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JP3784312B2 - Coating film forming apparatus and method - Google Patents

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JP3784312B2
JP3784312B2 JP2001370266A JP2001370266A JP3784312B2 JP 3784312 B2 JP3784312 B2 JP 3784312B2 JP 2001370266 A JP2001370266 A JP 2001370266A JP 2001370266 A JP2001370266 A JP 2001370266A JP 3784312 B2 JP3784312 B2 JP 3784312B2
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively utilize a substrate by approaching a zone to be coated to the periphery of the substrate in the formation of a liquid film while scanning linearly. <P>SOLUTION: The delivery of the substrate to a substrate holding part is performed by using a substrate transporting means having a function to align and delivering the pre-treated substrate to the substrate holding part in a coating unit. After the delivery, the precise position of the substrate is recognized by a position detecting means and the central coordinates of the substrate are obtained. The error in each center of the substrate and the substrate holding part is corrected if it is present and after the precise positioning of the zone of the substrate is recognized in a control part, the coating liquid is supplied to the zone. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用のガラス基板、またはフォトマスク用のレチクル基板といった各種基板に塗布液の供給を行い、その基板の表面に塗布液の液膜を形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスやLCDの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術は、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)にレジスト液を塗布して当該表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われるものである。この工程を行うにあたっては、従来から例えば塗布ユニット、現像ユニット、及びこれらユニットの処理に対する前後の処理を行うための加熱ユニット、冷却ユニット、並びにこれら各ユニットの間で被処理基板の受け渡しを行うためのメインアームを備えたパターン形成装置が用いられている。
【0003】
パターン形成装置におけるレジスト液の塗布ユニットとしては、例えば図16に示すようなレールRに沿って移動自在な基板保持部11により、被塗布基板であるウエハWを裏面側から吸着保持すると共に、この保持されたウエハWの上方に、レジスト液の吐出口が当該ウエハWと対向するようにノズル12を設け、このノズル12を図示しないガイド部材に沿ってX方向に往復させると共にウエハWをY方向に間欠送りし、いわゆる一筆書きの要領でウエハWの表面全体にレジスト液を供給していくものが知られている。このような塗布装置では、例えばレジスト液がウエハWの外縁にこぼれ落ちると、当該部位に付着したレジスト液がパーティクルとなって飛散するおそれがあることから、ウエハWにおけるデバイス形成が行われる被塗布領域以外の部分にレジスト液が付着することを極力抑える必要があり、例えば図17及び図18に示すような一対の液受け部13(13a,13b)が用いられている。
【0004】
液受け部13(13a,13b)は、図示するようにノズル12の移動領域における両端部にX方向に進退自在に設けられており、塗布処理時にはウエハWの被塗布領域14の幅に応じて移動するように制御部15から制御される構成とされている。この進退制御について具体的に説明すると、先ず基板保持部12には既述の図示しないメインアームから当該基板保持部11の上に載置される。制御部15には、基板保持部11のY座標の位置と液受け部13(13a,13b)の離間距離αとを対応付けたテーブルが記憶されており、そのテーブルは例えば(Y=−99mm,α=○○mm),(Y=−98.5mm,α=△△mm),(Y=−98.0mm,α=□□mm)…といった具合に記述されている。Y=−100mmは、ウエハWの先端が例えば液受け部13aの中央と液受け部13bの中央とを結ぶ線に位置しているときの基板保持部11の位置であり、ウエハWが図18中の矢印の方向に前進するにつれてYの値が例えば0.5mmずつ少なくなる。このように基板保持部11のY座標位置に応じて液受け部13a,13bの離間距離αがX方向に対称に変化し、これによりウエハW上のデバイス形成領域にレジスト液が塗布される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ここで基板保持部11にウエハWを受け渡すメインアームは、例えばウエハWの周縁を囲む馬蹄形状をなしていて、ウエハWの周縁を規制するように構成されており、例えばウエハWが直径300mmサイズのものであればサイズのばらつきの範囲内で最大のウエハW例えば直径300.5mmのウエハWが保持できるように構成される。従ってウエハWの周縁とメインアームの内周部分との間には通常僅かな隙間があり、ばらつきあるウエハの中でもサイズの小さなものほど前記隙間が大きくなる。
【0006】
このようにメインアームはウエハWの周縁を規制しているため、ウエハWは加熱ユニット或いは冷却ユニットのプレート上の予定としている位置にほぼ正確に載置され、また塗布ユニットの基板保持部11においても同様である。従って図18に示すようにウエハWの中心線βは液受け部13a,13b間のほぼ中央に位置するのでウエハWの周縁よりも少し内方に寄った位置までレジスト液を塗布することができる。
【0007】
ところで、これまではウエハWの周縁から5mm程度の位置までを被塗布領域としていたため、ウエハWの中心線βと液受け部13a,13b間の中心とが概ね一致していれば支障はなかったが、今後ウエハWをできるだけ無駄なく使用するために被塗布領域をウエハWの周縁から例えば2mm程度の位置まで形成しようとすると、マスク領域16の長さが極めて短くなる。ウエハWの周縁から定められた寸法分内側までレジスト液を塗布しようとする場合、液受け部13の離間距離αはウエハWの中心線βが一対の液受け部13a,13bのの中間点から偏位したときのことを見込んで、ウエハWのY方向位置に応じた被塗布領域の長さよりも若干マージンをとって大きくする必要があるが、このマージンを大きくするとウエハWが寄った側と反対側の液受け部13がウエハWの周縁よりも外側に位置してしまう。このためウエハWの周縁から例えば2mmの位置までレジスト液を塗布しようとすると、メインアームでウエハWを保持したときにおけるウエハWのサイズのばらつきに起因した保持位置のばらつきが、ウエハWの周縁にレジスト液が付着する要因となってしまうことがある。ウエハWの周縁に付着したレジスト液はパーティクルの発生要因となりやすく、歩留まりに大きな影響を与えてしまう。従ってウエハWの周縁に近づけてレジスト液を塗布することができないという課題があった。
【0008】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板に対して塗布液を線状にスキャン塗布して当該基板の表面に塗布液の液膜を形成するにあたり、被塗布領域を基板の周縁に近付けることで基板をより有効に利用できる技術を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る塗布膜形成装置は、半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする。
【0010】
このような構成によれば、基板に対して塗布液の供給を開始するのに先立ち、基板保持部に保持された基板の中心位置が、例えば所定の塗布開始位置にくるように予め位置の調整を行っておくことができる。従って、これまで基板上の被塗布領域と実際の塗布液の供給範囲との誤差を考慮し、余裕をもたせていた液受け部による被塗布領域の規制範囲を狭めることができ、結果として基板の有効なデバイス領域を広げることが可能となる。
【0011】
また他の発明に係る塗布膜形成装置は、複数の半導体ウエハである基板を収納した基板カセットが載置されるカセットステーションと、
前記基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布ユニットと、
この塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処理または後処理を行う複数の処理ユニットと、
前記カセットステーション内の基板カセットから取り出された基板に対し、基板の周縁を規制した状態で保持することにより前記処理ユニットにおける処理に対しては影響が生じない程度に基板の中心の位置合わせを行うと共に、塗布ユニット及び処理ユニットの間で搬送する搬送アームを備えた基板搬送手段と、を備え、
前記塗布ユニットは、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする。
【0012】
このような構成によれば、基板搬送手段から塗布ユニット内の基板保持部へ受け渡された基板の中心位置にずれが生じたとしても、その位置のずれを補正して塗布処理を行うことができるため、塗布処理の結果が搬送アームに設けられるあそびの量に左右されることなく基板の有効デバイス領域を広げることができる。
【0013】
また本発明に係る塗布膜形成方法は、半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成方法において、
X方向に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在な基板保持部にて基板を水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する工程と、
検出された基板の中心位置と一対の液受け部の中間点との間のX方向の誤差を求め、基板の中心位置及び前記中間点の各X座標が一致するように基板保持部を相対的にX方向に移動させる工程と、
