JP3554534B2 - Substrate support mechanism and substrate exchange method for semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing apparatus and substrate transfer apparatus - Google Patents
Substrate support mechanism and substrate exchange method for semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing apparatus and substrate transfer apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP3554534B2 JP3554534B2 JP2000316685A JP2000316685A JP3554534B2 JP 3554534 B2 JP3554534 B2 JP 3554534B2 JP 2000316685 A JP2000316685 A JP 2000316685A JP 2000316685 A JP2000316685 A JP 2000316685A JP 3554534 B2 JP3554534 B2 JP 3554534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- substrates
- transfer
- mounting table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/02—Controlled or contamination-free environments or clean space conditions
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LCD(液晶ディスプレイ)基板や半導体ウェハに半導体処理を施すための半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置に関する。ここで、半導体処理とは、LCD基板、半導体ウェハ等の被処理基板上に半導体デバイスを製造するために実施される種々処理を意味する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、例えばLCDパネルの製造工程においては、減圧雰囲気下でLCD基板にエッチング、アッシング等の所定の半導体処理を施す真空処理室を複数備えた、いわゆるマルチチャンバー型の真空処理装置が使用されている。
【0003】
このような真空処理装置は、内部に搬送アーム等を有する基板搬送機構が設けられたロードロック室と、その周囲に設けられた複数の真空処理室とを有する。ロードロック室内の搬送アームにより、被処理基板が各真空処理室に搬入されると共に、処理済みの基板が各真空処理室から搬出される。
【0004】
このようなLCD基板の処理装置においては、一定期間に処理可能な基板の処理枚数、つまり装置のスループットをいかにして向上させるかが大きな技術課題となっている。そのために上述したように装置をマルチチャンバータイプにしたり、搬送アームを上下2段にしたりして対応している。
【0005】
2段の搬送アームを用いる場合には、上アームに未処理基板を載置した状態で、搬送アームを真空処理室内の載置台にアクセスし、まず下アームを進出させて処理済み基板を受取った後、下アームを退避させ、次いで上アームを進出させて未処理基板を載置台上に搬送する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような基板の交換動作では時間短縮にも一定の限界があり、LCD基板に対するさらなるスループット向上が要求されている。
【0007】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板処理におけるスループットを向上させることが可能な半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の視点は、半導体処理装置において被処理基板を支持するための機構であって、
前記基板の1つを載置すると共に搬送部材により前記基板の交換が行われるように配設された載置台と、
前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、進退可能で且つ前記基板の1つを前記載置台上方の第1の位置で支持可能に配設された複数の第1の支持部材と、
前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、進退可能で且つ、前記第1の支持部材により前記基板の1つが前記第1の位置で支持された状態において、前記基板の他の1つを前記載置台上方で且つ前記第1の位置に対して上下に重なる第2の位置で支持可能に配設された複数の第2の支持部材と、
を具備することを特徴とする。
【0009】
本発明の第2の視点は、第1の視点の機構において、前記第1の支持部材は前記載置台の外側に配設されることを特徴とする。
【0010】
本発明の第3の視点は、第2の視点の機構において、前記第1の支持部材の夫々は、退避状態において蓋によりカバーされた状態でシールド部材中に収容されることを特徴とする。
【0011】
本発明の第4の視点は、第2の視点の機構において、前記第1の支持部材は、夫々が進退可能な支持棒と前記支持棒の先端に配設された張出し部材とからなり、複数の前記張出し部材は前記載置台の上方に張出す位置において協働して前記基板の1つを支持することを特徴とする。
【0012】
本発明の第5の視点は、第4の視点の機構において、前記張出し部材は、前記支持棒の回転により、前記載置台の上方に張出す位置と前記載置台の上方から退避する位置との間で移動されることを特徴とする。
【0013】
本発明の第6の視点は、第4または第5の視点の機構において、前記支持棒は、退避状態において前記張出し部材によりカバーされた状態でシールド部材中に収容されることを特徴とする。
【0014】
本発明の第7の視点は、第1乃至第6のいずれかの視点の機構において、前記第2の支持部材は前記載置台の内側に配設されることを特徴とする。
【0015】
本発明の第8の視点は、第1乃至第7のいずれかの視点の機構において、前記第1の位置は前記第2の位置よりも上方にあり、前記第1及び第2の位置には夫々未処理及び処理済みの基板が支持されることを特徴とする。
【0016】
本発明の第9の視点は、第1乃至第8のいずれかの視点の機構を使用した基板交換方法であって、
前記基板の1つである第1の基板を前記搬送部材に保持する一方、前記第1の支持部材を進出位置に配置する工程と、
前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させた後、前記第1の基板を前記搬送部材から前記第1の支持部材上に移載する第1の移載工程と、
前記第1の支持部材により前記第1の基板を前記第1の位置に支持した状態において、前記基板の別の1つである第2の基板を前記第2の支持部材により前記第2の位置に支持する工程と、
前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させた後、前記第2の基板を前記第2の支持部材から前記搬送部材上に移載する第2の移載工程と、
を具備することを特徴とする。
【0017】
本発明の第10の視点は、第9の視点の方法において、前記搬送部材は第1及び第2の保持部を有し、前記第1及び第2の移載工程を同時に行うことを特徴とする。
【0018】
本発明の第11の視点は、被処理基板に対して半導体処理を施すための装置であって、
ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能なロードロック室と、
前記ロードロック室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気に設定可能な搬送室と、
前記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で前記半導体処理を行うための処理室と、
前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送するために前記搬送室内に配設された搬送部材と、
を具備し、前記ロードロック室は、前記基板の1つを夫々支持可能で且つ上下に重なる第1及び第2の支持レベルを有すると共に、前記第1及び第2の支持レベルを貫通して上下に移動可能で且つ前記基板を支持可能な複数の支持ピンを具備することを特徴とする。
【0019】
本発明の第12の視点は、第11の視点の装置において、前記第1及び第2の支持レベルの夫々は、前記基板を支持する開閉可能な一対のフィンガにより規定され、前記フィンガは閉状態において前記基板を支持し、開状態において前記基板が前記一つのフィンガ間を上下に通過することを許容することを特徴とする。
【0020】
本発明の第13の視点は、被処理基板に対して半導体処理を施すための装置であって、
ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能な第1のロードロック室と、
ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能であると共に、前記第1のロードロック室に対して上下に重なるように配設された第2のロードロック室と、
前記第1及び第2のロードロック室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気に設定可能な搬送室と、
前記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で前記半導体処理を行うための処理室と、
前記第1及び第2のロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送するために前記搬送室内に配設された、上下動可能な搬送部材と、
を具備することを特徴とする。
【0021】
本発明の第14の視点は、複数の被処理基板を収納するカセットと半導体処理装置との間で前記基板を搬送するための装置であって、
前記基板の1つを載置する上フィンガを有する上フォークと、
前記基板の1つを載置する下フィンガを有する下フォークと、
前記上下フォークを駆動するための駆動部と、
を具備し、前記駆動部は、前記上下フォークを一体的に上下動可能且つ回転可能且つ水平に直線摺動可能に駆動すると共に、前記上下フィンガが同一平面上に位置する状態と同一平面上に位置しない状態との間で前記上下フォークを相対的に上下動可能に駆動することを特徴とする。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。
【0023】
ここでは、ガラス製のLCD基板上に半導体デバイス等を形成するため、エッチング処理及びアッシング処理を行うためのマルチチャンバータイプの真空処理装置について説明する。
【0024】
図1は本発明の実施の形態に係る真空処理装置の概観を示す斜視図、図2はその内部を示す概略横断平面図である。
【0025】
処理装置1の中央部にはゲートバルブ9aを介して接続された搬送室5とロードロック室3とが配設される。搬送室5は、平面が略正方形であり、ロードロック室3と面しない残りの各側面には、開口部を気密にシールし且つ開閉可能なゲートバルブ9aを介して3つの処理室2、4、6が夫々接続される。
【0026】
各処理室2、4、6には、所定の処理ガスを供給するための供給手段と、室内を排気するための排気手段とが接続され、従って、各処理室2、4、6は任意の減圧雰囲気に設定し且つ維持することが可能となっている。例えば、処理室2、6では同一のエッチング処理が行われ、他の1つ処理室4ではアッシング処理が行われる。処理室の組み合わせはこれに限らず、適宜の処理を組み合わせることもでき、シリアル処理、パラレル処理等任意の処理を複数の処理室を用いて実施することが可能である。
【0027】
各処理室2、4、6内には載置台10が配設される。載置台10には基板Sを支持するための4本の支持ピン11が配設される。載置台10の周囲にはやはり基板を支持するための4本の支持部材12が配設される。支持ピン11及び支持部材12については、詳細を後述する。
【0028】
ロードロック室3は任意の減圧雰囲気に設定し且つ維持することが可能となっている。ロードロック室3内には、図4図示の如く、基板Sを支持するための一対のスタンド31を具備するバッファラック30が配設される。バッファラック30は、一度に2枚の基板Sを保持するように構成されており、これにより真空引き、パージの効率が向上する。
【0029】
各スタンド31は、2つの棚32、33を上下に具備する。棚32、33は搬送機構50の2枚のアーム52、53に対応する水平な2段の基板支持レベルを形成する。本実施の形態では、バッファラック30の支持レベル間隔は、カセット42における基板Sの支持間隔よりも大きく設定される。また各棚32、33の上面には、摩擦係数の高い合成ゴムからなる突起34が設けられており、これによって基板のずれ及び落下が防止される。
【0030】
バッファラック30の一対のスタンド31は一体的に昇降可能となる。バッファラック30の昇降により、搬送室5内に設けられた搬送機構60が昇降することなく、2枚の基板のうちの一方を選択的に取出すことができる。
【0031】
ロードロック室3内には、2枚の基板を一度にアライメントするための一対のポジショナ35、35及び基板のアライメントの完了を確認するための光学的センサ(図示せず)が配置される。一対のポジショナ35は、基板の対角線の延長線上にて相互に対向するように配置される。各ポジショナ35は、図中の往復矢印A方向に起動可能なサポート36と、サポート36上に回転フリーに支持された一対のローラ37、37を具備する。
【0032】
ポジショナ35は、バッファラック30に支持された2枚の基板を対角線方向に挟み込む態様で、基板のアライメントを行う。ローラ37は基板Sの側面を4点で押圧することにより位置合わせするため、略矩形状の基板の位置合わせを行うのに特に適する。ローラ37はサポート36上に着脱可能に取付けられ、処理されるLCD基板の寸法に応じて適宜交換することが可能である。
【0033】
ロードロック室3はゲートバルブ9bを介して外部雰囲気と接続される。ロードロック室3の外部側には、2つのカセットインデクサ41が配設され、その上に夫々LCD基板を収容するカセット42が載置される。カセット42の一方には未処理基板が収容され、他方には処理済み基板が収容される。カセット42は、昇降機構43により昇降可能となっている。
【0034】
2つのカセット42の間には、支持台51上に基板搬送機構50が配設される。搬送機構50は上下2段に配設されたアーム52、53と、これらを一体的に進出退避及び回転可能に支持するベース54とを有する。アーム52、53上には基板を支持する4つの突起55が形成される。突起55は摩擦係数の高い合成ゴム製の弾性体からなり、基板支持中に基板がずれたり、落下することが防止される。
【0035】
搬送機構50は、アーム52、53により2枚の基板を一度に搬送可能となっている。即ち、カセット42に対して、2枚の基板が一度に取出しまたは装入することが可能となる。各カセット42の高さは昇降機構43により調整され、アーム52、53による基板の取出しまたは装入位置が設定される。2枚のアーム52、53の間隔は、各種のカセットの基板支持間隔の最大値よりも大きくなるように設定される。このため、種々のカセットに対応可能である。
【0036】
なお、カセットは1個だけ設置するもできる。この場合には、同一のカセット内の空いたスペースに処理済みの基板を戻していくことになる。
【0037】
搬送室5は任意の減圧雰囲気に設定し且つ維持することが可能となっている。搬送室5内には、図3図示の如く、搬送機構60と、複数のLCD基板を保持可能に構成されたバッファ枠体70が配設される。搬送機構60により、ロードロック室3と、処理室2、4、6との間で基板が搬送される。また、バッファ枠体70により、未処理基板または処理済み基板が一時的に保持される。このように基板を一時保持することによりスループットの向上を図っている。
【0038】
搬送機構60は、ベース68の一端に配設され、ベース68に回動可能に配設された第1アーム62と、第1アーム62の先端部に回動可能に配設された第2アーム64と、第2アーム64に回動可能に配設され且つ基板を保持するためのキャッチャ66とを有する。ベース68に内蔵された駆動機構により第1アーム62、第2アーム64及びキャッチャ66を移動させることにより、基板を搬送することが可能となる。また、搬送機構60は、ベース68の下に配設されたシリンダ機構69により上下動が可能であると共に、シリンダを軸として回転可能となっている。
【0039】
搬送機構60のキャッチャ66は、2段に構成されたフォーク66a、66bを有する。上フォーク66aにより未処理基板が支持され、下フォーク66bにより処理済み基板が支持されるようになっている。なお、図示しないが、各フォークには、基板のずれや落下を防止するために、摩擦係数の高い合成ゴム製の突起が配設される。
【0040】
