JP3725991B2

JP3725991B2 - 磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP3725991B2
Application number: JP06601699A
Authority: JP
Inventors: 洋治丸山; 弘池亀; 公史高野
Original assignee: 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ
Priority date: 1999-03-12
Filing date: 1999-03-12
Publication date: 2005-12-14
Anticipated expiration: 2019-03-12
Also published as: US6661613B2; US7016156B2; US20040125489A1; JP2000268336A; US20030103294A1; US20020109944A1; US6529348B2; US6894874B2; US6404594B1; KR20000062832A; US20050063097A1; KR100638296B1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子計算機及び情報処理装置等に用いられる磁気ディスク装置に係り、特に該磁気ディスク装置において200MHz以上の高周波記録を実現するための電気条件を満足する電気配線を用いた磁気ディスク装置構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報機器の記憶装置には、主に半導体メモリと磁性体メモリが用いられる。アクセス時間の観点から内部記憶装置に半導体メモリが用いられ、大容量かつ不揮発性の観点から外部記憶装置に磁性体メモリが用いられる。今日、磁性体メモリの主流は、磁気ディスクと磁気テープにある。これらに用いられる記録媒体には、基板ないしはテープ上に磁性薄膜が成膜してある。これらの記録媒体に磁気情報を書き込むため、電磁変換作用を有する磁気ヘッド記録素子が用いられる。また、磁気情報を再生するため、磁気抵抗現象ないしは、巨大磁気抵抗現象あるいは電磁誘導現象を利用した磁気ヘッド再生素子が用いられる。これら機能素子部は、磁気ヘッドと呼ばれる入出力用部品に設けられている。
【０００３】
本発明は、かかる磁気記憶装置のうち、高周波記録用磁気ディスク装置の構成に関わり、特に、高周波記録を実現する上で有効となる電気配線自体および該電気配線と磁気ヘッド記録素子部を含んでなる磁気ディスク装置の構成に関する。
【０００４】
磁気記録高性能化の大きな流れには、たとえば、日経エレクトロニクス１９９８年４月６日号１５５頁から１６５頁の「ＭＲヘッドで記録密度を５Ｇビット／（インチ）²に」に記載されているような高記録密度化の流れとともに、電子情報通信学会技術研究報告[磁気記録]１９９８年１０月１５日号７頁から１２頁に記載されているような高周波化の流れがある。本発明は後者の高周波化の新技術に関する。
【０００５】
従来の磁気記憶装置では、該装置における記録および再生時の周波数は100MHzを超えることはなかった。しかしながら、将来の高密度磁気記憶録装置では、大量のデータを短時間に入出力させる必要性から、該装置におけるデータ転送性能を50MB/s以上に高めなければならない。該装置におけるデータ転送性能50MB/sとは、周波数のレンジで200MHz以上（50×8/2 Hz）を意味する。
【０００６】
記録周波数が100MHzを超えない範囲では、記録再生を制御・実行するIC と磁気ヘッド間の電気的結合には、細線をよったツイスト線が用いられていた。しかし、ツイスト線では誘導成分（インダクタンス成分）が多く高速記録に伴う高周波信号を伝達しにくい問題がある。
【０００７】
この問題に対して、例えば日経エレクトロニクス1998年4月6日号168頁に記載された配線一体型サスペンションとも呼ばれるサスペンションが用いられようとしている。このサスペンションでは信号および電力を供給する配線が直接サスペンション上に形成されている。同部材の配線は写真蝕刻法により形成されるため、配線幅および2線間の間隔を30μm以下にできる。これにより配線のインダクタンスを50nH以下に抑えることができる。この効果から、配線一体型サスペンションを用いた装置では200MHz以上の記録動作が実現できると考えられた。
【０００８】
しかし、実際に配線を作り磁気ヘッドと結合したのみでは、所望の高周波記録特性を得ることは出来なかった。この原因は、記録電流に含まれる高調波成分の波長に起因する。このため、この問題を解決するためには、電気配線長を短くするしかないと考えられた。
【０００９】
図１に示した例は、上記問題を解決するため、配線一体型サスペンションをさらに改良したものであり、Read/Write IC２が磁気ヘッド１に接近してサスペンション３上に設けられている。図中、４は信号および電力供給用電気配線、５はアーム、６はアーム取り付け用かしめ穴である。この技術はChip on Suspensionと呼ばれ、たとえば、日本応用磁気学会第２２回講演会（１９９８年）において報告されている（講演概要集４７５頁）。
【００１０】
配線長を短くする目的で、Read/Write ICを磁気ヘッド近傍のサスペンション上に設ける技術は上記技術資料から明らかであるが、Read/Write ICを放熱性の悪い部材上に設置すると熱による伸びや歪みが発生し、装置性能を劣化させる原因となる。さらに、機械的可動部にRead/Write ICを乗せたことによる質量の増加、配線数の増加等の問題も生じる。いずれの問題もその対策に新たな改良が必要であり装置価格の上昇は避けられない。
【００１１】
また。伝送路のインピーダンスを一様にする提案(特平表１０−５０７０２８）もなされているが、この提案によっても高周波記録を実現するには難点がある。この提案は、伝送路のインピーダンスを一様に（変化を平滑化）することで、線路内の反射を防ぐものである。
【００１２】
しかしながら上記方法を適用して線路内の反射がない状態を作ってもヘッド、線路間のインピーダンス整合ができなければ、ここで最大の反射が起り電気長を長くできなくなることは明白である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
記憶装置の性能は、入出力動作時のスピードと記憶容量によって決まり、製品競争力を高めるためにはアクセス時間の短縮化と大容量化が必須である。この要求を満足するためには、高周波記録磁界による書き込み動作が必要となる。この要求を満足させるため、配線をサスペンションに直接形成した配線一体型サスペンションが一般に用いられようとしている。
【００１４】
しかし、上記に述べたように単に電気配線をサスペンション上に形成しても高周波記録には不適であることが明らかとなった。
【００１５】
本発明の目的は、磁気ディスク用の電気配線と磁気ヘッド記録部の新たな構成を開示することで、価格上昇が無く、200MHz以上の高周波記録動作を実現できる磁気ディスク装置技術を提供することにある。
【００１６】
以下、本発明の種々の実施形態に基づいて詳細に本発明を説明する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
第２図および第３図を用いて本発明の第１の実施例を述べる。第３図は、本発明を実施した磁気ディスク装置記録部の概念図を示す。図２に示す記録部は、電気情報を磁気情報に変換し、かつ、再生動作を実現する磁気ヘッド１、磁気ヘッドを機械的に支持し、かつ、記録媒体への押し付け荷重を発生させるサスペンション３,同サスペンションを支持するアーム５、磁気ヘッドへの電気信号伝達手段である電気配線４から構成される。電気配線４は、電気信号の入出力及び信号処理を行なうRead/Write IC（図３に示すIC２と同じ：以下単にR/W ICと呼ぶ）に接続される。
【００１８】
R/W IC２の位置は、図３に示したように磁気ディスク装置の筐体に固定された回路基板上、ないしはロータリアクチュエータ上、あるいはアーム上等、種々考えられるが本発明では特に限定をする場合以外何らの制約を受けるものではない。図３中、１１は記録媒体、９はロータリーアクチュエータ、４は電気配線、５はアーム、３はサスペンション、８はケースである。
【００１９】
図２(a)に示すように電気配線４は、サスペンション３上に形成してある。電気配線４は、導電性の金属から構成しており、サスペンション等、他の金属部品と電気的な絶縁状態を維持する目的から絶縁膜にて保護されている。
【００２０】
この構造を図２(b)に示す。この図２（ｂ）は、図２(a)に示した線A-Aにおける断面を示す。サスペンション３は、厚さ25μｍのステンレス鋼板から形成した。この上に絶縁膜となる厚さ20μmのポリイミド樹脂７−１を被着し、電気配線４を形成した。各電気配線4-1、4-2、4-3、4-4の幅は5.4μmで、厚さも5.4μmとした。電気配線部の膜構造は、Au/Ni/Cu/Crである。
【００２１】
これらの電気配線を電気的ないしは機械的に保護する目的で厚さ10μmのポリイミド樹脂７−２を最後に積層した。以上用いたポリイミド樹脂の比誘電率は、約３．３である。
【００２２】
図４に上記構造を有する線路の特性インピーダンスを測定した結果を示す。同図には、図２に示したポリイミド樹脂７−１の膜厚を10μmにした場合と2μmにした場合の結果を合わせて示す。いずれの結果も周波数の増加に伴い特性インピーダンスが減少する傾向にあることが分かる。周波数を1GHzに固定して特性インピーダンスの値を比較すると、ポリイミド樹脂の膜厚が20μmの場合150Ω、ポリイミド樹脂の膜厚を10μmに下げると100Ω、さらにポリイミド樹脂の膜厚を下げ2μmにすると50Ωとなる。電気配線の特性インピーダンスは、絶縁物であるポリイミド樹脂の膜厚の減少と共に減少する事が分かる。
【００２３】
次に、これらの結果と本実施例で使用した磁気ヘッドのインピーダンスの変化を比較する。図４に磁気ヘッドのインピーダンスの変化を合わせて示す。図から、磁気ヘッドのインピーダンスは、周波数1GHz近傍で最大の100Ωとなり、周波数が高くなるほど減少する事が分かる。
【００２４】
この変化を電気線路の特性インピーダンスの変化と比較すると、ポリイミド樹脂の膜厚が20μmの場合、全ての周波数条件で特性インピーダンスが上回っているのが分かる。しかし、ポリイミド樹脂の膜厚を10μmにすると、特性インピーダンスが上回るのは、磁気ヘッドのインピーダンスが最大となる約1GHz以下に限られることがわかる。さらにポリイミド樹脂の膜厚を2μmにすると、特性インピーダンスが上回るのは、約600MHz以下の低周波条件に限られる。
【００２５】
以上の電気配線が有する特性インピーダンスと磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスとの関係をさらに調べる目的で各電気配線に磁気ヘッドを繋いで電流の立ち上がり時間を測定した。
【００２６】
図５は、この記録電流の立ち上がり時間（τ:振幅が10%から90%に至る時間）を測定した結果である。各電気配線は長さを種々変化させ、長さの変化に対し、τの変化を測定した。各電気線路の入力側には、R/W ICを繋ぎ、磁気ヘッドの電流入力端でτを測定した。ちなみに、この測定に用いたR/W ICはτ≒0.5ns（出力端でのτ）の電流パルスが出力されていることを確認している。
【００２７】
図５の測定結果に着目すると、ポリイミド樹脂の膜厚が20μmの場合、言い換えると、全ての周波数条件で磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスを上回る電気配線の場合（条件１）、磁気ヘッド記録素子部に流入する電流パルスの立ち上がり時間τは、配線路長を長くしても略1.5ns以内で影響が少ない事が分かる。また、ポリイミド樹脂の膜厚が10μmである、言い換えると、電気配線路の特性インピーダンスが磁気ヘッド記録素子部の最大インピーダンスに満たない場合（条件２）、τは、略2.0ns以内を維持するが、条件１に比べ変化がやや大きいことがわかる。
【００２８】
一方、ポリイミド樹脂の膜厚が2μmである場合、言い換えると、周波数600MHz以内の低周波でのみ電気配線路の特性インピーダンスが磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスを上回る場合（条件３）、τは、電気配線路長の増加と共に極端に大きくなり、急速に劣化する。
【００２９】
以上の結果から、特性インピーダンスの値が小さい程、また、電気配線路長が長くなるほどτも長くなることが分かる。この傾向は、電気配線路に損失がある限り生じるものである。しかし、条件１あるいは条件２は、条件３に比べτの変化が極端に少ないことがわかる。したがって、この現象は、電気配線路損失に絡む問題を他の因子が防いでいると考えられる。以上の現象が生じる理由については次のように考えることが出来る。
【００３０】
すなわち、磁気ヘッドの記録記録素子部部は、コイルから構成される。従って、電気的には誘導負荷となる。したがって、磁気ヘッド記録記録素子部のインピーダンスは、周波数と共に一様に増加するはずである。しかしながら、実際の磁気ヘッドでは、コイルからの磁界を誘導する磁性膜に周波数特性があるため（磁気ヘッドを構成する磁性膜の透磁率が周波数で変化すること、磁性膜に流れる渦電流の影響による）、高周波条件でインピーダンスが減少する傾向にある。従って、磁気ヘッドのインピーダンスは、最大値を有することとなる。
【００３１】
このようなインピーダンスの変化をきたす磁気ヘッドと、異なる特性インピーダンスの変化をきたす電気線路とが電気的に整合する事は困難である。このため、不整合部で反射が起こり波形が歪むこととなる。また、この歪みは電気配線路長が長くなるほど、高周波成分の位相ずれが進むため顕著となる。
【００３２】
τを短くすること、即ちR/W IC出力時と同じ波形にすることは、この波形歪みを防ぐことを意味し、波形歪みを少なくするためには反射を防げば良いとの結論に達する。
【００３３】
磁気ヘッドの最大インピーダンスより、電気配線の特性インピーダンスを高めることは、全ての周波数条件で磁気ヘッドのインピーダンスより線路の特性インピーダンスを高めることである。これは、現象的には磁気ヘッドが電気的な負荷としてR/W IC側から見え難くなることを意味する。したがって、電気配線と磁気ヘッド記録素子部との接続点における不整合の影響が現れ難くなり、この効果として配線路長に対するτの裕度が増加したと考えられる。
【００３４】
立ち上がり時間τは、磁気ヘッドを高速でスイッチングさせる上で重要なパラメータであり、τが１bit情報を記録する時間内に留まる必要がある事は容易に理解できる。
【００３５】
本発明で目的とする200MHz以上の記録周波数では、2.5ns以内で記録磁界をスイッチングさせる必要があり、本実施例で述べる磁気ヘッド記録素子部の場合、電流入力から磁界発生に及ぶ時間遅れを加味するとτを概ね1ns以内に収める必要があった（尚、一般的には電流入力から磁界発生に及ぶ時間遅れは、ヘッド構造、電流振幅に依存する。。
【００３６】
図５の測定結果に着目すると、全ての周波数条件で電気配線の特性インピーダンスが磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスを上回る条件（条件１）の場合、80mm程度の配線路を用いても、この目標を満足する事が分かる。また、電気線路の特性インピーダンスが磁気ヘッド記録素子部の最大インピーダンスに満たない条件（条件2）では、50mm以内に制限され、さらに特性インピーダンスが磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスを下回る条件（条件３）では、20mm以内に制限されることがわかる。
【００３７】
磁気ヘッドとR/W ICとの距離を長くできる程、R/W ICの取り付けが容易となることは容易に理解できる。すなわち、線路を長くできれば、R/W ICは可動部分であるアームやサスペンションさらにヘッド近傍まで近づける必要はなくなる。このため、ヘッド近傍にR/W ICを設ける場合に生じるR/W ICからの発熱、可動部での質量の上昇、R/W ICを駆動するための配線の増加等の問題は回避することが出来ることになる。この効果から、高周波記録性能を従来と同様の生産性および装置価格で実現することが可能となる。
【００３８】
本発明で開示する特性インピーダンスの高い電気配線路が有する上記特徴は、磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスとの関係に依存することは、上記の測定結果から明白であり、電気線路の特性インピーダンスを磁気ヘッド記録素子部のインピーダンスより高める事による効果と理解される。上記実施例では、全ての周波数範囲でこの関係を規定したが、本発明を実現する上でさらに狭い周波数条件に限定しても略等しい効果が得られた。この例を実施例２として以下に述べる。
【００３９】
第２の実施例は、記録電流に含まれる高調波成分に着目したものである。記録電流は、一般に台形状の矩形パルスであり、それには、高周波の周波数成分が含まれている。この中でτを決める周波数成分は、一般に 0.35/τから求まると言われている。しかし、詳細に計算を行なうと誤差が多く、200MHzの記録を実現するために必要となるτ≒1nsを±0.1ns以内の精度で表現するためには、1/τの高い周波成分を考える必要があることが本実施例から分かった。
【００４０】
図１０は、上記高調波成分の影響度を求める為に行った計算の一例である。計算は、立ち上がり時間0.8nsecの台形パルスをフーリエ変換し、同台形パルスに含まれる周波数成分を抽出した後、任意の周波数以上の成分を意図的に削除した後（高調波成分をカット）に逆フーリエ変換を行い、立ち上がり時間の変化を求める方法による。
【００４１】
図の横軸は、カットした高調波成分の下限値（単位はMHz）、縦軸は逆フーリエ変換したパルス波形の立ち上がり時間(単位はナノ秒（nsec.）)を示す。立ち上がり時間τirの定義には、10%から90%までの時間を定義する場合と5%から95%までの時間を定義する場合があり、図にはこれらを併記してある。
【００４２】
結果に着目すると、カットする周波数が高くなる程、τir5-95%、τir10-90%ともに小さい値となり、波形の劣化が少なくなることが分かる。特に1250MHz（台形パルスの立ち上がり時間の逆数から求まる周波数：1/0.8nsec）以上の周波数をカットした場合、τirの変化は飽和傾向にあり、この周波数以上の成分は、元波形のτirを保存させる上で重要でないことが分かる。逆の言い方をすると、立ち上がり時間の逆数から求まる周波数を上限とした成分を通過させることで元波形の変形が押さえられることになる。
【００４３】
従来の考えである0.35/τから求まる周波成分を本計算例に適用すると、考える周波数の上限は437MHzとなる。この値は図10の左枠外に位置し、計算結果を外挿すると元波形との差が著しく広がることが分かる。
【００４４】
この結果から200MHz以上の記録を達成するため、τを1ns以内に設定する必要がある場合には、1GHz以上の高周波成分を考える必要があることが分かった。そこで、本実施例では、この1GHz以上の周波数条件の全てで線路の特性インピーダンスを磁気ヘッドのインピーダンスより高めることとした。
【００４５】
この実施例においてもτの変化に関して上記第１の実施例と類似の結果が得られた。特性インピーダンスの高い電気配線を用いた場合は特性インピーダンスの低い電気配線を用いた場合に比べ、電気配線路長を長くした場合にもτの劣化が少なくなるという上記実施例で確認された効果は、本発明によって初めて明らかにされたものであり、この効果から、R/ W ICの位置を磁気ヘッド記録素子部から遠ざけた状態でも高周波数記録、即ち高速記録の達成を可能としたものであり、生産技術上の利点は極めて大きい。
【００４６】
第３の実施例は、第２の実施例と同様、特定の周波数条件に本発明を適用した例である。既に述べたように記録電流に含まれる高調波成分でτに影響するのは、1/τで示される周波数を上限とする周波数成分である。したがって、τの変化を少なくするため、本実施例では1/τの周波数に着目して、電気配線の特性インピーダンスと磁気ヘッド記録部のインピーダンスの関係を規定した。具体的には、τir=0.8nsecを実現できるよう、1250MHz（1/τir）の周波数で電気配線の特性インピーダンスが磁気ヘッドのインピーダンスより高くなるようにした。第２の実施例と比較し、インピーダンスの大小関係が特定の周波数条件に絞れらる点のみが異なる。
【００４７】
本実施例においても上記実施例２と同様の効果（線路長を長くできた）が得られた。特に着目すべきは、周波数を1/τに特定した事により、等しいインピーダンスを有する磁気ヘッド間でのばらつきが少なくなる効果が得られたという点である（ここでのばらつきは、磁気ヘッド入力端での電圧のばらつき、およびτのばらつきを意味する）。
【００４８】
以上述べた実施例においては、インダクタンスが40nH以下の磁気ヘッド記録素子部を用いた。この条件は、電気配線路の特性インピーダンスに限界があることに起因する。電気配線路の特性インピーダンスは、電気配線路が無損失と近似すると（単位長さ当たりのインダクタンス／単位長さ当たりのキャパシタンス）の1/2乗から求まる。特性インピーダンスを高めるためには、この単位長さ当たりのインダクタンスを高め、キャパシタンスを下げれば良い。インダクタンスは、電気配線路間隔を広げる事で高められるが、キャパシタンスを下げるには電気配線路幅を狭くするか、絶縁層に誘電率の低い材料を用いる必要がある。配線路間隔を広げる事は、それを形成するサスペンションの幾何学的寸法との関係で自ずと許容範囲が定められる。
【００４９】
一方、キャパシタンスを下げるために線路幅を狭める対策においても、磁気ヘッドを駆動する（低いインダクタンスの磁気ヘッドで磁界を発生させる）ために数十mAオーダの電流を流す必要性上、自ずと許容範囲が定められる。また、誘電体の比誘電率を下げらることについても、材料物性上からその可能範囲が定められる。（仮に空気でも誘電率１）。
【００５０】
以上の条件を勘案すると特性インピーダンスの調整可能範囲は、概ね50Ωから150Ωとなる。この電気配線路からの条件により、使用可能となる磁気ヘッドのインピーダンス範囲は、概ね40nH以下（本実施例の場合、インピーダンスの最大値150Ω）になる。
【００５１】
本発明で対象となる磁気ディスク装置は、最大記録周波数が少なくとも200MHz以上である。以下この理由を述べる。上記に述べた高周波での反射の問題は、考えるべき周波数成分の波長（伝播速度）の1/10（あるいは1/8）の長さが線路長より短くなると顕著になる事が知られている。200MHzの周波数では、一周期が5nsとなる。この時間内に誘電率3.3程度のストリップ線路なら、約75mm伝播する。また、100MHzでは、150mmの伝播距離となる。従来の磁気ディスク装置で使用される電気線路長は、約85から150mm程度なので100MHz以下なら問題は生じない。
【００５２】
しかし、周波数を200MHzに高めると線路長を75mm以内にとどめる必要が生じる。しかし、本発明で開示する電気配線路条件を満足させると、図５に示したように200MHzの記録周波数でも75mm以上の電気配線路で伝播できる。この効果から、R/W ICをあえて可動部に設置する必要はなくなる。このため、従来の磁気ディスク装置と同様の装置構成を採用でき、安価な製品を開発できる。この効果から、製品競争力の高い磁気ディスク装置を実現できる。
【００５３】
本発明において対象としている特性インピーダンスZ₀は
Z₀≒（L₀／C₀）^0.5
ここではL₀、C₀は単位長さ当たりのインダクタンスと容量から求まる。
【００５４】
磁気ディスク装置の電気配線路は往復線路であるため、線間に容量を有し、 Z₀が無限大になることはない。 Z₀の値の大きな電気配線路としては、フィーダ線（線間距離約１cm）が知られているが、高々３００Ωである。この値を越える電気配線路は、極端に往復線路間が離れている形状とならざるを得ない。従って、電気的な知識を有する同業者であれば本発明で主張する特性インピーダンスの上限は概ね３００Ωであることが理解されるはずである。
【００５５】
また、特性インピーダンスの上限は、電源電圧によっても制限される。以下にその詳細を述べる。特性インピーダンスを決定するL₀と伝送路長lとの積は、電気配線路が有する全インダクタンス量となる。これにヘッドのインダクタンスLhを足すと記録電流を供給するR/W ICからみた負荷のインダクタンス量が求まる。仮に２００Mhzの記録電流を流すためには、最低でも記録電流の立ち上がり時間を１．２５ns以内に設定する必要がある。ここで記録電流の大きさを４０mAに仮定するとR/W ICの電源電圧Eは理想的に考えても、
Ｅ>（ L₀×l ＋Lh)×４０×１０^-3／１．２５×１０^-9
を満足させる必要があることがわかる。
【００５６】
ところで、電源電圧はICの高速化、省電力化の観点から下がる傾向にあり、現状の±５Vから±３Vを視野に考える必要がある。この制約を考えると（L₀×l ＋Lh）としては２００ｎHを越えることはない。
【００５７】
ここでヘッドのインダクタンスを４０ｎＨと見積もると、線路が取りうるインダクタンスは約１６０ｎＨとなる。この値から特性特性インピーダンスの上限を算出するためには、電気配線路の単位長さ当たりの容量と電気配線路長を仮定する必要がある。電気配線路の単位長さ当たりの容量は上記に述べた磁気ディスク装置に適用できる電気配線路の形状から制限が加えられ、概ね２００ｐＦ／ｍである。ここで電気配線路長を１０（５）ｃｍと仮定すると特性インピーダンスＺｏは上記計算式を用いて約８９（１２６）Ωと算出される。これらの値は、先の形状からくる上限値に比べて低い値となる。いずれにせよ、特性インピーダンスは然るべき上限値を有することがわかる。
【００５８】
本発明の特徴を更に明らかに示すための第四の実施例を、さらに述べる。
【００５９】
高周波記録を実現するためには、高周波の記録電流を磁気ヘッドに流入させる必要があり、これを実現するため、サスペンション上にＲ／ＷＩＣを設置し線路のインダクタンスを下げる方法が提案されている。しかし、この方法は、先にも述べたようにＩＣからの発熱、質量増大に伴う位置決め精度劣化、ヘッドシーク速度低下等の問題が生じる。また、機械剛性の低いサスペンション上にＲ／ＷＩＣを設置することから生じる生産コスト上昇、品質管理の難しさ等の製造に関わる問題も生じる。
【００６０】
これに対し図６に示すキャリッジ部にＲ／ＷＩＣを設置する方法ではかかる問題は生じない。すなわち、ＩＣ設置に伴う質量増加部位はトルクを発生する駆動部に近いため、位置精度劣化、ヘッドシーク速度低下への影響が少ない。また、キャリッジ部は、機械的剛性が高いため、製造時に破壊に関する特別な配慮をする必要はない。この理由から、生産コストの上昇はなく、品質管理の難しさ等、生産に関わる問題も生じない。
【００６１】
本発明を実施した磁気ディスク装置の一例を図６を用いて述べる。同装置は、記録媒体（ディスク）１１を有し、記録媒体への磁気情報の入出力をする磁気ヘッド１、磁気ヘッドを支持し所定の荷重状態で記録媒体に対向させるサスペンション３、サスペンションを機械的に支持するアーム５とからなる構成体を備え、さらに複数のアームを束ねて保持するキャリッジ１２、キャリッジを駆動するロータリアクチュエータ９から機構部が構成される。特性インピーダンス値に制限を与えた電気配線路４はサスペンション及びアーム５に設置されていることは言うまでもない。
【００６２】
Ｒ／ＷＩＣ２は、キャリッジ１２に設置されており、ＩＣ設置に伴い質量が増加してもトルクを発生するアクチュエータ９に近いため位置決め精度劣化、ヘッドシーク速度低下への影響は少ない。
【００６３】
Ｒ／ＷＩＣ２から信号線群１４に流れる信号は、並列化等の手段を用いて周波数を下げている。信号線群１４の信号は、コネクタ１５，１６を介して回路基板１７に入る。回路基板１７には、信号処理等のＩＣ回路１８が設置されており、従来と同様の電気信号処理が行われる。以上の部材はケース８に納められている。
【００６４】
本実施例では、磁気ヘッド１とＲ／ＷＩＣ２間に高周波の記録電流を流す。この間の電気配線路を本発明で開示する特性インピーダンスとすることで、伝播速度から制限される電気長を従来に比べ長くできる。この効果から、熱、質量、製造法の各問題を解決出来る位置にＲ／ＷＩＣを設置出来る。
【００６５】
本発明で開示する特性インピーダンスの高い電気配線が有する上記特徴は、磁気ヘッドの記録用素子のインピーダンスとの関係に依存することは、上記説明から明白である。この関係は、異なるインピーダンス特性を有する磁気ヘッド(図７）の再生部２２と電気配線との関係にも展開できることは電気的な知識を有するものであれば、容易に理解されるものである。
【００６６】
再生部２２は、薄膜状の磁気抵抗効果素子２３と同素子に電流を流し、かつ抵抗変化を検出するための電極１９から構成され、これを金属シールド(図７の２５，２８）が上下に包む構造となっている。このシールドの影響から再生用素子は、記録素子に比べ容量性である場合が多い。従って、高周波記録を実現する上で配線と素子とのインピーダンスを整合させるためには配線を容量性にする必要がある。図７において２０は磁気ヘッド基板、２１は記録部、２４は下地層、２６は渦巻き型コイル、２７は上部磁極、２８は再生時にはシールドとしても機能する下部磁極である。
【００６７】
図８はこの発明を適用したもうひとつの実施例である。図に示すように電気配線４は、再生用電気配線（４−３，４−４から構成）２００と記録用電気配線（４−１，４−２から構成）２０１から構成されている。これらは、上記実施例と同様、サスペンション３上に形成してある。これら電気配線２００，２０１は導電性の金属から構成しており、サスペンション等、他の金属部品と電気的な絶縁状態を維持する目的から絶縁膜にて保護されている。
【００６８】
再生用電気配線２００の形態は、図８の下部に断面B-Bを示すように記録用電気配線２００とは、線路幅と厚みを変えている。具体的には幅を１０μｍ、厚さを２．０μｍとしている。他の条件、厚さ２０μｍのポリイミド樹脂７−１、保護膜７−２の厚み(約１０μｍ）は、ともに共通である。また、配線部の膜構造も、Au/Ni/Cu/Crで共通(膜厚は異なる）である。
【００６９】
このねらいは、再生用素子と電気配線のインピーダンスを等しく(ないしは接近させる）させることである。したがって、容量性の素子である再生用素子に接続する配線の特性インピーダンスを容量性に設定するため、電気配線幅を広げている。また、記録用電気配線に比べ、流す電流が少ないため、膜厚を薄くしている。インピーダンスを容量性にする方法は、この他に、サスペンション３と線路４−３，４−４間に入れる絶縁層の膜厚を薄くすることも考えられる。
【００７０】
同様に上記記録用電気配線と再生用電気配線の特性インピーダンスの差は、電気配線の幅、厚さ、比抵抗値、同電気配線と接する絶縁膜の誘電率および膜厚、線間距離、電気配線を構成する導電性材料の積層構造のいずれか、ないしはそれらを複合的に変化させることで実現できる。したがってこれら定数を変化させた、いかなる実施例も再生部と記録部のインピーダンスを夫々最適化する目的の上で実施される限り本発明に含まれるものである。
【００７１】
具体的実施例のいくつかを図９−１、−２、−３に示す。図９−１はサスペンション３と再生用電気配線４−３，４−４の間に入れる絶縁層の膜厚を薄くした例を示す。図９−１において、４−１，４−２は記録用電気配線、７−１，７−２は絶縁層としてのポリイミド樹脂層、Ｗ１，Ｗ２はそれぞれ、記録用電気配線路対及び再生用電気配線路対の間隔である。Ｔ１、Ｔ２はそれぞれ記録用電気配線路下及び再生用電気配線路下の絶縁層としてのポリイミド樹脂の膜厚であり、Ｔ１>Ｔ２である。このようにすることにより配線の実装密度の向上をはかることが出来る。図９−２は再生用電気配線路対の間隔を記録用電気配線路対の間隔より小さくした例であり、Ｗ１>Ｗ２である。この例では絶縁層７−１を同じ厚さにすることが出来、製造プロセスが簡単になる。図９−３は再生用電気配線路対を記録用電気配線路対の間に形成し、再生用電気配線路対の間隔を記録用電気配線路対の間隔より小さくした例であり、当然ながらＷ１>Ｗ２である。このような構成をとることにより、製造プロセスの簡単化と配線実装密度向上を合わせて実現できる。
【００７２】
上記の各実施例に依れば、記録系、再生系の各々が最適なマッチング状態を実現でき、その効果から、高周波条件において高効率かつ、高精度の電気信号の伝達が可能となる。このため、将来の５００MHzを越える高周波記録も可能となる。
【００７３】
また、上記の各実施例では、電気配線を単一の部品から構成した。このため、特性インピーダンスの電気配線路内均一化を実現する上で好適である。しかし、この制限によらず、複数の線路を繋いだ線路群から構成する事も可能である。この場合、各線路が上記実施例のいずれかの条件を満足させる必要がある事は言うまでもない。さらに、我々の検討によれば、これら線路間の特性インピーダンスの差を１割以下に押さえる必要があった。特性インピーダンスの差が大きいと、結合部での新たな反射が生じ、この反射によって所望のτが得られなくなるためである。ここでの１割の制限は、我々の実験結果によるものであり、τに関する条件によっては、２割程度の差も本発明での効果を期待するものであり、本発明の範囲と解釈できる。
【００７４】
以上述べた本発明によれば、安価な部品構成から高周波記録可能な磁気ディスク装置を実現できる。また、本発明を応用する事により、電気線路長に制限を受けずに磁気ディスク装置の高周波化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のサスペンション部材の概念図。
【図２】本発明を可能とする絶縁型サスペンションの主要部概念図。
【図３】本発明による磁気記録装置の概念図（１）。
【図４】本発明の基本となる測定結果。
【図５】τの測定結果。
【図６】本発明による磁気記録装置の概念図（２）。
【図７】磁気ヘッド素子部の概念図。
【図８】本発明を可能とする絶縁型サスペンションの主要部と記録用電気配線対及び再生用電気配線対の概念図。
【図９】本発明を可能とする記録用電気配線対及び再生用電気配線対の配置概念図。
【図１０】τの変化を求める計算結果。
【符号の説明】
１…磁気ヘッド、２…Read/Write IC（記録再生用半導体素子集積回路デバイス）、3…サスペンション、４…電気配線、４−１，４−２…記録用電気配線、４−３，４−４…再生用電気配線、５…アーム、６…アーム取り付け用かしめ穴、７−１,７−２…(絶縁膜)ポリイミド樹脂、８…ケース、９…ロータリアクチュエータ、１０…モータ、１１、１１−１，１１−２，１１−３，１１−４…記録媒体、１２…キャリッジ、１３…サスペンション及びアーム、１４…信号線群、１５、１６…コネクター、１７…回路基板、１８…信号処理等のＩＣ回路、１９…電極、２０…磁気ヘッド基板、２１…記録部(書込み部)（磁気記録素子）、２２…再生部（読み出し部）、２３…磁気抵抗効果素子（再生用素子）、24…下地層、２５…シールド層、２６…渦巻き型コイル、２７…上部磁極、２８…下部磁極、２００…再生用電気配線、２０１…記録用電気配線
Ｔ１…記録用電気配線下絶縁層（ポリイミド樹脂）膜厚
Ｔ２…再生用電気配線下絶縁層（ポリイミド樹脂）膜厚
Ｗ１…記録用電気配線路対の間隔
Ｗ２…再生用電気配線路対の間隔。

Claims

基板上に磁性膜を有する磁気記録媒体と、該磁気記録媒体表面に対向して設けられ、該磁気記録媒体への磁気情報の入出力を行う磁気ヘッドと、記録再生用半導体素子集積回路デバイスと、該デバイスと該磁気ヘッドとを電気的に結合する電気配線と、該磁気ヘッドを機械的に支持し所定の荷重で該記録媒体上に対向させるサスペンション部材、該サスペンション部材を支持するアーム、該アームを保持するキャリッジ、および該キャリッジを駆動するロータリアクチュエータからなる機構部と該磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータを有する磁気ディスク装置であって、
200MHz 以上の高周波記録動作が可能であり、
該磁気ヘッドに搭載される磁気記録素子への記録電流供給手段である上記電気配線が上記サスペンション部材上に形成され、かつ、周波数 500MHz 以上で、該電気配線の特性インピーダンスが該磁気記録素子のインピーダンスより高い領域を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
磁気ヘッドに供給される記録電流波形の立ち上がり時間の逆数に相当する周波数条件で電気配線の特性インピーダンスが磁気記録素子のインピーダンスより高いことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
上記磁気記録素子用の電気配線対の特性インピーダンスが上記磁気記録素子の有する最大インピーダンスより大きいことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
サスペンション部材と、
前記サスペンション部材上に形成され、磁気記録素子が搭載された磁気ヘッドと、
前記サスペンション部材上に形成され、前記磁気記録素子に電気的に結合する電気配線とを有し、
200MHz 以上での高周波記録動作に対応可能であり、
周波数 500MHz 以上で、前記電気配線の特性インピーダンスが、前記磁気記録素子のインピーダンスより高い領域を有することを特徴とするヘッドジンバルアッセンブリ。
上記磁気記録素子用の電気配線対の特性インピーダンスが上記磁気記録素子の有する最大インピーダンスより大きいことを特徴とする請求項４記載のヘッドジンバルアッセンブリ。