JP3775259B2

JP3775259B2 - 窒化物半導体レーザ素子

Info

Publication number: JP3775259B2
Application number: JP2001233486A
Authority: JP
Inventors: 慎一長濱; 修二中村
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2001-08-01
Filing date: 2001-08-01
Publication date: 2006-05-17
Anticipated expiration: 2016-06-19
Also published as: JP2002151797A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
活性層にＳｉがドープされたレーザ素子が、特開平７−２９７４９４号公報に記載されている。この公報にはＧａＮよりなる膜厚の厚い活性層にＳｉをドープして閾値電流を低下させることが開示されている。
【０００３】
しかし、前記公報のように、単一層の膜厚が例えば０．１μｍ以上もある厚膜の活性層を有する素子構造では出力が弱く、レーザ発振させるのは非常に困難である。また活性層を単一膜厚が１００オングストーム近辺にある井戸層と障壁層とを積層した多重量子井戸構造の活性層を有するレーザ素子が、例えば特開平８−６４９０９号公報に記載されている。この公報には、井戸層にＺｎがドープされた多重量子井戸構造の活性層を有するレーザ素子が記載されており、井戸層に極微量のＺｎをドープすることにより、価電子帯近くにアクセプター的な不純物準位を形成して、閾値電流を低下させることが示されている。さらにまた、特開平６−２６８２５７号公報にはＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮよりなる井戸層と、Ｉｎ_ＹＧａ_１−ＹＮよりなる障壁層とを積層した多重量子井戸構造の活性層を有する発光素子が示されており、さらにこの公報には活性層にｎ型不純物、またはｐ型不純物をドープしても良いことが記載されている。
【０００４】
このように活性層にｎ型、ｐ型不純物をドープして、バンドギャップ内に不純物準位を形成することにより、発光素子の発光出力を高めたり、レーザ素子の閾値電流を低下させることが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本出願人は最近窒化物半導体により、パルス電流において、室温での４１０ｎｍのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys. Vol35 (1996) pp.L74-76）。発表したレーザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子であり、ノンドープＩｎＧａＮが積層された多重量子井戸構造の活性層を有するものである。
【０００６】
しかしながら、前記窒化物半導体レーザは未だパルス発振でしかなく、しかも閾値電流は１〜２Ａもある。窒化物半導体で連続発振させるためには、閾値電流をさらに低下させる必要がある。
【０００７】
従って、本発明の目的とするところは、窒化物半導体よりなるレーザ素子の発光出力を高め、さらに閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指すことにある。
【０００８】
インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層は、Ｉｎ _ＸＧａ _１−ＸＮ（０＜ X ≦１）よりなる井戸層と、Ｉｎ _{Ｘ '} Ｇａ _{１−Ｘ '} Ｎ（０＜ X ’≦１、 X' ＜ X ）よりなる障壁層が積層され、前記活性層の１つの井戸層においてＩｎ組成の多い領域とＩｎ組成の少ない領域とを有し、かつ、前記障壁層中にｎ型不純物がドープされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【０００９】
前記ｎ型不純物は、Ｓｉであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【００１０】
前記障壁層中のＳｉ濃度は、１×１０ ^１８／ｃｍ ^３〜１×１０ ^２２／ｃｍ ^３であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【００１１】
前記活性層に接して、Ａｌを含むｐ型の窒化物半導体層を有することを請求項１乃至３のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【００１２】
