 remains, As shown in FIGS. 7A, 7B, and 10C, an extra ITO film 52 ″ may remain between the data lines 52. Also, there is an abnormality in the exposure of the resist 600. Even if it does not occur, when the ITO film 52 ′ is patterned by dry etching, an extra ITO film 52 ″ may remain between the data lines 52 due to a shadow caused by the step 450. Moreover, when the ITO film 52 'is formed by sputtering, the color filters 40R, 40G, and 40B made of an organic substance are already formed on the lower layer side. Therefore, in view of the heat resistance of the organic substances constituting the color filters 40R, 40G, and 40B, The ITO film 52 'cannot be sputter-formed under a very high temperature condition, and the ITO film 52' sputter-formed under such a low temperature condition cannot be patterned with high accuracy. However, in this embodiment, the data line 52 is compared with a portion where the portion passing over the step 450 passes over the formation region 45a of the overcoat layer 45 and a portion passing over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. As a result, the constricted portion 525 has a narrow width. Data line 52 will not be short-circuited. Therefore, the pitch of the data lines 52 can be reduced.
[0050]
In addition, when the width of the data line 52 is reduced, the electrical resistance of this portion increases. However, in this embodiment, a constricted portion 525 is provided on the step 450 where a short circuit is likely to occur, and the other portion is the overcoat layer 45. The width is substantially equal to the portion passing through the formation region 45a. Therefore, an increase in electrical resistance of the data line 52 can be minimized.
[0051]
[Other embodiments]
FIGS. 11A and 11B are plan views showing enlarged positions corresponding to the circles F and G in FIG. 5 on another counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied. 12A to 12D are cross-sectional views showing the configuration of data lines in each counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied.
[0052]
In the above embodiment, the portion of the data line 52 that passes over the step 450 is both the portion that passes over the formation region 45a of the overcoat layer 45 and the portion that passes over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. Compared with the narrowed portion 525, the counter substrate 7b shown in FIGS. 11 (a) and 11 (b) does not form the portion of the data line 52 that passes over the step 450 and the overcoat layer 45. The width of the wiring portion 520 that passes through the region 45b is narrower than the portion that passes over the formation region 45a of the overcoat layer 45. Since the other configuration is the same as that of the above-described embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
[0053]
Even in this configuration, even if an extra ITO film 52 ″ remains between the data lines 52 on the step 450, the data lines 52 will not be short-circuited, so the pitch of the data lines 52 can be reduced. The wiring portion 520 extending from the data line 52 and passing over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 is drawn obliquely so as to converge toward the IC mounting region. If 520 is formed with a narrow width, a large number of wirings can be formed in a narrow region, which is advantageous when the number of stripe electrodes 52 is increased.
[0054]
In any of the above forms, as shown in FIG. 11A, the data line 52 and the wiring portion 520 are made of an ITO film (metal oxide film). As shown in FIGS. 12B, 12C, and 12D, a metal oxide film such as an ITO film is used for a portion where the electrode width is narrower than a portion passing over the formation region 45a of 45. If a structure having a multilayer structure with the metal film M is employed, the electrical resistance of the portion where the electrode width is narrow can be lowered. Here, the data line 52 shown in FIG. 12B has a structure in which a metal film M is laminated on a metal oxide film such as an ITO film. A data line 52 shown in FIG. 12C has a structure in which a metal film M is laminated under a metal oxide film such as an ITO film. In this case, when the adhesion of the metal film M to the base is weak, or when the elution of impurities from the metal film M to the liquid crystal becomes a problem, as shown in FIG. A metal oxide film, a metal film M, and a metal oxide film such as an ITO film may be stacked in this order, and the upper and lower ITO films may be formed wider than the metal film M to form the metal film M. If it is completely covered with the ITO film, the elution of impurities from the metal film M and the problem of adhesion can be solved. Here, as the metal film, a simple silver, an alloy containing platinum (Pt) or copper (Cu) in addition to about 98% silver, a silver-gold-copper alloy, a silver-ruthenium-copper alloy, or the like can be used. .
[0055]
In any of the above embodiments, the active matrix type liquid crystal device 1 using a TFD element as an active element has been described as an example. However, if the electro-optical device is formed in a stripe shape on a substrate, a passive matrix can be used. Various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims, such as the present invention may be applied to a liquid crystal device of a type or other electro-optical devices.