バッファ枠体70は、ベース68の他端側に、ベース68に対して昇降可能に設置される。枠体70は、4つのバッファ72、74、76、78を具備し、これらは水平な4段の基板支持レベルを形成している。これらバッファには、基板を支持するための突起79が配設される。突起79は摩擦係数の高い合成ゴム製であり、基板支持中に基板がずれることまたは落下することを防止する。
【0041】
搬送機構60及びバッファ枠体70は、シリンダ69を軸としてベース68と一体となって回転する。このようにベース68を回転させることにより、搬送機構60は、処理室2、4、6、ロードロック室3のいずれかに対して選択的に対面することができる。
【0042】
各処理室2、4、6内には、上述したように載置台10が配設される。載置台10はプラズマを形成するための下部電極として機能する。載置台10の周囲には、図5図示の如く、セラミック製のシールドリング13が配設される。
【0043】
4本の支持ピン11(第2の支持部材)は載置台10の縁部に進出退避可能に配設される。4本の支持部材12(第1の支持部材)は、載置台10の周囲のシールドリング13に進出退避可能に配設された支持棒12aと、その先端に配設された張出し部材12bとを有する。支持棒12aは進出することにより、基板を支持することが可能となり、基板の受取りの際に第1の位置で未処理基板S1を支持する。また、支持ピン11は進出することにより、基板を支持することが可能となり、基板受渡しの際に第1の位置よりも下方の第2の位置で処理済み基板S2を支持する。
【0044】
支持部材12は退避位置において、図9(a)図示の如く、張出し部材12bが載置台10にかからないような状態にある。しかし、支持部材12は支持位置において、図9(b)図示の如く、支持棒12aが回転されることにより、張出し部材12bが載置台10側に突出した支持位置にある状態となる。
【0045】
キャッチャ66は、その上フォーク66aが前記第1の位置に対応し、下フォーク66bが前記第2の位置に対応する位置になるように高さが設定される。後述するように、上フォーク66aに未処理基板を支持した状態で処理室に装入された際に、未処理基板が第1の位置にある支持部材12に受け渡されると同時に、第1の位置で支持ピン11に支持される処理済み基板がフォーク66bに受け渡される。
【0046】
次に、以上のように構成される装置の動作について説明する。
【0047】
まず、搬送機構50の2枚のアーム52、53を進退駆動させて、未処理基板を収容した一方のカセット42(図1の左側のカセット)から2枚の基板Sを一度にロードロック室3に搬入する。
【0048】
ロードロック室3内においては、バッファラック30の棚32、33により2枚の基板Sを保持する。アーム52、53が退避した後、ロードロック室の大気側のゲートバルブ9bを閉じる。その後、ロードロック室3内を排気して、内部を所定の真空度、例えば10−1Torr程度まで減圧する。真空引き終了後、一対のポジショナ35の4つのローラ37により基板を押圧することにより基板Sの位置合わせを行う。
【0049】
以上のように位置合わせされた後、搬送室5及びロードロック室3間のゲートバルブ9aを開く。汚染防止の観点から下段の棚33の基板Sから搬送機構60により搬送室5内に搬入し、バッファ枠体70の最上のバッファ72に保持する。この場合に、基板Sはバファラック30上に予め決められた所定の間隔で支持されているので、搬送機構の動作制御をカセット42の基板支持間隔に依存せずに行うことができる。即ち、異なる基板の支持間隔毎に搬送機構60の動作量等を変更するという複雑な制御手段が不要となる。従って、装置内の汚染を低減することができる。
【0050】
搬送室5内に基板を搬入した状態で、10−4Torr程度に更に真空引きする。これにより、装置内の汚染を低減することができる。次に、搬送機構60により搬送室5内に搬入し且つバッファ72に保持した基板Sを所定の処理室、例えば処理室2に搬送する。この場合に、最初に搬送する場合以外は、処理室内には処理済み基板が存在しており、処理済み基板と未処理基板との交換を行うこととなる。
【0051】
この際の交換操作を図5乃至図8を参照しながら説明する。
【0052】
まず、処理室の載置台10上に処理済み基板S2を載置した状態で、支持部材12を図9(a)の状態から進出させる。更に、図9(b)のように支持棒12aを回転させて、張出し部材12bが載置台10側に突出する位置になるようにする。この状態でこの支持部材12は第1の位置で未処理基板S1を受取ることが可能な状態となる。
【0053】
次に、支持ピン11を進出させて処理済み基板S2を上昇させ、第2の位置で支持するようにする。以上のような動作により、図5の状態が形成される。この場合に、搬送機構60のキャッチャ66は、その上フォーク66aが前記第1の位置に対応し、下フォーク66bが前記第2の位置に対応する位置になるように高さが設定されており、上フォーク66aに未処理基板S1を支持している。
【0054】
次に、図6図示の如く、キャッチャ66を載置台10の上方に進出させ、未処理基板S1を載置台10上方の第1の位置まで搬送する。この場合に、フォーク66bは第2の位置にある処理済み基板S2の直下に位置する。この状態で支持部材12の支持棒12aを僅かに上昇させ、同時に支持ピン11を下降させる。これにより、未処理基板S1は支持部材12に支持された状態となると共に、処理済み基板はキャッチャ66の下フォーク66bに支持された状態となる。
【0055】
その後、図7図示の如く、処理済み基板S2を支持した状態のキャッチャ66を退避させる。そして、図8図示の如く、再び支持ピン11を進出させて未処理基板S1を支持し、支持部材12を退避させて図9(a)の状態に戻す。この図8の動作と並行して、処理室と搬送室5との間のゲートバルブ9aを閉じる動作に入り、プロセス前処理を開始する。従って、図8の動作はスループットには影響を与えない。
【0056】
このように、処理室における基板の交換において、未処理基板の搬入と処理済み基板の搬出とを保持部(キャッチャ)の1回の移動によって行うことができる。このため、基板の交換時間を著しく低減することができる。ちなみに、従来この交換操作にかかる時間が17秒であったものが8秒と半分以下に短縮された。
【0057】
このような動作が行われる間に、ロードロック室3内の棚32の基板も搬送室5に搬入し、いずれかのバッファに保持する。このような動作をカセット42内の基板に対して順次に行う。この際に第1及び2ロードロック室20、3内のバッファの存在により、待ち時間なく連続的に基板を装置内に搬入することができるので、スループットの向上に寄与する。
【0058】
処理済み基板S2は、搬送機構60により搬送室5に戻し、更にロードロック室3を経て、搬送機構50のアーム52、53により、処理済み基板用のカセット42(図1の右側のカセット)に挿入する。
【0059】
以上のような処理においては、バッファ機構の存在、及び特に処理室における基板の交換の高効率化により、従来にない極めて高いスループットを実現することができる。
【0060】
また、上記装置では、エッチング、アッシングの連続処理を行うことが可能であり、この点でも効率が高い。また、プログラムを変更することにより、エッチング、エッチングの連続処理、エッチングの単一処理など、ユーザーのニーズに対応した種々処理を行うことができ、極めて汎用性が高い。
【0061】
例えば、支持部材12として支持棒12aの先端に平板状の張出し部材12bを設けたものを用いたが、図10図示の如く、先端に鉤状部12cを有するピン状の支持部材12xであってもよい。そして、支持部材12xは退避位置においては、図11(a)図示の如く、シールド部材13中に完全に収容され、その上に蓋12dがされる。支持部材12xが支持位置に進出する際には、図11(b)図示の如く、蓋12が開き、支持位置まで上昇すると回転し、鉤状部12cが載置台10側へ突出した状態となる。また、未処理基板を支持する支持部材(第1の支持部材)は、進出退避即ち上昇下降するタイプのものに限らず、例えば回転移動して退避するタイプのものであってもよい。
【0062】
また、キャッチャ66即ち保持部も上記のものに限定されず種々のものを採用することができる。またキャッチャとして上下2段のフォークが固定的に配設されたものを用いたが、これらフォークが独立して移動できるものとすることもできる。更に、基板支持部はフォーク状に限らず搬送機構50のアーム52、53のように板状のものであってもよい。
【0063】
図12は本発明の別の実施の形態に係る真空処理装置の概観を示す斜視図、図13及び図14はその内部を示す概略横断平面図及び概略側面図である。これらの図中、図1乃至図11を参照して述べた先の実施の形態と共通する部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0064】