請求項１乃至４に記載の窒化物半導体レーザ素子において、ｎ電極と接するｎ型コンタクト層は、ＡｌとＧａを含むｎ型の窒化物半導体を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図である。基本的な構造としては、基板１の上に、バッファ層２、ｎ型コンタクト層３、ｎ型クラッド層４、不純物がドープされた多重量子井戸構造を有する活性層５、第１のｐ型層６、第２のｐ型層７、第３のｐ型層８、ｐ型コンタクト層９が順に積層された電極ストライプ型の構造を有しており、ｎ型コンタクト層にはストライプ状の負電極、ｐ型コンタクト層には正電極が設けられている。
【００２１】
このレーザ素子を各パルス電流を流した際のスペクトルを図３に示す。図３において（ａ）は２８０ｍＡ（閾値直後）、（ｂ）は２９５ｍＡ、（ｃ）は３２０ｍＡ、（ｄ）は３４０ｍＡでの発光スペクトルを示している。（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は発振時のスペクトルを示している。
【００２２】
（ａ）は発振直後のスペクトルを示し、この状態ではおよそ４０４．２ｎｍ付近にある主発光ピークの前後に小さな発光ピークが多数（ファブリペローモード）出現してレーザ発振直後の状態であることが分かる。これがいわゆる縦モードのスペクトルである。電流値を上げると（ｂ）に示すように、そのスペクトルがシングルモードとなって４０４．２ｎｍ付近のレーザ発振を示す。次からが本発明の特徴であり、さらに電流を増加させると、（ｃ）に示すように、４０３．３ｎｍ（３．０７５ｅＶ）、４０３．６ｎｍ（３．０７２ｅＶ）、４０３．９ｎｍ（３．０７０ｅＶ）、４０４．２ｎｍ（３．０６８ｅＶ）、４０４．４ｎｍ（３．０６６ｅＶ）というように、主発光ピークの他に、強度の大きな発光ピークが１ｍｅＶ〜１００ｍｅＶの間隔で不規則に出現する。さらに（ｄ）では前記ピークの他に、また新たなピークがはっきりと出現しており。これらのスペクトル間隔は一定ではなく明らかに縦モードのスペクトルと異なる。
【００２３】
一般に、半導体レーザの場合、レーザ発振すると、レーザ光の縦モードによる小さな発光ピークが主発光ピークの前後に多数出現する。この場合の発光スペクトルは、ほぼ等間隔の発光ピークよりなっている。赤色半導体レーザでは、その発光ピークの間隔はおよそ０．２ｎｍである。青色半導体レーザではおよそ０．０５ｎｍ（１ｍｅＶ）以下である（但し、青色半導体レーザの縦モードは共振器長が６００μｍにおいて、本出願人により初めて計測された。）。つまり、図３（ａ）、（ｂ）の状態では通常のレーザ素子の挙動を示している。しかし、本発明のレーザ素子の場合、（ｃ）、（ｄ）に示すように、明らかに従来のレーザ素子の縦モードによる発光ピークとは異なった等間隔でないピークが多数出現している。これは図３の電流値による各スペクトルを比較しても分かる。本発明のレーザ素子では、このような発光スペクトルが出現することにより、出力が高くなる。
【００２４】
なぜ、このようなピークが発生するとレーザ素子の出力が高くなるのかは定かではないが、例えば次のようなことが考えられる。活性層が量子井戸構造の場合、井戸層の膜厚は１００オングストローム以下、好ましくは７０オングストローム以下、最も好ましくは５０オングストローム以下に調整される。一方、障壁層も１５０オングストローム以下、好ましくは１００オングストローム以下に調整される。本発明の発光素子では、このような単一膜厚が数十オングストロームの薄膜を積層した場合、井戸層、障壁層共、均一な膜厚で成長しておらず、凹凸のある層が幾重にも重なり合った状態となっている。図２は図１のレーザ素子において活性層５とクラッド層との界面の状態を拡大して示す模式的な断面図である。図２に示すように、このような凹凸のある活性層を、活性層よりもバンドギャップの大きいクラッド層で挟むダブルヘテロ構造を実現すると、活性層に注入された電子とホールとが、凹部にも閉じ込められるようになって、クラッド層の縦方向と共に縦横の両方向に閉じ込められる。このため、キャリアが約１０〜７０オングストローム凹凸差がある３次元のＩｎＧａＮよりなる量子箱、あるいは量子ディスクに閉じ込められたようになって、従来の量子井戸構造とは違った、量子効果が出現する。従って、多数の量子準位に基づく発光が室温でも観測されるようになり、発光スペクトルの１ｍｅＶ〜１００ｍｅＶの間隔で多数の発光ピークが観測される。また、他の理由としては、三次元のＩｎＧａＮよりなる小さな量子箱にキャリアが閉じ込められるので、エキシトン効果が顕著に現れてきて多数の発光ピークが観測される。
【００２５】
また、このようにＩｎＧａＮ井戸層に多数の凹凸が発生する理由の一つとして、Ｉｎ組成の面内不均一が考えられる。即ち、単一井戸層内において、Ｉｎ組成の大きい領域と、少ない領域とができるために、井戸層表面に多数の凹凸が発生するのである。ＩｎＧａＮは混晶を成長させにくい材料であり、ＩｎＮとＧａＮとが相分離する傾向にある。このためＩｎ組成の不均一な領域ができる。そして、このＩｎ組成の高い領域に電子と正孔とが局在して、エキシトン発光、あるいはバイエキシトン発光して、レーザの出力が向上し、多数のピークができる。特にレーザ素子ではこのバイエキシトンレーザ発振することにより、量子ディスク、量子箱と同等になって多数のピークが出現し、この多数のピークによりレーザ素子の閾値が下がり、出力が向上する。なおエキシトンとは電子と正孔とが弱いクーロン力でくっついてペアになったものである。
【００２６】
さらに、活性層中にｎ型不純物及び／又はｐ型不純物をドープすることにより、閾値電流を低下させることができる。これらの不純物をドープすることにより、活性層のＩｎ組成の多い領域に局在化しているエキシトンが、今度はそれよりもさらに深い不純物の準位に局在化するようになって、エキシトン発光の効果が顕著となることにより、閾値の低下が起きる。
【００２７】
本発明のレーザ素子の活性層について述べたことを、図６のエネルギーバンド図でわかりやすく示す。図６Ａは多重量子井戸構造の活性層のエネルギーバンドを示しており、図６Ｂは、図６Ａの単一井戸層のエネルギーバンドを拡大して示すものである。前記したように、井戸層においてＩｎ組成の面内不均一があるということは、Ｂに示すように単一のＩｎＧａＮ井戸層幅にバンドギャップの異なるＩｎＧａＮ領域が存在する。従って、伝導帯にある電子は一度、Ｉｎ組成の大きいＩｎＧａＮ領域に落ちて、そこから価電子帯にある正孔と再結合することによりｈνのエネルギーを放出する。このことは、電子と正孔とが井戸層幅のＩｎ組成の多い領域に局在化して、局在エキシトンを形成し、レーザの閾値の低下を助ける。閾値が下がり、出力が高くなるのはこの局在エキシトンの効果によるものである。さらに、この井戸層にＳｉ等のｎ型不純物、Ｚｎ等のｐ型不純物をドープすることにより、伝導帯と価電子帯との間にさらに不純物レベルの準位ができる。図６ＢではＳｉと、Ｚｎとでもってその準位を示している。不純物をドープすると不純物レベルのエネルギー準位が形成される。そのため電子はより深い準位へ落ち、正孔はｐ型不純物のレベルに移動して、そこで電子と正孔とが再結合して、ｈν'のより小さいエネルギーを放出する。このことは電子と正孔とがさらに局在化することを意味し、この局在したエキシトン効果によりレーザの閾値が下がるのである。多数のピークが出現するのは、この局在エキシトンに加えて、三次元的に閉じ込められた量子箱の効果により多数の量子準位間の発光が出てくるからである。
【００２８】
ｎ型不純物には、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｓを挙げることができる。ｐ型不純物には、例えばＺｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ等を挙げることができる。これらの不純物を活性層中、特に好ましくは井戸層中にドープすることにより、量子準位間に、不純物レベルの発光を起こさせ、バンド間のエネルギー準位を小さくして、閾値を低下させることができる。なお、ｎ型不純物、ｐ型不純物両方をドープしてもよいことは言うまでもない。
【００２９】
特に好ましくはｎ型不純物、中でもＳｉ、Ｇｅをドープすることにより、発光強度を強めると共に、閾値電流を低下させることができる。図４は井戸層にドープしたＳｉ濃度と、閾値電流の低下率の割合を示す図である。具体的には平均膜厚３０オングストロームのＩｎＧａＮよりなる井戸層と、平均膜厚７０オングストローム障壁とを５層積層した多重量子井戸構造の活性層を有するレーザ素子において、前記井戸層中にＳｉをドープした際のレーザ素子の閾値の低下の割合を示しており、図に示す各点は実際のＳｉ濃度を示している。この図に示すようにＳｉをドープすることにより、閾値電流を最大で５０％近く低下させることができる。従って、好ましいＳｉ濃度は、１×１０^１８／cm^３〜１×１０^２２／cm^３の範囲にあり、さらに好ましくは５×１０^１８／cm^３〜２×１０^２１／cm^３、最も好ましくは１×１０^１９／cm^３〜１×１０^２１／cm^３である。なおこの図はＳｉについて示したものであるが、他のｎ型不純物、Ｇｅ、Ｓｎ等に対しても同様の傾向があることを確認した。
【００３０】
図５は井戸層にドープしたＭｇ濃度と、閾値電流の低下率の割合を示す図である。これも同じく平均膜厚３０オングストロームのＩｎＧａＮよりなる井戸層と、平均膜厚７０オングストローム障壁とを５層積層した多重量子井戸構造の活性層を有するレーザ素子において、前記井戸層中にＭｇをドープした際のレーザ素子の閾値の低下の割合を示しており、図に示す各点は実際のＭｇ濃度を示している。この図に示すように、Ｍｇをドープすることにより、閾値電流を２５％近く低下させることができる。好ましいＭｇ濃度は、１×１０^１７／cm^３〜１×１０^２２／cm^３の範囲にあり、さらに好ましくは１×１０^１８／cm^３〜２×１０^２１／cm^３、最も好ましくは１×１０^１８／cm^３〜１×１０^２１／cm^３である。なお、この図はＭｇについて示したものであるが、他のｐ型不純物、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ等に対しても同様の傾向があることを確認した。
【００３１】
【実施例】
以下、ＭＯＶＰＥ法を用いて、図１に示す構造のレーザ素子を得る方法を説明する。図１は本発明のレーザ素子の一構造を示すものであって、本発明のレーザ素子はこの構造に限定されるものではない。なお本発明において示すＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ等の一般式は、単に窒化物半導体の組成式を示しているに過ぎず、異なる層が同一の式で示されていても、それらの層が同一の組成を示すものでは決してない。
【００３２】
［実施例１］
サファイアのＡ面を主面とする基板１を用意し、この基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、アンモニアを用い、温度５００℃でサファイア基板１の表面にＧａＮよりなるバッファ層２を２００オングストロームの膜厚で成長させる。基板１にはＡ面の他にＣ面、Ｒ面等の面方位を有するサファイアが使用でき、サファイアの他、スピネル１１１面（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）、ＳｉＣ、ＭｇＯ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の単結晶よりなる、公知の基板が用いられる。バッファ層２は基板と窒化物半導体との格子不整合を緩和するために設けられ、通常、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ等が１０００オングストローム以下の膜厚で成長されるが、窒化物半導体と格子定数の近い基板、格子整合した基板を用いる場合、成長方法、成長条件等の要因によっては成長されないこともあるので、省略することもできる。但し、サファイア、スピネルのように、窒化物半導体と格子定数が異なる基板を用いる場合、特開平４−２９７０２３号公報に記載されるように、２００℃以上、９００℃以下の温度でバッファ層２を成長させると、次に高温で成長させる窒化物半導体層の結晶性が飛躍的に良くなる。
【００３３】
続いて温度を１０５０℃に上げ、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ_４（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させる。
【００３４】
ｎ型コンタクト層３は光閉じ込め層としても作用する。ｎ型コンタクト層３をＡｌとＧａとを含むｎ型窒化物半導体、好ましくはｎ型ＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）とすることにより、活性層との屈折率差が大きくでき、光閉じ込め層としてのクラッド層、及び電流を注入するコンタクト層として作用する。さらに、このコンタクト層をＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮとすることにより、活性層の発光をｎ型コンタクト層内で広がりにくくできるので、閾値が低下する。ｎ型コンタクト層３をＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮとする場合、基板側のＡｌ混晶比が小さく、活性層側のＡｌ混晶比が大きい構造、即ち組成傾斜構造とすることが望ましい。前記構造とすることにより、結晶性の良いｎ型コンタクト層が得られるので、結晶性の良いｎ型コンタクト層の上に積層する窒化物半導体の結晶性も良くなるため、素子全体の結晶性が良くなり、ひいては閾値の低下、素子の信頼性が格段に向上する。また活性層側のＡｌ混晶比が大きいために、活性層との屈折率差も大きくなり光閉じ込め層として有効に作用する。また、このｎ型コンタクト層３をＧａＮとしてもよい。ＧａＮの場合、ｎ電極とのオーミック特性については非常に優れている。コンタクト層をＧａＮとすると、ＧａＮコンタクト層と、活性層との間にＡｌＧａＮよりなる光閉じ込め層を設ける必要がある。このｎ型コンタクト層３の膜厚は０．１μｍ以上、５μｍ以下に調整することが望ましい。０．１μｍ以下であると、光閉じ込め層として作用しにくく、また、電極を同一面側に設ける場合に、精密なエッチングレートの制御をせねばならないので不利である。一方、５μｍよりも厚いと、結晶中にクラックが入りやすくなる傾向にある。
【００３５】
続いて、温度を１０５０℃に保持し、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型クラッド層４を５００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００３６】
このｎ型クラッド層４はｎ層側の光ガイド層、および活性層にＩｎＧａＮを成長させる際のバッファ層として作用し、ｎ型ＧａＮの他、ｎ型ＩｎＧａＮを成長させることもできる。バッファ層と成長させる場合には０．０５μｍ以下の膜厚で成長させることが望ましい。また、前記のようにコンタクト層２をＧａＮで成長させた場合、このｎ型クラッド層４は、光閉じ込め層として作用させるためにＡｌＧａＮで成長させる必要がある。ＡｌＧａＮ層の場合、膜厚は０．０１μｍ〜０．５μｍの膜厚で成長させることが望ましい。０．０１μｍより薄いと光閉じ込め層として作用しにくく、０．５μｍよりも厚いと結晶中にクラックが入りやすい傾向にある。
【００３７】
次に、温度を７５０℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用いてＳｉをドープした活性層５を成長させる。活性層５は、まずＳｉを１×１０^２０／cm^３の濃度でドープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。次にシランガスを止めて、ＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μｍの多重量子井戸構造よりなる活性層５を成長させる。
【００３８】
活性層５は、少なくとも井戸層がＩｎを含む窒化物半導体を含む多重量子井戸構造とする。多重量子井戸構造とは、井戸層と障壁層とを積層したものであり、本発明の場合、井戸層がＩｎを含む窒化物半導体で構成されていれば、障壁層は井戸層よりもバンドギャップが大きければ特にＩｎを含む必要はない。好ましくは、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜X≦１）よりなる井戸層と、Ｉｎ_Ｘ’Ｇａ_１−Ｘ’Ｎ（０≦X'＜１、X'＜X）よりなる障壁層とを積層した構造とする。三元混晶のＩｎＧａＮは四元混晶のものに比べて結晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上する。また障壁層は井戸層よりもバンドギャップエネルギーを大きくして、井戸＋障壁＋井戸＋・・・＋障壁＋井戸層（その逆でもよい。）となるように積層して多重量子井戸構造を構成する。井戸層の膜厚は７０オングストローム以下、さらに望ましくは５０オングストローム以下に調整することが好ましい。また障壁層の厚さも１５０オングストローム以下、さらに望ましくは１００オングストローム以下の厚さに調整することが望ましい。井戸層が７０オングストロームよりも厚いか、または障壁層が１５０オングストロームよりも厚いと、レーザ素子の出力が低下する傾向にある。このように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭＱＷとすると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間での高出力なＬＤを実現することができる。特に好ましい態様として、両方の層をＩｎＧａＮとすると、ＩｎＧａＮは、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ結晶に比べて結晶が柔らかい。そのため第１のｐ型層であるＡｌＧａＮの厚さを厚くできるのでレーザ発振が実現できる。またｎ型不純物は本実施例のように井戸層にドープしてもよいし、また障壁層にドープしてもよく、さらに井戸層、障壁層両方にドープしてもよい。
【００３９】
活性層５の膜厚は、ｎ型コンタクト層３をＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮとした場合、２００オングストローム以上、さらに好ましくは３００オングストローム以上の膜厚で成長させることが望ましい。なぜなら、ＭＱＷよりなる活性層を厚く成長させることにより、活性層の最外層近辺が光ガイド層として作用する。つまり、ｎ型コンタクト層３と第３のｐ型層８とが光閉じ込め層として作用し、活性層の最外層近傍が光ガイド層として作用する。活性層の膜厚の上限は特に限定するものではないが、通常は０．５μｍ以下に調整することが望ましい。
【００４０】
次に、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、ｐ型不純物としてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１のｐ型層６を１００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４１】
第１のｐ型層６はＡｌを含むｐ型の窒化物半導体で構成し、好ましくは三元混晶若しくは二元混晶のＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０＜Y≦１）を成長させることが望ましい。さらに、このＡｌＧａＮは後に述べる第３のｐ型層８よりも膜厚を薄く形成することが望ましく、好ましくは１０オングストローム以上、０．５μｍ以下に調整する。この第１のｐ型層６を活性層５に接して形成することにより、素子の出力が格段に向上する。これは、第１のｐ型層６成長時に、活性層のＩｎＧａＮが分解するのを抑える作用があるためと推察されるが、詳しいことは不明である。第１のｐ型層６は好ましく１０オングストローム〜０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが望ましいが、省略することもできる。
【００４２】
次に、温度を１０５０℃にし、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いて、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなる第２のｐ型層７を５００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４３】
この第２のｐ型層７はｐ層側の光ガイド層若しくはバッファ層として作用し、好ましくは二元混晶または三元混晶のＩｎ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０≦Y＜１）を成長させる。第２のｐ型層７は、活性層の膜厚が薄い場合に成長させると光ガイド層として作用する。また第１のｐ型層６がＡｌＧａＮ等よりなるので、この層がバッファ層のような作用をして、次に成長させる第３のｐ型層８をクラック無く結晶性良く成長できる。つまり、ＡｌＧａＮの上に直接バンドギャップが大きいＡｌＧａＮを積層すると、後から成長させたバンドギャップが大きいＡｌＧａＮにクラックが入りやすくなるので、この第２のｐ型層７を介することによりクラックを入りにくくしている。第２のｐ型層７は、通常１００オングストローム〜０．５μｍ程度の膜厚で成長させることが望ましいが、省略することもできる。
【００４４】
次に、温度を１０５０℃に上げ、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物としてＣｐ2Ｍｇを用いて、ＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第３のｐ型層８を０．３μｍの膜厚で成長させる。
【００４５】
第３のｐ型層８は、Ａｌを含む窒化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶のＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０＜Y≦１）を成長させる。第３のｐ型層８は、光閉じ込め層として作用し、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含むｐ型窒化物半導体とすることにより、好ましく光閉じ込め層として作用する。この第３のｐ型層も活性層５をＩｎを含む窒化物半導体としているために、成長可能となる。つまり、ＩｎＧａＮを含む活性層が緩衝層のような作用をするために、ＡｌＧａＮを厚膜で成長させやすくなる。逆にＡｌを含む窒化物半導体層の上に、直接光閉じ込め層となるような厚膜で、Ａｌを含む窒化物半導体を成長させることは難しい傾向にある。
【００４６】
続いて、１０５０℃でＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９を０．５μｍの膜厚で成長させる。
【００４７】
ｐ型コンタクト層９は電流を注入する層であり、ｐ型の窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮとすると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、正電極と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流を低下させることができる。正電極の材料としてはＮｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕事関数の高い金属又は合金がオーミックが得られやすい。
【００４８】
以上のようにして窒化物半導体を積層したウェーハを反応容器から取り出し、図１に示すように最上層のｐ型コンタクト層９より選択エッチングを行い、ｎ型コンタクト層３の表面を露出させ、露出したｎ型コンタクト層３と、ｐ型コンタクト層９との表面にそれぞれストライプ状の電極を形成した後、サファイア基板のＲ面からウェーハを劈開して、バー状にし、さらにストライプ状の電極に直交する方向にレーザの共振面を形成し、共振器長は６００μｍとする。後は、常法に従い、共振面に誘電体多層膜よりなる反射鏡を形成した後、ストライプ状の電極に平行な位置でウェーハを分割してレーザチップとする。このレーザチップをヒートシンクに設置し、順方向電流３２０ｍＡのパルス発振を試みたところ、図３（ｃ）に示すような不規則な位置に発光ピークを有するレーザ発振を示し、活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流は５０％低下し、出力は３０％向上した。
【００４９】
［実施例２］
実施例１の活性層を成長させる工程において、不純物ガスとしてシランガスの代わりにジエチルジンクを用いて、Ｚｎを１×１０^１９／cm^３の濃度でドープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストローム、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させて、同じく総膜厚０．１μｍの多重量子井戸構造よりなる活性層５を成長させる他は、同様にして、共振器長６００μｍのレーザ素子を得たところ、活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流は２５％低下し、出力は１０％向上した。
【００５０】
［実施例３］
実施例１の活性層を成長させる工程において、不純物ガスとしてシランガス、およびジエチルジンクを用いて、Ｓｉを１×１０^２０／cm^３、及びＺｎを１×１０^１９／cm^３の濃度でドープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストローム、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させて、同じく総膜厚０．１μｍの多重量子井戸構造よりなる活性層５を成長させる他は、同様にして、共振器長６００μｍのレーザ素子を得たところ、活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流は６０％低下し、出力は３５％向上した。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレーザ素子は、活性層の１つの井戸層においてＩｎ組成の多い領域とＩｎ組成の少ない領域とを有することにより発光出力が向上する。さらに、活性層中にｎ型不純物、ｐ型不純物がドープされていることにより、発光出力を低下させることなく閾値を低下させることができる。このため、発光出力が高く閾値の低いレーザ素子を実現することができる。また、本発明のレーザ素子を埋め込みへテロ型、屈折率導波型、実効屈折率導波型等の横モードの安定化を図るレーザ素子とすることにより、さらに閾値電流が下がる可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【図２】図１のレーザ素子の活性層付近を拡大して示す模式断面図。
【図３】本発明のレーザ素子にパルス電流を流した際の発光スペクトルを各電流値で比較して示す図。
【図４】活性層にドープしたＳｉ濃度と、レーザ素子の閾値電流の低下率との関係を示す図。
【図５】活性層にドープしたＭｇ濃度と、レーザ素子の閾値電流の低下率との関係を示す図。
【図６】本発明のレーザ素子の井戸層のエネルギーバンド図。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・バッファ層
３・・・ｎ型コンタクト層
４・・・ｎ型クラッド層
５・・・活性層
６・・・第１のｐ型層
７・・・第２のｐ型層
８・・・第３のｐ型層
９・・・ｐ型コンタクト層

Claims

インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記活性層は、Ｉｎ _ＸＧａ _１−ＸＮ（０＜ X ≦１）よりなる井戸層と、Ｉｎ _{Ｘ '} Ｇａ _{１−Ｘ '} Ｎ（０＜ X ’≦１、 X' ＜ X ）よりなる障壁層が積層され、
前記活性層の１つの井戸層においてＩｎ組成の多い領域とＩｎ組成の少ない領域とを有し、
かつ、前記障壁層中にｎ型不純物がドープされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
前記ｎ型不純物は、Ｓｉであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記障壁層中のＳｉ濃度は、１×１０ ^１８／ｃｍ ^３〜１×１０ ^２２／ｃｍ ^３であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記活性層に接して、Ａｌを含むｐ型の窒化物半導体層を有することを請求項１乃至３のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
請求項１乃至４に記載の窒化物半導体レーザ素子において、ｎ電極と接するｎ型コンタクト層は、ＡｌとＧａを含むｎ型の窒化物半導体を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。