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JP3628492B2 - 半導体装置およびそのテスト方法 - Google Patents

半導体装置およびそのテスト方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ディジタル・アナログ変換器(以下、DACという)を有するアナログ・ディジタル混在の半導体装置において、テストを行うための回路を備えた半導体装置およびそのテスト方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図6は従来の半導体装置を示す図であり、図において、1は例えば、NビットのDACを内蔵するアナログ・ディジタル混在LSI等の半導体装置、2はロジック回路やRAM回路等のディジタル回路、3は半導体装置1の内部クロックを発生するためのクロック/タイミング発生器、4はNビットのDACである。この半導体装置1は多数のディジタル入出力端子と少数のアナログ出力端子を有している。
【0003】
次に動作について説明する。
まず、テスト装置T1を被測定デバイスである半導体装置1に接続し、所定のテストパターンまたは信号を作成してこの半導体装置1に入力し、例えば、半導体装置1からの出力値を期待値と比較して半導体装置1の機能の良否の判定を行う。
ここで、テスト装置T1は半導体装置1のディジタル回路2から出力されるディジタル信号とともにDAC4から出力されるアナログ信号を取り込んでテストを行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、この半導体装置のテストの際に高価な多ピンのアナログ・ディジタル混在半導体装置用のテスト装置を使用する必要があり、テストに要する費用が高額となるなどの課題があった。
【0005】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、アナログ・ディジタル混在の半導体装置であっても安価にテストを行うことができる半導体装置およびそのテスト方法を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、多数のディジタル信号用入出力端子と、前記ディジタル信号用入出力端子を介してディジタル信号の入出力が行われるディジタル回路と、前記ディジタル回路から出力された所定のディジタル信号をアナログ信号に変換するディジタル・アナログ変換器と、前記ディジタル・アナログ変換器の出力端子と、クロックを前記ディジタル回路及び前記ディジタル・アナログ変換器へ供給するクロック発生手段とを備えた半導体装置において、前記ディジタル・アナログ変換器から出力されるアナログ信号とテスト用基準信号とを比較して、その比較結果をテスト装置へ出力する比較手段を備えたものである。
【0007】
この発明に係る半導体装置は、請求項1記載の半導体装置であって、通常動作時にはディジタル・アナログ変換器側と出力端子側とを接続し、テスト時には比較手段の出力端子側と前記出力端子側とを接続するモード切替手段が付加されてなるものである。
【0008】
この発明に係る半導体装置は、請求項1記載または請求項2記載の半導体装置であって、テスト用基準信号を作成する基準信号作成手段を備えたものである。
【0009】
この発明に係る半導体装置は、請求項3記載の半導体装置であって、基準信号作成手段は、電源に接続され、複数の抵抗が組み合わされてなる抵抗回路と、前記基準信号作成手段の出力端子側及び前記抵抗回路の所定の節点の間の接続または切離しを行う複数のスイッチと、前記各スイッチを所定のタイミングで切り替えるための切替制御信号を出力するシフトレジスタとを有するものである。
【0010】
この発明に係る半導体装置のテスト方法は、ディジタル信号用入出力端子から所定のディジタル信号をディジタル回路に入力し、前記ディジタル回路から出力されたディジタル信号をディジタル・アナログ変換器によってアナログ信号に変換し、前記アナログ信号とテスト用基準信号とを比較して、その比較結果を前記テスト装置へ出力し、前記テスト装置で、取り込まれた前記比較結果に基づいて前記半導体装置の良否を判定するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による半導体装置の構成を示すブロック図であり、図において、1は半導体装置、2はロジック回路やRAM回路等のディジタル回路、3は半導体装置1の内部クロックを発生するためのクロック/タイミング発生器(クロック発生手段)、4はNビットのDAC(ディジタル・アナログ変換器)、5はNビットのDAC4の出力電圧V と基準電圧(テスト用基準信号)Vref とを比較するコンパレータ(比較手段)、6は通常動作時にはDAC4と半導体装置1の出力端子1bとを接続し、テスト時にはコンパレータ5と出力端子1bとを接続するスイッチ(モード切替手段)、1a,1a,…はディジタル信号用入出力端子、1bはDAC4の出力端子、1cは基準電圧端子、1dはスイッチ6をコントロールするためのスイッチコントロール端子、11はN本の入力データ信号線、12はディジタル回路2へのクロック信号線、13はNビットのDAC4のサンプリングクロック信号線である。
【0012】
半導体装置1をテストする際は、ロジックテスタ等のテスト装置T2を半導体装置1に接続する。そして、ディジタル信号用入出力端子1a,1a,…を介して所定のディジタル信号が、例えば、テスト装置T2からディジタル回路2へ入力され、出力端子1bからは、通常動作時にはDAC4からのアナログ出力信号が出力され、テスト時にはコンパレータ5のディジタル出力信号がテスト装置T2に取り込まれる。また、基準電圧端子1cからはテスト装置T2で作成された基準電圧Vref がコンパレータ5へ入力される。また、スイッチコントロール端子1dを介して、スイッチ6を切り替えるための制御信号がスイッチ6へ入力される。
スイッチ6は、DAC4側端子6aとコンパレータ5側端子6bとを有し、通常動作時には、「H」レベルの制御信号を受け取って、DAC側端子6aと出力端子1bとを接続する一方、テスト時には、「L」レベルの制御信号を受け取って、コンパレータ側端子6bと出力端子1bとを接続する。
【0013】
次に動作について説明する。
まず、テスト装置T2を各端子1a,1b,…で半導体装置1に接続し、テストを開始する。スイッチコントロール端子1dからは「L」レベルの制御信号が入力され、スイッチ6の端子6bと出力端子1bとが接続される。また、所定のディジタル信号用入出力端子1a,1a,…からは、所定のディジタル信号が入力される。
コンパレータ5は、DAC4から出力されたアナログ出力電圧V とテスト装置T2において作成された基準電圧Vref とを比較し、比較結果に応じたディジタル信号を出力端子1bへ伝達する。このディジタル信号は、テスト装置T2に入力されて、期待値と比較され良品/不良品が判定される。
【0014】
ここで、DAC4からの出力電圧V を0.5LSB(Least Significant Bit )の精度でテストする場合には、テスト装置T2の電圧源に必要な精度は、DAC4のフルスケール電圧をVfsとするときVfs/((2 −1)/0.5)となる。
また、通常動作時は、スイッチコントロール端子1dを介して「H」レベルの制御信号が入力され、スイッチ6の端子6aと出力端子1bとが接続される。このときDAC4からのアナログ出力が直接出力端子1bへ伝達される。
【0015】
以上のように、この実施の形態1によれば、半導体装置内部にDAC4の出力電圧V と基準電圧Vref とを比較してディジタル信号を出力するコンパレータ5と、通常動作時とテスト時とを切り替えるスイッチ6とが内蔵されていることで、高価な多ピンのアナログ・ディジタル混在半導体装置用のテスト装置が不要になり、安価なロジックテスタ等のテスト装置のみで半導体装置のテストが可能になるので、テストコストが削減できる効果が得られる。
【0016】
なお、上記実施の形態1において、スイッチコントロール端子1dを介して「H」レベルの制御信号が入力されるときに通常動作が行われるように構成したが、例えば、高インピーダンス状態とされたときに通常動作が行われるように構成しても良い。
【0017】
実施の形態2.
上記実施の形態1では、基準電圧Vref を外部のテスト装置T2において作成していたのに対して、この実施の形態2では、半導体装置1内において作成する。
図2は、この発明の実施の形態2による半導体装置の構成を示すブロック図であり、図において、7は基準電圧Vref を作成する基準電圧発生器(基準信号作成手段)、14は直列データ入力信号線、15はシフトクロック信号線である。また、7aは基準電圧発生器7のデータ入力端子、7bはクロック入力端子、7cは基準電圧出力端子である。なお、図1と同一または相当部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【0018】
図3は、この発明の実施の形態2による半導体装置の基準電圧発生器の構成を示すブロック図であり、図において、71は複数の抵抗が組み合わされてなり、一端が電源Vddに接続され、別の一端が接地に接続されるラダー抵抗回路(抵抗回路)、72はラダー抵抗回路71の所定の節点及び基準電圧発生器7の基準電圧出力端子7c間に設けられた複数のスイッチ72a〜72eからなり、切替制御信号に応じて上記各節点及び基準電圧出力端子7c間の接続/切離しを行うスイッチ群、73はシフトクロック信号CLK及びデータ入力信号Dinに基づいて、スイッチ群72の各スイッチを切り替えるための切替制御信号を出力するシフトレジスタ、7aはデータ入力信号Dinが入力されるデータ入力端子、7bはシフトクロック信号CLKが入力されるクロック入力端子、7cはスイッチ群72の各スイッチの入切状態に対応した基準電圧Vref が出力される基準電圧出力端子である。
【0019】
ラダー抵抗回路71は、抵抗R ,R ,R ,R ,R が直列に接続され、かつ、一端(トップ電圧端)側で電源に、他端(ボトム電圧端子)側で接地に接続される。また、各抵抗間の節点V ,V ,V ,V ,V にはそれぞれ、スイッチ72a,72b,72c,72d,72eの一端側が繋がれている。さらに、各スイッチ72a〜72eの他端側は基準電圧出力端子7cに接続されている。
図4は、この発明の実施の形態2による基準電圧発生器のシフトレジスタの構成を示す回路図である。図において、731,731,…はJKフリップフロップ,732はインバータ、73a〜73eはスイッチコントロール端子である。シフトレジスタ73は、図4に示すように、JKフリップフロップ731,731,…が5段に接続され,シフトクロック信号CLK及びデータ入力信号Dinに基づいて、各スイッチコントロール端子73a〜73eから切替制御信号A 〜A が出力される。
なお、ここでは、説明の便宜のため5個のラダー抵抗と5段のシフトレジスタを示したが、実際はNビットのDAC4の出力電圧V を0.5LSBの精度でテストする場合は、(2 −1)/0.5個のラダー抵抗と(2 −1)/0.5段のシフトレジスタが必要になる。シフトレジスタの段数等は、必要とされる精度に応じて任意に設定することができる。
【0020】
次に動作について説明する。
図5は、この発明の実施の形態2によるシフトレジスタの動作を説明するためのタイミングチャートである。
テスト時の動作について説明する。DAC4へは、DAC4がランプ波形を出力させるようにデータを入力する。図4において、まず、スイッチコントロール端子1dより「H」レベルがテスト装置T3より入力された時は、シフトレジスタ73のスイッチコントロール端子73a〜73eから出力される切替信号A 〜A はすべて「L」レベルにリセットされる。
次にディジタル回路2から出力された直列データ「LHLLLLL…」がシフトレジスタ73に入力され、同時にスイッチコントロール端子1dより「L」レベルがテスト装置T3より印加されると、図5に示すように、シフトレジスタ73のスイッチコントロール端子73a〜73eからの切替信号A 〜A は、シフトクロックCLKによって順次「H」レベルがシフトされたものとなる。
【0021】
そして、図3に示すように、シフトレジスタ73のスイッチコントロール端子73a〜73eから出力された切替信号A 〜A はスイッチ群72をコントロールし、順にオン/オフが移動する。これによってラダー抵抗回路71からの電圧が基準電圧端子7cに順々に伝達される。この基準電圧Vref は階段状に変化する波形が周期的に繰り返されたものとなる。
次に、DAC4からのランプ波形のアナログ出力V と上記基準電圧Vref とをコンパレータ5で比較し、出力端子1bへ伝達されたディジタル信号をテスト装置T3において期待値と比較し良品/不良品を判定する。ここでは、アナログ出力V と基準電圧Vref とを比較することによって、例えば、DAC4のリニアリティが測定される。また、このテスト装置T3においては、所定のディジタル信号用入出力端子1a,1a,…から出力されたディジタル信号に基づいて、ディジタル回路2についても調べられる。
なお、通常動作時の動作は、実施の形態1の場合と同様であるので、説明を省略する。
【0022】
以上のように、この実施の形態2によれば、実施の形態1で述べた効果に加えて、基準電圧発生器を半導体装置内部に設けたので、テスト装置に高精度の基準信号源が不要になるという効果が得られる。また、例えば、ラダー抵抗回路の抵抗の数やシフトレジスタの段数等を変えることによって、自在に所望の精度を設定し、かつ、所定の基準電圧波形を作成して半導体装置のテストを行うことができるという効果が得られる。また、基準電圧端子1cを外部ピンとして持つ必要がなくなるという効果が得られる。
【0023】
なお、上記実施の形態2においては、コンパレータ5からランプ波形を出力し、DACのリニアリティをテストする場合について述べたが、コンパレータ5から出力される信号はランプ波形に限らず、例えば、正弦波形であっても良いし、また、実施できるDACのテスト項目はリニアリティに限らない。
【0024】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、高価な多ピンのアナログ・ディジタル混在半導体装置用のテスト装置が不要になり、安価なテスト装置のみで半導体装置のテストが可能になるので、テストコストが削減できる効果がある。
【0025】
この発明によれば、基準信号作成手段を半導体装置内部に設けることによって、テスト装置に高精度の基準信号源が不要となるという効果がある。
【0026】
この発明によれば、例えば、抵抗回路の抵抗の数やシフトレジスタの段数等を変えることによって、自在に所望の精度を設定し、かつ、所定の基準信号波形を作成して半導体装置のテストを行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1による半導体装置の構成を示すブロック図である。
【図2】この発明の実施の形態2による半導体装置の構成を示すブロック図である。
【図3】この発明の実施の形態2による基準電圧発生器の構成を示す回路図である。
【図4】この発明の実施の形態2による基準電圧発生器のシフトレジスタの構成を示す回路図である。
【図5】この発明の実施の形態2によるシフトレジスタの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図6】従来の半導体装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 半導体装置、1a,1a,… ディジタル信号用入出力端子、1b 出力端子、2 ディジタル回路、3 クロック/タイミング発生器(クロック発生手段)、4 DAC(ディジタル・アナログ変換器)、5 コンパレータ(比較手段)、6 スイッチ(モード切替手段)、7 基準電圧発生器(基準信号作成手段)、71 ラダー抵抗回路(抵抗回路)、72a〜72e スイッチ、73 シフトレジスタ、7c 基準電圧出力端子(基準信号作成手段の出力端子)、R 〜R 抵抗、V 〜V 節点、T2,T3 テスト装置。

Claims (5)

  1. 多数のディジタル信号用入出力端子と、前記ディジタル信号用入出力端子を介してディジタル信号の入出力が行われるディジタル回路と、前記ディジタル回路から出力された所定のディジタル信号をアナログ信号に変換するディジタル・アナログ変換器と、前記ディジタル・アナログ変換器の出力端子と、クロックを前記ディジタル回路及び前記ディジタル・アナログ変換器へ供給するクロック発生手段とを備えた半導体装置において、
    前記ディジタル・アナログ変換器から出力されるアナログ信号とテスト用基準信号とを比較して、その比較結果をテスト装置へ出力する比較手段を備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. 通常動作時にはディジタル・アナログ変換器側と出力端子側とを接続し、テスト時には比較手段の出力端子側と前記出力端子側とを接続するモード切替手段が付加されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. テスト用基準信号を作成する基準信号作成手段を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。
  4. 基準信号作成手段は、電源に接続され、複数の抵抗が組み合わされてなる抵抗回路と、前記基準信号作成手段の出力端子側及び前記抵抗回路の所定の節点の間の接続または切離しを行う複数のスイッチと、前記各スイッチを所定のタイミングで切り替えるための切替制御信号を出力するシフトレジスタとを有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
  5. ディジタル信号用入出力端子から所定のディジタル信号をディジタル回路に入力し、前記ディジタル回路から出力されたディジタル信号をディジタル・アナログ変換器によってアナログ信号に変換し、前記アナログ信号とテスト用基準信号とを比較して、その比較結果を前記テスト装置へ出力し、前記テスト装置で、取り込まれた前記比較結果に基づいて前記半導体装置の良否を判定することを特徴とする半導体装置のテスト方法。
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