[go: up one dir, main page]

JP3652488B2 - 樹脂パッケージの製造方法 - Google Patents

樹脂パッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3652488B2
JP3652488B2 JP36453797A JP36453797A JP3652488B2 JP 3652488 B2 JP3652488 B2 JP 3652488B2 JP 36453797 A JP36453797 A JP 36453797A JP 36453797 A JP36453797 A JP 36453797A JP 3652488 B2 JP3652488 B2 JP 3652488B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
resin substrate
substrate
glass transition
transition temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP36453797A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11186429A (ja
Inventor
真史 後藤
實雄 金澤
修一郎 山本
賢司 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP36453797A priority Critical patent/JP3652488B2/ja
Priority to EP98310400A priority patent/EP0928022A3/en
Priority to US09/212,863 priority patent/US6282781B1/en
Publication of JPH11186429A publication Critical patent/JPH11186429A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3652488B2 publication Critical patent/JP3652488B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01065—Terbium [Tb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49147—Assembling terminal to base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品などに用いられる樹脂パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂基板上に半導体チップなどの電子部品をフリップチップ実装した後に、適宜、シリコーン樹脂などの樹脂層で電子部品を覆って封止するチップオンボード（ＣＯＢ）構造の樹脂パッケージや、樹脂基板を多層に積層接着したピングリッドアレイ（ＰＧＡ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）樹脂パッケージなどの樹脂パッケージ（以下、樹脂パッケージ）は、樹脂基板が機械的な加工性に富むのでドリルやルータなどの機械加工によって経済的かつ高精度に外形加工やスルーホールの開設、チップ搭載用凹部の形成などができ、最近はセラミックパッケージに代わってＩＣやセンサ、表面弾性波素子などのパッケージにも広く使われている。
【０００３】
樹脂パッケージは基本的に、１）軽薄短小性、２）高密度実装に応える高精度性、３）多様な形状に対する対応性、４）高信頼性などの特性を備えることが望ましい。特に、最近では、更なる高密度実装を実現するために樹脂パッケージの一段の小型化が進められており、高精度で微細な機械加工と高い信頼性の両立が要求されている。
【０００４】
以下、図面を参照して従来の技術を説明する。図７は、チップが搭載される第一の樹脂基板と、枠体になる第二の樹脂基板で構成される樹脂基板を用いた樹脂パッケージの製造方法を示す説明図である。厚さが０．５ｍｍ程度の第二の樹脂基板５１にはドリルやルータなどを用いた機械加工によって矩形の窓５２ａやスルーホール５２ｂなどが形成されている。次いで、厚みが０．１ｍｍ程度のプリプレグ５３を間に挟んで第二の樹脂基板５１と第一の樹脂基板５４を位置合わせして重ね（図７（Ａ）参照）、加圧しながら２００℃程度に加熱し、プリプレグに流動性を持たせながら樹脂基板を積層接着する（図７（Ｂ）参照）。この場合の第一の樹脂基板５４もドリルなどにより機械加工されている。その後、積層接着された樹脂基板は、図示の破線に示すようにダイシングなどによって分離され（図７（Ｃ）参照）、矩形の窓５２ａの内部にチップを実装した後、図示されぬ蓋によって窓５２ａを封止する。なお、第一の樹脂基板５４および／または第二の樹脂基板５１には必要に応じて導体がパターニングされている。従来、このようにしてチップを収容した樹脂パッケージが形成されていた。
【０００５】
図８は、樹脂基板を積層接着して形成する従来の樹脂パッケージの製造工程を示す工程図である。ＢＴ樹脂などの熱硬化性樹脂によって形成された従来の樹脂基板は、当初は比較的低いガラス転移温度（Ｔｇ：Ｔｇ＝Ｔ1℃）を有しており、一般に重合度が未飽和な高分子成分を含んで機械加工が可能な硬さや弾力を残している。この状態の樹脂基板に切断や穴加工などの機械加工を行う。次いで、機械加工を済ませた樹脂基板をプリプレグを重ね、あるいは封止剤や接着剤などを樹脂基板上にポッティングした後、これらの樹脂を前記配線基板のガラス転移温度以上の温度Ｔｂ（℃）で加熱して積層接着あるいは固着させる。その後、自然に冷却させ、ダイシング加工して一個一個に分離する。従来、このようにして樹脂パッケージを製造するという工程をとっていた。
