JP3811728B2 - Film thickness acquisition method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は膜厚取得方法に関するものであり、例えば、液晶表示装置等の製造工程において、平板上に薄膜を塗布する際に、塗布した薄膜の膜厚の分布を簡単な装置で高速に得るための構成に特徴のある膜厚取得方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置等の製造工程においては、フォトレジストの塗布工程或いは反射防止膜の成膜工程等の多数の薄膜の形成工程を必要としているが、このような薄膜の形成工程においては、薄膜の膜厚を均一にする必要があり、特に、液晶パネルが大型化するにともなって、製造歩留りを高めるためにはより一層の面内均一化が必要になっている。
【0003】
従来、この様な薄膜の膜厚を非接触で測定する方法としては、干渉による偏光の変化を用いるタイプと、干渉による分光反射率の変化を用いるものなどが知られている。
【0004】
このうち、干渉による偏光の変化を用いるタイプとしては、エリプソメータがあり、このエリプソメータは、入射光と反射光の偏光の変化を測定して解析し、膜厚、光学定数、物質特性などを測定する装置である。
この測定で得られるデータは多岐に渡ること、複雑な構成の膜などの測定も可能であることなどの特徴があるが、装置は一般に高価である。
【0005】
一方、分光反射率を利用した膜厚計は、白色光を薄膜で反射させると、干渉のために波長によって反射強度が変動する分光反射率が得られる。
これを分光器で測定して得られた波形とのフィッティングや極大・極小解析により膜厚や光学定数を測定することができる。
【0006】
また、反射光の色度を用いて色材層の厚さを測定する方法も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この提案においては、色材層そのものが持つ色が、厚さが増すにつれて変化して見えることを利用したものである。
【0007】
【特許文献1】
特開平7−225119号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した従来での膜厚検査技術は、基本的に同時には局所的な1点の膜厚を測定することしかできないという問題があり、基板面内の膜厚分布を測定するためには多大の時間を要するという問題がある。
【0009】
また、エリプソメータにせよ、分光器を用いた膜厚計にせよ、測定器部分が高価で大掛かりなため、測定器をアレイ状に配置して同時に広い面積を測定するというアプローチをとることも現実的には困難である。
【0010】
そのため、広い面積の膜厚分布を取得するためには、測定器を測定対象物に沿って走査することが必要となるが、液晶パネルなどを高い解像度で膜厚分布測定を行おうとすれば、多大な時間を要することになる。
特に、液晶パネルの大画面化に伴って測定に要する時間が大幅に増大することになる。
【0011】
また、上記の特許文献1における提案は、薄膜における干渉による着色を利用したものではないので数十μm〜数μmのオーダーの膜厚の測定を対象とするものであり、サブミクロンオーダーの透明薄膜の膜厚を数%以上の精度で測定することができないという問題がある。
【0012】
したがって、本発明は、簡単な構成により平板上に設けた薄膜の膜厚の面内分布を高速に取得することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
図1は、本発明の原理的構成を表す膜厚と色度の相関を示す概念図であり、ここで、図1を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図1参照
(1)上記の目的を達成するため、本発明は、膜厚取得方法において、波長の分布が広範囲にわたる光源からの照射光を測定対象物である基板上に設けた被膜に入射させ、被膜からの干渉を起こした反射光をエリアセンサタイプのイメージセンサからなる受光装置によりR,G,B毎の画像として取得し、取得した各画像から求めたXYZ表色系に基づく色度を干渉光の色合いの基準として、測定した反射光の波長毎に干渉光の強度が極大,極小をとる膜厚が異なることによる干渉光の色の変化を検出することによって被膜の膜厚を取得することを特徴とする。
【0014】
従来のように、膜厚の変化を波長依存性や偏光状態の変化として捉えるのではなく、色の変化として捉えることにより、エリアセンサタイプのイメージセンサからなる受光装置は光の色合いの変化をR,G,B毎の画像として取得するだけで良いので装置構成が簡素化され、且つ、測定の高速化が可能になる。
【0015】
また、薄膜における反射光の波長毎の干渉光の強度の変化による色合いの変化を利用しているので、無色の膜の膜厚の測定も可能になり、且つ、サブミクロンオーダの膜厚を数%の精度で測定することが可能になる。
【0017】
なお、この場合の干渉光の色合いの基準としては、CIEが定めた表色基準であるXYZ表色系のX,Y,Zの等色関数に基づく色度x,y,zを用いることによって、図1に示すように、膜膜のx−y色度平面における座標は、膜厚によって異なるので、色度x,yを取得することによって膜厚を換算することが可能になる。
【0019】
このように、受光装置としてエリアセンサタイプのイメージセンサを用い、イメージセンサの各ピクセルを個々の受光素子として使うことによって、大面積の2次元膜厚分布を高速に取得することが可能になる。
なお、この場合、イメージセンサは、CCD型、CMOS型、或いは、MOS型のいずれでも良いものである。
【0020】
(2)また、本発明は、上記(1)において、受光装置が、カラーフィルタのRGBの関数がルーター条件を満たしているエリアセンサタイプのイメージセンサであることを特徴とする。
【0022】
【発明の実施の形態】
ここで、図2乃至図6を参照して、本発明の実施の形態の膜厚取得方法を説明する。
図2参照
図2は、本発明の実施の形態に用いる膜厚取得装置の概念的構成図であり、面光源11、撮像用レンズ15を備えたエリアセンサ型のカラーCCDカメラ12、測定対象の薄膜を成膜した測定パネル13、測定パネル13を水平に載置・保持するステージ14から構成される。
【0023】
ここでは、面光源11としては、連続波長で発光する通常の蛍光管を利用し、面光源表面で十分に拡散されて見込み角によって輝度、色度の変動がないもの或いは実効的に問題にならない程度に変動が少ないものを用いる。
【0024】
また、カラーCCDカメラ12としては、3枚のCCDを用いてR,G,B毎に画像信号を取得する3CCD型カラーカメラを用い、鉛直方向から約15°傾けて設置する。
【0025】
このカラーCCDカメラ12で撮像した画像は、カメラの傾きの影響と撮像用レンズ15の収差で歪みが発生するそのため、撮像した画像に対して歪みの補正を行い、どの測定パネル13の画像の形も正しい画像が得られるようにする。
【0026】
この様な膜厚取得装置によって、測定パネル13の画像を撮像することによって、カラーCCDカメラ12を構成するCCDの各ピクセルについて、各ピクセルの対応する位置における薄膜の膜厚の違いによる色合いの違いから、異なるRGB値の出力が得られる。
【0027】
なお、ここで使用するカラーCCDカメラ12は、カラーフィルタのRGBの関数がルーター条件を満たしているものを使用する。
このルーター条件とは、測色のためのカラーCCDカメラ12のRGBの関数が、等色関数の線形変換となっていることであり、等色関数としてはCIEが定めた国際的な表色基準であるXYZ表色系のX,Y,Zの等色関数を用いる。
【0028】
このとき、カラーCCDカメラ12を用いて取得した画像のRGB値は、次のようにして色度x,yに変換する。
まず、(1)式によって、RGB値をXYZ値に変換する。
【数1】
なお、(1)式におけるAはカラーフィルタの特性を表す3行3列の変換行列である。
【0029】
次いで、(2)式によって、XYZ値を色度x,yに変換すれば良い。
【数2】
【0030】
次いで、得られた色度x,yから膜厚への変換方法を説明する。
上述の図1に示したように、薄膜の膜厚が変化するにつれて、色度はx−y平面上を移動する。
【0031】
このとき、どの膜厚の時に、どの平面上のどの座標になるかを、使用する光源の波長強度分布、測定対象となる薄膜の屈折率を基にして図1のような変動をテーブル化してリファレンスとし、実測によって得られた色度座標をこのリファレンスとフィッティングすることによって膜厚を求める。
なお、膜厚の変化が大きい場合、異なる膜厚の時にも色度が近い値をとることがあるが、その場合は膜厚範囲を限定するなどの方法で対処すれば良い。
【0032】
以上を前提として、次に、図3乃至図6を参照して、具体的膜厚取得方法を説明する。
図3参照