この実施の形態に係る処理装置1Bは、図12図示の如く、先の実施の形態と同じ3つ処理室2、4、6を有する。処理室2、4、6は、平面が正方形の搬送室5の3つの辺に夫々ゲートバルブ9aを介して接続される。例えば、処理室2、6では同一のエッチング処理が行われ、他の1つ処理室4ではアッシング処理が行われる。
【0065】
各処理室2、4、6内には、先の実施の形態と同様、4本の支持ピン11及び4本の支持部材12を有する載置台10が配設される。従って、前述の如く、各処理室2、4、6においては、処理済み基板と未処理基板との交換操作を、搬送室5内に配設された搬送機構60の一進出動作で行うことができる。
【0066】
搬送室5の残りの一辺には、上下に2つのロードロック室3a、3bが夫々ゲートバルブ9aを介して接続される。また、ロードロック室3a、3bと基板カセット42との間でLCD基板Sを搬送するため、先の実施の形態の搬送機構50とは異なる構造の搬送機構80が配設される。
【0067】
搬送機構80はベース板81を有し、その長手方向に沿って摺動駆動可能にスライダ82が配設される。スライダ82上には、水平面内で回転駆動可能にL字形のスタンド83が取付けられる。更に、スタンド83の垂直部には、昇降駆動可能に水平板84が取付けられる。
【0068】
水平板84上には基板Sを載置するための上フォーク85及び下フォーク86が配設される。下フォーク86は、水平板84の長手方向に沿って摺動駆動可能に水平板84に取付けられる。下フォーク86の基部86aにはサブスタンド87が立設され、上フォーク85はサブスタンド87に昇降駆動可能に取付けられる。従って、上フォーク85は下フォーク86と共に、水平板84の長手方向に沿って一体的に摺動することとなる。
【0069】
上フォーク85のフィンガ85b、85cと、下フォーク86のフィンガ86b、86cとは、上下方向の厚さが同一で、基板Sのカセット42内への収納間隔よりも小さくなっている。また、上フォーク85のフィンガ85b、85cの内エッジ間の幅は、下フォーク86のフィンガ86b、86cの外エッジ間の幅よりも僅かに大きく設定される。更に、下フォーク86の基部86aは、そのフィンガ86b、86cよりも、上フォーク85の基部85aの厚さ分だけ下に凹んでいる。
【0070】
従って、上フォーク85が最も降下した際、上フォーク85のフィンガ85b、85cと下フォーク86のフィンガ86b、86cとは横方向から見て一枚の板のように相互に重なり合うことができる。この時、上フォーク85のフィンガ85b、85cは、下フォーク86のフィンガ86b、86cのちょうど外側で同一平面上に位置する。また、この時、少なくとも両フォーク85、86の上側の支持面を整一させるようにする。ここでは、両上フォーク85、86の厚さが同じであるから、両フォーク85、86の上側の支持面も、下側の底面も整一する。
【0071】
このような構成の搬送機構80を用いると、処理済み基板のカセット42への収納と、未処理基板のカセットからの取り出しとを同時に並行して行うことができ、スループットが向上する。搬送機構80は、回転系が1カ所で、他は全て直線摺動系であるから、高速且つ安定した動作を行うことができる。
【0072】
ロードロック室3a、3bは個別に任意の減圧雰囲気に設定し且つ維持することが可能となっている。従って、ロードロック室3a、3bは、個別動作可能なゲートバルブ9aを介して搬送室5に接続される一方、個別動作可能なゲートバルブ9bを介して外部雰囲気に接続される。
【0073】
この実施の形態において、両ロードロック室3a、3bは、図15図示の様な同一の内部構造を有する。即ち、各ロードロック室3a、3bは、水平な2段の基板支持レベルを有し、一度に2枚の基板Sを保持するように構成される。上段支持レベルは対向する一対のハンド91により規定され、下段支持レベルは対向する一対のハンド92により規定される。
【0074】
各ハンド91、92は前方に向かって広がるように配設された一対のフィンガ93を有する。フィンガ93は内側壁に取付けられた駆動部94に取付けられ、駆動部94により、図15図示の位置と、フィンガ93が側壁に向かって退避する退避位置との間で旋回駆動される。
【0075】
また、各ロードロック室3a、3bには底壁の下に配設された駆動部(図示せず)により上下に駆動される4本の支持ピン96が配設される。支持ピン96は、底壁の下に退避する退避位置と、ハンド91により規定される上段支持レベルよりも上に突出する突出位置との間で移動可能であると共に、任意の位置で停止可能となる。
【0076】
各フィンガ93が閉じて図15図示の位置にある時、各ハンド91、92により基板Sを対応の支持レベルに支持可能となる。反対に、各フィンガ93が退避位置に開くと、支持ピン96に支持された基板Sが、対向する一対のハンド91、91間、或いは一対のハンド92、92間を通過することができる。
【0077】
更に、この実施の形態においては、搬送室5内に配設された搬送機構60xには、上下2フォーク66a、66bを有するキャッチャ66が具備されるが、バッファ枠体70は付設されていない。これは、上下2つのロードロック室3a、3bが配設されると共に、処理室2、4、6だけでなく、ロードロック室3a、3bにおいても、処理済み基板と未処理基板との交換操作を搬送機構60xの一進出動作で行うことができるため、バッファ枠体70を省略することができるからである。また、キャッチャ66をバッファ枠体70側に向ける必要がないため、キャッチャ66とベース68とは一つの中間アーム63で接続される。更に、ベース68は、シリンダ機構69を介して上下に駆動可能となっている。
【0078】
上述のような構成により、各ロードロック室3a、3bにおいては、搬送機構60xの一進出動作で、処理済み基板と未処理基板との交換操作が可能となる。この操作は、処理室2、4、6の載置台10に支持ピン11と支持部材12とを配設することにより実現した、処理済み基板と未処理基板との交換操作と類似している。
【0079】
なお、ロードロック室3a、3bの各ハンド91、92のフィンガ93が開閉可能であるのは、例えば、空き時間に処理済みの基板Sを上段支持レベルから下段支持レベルに移す等の付随的な動作に対応するためのものである。従って、処理済み基板と未処理基板との交換操作を搬送機構60xの一進出動作で行うためだけであれば、各ハンド91、92のフィンガ93は開閉動作せず、図15図示の位置に固定されたものでよい。
【0080】
次に、ロードロック室3a、3bにおいて、搬送室5の搬送機構60xにより処理済み基板と未処理基板とを交換する操作について説明する。ここでは、搬送機構60xの下フォーク66bに処理済み基板S1が支持され、ロードロック室3aのハンド91(上段支持レベル)に未処理基板S2が支持された状態を想定する。また、ロードロック室3aの上下段支持レベル間の間隔が搬送機構60xの上下段支持レベル間の間隔よりも十分大きく設定されるものとする。なお、ゲートバルブ9a等の付随的な操作の説明は省略する。
【0081】
先ず、下フォーク66bで処理済み基板S1を支持するキャッチャ66を、ハンド91で未処理基板S2を支持するロードロック室3a内に挿入する。この時、キャッチャ66の上下フォーク66a、66bの両者がロードロック室3aの上下ハンド91、92間に位置するようにする。
【0082】
次に、支持ピン96を上昇させ、支持ピン96によりキャッチャ66の下フォーク66bから処理済み基板S1を受取る。次に、支持ピン96と共にキャッチャ66を上昇させ、上フォーク66aによりハンド91から未処理基板S2を受取る。
【0083】
次に、上フォーク66aで未処理基板S2を支持するキャッチャ66を搬送室5へ退避させる。次に、支持ピン96を下降させ、ハンド92(下段支持レベル)上に処理済み基板S1を載置する。
【0084】
次に、上記操作に続いて、ロードロック室3a、3bにおいて、外部雰囲気側の搬送機構80により処理済み基板と未処理基板とを交換する操作について説明する。ここでは、ロードロック室3aのハンド92(下段支持レベル)に処理済み基板S1が支持され、搬送機構80の上フォーク85に未処理基板S3が支持された状態を想定する。なお、ゲートバルブ9b等の付随的な操作の説明は省略する。
【0085】
先ず、上フォーク85で未処理基板S3を支持する搬送機構80を、ハンド92で処理済み基板S1を支持するロードロック室3a内に挿入する。この時、搬送機構80の上下フォーク85、86間の間隔を予め広げておき、上下フォーク85、86間にロードロック室3aの上下ハンド91、92が位置するようにする。
【0086】
次に、搬送機構80の水平板84を上昇させながら、上フォーク85を下フォーク86に向けて移動させる。この操作により、上下フォーク85、86を上昇させながら両者間の間隔を狭めることができる。従って、上フォーク85から上ハンド91に未処理基板S3を載置すると共に、下フォーク86により下ハンド92から処理済み基板S1を受取ることができる。
【0087】
図16は図12乃至図15を参照して述べた実施の形態に係る真空処理装置におけるLCD基板Sの搬送シーケンスを順に示す説明図である。ここでは、処理室2、6で同一のエッチング処理を、処理室4でアッシング処理を行うことを想定している。図16においては混同を避けるため、(a)のみに処理装置の各室の参照符号を付してある。(b)〜(s)中の数字は、LCD基板Sである基板S1〜S8の係数のみを取上げて示すものである。
【0088】
先ず、下ロードロック室3bに基板S1、上ロードロック室3aに基板S2を導入する(図16(b)、(c))。次に、基板S1を下ロードロック室3bから搬送室5を経由し(図16(d))、処理室2にロードし、基板S1のエッチングを開始する。また、基板S1を処理室2にロードするのと並行して下ロードロック室3bに基板S3を搬入する(図16(e))。そして、基板S1の処理中、基板S2を上ロードロック室3aから搬送室5を経由し(図16(f))、処理室6にロードし、基板S2のエッチングを開始する。また、基板S2を処理室6にロードするのと並行して上ロードロック室3aに基板S4を搬入する(図16(g))。
【0089】
次に、基板S1、S2の処理中、基板S3を下ロードロック室3bから搬送室5に移動する(図16(h))。更に、基板S2の処理中、エッチング処理済みの基板S1と基板S3とを搬送機構60xの一進出動作で交換し、基板S1を搬送室5にアンロードすると共に基板S3を処理室2にロードする。また、これと並行して、下ロードロック室3bに基板S5を搬入する(図16(i))。
【0090】
次に、基板S2、S3の処理中、基板S1を搬送室5から処理室4にロードし、基板S1のアッシングを開始する(図16(j))。更に、基板S2、S3、S1の処理中、基板S4を上ロードロック室3aから搬送室5に移動する(図16(k))。そして、基板S3、S1の処理中、エッチング処理済みの基板S2と基板S4とを搬送機構60xの一進出動作で交換し、基板S2を搬送室5にアンロードすると共に基板S4を処理室6にロードする。また、これと並行して、上ロードロック室3aに基板S6を搬入する(図16(l))。
【0091】
次に、基板S3、S4の処理中、アッシング処理済みの基板S1と基板S2とを搬送機構60xの一進出動作で交換し、基板S1を搬送室5にアンロードすると共に基板S2を処理室4にロードする(図16(m))。更に、基板S3、S4、S2の処理中、処理完了基板S1と基板S5とを搬送機構60xの一進出動作で交換し、基板S1を下ロードロック室3bに戻すと共に基板S5を搬送室5に移動する(図16(n))。そして、基板S4、S2の処理中、エッチング処理済みの基板S3と基板S5とを搬送機構60xの一進出動作で交換し、基板S3を搬送室5にアンロードすると共に基板S5を処理室2にロードする。また、これと並行して、処理完了基板S1と基板S7とを外部雰囲気側の搬送機構80の一進出動作で交換し、基板S1を搬出すると共に基板S7を下ロードロック室3bに搬入する(図16(o))。
【0092】
以下、同様な操作を繰返すことにより(図16(p)〜(s))、基板S1〜S8を、それらの係数の小さい順に処理を完了して、真空処理装置から搬出することができる。
【0093】
以上のような処理においては、処理室及びロードロック室における基板の交換の高効率化により、従来にない極めて高いスループットを実現することができる。
【0094】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々変形が可能である。特に、処理装置の各特徴部分を各実施の形態に別けて述べたが、それらの特徴部分は、任意に組み合わせ可能である。例えば、図1図示の処理装置に、図12を参照して述べた搬送機構80や、図15を参照して述べたロードロック室3a、3bを用いることができる。また、図12図示の処理装置に、図3を参照して述べた搬送機構60や図4を参照して述べたロードロック室3を用いることができる。
【0095】
更に、例えば、本発明は、単一の処理室を有する処理装置にも有効に適用することができ、真空処理に限らず常圧または陽圧の処理装置にも適用することができる。また、エッチング、アッシング装置に限らず、成膜装置等、他の種々の処理装置に適用することができる。更にまた、被搬送基板はLCD基板に限らず、半導体基板等、他の基板であってもよい。
【0096】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理室、ロードロック室或いは基板カセットにおける処理済み基板と未処理基板との交換操作を効率よく行うことができるため、スループットを著しく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る真空処理装置の概観を示す斜視図。
【図2】図1図示の装置の内部を示す概略横断平面図。
【図3】図1図示の装置の搬送室内に配設された搬送機構及びバッファ枠体を示す斜視図。
【図4】図1図示の装置のロードロック室内に配設されたバッファラック及びポジショナを示す斜視図。
【図5】図1図示の装置の処理室における基板の交換操作を説明するための図。
【図6】図1図示の装置の処理室における基板の交換操作を説明するための図。
【図7】図1図示の装置の処理室における基板の交換操作を説明するための図。
【図8】図1図示の装置の処理室における基板の交換操作を説明するための図。
【図9】図1図示の装置の処理室において未処理基板を支持する支持部材の動作を示す図。
【図10】図1図示の装置の処理室において未処理基板を支持する支持部材の変形例を示す図。
【図11】図10図示の支持部材の動作を示す図。
【図12】本発明の別の実施の形態に係る真空処理装置の概観を示す斜視図。
【図13】図12図示の装置の内部を示す概略横断平面図。
【図14】図12図示の装置の内部を示す概略側面図。
【図15】図12図示の装置のロードロック室の内部を示す概略斜視図。
【図16】図12図示の装置における基板の搬送シーケンスを順に示す説明図。
【符号の説明】
2、4、6……処理室
3、3a、3b……ロードロック室
5……搬送室
10……載置台
11……支持ピン(第2の支持部材)
12、12x……支持部材(第1の支持部材)
30……バッファラック
42……LCD基板カセット
50……搬送機構
60、60x……搬送機構
62……アーム
66……キャッチャ
66a、66b……フォーク
80……搬送機構
85、86……フォーク
91、92……ハンド
S……LCD基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate support mechanism and a substrate replacement method of a semiconductor processing apparatus for performing semiconductor processing on an LCD (liquid crystal display) substrate or a semiconductor wafer, and a semiconductor processing apparatus and a substrate transfer apparatus. Here, the semiconductor processing means various processings performed for manufacturing a semiconductor device on a substrate to be processed such as an LCD substrate and a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in a manufacturing process of an LCD panel, a so-called multi-chamber type vacuum processing apparatus including a plurality of vacuum processing chambers for performing predetermined semiconductor processing such as etching and ashing on an LCD substrate under a reduced pressure atmosphere has been used. I have.