その後、前記基板保持部に保持された基板と対向して設けた供給ノズルを、当該基板に向かって塗布液を吐出させながらX方向に往復移動させる工程と、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制するために前記一対の液受け部を互いにX方向に対称に進退させる工程と、
供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液が直線状に塗布された後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように、基板を供給ノズル及び液受け部に対して相対的にY方向に間欠移動させる工程と、を含むことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布現像装置を、基板に対してレジスト膜を形成し、露光後の基板を現像する塗布・現像装置に適用した実施の形態について説明する。図1及び図2は本実施の形態の全体構造を示すものであり、図中21はカセットステーションであり、例えば25枚の基板であるウエハWを収納したカセットCを載置するカセット載置部22と、載置されたカセットCとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しアーム23とが設けられている。この受け渡しアーム23の奥側には筐体24にて周囲を囲まれる処理部S1が接続されている。処理部S1の中央には基板搬送手段をなす主搬送手段3が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には塗布ユニット4及び現像ユニット25を組合わせてなる液処理ユニットU1が、左側、手前側、奥側には塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処理または後処理を行うための処理ユニットや、ウエハWの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡しユニット等を多段に積み重ねて構成される棚ユニットU2,U3,U4が夫々配置されている。
【0015】
棚ユニットU2,U3,U4を構成する処理ユニットには、例えば塗布ユニット4にて塗布液が塗られたウエハWを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット、ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット、ウエハWを冷却する冷却ユニット等が含まれる。なお上述した受け渡しユニットは棚ユニットU3及びU4に組み込まれる。また、上述した主搬送手段3は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在な搬送アーム(メインアーム)を備えており、液処理ユニットU1及び棚ユニットU2,U3,U4を構成する各ユニット間でウエハWの受け渡しを行うことが可能となっている。また処理部S1の奥側にはインタ−フェイス部S2が接続されている。インタ−フェイス部S2は例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された受け渡し手段26により、処理部S1と図示しない露光装置との間でウエハWの受け渡しを行うものである。なお図2では、作図の便宜上受け渡しアーム23及び主搬送手段3を省略している。
【0016】
ここで主搬送手段3の構成について図3〜5を参照しながら説明を行う。図3中31は昇降自在なアーム部であり、ウエハWを保持すると共に複数段例えば3段に設けられる搬送アーム32(32a,32b,32c)と、これらを下方側にて支持する基台33とで構成される。アーム部31の両側方には、当該アーム部31を上下に案内するための一対のガイド部材34が設けられ、その上下端は連結部材35(35a,35b)によって連結されている。また連結部材35bはその下方側を回転台36により支持されており、この回転台36により主搬送手段3は一体的に鉛直軸周りにθ回転できる構成とされている。
【0017】
搬送アーム32(32a,32b,32c)は、夫々がウエハWの周縁部を保持すると共に基台33の長手方向に独立して進退自在に設けられ、その駆動制御は既述の駆動機構37を介して制御部5により行われる。搬送アーム32aを例にとり、その構成について図4(a)を参照して説明すると、先端側には前方側が切欠された馬蹄形状の支持枠p1が形成されており、この支持枠p1の内側にウエハWの周縁を保持及び規制する規制部材をなす支持片p2が複数個例えば3個設けられている。各支持片p2には、図4(b)に図示するように下方内側に傾斜する傾斜面p3が形成され、ウエハWをこの傾斜面p3に沿って上方側から滑り落とし込ませることで、ウエハWの周縁をいつも概ね同じ姿勢で保持及び規制できるようになっている。
【0018】
また搬送アーム32aは、ウエハWを例えば300mm±0.2mmサイズとしたときに、その誤差を考慮して例えば300.5mmまで保持できるように、各支持片p2とウエハWとの間に僅かな遊びをもたせた構成とされている。更にまた、搬送アーム32aは、ウエハWの搬送時において当該搬送アーム32aの中心p4(ウエハWを保持したときのウエハWの中心)がウエハWの受け渡し先におけるウエハWの載置予定位置(例えば後述する塗布ユニット4の基板保持部41の中心q)まで正確に向かうように、予めティーチングによる位置合わせ作業が行われており、こうして得た位置合わせ情報に基づいてウエハWの搬送制御がなされるようになっている。
【0019】
次いで塗布ユニット4について図5及び6を参照しながら説明を行う。図中40は筐体であり、その内部空間は中央にスリット41が形成された仕切り板42にて上下に区画されており、また図示しない気流形成手段により例えば清浄な空気のダウンフローが形成されている。スリット41における長さ方向の幅は、例えばウエハWの被塗布領域の最大幅と略同じとされている。
【0020】
先ず仕切り板42下方側の下部側空間40aから説明すると、43はウエハWを裏面側にて例えば真空吸着して水平保持する基板保持部であり、吸着部44と、吸着部44を昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在とするための回転基体45とで構成される。回転基体45はその下端を移動体46によって支持されると共にX方向駆動部47を介して移動体46の上面に設けられるレール47aに沿ってX方向に移動可能とされており、また移動体46はボールネジ機構よりなるY方向駆動部48(作図の便宜上、ボールネジのみを図示)を介して筐体40の底面に設けられるレール48aに沿ってY方向に移動可能とされている。即ち、回転基体45、X方向駆動部47及びレール47aは第1の駆動部に相当し、Y方向駆動部48及びレール48aは第2の駆動部に相当するものであり、夫々の駆動制御は制御部5から行われる。また制御部5は、上記の各駆動部位に設けられる図示しないモータと連結されるパルスエンコーダ等から基板保持部43の位置(座標)及び回転角を把握できるように構成されている。
【0021】
仕切り板42上方の上部側空間40bには、既述のスリット41の一部を覆うことができるように進退駆動部71を介して互いに対称にX方向に進退自在な一対の液受け部72(72a,72b)と、この液受け部72(72a,72b)の移動領域上方においてガイド部材73に沿ってX方向にガイドされる供給ノズル74と、ガイド部材73を介して供給ノズル74をX方向に駆動させるノズル駆動部75とが設けられている。また液受け部72(72a,72b)は上方から落下してくるレジスト液を受け止め、これを回収することができるように例えばトレー状に形成されており、更に図示は省略するが表面に付着したレジスト液を洗い流すための洗浄機構、或いは受けたレジスト液を装置外部に排出するためのドレインラインなどが設けられている。
【0022】
ここで基板保持部43における吸着部44の構造について説明すると、吸着部44の上面44aは図7の平面図に示すように円形をなしており、その表面には周方向に例えば均等間隔となるように4つの吸着手段44bが設けられている。これら吸着手段44bは図8に示すように断面凸状とされており、その先端にはウエハWの裏面側を吸着保持するための吸引口44cが形成されている。各吸引口44cは、吸着部44内部に形成されるは吸引路44dを介して吸引ポンプ44eへと連通し、吸引路44dには例えば制御部5にて開閉制御がなされる開閉バルブV1が介設されている。
【0023】
また下部側空間40aには基板保持部43の移動領域の側方に、主搬送手段3から受け渡されたウエハWの中心p4の位置を把握するための位置検出手段6が設けられており、以下図6及び図9を参照しながらその構成を説明する。この位置検出手段6は、断面コ字型をなすコ字型部61の内面に撮像手段をなすCCDカメラ62と、照明用のLED62とを対向させて設けた構成とされており、例えば図9に示すようにウエハWをこのコ字型部61に進入させると共にLED63から光の照射を行う。
【0024】
制御部5は、CCDカメラ62にて得た画像データを処理する画像処理部5aと、この画像処理部5aで処理された画像データに基づいてウエハWの所定の向きにおける中心p4の位置を求める中心位置演算部5bと、中心位置演算部5bで求めたウエハWの中心p4と基板保持部43の回転中心qとのX方向及びY方向の誤差を求め、その誤差に応じて基板保持部43の位置修正を行う誤差補正部5cと、を備えている。即ち、既述の基板保持部43を駆動させるための各部位及び制御部5の各構成要素は、特許請求の範囲における位置合わせ手段に相当するものであり、これらによって修正されるウエハWの誤差とは、ウエハWの向きをレジスト塗布時と同じにしたときのものである。また制御部5は、基板保持部43の中心qのY座標とこれに対応した液受け部72aから72bまでの間隔とを対応付けたテーブル(図示せず)を格納した記憶部5dを備えており、塗布処理時にはこのテーブルを参照して基板保持部43及び液受け部72(72a,72b)の移動制御を行う構成とされている。
【0025】
以下に本実施の形態の作用を図10に示す工程図に沿って説明する。先ずカセットCがカセットステーション21に搬入されると、受け渡しアーム23によりウエハWがカセットCから取り出され(ステップS1)、棚ユニットU3中の受け渡しユニット100を介して主搬送手段3へと受け渡される。そして棚ユニットU2(U3,U4)に含まれる各処理ユニット内にて例えば疎水化処理が行われ、次いで冷却処理が行われる(ステップS2)。冷却処理を行った処理ユニット(冷却ユニット)から搬送アーム32aへのウエハWの受け渡しについては、先ず図11(a)に示すように例えば冷却プレート101の孔部102に突没自在に設けられる複数の支持ピン103が上昇し、支持ピン103が上昇したままの状態で搬送アーム32aが進入する。そして支持ピン103を下降させることでウエハWは既述のように支持片p2の傾斜面p3に沿って下降し、図11(b)に示すように支持片p2内の所定の位置に収まると共に水平姿勢にて保持される(ステップS3)。
【0026】
そしてウエハWは主搬送手段3の働きにより塗布ユニット4近傍まで搬送され、既述の位置合わせ情報に基づいて搬送アーム32aが基板保持部43上方の所定位置まで進入すると、例えば冷却プレート101にウエハWを受け渡したときと同様の手順、即ち吸着部44が支持枠p1内で上昇してウエハWを受け取り、搬送アーム32aを筐体40から退出させた後にウエハWを所定の高さまで下降させるようにして、受け渡し作業が完了する(ステップS4)。このとき制御部5ではバルブV1の開制御を行うことで各吸引口44cにおける吸引を開始し、こうしてウエハWは吸着部44に固定される。
【0027】
次いで、ウエハWの中心p4と基板保持部43(吸着部44)の中心qとの間のX方向の誤差を補正するため、先ずウエハWの中心位置の検出が行われる(ステップS5)。この工程は先ず基板保持部43を移動させ、ウエハWを位置検出手段6のコ字型部61内に進入させて行われるものであり、以下図12を参照しながら説明する。画像処理部5aでは、最初に例えばCCDカメラ62から送信される画像データに基づき、ウエハW外縁に形成される位置合わせのための指標であるノッチrを認識し、このノッチrにおける一方の角部r1から基板保持部43の中心qまでの距離d(d1)を算出する。そして図12に示すように基板保持部43を回転させ、例えばr1の最初の座標と基板保持部43の中心qとを結ぶ線を基準線Lとしたときの回転角θ(θ1,θ2,θ3,θ4...)毎に、基準線LとウエハW外縁との交点rn(r1,r2,r3,r4...)から前記中心qまでの距離dn(d1,d2,d3,d4...)の記録を行い、基板保持部43が一回転したところで全輪郭の位置が判明するため、ウエハWの中心W1の座標が求まる。
【0028】
こうしてウエハWの中心W1の座標が求まると、ウエハWを所定の向き例えば図18に示すようなノッチrが塗布処理時における当該ウエハWの進行方向の後方側に位置する向きに回転させ、誤差補正部5cはこの状態におけるウエハWの中心W1と基板保持部43の中心qとのX方向及びY方向の誤差を算出する。そして両者の間にX方向の誤差が生じていれば、当該誤差分だけX方向駆動部47を介して基板保持部43をX方向に移動し(ステップS6)、ウエハWの中心W1と例えばスリット41の中心(液受け部72a,72bの中間点)とのX座標を一致させる。またY方向の誤差が生じていれば、当該誤差分を修正し、ウエハWの被塗布領域のY方向における先端部が供給ノズル74の移動領域の下方側となる位置(塗布処理の待機位置)までウエハWを移動させる(ステップS7)。
【0029】
そして図13に示すように供給ノズル74からレジスト液の吐出を行うと共に当該供給ノズル74をX方向にスキャンさせ、これに合わせてウエハWを図中Bの方向に間欠的に移動させていき、こうしてウエハWの一端側から他端側までいわば一筆書きの要領でレジスト液の塗布が行われる(ステップS8)。このとき液受け部72(72a,72b)は記憶部5d内の前記テーブルの内容に基づいて両者共にウエハWの外縁部を正確に同じ幅だけ覆い、且つその間隔をずらしながら移動しており、その一方で供給ノズル74は図14に示すように液受け部72aと液受け部72bとの夫々の上方を移動し、且つX方向の移動範囲を変化させながらレジスト液の供給を行うため、結果としてウエハWの表面には、端部から例えば正確に2mmの領域を残して他の全ての部位にレジスト液が塗布されることとなる。また供給ノズル74からウエハWの被塗布領域以外の部位に供給されたレジスト液は、全て液受け部72(72a,72b)にて受け止められ、図示しないドレインライン等を介して回収される。
【0030】
そして塗布処理が終了すると、ウエハWは主搬送手段3により搬入時とは逆の手順で塗布ユニット4から搬出され、所定の後処理(ステップS9)が行われる。具体的には例えば棚ユニットU2,U3,U4内の各処理ユニットにて冷却或いは減圧乾燥、加熱等の後処理を行った後、ウエハWをインターフェイス部S2を介して例えば図外に設けられる露光装置へ搬送し、ここで当該ウエハWの露光を行う。露光終了後、ウエハWは逆の経路で処理部S1内へと戻され、現像ユニット25にて現像された後(ステップS10)、カセット載置部22に載置されるカセットC内へと戻される(ステップS11)。
【0031】
このように本実施の形態によれば、主搬送手段3により塗布処理の前後処理においては影響が生じない程度にウエハWの位置合わせを行っている塗布膜形成装置において、塗布ユニット4内で更に正確な位置合わせを行うようにしているため、液受け部72(72a,72b)の中間点とウエハWの中心線とを正確に一致させることができ、ウエハWは周縁部の左右において液受け部72a、72bによりバランスよく覆われるので、液受け部72(72a,72b)によるウエハWの被覆範囲を従来より狭めることができる。従ってウエハW表面の被塗布領域であるデバイス領域を広くとることができるため、ウエハWの更なる有効利用が可能となる。
【0032】
また本実施の形態では、基板保持部43におけるウエハWの保持を、基板保持部43に設けた4つの吸着手段44bにて行うようにしているため、少ない接触面積で安定した基板保持を行うことができる。ところで上述実施の形態では基板として半導体ウエハを用いる例を示したが、基板は例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板、またはフォトマスク用のレチクル基板といった各種基板を用いることが可能であり、例えばレチクル基板のような外周縁の上下端が傾斜してカットされている基板については、基板保持部43に代えて、図15に示すような断面くの字型をなす進退自在な把持部81を複数基例えば4基設け、各々が当該基板を側方側から挟むようにして水平保持する構成とすることも可能である。このような構成では把持部81の傾斜面82(82a,82b)の夫々が上側のカット面83aと下側のカット面83bの角度に合致し、この部分だけで基板を保持するため、基板と各把持部82との接触面積が小さくて済み、パーティクル発生のおそれが少ない。
【0033】
なお、塗布処理開始に先立って行ったウエハWの向きの調整については、上述実施の形態ではノッチが当該ウエハWの進行方向後ろ側に位置する例を示したが、例えば画像処理部5aにて得たウエハW表面の画像データに基づいて調整を行うようにしてもよい。こうすることで、例えばウエハW表面上の配線パターンに最適な向きでレジスト液の塗布を行うことができる。
【0034】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板に対して塗布液を線状にスキャン塗布して当該基板の表面に塗布液の液膜を形成するにあたり、被塗布領域を基板の周縁に近付けることができ、基板をより有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。
【図2】上記の実施の形態における全体構造を示す斜視図である。
【図3】上記の実施の形態において用いられる基板搬送手段を示す斜視図である。
【図4】上記の基板搬送手段に設けられる搬送アームの一例を示す平面図と縦断面図である。
【図5】上記の実施の形態において用いられる塗布ユニットの構成を示す縦断面図である。
【図6】上記塗布ユニットの構成を示す平面図である。
【図7】上記塗布ユニットに設けられる基板保持部(吸着部)の上面を示す概略平面図である。
【図8】上記吸着部及びその関連部位についての構成を示す概略断面図である。
【図9】上記塗布ユニットに設けられる位置検出手段及びこれに関連する部位の構成を示す説明図である。
【図10】本実施の形態の作用を示す工程図である。
【図11】塗布処理の前処理を行うユニットにおける、当該ユニット内の基板保持部から搬送アームに対して基板の受け渡しの様子を示す作用説明図である。
【図12】位置検出手段による作用を示す作用説明図である。
【図13】塗布処理時における供給ノズル及びウエハWの相対的な移動関係を説明する斜視図である。
【図14】塗布処理時におけるウエハW外縁部近傍の様子を示す作用説明図である。
【図15】本発明に係る他の実施の形態を示す概略説明図である。
【図16】従来の技術における塗布処理の様子を示す斜視図である。
【図17】従来の技術における塗布装置を示す縦断面図である。
【図18】従来の技術における塗布装置を示す平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
3 主搬送手段
31 アーム部
32a 搬送アーム
43 基板保持部
44 吸着部
44b 吸着手段
45 回転基体
46 移動体
47 X方向駆動部
48 Y方向駆動部
5 制御部
5a 画像処理部
5b 中央位置演算部
5c 誤差補正部
5d 記憶部
6 位置検出手段
72(72a,72b) 液受け部
74 供給ノズル
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a technique for supplying a coating liquid to various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, or a reticle substrate for a photomask, and forming a liquid film of the coating liquid on the surface of the substrate.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of semiconductor devices and LCDs, resist processing is performed on a substrate to be processed by a technique called photolithography. In this technique, for example, a resist solution is applied to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), a liquid film is formed on the surface, the resist film is exposed using a photomask, and then a development process is performed to obtain a desired pattern. Is performed by a series of steps. In performing this process, for example, a coating unit, a developing unit, a heating unit for performing processing before and after the processing of these units, a cooling unit, and a substrate to be processed are transferred between these units. A pattern forming apparatus having a main arm is used.
[0003]
As a resist solution coating unit in the pattern forming apparatus, for example, a substrate holding unit 11 movable along a rail R as shown in FIG. A nozzle 12 is provided above the held wafer W so that the resist solution discharge port faces the wafer W. The nozzle 12 is reciprocated in the X direction along a guide member (not shown) and the wafer W is moved in the Y direction. It is known that the resist solution is supplied to the entire surface of the wafer W in a so-called one-stroke manner. In such a coating apparatus, for example, if the resist solution spills on the outer edge of the wafer W, the resist solution adhering to the part may be scattered as particles, so that device formation is performed on the wafer W. For example, a pair of liquid receiving portions 13 (13a, 13b) as shown in FIGS. 17 and 18 are used.
[0004]
As shown in the drawing, the liquid receiving portions 13 (13a, 13b) are provided at both end portions in the moving region of the nozzle 12 so as to be movable back and forth in the X direction, and according to the width of the coated region 14 of the wafer W during coating processing. It is set as the structure controlled from the control part 15 so that it may move. This advance / retreat control will be described in detail. First, the substrate holder 12 is placed on the substrate holder 11 from the above-described main arm (not shown). The control unit 15 stores a table in which the position of the Y coordinate of the substrate holding unit 11 and the separation distance α of the liquid receiving unit 13 (13a, 13b) are associated with each other. The table is, for example, (Y = −99 mm). , Α = ◯◯ mm), (Y = −98.5 mm, α = ΔΔ mm), (Y = −98.0 mm, α = □□ mm), and so on. Y = −100 mm is the position of the substrate holding portion 11 when the tip of the wafer W is located at a line connecting the center of the liquid receiving portion 13a and the center of the liquid receiving portion 13b, for example. The value of Y decreases by, for example, 0.5 mm as it advances in the direction of the arrow in the middle. In this manner, the separation distance α between the liquid receiving portions 13a and 13b changes symmetrically in the X direction in accordance with the Y coordinate position of the substrate holding portion 11, whereby the resist solution is applied to the device formation region on the wafer W.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Here, the main arm that delivers the wafer W to the substrate holding unit 11 has, for example, a horseshoe shape surrounding the periphery of the wafer W, and is configured to regulate the periphery of the wafer W. For example, the wafer W has a diameter of 300 mm. If it is of a size, it is configured so that the largest wafer W, for example, a wafer W with a diameter of 300.5 mm, can be held within the range of size variation. Accordingly, there is usually a slight gap between the peripheral edge of the wafer W and the inner peripheral portion of the main arm, and the gap becomes larger as the wafer size varies among the wafers with variations.
[0006]
Since the main arm regulates the peripheral edge of the wafer W in this way, the wafer W is placed almost accurately on a predetermined position on the plate of the heating unit or cooling unit, and in the substrate holding part 11 of the coating unit. Is the same. Therefore, as shown in FIG. 18, since the center line β of the wafer W is located at substantially the center between the liquid receiving portions 13a and 13b, the resist solution can be applied to a position slightly inward from the periphery of the wafer W. .
[0007]
By the way, until now, the region to be coated is a position of about 5 mm from the periphery of the wafer W, so that there is no problem if the center line β of the wafer W and the center between the liquid receiving portions 13a and 13b substantially coincide. However, in order to use the wafer W as efficiently as possible in the future, if the coating area is formed from the periphery of the wafer W to a position of about 2 mm, for example, the length of the mask area 16 becomes extremely short. When the resist solution is to be applied from the periphery of the wafer W to the inside by a predetermined dimension, the separation distance α of the liquid receiving portion 13 is such that the center line β of the wafer W is from an intermediate point between the pair of liquid receiving portions 13a and 13b. In anticipation of the deviation, it is necessary to make a margin slightly larger than the length of the region to be coated according to the position of the wafer W in the Y direction. The opposite liquid receiver 13 is positioned outside the periphery of the wafer W. For this reason, if the resist solution is applied from the periphery of the wafer W to a position of 2 mm, for example, the variation in the holding position caused by the variation in the size of the wafer W when the wafer W is held by the main arm is caused on the periphery of the wafer W. This may cause the resist solution to adhere. The resist solution adhering to the peripheral edge of the wafer W is likely to be a cause of generation of particles and greatly affects the yield. Accordingly, there is a problem that the resist solution cannot be applied close to the periphery of the wafer W.
[0008]
The present invention has been made based on such circumstances, and the object thereof is to form a coating film on the surface of the substrate by applying the coating solution to the substrate in a linear scan. An object of the present invention is to provide a technique that can more effectively use the substrate by bringing the coating region closer to the periphery of the substrate.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The coating film forming apparatus according to the present invention includes: It is a semiconductor wafer In a coating film forming apparatus that forms a liquid film of a coating solution on the surface of a substrate,
A substrate holding part for horizontally holding the substrate;
A first driving unit for moving the substrate holding unit in the X direction and rotating it around a vertical axis;
A supply nozzle provided opposite to the substrate held by the substrate holding unit and reciprocating in the X direction while discharging a coating liquid onto the substrate;
In order to be able to receive the coating liquid from the supply nozzle at both ends of the movement area of the supply nozzle and regulate the coated area in the X direction. Symmetrically A pair of liquid receiving portions provided so as to freely advance and retract;
After the supply nozzle is moved in the X direction and the coating liquid is applied linearly on the substrate, the substrate holding portion is relatively Y with respect to the supply nozzle so that the linear application regions are arranged in the Y direction. A second drive unit for intermittent movement in the direction;
Position detecting means for detecting the peripheral edge of the substrate at each rotation position when rotating the substrate held by the substrate holding section, and detecting the center position of the substrate based on the detection data;
Based on the detection result of this position detection means, The X coordinate position coincides with the X coordinate position of the intermediate point of the separation distance between the pair of liquid receiving portions. And a positioning means for moving the substrate holding part in the X direction via the first driving part.
[0010]
According to such a configuration, prior to starting the supply of the coating liquid to the substrate, the position is adjusted in advance so that the center position of the substrate held by the substrate holding unit is at a predetermined coating start position, for example. Can be done. Therefore, in consideration of the error between the coating area on the substrate and the actual supply range of the coating liquid, the regulation range of the coating area by the liquid receiving portion that has been given a margin can be narrowed. An effective device area can be expanded.
[0011]
A coating film forming apparatus according to another invention includes a plurality of coating film forming apparatuses. It is a semiconductor wafer A cassette station on which a substrate cassette containing substrates is placed;
A coating unit that forms a liquid film of a coating solution on the surface of the substrate;
A plurality of processing units for performing pre-processing or post-processing of the coating processing performed in the coating unit;
Substrate removed from substrate cassette in the cassette station On the other hand, while holding the peripheral edge of the substrate in a regulated state, the center of the substrate is aligned to the extent that it does not affect the processing in the processing unit, Between coating unit and processing unit Carry A substrate transfer means including a transfer arm, and
The coating unit includes a substrate holding unit that holds the substrate horizontally,
A first driving unit for moving the substrate holding unit in the X direction and rotating it around a vertical axis;
A supply nozzle provided opposite to the substrate held by the substrate holding unit and reciprocating in the X direction while discharging a coating liquid onto the substrate;
In order to be able to receive the coating liquid from the supply nozzle at both ends of the movement area of the supply nozzle and regulate the coated area in the X direction. Symmetrically A pair of liquid receiving portions provided so as to freely advance and retract;
After the supply nozzle is moved in the X direction and the coating liquid is applied linearly on the substrate, the substrate holding portion is relatively Y with respect to the supply nozzle so that the linear application regions are arranged in the Y direction. A second drive unit for intermittent movement in the direction;
Position detecting means for detecting the peripheral edge of the substrate at each rotation position when rotating the substrate held by the substrate holding section, and detecting the center position of the substrate based on the detection data;
Based on the detection result of this position detection means, The X coordinate position coincides with the X coordinate position of the intermediate point of the separation distance between the pair of liquid receiving portions. And a positioning means for moving the substrate holding part in the X direction via the first driving part.
[0012]
According to such a configuration, even if a deviation occurs in the center position of the substrate transferred from the substrate transport means to the substrate holding unit in the application unit, the application process can be performed by correcting the deviation of the position. Therefore, the effective device area of the substrate can be expanded without the result of the coating process being affected by the amount of play provided on the transfer arm.
[0013]
The coating film forming method according to the present invention includes: It is a semiconductor wafer In a coating film forming method for forming a liquid film of a coating liquid on the surface of a substrate,
A step of horizontally holding the substrate by a substrate holding portion that is movable in the X direction and rotatable about a vertical axis;
Detecting the peripheral edge of the substrate at each rotational position when rotating the substrate held by the substrate holder, and detecting the center position of the substrate based on the detection data;
An error in the X direction between the detected center position of the substrate and the midpoint of the pair of liquid receiving portions is obtained, and the center position of the substrate and the midpoint of the midpoint are determined. Each X coordinate Moving the substrate holder relatively in the X direction so that
Thereafter, a step of reciprocating a supply nozzle provided facing the substrate held by the substrate holding unit in the X direction while discharging a coating liquid toward the substrate;
The application area from the supply nozzle is received at both ends of the movement area of the supply nozzle to regulate the application area. Therefore, the pair of liquid receiving portions are moved back and forth symmetrically in the X direction. Process,
After the supply nozzle is moved in the X direction and the coating liquid is applied linearly on the substrate, the substrate is relative to the supply nozzle and the liquid receiving portion so that the linear application areas are arranged in the Y direction. And intermittently moving in the Y direction.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment in which the coating and developing apparatus according to the present invention is applied to a coating and developing apparatus that forms a resist film on a substrate and develops the exposed substrate will be described below. 1 and 2 show the overall structure of the present embodiment. In the figure, reference numeral 21 denotes a cassette station, for example, a cassette mounting portion for mounting a cassette C containing 25 wafers W. 22 and a transfer arm 23 for transferring the wafer W between the cassette C placed thereon. A processing unit S <b> 1 surrounded by a casing 24 is connected to the back side of the delivery arm 23. A main transport unit 3 serving as a substrate transport unit is provided in the center of the processing unit S1, and a liquid processing unit is formed by combining the coating unit 4 and the developing unit 25 on the right side so as to surround this, for example. U1 has a processing unit for performing pre-processing or post-processing of coating processing performed by the coating unit on the left side, front side, and back side, a transfer unit having a transfer table for transferring the wafer W, etc. Shelving units U2, U3, U4 configured by stacking a plurality of layers are respectively arranged.
[0015]
In the processing units constituting the shelf units U2, U3, U4, for example, the wafer W coated with the coating solution by the coating unit 4 is dried in a reduced pressure atmosphere, and the solvent contained in the coating solution is volatilized under reduced pressure. A unit, a heating unit for heating (baking) the wafer W, a cooling unit for cooling the wafer W, and the like are included. The delivery unit described above is incorporated in the shelf units U3 and U4. Further, the above-described main transfer means 3 includes a transfer arm (main arm) that can move up and down and move back and forth and rotate around a vertical axis, for example, and constitutes a liquid processing unit U1 and shelf units U2, U3, and U4. It is possible to transfer the wafer W between each unit. An interface part S2 is connected to the back side of the processing part S1. The interface unit S2 transfers the wafer W between the processing unit S1 and an exposure apparatus (not shown) by transfer means 26 configured to be movable up and down, movable left and right, back and forth, and rotatable about the vertical axis. Is. In FIG. 2, the delivery arm 23 and the main transport unit 3 are omitted for the sake of drawing.
[0016]
Here, the configuration of the main transport unit 3 will be described with reference to FIGS. In FIG. 3, reference numeral 31 denotes an arm unit that can be moved up and down. It consists of. A pair of guide members 34 for guiding the arm portion 31 up and down are provided on both sides of the arm portion 31, and the upper and lower ends are connected by connecting members 35 (35 a and 35 b). The lower side of the connecting member 35b is supported by a turntable 36. The turntable 36 allows the main transport means 3 to be integrally rotated about the vertical axis by θ.
[0017]
Each of the transfer arms 32 (32a, 32b, 32c) holds the peripheral edge of the wafer W and is provided so as to be able to advance and retreat independently in the longitudinal direction of the base 33. The drive control of the transfer arm 32 is performed by the drive mechanism 37 described above. Via the control unit 5. Taking the transfer arm 32a as an example, the configuration thereof will be described with reference to FIG. 4 (a). A horseshoe-shaped support frame p1 with the front side cut out is formed on the front end side, and the support frame p1 is formed inside the support frame p1. For example, a plurality of, for example, three support pieces p <b> 2 serving as a regulating member that holds and regulates the periphery of the wafer W are provided. As shown in FIG. 4B, each support piece p2 is formed with an inclined surface p3 that is inclined inwardly downward. By sliding the wafer W along the inclined surface p3 from above, The periphery of W can always be held and regulated in substantially the same posture.
[0018]
Further, the transfer arm 32a has a slight gap between each support piece p2 and the wafer W so that the wafer W can be held up to, for example, 300.5 mm in consideration of the error when the wafer W has a size of, for example, 300 mm ± 0.2 mm. It has a structure with play. Furthermore, the transfer arm 32a is configured such that when the wafer W is transferred, the center p4 of the transfer arm 32a (the center of the wafer W when the wafer W is held) is a planned mounting position of the wafer W at the transfer destination of the wafer W (for example, Positioning work by teaching is performed in advance so as to be accurately directed to the center q) of the substrate holding portion 41 of the coating unit 4 to be described later, and the transfer control of the wafer W is performed based on the positioning information thus obtained. It is like that.
[0019]
Next, the coating unit 4 will be described with reference to FIGS. In the figure, reference numeral 40 denotes a housing, and the internal space thereof is vertically divided by a partition plate 42 having a slit 41 formed in the center, and, for example, a clean air downflow is formed by airflow forming means (not shown). ing. The width in the length direction of the slit 41 is, for example, substantially the same as the maximum width of the application region of the wafer W.
[0020]
First, the lower side space 40a on the lower side of the partition plate 42 will be described. 43 is a substrate holding unit for horizontally holding the wafer W by, for example, vacuum suction on the back side, and the suction unit 44 and the suction unit 44 can be moved up and down. The rotary base 45 is configured to be rotatable around the vertical axis. The lower end of the rotary base 45 is supported by the moving body 46 and can be moved in the X direction along a rail 47 a provided on the upper surface of the moving body 46 via the X direction driving unit 47. Is movable in the Y direction along a rail 48a provided on the bottom surface of the housing 40 via a Y direction drive unit 48 (only a ball screw is shown for convenience of drawing) formed of a ball screw mechanism. That is, the rotary base 45, the X-direction drive unit 47, and the rail 47a correspond to the first drive unit, and the Y-direction drive unit 48 and the rail 48a correspond to the second drive unit. This is performed from the control unit 5. Further, the control unit 5 is configured so that the position (coordinates) and the rotation angle of the substrate holding unit 43 can be grasped from a pulse encoder or the like connected to a motor (not shown) provided in each of the above-described driving parts.
[0021]
In the upper space 40b above the partition plate 42, a pair of liquid receiving portions 72 (which can be moved back and forth in the X direction symmetrically with respect to each other via an advance / retreat drive portion 71 so as to cover a part of the slit 41 described above. 72a, 72b), a supply nozzle 74 guided in the X direction along the guide member 73 above the movement region of the liquid receiving portion 72 (72a, 72b), and the supply nozzle 74 via the guide member 73 in the X direction. And a nozzle driving unit 75 that is driven. Further, the liquid receiving portion 72 (72a, 72b) is formed in, for example, a tray shape so as to receive the resist liquid falling from above and collect it, and further adheres to the surface although illustration is omitted. A cleaning mechanism for washing away the resist solution or a drain line for discharging the received resist solution to the outside of the apparatus is provided.
[0022]
Here, the structure of the suction portion 44 in the substrate holding portion 43 will be described. The upper surface 44a of the suction portion 44 has a circular shape as shown in the plan view of FIG. Thus, four suction means 44b are provided. These suction means 44b have a convex section as shown in FIG. 8, and a suction port 44c for sucking and holding the back side of the wafer W is formed at the tip thereof. Each suction port 44c communicates with a suction pump 44e through a suction path 44d formed in the suction section 44, and an opening / closing valve V1 whose opening / closing control is performed by the control section 5, for example, is interposed in the suction path 44d. It is installed.
[0023]
The lower side space 40a is provided with position detecting means 6 for grasping the position of the center p4 of the wafer W transferred from the main transfer means 3 on the side of the moving area of the substrate holding portion 43. The configuration will be described below with reference to FIGS. The position detection means 6 is configured such that a CCD camera 62 as an image pickup means and an illumination LED 62 are opposed to each other on the inner surface of a U-shaped portion 61 having a U-shaped cross section. As shown in FIG. 5, the wafer W is made to enter the U-shaped portion 61 and light is emitted from the LED 63.
[0024]
The control unit 5 obtains the position of the center p4 of the wafer W in a predetermined direction based on the image processing unit 5a that processes the image data obtained by the CCD camera 62 and the image data processed by the image processing unit 5a. An error in the X and Y directions between the center position calculation unit 5b and the center p4 of the wafer W obtained by the center position calculation unit 5b and the rotation center q of the substrate holding unit 43 is obtained, and the substrate holding unit 43 is obtained according to the error. And an error correction unit 5c that corrects the position. That is, each component for driving the substrate holding portion 43 and each component of the control portion 5 correspond to the alignment means in the claims, and the error of the wafer W to be corrected by these portions. Is when the orientation of the wafer W is the same as when applying the resist. The control unit 5 also includes a storage unit 5d that stores a table (not shown) in which the Y coordinate of the center q of the substrate holding unit 43 and the corresponding intervals from the liquid receiving units 72a to 72b are associated with each other. In the coating process, the movement control of the substrate holding unit 43 and the liquid receiving unit 72 (72a, 72b) is performed with reference to this table.
[0025]
The operation of the present embodiment will be described below with reference to the process chart shown in FIG. First, when the cassette C is carried into the cassette station 21, the wafer W is taken out from the cassette C by the delivery arm 23 (step S1), and delivered to the main transfer means 3 via the delivery unit 100 in the shelf unit U3. . Then, for example, a hydrophobic treatment is performed in each processing unit included in the shelf unit U2 (U3, U4), and then a cooling process is performed (step S2). As for the transfer of the wafer W from the processing unit (cooling unit) that has performed the cooling process to the transfer arm 32a, first, as shown in FIG. The support pin 103 is raised, and the transfer arm 32a enters with the support pin 103 still raised. Then, by lowering the support pins 103, the wafer W is lowered along the inclined surface p3 of the support piece p2 as described above, and is held at a predetermined position in the support piece p2 as shown in FIG. It is held in a horizontal posture (step S3).
[0026]
Then, the wafer W is transferred to the vicinity of the coating unit 4 by the function of the main transfer means 3, and when the transfer arm 32a enters a predetermined position above the substrate holding portion 43 based on the alignment information described above, for example, the wafer enters the cooling plate 101. The same procedure as when W is delivered, that is, the suction unit 44 rises in the support frame p1 to receive the wafer W, and after the transfer arm 32a is retracted from the housing 40, the wafer W is lowered to a predetermined height. Thus, the delivery work is completed (step S4). At this time, the control unit 5 performs opening control of the valve V1 to start suction at each suction port 44c, and thus the wafer W is fixed to the suction unit 44.
[0027]
Next, in order to correct an error in the X direction between the center p4 of the wafer W and the center q of the substrate holding unit 43 (suction unit 44), the center position of the wafer W is first detected (step S5). This process is performed by first moving the substrate holding part 43 and causing the wafer W to enter the U-shaped part 61 of the position detecting means 6, and will be described below with reference to FIG. The image processing unit 5a first recognizes a notch r, which is an index for alignment formed on the outer edge of the wafer W, based on image data transmitted from, for example, the CCD camera 62, and one corner of the notch r. A distance d (d1) from r1 to the center q of the substrate holding part 43 is calculated. Then, as shown in FIG. 12, the substrate holding portion 43 is rotated, and for example, the rotation angle θ (θ1, θ2, θ3) when the line connecting the first coordinate of r1 and the center q of the substrate holding portion 43 is the reference line L. , Θ4...), The distance dn (d1, d2, d3, d4...) From the intersection rn (r1, r2, r3, r4...) Between the reference line L and the outer edge of the wafer W to the center q. .) Is recorded, and the position of the entire contour is determined when the substrate holding portion 43 is rotated once, so that the coordinates of the center W1 of the wafer W are obtained.
[0028]
When the coordinates of the center W1 of the wafer W are thus obtained, the wafer W is rotated in a predetermined direction, for example, a direction in which the notch r as shown in FIG. The correction unit 5c calculates an error in the X direction and the Y direction between the center W1 of the wafer W and the center q of the substrate holding unit 43 in this state. If there is an error in the X direction between the two, the substrate holder 43 is moved in the X direction by the amount corresponding to the error (step S6), and the center W1 of the wafer W and, for example, a slit are moved. The X coordinate with the center of 41 (the intermediate point between the liquid receiving portions 72a and 72b) is made to coincide. If an error in the Y direction has occurred, the error is corrected, and the tip of the application area of the wafer W in the Y direction is located below the movement area of the supply nozzle 74 (application processing standby position). The wafer W is moved to (step S7).
[0029]
Then, as shown in FIG. 13, the resist solution is discharged from the supply nozzle 74 and the supply nozzle 74 is scanned in the X direction, and the wafer W is moved intermittently in the direction B in the figure in accordance with this, In this way, the resist solution is applied from one end side to the other end side of the wafer W in the manner of one-stroke writing (step S8). At this time, both of the liquid receivers 72 (72a, 72b) cover the outer edge of the wafer W with exactly the same width based on the contents of the table in the storage unit 5d, and move while shifting the interval therebetween. On the other hand, as shown in FIG. 14, the supply nozzle 74 moves above the liquid receiving portion 72a and the liquid receiving portion 72b and supplies the resist solution while changing the moving range in the X direction. As described above, the resist solution is applied to all other portions on the surface of the wafer W, leaving an area of, for example, exactly 2 mm from the end. Further, the resist solution supplied from the supply nozzle 74 to a portion other than the application region of the wafer W is received by the solution receiving portion 72 (72a, 72b) and collected through a drain line (not shown).
[0030]
When the coating process is completed, the wafer W is unloaded from the coating unit 4 by the main transfer means 3 in the reverse order of loading, and a predetermined post-process (step S9) is performed. Specifically, for example, after performing post-processing such as cooling, drying under reduced pressure, or heating in each processing unit in the shelf units U2, U3, U4, the wafer W is exposed, for example, outside the figure via the interface unit S2. The wafer W is transferred to the apparatus, where the wafer W is exposed. After the exposure is completed, the wafer W is returned to the processing unit S1 through the reverse path, developed by the developing unit 25 (step S10), and then returned to the cassette C mounted on the cassette mounting unit 22. (Step S11).
[0031]
As described above, according to the present embodiment, in the coating film forming apparatus in which the alignment of the wafer W is performed to such an extent that the main transfer means 3 does not affect the processing before and after the coating process, the coating unit 4 further includes Since accurate alignment is performed, the intermediate point of the liquid receiving part 72 (72a, 72b) and the center line of the wafer W can be accurately matched, and the wafer W receives the liquid receiving on the left and right sides of the peripheral part. Since the portions 72a and 72b are covered in a well-balanced manner, the coverage area of the wafer W by the liquid receiving portions 72 (72a and 72b) can be narrowed compared to the conventional case. Therefore, since the device area which is the application area on the surface of the wafer W can be widened, the wafer W can be used more effectively.
[0032]
In the present embodiment, since the wafer W is held by the substrate holding unit 43 by the four suction means 44b provided in the substrate holding unit 43, stable substrate holding can be performed with a small contact area. Can do. By the way, although the example which uses a semiconductor wafer as a board | substrate was shown in the said embodiment, various board | substrates, such as a glass substrate for liquid crystal displays, or a reticle substrate for photomasks, can be used for a board | substrate, for example, a reticle board | substrate. For a substrate whose upper and lower ends are inclined and cut like this, instead of the substrate holding portion 43, a plurality of freely movable advancing and retracting grips 81 having a cross-sectional shape as shown in FIG. It is also possible to adopt a configuration in which four units are provided and each holds the substrate horizontally from the side. In such a configuration, each of the inclined surfaces 82 (82a, 82b) of the grip portion 81 matches the angle of the upper cut surface 83a and the lower cut surface 83b, and the substrate is held only by this portion. The contact area with each gripping part 82 is small, and there is little risk of particle generation.
[0033]
As for the adjustment of the orientation of the wafer W performed before the start of the coating process, the above embodiment has shown an example in which the notch is positioned on the rear side in the traveling direction of the wafer W. For example, in the image processing unit 5a Adjustments may be made based on the obtained image data of the surface of the wafer W. By doing so, for example, the resist solution can be applied in an optimum direction for the wiring pattern on the surface of the wafer W.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when a coating liquid is linearly applied to a substrate to form a liquid film of the coating liquid on the surface of the substrate, the region to be coated can be brought close to the periphery of the substrate. The substrate can be used more effectively.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing the overall structure of a coating film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an overall structure in the embodiment.
FIG. 3 is a perspective view showing a substrate transfer means used in the embodiment.
4A and 4B are a plan view and a longitudinal sectional view showing an example of a transfer arm provided in the substrate transfer means.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a coating unit used in the above embodiment.
FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the coating unit.
FIG. 7 is a schematic plan view showing an upper surface of a substrate holding part (suction part) provided in the coating unit.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the adsorption part and its related parts.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration of position detection means provided in the coating unit and parts related thereto.
FIG. 10 is a process diagram showing an operation of the present embodiment.
FIG. 11 is an operation explanatory view showing how a substrate is delivered from a substrate holding section in the unit to a transfer arm in a unit that performs pretreatment of coating processing.
FIG. 12 is an operation explanatory diagram showing an operation by the position detection unit.
FIG. 13 is a perspective view illustrating a relative movement relationship between a supply nozzle and a wafer W during a coating process.
FIG. 14 is an operation explanatory view showing a state in the vicinity of the outer edge of the wafer W during the coating process.
FIG. 15 is a schematic explanatory diagram showing another embodiment according to the present invention.
FIG. 16 is a perspective view showing a state of a coating process in a conventional technique.
FIG. 17 is a longitudinal sectional view showing a coating apparatus in the prior art.
FIG. 18 is a plan view showing a coating apparatus in the prior art.
[Explanation of symbols]
W Semiconductor wafer
3 Main transport means
31 Arm
32a Transfer arm
43 Substrate holder
44 Adsorption part
44b Adsorption means
45 Rotating substrate
46 Mobile
47 X direction drive
48 Y direction drive
5 Control unit
5a Image processing unit
5b Center position calculator
5c Error correction unit
5d storage unit
6 Position detection means
72 (72a, 72b) Liquid receiving part
74 Supply nozzle

Claims (6)

半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
In a coating film forming apparatus that forms a liquid film of a coating liquid on the surface of a substrate that is a semiconductor wafer ,
A substrate holding part for horizontally holding the substrate;
A first driving unit for moving the substrate holding unit in the X direction and rotating it around a vertical axis;
A supply nozzle provided opposite to the substrate held by the substrate holding unit and reciprocating in the X direction while discharging a coating liquid onto the substrate;
A pair of liquid receiving portions provided so as to be capable of advancing and retreating symmetrically in the X direction so as to receive the coating liquid from the supply nozzle at both ends of the moving region of the supply nozzle and to regulate the coated region;
After the supply nozzle is moved in the X direction and the coating liquid is applied linearly on the substrate, the substrate holding portion is relatively Y with respect to the supply nozzle so that the linear application regions are arranged in the Y direction. A second drive unit for intermittent movement in the direction;
Position detecting means for detecting the peripheral edge of the substrate at each rotation position when rotating the substrate held by the substrate holding section, and detecting the center position of the substrate based on the detection data;
Based on the detection result of the position detector, the X coordinate position of the center of the substrate and the X coordinate position of the intermediate point of the separation distance of the pair of liquid receiving portions are matched via the first drive unit. And a positioning means for moving the substrate holding portion in the X direction.
複数の半導体ウエハである基板を収納した基板カセットが載置されるカセットステーションと、
前記基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布ユニットと、
この塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処理または後処理を行う複数の処理ユニットと、
前記カセットステーション内の基板カセットから取り出された基板に対し、基板の周縁を規制した状態で保持することにより前記処理ユニットにおける処理に対しては影響が生じない程度に基板の中心の位置合わせを行うと共に、塗布ユニット及び処理ユニットの間で搬送する搬送アームを備えた基板搬送手段と、を備え、
前記塗布ユニットは、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部をX方向に移動させかつ鉛直軸まわりに回転させるための第1の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出しながらX方向に往復移動する供給ノズルと、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制することができるように、互いにX方向に対称に進退自在に設けられる一対の液受け部と、
前記供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように基板保持部を供給ノズルに対して相対的にY方向に間欠移動させるための第2の駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段の検出結果に基づいて、基板の中心のX座標位置と前記一対の液受け部の離間距離の中間点のX座標位置とが一致するように前記第1の駆動部を介して基板保持部をX方向に移動させる位置合わせ手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
A cassette station on which a substrate cassette containing a plurality of semiconductor wafer substrates is placed;
A coating unit that forms a liquid film of a coating solution on the surface of the substrate;
A plurality of processing units for performing pre-processing or post-processing of the coating processing performed in the coating unit;
The substrate taken out from the substrate cassette in the cassette station is held in a state where the peripheral edge of the substrate is regulated, so that the center of the substrate is aligned to the extent that it does not affect the processing in the processing unit. together, and a substrate transfer means having a transfer arm to transport between the coating unit and a processing unit,
The coating unit includes a substrate holding unit that holds the substrate horizontally,
A first driving unit for moving the substrate holding unit in the X direction and rotating it around a vertical axis;
A supply nozzle provided opposite to the substrate held by the substrate holding unit and reciprocating in the X direction while discharging a coating liquid onto the substrate;
A pair of liquid receiving portions provided so as to be capable of advancing and retreating symmetrically in the X direction so as to receive the coating liquid from the supply nozzle at both ends of the moving region of the supply nozzle and to regulate the coated region;
After the supply nozzle is moved in the X direction and the coating liquid is applied linearly on the substrate, the substrate holding portion is relatively Y with respect to the supply nozzle so that the linear application regions are arranged in the Y direction. A second drive unit for intermittent movement in the direction;
Position detecting means for detecting the peripheral edge of the substrate at each rotation position when rotating the substrate held by the substrate holding section, and detecting the center position of the substrate based on the detection data;
Based on the detection result of the position detector, the X coordinate position of the center of the substrate and the X coordinate position of the intermediate point of the separation distance of the pair of liquid receiving portions are matched via the first drive unit. And a positioning means for moving the substrate holding portion in the X direction.
第2の駆動部は、基板保持部をY方向に間欠移動させるように構成され、
基板保持部のY方向の位置と一対の液受け部との離間距離とを対応付けたテーブルを記憶する記憶部と、
この記憶部に記憶されたテーブルを読み出して基板保持部及び液受け部の位置を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜形成装置。
The second drive unit is configured to intermittently move the substrate holding unit in the Y direction,
A storage unit that stores a table in which the position of the substrate holding unit in the Y direction and the separation distance between the pair of liquid receiving units are associated with each other;
Coating film forming apparatus according to claim 1, wherein further comprising a control unit for controlling the position of the substrate holding portion and a liquid receiver reads the table stored in the storage unit.
位置合わせ手段は、検出結果に基づいて更に第2の駆動部を介して基板保持部のY方向の位置を制御することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の塗布膜形成装置。Alignment means, coating film forming apparatus according to any one of claims 1 and controls the position in the Y direction of the substrate holder further via the second driving portion on the basis of the detection result 3 . 半導体ウエハである基板の表面に塗布液の液膜を形成する塗布膜形成方法において、
X方向に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在な基板保持部にて基板を水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させたときに各回転位置における基板の周縁を検出し、その検出データに基づき基板の中心位置を検出する工程と、
検出された基板の中心位置と一対の液受け部の中間点との間のX方向の誤差を求め、基板の中心位置及び前記中間点の各X座標が一致するように基板保持部を相対的にX方向に移動させる工程と、
その後、前記基板保持部に保持された基板と対向して設けた供給ノズルを、当該基板に向かって塗布液を吐出させながらX方向に往復移動させる工程と、
前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供給ノズルからの塗布液を受け止めて被塗布領域を規制するために前記一対の液受け部を互いにX方向に対称に進退させる工程と、
供給ノズルをX方向に移動させて基板上に塗布液が直線状に塗布された後、この直線状の塗布領域がY方向に並べられるように、基板を供給ノズル及び液受け部に対して相対的にY方向に間欠移動させる工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
In a coating film forming method of forming a liquid film of a coating liquid on the surface of a substrate that is a semiconductor wafer ,
A step of horizontally holding the substrate by a substrate holding portion that is movable in the X direction and rotatable about a vertical axis;
Detecting the peripheral edge of the substrate at each rotational position when rotating the substrate held by the substrate holder, and detecting the center position of the substrate based on the detection data;
An error in the X direction between the detected center position of the substrate and the intermediate point of the pair of liquid receiving portions is obtained, and the substrate holding portion is relatively positioned so that the center position of the substrate and each X coordinate of the intermediate point coincide. Moving in the X direction,
Thereafter, a step of reciprocating a supply nozzle provided facing the substrate held by the substrate holding unit in the X direction while discharging a coating liquid toward the substrate;
Reciprocating the pair of liquid receiving portions symmetrically in the X direction in order to receive the coating liquid from the supply nozzle at both ends of the moving region of the supply nozzle and regulate the coated region;
After the supply nozzle is moved in the X direction and the coating liquid is applied linearly on the substrate, the substrate is relative to the supply nozzle and the liquid receiving portion so that the linear application areas are arranged in the Y direction. And a step of intermittently moving in the Y direction.
請求項5に記載の各工程は塗布ユニットにて行われるものであり、
この塗布ユニットにて行われる各工程の前に、前処理を行う処理ユニット内に搬送アームにより搬入して前処理を行う工程と、
この前処理の終了した基板を搬送アームにて受け取り、塗布ユニット内の基板保持部に搬送する工程と、
前記塗布ユニットにて塗布液が塗布された基板を搬送アームにて受け取り、後処理を行う処理ユニット内に搬送アームにより搬入して後処理を行う工程と、を含み、
搬送アームは、基板の周縁を規制した状態で基板を保持することにより前記処理ユニットにおける処理に対しては影響が生じない程度に基板の中心の位置合わせを行うことを特徴とする請求項5記載の塗布膜形成方法。
Each process of Claim 5 is performed in an application unit,
Before each step performed in this coating unit, the step of carrying in the pretreatment by carrying it by the transfer arm into the treatment unit for performing the pretreatment,
A step of receiving the pre-processed substrate by the transfer arm and transferring it to the substrate holding unit in the coating unit;
Receiving a substrate coated with a coating liquid in the coating unit with a transfer arm, carrying it into a processing unit for performing post-processing and performing post-processing,
6. The transfer arm according to claim 5, wherein the transfer arm is configured to align the center of the substrate to such an extent that the transfer arm does not affect the processing in the processing unit by holding the substrate with the peripheral edge of the substrate being regulated. Coating film forming method.
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