JP3539749B2 - 転がり要素 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、軸受構成部品等の転がり要素一般における耐食性確保手段に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体のエッチング処理工程やCVD(化学蒸着)処理工程では、シラン系、フッ素系、塩素系などの反応性ガスを使用する関係上、装置内部に組込まれる部品等の腐食が問題になる。特に、軸受構成部品等の転がり要素においては、転がり摩擦を生ずる表面(軌道面、転動体の転動面等)に腐食が生じると、機能低下、耐久性低下につながるので、腐食防止対策が極めて重要になる。腐食性雰囲気のレベルは同一の装置内部においても異なり、腐食雰囲気レベルの高い箇所に配置される場合は高ニッケル合金などを用いることによって対応が可能であり、また、腐食雰囲気レベルの比較的低い箇所に配置される場合はマルテンサイト系ステンレス鋼などを用いることによって対応が可能である。
【0003】
ところで、同一の部品においても雰囲気中に露出している部分とそうでない部分とでは腐食の生じ方には当然に差異があり、腐食雰囲気レベルとしては比較的低度であっても、雰囲気中に露出している部分には腐食が進行しやすい。例えば、軸受を搬送台車の車輪として使用する場合(カムフォロアなど)を例に取ると、外輪の外径面はガイドレール上等を転動しながら走行するため、雰囲気中の腐食物質と直接接触する可能性があり、最も腐食が生じやすい。
【0004】
以上のような理由から、従来、腐食雰囲気レベルの比較的低い箇所に転がり要素を使用するにあたり、これをマルテンサイト系ステンレス鋼で形成すると共に、転がり摩擦を生ずる表面のうち、最も腐食の生じやすい露出表面、上記の例で言うと、外輪の外径面にクロムをメッキ処理して耐食性の改善を図っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
クロムのコーティング層は耐食性、耐摩耗性に優れており、しかも、十分な耐食性を確保するために、5〜10μm程度の比較的厚いコーティング層を形成する場合でも、メッキ処理により短時間で行なうことができるという利点がある。しかし、図4に拡大して示すように、クロムのメッキ層12bにはピンホールPの発生という問題があり、これが母材12の表面に早期に発錆Aを生じさせる要因となっていた。これは、ピンホールPによって母材12を覆わない部分ができるため、ピンホールPから侵入した腐食物質によって母材12が直接侵される場合のほか、ピンホールPから侵入した水分によって母材金属(鉄系)とメッキ層12b(クロム)との間にガルバニック腐食(水分の付着により局部電池が形成され、電流が流れて腐食が起こる現象)が発生し、母材12の腐食が促進されてしまうからである。このようなクロムのメッキ層12bにおけるピンホールPは、膜厚を比較的厚くした場合でも発生が不可避なので、結局のところ、メッキ層12bを形成しただけでは、耐食性確保のための手段としては不十分であるといわざるをえない。
【0006】
一方、クロムのコーティング法として、湿式法としてのメッキ法のほか、乾式法としてのイオンプレーティング法が考えられ、これによれば、緻密性、密着性に優れたコーティング層を形成することができるので、ピンホールの発生による問題は回避される。しかしながら、十分な耐食性を確保するためには、膜厚を比較的厚くする必要があり、これをイオンプレーティングのみで達成しようとする、多大な時間がかかり、作業性が悪く、コスト高になる。
【0007】