[0056]
[Embodiment of Electronic Device]
FIG. 13 shows an embodiment in which the liquid crystal device according to the present invention is used as a display device of various electronic devices. The electronic device shown here includes a display information output source 70, a display information processing circuit 71, a power supply circuit 72, a timing generator 73, and a liquid crystal device 74. The liquid crystal device 74 includes a liquid crystal display panel 75 and a drive circuit 76. As the liquid crystal device 74 and the liquid crystal panel 75, the liquid crystal device 1 and the liquid crystal panel 2 described above can be used.
[0057]
The display information output source 70 includes a storage unit such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and is generated by a timing generator 73. Display information such as an image signal in a predetermined format is supplied to the display information processing circuit 71 based on the various clock signals.
[0058]
The display information processing circuit 71 includes various well-known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, and the like, executes processing of input display information, and outputs the image. The signal is supplied to the driving circuit 76 together with the clock signal CLK. The drive circuit 76 is a general term for the scanning line drive circuit 57, the data line drive circuit 58, the inspection circuit, and the like in FIG. The power supply circuit 72 supplies a predetermined voltage to each component.
[0059]
FIG. 14 shows a mobile personal computer which is an embodiment of an electronic apparatus according to the present invention. The personal computer shown here has a main body 82 having a keyboard 81 and a liquid crystal display unit 83. The liquid crystal display unit 83 includes the liquid crystal device 1 described above.
[0060]
FIG. 15 shows a mobile phone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the invention. The cellular phone 90 shown here has a plurality of operation buttons 91 and the liquid crystal device 1.
[0061]
【The invention's effect】
As described above, in the electro-optical device according to the present invention, a large step is formed at the boundary between the formation region and the non-formation region of the insulating film formed as an overcoat layer or the like, and the striped electrode passes over the step. Even in such a case, the plurality of striped electrodes have a narrower electrode width compared to a portion passing over the step and over a region where the insulating film is formed. For this reason, even when an exposure abnormality occurs due to a shadow due to a step during exposure for forming a resist mask for patterning the stripe-shaped electrode, and an extra conductive film remains between the stripe-shaped electrodes, the step There is no short circuit between the striped electrodes. In addition, when dry etching for patterning the stripe electrode is performed, even if an etching abnormality occurs due to a shadow caused by the step, and an extra conductive film remains between the stripe electrodes, the stripe is formed on the step. The electrode-like electrodes are not short-circuited. Therefore, the pitch of the striped electrodes can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an electrical configuration of a liquid crystal device.
2A and 2B are respectively a plan view of one pixel in an element substrate among a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer in a liquid crystal panel, and II ′ in FIG. 2A. It is line sectional drawing.
FIG. 3 is an exploded perspective view of a liquid crystal device.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal device.
FIG. 5 is a plan view of a counter substrate used in a liquid crystal device to which the present invention is applied.
6 is a cross-sectional view when the counter substrate shown in FIG. 5 is cut along the lines AA ′, BB ′, CC ′, and DD ′ in FIG. 5;
7A and 7B are plan views showing enlarged views of regions surrounded by a circle F and a circle G of the counter substrate shown in FIG. 5, respectively.
FIG. 8 is a process diagram illustrating a method of manufacturing a liquid crystal device to which the present invention is applied.
9A to 9D are process cross-sectional views illustrating a manufacturing method of the counter substrate shown in FIG.
10A to 10C are process cross-sectional views of processes performed subsequent to the process illustrated in FIG. 9 in the process for manufacturing the counter substrate illustrated in FIG. 5;
11A and 11B are plan views showing enlarged positions corresponding to the circles F and G in FIG. 5 on another counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied, respectively. is there.
FIGS. 12A to 12D are cross-sectional views showing the configuration of data lines in each counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied;
FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of various electronic devices using the liquid crystal device according to the invention.
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a mobile personal computer as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the invention.
FIG. 15 is an explanatory diagram of a mobile phone as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the invention.
FIG. 16 is a plan view of a counter substrate used in a conventional liquid crystal device.
17 is a cross-sectional view of the counter substrate shown in FIG. 16 taken along line AA ′, BB ′, CC ′, and DD ′ in FIG. 16;
FIGS. 18A and 18B are plan views showing enlarged views of regions surrounded by a circle F and a circle G of the counter substrate shown in FIG. 16, respectively.
