JP3632305B2 - Motor drive device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例としてブラシ付き直流モータをPWM(パルス幅変調)方式で駆動するモータ駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図2は本発明の基礎となるモータ駆動回路の構成例を示すブロック図であり、以下に説明する従来技術の説明と実施例の説明とで共通に用いられる。図4は従来技術の回路素子の動作状態を示すグラフであり、図5は従来技術のモータ駆動回路(以下、駆動回路)1の構成例を示す回路図であり、図6は駆動回路1における後述するパワー素子部のローサイド側の構成例を示す回路図であり、図7は駆動回路1における後述するパワー素子部のハイサイド側の構成例を示す回路図である。以下、図2及び図5〜図7を参照して、従来技術のモータ駆動回路1の構成について説明する。なお、以下の従来技術及び実施例において、説明の簡単化のために2相モータについて説明するが、この説明は、3相などの他の相のモータの制御に関しても同様に成立するものである。
【0003】
例として、中耐圧(例、定格電圧=DC24V)のブラシ付きDCモータ3を、電流リミッタ付きPWM(パルス幅変調)速度制御方式で駆動する駆動回路1において、
▲1▼ 与えられた信号に従って、モータ3の正逆転のオープンループ速度制御を
行なう
▲2▼ 起動電流を一定値以下に抑制する、
という仕様を満足させるために、以下の構成が採用されている。図2に示されるように駆動回路1は、モータ駆動用のVcc=DC24Vを出力する第1電源部2a、及び回路駆動用のDC5Vの直流電圧を出力する第2電源部2bを備える電源部2と、前記PWM変調された速度信号とモータ3の正転/逆転を切り替えるための切替信号を出力する主制御部4と、モータ3に駆動電流を出力する例としてMOSFET(MOS構造電界効果トランジスタ)からなるインバータ回路であるパワー素子部5と、前記速度信号及び切替信号が入力されてパワー素子部5にパワー素子部5の各トランジスタをオン/オフさせる駆動信号を出力する例としてC−MOSゲートICからなる従制御部6とを備えている。
【0004】
前記パワー素子部5は、モータ3に駆動電流を供給するPチャネルMOSFETを含むハイサイド素子部7と、モータ3からの電流が流入するNチャネルMOSFETを含むローサイド素子部8とを有している。前記従制御部6及びハイサイド素子部7には、電源部2とパワー素子部5との間に接続される電源線9及び接地線10を介して前記駆動電源Vccが供給される。前記接地線10には、電流センサ11の電圧降下量を基準値と比較して、電圧降下量が基準値を超過した場合に、超過信号を従制御部6に出力してパワー素子部5のオン/オフ動作を停止させる抵抗素子を含む電流センサ11が配置される。前記接地線10は、電流センサ11、電源部2の第1電源部2a、第2電源部2b、ローサイド素子部8及び従制御部6に、共通に接続される。
【0005】
このような従来の駆動回路1の前記従制御部6及びパワー素子部5の回路例が図5に示されている。従制御部6に関連して前記電源線9に接続されたツェナーダイオード12と抵抗13を含み、例として10Vの一定電圧を出力する定電圧回路14が備えられる。また、前記ハイサイド素子部7には、PチャネルMOSFET(以下、Pトランジスタ)7a,7bが備えられ、ローサイド素子部8には、NチャネルMOSFET(以下、Nトランジスタ)8a,8bが備えられる。前記定電圧回路14の出力は、Pトランジスタ7a,7bにゲート信号を出力する反転回路15、16(例として、素子TC4011B)に供給される。この反転回路15、16には、前記切替信号のうち、モータ3の回転方向を正転方向に設定する切替信号MFと逆転方向に設定する切替信号MRとが、トランジスタ17、18を介してそれぞれ入力される。従って、前記Pトランジスタ7a,7bのゲート信号は、接地電位基準の前記切替信号MF,MRがトランジスタ17、18によってレベルシフトされて電圧Vcc基準の反転回路15、16を経て、前記Pトランジスタ7a,7bに供給されることになる。
【0006】
また、従来の駆動回路1では、図5に示されるように、ハイサイド素子部7には速度信号PWMが入力されず、切替信号MF,MRがトランジスタ17、18を介して入力され、Pトランジスタ7a,7bが導通状態或いは遮断状態に選択的に設定される。前記速度信号PWMは、AND回路26、27によって前記切替信号MF,MRと論理積が演算され、その出力がAND回路19、20によって、過電流検出回路21の出力との論理積が演算される。AND回路19、20(素子の種類は同上)の出力は、Nトランジスタ8a,8bの各ゲート端子に入力される。前記過電流検出回路21は、モータ3からのローサイド素子部8を介する電流レベルを検出するものであり、この電流が小さいときには前記電流センサ11で検出される電圧値は小さく、トランジスタ22が遮断され、ツェナーダイオード23が導通して、一定レベルの高電位が前記AND回路19、20の各一方入力端子に供給され、AND回路19、20は入力された速度信号PWMを出力する。一方、モータ3に大電流が流れると、電流センサ11で検出される電圧値が大きくなり、トランジスタ22が導通すると共に、ツェナーダイオード23の端子間電位差が小さくなり、ツェナーダイオード23が遮断状態となる。これにより、AND回路19、20には、トランジスタ22を介する接地電位が供給されて遮断状態となり、モータ3の回転が停止される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このような従制御部6のAND回路19、20とNトランジスタ8a,8bの構成例、及び反転回路15、16とPトランジスタ7a,7bの構成例が図5及び図7にそれぞれ示されている。ハイサイド素子部7及びローサイド素子部8のいずれの場合でも、駆動素子24、25には電圧出力型のCMOSゲート素子が用いられている。以下の説明において、モータ3が正転していて、これに対応してPトランジスタ7aが遮断されPトランジスタ7bが導通している場合を想定する。この場合、オフ中のハイサイド素子7のPトランジスタ7の電位差VDD−Gがこのトランジスタのしきい値電圧Vthである2Vで、駆動素子25の電流容量が約8mAであるのに対し、ローサイド素子8に関して、オン状態とオフ状態との間で切り替わるNトランジスタ8の電位差VDD−Gが10V−Vth=8Vで、駆動素子24の電流容量が16mA以上になって、ハイサイド素子7側のオフ状態が確定されず、ハイサイド素子7及びローサイド素子8が共にオン状態となり、相互に短絡して過大な異常電流が流れ、モータ3の誤動作が発生するという不具合を生じる。
【0008】
この状態は、図4に示される。即ち、モータ3を回転駆動するためのスイッチングを行うローサイド側の駆動素子24の電流容量が、ハイサイド側の駆動素子25の電流容量より大きく、このために、ハイサイド素子7側のオフ状態が確定されない事態が生じる。
【0009】
請求項1〜3の発明は、上述の技術的課題を解決するためになされたものであり、その目的は、モータの誤動作を防止することができるモータ駆動装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明のモータの駆動装置は、モータのコイルに駆動電流を供給する第1導電形式のトランジスタと、モータの他のコイルから駆動電流が流れ込む第2導電形式のトランジスタとを有し、該第1導電形式のトランジスタと第2導電形式のトランジスタの直列回路を含むインバータ回路と、PWM速度信号が入力されて該インバータ回路の該第1導電形式トランジスタをオン/オフ駆動する第1駆動回路と、モータの正逆転を切り替える切替信号が入力されて該第2導電形式トランジスタをオン状態またはオフ状態のいずれかに設定する第2駆動回路とを備え、前記第2駆動回路の電流容量を前記第1駆動回路の電流容量の4〜6倍に設けることを特徴とする。
【0011】
これにより、モータを駆動するためにトランジスタをオン/オフ駆動する駆動回路の電流容量を、トランジスタをオン状態まてはオフ状態のいずれかに設定する駆動回路の電流容量よりも小電流容量とできるので、トランジスタをオン/オフ駆動する駆動回路の動作状態を確定することができ、これらの各駆動回路の動作状態が確定せず、各トランジスタ間が短絡する事態を防止することができ、モータの誤動作を防止することができる。
【0012】
請求項1の発明において、第1導電形式をPチャネル型とし、第2導電形式をNチャネル型としてもよい。この場合にも、前記作用効果を達成することができる。また、請求項1の発明において、第1駆動回路は基本構成として約60mAの電流容量のゲート集積回路素子を備え、第2駆動回路は基本構成として約20〜30mAの電流容量のゲート集積回路素子を備えるようにしてもよい。この場合にも、前記請求項1の作用効果を実現することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例のモータ駆動回路の一部の構成例を示すブロック図であり、図2は本発明の基礎となる構成のモータ駆動回路1の概略の構成例を示すブロック図であり、前記従来技術で説明されたので、再度の説明を省略し、必要な場合は前記従来技術の説明を参照する。図3及び図4は本実施例に用いられるゲート素子の動作例を示すグラフである。
【0014】
以下、図1〜図4を参照して、本実施例のモータ駆動回路31の構成について説明する。
【0015】
本実施例のモータ駆動回路31の概略の構成は、図2に示されるものであり、図1は、図2中の従制御部6及びパワー素子部5に関連する図5に対応する図である。即ち、本実施例のモータ駆動回路31の特徴は、図2に示した従制御部6及びパワー素子部5の改良に関わるものである。本実施例では、モータ3を回転駆動するためのスイッチング動作をハイサイド素子部7で行い、ローサイド素子部8は、モータ3の正転或いは逆転の回転方向に対応して、遮断状態或いは導通状態に設定される。
【0016】
例として、中耐圧(例、定格電圧=DC24V)のブラシ付きDCモータ3を、電流リミッタ付きPWM(パルス幅変調)速度制御方式で駆動する駆動回路31において、
▲1▼ 与えられた信号に従って、モータ3の正逆転のオープンループ速度制御を行なう
▲2▼ 起動電流を一定値以下に抑制する、
という仕様を満足させるために、前述したような図2を参照して説明した構成が採用されている。
【0017】
本実施例の駆動回路31の前記従制御部6及びパワー素子部5に関連する部分の回路例が図1に示されている。従制御部6に関連して図5で説明された定電圧回路14に対応する回路は、図1には示されていないが駆動回路31として別途備えている。ハイサイド素子部7には、PチャネルMOSFET(以下、Pトランジスタ)7a,7bが備えられ、ローサイド素子部8には、NチャネルMOSFET(以下、Nトランジスタ)8a,8bが備えられる。前記第1電源部2aの出力は各Pトランジスタ7a,7bに供給される。
【0018】
前記主制御部4が出力する前記切替信号のうち、モータ3の回転方向を正転方向に設定する切替信号MFと逆転方向に設定する切替信号MRとは、レベルシフト用トランジスタアレイ(以下、アレイ)32、33及び一端が接地された抵抗34、35を介して反転回路36、37に入力される。反転回路36、37の出力はNトランジスタ8a、8bを駆動する駆動素子67を構成するバッファ型ゲート集積回路であるゲート回路(例として、TC4049BF、電流容量は例として約60mA)38、39に入力される。従って、前記Nトランジスタ8a,8bのゲート信号は、接地電位基準の前記切替信号MF,MRがアレイ32、33によってレベルシフトされて電圧Vcc基準の反転回路36、37を経て、前記Pトランジスタ7a,7bを駆動するゲート回路38、39から出力されて得られることになる。
【0019】
また、本実施例の駆動回路31では、従来技術の駆動回路1の場合と逆に、ハイサイド素子部7に速度信号PWMが入力されて、後述するようにPトランジスタ7a,7bがスイッチング動作を行う。一方、切替信号MF,MRはゲート回路38、39を介してNトランジスタ8a,8bに入力され、Nトランジスタ8a,8bが導通状態或いは遮断状態に選択的に設定される。前記速度信号PWMは、レベルシフト用トランジスタアレイ(以下、アレイ)40、41を介して前述したように信号レベルがシフトされ、信号伝送用トランジスタ回路であるトランジスタ42、43を介して、ハイサイド素子部7のPトランジスタ7a、7bを駆動する駆動素子66を構成する標準ゲート集積回路(例として、TC4093BF)であるAND回路44、45の各一方入力端子に入力される。このAND回路44、45よって、トランジスタ42、43の出力とOR回路46の出力との論理積が演算され、その出力がPトランジスタ7a,7bのゲート端子に供給される。
【0020】
前記OR回路46の各入力端子にはトランジスタ42、43の出力がそれぞれ反転されて入力され、トランジスタ42、43の出力の少なくとも一方がローレベルのときにOR回路46はハイレベルの信号を出力し、前記AND回路44、45を導通状態に設定する。一方、トランジスタ42、43の出力が共にハイレベルのとき、OR回路46はローレベルの信号を出力し、前記AND回路44、45はトランジスタ42、43からの信号を遮断する遮断状態に設定される。この遮断状態のとき、Pトランジスタ7a,7bは動作を停止する。このような場合は、例として前記切替信号MF,MRが共にハイレベルなどの同一レベルとなる遷移状態或いは異常状態である。この時に、トランジスタ7a,7bはオフし、トランジスタ8a,8bがオンしてブレーキがかかる。
【0021】
一方、前記第1電源部2aに関連して、過電流リミッタ回路(以下、リミッタ回路)47が設けられている。リミッタ回路47には、前記電源ライン9に直列に配列されたコンデンサ48と並列な整流回路49、50からの信号が出力される。整流回路49、50の間にはツェナーダイオード65が整流回路49をカソード側にするように接続されている。前記整流回路49は、相互に直列に接続されたダイオード51、52を備え、各ダイオード51、52の各カソードが共通に、リミッタ回路47のトランジスタ55のゲートに接続される。また、前記整流回路50は、アノードが整流回路56、57に入力される。
【0022】
前記トランジスタ55のエミッタは電源ライン9に接続され、コレクタはAND回路58の各入力端子に共通に接続されると共に、抵抗59及びコンデンサ60の並列回路を介して前記抵抗49のコンデンサ48側に接続される。また、AND回路58の出力は前記各整流回路56、57にそれぞれ備えられるダイオード61、63の各カソードに接続される。ダイオード61、63の各アノード、それぞれAND回路44、45の各他方入力端子に接続される。各整流回路56、57にそれぞれ備えられ、ダイオード61、63と逆接続されるダイオード62、64の各カソードは、ダイオード61、63の各アノードに接続され、ダイオード62、64の各アノードは共通に前記整流回路50のダイオード53のカソードに接続される。
【0023】
以下、本実施例の駆動回路31の動作について説明する。
【0024】
前記リミッタ回路47は、モータ3からのハイサイド素子部7を介する電流レベルを所定レベルに制限するものである。この電流が小さいときには抵抗素子である電流センサ11で検出される電圧値は小さく、トランジスタ55が遮断され、AND回路58にローレベルの信号が入力される。これにより、AND回路58の出力は反転されてハイレベルになり、OR回路46に信号が入力される。これにより、OR回路46の出力がハイレベルとなり、各AND回路44、45は導通して、前述したようにトランジスタ42、43を介する速度信号PWMがAND回路44、45を介して、各Pトランジスタ7a、7bに入力され、モータ3が駆動される。
【0025】
一方、モータ3からのハイサイド素子部7を介する電流が大きいときには抵抗素子である電流センサ11で検出される電圧値も大きくなり、トランジスタ55が導通される。これにより、AND回路58にハイレベルの信号が入力される。これにより、AND回路58の出力は反転されてローレベルになり、整流回路56、57に入力される。このとき、前記整流回路56、57を介してOR回路46に共通にハイレベルの信号が反転されたローレベルの信号が入力される。これにより、OR回路46の出力がローレベルとなり、各AND回路44、45は遮断されて、前述したようにトランジスタ42、43を介する速度信号PWMがAND回路44、45で遮断され、各Pトランジスタ7a、7bに入力されないようになる。これで、モータ3に過電流が流れたとき、モータ3の回転が停止される。
【0026】
前記モータ3に定常電流が流れている場合のモータ3の制御動作について説明する。前記切替信号MF、MRのいずれかが選択的にローレベルに設定されて、モータ3が正転或いは逆転に切り替えられる。このとき、本実施例の駆動回路31では、ハイサイド素子部7を駆動する駆動素子66であるAND回路44、45は、例として電流容量が20〜30mAなどの比較的電流容量が小さい標準ゲート集積回路(例として、TC4093BF)からそれぞれ構成され、ローサイド素子部8を駆動する駆動素子67には、例として、TC4049BF(電流容量は例として約60mA)などの電流容量が比較的大きい電圧出力型のCMOSゲート素子が用いられている。また、前記ローサイド素子部8を駆動するAND回路38,39は、前記標準ゲート集積回路(TC4049BF)が2個並列に接続された構成であり、電流容量は約120mAになる。
【0027】
モータ3が正転していて、これに対応してNトランジスタ8aが遮断されNトランジスタ8bが導通している場合を想定する。この場合、オフ中のローサイド素子部8のNトランジスタ8aの電位差VDD−Gがこのトランジスタのしきい値電圧Vthである2Vで、ゲート回路38、39は前記電流容量約120mAでオフ状態を確定できるのに対し、オン/オフを繰り返すハイサイド素子部7に関して、オン状態とオフ状態との間で切り替わるPトランジスタ7の電位差VDD−Gが10V−Vth=8Vで、AND回路44、45の電流容量が20〜30mAと小さいので、スイッチング側であるAND回路44、45によるローサイド素子8側のオフ状態を確定することができる。
【0028】
これにより、ハイサイド素子7及びローサイド素子8が共にオン状態となる事態が防止され、相互に短絡して過大な異常電流が流れ、モータ3の誤動作が発生するという不具合を防止できる。
【0029】
また、上記実施例で説明された構成は、本発明の一実施例を示すものであり、本発明の範囲を限定するものではない。本発明は、本発明の精神を逸脱しない範囲の広範囲の変形例を含むものである。
【0030】
【発明の効果】
以上のように請求項1の発明に従えば、モータを駆動するためにトランジスタをオン/オフ駆動する駆動回路の電流容量を、トランジスタをオン状態まてはオフ状態のいずれかに設定する駆動回路の電流容量よりも小電流容量とできるので、トランジスタをオン/オフ駆動する駆動回路の動作状態を確定することができ、これらの各駆動回路の動作状態が確定せず、各トランジスタ間が短絡する事態を防止することができ、モータの誤動作を防止することができる。
【0031】
請求項1の発明において、第1導電形式をPチャネル型とし、第2導電形式をNチャネル型としてもよい。この場合にも、前記作用効果を達成することができる。また、請求項1の発明において、第1駆動回路は基本構成として約60mAの電流容量のゲート集積回路素子を備え、第2駆動回路は基本構成として約20〜30mAの電流容量のゲート集積回路素子を備えるようにしてもよい。この場合にも、前記請求項1の作用効果を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のモータ駆動回路31の一部の構成例を示すブロック図である。
【図2】本発明の基礎となるモータ駆動回路1の構成例を示すブロック図である。
【図3】実施例に用いられるゲート素子の動作例を示すグラフである。
【図4】従来技術及び実施例の回路素子の動作状態を示すグラフである。
【図5】従来技術のモータ駆動回路1の構成例を示す回路図である。
【図6】駆動回路1における後述するパワー素子部のローサイド側の構成例を示す回路図である。
【図7】駆動回路1における後述するパワー素子部のハイサイド側の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
2 電源部
3 モータ
4 主制御部
5 パワー素子部
6 従制御部
7 ハイサイド素子部
7a、7b Pハイサイド素子部
8 ローサイド素子部
8a、8b ローサイド素子部
31 駆動回路
38、39 ゲート回路
42、43 信号伝送用トランジスタ
44、45 AND回路
46 OR回路
47 過電流リミッタ回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a motor driving device that drives a brushed DC motor by a PWM (pulse width modulation) system as an example.
[0002]
[Prior art]
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a motor drive circuit that is the basis of the present invention, and is used in common in the description of the prior art described below and the description of the embodiment. FIG. 4 is a graph showing the operation state of the circuit element of the prior art, FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of the motor drive circuit (hereinafter referred to as drive circuit) 1 of the prior art, and FIG. FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration example on the low side of a power element section described later, and FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration example on the high side of a power element section described later in the
[0003]
As an example, in a
(1) Perform forward / reverse open-loop speed control of the
In order to satisfy this specification, the following configuration is adopted. As shown in FIG. 2, the
[0004]
The
[0005]
A circuit example of the
[0006]
Further, in the
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
An example of the configuration of the
[0008]
This state is shown in FIG. That is, the current capacity of the low-
[0009]
The inventions of
[0010]
[Means for Solving the Problems]
Motor driving apparatus of the first aspect of the present invention, possess a transistor of a first conductivity type for supplying a drive current to the coil of the motor, and a transistor of a second conductivity type into which a driving current flows from the other coils of the motor, inverter circuit and, is PWM speed signal input first driving circuit for driving said first conductivity type transistor on / off of the inverter circuit including a series circuit of the transistors of the transistor and a second conductivity type of the first conductive type When, a second driving circuit for setting to one of the forward-reverse switching signal for switching is inputted or off on the second conductive type transistor state of the motor, the current capacity of the second driving circuit wherein It is characterized by being provided 4 to 6 times the current capacity of the first drive circuit.
[0011]
As a result, the current capacity of the drive circuit that drives the transistor on / off to drive the motor can be made smaller than the current capacity of the drive circuit that sets the transistor to either the on state or the off state. Therefore, it is possible to determine the operation state of the drive circuit that drives the transistors on / off, to prevent the operation state of each of these drive circuits from being determined and to prevent a short circuit between the transistors, Malfunctions can be prevented.
[0012]
In the first aspect of the invention, the first conductivity type may be a P-channel type and the second conductivity type may be an N-channel type. Even in this case, the above-described effects can be achieved. In the first aspect of the invention, the first drive circuit includes a gate integrated circuit element having a current capacity of about 60 mA as a basic configuration, and the second drive circuit includes a gate integrated circuit element having a current capacity of about 20 to 30 mA as a basic configuration. You may make it provide. Also in this case, the function and effect of the first aspect can be realized.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a part of a motor drive circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration example of a
[0014]
Hereinafter, the configuration of the
[0015]
The schematic configuration of the
[0016]
As an example, in a
(1) Perform forward / reverse open-loop speed control of the
In order to satisfy the specification, the configuration described with reference to FIG. 2 as described above is employed.
[0017]
FIG. 1 shows a circuit example of a portion related to the
[0018]
Among the switching signals output by the
[0019]
In the
[0020]
The outputs of the
[0021]
On the other hand, an overcurrent limiter circuit (hereinafter, limiter circuit) 47 is provided in association with the first
[0022]
The emitter of the
[0023]
Hereinafter, the operation of the
[0024]
The
[0025]
On the other hand, when the current from the
[0026]
A control operation of the
[0027]
Assume that the
[0028]
Thereby, the situation where both the
[0029]
Moreover, the structure demonstrated by the said Example shows one Example of this invention, and does not limit the scope of the present invention. The present invention includes a wide variety of modifications that do not depart from the spirit of the present invention.
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the drive circuit for setting the current capacity of the drive circuit for driving the transistor on / off to drive the motor to either the on state or the off state. Therefore, the operating state of the driving circuit for driving the transistors on / off can be determined, the operating state of each of these driving circuits is not determined, and the transistors are short-circuited. The situation can be prevented, and malfunction of the motor can be prevented.
[0031]
In the first aspect of the invention, the first conductivity type may be a P-channel type and the second conductivity type may be an N-channel type. Even in this case, the above-described effects can be achieved. In the first aspect of the invention, the first drive circuit includes a gate integrated circuit element having a current capacity of about 60 mA as a basic configuration, and the second drive circuit includes a gate integrated circuit element having a current capacity of about 20 to 30 mA as a basic configuration. You may make it provide. Also in this case, the function and effect of the first aspect can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a part of a
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a
FIG. 3 is a graph showing an operation example of a gate element used in the example.
FIG. 4 is a graph showing an operation state of a circuit element according to a related art and an example.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional
6 is a circuit diagram showing a configuration example on the low side of a power element section described later in the
7 is a circuit diagram showing a configuration example on the high side of a power element section described later in the
[Explanation of symbols]
2
Claims (3)
PWM速度信号が入力されて該インバータ回路の該第1導電形式トランジスタをオン/オフ駆動する第1駆動回路と、モータの正逆転を切り替える切替信号が入力されて該第2導電形式トランジスタをオン状態またはオフ状態のいずれかに設定する第2駆動回路とを備え、
前記第2駆動回路の電流容量を前記第1駆動回路の電流容量の4〜6倍に設けることを特徴とするモータ駆動装置。 A transistor of the first conductivity type for supplying a drive current to the motor coil, have a transistor of a second conductivity type into which a driving current flows from the other coils of the motor, the first conductive type transistor and the second conductivity type An inverter circuit including a series circuit of transistors ;
The first drive circuit and, forward-reverse switching signal for switching is input on state said second conductivity type transistor of a motor PWM speed signal is input to turn on / off driving the first conductivity type transistor of the inverter circuit or a second driving circuit for setting to either the off state,
A motor driving device characterized in that the current capacity of the second driving circuit is 4 to 6 times the current capacity of the first driving circuit.
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