JP3591407B2 - Local processing unit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物の表面をエッチング、アッシング、改質し又は薄膜を形成する表面処理技術に関し、特に大気圧又はその近傍の圧力下でプラズマに生成される励起活性種を用いて局所的に表面処理をする局所処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、大気圧付近の圧力下でのプラズマ放電により生成される励起活性種を利用することによって、真空設備を必要とせずに低コストで被処理物の表面を様々に処理することができる表面処理技術が知られている。大気圧下でのプラズマによる表面処理には、電極と被処理物間で直接気体放電を生じさせ、これにより発生するプラズマに直接曝露させる直接放電方式と、一対の電極間での気体放電によりプラズマを発生させ、それにより生成される励起活性種に被処理物を曝露させる間接放電方式とがある。
【0003】
間接放電方式は、直接放電方式に比して処理レートが低いので高出力を要求される場合があるが、チャージアップによる被処理物の損傷の虞がない点で有利である。このような大気圧プラズマに局所表面処理に適した表面処理装置の典型例が、特開平9−232293号公報に開示されている。この従来装置は、例えば内径1mm以下の狭小な断面を有するガラス等の誘電体材料からなる細い放電管と、当該放電管を挟むように対向配置された一対の電極とを備え、放電管先端のノズル部を被処理物の表面に向けて配置する。ガス供給源から放電管内に所定のガスを導入しつつ、両電極間で気体放電を発生させることにより生成される励起活性種を含む反応性ガスを、ノズル部から細いガス流として被処理物表面に噴射する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来においては以下のような問題があった。
【0005】
上記したように、放電管は内径1mm以下といった小径のものを使用する。このため、放電管を内部に取り込むケーシングを設けるのが一般的である。前記ケーシングは金属材料にて形成し、外部への電磁的なシールドを行わせるのが一般的である。また、ケーシング内に設けた放電管を振動等から保護するため、誘電体からなる保護部材をケーシング内に充填して放電管の周囲を覆うことが好ましい。
【0006】
しかし、このような場合に、高周波電圧を電極に印加すると、保護部材を介してケーシングへの高周波電力の漏れが発生し、電極に伝導する高周波電力に無視できない程の損失を与えていた。電極に印加される高周波電力の損失により、気体放電による表面処理効率も低下するため、ケーシングへの高周波電力の漏れを防止することが望まれていた。
【0007】
本発明の目的は、高周波電力の損失を最小限として、安定した気体放電を行うことのできる局所処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
伝導経路の絶縁保持を行うにあたり、上記したような誘電体で周囲を覆わせることが考えられる。しかし、大気雰囲気中よりも誘電体(絶縁体)の方が、比誘電率は数倍以上大きい。このため、ケーシング内を誘電体で充填させる構成とするよりも、ケーシング内を大気雰囲気中に近づける方が、高周波電力の漏れを効果的に防止できることに本願発明者は着目した。
【0009】
本発明に係る局所処理装置は上記した知見に基づいてなされ、電磁的遮蔽をなすケーシング内に処理用気体を流通させる放電管が形成されてなり、当該放電管の周囲に誘電体にてなる保護部材が配置されてなるとともに、当該放電管の両側に一対の電極が配置され、当該電極の一方にリードが接続されてなり、前記一方の電極と前記リードによって形成されてなる伝導経路及び保護部材とケーシングとの間に中空部分が形成されてなる構成とした。
【0010】
このため、高周波電圧を伝導経路に伝導させる際に、前記伝導経路及び前記保護部材と、ケーシングとの絶縁保持が効果的になされ、もれ電流を最小化することができる。これにより、気体放電を安定的に発生させることができる。
また、本発明に係る局所排気装置は、放電管の先端に、着脱可能なノズルチップを有するため、異なる孔径のものに交換でき、表面処理するエリアを調整することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の局所処理装置の実施形態について図面に従って詳細に説明する。
【0012】
図1は本実施形態における局所処理装置20の断面図である。本実施形態における局所処理装置20はケーシング部材21を有している。前記ケーシング部材21は、上部ケーシング部材22、中部ケーシング部材24、下部ケーシング部材26、底部ケーシング部材28にて形成される。前記上部〜底部ケーシング部材22,24,26,28は、それぞれ略角柱形状のブロック体のセンター部を略円筒形状に刳り抜いたものである。前記ケーシング部材21は、前記上部〜底部ケーシング部材22,24,26,28の刳り抜き部を芯合わせして密接してなっている。このため、ケーシング部材21は、ケーシング部材22,24,26,28の一部を省略したり追加したりできるため、ケーシング部材21内に入れ込む部材に合わせてサイズを調節することができる。本実施形態においては、ケーシング部材21はアルミにて形成している。このため、ケーシング部材21外部への電磁波の遮蔽をすることができる。なお、ケーシング部材21の材料としては、アルミに限らずシールド機能を有する材質のものであればよい。
【0013】
前記ケーシング部材21の軸心上には直管状の放電管40が配置されている。前記放電管40は上端部を上部ケーシング部材22の軸心上に位置し、放電管40下端部を底部ケーシング部材28内壁面に臨ませている。一方、前記放電管40下端部に対向する底部ケーシング部材28の対向面には、ノズルチップ44が外部に突出する形で着脱自在に設けられ、当該ノズルチップ44に前記放電管40の下端部がはめ込まれている。このように、放電管40とノズルチップ44とを分離可能に形成させたことにより、ノズルチップ44を異なる孔径のものに交換することができる。このため、表面処理するエリアを調整することができる。また、ノズルチップ44の材料としては、ステンレス(SUS)やアルミが好ましい。
【0014】
前記ノズルチップ44は底部ケーシング部材28内に上端部を突出させている。前記ノズルチップ44の上端部は略円筒形状に形成したノズルホルダ42に螺着されて固定保持される。ノズルホルダ42の材質としては、ステンレス(SUS)やアルミが好ましい。
【0015】
前記放電管40は、下部ケーシング部材26に対向する面の周囲を保護部材36にて覆わせている。前記保護部材36は、受け部37の中央部に仕切り部39を一体的に垂設した逆T字形状をなしている。前記保護部材36は仕切り部39の中心軸部に放電管40を貫通させ、放電管40の保護をなしている。そして、保護部材36は、受け部37下面を前記ノズルホルダ42の上面に当接され、ノズルホルダ42にて支持される。
【0016】
前記保護部材36の仕切り部39の両面39a,39bの図2(a)に示した上下方向中央には、それぞれ一対の棒状電極46,48を当接させている。前記一対の棒状電極46,48はそれぞれ略直方形状をなしており、図2(a)に示すように前記保護部材36の仕切り部39を挟み込んで上面視一直線状となるように対向配置している。棒状電極46,48に挟み込まれた仕切り部39軸心部を放電管40が上下方向を貫通しており、当該放電管40の貫通部分内で気体放電を起こさせるのである。このように、前記一対の棒状電極46,48はノズルチップ44近傍に配置している。これにより、プラズマなどの励起活性種が直ちにノズルチップ44から外部へ放出することができる。このため、十分な励起活性種を被処理物表面に到達させることができる。
【0017】
また、受け部37の長手方向の長さは棒状電極46,48の長手方向の長さより長く形成している。これにより、両電極46,48の設置面積を確保させている。特に、高周波電圧を印加される棒状電極46は、底部ケーシング部材28を直線的に臨めないため、棒状電極46と底部ケーシング部材28との間で放電が発生することを防止できる。前記保護部材36はアルミナや石英にて形成しており、両電極46,48の絶縁を保持させている。なお、保護部材36の材料としては、絶縁体材料であればこれに限られない。
【0018】
そして、前記保護部材36の仕切り部39の高さは、図2(b)に示すように、前記棒状電極46,48よりも高く形成してある。また、前記保護部材36の仕切り部39a,39bは前記棒状電極46,48の厚み方向に対して十分長く形成している。これにより、棒状電極46,48同士が直線的に臨めないようにしている。棒状電極46,48同士が直線的に臨めると、棒状電極46,48に印加させる際に、保護部材36の表面(沿面)を伝って導通してしまう沿面放電が発生するおそれがある。沿面放電が発生すると、放電管40内での気体放電が発生せずまたは発生した気体放電を停止させてしまう。上記したように、前記保護部材36の仕切り部39は、前記棒状電極46、48の厚み方向に対して十分長く形成しているため、沿面放電を防止することができる。このため、放電管40内を介した気体放電を確実に発生させることができ、また発生した気体放電を安定して持続させることができる。前記棒状電極46,48はアルミにて形成しており、それぞれ表面に金めっきを施している。これにより、棒状電極46,48の腐食、酸化を防止させることができる。そして、金は高い導電性を有しているため、棒状電極の伝導効率を向上させることができる。また、棒状電極46,48の性能の劣化を防止することができる。
【0019】
前記棒状電極46背面と、ケーシング部材21内壁面との間には、ホルダ部材50が介在している。前記ホルダ部材50は基端部を下部ケーシング部材26内壁面に当接し、ホルダ部材50の先端部を前記棒状電極46の背面部に当接させている。これにより、棒状電極46が保護部材36側に位置決め保持されている。前記ホルダ部材50の材質としては、アルミナや石英を好ましく用いることができるが、絶縁体材料であればこれに限られない。
【0020】
これに対して、他方の棒状電極48は、下部ケーシング部材21の外表面まで露出した延長電極49に一体的に連結されている。前記延長電極49は、図示しないアース経路に接続されている。これにより、棒状電極48の接地が確保されている。
【0021】
前記保護部材36の上には、略円柱形状の中間部材34が配置されている。前記中間部材34は側面部を中部ケーシング部材24の内壁面に対向するよう配置している。そして、前記中間部材34は下面を前記保護部材36の仕切り部39の上面に当接して、前記保護部材36の位置決めをなしているのである。また、前記中間部材34の中心軸部には貫通孔が設けられ、当該貫通孔内に放電管40を挿入させて当該放電管40を保護しているのである。なお、前記中間部材34としては、テフロンやマイカ系セラミックスが好ましいが、絶縁体材料であればこれに限られない。
【0022】
前記中間部材34の上側には、絶縁部材32が配置されている。前記絶縁部材32は前記上部ケーシング部材22の刳り抜き部に対応する略円柱形状をなしている。前記絶縁部材32は前記上部ケーシング部材32の刳り抜き部にはめ込まれている。これにより、ケーシング部材21の上面方向における密閉がなされ、ケーシング部材21内部に密閉空間を形成させることができる。絶縁部材32の上面は断面凹部形状に形成してあり、当該凹部底面は前記中間部材34上面に対応させて形成している。そして、絶縁部材32の下面は下方に張り出した断面逆凸部形状に形成してあり、当該逆凸部下面にて中間部材34上面と当接させている。前記絶縁部材32は周面部に開口したガス流入孔33を有している。上部ケーシング部材22の一側面部にも、図示しないガス供給源に接続したガス流入パイプ62が設けてあり、当該ガス流入パイプ62の先端部を前記ガス流入孔33の上開口部に対応させている。前記ガス流入孔33は前記上開口部から絶縁部材32の軸中心方向に向って伸び、当該軸中心部にて軸心に沿って下方へ屈曲する。そして、前記ガス流入孔33は前記絶縁部材32の下面まで達し、当該下面部にて下開口部を有している。前記絶縁部材32下面部のガス流入孔33の下開口部には、放電管40の上端部が挿入される。このため、ガス流入パイプ62から流入された処理気体がガス流入孔33を介して放電管40上部に送り出されるのである。また、前記ガス流入孔33下開口部の内壁面は、円筒形状の押え部材35が形成されている。前記押え部材35には内側フランジが形成してあり、当該内側フランジが前記放電管40上部に当接して下方向に付勢する。このため、前記放電管40の位置決めをなすことができるのである。前記絶縁部材32はテフロンにて形成され、絶縁保持を行わせている。なお、前記絶縁部材32は、絶縁体材料であればこれに限られない。
【0023】
また、前記上部ケーシング部材22上面の軸中心方向からリード30が挿入配置されている。前記リード30は、前記絶縁部材32上面付近にて直径方向に屈曲する。そして、絶縁部材32の上面凹部内壁面に沿って下降し、絶縁部材32を貫通する。上記したように絶縁部材32の上面凹部底面は中間部材34上面に対応して形成しているため、前記絶縁部材32を貫通するリード30は、中間部材34の側面に当接するように下降する。これにより中間部材34にてリード30の保護を行わせることができる。前記リード30は、さらに下方に伸びて棒状電極46に接続する。これにより、リード30は棒状電極46との電気的導通が確保される。そして、前記リード30は下端部を保護部材36の受け部37aに当接し、伝導効率を向上させるのである。
【0024】
前記リード30は、複数の板状部材にて形成し、当該複数の板状部材を積層配置させてなっている。本実施形態においては、前記リード30は、前記板状部材を3枚積層配置させたものとしている。そして、本実施形態においては、リード30の上端部が、図示しない高周波電源に接続している。本実施形態においては、高周波電圧として、周波数が40.68MHzのものを用いている。図示しない高周波電源にて発生した高周波電力は前記リード30の上端部より伝導されるが、このような高周波電力はリード30の内部ではなくリード30の表面部を通して棒状電極46に伝導する。上記したように、リード30は複数の板状部材を積層配置しているが、高周波電力は板状部材の間隙を介して表面部を伝導する。本実施形態においては、3枚の板状部材を積層配置させているため、高周波電力の伝導効率を3倍化させることができる。これにより、棒状電極46に効率よく高周波電圧を印加させることができ、高周波電圧にて気体放電を行わせることができるのである。このように高周波電圧を棒状電極46に印加することにより、棒状電極46,48間で電子が高周波振動し、この電子の衝突により処理気体がプラズマ化され励起活性種となる。従って、高密度のプラズマを高い生成率で発生することができるとともに、異常放電を起こりにくくすることができる。また、リード30全体の体積を減少させてもリード30の表面積を増加させることで電力を効率よく伝えて、局所処理装置20をコンパクト化することができる。さらに、前記高周波電圧は、周波数が30MHz以上のものを用いることにより、高周波電圧の伝導効率を保持しつつ棒状電極46,48間にて電子が振動するため、棒状電極46,48に電子が衝突して損傷を与えることなく高密度のプラズマを発生させることができ、処理効率を向上させることができる。
【0025】
また、前記リード30は銅にて形成され、表面に金めっきを施している。これにより、前記リード30の酸化を防止して安定的に高周波電力を伝導させることができる。
【0026】
前記局所処理装置20は、前記伝導経路(リード30、棒状電極46)及び前記保護部材(保護部材36、中間部材34)と、ケーシング部材21内との間に中空領域60を設けて絶縁空間を形成している。前記伝導経路の周囲をマイカ系セラミックスなどの誘電体で囲って絶縁する形態も考えられる。しかし、図3(b)に示したように、大気雰囲気中よりも誘電体(絶縁体)であるマイカ系セラミックスの方が、比誘電率は5倍以上大きい。このように、伝導経路の周囲を誘電体で囲む構成とするよりも、中空領域を形成させて大気雰囲気中とする方が絶縁保持を効果的に行えることに本願発明者は着目した。このように中空領域60を形成させたため、前記伝導経路(リード30、棒状電極46)及び前記保護部材(保護部材36、中間部材34)と、ケーシング部材21内との絶縁保持が効果的になされ、もれ電流を最小化することができる。これにより、気体放電を安定的に発生させることができるのである。
【0027】
また、下部ケーシング部材26の一側面部には空気供給管52を突設するとともに、下部ケーシング部材26の他側面部には空気放出管54を突設している。空気供給管52より冷却空気をケーシング部材21内に案内する。そして、ケーシング部材21内の中空領域60を通ってケーシング部材21内部の熱交換を行い、空気放出管54よりケーシング部材21外部に放出される。これにより、電極のプラズマ生成過程における過熱状態を防止することができ、ケーシング部材21内部の温度を一定に保持することができ、放電を安定させることができる。電極部の熱膨張等による破損を防止することができる。なお、ケーシング部材21内の電極部を空冷できるような構造であれば特に上記構造に限られない。
【0028】
以上のように構成した局所処理装置20の作用は以下のようになる。局所処理装置20は、ノズルチップ44の先端を図示しない被処理物の上方に臨ませている。
【0029】
処理用気体が上部ケーシング部材22側壁に設けた放電管40開口部に流入する。処理用気体は放電管40内を進行してケーシング部材21内を下降する。下部ケーシング部材26の部分においては、棒状電極46,48に高周波電圧が印加され、放電管40内に気体放電が発生する。本実施形態においては、高周波で電圧を印加させているため、高密度の励起活性種を発生させることができる。前記励起活性種はノズルチップ44からすぐ被処理物上に送りだされるため、十分な励起活性種を被処理物上に送り出し、表面処理を行わせることができる。被処理物としては半導体チップ、ウエハ等がある。処理工程としては、エッチング、アッシング、改質し又は薄膜形成等があるが、特に用途はこれに限られない。
【0030】
図3(a)に実施例である局所処理装置20と比較例の局所処理装置におけるアッシングレイトの比較図を示す。比較例の局所処理装置は中空領域60にマイカ系セラミックスを配置したものである。処理条件としては、He流量は2l/minであり、O2流量は30ml/minである。ノズルチップ先端から被処理物までの距離は、0.5mm程度である。ノズルチップの外径は3.0mmであり、内径は1.5mmである。上記処理条件において実施例と比較例のアッシングレイトを比較すると、図3(a)に示すように同じ出力でも処理効率を3倍以上に上昇させることができるという結果を得た。
【0031】
【発明の効果】
本発明における局所処理装置においては、電磁的遮蔽をなすケーシング内に処理用気体を流通させる放電管が形成されてなり、当該放電管の周囲に誘電体にてなる保護部材が配置されてなるとともに、当該放電管の両側に一対の電極が配置され、当該電極の一方にリードが接続されてなり、前記一方の電極と前記リードによって形成されてなる伝導経路及び保護部材とケーシングとの間に中空部分が形成されてなるため、前記伝導経路及び前記保護部材と、ケーシング内の絶縁保持が効果的になされ、もれ電流を最小化することができる。これにより、気体放電を安定的に発生させることができるのである。
【0032】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における局所処理装置を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態における局所処理装置の要部上面図及び斜視図である。
【図3】本発明における局所処理装置の処理効率と材質の比誘電率を示す説明図である。
【符号の説明】
20………局所表面処理装置
21………ケーシング部材
22………上部ケーシング部材
24………中部ケーシング部材
26………下部ケーシング部材
28………底部ケーシング部材
30………リード
32………絶縁部材
33………ガス流入孔
34………中間部材
35………押え部材
36………保護部材
37………受け部
39………仕切り部
40………放電管
42………ノズルホルダ
44………ノズルチップ
46………棒状電極
48………棒状電極
49………延長電極
50………ホルダ部材
52………空気供給管
54………空気放出管
60………中空領域
62………ガス流入パイプ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface treatment technique for etching, ashing, modifying, or forming a thin film on a surface of an object to be treated, and in particular, locally using an excited active species generated in a plasma at or near atmospheric pressure. The present invention relates to a local processing apparatus for performing a surface treatment on an object.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, by using excited active species generated by plasma discharge under a pressure near the atmospheric pressure, a surface capable of variously treating the surface of an object to be processed at low cost without requiring vacuum equipment. Processing techniques are known. For surface treatment with plasma under atmospheric pressure, a gas discharge is directly generated between the electrode and the object to be processed, and the plasma is directly exposed to the generated plasma. And an indirect discharge method in which an object to be processed is exposed to excited active species generated thereby.
[0003]
The indirect discharge method requires a high output because the processing rate is lower than that of the direct discharge method. However, the indirect discharge method is advantageous in that there is no risk of damage to the workpiece due to charge-up. A typical example of a surface treatment apparatus suitable for local surface treatment for such atmospheric pressure plasma is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-232293. This conventional device includes, for example, a thin discharge tube made of a dielectric material such as glass having a narrow cross section having an inner diameter of 1 mm or less, and a pair of electrodes arranged to face each other so as to sandwich the discharge tube. The nozzle portion is arranged facing the surface of the workpiece. A reactive gas containing excited active species generated by generating a gas discharge between both electrodes while introducing a predetermined gas from a gas supply source into a discharge tube is converted into a thin gas flow from a nozzle portion on the surface of the workpiece. Spray.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, conventionally, there were the following problems.
[0005]
As described above, a discharge tube having a small diameter of 1 mm or less is used. For this reason, it is common to provide a casing for taking the discharge tube inside. In general, the casing is formed of a metal material and electromagnetically shields the outside. Further, in order to protect the discharge tube provided in the casing from vibrations or the like, it is preferable to cover the periphery of the discharge tube by filling the casing with a protective member made of a dielectric material.
[0006]
However, in such a case, when a high-frequency voltage is applied to the electrode, high-frequency power leaks to the casing via the protective member, causing a considerable amount of loss in the high-frequency power transmitted to the electrode. Since the loss of the high-frequency power applied to the electrodes also reduces the surface treatment efficiency due to gas discharge, it has been desired to prevent the high-frequency power from leaking to the casing.
[0007]
An object of the present invention is to provide a local processing apparatus capable of performing stable gas discharge while minimizing loss of high-frequency power.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to maintain the insulation of the conduction path, it is conceivable to cover the periphery with the above-described dielectric. However, the relative permittivity of the dielectric (insulator) is several times or more higher than that in the air atmosphere. For this reason, the inventor of the present application has noticed that leakage of high-frequency power can be more effectively prevented by bringing the inside of the casing closer to the atmosphere than by using a structure in which the inside of the casing is filled with a dielectric.
[0009]
The local processing apparatus according to the present invention is made based on the above-mentioned knowledge, and includes a discharge tube for flowing a processing gas in a casing forming an electromagnetic shield, and a protection made of a dielectric material around the discharge tube. A member is arranged, a pair of electrodes are arranged on both sides of the discharge tube, a lead is connected to one of the electrodes, and a conduction path and a protection member formed by the one electrode and the lead A hollow portion is formed between the casing and the casing.
[0010]
Therefore, when the high-frequency voltage is transmitted to the conduction path, insulation between the conduction path and the protection member and the casing is effectively maintained, and leakage current can be minimized. Thereby, gas discharge can be generated stably.
Moreover, since the local exhaust device according to the present invention has a detachable nozzle tip at the tip of the discharge tube, the local exhaust device can be replaced with one having a different hole diameter and the area to be surface-treated can be adjusted.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the local processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0012]
FIG. 1 is a cross-sectional view of the
[0013]
A
[0014]
The
[0015]
The
[0016]
A pair of rod-shaped
[0017]
The length of the receiving
[0018]
The height of the
[0019]
A
[0020]
On the other hand, the other rod-shaped
[0021]
A substantially cylindrical
[0022]
An insulating
[0023]
A lead 30 is inserted and arranged from the axial center direction of the upper surface of the
[0024]
The
[0025]
The
[0026]
The
[0027]
An
[0028]
The operation of the
[0029]
The processing gas flows into the opening of the
[0030]
FIG. 3A shows a comparison diagram of the ashing rate between the
[0031]
【The invention's effect】
In the local processing apparatus according to the present invention, a discharge tube that circulates a processing gas is formed in a casing that forms an electromagnetic shield, and a protective member made of a dielectric is disposed around the discharge tube. A pair of electrodes are arranged on both sides of the discharge tube, a lead is connected to one of the electrodes, and a hollow is formed between the one electrode and the conductive path formed by the lead and the protective member and the casing. Since the portion is formed, insulation between the conduction path and the protection member and the casing is effectively maintained, and leakage current can be minimized. Thereby, gas discharge can be stably generated.
[0032]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a local processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a top view and a perspective view of a main part of the local processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the processing efficiency and relative permittivity of a material of the local processing apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
20 Local
Claims (2)
前記ケーシングは前記放電管、前記保護部材、前記一対の電極を内包し、配管、配線用の開口を設けた上で、胴部と底面を閉鎖し、さらに上部を絶縁材料にて閉鎖し、
前記一対の電極の一方にリードが接続され、他方の電極はアース経路に接続され、
前記リードが接続された電極と、前記ケーシングの胴部の間に空間を設けるとともに、前記リードによって形成される伝導経路と、前記ケーシングの胴部の間にも空間を設け、
前記保護部材と前記ケーシングの胴部との間に空間を設け、且つ前記保護部材と前記ケーシングの底部との間にも空間を設けたことを特徴とする局所処理装置。In a casing that forms an electromagnetic shield, a discharge tube that allows a processing gas to flow is formed, and a protective member made of a dielectric material is arranged around the discharge tube.The protective member, on both sides of the discharge tube, A local processing apparatus in which a pair of electrodes is arranged, an excited active species is obtained by a high-frequency voltage applied to the electrodes, and is sent out from a nozzle onto an object to be processed.
The casing encloses the discharge tube, the protection member, and the pair of electrodes, and provides a pipe and an opening for wiring , then closes a body and a bottom surface, and further closes an upper portion with an insulating material,
A lead is connected to one of the pair of electrodes, and the other electrode is connected to a ground path,
A space is provided between the electrode to which the lead is connected and the body of the casing, and a space is also provided between the conduction path formed by the lead and the body of the casing,
A local processing apparatus, wherein a space is provided between the protection member and a body of the casing, and a space is also provided between the protection member and a bottom of the casing.
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