図3は、撮像時のカラーCCDカメラと測定パネルの位置関係の説明図であり、測定対象として、大型液晶パネルに用いる1800mm×1500mmのサイズのガラス基板21上に設けたSiO2 膜22とする。
なお、SiO2 の屈折率nは、λ=632.8nmの時に、n=1.45となる。
【0033】
ここでは、測定対象のSiO2 膜22を設けたガラス基板21の表面から、カラーCCDカメラ12の撮像用レンズ15の主点までの高さHを440mmに設定する。
このとき、撮像用レンズ15の焦点距離を4mm、CCDのサイズを1/3インチタイプとすると、画角は約61°×48°となる。
【0034】
ガラス基板21表面における440mmの高さから48°の範囲は約400mmであり、また、61°の範囲は760mmとなるので、1800mm×1500mmの面積をカバーするためには、ガラス基板21を3×4に12分割して撮像する必要がある。
【0035】
また、ここではSiO2 膜22の膜厚は、およそ400nm程度とし、これを、3 %の膜厚変化を検出可能にすることを目標とする。
400nmの3%は12nmで、安全率を見込んで0.3%を目標とすると、1.2nmの膜厚変化を検出する必要がある。
【0036】
図4及び図5参照
図4及び図5は、ある光源のもとで、視野角30°から見た時の薄膜の膜厚の変化に伴う色度の変化をシミュレーションした結果を変換テーブルとして示したものである。
【0037】
図6参照
上記の図4及び図5に示したデータをグラフすることによって、図6に示した色度曲線が得られた。
【0038】
ついで、カラーCCDカメラ12を用いて所定領域のRGB値を一括して取得し、上記の式(1)及び(2)から、各ピクセルに対応する領域の色度座標(x,y)を求め、予め取得したデータとフィッティングして膜厚を求める。
【0039】
このとき、色度に直した時点で、有効数字3桁程度のデータがあれば、1nmの膜厚差を検出できると言える。
測定により取得したRGB値から線形変換によってXYZに変換するため、ほぼRGB値の時点の有効数字は保存されると考えられるので、R,G,Bそれぞれについて10bitの諧調を持つCCDを使用すれば良いことになる。
【0040】
使用するR,G,Bのそれぞれについて10ビットの諧調を持つCCDカメラについて、RGB値からXYZ表色系のXYZ値に変換する具体的式が、下記の式(3)で表すことができるとする。
【数3】
【0041】
カラーCCDカメラ12で測定パネル13の視野角θ=30°の点Pにおいて取得したRGB値が、下記の(4)式である。
【数4】
【0042】
次いで、これを上記の(1)式で線形変換し、さらに上記(2)式により、
x=0.308
y=0.365
の色度座標が得られる。
【0043】
この色度座標(x,y)と、図4及び図5に示した変換テーブルのデータとをフィッティングして、最も差が小さくなる膜厚を検出したところ、点Pの膜厚dは、d=388nmとなる。
【0044】
なお、求める点の視野角が、点Pとは異なる場合は、それぞれの視野角ごとに図4及び図5と同様なテーブルを作成して変換することで、測定パネル全体の膜厚分布を求めることができる。
【0045】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては受光装置として3CCD型のカラーエリアセンサを用いているが、1枚のCCDを用いたカラーエリアセンサを用いてもよい。
また、方式はCCD方式に限られるものではなく、CMOS型或いはMOS型のエリアセンサを用いても良いものである。
【0046】
また、上記の実施の形態において設定したカメラの傾斜角、設置高さH、画像を取り込む視野角は単なる一例であり、使用するカメラの解像度や、使用するレンズの開口数に応じて適宜変更可能であることは言うまでもない。
【0047】
また、上記実施の形態においては、予めシミュレーションにより膜厚−色度相関の変換テーブルを作成し、このテーブルとフィッティングすることによって膜厚を求めているが、実際にさまざまな膜厚のリファレンスを測定して、膜厚−色度相関の変換テーブルを作成しておいても良いものであり、この時の光源は実際の製造工程における薄膜の膜厚を測定するときと同じ波長強度分布を有する光源を用いることが望ましい。
【0048】
例えば、膜厚が既知で且つステップ的に変化する標準試料を用いて、所定の移動距離Δ毎ステップ的に移動させて撮像してRGB値を得て、各視野角θにおける色度座標を取得すれば良く、また、中心線から横方向(Y方向)にずれた位置に対する補正係数も同時に求めることができる。
【0049】
また、上記の実施の形態においては、液晶パネルを構成するガラス基板に成膜したSiO2 膜の膜厚の取得方法として説明しているが、SiO2 膜に限られるものではなく、各種の薄膜の膜厚の測定に適用されるものであり、光源となる波長に対して透明或いは半透明であれば良い。
【0050】
また、本発明は、液晶パネルに限られるものではなく、プラズマ表示装置等の他の表示装置における成膜工程、或いは、半導体装置等の各種のデバイスの製造工程における各種の成膜工程にも適用されるものである。
【0051】
さらには、本発明は特定の装置の成膜工程に限られるものではなく、表面が平坦な基板にミクロン〜サブミクロンオーダの薄膜を成膜する全ての成膜工程に適用されるものである。
【0052】
また、本発明の実施の形態においては、光源として通常の蛍光灯を用いているが、できるだけ白色に近い蛍光灯が望ましい。
さらに、白色光に限られるものではなく、ある程度の広範囲の波長領域において連続的な波長強度分布を有する光源でも良く、この場合には、予め膜厚が既知の標準試料を用いて白色からのずれを測定して変換テーブルを補正すれば良い。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、一般的なCCD型やCMOS型のエリアセンサ型のイメージセンサを用いて広い面積における干渉による色をRGB値として一括して取得し、XYZ表色系に線形変換して色度座標を求めて、膜厚−色度相関から膜厚を求めているので、従来のように分光器などの特殊な測定器を必要とせずに、高速で測定することが可能になり、ひいては、大型液晶表示装置等の低コスト化、高表示品質化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成を表す膜厚と色度の相関を示す概念図である。
【図2】本発明の実施の形態に用いる膜厚取得装置の概念的構成図である。
【図3】本発明の実施の形態におけるカラーCCDカメラと測定パネルの位置関係の説明図である。
【図4】膜厚がd=350〜409nmの範囲における色度座標の変換テーブルである。
【図5】膜厚がd=410〜450nmの範囲における色度座標の変換テーブルである。
【図6】色度曲線の説明図である。
【符号の説明】
11 面光源
12 カラーCCDカメラ
13 測定パネル
14 ステージ
15 撮像用レンズ
21 ガラス基板
22 SiO2 膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a film thickness acquisition method. For example, when a thin film is applied on a flat plate in a manufacturing process of a liquid crystal display device or the like, the distribution of the applied thin film thickness can be obtained at high speed with a simple apparatus. The present invention relates to a method for obtaining a film thickness characteristic of the structure.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of a liquid crystal display device or the like, a number of thin film forming processes such as a photoresist coating process or an antireflection film forming process are required. In such a thin film forming process, a thin film film is required. It is necessary to make the thickness uniform, and in particular, as the liquid crystal panel becomes larger, further in-plane uniformity is required to increase the manufacturing yield.
[0003]
Conventionally, as a method for measuring the thickness of such a thin film in a non-contact manner, a type using a change in polarization due to interference and a method using a change in spectral reflectance due to interference are known.
[0004]
Among these types, an ellipsometer is a type that uses a change in polarization due to interference. This ellipsometer measures and analyzes changes in polarization of incident light and reflected light, and measures film thickness, optical constants, material properties, and the like. Device.
The data obtained by this measurement has various features such as the ability to measure a film having a complicated structure, but the apparatus is generally expensive.
[0005]
On the other hand, the film thickness meter using the spectral reflectance, when white light is reflected by a thin film, provides a spectral reflectance whose reflection intensity varies depending on the wavelength due to interference.
The film thickness and optical constant can be measured by fitting with a waveform obtained by measuring this with a spectroscope or by maximal / minimal analysis.
[0006]
A method for measuring the thickness of the color material layer using the chromaticity of reflected light has also been proposed (see, for example, Patent Document 1).
This proposal uses the fact that the color of the color material layer itself appears to change as the thickness increases.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-7-225119
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional film thickness inspection technique described above has a problem that basically only a local film thickness can be measured at the same time. In order to measure the film thickness distribution in the substrate surface, There is a problem that it takes a lot of time.
[0009]
Also, whether it is an ellipsometer or a film thickness meter using a spectroscope, the measuring instrument part is expensive and large, so it is realistic to arrange the measuring instruments in an array and measure a wide area at the same time. It is difficult.
[0010]
Therefore, in order to obtain a film thickness distribution over a wide area, it is necessary to scan the measuring instrument along the object to be measured. It will take a lot of time.
In particular, the time required for measurement greatly increases as the liquid crystal panel becomes larger.
[0011]
Further, the proposal in the above-mentioned
[0012]
Accordingly, an object of the present invention is to obtain an in-plane distribution of the film thickness of a thin film provided on a flat plate with a simple configuration at high speed.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
FIG. 1 is a conceptual diagram showing the correlation between film thickness and chromaticity representing the fundamental configuration of the present invention. Here, means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
See FIG. 1. (1) In order to achieve the above object, according to the present invention, in the film thickness acquisition method, irradiation light from a light source having a wide wavelength distribution is incident on a film provided on a substrate as a measurement object. The reflected light causing interference from the film is acquired as an image for each of R, G, and B by a light receiving device composed of an area sensor type image sensor , and the chromaticity based on the XYZ color system obtained from each acquired image is obtained. As a reference for the color of the interference light, the film thickness of the coating is obtained by detecting the change in the color of the interference light due to the difference in the film thickness at which the intensity of the interference light is maximized and minimized for each wavelength of the reflected light measured. It is characterized by that.
[0014]
Instead of capturing the change in film thickness as a change in wavelength dependency or polarization state as in the past, the light receiving device comprising an area sensor type image sensor detects the change in light shade as R. , G, and B need only be acquired as images, the apparatus configuration is simplified, and the measurement speed can be increased.
[0015]
In addition, since the change in hue due to the change in the intensity of the interference light for each wavelength of reflected light in the thin film is used, it is possible to measure the thickness of the colorless film, and the thickness of the submicron order is several. % Accuracy can be measured.
[0017]
In this case, as a reference for the color of the interference light, chromaticity x, y, and z based on the color matching functions of X, Y, and Z in the XYZ color system, which is the color standard defined by the CIE, are used . As shown in FIG. 1, since the coordinates in the xy chromaticity plane of the film film differ depending on the film thickness, the film thickness can be converted by obtaining the chromaticity x, y.
[0019]
Thus, by using an area sensor type image sensor as the light receiving device and using each pixel of the image sensor as an individual light receiving element, it is possible to obtain a large area two-dimensional film thickness distribution at high speed.
In this case, the image sensor may be any of a CCD type, a CMOS type, or a MOS type.
[0020]
( 2 ) Further, the present invention is characterized in that, in the above ( 1 ), the light receiving device is an area sensor type image sensor in which the RGB function of the color filter satisfies a router condition .
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Here, with reference to FIG. 2 thru | or FIG. 6, the film thickness acquisition method of embodiment of this invention is demonstrated.
FIG. 2 is a conceptual block diagram of a film thickness acquisition apparatus used in the embodiment of the present invention. An area sensor type
[0023]
Here, a normal fluorescent tube that emits light at a continuous wavelength is used as the surface light source 11, and the surface light source is sufficiently diffused on the surface of the surface light source so that there is no change in luminance and chromaticity depending on the prospective angle, or there is no practical problem. Use the one with little fluctuation.
[0024]
The
[0025]
Since the image captured by the
[0026]
By taking an image of the
[0027]
Note that the
The router condition is that the RGB function of the
[0028]
At this time, the RGB value of the image acquired using the
First, RGB values are converted into XYZ values according to equation (1).
[Expression 1]
In the equation (1), A is a 3 × 3 conversion matrix representing the characteristics of the color filter.
[0029]
Next, the XYZ value may be converted into chromaticity x, y by equation (2).
[Expression 2]
[0030]
Next, a method for converting the obtained chromaticity x, y into a film thickness will be described.
As shown in FIG. 1 described above, the chromaticity moves on the xy plane as the film thickness changes.
[0031]
At this time, the coordinates as to which coordinate on which plane at which film thickness is obtained are tabulated on the fluctuation as shown in FIG. 1 based on the wavelength intensity distribution of the light source used and the refractive index of the thin film to be measured. The film thickness is obtained by fitting a chromaticity coordinate obtained by actual measurement with this reference as a reference.
Note that when the change in film thickness is large, the chromaticity may take a value close to that at different film thicknesses. In such a case, it may be dealt with by a method such as limiting the film thickness range.
[0032]
Based on the above, a specific film thickness acquisition method will now be described with reference to FIGS.
3. FIG. 3 is an explanatory view of the positional relationship between the color CCD camera and the measurement panel at the time of imaging, and an SiO 2 film provided on a
The refractive index n of SiO 2 is n = 1.45 when λ = 632.8 nm.
[0033]
Here, the height H from the surface of the
At this time, if the focal length of the
[0034]
The range of 48 ° from the height of 440 mm on the surface of the
[0035]
Here, the film thickness of the SiO 2 film 22 is set to about 400 nm, and this is targeted to be able to detect a film thickness change of 3%.
If 3% of 400 nm is 12 nm and the safety factor is expected to be 0.3%, it is necessary to detect a film thickness change of 1.2 nm.
[0036]
4 and FIG. 5 FIG. 4 and FIG. 5 show, as a conversion table, the result of simulating the change in chromaticity associated with the change in film thickness when viewed from a viewing angle of 30 ° under a certain light source. It is a thing.
[0037]
See FIG. 6. By plotting the data shown in FIGS. 4 and 5 above, the chromaticity curve shown in FIG. 6 was obtained.
[0038]
Next, RGB values of a predetermined area are acquired at once using the
[0039]
At this time, it can be said that when the chromaticity is corrected, a film thickness difference of 1 nm can be detected if there is data of about three significant digits.
Since the RGB values acquired by measurement are converted into XYZ by linear conversion, it is considered that the significant figures at the time of the RGB values are almost preserved. Therefore, if a CCD having a gradation of 10 bits for each of R, G, and B is used. It will be good.
[0040]
For a CCD camera having a 10-bit gradation for each of R, G, and B to be used, a specific expression for converting RGB values into XYZ values of the XYZ color system can be expressed by the following expression (3): To do.
[Equation 3]
[0041]
The RGB value acquired by the
[Expression 4]
[0042]
Next, this is linearly transformed by the above equation (1), and further by the above equation (2),
x = 0.308
y = 0.365
Can be obtained.
[0043]
This chromaticity coordinates (x, y), and Fitting I ing a data conversion table shown in FIGS. 4 and 5, where the most difference is detected the film thickness decreases, the film thickness d of the point P D = 388 nm.
[0044]
In addition, when the viewing angle of the point to be obtained is different from the point P, the film thickness distribution of the entire measurement panel is obtained by creating and converting the same table as in FIGS. 4 and 5 for each viewing angle. be able to.
[0045]
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations described in the embodiments, and various modifications can be made.
For example, in the above embodiment, a 3CCD type color area sensor is used as the light receiving device, but a color area sensor using one CCD may be used.
Further, the system is not limited to the CCD system, and a CMOS type or MOS type area sensor may be used.
[0046]
In addition, the camera tilt angle, installation height H, and viewing angle for capturing images set in the above embodiment are merely examples, and can be appropriately changed according to the resolution of the camera used and the numerical aperture of the lens used. Needless to say.
[0047]
In the above embodiment, a film thickness-chromaticity correlation conversion table is created in advance by simulation, and the film thickness is obtained by fitting with this table. Actually, various film thickness references are measured. Then, a conversion table of film thickness-chromaticity correlation may be created, and the light source at this time is a light source having the same wavelength intensity distribution as that for measuring the film thickness of a thin film in an actual manufacturing process. It is desirable to use
[0048]
For example, using a standard sample whose film thickness is known and changing in steps, move it in steps by a predetermined movement distance Δ to obtain RGB values and obtain chromaticity coordinates at each viewing angle θ In addition, a correction coefficient for a position shifted from the center line in the horizontal direction (Y direction) can be obtained at the same time.
[0049]
In the above embodiment, the method for obtaining the film thickness of the SiO 2 film formed on the glass substrate constituting the liquid crystal panel has been described. However, the present invention is not limited to the SiO 2 film, and various thin films It is applicable to the measurement of the film thickness of the light source and may be transparent or semi-transparent to the wavelength serving as the light source.
[0050]
The present invention is not limited to a liquid crystal panel, and is also applicable to a film forming process in another display device such as a plasma display device or various film forming steps in a manufacturing process of various devices such as a semiconductor device. It is what is done.
[0051]
Furthermore, the present invention is not limited to the film forming process of a specific apparatus, but can be applied to all film forming processes for forming a micron to submicron order thin film on a substrate having a flat surface.
[0052]
In the embodiment of the present invention, a normal fluorescent lamp is used as the light source, but a fluorescent lamp that is as close to white as possible is desirable.
Further, the light source is not limited to white light, and may be a light source having a continuous wavelength intensity distribution in a certain wide wavelength range. In this case, a deviation from white using a standard sample whose thickness is known in advance may be used. To correct the conversion table.
[0053]
【The invention's effect】
According to the present invention, a general CCD type or CMOS type area sensor type image sensor is used to collectively obtain colors due to interference in a wide area as RGB values, and linearly converted into an XYZ color system to perform color conversion. Since the degree coordinate is obtained and the film thickness is obtained from the film thickness-chromaticity correlation, it becomes possible to measure at high speed without requiring a special measuring instrument such as a spectroscope as in the past. In addition, it greatly contributes to cost reduction and high display quality of large liquid crystal display devices.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a conceptual diagram showing the correlation between film thickness and chromaticity representing the basic configuration of the present invention.
FIG. 2 is a conceptual configuration diagram of a film thickness acquisition apparatus used in an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a positional relationship between a color CCD camera and a measurement panel in the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a conversion table of chromaticity coordinates in a film thickness range of d = 350 to 409 nm.
FIG. 5 is a chromaticity coordinate conversion table in a film thickness range of d = 410 to 450 nm.
FIG. 6 is an explanatory diagram of a chromaticity curve.
[Explanation of symbols]
11
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