そこで、本発明の目的は、クロムメッキ層におけるピンホール発生による問題点を解消し、腐食性雰囲気下において良好な耐食性、耐久性を有する転がり要素を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の転がり要素は、転がり要素の転がり摩擦を生ずる表面のうち、雰囲気中に露出した表面にクロム、クロム合金、クロムと炭素との化合物又は共析物、クロムと窒素との化合物又は共析物、クロムとりんとの化合物又は共析物、クロムといおうとの化合物又は共析物、クロムと酸素との化合物又は共析物、クロムとフッ素との化合物又は共析物の中から選択される金属材料からなる耐食被膜を形成し、雰囲気中に露出していない表面にPTFEからなる潤滑被膜を形成したものであって、この耐食被膜が、母材表面を覆う厚さ5〜10μmのメッキ層と、このメッキ層の上層に形成されたイオンプレーティング層とで構成されているものである。
【0009】
さらに、上記耐食被膜の上層にPTFEからなる潤滑被膜を形成したものである。
【0010】
【作用】
イオンプレーティング層は緻密性、密着性に優れ、メッキ層の表面を斑なく被覆する。クロムのメッキ層にはピンホールの発生があり、これが母材の早期腐食の要因となるが、この耐食被膜にあっては、イオンプレーティング層がメッキ層のピンホールの奥部にまで入り込んで母材表面を覆いこれを保護するので、ピンホールにおける母材腐食の問題は解消される。ピンホール以外の部分については、メッキ層が母材表面を覆い、母材表面を腐食性雰囲気から効果的に保護する。同時に、イオンプレーティング層がメッキ層の表面を覆い、メッキ層に対する一種のバリア層として機能するので、メッキ層の良好な耐食効果が長期にわたって維持される。
【0011】
転がり要素の転がり摩擦を生ずる表面のうち、雰囲気中に露出した表面に上記耐食被膜を形成し、雰囲気中に露出していない表面にPTFEからなる潤滑被膜を形成することにより、真空中での使用が可能になる。一般に、真空中における転がり要素の潤滑には、二硫化モリブデン等の層状物質、金、銀、鉛等の軟質金属、PTFE、ポリイミド等の高分子材料などの固体潤滑剤が使用される場合が多いが、これらの中で層状物質や軟質金属は反応性ガスに侵され易いので、腐食性雰囲気下での使用には適さない。これに対し、PTFEは化学的に安定した物質で反応性ガスにも比較的侵されにくい。そのため、PTFEからなる潤滑被膜は、転がり摩擦を生ずる表面において良好な潤滑作用をなすと同時に、反応性ガスなどから母材表面を保護する作用をもなす。雰囲気中に露出していない部分は比較的腐食が生じにくく、そのため、PTFEの潤滑被膜により十分な耐食効果を期待することができる。
【0012】
耐食被膜の転がり摩擦による摩耗劣化が予想される場合には、耐食被膜の上層にPTFEの潤滑被膜を形成することにより、これを防止することができる。
【0013】
【実施例】
以下、本発明をカムフォロアに適用した実施例について説明する。
【0014】
図1に示すカムフォロアは、半導体製造設備におけるエッチング処理装置やCVD処理装置等の真空機器に使用するのに適したものである。このカムフォロアは、頭部の外周に軌道面を形成したスタッド1と、内周に軌道面を形成した外輪2と、スタッド1・外輪1、2の軌道面間に介在する複数のころ3と、ころ3を円周等間隔に保持する保持器4とを主要な要素として構成されている。スタッド1の端部にはねじ部1aが形成され、相手部材のネジ穴に締結してスタッド1を取付けることができるようになっている。保持器4は、スタッド1の端部に形成されたフランジ部1bと、スタッド1に圧入されたリング状の側板5とによっての軸方向の両側から抜止め規制される。
【0015】
この実施例は、上記のようなカムフォロアにおいて、転がり要素すなわちスタッド1、外輪2、ころ3の転がり摩擦を生ずる表面のうち、雰囲気中に露出した外輪2の外径面(相手面例えばガイドレール上を転動する)にクロムからなる耐食被膜2bを形成し、雰囲気中に露出していないスタッド1の軌道面、外輪2の軌道面、および、ころ3の転動面にそれぞれ結晶性のPTFEからなる潤滑被膜1a、2a、3aを形成したものである。さらに、この実施例では、上記転がり要素のうち、少なくとも外輪をSUS440Cで代表されるマルテンサイト系ステンレス鋼で形成してある。
【0016】
図3に拡大して示すように、耐食被膜2bは、外輪2の外径面を覆うクロムのメッキ層2b1と、メッキ層2b1の表面を覆うイオンプレーティング層2b2とからなる。メッキ層2b1は、外輪2の外径面にクロムを電解メッキ等により5〜10μm程度コーティング処理したものである。メッキ法によれば、この程度の比較的厚いコーティング層でも短時間でコーティング処理を行なうことができる。イオンプレーティング層2b2は、メッキ層2b1の表面にクロムをイオンプレーティングにより0.2μm程度コーティング処理したものである。このようなイオンプレーティング層2b2は緻密性、密着性に優れ、メッキ層2b1の表面を斑なく被覆する。イオンプレーティング層2b2は0.2μm程度と薄膜であるため比較的短時間で処理可能であり、また、下地となるメッキ層2b1が同種金属であるので、層境界における親和度が高く、密着性は特に良好である。
【0017】
前述したように、クロムのメッキ層2b1にはピンホールPの発生があり、これが母材の早期腐食の要因となるが、この耐食被膜2bにあっては、イオンプレーティング層2b2がメッキ層2b1のピンホールPの奥部にまで入り込んで母材表面を覆いこれを保護するので、ピンホールPにおける母材腐食の問題は解消される。ピンホールP以外の部分については、メッキ層2b1が母材表面を厚く覆い、母材表面を腐食性雰囲気から効果的に保護する。同時に、イオンプレーティング層2b2がメッキ層2b1の表面を覆い、メッキ層2b1に対する一種のバリア層として機能するので、メッキ層2b1の良好な耐食効果が長期にわたって維持される。
【0018】
上記において、「結晶性のPTFEからなる潤滑被膜」とは、いわゆるスパッタリング被膜のようにPTFEの結晶構造(分子構造)が細分化されていないものをいい、例えば、PTFEの処理液を被処理物にスプレーすることにより、あるいは、被処理物を処理液中に浸漬することにより形成することができる。このような潤滑被膜1a、2a、3aは、PTFE本来の優れた潤滑性能を発揮し、転がり要素の耐久性を高める。同時に、PTFE自体も耐食性に優れた物質なので、転がり要素の表面を腐食物質から保護する。前述したように、半導体のエッチング処理工程等では、塩素系などの反応性ガスを使用するが、反応性ガスはそれ自体単独では母材を侵すことはなく、雰囲気中の水分と結合し酸を生成することにより、初めて母材表面を腐食させる。したがって、腐食雰囲気レベルの比較的低い箇所において、雰囲気中に露出していない部分は比較的腐食が生じにくく、そのため、PTFEの潤滑被膜1a、2a、3aにより、十分な耐食効果を期待することができる。尚、この実施例では、図6に示すように、潤滑被膜1a、2a、3aを連続した島状分布にしてある。連続した島状分布の潤滑被膜は、例えば、PTFEの処理液を被処理物にスプレーして島状に付着させたのち、有機溶剤により溶出して島同士を連続させたものであり、特に、発塵量を少なくすることができるという利点がある(詳細については、本出願人による特願平4−203567号等参照)。尚、耐食被膜2bの転がり摩擦による摩耗劣化が予想されるような場合には、耐食被膜2bの上層にさらに結晶性のPTFEからなる潤滑被膜を形成すると良い。
【0019】
図2は、上記構成の耐食被膜2bを表面に形成した転がり要素について、耐食性の比較試験を行なった結果を示している。比較試験は、塩水噴霧試験(塩化ナトリウム濃度5%、噴霧量1〜2ml/h、試験温度35°C)にて行なった。同図上欄は図3に示すような耐食被膜2b(Crメッキ+Crイオンプレーティング)を形成したもの、中欄は図4に示すようなCrメッキ層12bのみを形成したもの、下欄は図5に示すようなCrイオンプレーティング層12b2の上層にCrメッキ層12b1を形成したものについての結果である。Crメッキ層のみを形成したもの(図4)は290時間で錆の発生が認められたのに対し、耐食被膜2bを形成したもの(図3)は900時間経過後も錆の発生が認められなかった。尚、Crイオンプレーティング層の上層にCrメッキ層を形成したもの(図5)は170時間で錆の発生が認められ、耐食性はCrメッキ層のみを形成したもの(図4)より劣っていた。これは、Crイオンプレーティング層12b2がCrメッキ層12b1の処理時にダメージを受け易いことが要因であると考えられる。
【0020】
耐食層2bの形成材料は、クロムのみならず、クロム合金、クロムと炭素、窒素、りん、いおう、酸素、フッ素等との化合物又は共折物の中から選ぶことができる。
【0021】
尚、本発明は、上述したカムフォロアに限らず、例えば、半導体製造設備におけるウェーハチャッキング用治具、腐食ガス噴出用部品、ゲートバルブ等における転がり要素一般に適用することができる。
【0022】
【発明の効果】
本発明は、以下に示す効果を有する。
【0023】
(1)耐食被膜のイオンプレーティング層がメッキ層のピンホールの奥部にまで入り込んで母材表面を覆いこれを保護するので、ピンホールにおける母材腐食の問題が解消される。また、ピンホール以外の部分については、5〜10μmの厚さを有するメッキ層が母材表面を覆い、母材表面を腐食性雰囲気から効果的に保護する。同時に、イオンプレーティング層がメッキ層の表面を覆い、メッキ層に対する一種のバリア層として機能するので、メッキ層の良好な耐食効果が長期にわたって維持される。
【0024】
(2)イオンプレーティング層が比較的薄膜であっても十分な耐食効果が得られるので、イオンプレーティングのみで厚膜のコーティング層を形成する場合に比べ、処理時間がきわめて短時間で足りる。
【0025】
(3)転がり要素の転がり摩擦を生ずる表面のうち、雰囲気中に露出した表面に上記耐食被膜を形成し、雰囲気中に露出していない表面にPTFEからなる潤滑被膜を形成することにより、真空中での使用が可能になる。
【0026】
(4)PTFEからなる潤滑被膜は、転がり摩擦を生ずる表面において良好な潤滑作用をなすと同時に、反応性ガスなどから母材表面を保護する作用をもなす。雰囲気中に露出していない部分は比較的腐食が生じにくく、そのため、PTFEの潤滑被膜により十分な耐食効果を期待することができる。
【0027】
(5)耐食被膜の転がり摩擦による摩耗劣化が予想される場合には、耐食被膜の上層にPTFEの潤滑被膜を形成することにより、これを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す断面図である。
【図2】耐食性比較試験の結果を示す図である。
【図3】耐食被膜を模式的に示す拡大断面図である。
【図4】クロムのメッキ層を模式的に示す拡大断面図である。
【図5】クロムのイオンプレーティング層の上層にクロムのメッキ層を形成した場合を模式的に示す拡大断面図である。
【図6】PTFEの潤滑被膜を模式的に示す拡大断面図である。
【符号の説明】
2b 耐食被膜
2b1 メッキ層
2b2 イオンプレーティング層
1a 潤滑被膜
2a 潤滑被膜
3a 潤滑被膜
Claims (2)
- 転がり要素の転がり摩擦を生ずる表面のうち、雰囲気中に露出した表面にクロム、クロム合金、クロムと炭素との化合物又は共析物、クロムと窒素との化合物又は共析物、クロムとりんとの化合物又は共析物、クロムといおうとの化合物又は共析物、クロムと酸素との化合物又は共析物、クロムとフッ素との化合物又は共析物の中から選択される金属材料からなる耐食被膜を形成し、雰囲気中に露出していない表面にPTFEからなる潤滑被膜を形成した転がり要素であって、上記耐食被膜が、母材表面を覆う厚さ5〜10μmのメッキ層と、このメッキ層の上層に形成されたイオンプレーティング層とで構成されていることを特徴とする転がり要素。
- 上記耐食被膜の上層にPTFEからなる潤滑被膜を形成したことを特徴とする請求項1の転がり要素。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP32654893A JP3539749B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 転がり要素 |
Applications Claiming Priority (1)
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