【０００６】
しかしながら、上記の従来技術によれば、ＢＴ基板などを積層した樹脂基板の加熱接着は、樹脂基板のガラス転移温度を超える温度で行われていたために、次のような相反する問題点があった。
【０００７】
（１）樹脂基板の一例としてのＢＴ基板では、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１７０℃〜１９０℃以下であれば機械加工が容易である。しかし、ガラス転移温度（Ｔｇ）を２００℃以上にまで高めた樹脂基板は、ＢＴ樹脂の重合度が高まって硬くなり、機械加工性が悪く、樹脂基板自体が脆く、機械加工によって割れや欠け、剥離などを生じやすく、高精度な機械加工には耐えられなくなる。同時に、ドリルやルーターの刃などの工具の消耗が激しくなり、穴開け数量が激減してしまうなどの欠点を持っている。
【０００８】
（２）これに対して、樹脂基板が当初に有するガラス転移温度（Ｔｇ）を低く設定すると、樹脂基板の積層接着などの後工程における加熱温度が当初のガラス転移温度（Ｔｇ）を大幅に超える結果となり、後工程の加熱温度で樹脂基板の重合度が高まるので加熱時の加圧と相まって、図７（Ｃ）に図示するように、また図８の工程図に示すように反りや収縮、変形などの熱変形を生じることになる。その結果、一個一個の樹脂パッケージに分離するダイシング加工が困難になる。さらには、図９の従来の樹脂パッケージの変形を示した断面図にも見られるように、樹脂パッケージの空洞内にフリップチップボンディング実装する際にチップ素子との間の各バンプ高さが不均一となり接合強度不足の部分が生じ、バンプが外れるなど、故障の原因にもなり、樹脂パッケージ製品の信頼性が低下する。また、変形の大きいパッケージにチップを電気的に接続するにはワイヤーボンディングなど、寸法自由度の大きい手段を選ばなければならず、その分パーケージの寸法が大きくなり小型化できない。
【０００９】
（３）後工程における熱変形を避けるためにガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度でプリプレグを加熱すると、接着強度が不足して樹脂基板の密着が悪く、封止性能が低下して樹脂パッケージの気密信頼性が低下する。樹脂基板をプリプレグによって積層接着して樹脂パッケージを製造する場合には、プリプレグの流動性を高めてボイドの内部残留を抑えたりプリプレグと被着体との接着強度を高めるために、上記のガラス転移温度（Ｔｇ）を超える２００℃以上にまでプリプレグを加熱することが必要である。
【００１０】
総じて、上記従来技術によれば、高精度で微細な機械加工ができて、しかも信頼性にも優れた樹脂パッケージを提供することができないという課題が残されていた。
【００１１】
一方、例えば特開平８−３１６３７４号公報には、樹脂を主成分とする封止材により片面モールドされている構造のＢＧＡパッケージが示されており、封止樹脂組成物による封止成形を樹脂組成物硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度で行うことが開示されている。これによりＢＧＡパッケージの反り量が低減できるとされている。しかしながら、このような効果を十分得るためには、樹脂組成物中の樹脂や硬化剤等の種類を選択する必要があり、材質的な面での制約が多く、また選択された樹脂の硬化温度が低い分、できあがった製品の耐熱信頼性は低くなる欠点がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は上記の課題を解決し、樹脂基板の有する優れた機械加工性を活かしながら、信頼性に優れた樹脂パッケージの製造方法を提供することである。また、これらに加えて効率のよい樹脂パッケージの製造方法を提供することであり、さらにはパッケージの小型化を図ることができる樹脂パッケージの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は下記の事項によって特定される。
【００１４】
本発明は、電子部品を実装可能な樹脂基板に、当該電子部品を封止するための封止用樹脂を配して樹脂パッケージを形成する方法であって、重合度ないし架橋度が未飽和で、ガラス転移温度が低い高分子成分を含んだ軟質の状態の熱硬化性樹脂を含有する前記樹脂基板に対して機械的な加工を加える第一のステップと、前記第一のステップの後に前記樹脂基板が有する元のガラス転移温度より０〜３０℃高い温度に前記樹脂基板を加熱して前記樹脂基板が有するガラス転移温度を元のガラス転移温度より１〜４０℃高くした新たなガラス転移温度に高める第二のステップと、前記第二のステップの後、前記封止用樹脂を前記樹脂基板に配し、前記元のガラス転移温度または前記元のガラス転移温度と前記新たなガラス転移温度との間の温度に前記封止用樹脂を加熱して前記樹脂基板に前記封止用樹脂を固着させる第三のステップとを含むことを特徴とするものであり、これにより基板の変形を小さく抑え、パッケージの高信頼性を実現することが出来る。
【００１５】
また、基板の変形を小さく抑えることが可能な上記方法では、前記第三のステップを、前記第二のステップを経た前記樹脂基板に電子部品を実装した後に行うことが出来る。
【００１６】
また、前記第三のステップを、蓋体を用いて行い、当該蓋体と前記樹脂基板との間に配された前記封止用樹脂が前記加熱により当該蓋体を前記樹脂基板に接着し、これにより前記樹脂基板に実装された前記電子部品が封止されるようにしても良い。これによれば、加熱封止工程の短縮および簡便化を図ることが出来る。
【００１７】
さらに、前記電子部品は、バンプにより前記樹脂基板に実装され、前記蓋体は、前記電子部品を収納可能な空洞を前記樹脂パッケージ内に形成する樹脂枠と、当該樹脂枠の上面に配される蓋用樹脂基板とを含み、前記樹脂枠と前記樹脂基板との間に前記封止用樹脂が配されるようにしても良く、これによればパッケージを小型化することが出来る。
【００１８】
なお、例えば特開平８−３１６３７４号公報には、封止樹脂組成物による封止成形を、樹脂組成物硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度で行うことが開示されている。しかし、本発明と異なり、樹脂パッケージの材料となる樹脂基板の機械的加工の工程におけるガラス転移温度と、封止段階の工程におけるガラス転移温度とを加熱処理によって変化させることについては全く示されていない。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明では、まず、樹脂パッケージ用の熱硬化性樹脂を含有する樹脂基板（具体的にはガラス繊維強化基板、樹脂成形基板、コンポジット基板など）に対し機械的な加工を施した後に、この樹脂基板がもともと有するガラス転移温度（Ｔｇ）をＴｇ１あるいはＴｇ１より高い温度Ｔａで熱処理し、樹脂基板のガラス転移温度をＴｇ２に高める。その後、この樹脂基板に必要に応じ電子部品を実装し、さらに樹脂層（封止樹脂、プリプレグ）を重ね、さらに必要に応じて枠や蓋となる樹脂基板を重ねた後、Ｔｇ１あるいはＴｇ１とＴｇ２との間の温度で加熱して樹脂層を固着させる。そして必要に応じたダイシングなどを行って樹脂パッケージまたは樹脂封止電子部品を得る。
【００２０】
これによれば、ガラス転移温度が低い高分子を含んだ軟質の状態で先に機械加工を済ませることができるので機械加工が容易になる。例えば、樹脂成形基板などは、成形による孔加工が困難な方向に孔を開けたい場合、また、成形では困難な狭ピッチのスルーホールを作る場合には、後から孔加工を行う必要があるが、成形後のガラス転移温度が低い状態で孔加工を行うことにより、ドリルやルーターの摩耗が少なく、また、容易に加工ができる。
【００２１】
また、樹脂基板に対し先に機械加工を済ませたのち、ガラス転移温度を高める熱処理が加えられ、新たなガラス転移温度Ｔｇ２に変質させ、その後は、新たなガラス転移温度Ｔｇ２より低い温度で加熱接着がされるので、樹脂基板が接着段階では変形しない。より具体的にいうと、この方法によれば、従来発生していた基板の熱変形や、収縮応力等の影響による反りがなくなる。その結果、従来は樹脂基板に搭載される素子の接合部分の寸法的不均一により断線を生じたり、大きなパッケージの場合には未だ部品が装着されていない個々の樹脂パッケージが反ってしまったために、半田実装時の端子の浮きによる実装不良が発生していたが、本発明によれば、上記の不良が生じなくなる。また、樹脂基板を積層接着して多数の樹脂パッケージを集合した集合基板を個々の樹脂パッケージに分離するためカットする際には、反りや変形がないので、ダイシングにおける寸法精度を向上することができる。
【００２２】
これに対し、ガラス転移温度を高めるための所定の熱処理を施さないと樹脂基板の接着段階での変形が生じ歩留りが低下する。また、接着段階での加熱をＴｇ１より低い温度で行うと接着不良が生じ、Ｔｇ２以上の温度で行うと樹脂基板の変形が生じてしまう。さらに所定の熱処理を施してから機械加工をすると、加工性が悪化する。
【００２３】
このように、本発明は、所定の温度における熱処理により、樹脂基板のガラス転移温度を、成形時のガラス転移温度よりも高い温度であって、かつ接着温度よりも高い温度にするところに特徴がある。このようなガラス転移温度の変化は、樹脂基板中に含有される熱硬化性樹脂の重合度ないし架橋度と密接な関係があると考えられる。すなわち、成形時において重合度ないし架橋度が未飽和である高分子成分が存在するが、これが所定温度による熱処理による重合ないし架橋が進行するものと考えられる。これを数値化して重合度として示せば、高分子の種類にもよるが、成形時に比べ熱処理後においては重合度が２〜１０％程度向上し、熱処理後の重合度は９５％以上に達し、ほぼ１００％に近い値に達するものもある。この場合の重合度は樹脂基板が含有する熱硬化性樹脂中の官能基の数、樹脂の骨格、成形時および熱処理後のガラス転移温度などから推定したものである。
【００２４】
なお、樹脂基板のガラス転移温度は架橋の度合いによって上昇し、一旦、ガラス転移温度が高まると、室温に戻した後も、高いガラス転移温度を維持し続ける。重合度においても同様であり、一旦加熱処理をうけた樹脂基板は、室温に戻した後も高い重合度を維持し続ける。
【００２５】
以下、本発明を図面を参照して説明する。
図１は、本発明を適用した樹脂パッケージの構造の一例を示す斜視図である。なお、図示の樹脂パッケージ１は、樹脂基板を積層接着して形成した積層体からダイシングによって切り分けた一個の樹脂パッケージを示している。第一の樹脂基板２は所定厚さの熱硬化剤樹脂を含有する基板であり、切断分離された樹脂基板２の端面には端面スルーホール９が形成されている。なお、スルーホール９からは導体パターン７が延びている。樹脂枠３は所定厚さの第一の樹脂基板２と同材質の枠用樹脂基板がルータによって機械加工された枠であり、後に第一の樹脂基板２上に積層されることにより樹脂パッケージ１の中央部に空洞を形成する枠である。樹脂枠３は、第一の樹脂基板２上に所定厚さの第一のプリプレグ４を挟んで積層接着されている。樹脂枠３上には、所定厚さの第二のプリプレグ４を挟んで、樹脂枠３とともに樹脂パッケージの蓋体（第二の樹脂基板）８となる蓋用樹脂基板６が積層接着されている。なお、蓋用樹脂基板６は第一の樹脂基板２と同材質の樹脂基板からなる所定厚さの樹脂基板である。そして、上記第一の樹脂基板２と蓋体（第二の樹脂基板）８により形成される中空部５の内部には、チップ（電子部品）１０がバンプ１１を介してフェースダウンボンディングされている。
【００２６】
第一の樹脂基板２および蓋体（第二の樹脂基板）８は上記のように同材質であることが好ましく、熱硬化性樹脂を含有するものである。このようなものとしてはまずＢＴ基板が好ましく挙げられる。ここで、樹脂基板の一例としてあげたＢＴ基板とは、トリアジン樹脂成分を主成分とし、多官能マレイミド化合物および／または他の改質用化合物により構成された高耐熱付加重合型熱硬化性樹脂（以下、ＢＴレジン）を用いた樹脂基板の総称である。具体的には、ＢＴ基板としてＢＴ樹脂にエポキシ樹脂を混合し、接着性、耐ＰＣＴ（プレッシャークックテスト）特性、耐熱性、電気的特性を向上させ、ガラス転移温度（熱機械分析（ＴＭＡ）法による。以下同じ）が１９０℃（カタログ値）のガラス繊維強化基板ＣＣＬ−ＨＬ−８３０（三菱ガス化学製）などがある。
【００２７】
また、樹脂基板としては、上記のガラス繊維強化基板において、熱硬化性樹脂としてベンゼン骨格を含むＢｉｓフェノールＡ型エポキシの誘導体を含む樹脂基板、あるいは熱硬化性樹脂としてＢｉｓフェノールＦ型エポキシ、オルトクレゾールノボラック、フェノールノボラック型エポキシなどのエポキシとその誘導体を含む樹脂基板、熱硬化性樹脂としてビスマレイミド、およびトリアジン樹脂とその誘導体から選ばれる１種または２種以上を含む樹脂基板などを用いることもできる。
【００２８】
本発明に用いる樹脂基板としては、前述のとおり、ガラス繊維強化基板のみならず、樹脂成形基板やコンポジット基板を用いてもよい。
【００２９】
なお、樹脂基板における熱硬化性樹脂成分の含有量は１０wt％以上であることが好ましい。
【００３０】
このような樹脂基板の厚さは、目的・用途等に応じて適宜選択すればよいが、例えばＳＡＷフィルターのようなものを裏面実装する場合においては、第一の樹脂基板、枠用樹脂基板、蓋用樹脂基板の厚さは、各々０．１〜１mm、０．３５〜１mm、０．１〜０．５mm程度である。
【００３１】
また、各樹脂基板間に挟まれるプリプレグは、樹脂基板材質に応じて適宜選択すればよいが、本発明において好ましく用いられるＢＴ基板との組み合わせでは、例えば２００℃、２時間で硬化するＧＨＰＬ−８３０ＮＦ（三菱ガス化学製）ＢＴレジンを好ましく用いることができる。このようなプリプレグは樹脂基板の熱処理前のガラス転移温度Ｔｇ１あるいはＴｇ１と熱処理後のガラス転移温度Ｔｇ２との間の温度で硬化するものが好ましい。プリプレグの厚さは６０〜１００μm 程度である。
【００３２】
図２および図３は、図１示される本発明の樹脂パッケージの製造方法を示す説明図および製造工程を示す工程図である。第一の樹脂基板２と第二の樹脂基板（枠用樹脂基板３および蓋用樹脂基板６）８は、当初、同じガラス転移温度Ｔｇ１（℃；第一のガラス転移温度）を有する。第一の樹脂基板２にはドリル加工やルーター加工等の機械加工により孔が形成される。第一の樹脂基板２と同様に、蓋用樹脂基板６にもスルーホール９や導体パターン７が形成される（図示省略）。また、枠用樹脂基板３にも矩形の窓が形成される（以上工程Ａ）。その後、第一の樹脂基板２と枠用および蓋用樹脂基板３、６を第一のガラス転移温度Ｔｇ１あるいはＴｇ１より高い温度Ｔａ（℃）で熱処理する（工程Ｂ）。これにより、それぞれの樹脂基板２、３、６は、第一のガラス転移温度Ｔｇ１より高い第二のガラス転移温度Ｔｇ２（℃）を有する樹脂基板に改質される。その後、第一の樹脂基板２に電子部品をフェイスダウンボンディングにより実装する（工程Ｃ）。この後電子部品（チップ）を実装した第一の樹脂基板２と蓋体となる枠用および蓋用樹脂基板３、６を位置合わせして積層し、これらの樹脂基板の間にプリプレグ（図示せず）を挟んで第一のガラス転移温度Ｔｇ１以上で、かつ第二のガラス転移温度Ｔｇ２より低い温度Ｔｂ（℃）で加熱して積層接着する（工程Ｄ）。その後、積層された樹脂基板をダイシングなどにより切断分離し、一個一個の樹脂パッケージを形成する（工程Ｅ）。
【００３３】
この場合、樹脂基板２、３、６に対する熱処理は無荷重で行われる。熱処理温度Ｔａは樹脂基板２、３、６の第一のガラス転移温度Ｔｇ１より０〜３０℃高い温度で行う。また、熱処理時間は、樹脂材質や熱処理温度などによるが、通常０．５〜３時間程度行うことが好ましい。
【００３４】
また、熱処理後の樹脂基板２、３、６の第二のガラス転移温度Ｔｇ２はＴｇ１より１〜４０℃高い温度であり、さらには５〜３０℃程度、特には１５〜３０℃程度高いことが好ましい。
【００３５】
樹脂基板２、３、６同士の積層接着のための加熱は通常加圧（圧力１０〜６０kg/cm2）下に行われる。また加熱温度ＴｂはＴｇ１以上でＴｇ２より低い温度で行われるが、通常熱処理温度Ｔａと同程度の温度であることが好ましい。また、加熱時間は０．５〜３時間程度であることが好ましい。
【００３６】
以上、図示例に従って樹脂基板を積層する例をあげて本発明を説明したが、それに限られず、スルーホールなどを機械加工した後に加熱処理して樹脂基板のガラス転移温度を高め、その後、チップを樹脂基板上に実装し、チップの上面を別な樹脂基板で覆わずに、実装されたチップとその周囲を覆って樹脂基板上にシリコーン樹脂やエポキシ樹脂をポッティングし、これらの被覆樹脂を加熱して硬化させる工程に本発明を適用させることもできる。これによれば、樹脂基板上にシリコーン樹脂やエポキシ樹脂がポッティングされただけの比較的に付着力の弱い構造であっても、樹脂基板がポッティング樹脂の加熱硬化時に反りや変形を生じないので、ポッティングされた被覆樹脂が樹脂基板から剥がれないという効果がある。
【００３７】
また、枠と蓋とが一体となった蓋体を用いて、この蓋体とチップを実装した樹脂基板とをプリプレグを介して加熱接着する際に本発明を適用してもよい。
【００３８】
また、電子部品の樹脂基板への実装はバンプによることが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３９】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例１
図１に示すような樹脂パッケージを図２、図３に示すような工程に従って作製した。
樹脂基板としてＢＴ基板を用いた。このときのＢＴ基板は、ガラス繊維強化基板ＣＣＬ−ＨＬ−８３０（三菱ガス化学製）であり、熱処理前、すなわち成形時のガラス転移温度Ｔｇ１は１８７℃であった。この値はＴＭＡ法により求めたものである。また、プリプレグとして、２００℃、２時間で硬化するＧＨＰＬ−８３０ＮＦ（三菱化学製）ＢＴレジンを用いた。
【００４０】
第一の樹脂基板および枠用樹脂基板としては各々０．５mm厚、たて７５mm、よこ７５mmのＢＴ基板、蓋用樹脂基板としては０．２mm厚、たて７５mm、よこ７５mmのＢＴ基板を用いた。プリプレグは６０μm 厚、たて７５mm、よこ７５mmのものを用いた。
【００４１】
ＢＴ基板に対し、所定の機械加工を施した後の熱処理は２００℃、２時間の条件とし、熱処理後の樹脂基板Ｔｇ２は２１５℃（ＴＭＡ法）であった。またプリプレグ接着のための加熱条件は２００℃、２時間とした。また４０kg/cm2程度の加圧下に行った。
【００４２】
さらにダイシング加工を行い、このようにして、チップを収納した樹脂パッケージ（たて３．８mm、よこ３．８mm、高さ１．３mm）を得た。なお、チップを実装する際に用いたバンブの高さは２０μm であった。
【００４３】
得られた樹脂パッケージ１００個に対し、不良品の有無を調べたが、プリプレグの接着不足による接着不良、基板変形による実装不良などがなく、不良品の発生はなかった。また、熱処理前のＴｇの低いＢＴ基板を機械加工したので加工が容易であり、機械加工による不良品の発生もなかった。なお、基板変形による実装不良については、次のような基準に従って評価した。すなわち図９を参照して説明すると、基板の反り量は図９のｔで示されるが、ｔが７μm 程度であると、図９に示されるようにバンプがはずれるなどの実装不良が生じてしまう。こうした実装不良が生じないのはｔが２μm 程度以下のときである。実際、反り量ｔを調べたところいずれも２μm 以下であり、最大２μm であった。
【００４４】
これに対し、上記の本発明の工程において、ＢＴ基板に対し熱処理を施さないものとするほかは同様にして樹脂パッケージを製造した。同様にして不良品の有無を調べたところ、図９に示されるような基板変形による実装不良が発生した。この場合、反り量ｔが７μm 程度の不良品が５０％発生し、歩留りが悪かった。
【００４５】
また、上記の本発明の工程において、プリプレグ接着のための加熱条件を１８０℃、３時間とするほかは同様にして樹脂パッケージを製造したところ、接着不良の発生が著しかった。
【００４６】
さらに、上記の本発明の工程において、プリプレグ接着のための加熱条件を２３０℃、１時間とするほかは同様にして樹脂パッケージを製造したところ、基板変形による実装不良が発生した。
【００４７】
また、上記の本発明の工程において、ガラス転移温度を高めるための熱処理を施してから機械的加工を試みたところ、加工性に著しく劣ることがわかった。
【００４８】
以上より、本発明の製造方法をとることによって、機械加工性および歩留りの両立を図ることができることがわかった。
【００４９】
上記本発明の熱処理条件の選択にあたり、ＢＴ基板の熱処理条件と特性変化の関係について検討したが、以下にこれについて述べる。
【００５０】
（反り量、Ｔｇ）
上記のＢＴ基板（たて７５mm、よこ７５mm、厚さ０．５mm）に対し、熱処理温度を１８０℃、１９０℃、２００℃とし、熱処理時間を１時間、２時間、３時間としたときの基板の反り量の変化とＴｇの変化を調べた。結果を図４、図５に示す。
【００５１】
反り量はプリプレグの接着条件の２００℃、２時間で加圧加熱したときの反り量（図９のｔに相当）であり、表面粗さ計（Ｔａｌｙｓｔｅｐ−１：ＴＡＹＬＯＲＨＯＢＳＯＮ社製）を用いて測定した。ＴｇはＴＭＡ法により求めた。
【００５２】
図４によれば、熱処理前のＢＴ基板は反り量が７μm 程度であり、樹脂パッケージとしての使用には適さない。反り量が２μm 程度以下であるのは２００℃で１〜３時間あるいは１９０℃３時間の熱処理条件であり、これらの熱処理条件を選択する必要があることがわかる。
【００５３】
一方、図５によれば、熱処理前のＢＴ基板のＴｇ（１８７℃）より高い温度の１９０℃、２００℃で１〜３時間熱処理を施すことによって１８７℃より高いＴｇが実現するが、プリプレグの接着条件を考慮すると２００℃で２〜３時間熱処理を施すことが好ましい。
【００５４】
従って、図４、図５の結果から２００℃、２時間の熱処理によってＴｇは２１５℃に変化するが、このようなＴｇ領域では反り量のバラツキも少なく反り量が安定していることもわかった。なお、Ｔｇが２００℃付近である場合は反り量のバラツキが大きくなることも確認した。
【００５５】
（重合度）
熱処理前のＢＴ基板の熱硬化性樹脂の重合度を樹脂中の官能基の数、樹脂の骨格、Ｔｇ等から９０％と推定し、１６０℃、１８０℃、２００℃、２２０℃の各温度で２時間加熱した場合の各重合度をＴｇの値から推定した。この関係を図６に示す。
【００５６】
図６からわかるように、２００℃、２時間の加熱により重合度が９７％程度に高められる。従って、熱処理により重合度が変化していることがわかった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、樹脂基板を用いて形成する樹脂パッケージにおいて、樹脂基板に機械加工を済ませてから熱処理を加え、樹脂基板が当初に有していたガラス転移温度を新たなガラス転移温度に高めあるいは、新たなガラス転移温度を有する樹脂基板に改質し、その後、新たなガラス転移温度より低い温度で加熱して樹脂層を固着するようにしたので、精度の高い微細な機械加工が可能であり、しかも加熱による樹脂基板の変形が少ないので信頼性に優れた樹脂パッケージを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した樹脂パッケージの構造を示す斜視図である。
【図２】本発明の樹脂パッケージの製造方法を示す説明図である。
【図３】本発明の樹脂パッケージの製造工程を示す工程図である。
【図４】熱処理条件による樹脂基板の反り量の変化を示すグラフである。
【図５】熱処理条件による樹脂基板のガラス転移温度の変化を示すグラフである。
【図６】熱処理条件と樹脂基板の重合度との関係を示すグラフである。
【図７】従来の樹脂基板を用いた樹脂パッケージの製造方法を示す説明図である。
【図８】従来の樹脂パッケージの製造工程を示す工程図である。
【図９】従来の樹脂パッケージの変形を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 樹脂パッケージ
２ 第一の樹脂基板
３ 樹脂枠
４ プリプレグ（樹脂層）
５ 中空部
６ 蓋用樹脂基板
７ 導体パターン
８ 蓋体（第二の樹脂基板）
９ スルーホール
１０ チップ（電子部品）
１１ バンプ
５１ 第二の樹脂基板
５２ａ 窓
５２ｂ スルーホール
５３ プリプレグ
５４ 第一の樹脂基板

Claims (4)

  1. 電子部品を実装可能な樹脂基板に、当該電子部品を封止するための封止用樹脂を配して樹脂パッケージを形成する方法であって、
    重合度ないし架橋度が未飽和で、ガラス転移温度が低い高分子成分を含んだ軟質の状態の熱硬化性樹脂を含有する前記樹脂基板に対して機械的な加工を加える第一のステップと、
    前記第一のステップの後に前記樹脂基板が有する元のガラス転移温度より０〜３０℃高い温度に前記樹脂基板を加熱して前記樹脂基板が有するガラス転移温度を元のガラス転移温度より１〜４０℃高くした新たなガラス転移温度に高める第二のステップと、
    前記第二のステップの後、前記封止用樹脂を前記樹脂基板に配し、前記元のガラス転移温度または前記元のガラス転移温度と前記新たなガラス転移温度との間の温度に前記封止用樹脂を加熱して前記樹脂基板に前記封止用樹脂を固着させる第三のステップと
    を含むことを特徴とする樹脂パッケージの製造方法。
  2. 前記第三のステップが、前記第二のステップを経た前記樹脂基板に電子部品を実装した後に行われる
    請求項１に記載の樹脂パッケージの製造方法。
  3. 前記第三のステップが、蓋体を用いて行われ、当該蓋体と前記樹脂基板との間に配された前記封止用樹脂が前記加熱により当該蓋体を前記樹脂基板に接着し、これにより前記樹脂基板に実装された前記電子部品が封止される
    請求項２に記載の樹脂パッケージの製造方法。
  4. 前記電子部品は、バンプにより前記樹脂基板に実装され、
    前記蓋体は、前記電子部品を収納可能な空洞を前記樹脂パッケージ内に形成する樹脂枠と、当該樹脂枠の上面に配される蓋用樹脂基板とを含み、
    前記樹脂枠と前記樹脂基板との間に前記封止用樹脂が配される
    請求項３に記載の樹脂パッケージの製造方法。
JP36453797A 1997-12-18 1997-12-18 樹脂パッケージの製造方法 Expired - Fee Related JP3652488B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36453797A JP3652488B2 (ja) 1997-12-18 1997-12-18 樹脂パッケージの製造方法
EP98310400A EP0928022A3 (en) 1997-12-18 1998-12-17 Resin package fabrication process
US09/212,863 US6282781B1 (en) 1997-12-18 1998-12-17 Resin package fabrication process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36453797A JP3652488B2 (ja) 1997-12-18 1997-12-18 樹脂パッケージの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11186429A JPH11186429A (ja) 1999-07-09
JP3652488B2 true JP3652488B2 (ja) 2005-05-25

Family

ID=18482056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36453797A Expired - Fee Related JP3652488B2 (ja) 1997-12-18 1997-12-18 樹脂パッケージの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6282781B1 (ja)
EP (1) EP0928022A3 (ja)
JP (1) JP3652488B2 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3579740B2 (ja) * 1998-04-18 2004-10-20 Ｔｄｋ株式会社 電子部品の製造方法
JP3462806B2 (ja) * 1999-08-06 2003-11-05 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN1205743C (zh) * 2000-06-06 2005-06-08 索泰克公司 用于表面声波器件的阵列处理的系统和方法
US8623710B1 (en) 2000-11-28 2014-01-07 Knowles Electronics, Llc Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US6511866B1 (en) * 2001-07-12 2003-01-28 Rjr Polymers, Inc. Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices
US7154206B2 (en) 2002-07-31 2006-12-26 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and method for manufacturing same
KR100738730B1 (ko) 2005-03-16 2007-07-12 야마하 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치
WO2007114244A1 (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置
DE102007008487A1 (de) * 2007-02-19 2008-08-21 Smartrac Ip B.V. Verfahren und Halbzeug zur Herstellung eines Inlays
JP5031486B2 (ja) * 2007-08-27 2012-09-19 京セラ株式会社 電子部品
JP4518127B2 (ja) * 2007-10-01 2010-08-04 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法および電子回路装置
JP2009088351A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Denso Corp 電子回路装置の製造方法および電子回路装置
JP4518128B2 (ja) * 2007-10-01 2010-08-04 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法および電子回路装置
JP4462332B2 (ja) * 2007-11-05 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 電子部品
JP2013145932A (ja) * 2010-05-07 2013-07-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
CN103999484B (zh) 2011-11-04 2017-06-30 美商楼氏电子有限公司 作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法
US9078063B2 (en) 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
US10193528B2 (en) * 2013-09-26 2019-01-29 Kyocera Corporation Acoustic wave device and acoustic wave module
JP6547354B2 (ja) * 2015-03-20 2019-07-24 富士電機株式会社 半導体モジュールおよび樹脂ケース
US9794661B2 (en) 2015-08-07 2017-10-17 Knowles Electronics, Llc Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package
CN108695164B (zh) * 2018-05-21 2020-03-10 重庆顺翔力通智能装备有限公司 晶体管基座的组装方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59129445A (ja) * 1983-01-14 1984-07-25 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US4745215A (en) * 1987-04-03 1988-05-17 International Business Machines Corporation Fluorine containing dicyanate resins
US5001542A (en) 1988-12-05 1991-03-19 Hitachi Chemical Company Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips
US5161304A (en) * 1990-06-06 1992-11-10 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for packaging an electronic circuit device
JPH04140194A (ja) 1990-10-02 1992-05-14 Toshiba Corp Ｉｃモジュールの製造方法
JPH05286074A (ja) 1992-04-06 1993-11-02 Toshiba Chem Corp 銅張積層板
US5548034A (en) * 1992-07-31 1996-08-20 International Business Machines Corporation Modified dicyanate ester resins having enhanced fracture toughness
US5677045A (en) * 1993-09-14 1997-10-14 Hitachi, Ltd. Laminate and multilayer printed circuit board
JP3406073B2 (ja) 1994-08-12 2003-05-12 日立化成工業株式会社 樹脂封止型半導体装置
JP3677661B2 (ja) * 1994-09-08 2005-08-03 株式会社ルネサステクノロジ 樹脂封止型半導体装置及び製造方法
JPH08111478A (ja) * 1994-10-06 1996-04-30 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JP3709574B2 (ja) * 1994-11-29 2005-10-26 イビデン株式会社 プリント配線板の製造方法
GB9502178D0 (en) * 1995-02-03 1995-03-22 Plessey Semiconductors Ltd MCM-D Assemblies
US5572070A (en) * 1995-02-06 1996-11-05 Rjr Polymers, Inc. Integrated circuit packages with heat dissipation for high current load
JP3337847B2 (ja) * 1995-02-27 2002-10-28 株式会社東芝 電子部品内蔵カードの製造方法
JPH08316374A (ja) 1995-05-16 1996-11-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2844558B2 (ja) * 1995-06-29 1999-01-06 信越ポリマー株式会社 チップ状半導体素子装着用の配線回路基板およびその製造方法
JP3195236B2 (ja) * 1996-05-30 2001-08-06 株式会社日立製作所 接着フィルムを有する配線テープ，半導体装置及び製造方法
US5926694A (en) * 1996-07-11 1999-07-20 Pfu Limited Semiconductor device and a manufacturing method thereof
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method

Also Published As

Publication number Publication date
EP0928022A2 (en) 1999-07-07
US6282781B1 (en) 2001-09-04
EP0928022A3 (en) 1999-12-15
JPH11186429A (ja) 1999-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3652488B2 (ja) 樹脂パッケージの製造方法
JP4510020B2 (ja) 電子モジュールの製造方法
US8304287B2 (en) Substrate structure with die embedded inside and dual build-up layers over both side surfaces and method of the same
US8350377B2 (en) Semiconductor device package structure and method for the same
US5879964A (en) Method for fabricating chip size packages using lamination process
US5985695A (en) Method of making a molded flex circuit ball grid array
JP4205749B2 (ja) 電子モジュールの製造方法及び電子モジュール
TWI276215B (en) Semiconductor device having adhesion increasing film and method of fabricating the same
KR100791203B1 (ko) 다단구성 반도체모듈 및 그 제조방법
US6701614B2 (en) Method for making a build-up package of a semiconductor
JP3839323B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3641002B2 (ja) 封止型一体成形プラスチックマルチチップモジュール基板並びに作製方法
JP2002057246A (ja) 半導体パッケージング工程の移植性導電パターンをもつテープ及びその製造方法
US7192801B2 (en) Printed circuit board and fabrication method thereof
CN102034768B (zh) 具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法
CN1720610B (zh) 具有铜背部金属结构的薄GaAs管芯
JP2010263199A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003264205A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100557516B1 (ko) 반도체용 칩 사이즈 패키지형 패키지의 제조 방법
US6853060B1 (en) Semiconductor package using a printed circuit board and a method of manufacturing the same
JPH10107190A (ja) 半導体パッケージ
KR100363933B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조공정
US11462461B2 (en) System in package for lower z height and reworkable component assembly
US20040061243A1 (en) Window-type semiconductor package and fabrication method thereof
JPH11224912A (ja) 半導体パッケ−ジ用チップ支持基板及び半導体パッケ−ジ

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040608

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040928

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050223

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees