[go: up one dir, main page]

JP3566812B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3566812B2
JP3566812B2 JP23238496A JP23238496A JP3566812B2 JP 3566812 B2 JP3566812 B2 JP 3566812B2 JP 23238496 A JP23238496 A JP 23238496A JP 23238496 A JP23238496 A JP 23238496A JP 3566812 B2 JP3566812 B2 JP 3566812B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin body
resin
cutting
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23238496A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1079462A (ja
Inventor
温彦 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23238496A priority Critical patent/JP3566812B2/ja
Publication of JPH1079462A publication Critical patent/JPH1079462A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3566812B2 publication Critical patent/JP3566812B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにモールド金型に関し、特に、封止体形成領域および流出樹脂体形成領域ならびに前記両領域を連結する連結樹脂体形成領域を有するリードフレームに、トランスファモールドによって封止体(パッケージ)および流出樹脂体ならびに連結樹脂体を形成した後、前記連結樹脂体および前記流出樹脂体をリードフレーム部分の切断によってリードフレームから切断分離する技術に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
IC(集積回路装置)等の半導体装置において、半導体チップやワイヤ等を樹脂(レジン)による封止体によって封止する構造が知られている。
【0003】
樹脂封止型半導体装置は、リードフレームを使用して製造される。半導体チップの固定およびワイヤボンディングが終了したリードフレームは、トランスファモールド装置によって封止領域(封止体形成領域)がモールドされる。その後封止領域から食み出したレジンバリの除去、リードを連結するタイバー(ダム)の切断除去,リード切断,リード成形等が行われ、所望の半導体装置が製造される。
【0004】
日経BP社発行「VLSIパッケージング技術(下)」1993年5月15日発行、P41〜P50には、バリ取り,ダム切断,リード切断,リード成形等の技術について記載されている。
【0005】
また、樹脂封止型半導体装置の製造において、封止体内に気泡(ボイド)を発生させないようにするため、モールド金型にオーバランナ,ダミーキャビティ,フローキャビティ等の樹脂溜まりを設け、空気を多く含む樹脂流の先端部分を前記オーバランナ,ダミーキャビティ,フローキャビティ等に案内するようになっている。
【0006】
前記オーバランナ,ダミーキャビティについては、たとえば工業調査会発行「電子材料」1987年8月号、同年8月1日発行、P73〜P79に記載されている。また、同文献には、パッケージ周りの不要部分(樹脂落とし,タイバーカット,ピンチリードカット,リードカットなど)の処理技術(トリム&フォーム)について記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本出願人においては、パッケージ内に気泡が発生しないように、トランスファモールドにおいて流出樹脂体形成用キャビティ(フローキャビティ)を有するモールド金型を使用している。また、モールド後は前記流出樹脂体形成用キャビティに形成された流出樹脂体をリードフレームから切断除去するとともに、同時に前記流出樹脂体と封止体を連結する連結樹脂体が形成されたリードフレーム部分(以下、この部分を説明の便宜上、特に被切断除去リードフレーム部分と呼称する)を切断して前記連結樹脂体をリードフレームから分離している。前記流出樹脂体はリードフレームの表裏面に亘る領域に設けるが、前記連結樹脂体はリードフレームの一面(たとえば下面)に設けられる。
【0008】
図15および図16はトランスファモールドが終了したリードフレーム1であり、いずれもリードフレーム1の表裏に亘る封止体(パッケージ)2および流出樹脂体3と、リードフレーム1の裏面(下面)に設けられた連結樹脂体4が示されている。
【0009】
モールド後、図17に示すように、切断装置の流出樹脂体切断機構10によって、前記流出樹脂体3および連結樹脂体4を切断除去してリードフレーム1から分離する。前記流出樹脂体切断機構10は、ダイ11上にリードフレーム1を載置した後、パンチガイド12でパンチ13をガイドし、パンチ13の押し下げによってリードフレーム部分を切断して、前記流出樹脂体3と連結樹脂体4を切断除去する。
【0010】
図18は前記流出樹脂体3と連結樹脂体4を切断除去したリードフレーム1を示す図であり、図19は切断分離された流出樹脂体3と連結樹脂体4を示すものである。
【0011】
図示はしないが、前記流出樹脂体3はリードフレームに穿たれた開口部内に形成され、かつ前記開口部内に延在する細い支持部によって支持される構造となっていることから、パンチ13の窪んだ押下面13aで流出樹脂体3を押し下げることで前記支持部は切断されるため、流出樹脂体3はリードフレーム1から分離される。
【0012】
また、前記連結樹脂体4は前記流出樹脂体3に連なることから、連結樹脂体4を分離するためには、連結樹脂体4が張り付く被切断除去リードフレーム部分9を連結樹脂体4の両側に沿って切断し、かつパッケージ2との界面部分を破断する必要がある。連結樹脂体4を支持するリードフレーム部分の切断、すなわち、被切断除去リードフレーム部分9の切断は、前記ダイ11とパンチ13によって行われる。図17には被切断除去リードフレーム部分9が切断されて小片14となった状態が示されている。
【0013】
また、パッケージ2と連結樹脂体4との界面部分は細く括れているため、前記パンチ13の突出した押下面13bで分離された小片14を押し下げると前記界面で破断する。したがって、パンチ13の押し下げによって流出樹脂体3および連結樹脂体4等からなる打ち抜き片8は、図19に示すように、リードフレーム1から分離する。
【0014】
しかし、前記小片14はその下面が連結樹脂体4に張り付く構造、あるいは小片14の下面が連結樹脂体4に張り付き、端面が前記流出樹脂体3に張り付く構造となっているだけであることから、小片14は連結樹脂体4等から容易に剥離して、図17に示すように、打ち抜き片8から剥離してパンチ13の押下面13bに張り付く現象が発生する。
【0015】
前記小片14はその後の機械の振動等によって容易に脱落する。また、前記小片14には樹脂塊が付着している場合があり、このような場合前記小片14の脱落時等に樹脂塊は分離して落下する。前記小片14や樹脂塊の落下は後続の製品の加工時つぎのような弊害をもたらす。
【0016】
すなわち、前記小片14や樹脂塊が脱落してリードフレーム(リード)やパッケージに付着すると、切断金型では、リードフレームをクランプした際、付着した小片や樹脂塊の介在によって段差が生じ、リードの付け根のパッケージ部分に大きな力が作用してパッケージにクラック(割れ),欠け等が生じる。図20にパッケージ2にクラック15が発生した状態を示す。
【0017】
また、前記応力はパッケージの内部にまで及び、半導体チップにクラックや割れが発生することもある。これらの現象は製品不良の原因となる。
【0018】
また、図21はリードフレーム1のリード5部分に樹脂塊が介在された場合であり、リード5の表面に打痕7が付く。この打痕7は外観不良となる。また、リード5部分に小片14や樹脂塊が介在された状態で流出樹脂体等の切断を行うと、リード5が曲がる場合がある。
【0019】
また、金型内の搬送レール,装置の搬送レールに小片や樹脂塊が付着すると、搬送不良を引き起こし、金型破損やリードフレーム(半導体装置)破損が発生し、生産不能や歩留り低下等の製造不良を引き起こす。
【0020】
本発明の目的は、リードフレーム小片や樹脂塊の脱落に起因する製品不良や製造不良等の発生を防止できる半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにモールド金型を提供することにある。
【0021】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0026】
(1)リードフレームの所定領域を樹脂でモールドして封止体で被うモールド工程と、前記リードフレームの不要部分およびモールドによって発生した樹脂体の不要部分を切断除去する切断除去工程とを有し、前記切断除去工程では一面側に前記樹脂体が形成された被切断除去リードフレーム部分を前記リードフレームから切断除去する処理を含む半導体装置の製造方法であって、
前記モールド工程では前記樹脂体と前記被切断除去リードフレーム部分が一体となるようにモールドすることを特徴とし、
前記リードフレームにおいては、前記モールドによっていずれも樹脂で被われる封止体形成領域および流出樹脂体形成領域ならびに前記両領域を連結する連結樹脂体形成領域を有し、前記連結樹脂体形成領域は前記被切断除去リードフレーム部分に設けられ、前記流出樹脂体形成領域は表裏面に設けられ、前記連結樹脂体形成領域は表裏面の一面にのみ設けられ、前記リードフレームの前記流出樹脂体形成領域は前記流出樹脂体を支持する支持部を有する開口部で形成しておくとともに、前記連結樹脂体形成領域のリードフレーム部分に穴を設けておき、
前記モールドにおいては、前記封止体形成領域および前記連結樹脂体形成領域ならびに前記流出樹脂体形成領域に封止体および連結樹脂体ならびに流出樹脂体を形成し、
前記切断除去においては、前記支持部または前記支持部を支持するリードフレーム部分を切断して前記流出樹脂体をリードフレームから切断除去するとともに、前記被切断除去リードフレーム部分を切断することによってリードフレームから前記連結樹脂体を切断除去し、かつ前記流出樹脂体および前記連結樹脂体の切断除去は前記流出樹脂体を支持するリードフレーム部分と前記連結樹脂体を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断することを特徴とする。
【0029】
(2)リードフレームの所定領域を樹脂でモールドして封止体で被うモールド工程と、前記リードフレームの不要部分およびモールドによって発生した樹脂体の不要部分を切断除去する切断除去工程とを有し、前記切断除去工程では一面側に前記樹脂体が形成された被切断除去リードフレーム部分を前記リードフレームから切断除去する処理を含む半導体装置の製造方法であって、
前記モールド工程では前記樹脂体と前記被切断除去リードフレーム部分が一体となるようにモールドすることを特徴とし、
前記リードフレームにおいては、前記モールドによっていずれも樹脂で被われる封止体形成領域および流出樹脂体形成領域ならびに前記両領域を連結する連結樹脂体形成領域を有し、前記連結樹脂体形成領域は前記被切断除去リードフレーム部分に設けられ、前記流出樹脂体形成領域は表裏面に設けられ、前記連結樹脂体形成領域は表裏面の一面にのみ設けられ、前記リードフレームの前記流出樹脂体形成領域は前記流出樹脂体を支持する支持部を有する開口部で形成しておき、
前記モールドにおいては前記封止体形成領域および前記連結樹脂体形成領域ならびに前記流出樹脂体形成領域に封止体および連結樹脂体ならびに流出樹脂体を形成するとともに、前記流出樹脂体形成領域から連なりかつ前記連結樹脂体が設けられない前記被切断除去リードフレーム部分面に至る領域に固定樹脂体を形成し、
前記切断除去においては、前記支持部または前記支持部を支持するリードフレーム部分の切断によって前記流出樹脂体をリードフレームから切断除去するとともに、前記被切断除去リードフレーム部分を切断することによって前記連結樹脂体をリードフレームから切断除去し、かつ前記流出樹脂体および前記連結樹脂体の切断除去は前記流出樹脂体を支持するリードフレーム部分と前記連結樹脂体を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断することを特徴とする。
【0030】
前記手段()または手段()の構成において、前記流出樹脂体および前記連結樹脂体の切断除去は、前記流出樹脂体を支持するリードフレーム部分と前記連結樹脂体を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断するようになっている。この構成では、前記樹脂体が重なる被切断除去リードフレーム部分に穴を設けなくともよく、また、前記樹脂体の形成時、前記樹脂体が形成される面の裏面に前記樹脂体に連なる固定樹脂体を形成するようなことはしなくてもよい。
【0033】
前記(1)の手段によれば、モールド工程では被切断除去リードフレーム部分の一面側に樹脂体を形成する場合、前記樹脂体と前記被切断除去リードフレーム部分が一体となるようにモールドすることから、前記被切断除去リードフレーム部分を切断した場合、切断分離された被切断除去リードフレーム部分による小片から前記樹脂体が剥離するようなことがなく、前記小片の前記樹脂体からの剥離に起因した半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等の不良発生が防止できる。
【0034】
前記()の手段によれば、樹脂体が重なる被切断除去リードフレーム部分に穴を設けておき、その後モールドする。すなわち、リードフレームにおいて、封止体形成領域と流出樹脂体形成領域との間の連結樹脂体形成領域(被切断除去リードフレーム部分)に穴が設けられることから、モールド時溶けた樹脂は前記穴内に入り込むため、前記連結樹脂体形成領域に形成された連結樹脂体とリードフレーム部分との接合強度が高くなり、切断時、前記流出樹脂体を支持する支持部を破断するとともに、前記被切断除去リードフレーム部分を切断しても、被切断除去リードフレーム部分による小片から連結樹脂体(樹脂体)が剥離し難くなり、前記小片の前記樹脂体からの剥離に起因した半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等の不良発生が防止できる。
【0035】
前記()の手段によれば、前記樹脂体の形成時、前記樹脂体が形成される面の裏面に前記樹脂体に連なる固定樹脂体をモールドによって形成する。すなわち、封止体形成領域および流出樹脂体形成領域ならびに前記両領域を連結する連結樹脂体形成領域を有するリードフレームをモールドする際、前記流出樹脂体形成領域から連なりかつ前記連結樹脂体が設けられない前記被切断除去リードフレーム部分面に至る領域に固定樹脂体を形成するため、その後前記支持部の切断によって前記流出樹脂体をリードフレームから切断除去するとともに、前記被切断除去リードフレーム部分を切断することによって連結樹脂体をリードフレームから切断除去したとき、前記被切断除去リードフレーム部分による小片は連結樹脂体(樹脂体)とこの連結樹脂体に一体となる固定樹脂体で挟まれる構造となることから、小片の前記樹脂体からの剥離に起因した半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等の不良発生が防止できる。
【0036】
前記(1)及び(2)の手段によれば、前記流出樹脂体および前記連結樹脂体の切断除去は、前記流出樹脂体を支持するリードフレーム部分と前記連結樹脂体を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断することから、前記連結樹脂体(樹脂体)からリードフレーム部分が剥離しなくなり、リードフレーム部分の剥離に起因した半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等の不良発生が防止できる。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0040】
(実施形態1)
半導体装置の製造においては、最初に図2に示すようなリードフレーム1が用意される。リードフレーム1は、0.15〜0.2mm程度の厚さの鉄−ニッケル系合金板,銅板,銅合金板等をエッチングまたは精密プレスによってパターニングすることによって形成される。
【0041】
リードフレーム1は、平行に延在する一対の外枠16と、前記一対の外枠16に直交しかつ前記一対の外枠16を連結する内枠17とからなっている。また、前記一対の外枠16と隣接する2本の内枠17とによって形成される枠の中央には、矩形の支持板(タブ)19が位置している。この支持板19は、前記外枠16の内側から延在する支持リード20に支持されている。前記支持リード20は途中で二股となり、二股側が外枠16に固定される構造となっている。また、支持リード20の付け根の裏面には、図示はしないが付け根で分断が容易となるように、分断線に沿ってV字状の溝(ノッチ)が設けられている。
【0042】
前記支持リード20が延在する外枠16の中央部分は幅が広くなり、この幅広部21の一方には矩形の流出樹脂体形成領域22が設けられている。この流出樹脂体形成領域22は、矩形状の開口部23で形成されるとともに、前記開口部23にはその中央を跨ぐように、かつ前記外枠16に平行に延在する細い支持部24を有している。また、前記支持部24の付け根部分は破断部分となることから、図示はしないが前記支持リード20と同様に裏面に分断線に沿ってV字状の溝が設けられている。
【0043】
前記流出樹脂体形成領域22は、モールド金型において流出樹脂体形成用キャビティ(フローキャビティ)が位置する領域であり、トランスファモールドによってリードフレームの表裏に亘って流出樹脂体が形成される。したがって、前記流出樹脂体形成領域22は、リードフレーム1の表裏面に存在する。
【0044】
一方、前記内枠17の内側から枠内に向けて複数のリード5が延在している。これらリード5は前記外枠16に平行になっている。また、リード5は、その途中をタイバー(ダム)25によって支持されている。最も外側のタイバー25の一端は前記外枠16の幅広部21に連結されている。また、一部のリード5は前記タイバー25よりも枠中心側で屈曲し、先端を前記支持板19の近傍に臨ませている。
【0045】
前記幅広部21およびタイバー25の内側の領域が封止体形成領域26となる。この封止体形成領域26は、リードフレーム1の表裏面にそれぞれ存在する。
【0046】
また、前記封止体形成領域26と、前記流出樹脂体形成領域22との間のリードフレーム部分の裏面(下面)は、一定の幅が連結樹脂体形成領域27となる。この連結樹脂体形成領域27は、トランスファモールド時、前記封止体形成領域26から前記流出樹脂体形成領域22に溶けた樹脂を案内する領域となる。
【0047】
前記連結樹脂体形成領域27は最終的には切断除去される領域である。この切断除去される部分を被切断除去リードフレーム部分9と呼称する。被切断除去リードフレーム部分9は、前記連結樹脂体形成領域27と一致していてもよく,または前記被切断除去リードフレーム部分の縁が前記連結樹脂体形成領域27の外側に位置する連結樹脂体形成領域27よりも大きい形状でもよい。たとえば、図2に点線で示す部分が切断線である。また、図示はしないが前記切断線に沿ってV字状の溝が設けられている。
【0048】
前記被切断除去リードフレーム部分9の中央には、穴31が設けられている。この穴31は、モールド時、溶けた樹脂が入る。穴31内に樹脂が入ることによって、リードフレーム1の下面に形成される連結樹脂体はリードフレーム1(被切断除去リードフレーム部分9)と接合力が大きくなる。したがって、被切断除去リードフレーム部分9を切断することによって、被切断除去リードフレーム部分9は独立した小片14となるが、この小片14は前記穴31内に入った樹脂によって前記連結樹脂体(樹脂体)から剥離し難くなる。
【0049】
なお、図2に示すリードフレーム1において、手前中央の裏面部分が、トランスファモールド時のゲート位置である。
【0050】
他方、前記リードフレーム1の外枠16には、ガイド孔35が設けられている。このガイド孔35は、リードフレーム1の移送や位置決め等のガイドとして利用される。なお、前記リードフレーム1は必要に応じて所望個所にメッキが施される。
【0051】
つぎに、このようなリードフレーム1を使用してSOJ型の半導体装置を製造する方法について説明する。
【0052】
図2に示すように、リードフレーム1の支持板19上に半導体チップ36を固定した後、前記半導体チップ36の図示しない電極とリード5の先端を導電性のワイヤ37で接続する。
【0053】
つぎに、図3に示すように、常用のトランスファモールド装置のモールド金型40に、チップボンディングおよびワイヤボンディングが終了したリードフレーム1を挟み(型締め)モールドする。モールド金型40は、下型41と上型42とからなり、型締めによって、それぞれ溶けた樹脂が流れる空間となるランナー43,ゲート44,封止体形成用キャビティ45,通過流路46,流出樹脂体形成用キャビティ(フローキャビティ)47等が形成される。
【0054】
モールドによって、前記各部には樹脂が充填されかつキュアーされて固められる。前記ランナー43,ゲート44,通過流路46はリードフレーム1の下面(裏面)に設けられ、前記封止体形成用キャビティ45および流出樹脂体形成用キャビティ47はリードフレーム1の表裏面に亘って設けられている。この結果、前記封止体形成用キャビティ45には封止体(パッケージ)2が形成され、前記流出樹脂体形成用キャビティ47には流出樹脂体3が形成され、前記通過流路46には連結樹脂体4が形成される。
【0055】
図4はモールド後のリードフレーム1を示す斜視図であり、図5は断面図である。リードフレーム1の中央の表裏面にはパッケージ2が形成され、後方の幅広部21には流出樹脂体3が形成される。また、被切断除去リードフレーム部分9の裏面には連結樹脂体4が形成される。前記被切断除去リードフレーム部分9の穴31に入り込んだ樹脂部分は連結樹脂体4と一体となる。この結果、連結樹脂体4と被切断除去リードフレーム部分9との接着力は大きくなる。
【0056】
また、前記トランスファモールドによって、図4に点々を施して示すが、パッケージ2とタイバー25とリード5等によって囲まれる領域には樹脂が漏れ出て、いわゆるレジンバリ52が発生する。
【0057】
なお、図4および図5は、前記ランナー43部分で硬化した樹脂体は示されていない。前記ランナー43の部分で硬化した樹脂体は、モールド金型からリードフレーム1を取り外す際ゲート部分で破断するため、リードフレーム1の状態では前記樹脂体は付着していない。
【0058】
つぎに、前記リードフレーム1に対して不要なリードフレーム部分の切断除去やリードの切断・成形が行われ、図11に示すような樹脂封止型の半導体装置55が製造される。
【0059】
たとえば、(1)前記流出樹脂体3とこの流出樹脂体3に連なる連結樹脂体4の切断除去、(2)レジンバリ52の切断除去、(3)支持リード20およびタイバー25の切断除去、(4)リード5の切断、(5)リード5の成形と加工処理が進む。
【0060】
図6は切断装置における流出樹脂体切断機構10の一部を示す模式的な分解斜視図である。ダイ11に対して相対的に降下するパンチ13は、パンチガイド12によってガイドされてリードフレーム1の流出樹脂体3と連結樹脂体4の切断除去を行う。
【0061】
図7は流出樹脂体切断機構10に設定したリードフレーム1を示す一部の断面図、図1および図8は流出樹脂体切断機構10によって流出樹脂体3および連結樹脂体4部分を切断分離した状態を示す一部の断面図である。
【0062】
ダイ11は、パッケージ2の底面および連結樹脂体4の外側の幅広部21を支持し、パンチガイド12は前記幅広部21をダイ11とによって挟む。
【0063】
前記流出樹脂体3はリードフレーム1の流出樹脂体形成領域22に形成されるが、この流出樹脂体形成領域22はリードフレーム1に穿たれた開口部23と、この開口部23を跨ぐように設けられた支持部24で形成されている。したがって、モールドによって形成された流出樹脂体3は、前記支持部24によって支持される構成となり、強く押し下げられると前記支持部24は破断して流出樹脂体3は下方に落下する。また、前記支持部24の分断線に沿ってV字溝が設けられていることから、前記支持部24の破断は容易である。
【0064】
したがって、前記パンチ13の窪んだ押下面13aで流出樹脂体3を押し下げることで容易に前記支持部は切断される。
【0065】
一方、前記連結樹脂体4は被切断除去リードフレーム部分9に張り付いていることから、この被切断除去リードフレーム部分9を切断することによって連結樹脂体4は除去される。すなわち、被切断除去リードフレーム部分9の切断は、前記連結樹脂体4の両側縁に沿って切断される。なお、この切断は前記連結樹脂体4の両側縁から所定距離離れたリードフレーム部分を切断するようにしてもよい。
【0066】
前記被切断除去リードフレーム部分9の切断線にも、破断線に沿ってV字状の溝が設けられていることから、被切断除去リードフレーム部分9の切断も容易である。
【0067】
被切断除去リードフレーム部分9の切断は、前記パンチ13の突出した押下面13bの押し下げによって行われる。
【0068】
また、パッケージ2と連結樹脂体4との界面部分は細く括れているため、前記パンチ13の突出した押下面13bで被切断除去リードフレーム部分9を押し下げると前記界面で破断する。したがって、パンチ13の押し下げによって流出樹脂体3および連結樹脂体4等からなる打ち抜き片8は、図1および図8に示すように、リードフレーム1から分離する。
【0069】
図9は連結樹脂体4および流出樹脂体3等を切断除去したリードフレーム1の斜視図であり、図10は切断分離された打ち抜き片8を示す斜視図である。
【0070】
切断された被切断除去リードフレーム部分9は、図10にも示すように小片14となるが、図1に示すように、被切断除去リードフレーム部分9に設けられた穴31内にも樹脂が入り込むことから、アンカー効果が発生し、前記小片14と連結樹脂体4との接合強度は高くなり、連結樹脂体4の上面に張り付く小片14は、打ち抜き片8、すなわち連結樹脂体4から剥離し難くなる。
【0071】
また、打ち抜かれた打ち抜き片8は、図示しない真空バキューム機構によって所定箇所に排除される。
【0072】
その後、前記リードフレーム1は、前述のようにレジンバリ52の切断除去,支持リード20およびタイバー25の切断除去,リード5の切断が順次なされる。また、単体となった半導体装置のリードは成形され、図11に示すようなSOJ型半導体装置55が製造される。
【0073】
前記小片14は前記パンチ13に張り付くようなことがないことから、その後の加工処理において小片14や小片14に付着する樹脂塊の脱落は起きなくなり、前記小片14や樹脂塊の落下に起因する製品不良(半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等)が発生しなくなり、品質の安定した半導体装置を高歩留りで製造することができる。
【0074】
また、リードフレーム1の搬送機構の駆動部分や切断・成形金型に樹脂塊等が付着しないことから、リードフレーム1の搬送不良が発生しなくなるとともに、切断・成形金型の破損が防止できるため切断・成形装置の稼働率の低下を引き起こすこともない。これにより、製造歩留りの向上、生産性の向上から製品コストの低減を達成することができる。
【0075】
なお、本実施形態1では流出樹脂体切断機構10によって流出樹脂体3と連結樹脂体4の切断除去を行うが、同時にレジンバリ52を切断除去するようにしてもよい。
【0076】
(実施形態2)
図12は本発明の実施形態2である半導体装置の製造におけるトランスファモールド状態を示すモールド金型の断面図、図13は半導体装置の製造において分離された打ち抜き片を示す斜視図である。
【0077】
本実施形態2で使用するリードフレーム1は、本実施形態1で使用したリードフレーム1を用いてもよいし、本実施形態1のリードフレーム1において、被切断除去リードフレーム部分9に穴31を設けない構造のものを使用してもよい。本実施形態2では、前記穴31を設けないリードフレーム1を用いる。
【0078】
本実施形態2のモールド金型40は、下型41と上型42とからなり、型締めによって少なくとも封止体形成用キャビティ45および流出樹脂体形成用キャビティ(フローキャビティ)47ならびに前記両キャビティを連結する通過流路46を有する構造になっている。また、前記フローキャビティ47は前記下型41および上型42に亘って設けられ、前記通過流路46は前記下型41に設けられ、かつ前記通過流路46が設けられていない上型42には前記フローキャビティ47に連なり前記通過流路46の少なくとも一部に対面する固定樹脂体形成用キャビティ61が設けられている。
【0079】
このようなモールド金型40によれば、モールド時、前記固定樹脂体形成用キャビティ61に充填された樹脂62によって固定樹脂体63が形成される。前記固定樹脂体63は流出樹脂体3を介して連結樹脂体4と一体となり、かつ固定樹脂体63と連結樹脂体4とによって被切断除去リードフレーム部分9を挟むように保持する。
【0080】
この結果、流出樹脂体切断機構10によって被切断除去リードフレーム部分9および支持部24を切断することによって、図13に示すように打ち抜き片8が形成されるが、この打ち抜き片8において小片14は連結樹脂体4,流出樹脂体3,固定樹脂体63に挟持されるため打ち抜き片8、換言するならば連結樹脂体4から剥離することがない。
【0081】
したがって、前記被切断除去リードフレーム部分9の前記連結樹脂体(樹脂体)4からの剥離に起因した半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等の不良発生が防止できる。
【0082】
(実施形態3)
図14は本発明の実施形態3である半導体装置の製造において使用されるリードフレームの一部を示す斜視図である。
【0083】
本実施形態3では、前記リードフレーム1の被切断除去リードフレーム部分9における切断線に沿う部分では、断続的に配列される細い支持部64で被切断除去リードフレーム部分9を支持する構造となっている。これによって、被切断除去リードフレーム部分9の切断除去が容易となる。
【0084】
(実施形態4)
本実施形態4では、前記流出樹脂体3および前記連結樹脂体4の切断除去は、前記流出樹脂体3を支持する支持部24を支持するリードフレーム部分と、前記連結樹脂体4を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断する。すなわち、前記流出樹脂体3と連結樹脂体4を含むリードフレーム部分を四角形状に大きく切断する(図14の二点鎖線部分参照)。
【0085】
これによって、前記流出樹脂体3を支持するリードフレーム部分と連結樹脂体4を支持するリードフレーム部分が一体となることから、樹脂体と切断されたリードフレーム部分との剥離は起きなくなり、剥離に起因した半導体チップクラック,パッケージクラック,リード曲がり等の不良発生が防止できる。
【0086】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0087】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0088】
(1)半導体装置の製造におけるモールド工程では、その後の切断除去工程で切断分離される被切断除去リードフレーム部分がこれも切断除去される樹脂体から剥離しないように、前記被切断除去リードフレーム部分に穴を設けておいて前記穴に樹脂が入り込むようにしたり、あるいは前記被切断除去リードフレーム部分を樹脂体で挟み込むようにするため、切断除去後打ち抜き片から被切断除去リードフレーム部分による小片が剥離しなくなる。したがって、前記小片が流出樹脂体切断機構のパンチに張り付くことがなく、小片の脱落や小片に付着する樹脂塊の脱落に起因する半導体チップクラック,パッケージ,リード曲がり等の不良は発生しなくなり、歩留り向上が達成できる。
【0089】
(2)半導体装置の製造におけるリードフレームの切断除去工程で被切断除去リードフレーム部分による小片の脱落や小片に付着する樹脂塊の脱落が防止できることから、前記小片や樹脂塊の付着に起因する切断・成形型の破損が防止できる。
【0090】
(3)半導体装置の製造におけるリードフレームの切断除去工程で被切断除去リードフレーム部分による小片の脱落や小片に付着する樹脂塊の脱落が防止できることから、前記小片や樹脂塊の付着に起因する搬送機構等の装置駆動系のトラブル発生を防止できるため、装置稼働率の向上から生産性の向上を図ることができる。
【0091】
(4)前記(1)〜(3)により、半導体装置の製造コストの低減が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1である半導体装置の製造における流出樹脂体および連結樹脂体部分の切断除去状態を示す断面図である。
【図2】本実施形態1の半導体装置の製造において使用するリードフレームを示す斜視図である。
【図3】本実施形態1の半導体装置の製造におけるトランスファモールド状態を示すモールド金型部分の断面図である。
【図4】本実施形態1の半導体装置の製造におけるトランスファモールド後のリードフレームを示す斜視図である。
【図5】本実施形態1の半導体装置の製造におけるトランスファモールド後のリードフレームを示す断面図である。
【図6】本実施形態1の半導体装置の製造において流出樹脂体等の切断分離を行う流出樹脂体切断機構を示す模式図である。
【図7】本実施形態1の半導体装置の製造において流出樹脂体切断機構に設定したリードフレームを示す一部の断面図である。
【図8】本実施形態1の半導体装置の製造において流出樹脂体切断機構によって流出樹脂体および連結樹脂体部分を切断分離した状態を示す一部の断面図である。
【図9】本実施形態1の半導体装置の製造において流出樹脂体および連結樹脂体部分を切断除去したリードフレームの斜視図である。
【図10】本実施形態1の半導体装置の製造において分離された流出樹脂体等を示す斜視図である。
【図11】本実施形態1の半導体装置の製造によって製造された半導体装置の斜視図である。
【図12】本発明の実施形態2である半導体装置の製造におけるトランスファモールド状態を示すモールド金型の断面図である。
【図13】本実施形態2の半導体装置の製造において分離された流出樹脂体等を示す斜視図である。
【図14】本発明の実施形態3である半導体装置の製造において使用されるリードフレームの一部を示す斜視図である。
【図15】本出願人による半導体装置の製造においてトランスファモールドによって封止体および流出樹脂体等を形成したリードフレームを示す斜視図である。
【図16】本出願人による半導体装置の製造においてトランスファモールドによって封止体および流出樹脂体等を形成したリードフレームを示す正面図である。
【図17】本出願人による半導体装置の製造において流出樹脂体および連結樹脂体部分の切断除去状態を示す一部の断面図である。
【図18】本出願人による半導体装置の製造において流出樹脂体および連結樹脂体部分を切断除去したリードフレームの斜視図である。
【図19】本出願人による半導体装置の製造において分離された流出樹脂体等を示す斜視図である。
【図20】パッケージ部分にクラックが発生した状態を示すリードフレームの一部の斜視図である。
【図21】リード部分に圧痕が発生した状態を示すリードフレームの一部を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…リードフレーム、2…封止体(パッケージ)、3…流出樹脂体、4…連結樹脂体、5…リード、7…打痕、8…打ち抜き片、9…被切断除去リードフレーム部分、10…流出樹脂体切断機構、11…ダイ、12…パンチガイド、13…パンチ、13a,13b…押下面、14…小片、15…クラック、16…外枠、17…内枠、19…支持板(タブ)、20…支持リード、21…幅広部、22…流出樹脂体形成領域、23…開口部、24…支持部、25…タイバー(ダム)、26…封止体形成領域、27…連結樹脂体形成領域、31…穴、35…ガイド孔、36…半導体チップ、37…ワイヤ、40…モールド金型、41…下型、42…上型、43…ランナー、44…ゲート、45…封止体形成用キャビティ、46…通過流路、47…流出樹脂体形成用キャビティ(フローキャビティ)、52…レジンバリ、55…半導体装置、61…固定樹脂体形成用キャビティ、62…樹脂、63…固定樹脂体、64…支持部。

Claims (2)

  1. リードフレームの所定領域を樹脂でモールドして封止体で被うモールド工程と、前記リードフレームの不要部分およびモールドによって発生した樹脂体の不要部分を切断除去する切断除去工程とを有し、前記切断除去工程では一面側に前記樹脂体が形成された被切断除去リードフレーム部分を前記リードフレームから切断除去する処理を含む半導体装置の製造方法であって、
    前記モールド工程では前記樹脂体と前記被切断除去リードフレーム部分が一体となるようにモールドすることを特徴とし、
    前記リードフレームにおいては、前記モールドによっていずれも樹脂で被われる封止体形成領域および流出樹脂体形成領域ならびに前記両領域を連結する連結樹脂体形成領域を有し、前記連結樹脂体形成領域は前記被切断除去リードフレーム部分に設けられ、前記流出樹脂体形成領域は表裏面に設けられ、前記連結樹脂体形成領域は表裏面の一面にのみ設けられ、前記リードフレームの前記流出樹脂体形成領域は前記流出樹脂体を支持する支持部を有する開口部で形成しておくとともに、前記連結樹脂体形成領域のリードフレーム部分に穴を設けておき、
    前記モールドにおいては、前記封止体形成領域および前記連結樹脂体形成領域ならびに前記流出樹脂体形成領域に封止体および連結樹脂体ならびに流出樹脂体を形成し、
    前記切断除去においては、前記支持部または前記支持部を支持するリードフレーム部分を切断して前記流出樹脂体をリードフレームから切断除去するとともに、前記被切断除去リードフレーム部分を切断することによってリードフレームから前記連結樹脂体を切断除去し、かつ前記流出樹脂体および前記連結樹脂体の切断除去は前記流出樹脂体を支持するリードフレーム部分と前記連結樹脂体を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. リードフレームの所定領域を樹脂でモールドして封止体で被うモールド工程と、前記リードフレームの不要部分およびモールドによって発生した樹脂体の不要部分を切断除去する切断除去工程とを有し、前記切断除去工程では一面側に前記樹脂体が形成された被切断除去リードフレーム部分を前記リードフレームから切断除去する処理を含む半導体装置の製造方法であって、
    前記モールド工程では前記樹脂体と前記被切断除去リードフレーム部分が一体となるようにモールドすることを特徴とし、
    前記リードフレームにおいては、前記モールドによっていずれも樹脂で被われる封止体形成領域および流出樹脂体形成領域ならびに前記両領域を連結する連結樹脂体形成領域を有し、前記連結樹脂体形成領域は前記被切断除去リードフレーム部分に設けられ、前記流出樹脂体形成領域は表裏面に設けられ、前記連結樹脂体形成領域は表裏面の一面にのみ設けられ、前記リードフレームの前記流出樹脂体形成領域は前記流出樹脂体を支持する支持部を有する開口部で形成しておき、
    前記モールドにおいては前記封止体形成領域および前記連結樹脂体形成領域ならびに前記流出樹脂体形成領域に封止体および連結樹脂体ならびに流出樹脂体を形成するとともに、前記流出樹脂体形成領域から連なりかつ前記連結樹脂体が設けられない前記被切断除去リードフレーム部分面に至る領域に固定樹脂体を形成し、
    前記切断除去においては、前記支持部または前記支持部を支持するリードフレーム部分の切断によって前記流出樹脂体をリードフレームから切断除去するとともに、前記被切断除去リードフレーム部分を切断することによって前記連結樹脂体をリードフレームから切断除去し、かつ前記流出樹脂体および前記連結樹脂体の切断除去は前記流出樹脂体を支持するリードフレーム部分と前記連結樹脂体を支持するリードフレーム部分が連結した形状にリードフレーム部分を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP23238496A 1996-09-02 1996-09-02 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3566812B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23238496A JP3566812B2 (ja) 1996-09-02 1996-09-02 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23238496A JP3566812B2 (ja) 1996-09-02 1996-09-02 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1079462A JPH1079462A (ja) 1998-03-24
JP3566812B2 true JP3566812B2 (ja) 2004-09-15

Family

ID=16938397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23238496A Expired - Fee Related JP3566812B2 (ja) 1996-09-02 1996-09-02 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3566812B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510741B1 (ko) * 2000-12-28 2005-08-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 제조용 트림/포밍 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1079462A (ja) 1998-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3660861B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6013947A (en) Substrate having gate recesses or slots and molding device and molding method thereof
JP3773855B2 (ja) リードフレーム
US20060125064A1 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US20080290484A1 (en) Leadframe Strip and Mold Apparatus for an Electronic Component and Method of Encapsulating an Electronic Component
JPH0890605A (ja) 樹脂封止用金型および半導体装置の製造方法
JPH06291234A (ja) 半導体装置用リードフレームおよびこれを使用した半導体装置の製造方法
JP2003158234A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US7943424B1 (en) Encapsulation method for packaging semiconductor components with external leads
JP3566812B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005085832A (ja) 樹脂モールド装置
JP3793679B2 (ja) 電子部品の製造方法及び製造装置
JP4421934B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3539659B2 (ja) 半導体装置の製造方法およびその方法において用いられるリードフレーム
CN115547969A (zh) 制造半导体器件的方法、对应的基板和半导体器件
JP2004087883A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH0574999A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH09307046A (ja) 金型及び該金型を用いたタイバ−切断方法
JP2000299329A (ja) 樹脂パッケージ型半導体装置の製造装置及び製造方法
JP4570797B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003017643A (ja) 半導体装置の製造方法および切断装置
JPH09321205A (ja) 半導体装置の製造方法およびその方法で用いるリードフレームならびにリードフレームの製造方法
JPH0878455A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造装置及び製造方法
JPH0870014A (ja) 樹脂封止型半導体装置用バリ取り方法及び装置
JP2005347769A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040309

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040608

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees