JP3721713B2 - 位置合わせ精度測定方法及び位置合わせ精度測定装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体における位置合わせ精度を測定する方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
被処理体である半導体基板において、例えば重ね合わせ精度を測定する場合、半導体基板を測定ステージ上に設置し、半導体基板に設けた測定マークに光源から光を照射し、測定マークの画像をCCD(電荷結合素子)カメラで取り込む。そして、取り込まれた画像からイメージプロファイルを作成し、そのイメージプロファイルから重ね合わせずれ量を求める。
【0003】
具体的には、図4(a)および図4(b)に示すように、合わせマーク41と基準マーク42の画像から図4(c)に示すようなイメージプロファイル43を作成する。そして、基準マーク42のエッジの座標(a,d)を求め、その中点XBを求める。更に、合わせマーク41のエッジの座標(a,d)を求め、その中点XAを求める。その後、XBとXAの座標の差△Xを補正値として求める。なお、測定マークとは、基準マーク42と、それに合わせる合わせマーク41とから構成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、測定マークの画像を取り込む際には、測定ステージ表面を図5に示す基準マークFocus面45に合わせて行う。この場合、基準マークFocus面45の位置と実際の合わせマークFocus面44の位置とが異なるために、合わせマーク41の画像は、光軸の傾きCにより、本来の位置からずれた状態の合わせマーク画像46として誤検出されてしまう。
【0005】
このため、本来の合わせマーク41の中点XAと光軸の傾きに影響を受けた中点XCとの間に誤差Dが発生する。この誤差Dは、合わせマーク41と基準マーク42との間の高低差、すなわち合わせマークFocus面44と基準マークFocus面45との間距離に影響を受ける。なお、現状の測定装置においては、誤差Dが約5nmである。
【0006】
一方、半導体装置製造プロセスにおける微細化に伴い重ね合わせ精度測定の要求スペックが高くなってきており、重ね合わせ精度を向上させる必要がある。しかしながら、上記誤差の発生により、重ね合わせ精度を正確に測定することができず、ずれ量の信頼性が低下して、要求スペックを満足させることができないのが現状である。
【0007】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、正確に位置合わせ精度を測定することができ、信頼性の高いずれ量を得ることができる位置合わせ精度測定方法及びその装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を講じた。
本発明は、光学系において基準マークと当該基準マークの上方に配置されるとともに平面視的に当該基準マークのエッジ間に配置された合わせマークのイメージプロファイルを用いて被処理体における位置合わせ精度を測定する方法であって、前記合わせマークにフォーカス面を合わせた状態でイメージプロファイルを作成し、当該合わせマークの第1の中点を求めるとともに、当該合わせマークの下方に配置される前記基準マークにフォーカス面を合わせた状態でイメージプロファイルを作成し、当該合わせマークの第2の中点を求める第1工程と、フォーカス面の違いによる前記第1の中点と前記第2の中点との誤差を測定する第2工程と、前記基準マークにフォーカス面を合わせた状態でイメージプロファイルを作成し、当該基準マークのエッジ間の中点を求めるとともに当該基準マークの上方に配置される前記合わせマークの第3の中点を求める第3工程と、前記第3の中点と前記誤差とに基づき、補正された前記合わせマークの中点を求める第4工程と、補正された前記合わせマークの中点と前記基準マークのエッジ間の中点とに基づき、前記合わせマークと前記基準マークの合わせずれ量を求める第5工程とを有することを特徴とする位置合わせ精度測定方法を提供する。
【0009】
この構成によれば、基準マークと合わせマークとの間の誤差を算出し、この誤差を基準マークと合わせマークとの間の位置ずれに反映させるので、基準マークと合わせマークとの間の正確にずれ量を算出することができる。これにより、ずれ量の信頼性が高くなり、正確に位置合わせ精度を測定することができる。
【0010】
本発明の方法においては、前記基準マーク及び合わせマークの基準値は、イメージプロファイルのシグナル・ノイズ比が高い状態で求められることが好ましく、前記基準マーク及び合わせマークの基準値は、イメージプロファイルの対称性が高い状態で求められることが好ましい。
【0011】
また、本発明は、光学系において基準マークと当該基準マークの上方に配置されるとともに平面視的に当該基準マークのエッジ間に配置された合わせマークのイメージプロファイルを用いて被処理体における位置合わせ精度を測定する装置であって、被処理体を支持した状態で水平移動および昇降移動が可能な支持手段と、前記被処理体に設けた基準マーク及び合わせマークに光を照射する光源と、前記基準マーク及び合わせマークの画像を取り込んでイメージプロファイルを作成する手段と、前記イメージプロファイルから位置合わせ精度を求める制御手段とを具備し、前記制御手段は、フォーカス面を前記基準マークまたは前記合わせマークに合わせた状態で、前記イメージプロファイルから当該合わせマークの中点をそれぞれ求める基準値算出手段と、フォーカス面の違いによる前記合わせマークの各中点の誤差を算出する誤差算出手段と、前記基準マークにフォーカス面を合わせた状態で、前記イメージプロファイルから前記基準マークのエッジ間の中点と当該基準マークの上方に配置される前記合わせマークの中点を求めることで、前記基準マークと前記合わせマークとの間の位置ずれを算出する位置ずれ算出手段と、前記位置ずれ算出手段により算出された前記合わせマークの中点と、前記誤差算出手段により算出された前記誤差に基づき、補正された前記合わせマークの中点を算出するとともに、補正された前記合わせマークの中点と、前記位置ずれ算出手段により算出された前記基準マークのエッジ間の中点に基づき、前記基準マークと前記合わせマークとの合わせずれ量を算出するずれ量算出手段とを有することを特徴とする位置合わせ精度測定装置を提供する。
【0012】
この構成によれば、制御手段が基準マーク及び合わせマークの基準値を求めて、この基準値から前記基準マークと前記合わせマークとの間の誤差を算出することができる。このため、この誤差を用いて自動的に補正を行って、基準マークと合わせマークとの間の正確にずれ量を算出することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の位置合わせ精度測定装置の一実施形態を示す概略図である。図中1は光源を示す。光源1には、光源1からの光を導く光ファイバー2が接続されている。
【0014】
本装置の光学系においては、CCDカメラ3が設置されており、その下方には、レンズ4、ハーフミラー5、対物レンズ6が配置されている。また、対物レンズ6の下方には、測定ステージ9が設置されており、測定ステージ9上には、測定マーク8が設けられた被処理体である半導体基板7が設置されている。また、測定ステージ9には、測定ステージ9を図中A方向及びB方向に昇降移動及び水平移動させる駆動手段10が取り付けられている。更に、駆動手段10及びCCDカメラ3には、制御手段11が接続されている。
【0015】
この制御手段11は、図2に示すように、CCDカメラ3に取り込まれた画像から得られたイメージプロファイルから基準値を算出する基準値算出手段21と、算出された基準値を管理する基準値管理手段22と、管理された基準値から光軸の傾きによる誤差を算出する誤差算出手段23と、イメージプロファイルから測定マーク8の位置ずれを算出する位置ずれ算出手段24と、誤差算出手段23及び位置ずれ算出手段24からのデータからずれ量を算出するずれ量算出手段25とから主に構成されている。また、制御手段11は、ずれ量算出の際に測定ステージ9を昇降させる駆動手段10の制御も行う。
【0016】
したがって、制御手段11においては、基準値算出手段21において、イメージプロファイルから基準となる値を算出し、それを基準値管理手段22に記憶して管理し、誤差算出手段23において、管理された基準値から測定における誤差を算出する。一方、位置ずれ算出手段24においては、イメージプロファイルから測定マークの位置ずれ情報を求め、ずれ量算出手段25において、位置ずれ情報と誤差情報に基づいて補正されたずれ量を算出する。これにより、正確なずれ量が得られる。
【0017】
次に、上記構成に示す装置おける動作について説明する。まず、光源1からの光が光ファイバー2を通り、ハーフミラー5に照射される。この光はハーフミラー5で下方に光路が変えられて、基板方向に向けられる。更に、この光は対物レンズ6を通って基板7上の測定マーク8に照射される。次いで、測定マーク8に照射された光は、測定マーク8の画像情報を伴って基板7で反射して対物レンズ6、ハーフミラー5、レンズ4を通ってCCDカメラ3に入射する。CCDカメラ3においては、測定マーク8の画像情報を取り込んで、それに基づいて測定マーク8のイメージプロファイルを作成する。
【0018】
制御手段11においては、具体的に、図3に示すフローチャートにしたがって処理が行われる。すなわち、測定ステージ9の高さを測定マーク8の合わせFocus面に合わせるように、測定ステージ9を駆動手段10で昇降させる(S1)。次いで、その状態でイメージプロファイルを作成し、そのイメージプロファイルから基準値算出手段21により基準値として合わせマークの中点XAの座標を求める(S2)。
【0019】
次いで、測定ステージ9の高さを測定マーク8の基準Focus面に合わせるように、測定ステージ9を駆動手段10で昇降させる(S3)。次いで、基準値算出手段21により基準値として合わせマークの中点XCの座標を求める(S4)。ここで、合わせマークの中点XA及びXCは基準値管理手段22で管理される。
【0020】
ここで、基準マーク及び合わせマークの基準値は、イメージプロファイルのシグナル・ノイズ比(S/N比)が高い状態で求められる。これにより、誤差算出の基になる基準値を正確に得ることができる。具体的には、基準マークと合わせマークの大きさ(間隔)を指定し、検出した信号の間隔とマッチングさせることにより、合わせマークの信号か、基準マークの信号かを判断する。
【0021】
例えば、合わせマークにFocus 面を合わせると、合わせマークの信号(Signal)のピークが大きくなり、逆に基準マーク等の合わせマーク以外の信号(Noise)のピークはFocus がずれて小さくなる。一方、基準マークにFocus 面を合わせると、基準マークの信号(Signal)のピークが大きくなり、逆に合わせマーク等の基準マーク以外の信号(Noise)のピークはFocus がずれて小さくなる。なお、S/N比とは、Signalのピーク値とNoise のピーク値の比をいい、S/N比が高いとは、S/N比の値が大きいことを意味する。
【0022】
次いで、誤差算出手段23において、基準値管理手段22で管理される合わせマークの中点XA及びXCから差Dを求める(S5)。次いで、測定マーク8の位置に測定ステージ9を駆動手段10により移動させて(S6)、更に測定ステージ9を駆動手段10により昇降させて、測定ステージ9の高さを測定マーク8の基準Focus面に合わせる(S7)。
【0023】
その状態でイメージプロファイルを作成し、位置ずれ算出手段24において、このイメージプロファイルから測定マーク8の基準マークの中点XDの座標を求める(S8)。更に、位置ずれ算出手段24において、このイメージプロファイルから測定マーク8の合わせマークの中点XEの座標を求める(S9)。
【0024】
次いで、ずれ量算出手段25において、合わせマークの中点XEから上記差Dを引き、補正された中点XFを求め(S10)、XDとXFとの差により、合わせずれ量△Xを求める(S11)。
【0025】
上記方法によれば、制御手段において、基準マーク及び合わせマークの基準値を求め、この基準値から基準マークと合わせマークとの間の誤差を算出しており、その誤差を位置ずれ情報に反映させているので、基準マークと合わせマークとの間の正確にずれ量を算出することができる。また、上記構成によれば、誤差を算出して自動的に補正を行って、ずれ量を求めることができる。
【0026】
上記実施形態においては、誤差算出において、基準値の測定を1点で行う場合について説明しているが、基準値の測定は複数点で行っても良い。この場合には、平均値を誤差の値としても良い。また、上記実施形態においては、2つのFocus面において基準値の測定を行う場合について説明しているが、それ以上の数の測定位置において基準値を求めても良い。
【0027】
上記実施形態においては、基準マーク及び合わせマークの基準値をイメージプロファイルのシグナル・ノイズ比が高い状態で求める場合について説明しているが、本発明においては、基準マーク及び合わせマークの基準値をイメージプロファイルの対称性が高い状態で求めても良い。
【0028】
上記実施形態においては、被処理体として半導体基板を用いた場合について説明しているが、本発明は位置合わせを行う被処理体であればすべてに適用することができる。また、上記実施形態においては、本発明を半導体基板の重ね合わせ精度測定に適用する場合について説明しているが、本発明は他の位置合わせ精度の測定にも適用することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の位置合わせ精度測定方法は、基準マークと合わせマークとの間の誤差を算出し、この誤差を基準マークと合わせマークとの間の位置ずれに反映させるので、基準マークと合わせマークとの間の正確にずれ量を算出することができる。これにより、ずれ量の信頼性が高くなり、正確に位置合わせ精度を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の位置合わせ精度測定装置の一実施形態を示す概略図である。
【図2】本発明の位置合わせ精度測定装置の制御手段を説明するための概略ブロック図である。
【図3】本発明の位置合わせ精度測定方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図4】従来の位置合わせ精度測定方法を説明するための図であり、(a)は測定マークを示す断面図、(b)は測定マークを示す平面図、(c)は測定マークのイメージプロファイルである。
【図5】従来の位置合わせ精度測定方法における課題を説明するための図であり、(a)は測定マークを示す断面図、(b)は測定マークを示す平面図、(c)は測定マークのイメージプロファイルである。
【符号の説明】
1…光源、2…光ファイバー、3…CCDカメラ、4…レンズ、
5…ハーフミラー、6…対物レンズ、7…基板、8…測定マーク、
9…測定ステージ、10…駆動手段、11…制御手段、
21…基準値算出手段、22…基準値管理手段、23…誤差算出手段、
24…位置ずれ算出手段、25…ずれ量算出手段。
Claims (3)
- 光学系において基準マークと当該基準マークの上方に配置されるとともに平面視的に当該基準マークのエッジ間に配置された合わせマークのイメージプロファイルを用いて被処理体における位置合わせ精度を測定する方法であって、
前記合わせマークにフォーカス面を合わせた状態でイメージプロファイルを作成し、当該合わせマークの第1の中点を求めるとともに、当該合わせマークの下方に配置される前記基準マークにフォーカス面を合わせた状態でイメージプロファイルを作成し、当該合わせマークの第2の中点を求める第1工程と、
フォーカス面の違いによる前記第1の中点と前記第2の中点との誤差を測定する第2工程と、
前記基準マークにフォーカス面を合わせた状態でイメージプロファイルを作成し、当該基準マークのエッジ間の中点を求めるとともに当該基準マークの上方に配置される前記合わせマークの第3の中点を求める第3工程と、
前記第3の中点と前記誤差とに基づき、補正された前記合わせマークの中点を求める第4工程と、
補正された前記合わせマークの中点と前記基準マークのエッジ間の中点とに基づき、前記合わせマークと前記基準マークの合わせずれ量を求める第5工程とを有する
ことを特徴とする位置合わせ精度測定方法。 - 前記第1工程では、前記合わせマークの前記第1の中点を求めた後に、前記合わせマークの前記第2の中点を求め、
前記第3工程では、前記基準マークのエッジ間の中点を求めた後に、前記合わせマークの前記第3の中点を求める
ことを特徴とする請求項1記載の位置合わせ精度測定方法。 - 光学系において基準マークと当該基準マークの上方に配置されるとともに平面視的に当該基準マークのエッジ間に配置された合わせマークのイメージプロファイルを用いて被処理体における位置合わせ精度を測定する装置であって、
被処理体を支持した状態で水平移動および昇降移動が可能な支持手段と、前記被処理体に設けた基準マーク及び合わせマークに光を照射する光源と、前記基準マーク及び合わせマークの画像を取り込んでイメージプロファイルを作成する手段と、前記イメージプロファイルから位置合わせ精度を求める制御手段とを具備し、
前記制御手段は、フォーカス面を前記基準マークまたは前記合わせマークに合わせた状態で、前記イメージプロファイルから当該合わせマークの中点をそれぞれ求める基準値算出手段と、
フォーカス面の違いによる前記合わせマークの各中点の誤差を算出する誤差算出手段と、
前記基準マークにフォーカス面を合わせた状態で、前記イメージプロファイルから前記基準マークのエッジ間の中点と当該基準マークの上方に配置される前記合わせマークの中点を求めることで、前記基準マークと前記合わせマークとの間の位置ずれを算出する位置ずれ算出手段と、
前記位置ずれ算出手段により算出された前記合わせマークの中点と、前記誤差算出手段により算出された前記誤差に基づき、補正された前記合わせマークの中点を算出するとともに、補正された前記合わせマークの中点と、前記位置ずれ算出手段により算出された前記基準マークのエッジ間の中点に基づき、前記基準マークと前記合わせマークとの合わせずれ量を算出するずれ量算出手段とを有する
ことを特徴とする位置合わせ精度測定装置。
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