19 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the counter substrate illustrated in FIG. 16;
[Explanation of symbols]
1 Liquid crystal device (electro-optical device)
2 LCD panel
6 Sealing material
7a Element substrate
8a, 8b Liquid crystal drive IC
17a Substrate constituting the element substrate
17b Transparent substrate constituting the counter substrate
40R, 40G, 40B color filter
43, 44 Light-shielding film
45 Overcoat layer (insulating film)
45a Overcoat layer formation region
45b Non-formation region of overcoat layer
51 scan lines
52 Data line (stripe electrode)
52 'ITO film
52 "extra ITO film
53 pixels
54 Liquid crystal layer
56 TFD element
57 Scanning line drive circuit
58 Data line drive circuit
66 Pixel electrode
450 steps
520 Wiring part
525 Constricted part
600 photoresist
601 resist mask
610 Exposure mask
601 'Extra resist mask

Claims (11)

電気光学物質を保持する第1の基板上の所定領域に絶縁膜が形成されているとともに、該絶縁膜の上層側では当該絶縁膜の形成領域および非形成領域の双方に跨って複数のストライプ状電極が並列に延びている電気光学装置において、
前記ストライプ状電極の下層側には、前記絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界に相当する部分に段差が形成され、
前記複数のストライプ状電極は、前記段差上を通る部分が前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっていることを特徴とする電気光学装置。
An insulating film is formed in a predetermined region on the first substrate holding the electro-optic material, and a plurality of stripes are formed on both the insulating film forming region and the non-forming region on the upper layer side of the insulating film. In an electro-optical device in which electrodes extend in parallel,
On the lower layer side of the striped electrode, a step is formed in a portion corresponding to the boundary between the formation region of the insulating film and the non-formation region,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the plurality of striped electrodes have an electrode width that is narrower at a portion passing over the step than at a portion passing through the insulating film formation region.
請求項1において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分は、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分、および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分になっていることを特徴とする電気光学装置。  2. The part of the plurality of striped electrodes according to claim 1, wherein a portion passing over the step is compared with both a portion passing over the insulating film forming region and a portion passing over the non-forming region of the insulating film. An electro-optical device characterized by a narrow constricted portion. 請求項1において、前記複数のストライプ状電極のうち、前記段差上を通る部分および前記絶縁膜の非形成領域上を通る部分が、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して幅が狭くなっていることを特徴とする電気光学装置。  2. The width of the plurality of striped electrodes according to claim 1, wherein a portion passing over the step and a portion passing through the non-formation region of the insulating film are wider than a portion passing through the formation region of the insulating film. An electro-optical device that is narrowed. 請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記絶縁膜は、該絶縁膜の下層側に形成されたカラーフィルタによって形成された凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜であることを特徴とする電気光学装置。  4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the insulating film is an overcoat film for flattening unevenness formed by a color filter formed on a lower layer side of the insulating film. apparatus. 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極は、スパッタ形成した導電膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしてなることを特徴とする電気光学装置。  5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the stripe electrode is formed by patterning a sputtered conductive film using a photolithography technique. 請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極は、導電性の金属酸化膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。6. The electro-optical device according to claim 1 , wherein the stripe electrode is formed of a conductive metal oxide film. 請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極は、ITO膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。6. The electro-optical device according to claim 1 , wherein the stripe electrode is made of an ITO film. 請求項1ないし7のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分は、前記金属酸化膜と金属膜との多層構造になっていることを特徴とする電気光学装置。In any of claims 1 to 7, of the stripe-shaped electrode, the portion where the electrode width compared to the portion through a forming region on the insulating film becomes narrow, and the metal oxide film and the metal film An electro-optical device having a multilayer structure. 請求項1ないし8のいずれかにおいて、前記第1の基板と、該第1の基板とシール材を介して貼り合わされた第2の基板との間には、前記シール材で囲まれた領域に前記電気光学物質としての液晶が保持されていることを特徴とする電気光学装置。  9. The method according to claim 1, wherein a region surrounded by the sealing material is provided between the first substrate and the second substrate bonded to the first substrate through the sealing material. An electro-optical device, wherein a liquid crystal as the electro-optical material is held. 請求項1ないし7のいずれかにおいて、前記ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部分は、前記金属酸化膜と金属膜との多層構造とし、電極幅が狭くなっている部分の電気的抵抗を下げることを特徴とする電気光学装置。8. The portion of the striped electrode in which an electrode width is narrower than a portion passing over a region where the insulating film is formed is formed between the metal oxide film and the metal film. An electro-optical device having a multilayer structure and lowering the electrical resistance of a portion where the electrode width is narrow. 請求項1ないし10のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device as defined in claim 1 as a display unit.
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