JP3702189B2 - 化合物半導体スイッチ回路装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波スイッチング用途に用いられる化合物半導体スイッチ回路装置、特に制御端子を１つにする化合物半導体スイッチ回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話等の移動体用通信機器では、ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用している場合が多く、アンテナの切換回路や送受信の切換回路などに、これらの高周波信号を切り替えるためのスイッチ素子が用いられることが多い（例えば、特開平９−１８１６４２号）。その素子としては、高周波を扱うことからガリウム・砒素（ＧａＡｓ）を用いた電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）を使用する事が多く、これに伴って前記スイッチ回路自体を集積化したモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の開発が進められている。
【０００３】
図７（Ａ）は、ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴの断面図を示している。ノンドープのＧａＡｓ基板１の表面部分にＮ型不純物をドープしてＮ型のチャネル領域２を形成し、チャネル領域２表面にショットキー接触するゲート電極３を配置し、ゲート電極３の両脇にはＧａＡｓ表面にオーミック接触するソース・ドレイン電極４、５を配置したものである。このトランジスタは、ゲート電極３の電位によって直下のチャネル領域２内に空乏層を形成し、もってソース電極４とドレイン電極５との間のチャネル電流を制御するものである。
【０００４】
図7（Ｂ）は、ＧａＡｓ ＦＥＴを用いたＳＰＤＴ(Single Pole Double Throw)と呼ばれる化合物半導体スイッチ回路装置の原理的な回路図を示している。
【０００５】
第１と第２のＦＥＴ１、ＦＥＴ２のソース（又はドレイン）が共通入力端子ＩＮに接続され、各ＦＥＴ１、ＦＥＴ２のゲートが抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に接続され、そして各ＦＥＴのドレイン（又はソース）が第１と第２の出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続されたものである。第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に印加される信号は相補信号であり、Ｈレベルの信号が印加されたＦＥＴがＯＮして、入力端子ＩＮに印加された信号をどちらか一方の出力端子に伝達するようになっている。抵抗Ｒ１、Ｒ２は、交流接地となる制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２の直流電位に対してゲート電極を介して高周波信号が漏出することを防止する目的で配置されている。
【０００６】
図８は、図７（Ｂ）に示す化合物半導体スイッチ回路装置を集積化した化合物半導体チップの１例を示している。
【０００７】
ＧａＡｓ基板にスイッチを行うＦＥＴ１およびＦＥＴ２を中央部に配置し、各ＦＥＴのゲート電極に抵抗Ｒ１、Ｒ２が接続されている。また共通入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２、制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に対応するパッドが基板の周辺に設けられている。なお、点線で示した第２層目の配線は各ＦＥＴのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）２０であり、実線で示した第３層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）３０である。第１層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０は各ＦＥＴのソース電極、ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものであり、図８では、パッド金属層と重なるために図示されていない。
【０００８】
図９（Ａ）に図８に示したＦＥＴ１の部分を拡大した平面図を示す。この図で、一点鎖線で囲まれる長方形状の領域が基板１１に形成されるチャネル領域１２である。左側から伸びる櫛歯状の第３層目のパッド金属層３０が出力端子ＯＵＴ１に接続されるソース電極１３（あるいはドレイン電極）であり、この下に第１層目オーミック金属層１０で形成されるソース電極１４（あるいはドレイン電極）がある。また右側から伸びる櫛歯状の第３層目のパッド金属層３０が共通入力端子ＩＮに接続されるドレイン電極１５（あるいはソース電極）であり、この下に第１層目のオーミック金属層１０で形成されるドレイン電極１６（あるいはソース電極）がある。この両電極は櫛歯をかみ合わせた形状に配置され、その間に第２層目のゲート金属層２０で形成されるゲート電極１７がチャネル領域１２上に櫛歯形状に配置されている。
【０００９】
図９（Ｂ）にこのＦＥＴの一部の断面図を示す。基板１１にはｎ型のチャネル領域１２とその両側にソース領域１８およびドレイン領域１９を形成するｎ＋型の高濃度領域が設けられ、チャネル領域１２にはゲート電極１７が設けられ、高濃度領域には第１層目のオーミック金属層１０で形成されるドレイン電極１４およびソース電極１６が設けられる。更にこの上に前述したように３層目のパッド金属層３０で形成されるドレイン電極１３およびソース電極１５が設けられ、各素子の配線等を行っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記した化合物半導体スイッチ回路装置では、各ＦＥＴ１、ＦＥＴ２のゲートが抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に接続されているので、相補信号である２つの制御信号を第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に印加する必要がある。そのために化合物半導体スイッチ回路装置を組み込んだ集積回路では、必ず２つの第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２となる外部リードが必要となり、集積回路の小型パッケージ化を阻害する要因となっていた。これを避けるためにインバータ回路を内蔵させて１制御端子化を
実現する方法があるが、インバータ回路を構成する余分なＦＥＴが必要となり、消費電力やパッケージサイズの増加などの問題点がある。
【００１１】
また、各ＦＥＴ１、ＦＥＴ２はＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴを用いるので、スイッチング動作はゲート電極に電圧を印加しチャネルの空乏層の開閉を制御することにより行う。通常、ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴはデプレッション型ＦＥＴであるため、制御電圧として負電圧を必要とする。従って、上記した化合物半導体スイッチ回路装置では負電圧で動作させるために、別途負電圧発生回路を必要とする問題点もあった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した諸々の事情に鑑み成されたもので、インバータ回路を用いずに１制御端子化を実現するものである。
【００１３】
すなわち、チャネル層表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を設けた第１および第２のＦＥＴと、前記両ＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極に接続された共通入力端子と、前記両ＦＥＴのドレイン電極あるいはソース電極に接続された第１および第２の出力端子と、前記第１のＦＥＴの前記第１の出力端子に所定のバイアスを与えるバイアス手段と、制御端子と前記第２の出力端子とを接続する接続手段と、前記第２のＦＥＴのゲート電極を接地する接地手段と、前記共通入力端子と前記第２のＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極間を直流的に分離する分離手段とを具備し、前記第１のＦＥＴのゲート電極に接続された前記制御端子に制御信号を印加することに特徴を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図１から図６を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の化合物半導体スイッチ回路装置を示す回路図である。チャネル層表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を設けた第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２と、両ＦＥＴ１、２のソース電極（あるいはドレイン電極）に接続された共通入力端子ＩＮと、両ＦＥＴ１、２のドレイン電極（あるいはソース電極）に接続された第１の出力端子ＯＵＴ１および第２の出力端子ＯＵＴ２と、第１のＦＥＴ１の第１の出力端子ＯＵＴ１に所定のバイアスを与えるバイアス手段と、制御端子と第２の出力端子ＯＵＴ２とを接続する接続手段と、第２のＦＥＴ２のゲート電極を接地する接地手段と、共通入力端子ＩＮと第２のＦＥＴ２のソース電極(あるいはドレイン電極)間を直流的に分離する分離手段と、第１のＦＥＴ１のゲート電極のみに制御信号を印加する制御端子Ｃｔｌ−１とから構成される。
【００１６】
第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２はＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ（デプレッション型ＦＥＴ）で構成され、ＧａＡｓ基板に集積化される（図６参照）。なお、第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２は図９（Ａ）（Ｂ）に示す構造と同じであるので、説明を省略する。
【００１７】
バイアス手段は本発明の特徴の１つであり、正の一定の直流電圧、例えば３Ｖを抵抗Ｒを介して常に第１の出力端子ＯＵＴ１に印加する手段である。
【００１８】
接地手段も同様に本発明の特徴の１つであり、第２のＦＥＴ２のゲート電極を抵抗Ｒにより接地する手段であり、第２のＦＥＴ２のゲート電極は常に接地電位に固定される。
【００１９】
接続手段も同様に本発明の特徴の１つであり、制御端子Ｃｔｌ−１と第２の出力端子ＯＵＴ２とを抵抗Ｒで接続する手段である。
【００２０】
分離手段も同様に本発明の特徴の１つであり、共通入力端子ＩＮと第２のＦＥＴ２のソース電極(あるいはドレイン電極)間を直流的に分離する容量Ｃで形成される。この容量Ｃは第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２を直流的に分離する働きを有する。
【００２１】
制御端子Ｃｔｌ−１も同様に本発明の特徴の１つであり、１つの端子で形成される。
【００２２】
各ＦＥＴ１、２のゲート電極、接続手段およびバイアス手段にはそれぞれ抵抗Ｒが接続され、交流接地となる制御端子Ｃｔｌ-１の直流電位に対してゲート電極を介して高周波信号が漏出することを防止する目的で配置されている。
【００２３】
次に、図２および図３を参照して本発明の化合物半導体スイッチ回路装置の動作原理について説明する。
【００２４】
ＳＰＤＴスイッチの場合、制御端子を１つにするためには、制御端子に印加される制御電圧が０ＶのときにはどちらかのＦＥＴがオン状態、もう一方のＦＥＴがオフ状態になり、制御電圧が正電圧のときには逆の状態になれば良い。
【００２５】
図２は第２のＦＥＴ２に対応する回路部分である。ＦＥＴは抵抗Ｒを介して接地手段で接地されているので、ゲート電圧は０Ｖに固定されている。このＦＥＴがオン状態になるバイアス条件は、ゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間の各々の電位差が等しい状態である。すなわち、Ｖg＝Ｖd＝Ｖsの状態であり、ゲート電圧Ｖgは０Ｖであるので、Ｖg＝Ｖd＝Ｖs＝０ＶのときにＦＥＴはオン状態になる。
【００２６】
逆に、ゲート電圧が０ＶでＦＥＴがオフ状態になるバイアス条件は、ゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間にＦＥＴがオフする電位差を与えれば良い。従って、この回路では制御端子に０Ｖを印加すればＦＥＴはオン状態となり、正電圧（例えば３Ｖ）を印加すればＦＥＴはオフ状態となる。
【００２７】
図３は第１のＦＥＴ１に対応する回路部分である。ゲート電圧０ＶでＦＥＴがオフ状態になるバイアス条件は、ゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間にオフになるような電位差を与えればよい。従って、ソースまたはドレイン側に常時バイアスを掛ける回路（バイアス手段）を接続すればよい。
【００２８】
逆に、バイアス電圧と等しい電位を制御端子からゲートに印加すれば、ＦＥＴがオン状態になる。従って、この回路では制御端子が０ＶでＦＥＴがオフ状態になり、３ＶでＦＥＴがオン状態になる。
【００２９】
この図２と図３の回路を組み合わせたのが、図１に示す本発明の化合物半導体スイッチ回路装置である。容量Ｃで第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２を直流的に分離して相互のバイアス条件の干渉を防止し、図２に示した制御端子を接続手段で制御端子Ｃｔｌ−１に接続すれば良い。
【００３０】
図１の回路の特徴は、一方のＦＥＴ（ＦＥＴ２）のゲートを抵抗Ｒを介して接地する点と、ゲートが接地されたＦＥＴ（ＦＥＴ２）のバイアスが他方のＦＥＴ（ＦＥＴ１）の制御端子Ｃｔｌ−１と共通になっている点と、ＦＥＴ（ＦＥＴ１）のバイアスが常に一定電圧Ｅで供給されている点およびＦＥＴ（ＦＥＴ１）とＦＥＴ（ＦＥＴ２）が容量Ｃにより直流的に分離されている点である。
【００３１】
続いて図４および図５を参照してその動作結果を説明する。
【００３２】
図４は、制御端子Ｃｔｌ−１の制御電圧ＶCtlが０Ｖのとき、すなわち第１のＦＥＴ１がオン状態のときの共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ１と共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ２間の挿入損失(Insertion Loss)およびアイソレーション(Isolation)特性を示す。挿入損失(Insertion Loss)は２．２GHzまで良好であり、アイソレーション(Isolation)も同様である。
【００３３】
図５は、制御端子Ｃｔｌ−１の制御電圧ＶCtlが３Ｖのとき、すなわち第２のＦＥＴ２がオン状態のときの共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ２と共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ１間の挿入損失(Insertion Loss)およびアイソレーション(Isolation)特性を示す。挿入損失(Insertion Loss)は２．８GHzまで良好であり、アイソレーション(Isolation)も同様である。
【００３４】
図６は、図１に示す本発明の化合物半導体スイッチ回路装置を集積化した化合物半導体チップの１例を示している。
【００３５】
ＧａＡｓ基板にスイッチを行うＦＥＴ１およびＦＥＴ２を左右に配置し、上側に容量端子Ｃ、共通入力端子ＩＮおよび１つの制御端子ＣＴＬを、下側に出力端子ＯＵＴ２、接地端子ＧＮＤおよび出力端子ＯＵＴ２に対応するパッドが基板の周辺に設けられている。なお、点線で示した第２層目の配線は各ＦＥＴのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）２０であり、実線で示した第３層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）３０である。第１層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０は各ＦＥＴのソース電極、ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものである。
【００３６】
なお、容量Ｃは容量端子Ｃと共通入力端子ＩＮ間に外付けで接続され、バイアス手段および抵抗Ｒも出力端子ＯＵＴ１と接地端子ＧＮＤ間に外付けされる。
【００３７】
【発明の効果】
以上に詳述した如く、本発明に依れば以下の数々の効果が得られる。
【００３８】
第１に、インバータ回路を用いないで１つの制御端子でＧａＡｓ ＦＥＴを用いたＳＰＤＴ(Single Pole Double Throw)と呼ばれる化合物半導体スイッチ回路装置を実現できる。これによりインバータ回路を制御端子数分用意する必要がなくなり、回路配置が簡素化されてプリント基板の実装面積を小さくできる。
また消費電力の低減も図れる。
【００３９】
第２に、本発明の化合物半導体スイッチ回路装置では制御信号は３Ｖ／０Ｖの単一正電源でスイッチを行え、ＧａＡｓ ＦＥＴを用いた場合に必要な負電圧発生回路も省け、正電源も１種類で動作できるので実装面積も小さくできる。
【００４０】
第３に、本発明では接地端子ＧＮＤと容量端子Ｃが増加するが、制御端子が１つに減るので、結果的に化合物半導体スイッチ回路装置のチップサイズは現行とほぼ同等にでき、単一の制御端子による取り扱い易さがセットへの実装で大きく寄与できる。
【００４１】
第４に、挿入損失(Insertion Loss)およびアイソレーション(Isolation)特性が現行の製品と同等に確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を説明するための回路図である。
【図２】本発明を説明するための回路図である。
【図３】本発明を説明するための回路図である。
【図４】本発明を説明するための特性図である。
【図５】本発明を説明するための特性図である。
【図６】本発明を説明するための平面図である。
【図７】従来例を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）回路図である。
【図８】従来例を説明するための平面図である。
【図９】従来例を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波スイッチング用途に用いられる化合物半導体スイッチ回路装置、特に制御端子を１つにする化合物半導体スイッチ回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話等の移動体用通信機器では、ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用している場合が多く、アンテナの切換回路や送受信の切換回路などに、これらの高周波信号を切り替えるためのスイッチ素子が用いられることが多い（例えば、特開平９−１８１６４２号）。その素子としては、高周波を扱うことからガリウム・砒素（ＧａＡｓ）を用いた電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）を使用する事が多く、これに伴って前記スイッチ回路自体を集積化したモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の開発が進められている。
【０００３】
図７（Ａ）は、ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴの断面図を示している。ノンドープのＧａＡｓ基板１の表面部分にＮ型不純物をドープしてＮ型のチャネル領域２を形成し、チャネル領域２表面にショットキー接触するゲート電極３を配置し、ゲート電極３の両脇にはＧａＡｓ表面にオーミック接触するソース・ドレイン電極４、５を配置したものである。このトランジスタは、ゲート電極３の電位によって直下のチャネル領域２内に空乏層を形成し、もってソース電極４とドレイン電極５との間のチャネル電流を制御するものである。
【０００４】
図7（Ｂ）は、ＧａＡｓ ＦＥＴを用いたＳＰＤＴ(Single Pole Double Throw)と呼ばれる化合物半導体スイッチ回路装置の原理的な回路図を示している。
【０００５】
第１と第２のＦＥＴ１、ＦＥＴ２のソース（又はドレイン）が共通入力端子ＩＮに接続され、各ＦＥＴ１、ＦＥＴ２のゲートが抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に接続され、そして各ＦＥＴのドレイン（又はソース）が第１と第２の出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続されたものである。第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に印加される信号は相補信号であり、Ｈレベルの信号が印加されたＦＥＴがＯＮして、入力端子ＩＮに印加された信号をどちらか一方の出力端子に伝達するようになっている。抵抗Ｒ１、Ｒ２は、交流接地となる制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２の直流電位に対してゲート電極を介して高周波信号が漏出することを防止する目的で配置されている。
【０００６】
図８は、図７（Ｂ）に示す化合物半導体スイッチ回路装置を集積化した化合物半導体チップの１例を示している。
【０００７】
ＧａＡｓ基板にスイッチを行うＦＥＴ１およびＦＥＴ２を中央部に配置し、各ＦＥＴのゲート電極に抵抗Ｒ１、Ｒ２が接続されている。また共通入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２、制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に対応するパッドが基板の周辺に設けられている。なお、点線で示した第２層目の配線は各ＦＥＴのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）２０であり、実線で示した第３層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）３０である。第１層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０は各ＦＥＴのソース電極、ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものであり、図８では、パッド金属層と重なるために図示されていない。
【０００８】
図９（Ａ）に図８に示したＦＥＴ１の部分を拡大した平面図を示す。この図で、一点鎖線で囲まれる長方形状の領域が基板１１に形成されるチャネル領域１２である。左側から伸びる櫛歯状の第３層目のパッド金属層３０が出力端子ＯＵＴ１に接続されるソース電極１３（あるいはドレイン電極）であり、この下に第１層目オーミック金属層１０で形成されるソース電極１４（あるいはドレイン電極）がある。また右側から伸びる櫛歯状の第３層目のパッド金属層３０が共通入力端子ＩＮに接続されるドレイン電極１５（あるいはソース電極）であり、この下に第１層目のオーミック金属層１０で形成されるドレイン電極１６（あるいはソース電極）がある。この両電極は櫛歯をかみ合わせた形状に配置され、その間に第２層目のゲート金属層２０で形成されるゲート電極１７がチャネル領域１２上に櫛歯形状に配置されている。
【０００９】
図９（Ｂ）にこのＦＥＴの一部の断面図を示す。基板１１にはｎ型のチャネル領域１２とその両側にソース領域１８およびドレイン領域１９を形成するｎ＋型の高濃度領域が設けられ、チャネル領域１２にはゲート電極１７が設けられ、高濃度領域には第１層目のオーミック金属層１０で形成されるドレイン電極１４およびソース電極１６が設けられる。更にこの上に前述したように３層目のパッド金属層３０で形成されるドレイン電極１３およびソース電極１５が設けられ、各素子の配線等を行っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記した化合物半導体スイッチ回路装置では、各ＦＥＴ１、ＦＥＴ２のゲートが抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に接続されているので、相補信号である２つの制御信号を第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２に印加する必要がある。そのために化合物半導体スイッチ回路装置を組み込んだ集積回路では、必ず２つの第１と第２の制御端子Ｃｔｌ-１、Ｃｔｌ-２となる外部リードが必要となり、集積回路の小型パッケージ化を阻害する要因となっていた。これを避けるためにインバータ回路を内蔵させて１制御端子化を
実現する方法があるが、インバータ回路を構成する余分なＦＥＴが必要となり、消費電力やパッケージサイズの増加などの問題点がある。
【００１１】
また、各ＦＥＴ１、ＦＥＴ２はＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴを用いるので、スイッチング動作はゲート電極に電圧を印加しチャネルの空乏層の開閉を制御することにより行う。通常、ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴはデプレッション型ＦＥＴであるため、制御電圧として負電圧を必要とする。従って、上記した化合物半導体スイッチ回路装置では負電圧で動作させるために、別途負電圧発生回路を必要とする問題点もあった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した諸々の事情に鑑み成されたもので、インバータ回路を用いずに１制御端子化を実現するものである。
【００１３】
すなわち、チャネル層表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を設けた第１および第２のＦＥＴと、前記両ＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極に接続された共通入力端子と、前記両ＦＥＴのドレイン電極あるいはソース電極に接続された第１および第２の出力端子と、前記第１のＦＥＴの前記第１の出力端子に所定のバイアスを与えるバイアス手段と、制御端子と前記第２の出力端子とを接続する接続手段と、前記第２のＦＥＴのゲート電極を接地する接地手段と、前記共通入力端子と前記第２のＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極間を直流的に分離する分離手段とを具備し、前記第１のＦＥＴのゲート電極に接続された前記制御端子に制御信号を印加することに特徴を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図１から図６を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の化合物半導体スイッチ回路装置を示す回路図である。チャネル層表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を設けた第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２と、両ＦＥＴ１、２のソース電極（あるいはドレイン電極）に接続された共通入力端子ＩＮと、両ＦＥＴ１、２のドレイン電極（あるいはソース電極）に接続された第１の出力端子ＯＵＴ１および第２の出力端子ＯＵＴ２と、第１のＦＥＴ１の第１の出力端子ＯＵＴ１に所定のバイアスを与えるバイアス手段と、制御端子と第２の出力端子ＯＵＴ２とを接続する接続手段と、第２のＦＥＴ２のゲート電極を接地する接地手段と、共通入力端子ＩＮと第２のＦＥＴ２のソース電極(あるいはドレイン電極)間を直流的に分離する分離手段と、第１のＦＥＴ１のゲート電極のみに制御信号を印加する制御端子Ｃｔｌ−１とから構成される。
【００１６】
第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２はＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ（デプレッション型ＦＥＴ）で構成され、ＧａＡｓ基板に集積化される（図６参照）。なお、第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２は図９（Ａ）（Ｂ）に示す構造と同じであるので、説明を省略する。
【００１７】
バイアス手段は本発明の特徴の１つであり、正の一定の直流電圧、例えば３Ｖを抵抗Ｒを介して常に第１の出力端子ＯＵＴ１に印加する手段である。
【００１８】
接地手段も同様に本発明の特徴の１つであり、第２のＦＥＴ２のゲート電極を抵抗Ｒにより接地する手段であり、第２のＦＥＴ２のゲート電極は常に接地電位に固定される。
【００１９】
接続手段も同様に本発明の特徴の１つであり、制御端子Ｃｔｌ−１と第２の出力端子ＯＵＴ２とを抵抗Ｒで接続する手段である。
【００２０】
分離手段も同様に本発明の特徴の１つであり、共通入力端子ＩＮと第２のＦＥＴ２のソース電極(あるいはドレイン電極)間を直流的に分離する容量Ｃで形成される。この容量Ｃは第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２を直流的に分離する働きを有する。
【００２１】
制御端子Ｃｔｌ−１も同様に本発明の特徴の１つであり、１つの端子で形成される。
【００２２】
各ＦＥＴ１、２のゲート電極、接続手段およびバイアス手段にはそれぞれ抵抗Ｒが接続され、交流接地となる制御端子Ｃｔｌ-１の直流電位に対してゲート電極を介して高周波信号が漏出することを防止する目的で配置されている。
【００２３】
次に、図２および図３を参照して本発明の化合物半導体スイッチ回路装置の動作原理について説明する。
【００２４】
ＳＰＤＴスイッチの場合、制御端子を１つにするためには、制御端子に印加される制御電圧が０ＶのときにはどちらかのＦＥＴがオン状態、もう一方のＦＥＴがオフ状態になり、制御電圧が正電圧のときには逆の状態になれば良い。
【００２５】
図２は第２のＦＥＴ２に対応する回路部分である。ＦＥＴは抵抗Ｒを介して接地手段で接地されているので、ゲート電圧は０Ｖに固定されている。このＦＥＴがオン状態になるバイアス条件は、ゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間の各々の電位差が等しい状態である。すなわち、Ｖg＝Ｖd＝Ｖsの状態であり、ゲート電圧Ｖgは０Ｖであるので、Ｖg＝Ｖd＝Ｖs＝０ＶのときにＦＥＴはオン状態になる。
【００２６】
逆に、ゲート電圧が０ＶでＦＥＴがオフ状態になるバイアス条件は、ゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間にＦＥＴがオフする電位差を与えれば良い。従って、この回路では制御端子に０Ｖを印加すればＦＥＴはオン状態となり、正電圧（例えば３Ｖ）を印加すればＦＥＴはオフ状態となる。
【００２７】
図３は第１のＦＥＴ１に対応する回路部分である。ゲート電圧０ＶでＦＥＴがオフ状態になるバイアス条件は、ゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間にオフになるような電位差を与えればよい。従って、ソースまたはドレイン側に常時バイアスを掛ける回路（バイアス手段）を接続すればよい。
【００２８】
逆に、バイアス電圧と等しい電位を制御端子からゲートに印加すれば、ＦＥＴがオン状態になる。従って、この回路では制御端子が０ＶでＦＥＴがオフ状態になり、３ＶでＦＥＴがオン状態になる。
【００２９】
この図２と図３の回路を組み合わせたのが、図１に示す本発明の化合物半導体スイッチ回路装置である。容量Ｃで第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２を直流的に分離して相互のバイアス条件の干渉を防止し、図２に示した制御端子を接続手段で制御端子Ｃｔｌ−１に接続すれば良い。
【００３０】
図１の回路の特徴は、一方のＦＥＴ（ＦＥＴ２）のゲートを抵抗Ｒを介して接地する点と、ゲートが接地されたＦＥＴ（ＦＥＴ２）のバイアスが他方のＦＥＴ（ＦＥＴ１）の制御端子Ｃｔｌ−１と共通になっている点と、ＦＥＴ（ＦＥＴ１）のバイアスが常に一定電圧Ｅで供給されている点およびＦＥＴ（ＦＥＴ１）とＦＥＴ（ＦＥＴ２）が容量Ｃにより直流的に分離されている点である。
【００３１】
続いて図４および図５を参照してその動作結果を説明する。
【００３２】
図４は、制御端子Ｃｔｌ−１の制御電圧ＶCtlが０Ｖのとき、すなわち第１のＦＥＴ１がオン状態のときの共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ１と共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ２間の挿入損失(Insertion Loss)およびアイソレーション(Isolation)特性を示す。挿入損失(Insertion Loss)は２．２GHzまで良好であり、アイソレーション(Isolation)も同様である。
【００３３】
図５は、制御端子Ｃｔｌ−１の制御電圧ＶCtlが３Ｖのとき、すなわち第２のＦＥＴ２がオン状態のときの共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ２と共通入力端子ＩＮ−出力端子ＯＵＴ１間の挿入損失(Insertion Loss)およびアイソレーション(Isolation)特性を示す。挿入損失(Insertion Loss)は２．８GHzまで良好であり、アイソレーション(Isolation)も同様である。
【００３４】
図６は、図１に示す本発明の化合物半導体スイッチ回路装置を集積化した化合物半導体チップの１例を示している。
【００３５】
ＧａＡｓ基板にスイッチを行うＦＥＴ１およびＦＥＴ２を左右に配置し、上側に容量端子Ｃ、共通入力端子ＩＮおよび１つの制御端子ＣＴＬを、下側に出力端子ＯＵＴ２、接地端子ＧＮＤおよび出力端子ＯＵＴ２に対応するパッドが基板の周辺に設けられている。なお、点線で示した第２層目の配線は各ＦＥＴのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）２０であり、実線で示した第３層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）３０である。第１層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０は各ＦＥＴのソース電極、ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものである。
【００３６】
なお、容量Ｃは容量端子Ｃと共通入力端子ＩＮ間に外付けで接続され、バイアス手段および抵抗Ｒも出力端子ＯＵＴ１と接地端子ＧＮＤ間に外付けされる。
【００３７】
【発明の効果】
以上に詳述した如く、本発明に依れば以下の数々の効果が得られる。
【００３８】
第１に、インバータ回路を用いないで１つの制御端子でＧａＡｓ ＦＥＴを用いたＳＰＤＴ(Single Pole Double Throw)と呼ばれる化合物半導体スイッチ回路装置を実現できる。これによりインバータ回路を制御端子数分用意する必要がなくなり、回路配置が簡素化されてプリント基板の実装面積を小さくできる。
また消費電力の低減も図れる。
【００３９】
第２に、本発明の化合物半導体スイッチ回路装置では制御信号は３Ｖ／０Ｖの単一正電源でスイッチを行え、ＧａＡｓ ＦＥＴを用いた場合に必要な負電圧発生回路も省け、正電源も１種類で動作できるので実装面積も小さくできる。
【００４０】
第３に、本発明では接地端子ＧＮＤと容量端子Ｃが増加するが、制御端子が１つに減るので、結果的に化合物半導体スイッチ回路装置のチップサイズは現行とほぼ同等にでき、単一の制御端子による取り扱い易さがセットへの実装で大きく寄与できる。
【００４１】
第４に、挿入損失(Insertion Loss)およびアイソレーション(Isolation)特性が現行の製品と同等に確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を説明するための回路図である。
【図２】本発明を説明するための回路図である。
【図３】本発明を説明するための回路図である。
【図４】本発明を説明するための特性図である。
【図５】本発明を説明するための特性図である。
【図６】本発明を説明するための平面図である。
【図７】従来例を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）回路図である。
【図８】従来例を説明するための平面図である。
【図９】従来例を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
Claims (7)
- チャネル層表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を設けた第１および第２のＦＥＴと、前記両ＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極に接続された共通入力端子と、前記両ＦＥＴのドレイン電極あるいはソース電極に接続された第１および第２の出力端子と、前記第１のＦＥＴの前記第１の出力端子に所定のバイアスを与えるバイアス手段と、制御端子と前記第２の出力端子とを接続する接続手段と、前記第２のＦＥＴのゲート電極を接地する接地手段と、前記共通入力端子と前記第２のＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極間を直流的に分離する分離手段とを具備し、前記第１のＦＥＴのゲート電極に接続された前記制御端子に制御信号を印加することを特徴とする化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記バイアス手段は前記第１の出力端子に一定電圧を常に印加することを特徴とする請求項１記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記バイアス手段は常に一定の正の直流電圧を供給することを特徴とする請求項２記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記分離手段は容量で形成されることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記第１および第２のＦＥＴは前記チャネル層にショットキー接触するゲート電極と、前記チャネル層にオーミック接触するソース及びドレイン電極からなることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記第１および第２のＦＥＴをＭＥＳＦＥＴで形成されることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記第１および第２のＦＥＴを同一半導体基板に集積化して形成し、前記バイアス手段および分離手段は外付けで形成されることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
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