[0003]
Such a vacuum processing apparatus has a load lock chamber provided with a substrate transfer mechanism having a transfer arm and the like therein, and a plurality of vacuum processing chambers provided around the load lock chamber. The substrate to be processed is loaded into each vacuum processing chamber by the transfer arm in the load lock chamber, and the processed substrate is unloaded from each vacuum processing chamber.
[0004]
In such an LCD substrate processing apparatus, a major technical problem is how to improve the number of substrates that can be processed in a certain period, that is, how to improve the throughput of the apparatus. For this purpose, as described above, the apparatus is of a multi-chamber type, and the transfer arm is provided in two stages, upper and lower.
[0005]
When a two-stage transfer arm is used, the transfer arm accesses the mounting table in the vacuum processing chamber while the unprocessed substrate is mounted on the upper arm, and the lower arm advances first to receive the processed substrate. Thereafter, the lower arm is retracted, and then the upper arm is advanced to transfer the unprocessed substrate onto the mounting table.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described board exchange operation, there is a certain limit in the time reduction, and further improvement in throughput for the LCD board is required.
[0007]
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a substrate support mechanism and a substrate replacement method of a semiconductor processing apparatus, and a semiconductor processing apparatus and a substrate transfer apparatus that can improve throughput in substrate processing. With the goal.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A first aspect of the present invention is a mechanism for supporting a substrate to be processed in a semiconductor processing apparatus,
A mounting table on which one of the substrates is mounted and which is arranged so that the transfer of the substrate is performed by a transfer member;
A plurality of first supports arranged so as to be able to advance and retreat and to support one of the substrates at a first position above the mounting table so as to exchange the substrates in cooperation with the transport member; Components,
In a state in which one of the substrates is supported at the first position by the first support member so that the substrate can be replaced in cooperation with the transfer member, the other of the substrates is A plurality of second support members disposed so as to be able to support one of the above at the mounting table and at a second position vertically overlapping the first position;
It is characterized by having.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the mechanism according to the first aspect, the first support member is disposed outside the mounting table.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, in the mechanism according to the second aspect, each of the first support members is accommodated in a shield member while being covered by a lid in a retracted state.
[0011]
According to a fourth aspect of the present invention, in the mechanism according to the second aspect, the first support member includes a support rod, each of which can advance and retreat, and a projecting member disposed at the tip of the support rod. The overhang member supports one of the substrates cooperatively at a position overhanging the mounting table.
[0012]
According to a fifth aspect of the present invention, in the mechanism according to the fourth aspect, the projecting member is configured to move between a position extending above the mounting table and a position retracting from above the mounting table by rotation of the support rod. It is characterized by being moved between.
[0013]
According to a sixth aspect of the present invention, in the mechanism according to the fourth or fifth aspect, the support rod is housed in a shield member in a retracted state while being covered by the extension member.
[0014]
According to a seventh aspect of the present invention, in the mechanism according to any one of the first to sixth aspects, the second support member is disposed inside the mounting table.
[0015]
According to an eighth aspect of the present invention, in the mechanism according to any one of the first to seventh aspects, the first position is above the second position, and the first and second positions are An unprocessed substrate and a processed substrate are supported, respectively.
[0016]
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a board replacement method using the mechanism according to any one of the first to eighth aspects,
Holding a first substrate, which is one of the substrates, on the transport member, and arranging the first support member at an advanced position;
A first transfer step of transferring the first substrate from the transfer member onto the first support member after the transfer member has advanced to a predetermined position above the mounting table;
In a state where the first substrate is supported at the first position by the first support member, a second substrate which is another one of the substrates is moved to the second position by the second support member. A step of supporting the
A second transfer step of transferring the second substrate from the second support member onto the transfer member after the transfer member has advanced to a predetermined position above the mounting table;
It is characterized by having.
[0017]
According to a tenth aspect of the present invention, in the method according to the ninth aspect, the transport member has first and second holding units, and the first and second transfer steps are performed simultaneously. I do.
[0018]
An eleventh aspect of the present invention is an apparatus for performing semiconductor processing on a substrate to be processed,
A load lock chamber capable of loading and unloading the substrate through a gate and setting a reduced pressure atmosphere;
A transfer chamber connected to the load lock chamber via a gate and settable in a reduced pressure atmosphere;
A processing chamber connected to the transfer chamber via a gate and for performing the semiconductor processing in a reduced-pressure atmosphere;
A transfer member disposed in the transfer chamber for transferring the substrate between the load lock chamber and the processing chamber;
Wherein the load lock chamber has first and second support levels that can respectively support one of the substrates and overlaps vertically, and extends vertically through the first and second support levels. And a plurality of support pins that can move the substrate and support the substrate.
[0019]
A twelfth aspect of the present invention is the device according to the eleventh aspect, wherein each of the first and second support levels is defined by a pair of openable and closable fingers supporting the substrate, wherein the fingers are in a closed state. And supporting the substrate in an open state to allow the substrate to pass vertically between the one fingers.
[0020]
A thirteenth aspect of the present invention is an apparatus for performing semiconductor processing on a substrate to be processed,
A first load lock chamber capable of loading / unloading the substrate via a gate and capable of being set to a reduced pressure atmosphere;
A second load lock chamber that is capable of carrying in and out the substrate via a gate and that can be set to a reduced-pressure atmosphere, and that is disposed so as to vertically overlap the first load lock chamber;
A transfer chamber connected to the first and second load lock chambers via a gate and setable in a reduced-pressure atmosphere;
A processing chamber connected to the transfer chamber via a gate and for performing the semiconductor processing in a reduced-pressure atmosphere;
A vertically movable transport member disposed in the transport chamber for transporting the substrate between the first and second load lock chambers and the processing chamber;
It is characterized by having.
[0021]
A fourteenth aspect of the present invention is an apparatus for transporting a substrate between a cassette containing a plurality of substrates to be processed and a semiconductor processing apparatus,
An upper fork having an upper finger on which one of the substrates is placed;
A lower fork having a lower finger on which one of the substrates is placed;
A drive unit for driving the upper and lower forks,
Wherein the drive unit integrally drives the upper and lower forks so as to be vertically movable, rotatable and horizontally linearly slidable, and on the same plane as the state where the upper and lower fingers are located on the same plane. The vertical fork is relatively vertically movable between a position where the fork is not positioned.
[0022]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings.
[0023]
Here, a multi-chamber type vacuum processing apparatus for performing an etching process and an ashing process for forming a semiconductor device or the like on a glass LCD substrate will be described.
[0024]
FIG. 1 is a perspective view showing an overview of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional plan view showing the inside thereof.
[0025]
A
[0026]
Each of the
[0027]
A mounting table 10 is provided in each of the
[0028]
The
[0029]
Each stand 31 has two
[0030]
The pair of
[0031]
A pair of
[0032]
The
[0033]
The
[0034]
Between the two
[0035]
The
[0036]
Note that only one cassette can be installed. In this case, the processed substrates are returned to the empty space in the same cassette.
[0037]
The
[0038]
The
[0039]
The
[0040]
The
[0041]
The
[0042]
The mounting table 10 is disposed in each of the
[0043]
The four support pins 11 (second support members) are provided at the edge of the mounting table 10 so as to be able to advance and retract. The four support members 12 (first support members) are composed of a support rod 12a provided to be able to advance and retract on a
[0044]
In the retracted position, the
[0045]
The height of the
[0046]
Next, the operation of the device configured as described above will be described.
[0047]
First, the two
[0048]
In the
[0049]
After the alignment as described above, the gate valve 9a between the
[0050]
With the substrate loaded into the
[0051]
The replacement operation at this time will be described with reference to FIGS.
[0052]
First, the
[0053]
Next, the processed substrate S2 is lifted by advancing the support pins 11, and is supported at the second position. With the above operation, the state of FIG. 5 is formed. In this case, the height of the
[0054]
Next, as shown in FIG. 6, the
[0055]
Thereafter, as shown in FIG. 7, the
[0056]
As described above, when exchanging the substrates in the processing chamber, the loading of the unprocessed substrates and the unloading of the processed substrates can be performed by one movement of the holding unit (catcher). For this reason, the replacement time of the substrate can be significantly reduced. By the way, the time required for the replacement operation was 17 seconds in the past, but was reduced to 8 seconds or less, which is less than half.
[0057]
While such an operation is being performed, the substrate on the
[0058]
The processed substrate S2 is returned to the
[0059]
In the processing described above, an extremely high throughput, which has not been achieved in the past, can be realized due to the existence of the buffer mechanism and particularly to the high efficiency of substrate exchange in the processing chamber.
[0060]
Further, in the above-described apparatus, continuous processing of etching and ashing can be performed, and the efficiency is high also in this regard. Further, by changing the program, various processes corresponding to the needs of the user, such as etching, continuous etching, and single etching, can be performed, and the versatility is extremely high.
[0061]
For example, a support bar 12a provided with a plate-shaped
[0062]
Further, the
[0063]
FIG. 12 is a perspective view showing an overview of a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 13 and 14 are a schematic cross-sectional plan view and a schematic side view showing the inside thereof. In these figures, portions common to the previous embodiment described with reference to FIGS. 1 to 11 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
[0064]
As shown in FIG. 12, a processing apparatus 1B according to this embodiment has the same three
[0065]
A mounting table 10 having four support pins 11 and four
[0066]
The upper and lower two
[0067]
The
[0068]
On the
[0069]
The
[0070]
Therefore, when the
[0071]
When the
[0072]
The
[0073]
In this embodiment, both
[0074]
Each of the
[0075]
In each of the
[0076]
When each
[0077]
Further, in this embodiment, the
[0078]
With the above-described configuration, in each of the
[0079]
The
[0080]
Next, an operation of exchanging a processed substrate and an unprocessed substrate in the
[0081]
First, the
[0082]
Next, the
[0083]
Next, the
[0084]
Next, an operation of exchanging a processed substrate and an unprocessed substrate by the
[0085]
First, the
[0086]
Next, the
[0087]
FIG. 16 is an explanatory diagram sequentially showing the sequence of transporting the LCD substrate S in the vacuum processing apparatus according to the embodiment described with reference to FIGS. Here, it is assumed that the same etching process is performed in the
[0088]
First, the substrate S1 is introduced into the lower
[0089]
Next, during processing of the substrates S1 and S2, the substrate S3 is moved from the lower
[0090]
Next, during the processing of the substrates S2 and S3, the substrate S1 is loaded from the
[0091]
Next, during the processing of the substrates S3 and S4, the ashing-processed substrate S1 and the substrate S2 are exchanged by the first advance operation of the
[0092]
Hereinafter, by repeating the same operation (FIGS. 16 (p) to (s)), the processing of the substrates S1 to S8 can be completed in ascending order of their coefficients, and the substrates can be unloaded from the vacuum processing apparatus.
[0093]
In the above-described processing, an extremely high throughput that has never been achieved can be realized by increasing the efficiency of substrate exchange in the processing chamber and the load lock chamber.
[0094]
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. In particular, although the features of the processing apparatus have been described separately for each embodiment, the features can be arbitrarily combined. For example, the
[0095]
Further, for example, the present invention can be effectively applied to a processing apparatus having a single processing chamber, and can be applied not only to vacuum processing but also to a normal-pressure or positive-pressure processing apparatus. Further, the present invention is not limited to the etching and ashing apparatus, and can be applied to various other processing apparatuses such as a film forming apparatus. Further, the substrate to be transferred is not limited to the LCD substrate, and may be another substrate such as a semiconductor substrate.
[0096]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the operation of exchanging a processed substrate and an unprocessed substrate in the processing chamber, the load lock chamber, or the substrate cassette can be efficiently performed, so that the throughput can be significantly improved. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an overview of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional plan view showing the inside of the apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a transfer mechanism and a buffer frame provided in a transfer chamber of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a perspective view showing a buffer rack and a positioner provided in a load lock chamber of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 5 is a view for explaining a substrate exchange operation in a processing chamber of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a view for explaining a substrate exchange operation in a processing chamber of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 7 is a view for explaining a substrate replacement operation in a processing chamber of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 8 is a view for explaining a substrate exchange operation in a processing chamber of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 9 is a view showing the operation of a support member for supporting an unprocessed substrate in the processing chamber of the apparatus shown in FIG.
FIG. 10 is a view showing a modification of a support member for supporting an unprocessed substrate in the processing chamber of the apparatus shown in FIG.
11 is a view showing the operation of the support member shown in FIG.
FIG. 12 is a perspective view showing an overview of a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a schematic cross-sectional plan view showing the inside of the apparatus shown in FIG. 12;
FIG. 14 is a schematic side view showing the inside of the apparatus shown in FIG. 12;
FIG. 15 is a schematic perspective view showing the inside of a load lock chamber of the apparatus shown in FIG. 12;
FIG. 16 is an explanatory view sequentially showing a substrate transfer sequence in the apparatus shown in FIG. 12;
[Explanation of symbols]
2, 4, 6 ... Processing room
3, 3a, 3b ... Load lock chamber
5 Transfer chamber
10 Mounting table
11 Support pin (second support member)
12, 12x... Support member (first support member)
30 ... buffer rack
42 ... LCD substrate cassette
50: transport mechanism
60, 60x ... transport mechanism
62 ... arm
66 ... Catcher
66a, 66b ... fork
80: Transport mechanism
85,86 ... fork
91,92 ... hand
S ... LCD substrate
Claims (10)
前記基板の1つを載置すると共に搬送部材により前記基板の交換が行われるように配設された載置台と、
前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、進退可能で且つ前記基板の1つを前記載置台上方の第1の位置で支持可能に配設された複数の第1の支持部材と、
前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、進退可能で且つ、前記第1の支持部材により前記基板の1つが前記第1の位置で支持された状態において、前記基板の他の1つを前記載置台上方で且つ前記第1の位置に対して上下に重なる第2の位置で支持可能に配設された複数の第2の支持部材と、
を具備することと、
前記第1の支持部材は前記載置台の外側に配設されることと、
前記第1の支持部材の夫々は、退避状態において蓋によりカバーされた状態でシールド部材中に収容されることと、
を特徴とする半導体処理装置の基板支持機構。A mechanism for supporting a substrate to be processed in a semiconductor processing apparatus,
A mounting table on which one of the substrates is mounted and which is arranged so that the transfer of the substrate is performed by a transfer member;
A plurality of first supports arranged so as to be able to advance and retreat and to support one of the substrates at a first position above the mounting table so as to exchange the substrates in cooperation with the transport member; Components,
In a state in which one of the substrates is supported at the first position by the first support member so that the substrate can be replaced in cooperation with the transfer member, the other of the substrates is A plurality of second support members disposed so as to be able to support one of the above at the mounting table and at a second position vertically overlapping the first position;
Comprising :
The first support member is disposed outside the mounting table,
Each of the first support members is accommodated in the shield member while being covered by the lid in the retracted state;
A substrate support mechanism for a semiconductor processing apparatus, comprising:
前記基板の1つである第1の基板を前記搬送部材に保持する一方、前記第1の支持部材を進出位置に配置する工程と、
前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させた後、前記第1の基板を前記搬送部材から前記第1の支持部材上に移載する第1の移載工程と、
前記第1の支持部材により前記第1の基板を前記第1の位置に支持した状態において、前記基板の別の1つである第2の基板を前記第2の支持部材により前記第2の位置に支持する工程と、
前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させた後、前記第2の基板を前記第2の支持部材から前記搬送部材上に移載する第2の移載工程と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置の基板交換方法。A substrate replacement method using the substrate support mechanism according to any one of claims 1 to 4 ,
Holding a first substrate, which is one of the substrates, on the transport member, and arranging the first support member at an advanced position;
A first transfer step of transferring the first substrate from the transfer member onto the first support member after the transfer member has advanced to a predetermined position above the mounting table;
In a state where the first substrate is supported at the first position by the first support member, a second substrate which is another one of the substrates is moved to the second position by the second support member. A step of supporting the
A second transfer step of transferring the second substrate from the second support member onto the transfer member after the transfer member has advanced to a predetermined position above the mounting table;
A method for replacing a substrate in a semiconductor processing apparatus, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000316685A JP3554534B2 (en) | 1995-12-12 | 2000-10-17 | Substrate support mechanism and substrate exchange method for semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing apparatus and substrate transfer apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-323094 | 1995-12-12 | ||
JP32309495 | 1995-12-12 | ||
JP2000316685A JP3554534B2 (en) | 1995-12-12 | 2000-10-17 | Substrate support mechanism and substrate exchange method for semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing apparatus and substrate transfer apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31342096A Division JP3650495B2 (en) | 1995-12-12 | 1996-11-25 | Semiconductor processing apparatus, substrate replacement mechanism and substrate replacement method thereof |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004062576A Division JP3816929B2 (en) | 1995-12-12 | 2004-03-05 | Semiconductor processing equipment |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001160584A JP2001160584A (en) | 2001-06-12 |
JP3554534B2 true JP3554534B2 (en) | 2004-08-18 |
JP2001160584A5 JP2001160584A5 (en) | 2004-10-28 |
Family
ID=26571057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000316685A Expired - Fee Related JP3554534B2 (en) | 1995-12-12 | 2000-10-17 | Substrate support mechanism and substrate exchange method for semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing apparatus and substrate transfer apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3554534B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100980024B1 (en) * | 2003-06-19 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | Board Supporting Device |
JP4908771B2 (en) * | 2005-04-27 | 2012-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing device system |
US8562271B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-10-22 | Brooks Automation, Inc. | Compact substrate transport system |
KR101226954B1 (en) * | 2008-08-06 | 2013-01-28 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus and method for transferring substrate of the same |
JP5037551B2 (en) | 2009-03-24 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate replacement mechanism and substrate replacement method |
JP4707749B2 (en) * | 2009-04-01 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate replacement method and substrate processing apparatus |
CN111033715A (en) * | 2017-08-25 | 2020-04-17 | 株式会社日本制钢所 | Laser irradiation device |
JP7573403B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-25 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000316685A patent/JP3554534B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001160584A (en) | 2001-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3650495B2 (en) | Semiconductor processing apparatus, substrate replacement mechanism and substrate replacement method thereof | |
US5989346A (en) | Semiconductor processing apparatus | |
KR100639765B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and manufacturing method of semiconductor device | |
KR0179385B1 (en) | Vacuum apparatus | |
JP4416323B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method | |
JP3139155B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
US20070065581A1 (en) | Substrate processing system and method | |
KR101321612B1 (en) | Substrate position alignment mechanism, vacuum prechamber and substrate processing system having same | |
JP4227623B2 (en) | Semiconductor processing equipment | |
JPH10256346A (en) | Cassette transferring mechanism and semiconductor manufacturing apparatus | |
TW563184B (en) | Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device | |
JP3554534B2 (en) | Substrate support mechanism and substrate exchange method for semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing apparatus and substrate transfer apparatus | |
JP2010219281A (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
TW514972B (en) | Vacuum processing apparatus | |
JPH07335717A (en) | Buffer device for treated article and treating device using this buffer device and its conveying method | |
JP3570827B2 (en) | Processing equipment | |
JP3892494B2 (en) | Substrate transfer device | |
JP3816929B2 (en) | Semiconductor processing equipment | |
JPH06252245A (en) | Vacuum processing equipment | |
JP3662154B2 (en) | Substrate processing system | |
JP2001160584A5 (en) | ||
JPH05326666A (en) | Conveyor | |
JP2019186536A (en) | Epitaxy process system comprising automatic conveyance system, and automatic conveyance method of the same | |
JPH08124916A (en) | Multi-chamber vacuum heat treatment system | |
JP3242145B2 (en) | Substrate transfer device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |