JP3537401B2 - 電磁波撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
電磁波撮像装置およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/018—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of hybrid image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/809—Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療分野、工業
分野において光や放射線などの電磁波を検出するのに使
用される電磁波撮像装置およびその製造方法に係り、特
に、電磁波を検出するための検出基板と、電磁波を検出
することにより生成された電子−正孔対であるキャリア
を検出基板から読み出すための読み出し基板とを貼り合
わせ接続するための技術に関する。
分野において光や放射線などの電磁波を検出するのに使
用される電磁波撮像装置およびその製造方法に係り、特
に、電磁波を検出するための検出基板と、電磁波を検出
することにより生成された電子−正孔対であるキャリア
を検出基板から読み出すための読み出し基板とを貼り合
わせ接続するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電磁波撮像装置の構造を図７およ
び図８を参照して説明する。図７は電磁波検出用の検出
基板の概略構成を示した断面図、図８は検出基板と読み
出し基板とを貼り合わせ接続した状態を示した断面図で
ある。なお、作図の便宜上、図７では３つの画素に対応
する部分を、図８では１つの画素に対応する部分をそれ
ぞれ抜き出して示してある。
び図８を参照して説明する。図７は電磁波検出用の検出
基板の概略構成を示した断面図、図８は検出基板と読み
出し基板とを貼り合わせ接続した状態を示した断面図で
ある。なお、作図の便宜上、図７では３つの画素に対応
する部分を、図８では１つの画素に対応する部分をそれ
ぞれ抜き出して示してある。
【０００３】図７に示すように、従来の電磁波撮像装置
に備えられる検出基板１０は、支持基板１１の一方面の
略全面にバイアス印加電極１２が形成されている。この
バイアス印加電極１２の上（図７では下側）に、電磁波
を検出することにより電子−正孔対であるキャリアを生
成する変換層１３が積層されている。この変換層１３の
上に多数個の画素電極１４が形成されている。検出基板
１０からのキャリア（以下、「電荷」ともいう）の収集
率を向上させて読み出し応答性をよくするとともに、キ
ャリアの画素間クロストローク（以下、適宜「クロスト
ーク」という）を防ぐために、検出基板１０と後述する
読み出し基板２０との接続部分を低抵抗にすることが望
ましいとされている。そこで、画素電極１４としては金
属材料が用いられている。
に備えられる検出基板１０は、支持基板１１の一方面の
略全面にバイアス印加電極１２が形成されている。この
バイアス印加電極１２の上（図７では下側）に、電磁波
を検出することにより電子−正孔対であるキャリアを生
成する変換層１３が積層されている。この変換層１３の
上に多数個の画素電極１４が形成されている。検出基板
１０からのキャリア（以下、「電荷」ともいう）の収集
率を向上させて読み出し応答性をよくするとともに、キ
ャリアの画素間クロストローク（以下、適宜「クロスト
ーク」という）を防ぐために、検出基板１０と後述する
読み出し基板２０との接続部分を低抵抗にすることが望
ましいとされている。そこで、画素電極１４としては金
属材料が用いられている。
【０００４】図８に示すように、従来の電磁波撮像装置
に備えられる読み出し基板２０は、絶縁基板２１上に格
子状に区画配列された電極配線２２と、各格子ごとに個
別に設けられた複数個のスイッチング素子２３と、各ス
イッチング素子２３を介して電極配線２２に接続された
複数個の読み出し電極２４と、各読み出し電極２４に電
気的に接続された複数個の電荷蓄積容量２５とを備えた
アクティブマトリクス基板で構成されている。以下、読
み出し基板２０をアクティブマトリクス基板と称して説
明する。
に備えられる読み出し基板２０は、絶縁基板２１上に格
子状に区画配列された電極配線２２と、各格子ごとに個
別に設けられた複数個のスイッチング素子２３と、各ス
イッチング素子２３を介して電極配線２２に接続された
複数個の読み出し電極２４と、各読み出し電極２４に電
気的に接続された複数個の電荷蓄積容量２５とを備えた
アクティブマトリクス基板で構成されている。以下、読
み出し基板２０をアクティブマトリクス基板と称して説
明する。
【０００５】検出基板１０とアクティブマトリクス基板
２０は、各々の画素電極１４と読み出し電極２４との間
に介在させた導電性樹脂３０によって接合されている。
２０は、各々の画素電極１４と読み出し電極２４との間
に介在させた導電性樹脂３０によって接合されている。
【０００６】上述した構成を備えた従来の電磁波撮像装
置によれば、放射線が入射することにより、検出基板１
０の変換層１３中に電荷が生成される。この電荷は画素
電極１４、導電性樹脂３０、および読み出し電極２４を
介して電荷蓄積容量２５に蓄積される。電荷蓄積容量２
５に蓄積された電荷は、ＯＮ状態に切り換えられたスイ
ッチング素子２３を介して読み出される。
置によれば、放射線が入射することにより、検出基板１
０の変換層１３中に電荷が生成される。この電荷は画素
電極１４、導電性樹脂３０、および読み出し電極２４を
介して電荷蓄積容量２５に蓄積される。電荷蓄積容量２
５に蓄積された電荷は、ＯＮ状態に切り換えられたスイ
ッチング素子２３を介して読み出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
【０００８】すなわち、検出基板１０の変換層１３の上
に微細な画素電極１４をフォトリソグラフィ法によって
形成しようとすると、変換層１３の表面を、例えば１ミ
クロン以下の平坦面に抑える必要がある。この変換層１
３は比較的に厚く積層される結果、厚みにバラツキが生
じやすいので、広い面積にわたって平坦にすることは困
難である。
に微細な画素電極１４をフォトリソグラフィ法によって
形成しようとすると、変換層１３の表面を、例えば１ミ
クロン以下の平坦面に抑える必要がある。この変換層１
３は比較的に厚く積層される結果、厚みにバラツキが生
じやすいので、広い面積にわたって平坦にすることは困
難である。
【０００９】また、画素電極１４を形成するためには、
パターン形成用のマスク材、露光装置、エッチング装置
などの種々の装置を必要とする。
パターン形成用のマスク材、露光装置、エッチング装置
などの種々の装置を必要とする。
【００１０】さらに、検出基板１０の画素電極１４とア
クティブマトリクス基板２０の読み出し電極２４とを高
精度に位置合わせする必要があるので、それだけ製造工
程が煩雑化する。
クティブマトリクス基板２０の読み出し電極２４とを高
精度に位置合わせする必要があるので、それだけ製造工
程が煩雑化する。
【００１１】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、検出基板と読み出し基板との貼り合
わせ構造の簡素化および製造工程の簡素化された電磁波
撮像装置およびその製造方法を実現することを主たる目
的とする。
れたものであって、検出基板と読み出し基板との貼り合
わせ構造の簡素化および製造工程の簡素化された電磁波
撮像装置およびその製造方法を実現することを主たる目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、（ａ）支持基板の一方面
にバイアス印加電極が形成され、検出対象の電磁波に感
応して電子−正孔対であるキャリアを生成する変換層が
前記バイアス印加電極上に積層形成された検出基板と、
（ｂ）前記検出基板で生成された電荷を読み出す読み出
し基板とを備えた電磁波撮像装置において、（ｃ）前記
検出基板の変換層と前記読み出し基板とが充填された単
一の導電性材料を介して直接に接合されていることを特
徴とする。
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、（ａ）支持基板の一方面
にバイアス印加電極が形成され、検出対象の電磁波に感
応して電子−正孔対であるキャリアを生成する変換層が
前記バイアス印加電極上に積層形成された検出基板と、
（ｂ）前記検出基板で生成された電荷を読み出す読み出
し基板とを備えた電磁波撮像装置において、（ｃ）前記
検出基板の変換層と前記読み出し基板とが充填された単
一の導電性材料を介して直接に接合されていることを特
徴とする。
【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の電磁波撮像装置において、前記読み出し基板が、（ｂ
１）絶縁基板上に格子状に区画配列された電極配線と、
（ｂ２）前記格子ごとに個別に設けられた複数個のスイ
ッチング素子と、（ｂ３）前記各スイッチング素子を介
して前記電極配線に接続された複数個の読み出し電極
と、（ｂ４）前記各読み出し電極に電気的に接続された
複数個の電荷蓄積容量とを備えたアクティブマトリクス
基板であり、（ｃ１）前記検出基板の変換層と前記アク
ティブマトリクス基板の各読み出し電極とが充填された
単一の導電性材料を介して直接に接合されたものであ
る。
の電磁波撮像装置において、前記読み出し基板が、（ｂ
１）絶縁基板上に格子状に区画配列された電極配線と、
（ｂ２）前記格子ごとに個別に設けられた複数個のスイ
ッチング素子と、（ｂ３）前記各スイッチング素子を介
して前記電極配線に接続された複数個の読み出し電極
と、（ｂ４）前記各読み出し電極に電気的に接続された
複数個の電荷蓄積容量とを備えたアクティブマトリクス
基板であり、（ｃ１）前記検出基板の変換層と前記アク
ティブマトリクス基板の各読み出し電極とが充填された
単一の導電性材料を介して直接に接合されたものであ
る。
【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の電磁波撮像装置において、前記導電性
材料の充填率は、前記検出基板の変換層の単位面積当た
り２０〜９０％である。
請求項２に記載の電磁波撮像装置において、前記導電性
材料の充填率は、前記検出基板の変換層の単位面積当た
り２０〜９０％である。
【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の電磁波撮像装置において、
前記導電性材料が導電性樹脂である。
請求項３のいずれかに記載の電磁波撮像装置において、
前記導電性材料が導電性樹脂である。
【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の電磁波撮像装置において、
前記導電性材料が異方導電性樹脂である。
請求項３のいずれかに記載の電磁波撮像装置において、
前記導電性材料が異方導電性樹脂である。
【００１７】請求項６に記載の発明は、（ａ）支持基板
の一方面にバイアス印加電極が形成され、検出対象の電
磁波に感応して電子−正孔対であるキャリアを生成する
変換層が前記バイアス印加電極上に積層形成された検出
基板と、（ｂ）前記検出基板で生成された電荷を読み出
す読み出し基板とを備え、前記読み出し基板が、（ｂ
１）絶縁基板上に格子状に区画配列された電極配線と、
（ｂ２）前記格子ごとに個別に設けられた複数個のスイ
ッチング素子と、（ｂ３）前記各スイッチング素子を介
して前記電極配線に接続された複数個の読み出し電極
と、（ｂ４）前記各読み出し電極に電気的に接続された
複数個の電荷蓄積容量とを備えたアクティブマトリクス
基板である電磁波撮像装置の製造方法であって、（ｄ
１）前記検出基板を作成する過程と、（ｄ２）前記アク
ティブマトリクス基板を作成する過程と、（ｄ３）前記
アクティブマトリクス基板の各読み出し電極上に単一の
導電性材料を設ける過程と、（ｄ４）前記（ｄ１）の過
程で作成された検出基板と前記（ｄ３）の過程で単一の
導電性材料が設けられたアクティブマトリクス基板と貼
り合わせて、前記検出基板の変換層と前記アクティブマ
トリクス基板の各読み出し電極とを単一の導電性材料を
介して直接に接合する過程とを備えたことを特徴とす
る。
の一方面にバイアス印加電極が形成され、検出対象の電
磁波に感応して電子−正孔対であるキャリアを生成する
変換層が前記バイアス印加電極上に積層形成された検出
基板と、（ｂ）前記検出基板で生成された電荷を読み出
す読み出し基板とを備え、前記読み出し基板が、（ｂ
１）絶縁基板上に格子状に区画配列された電極配線と、
（ｂ２）前記格子ごとに個別に設けられた複数個のスイ
ッチング素子と、（ｂ３）前記各スイッチング素子を介
して前記電極配線に接続された複数個の読み出し電極
と、（ｂ４）前記各読み出し電極に電気的に接続された
複数個の電荷蓄積容量とを備えたアクティブマトリクス
基板である電磁波撮像装置の製造方法であって、（ｄ
１）前記検出基板を作成する過程と、（ｄ２）前記アク
ティブマトリクス基板を作成する過程と、（ｄ３）前記
アクティブマトリクス基板の各読み出し電極上に単一の
導電性材料を設ける過程と、（ｄ４）前記（ｄ１）の過
程で作成された検出基板と前記（ｄ３）の過程で単一の
導電性材料が設けられたアクティブマトリクス基板と貼
り合わせて、前記検出基板の変換層と前記アクティブマ
トリクス基板の各読み出し電極とを単一の導電性材料を
介して直接に接合する過程とを備えたことを特徴とす
る。
【００１８】〔作用〕この発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、請求項１に記載の発明によれば、検出基
板に放射線が入射すると、検出基板中の変換層内に電子
−正孔対であるキャリア（電荷）が生成される。この電
荷は、変換層と読み出し基板とを直接に接合する導電性
材料を介して読み出し基板によって読み出される。変換
層が導電性材料を介して直接に読み出し基板に接合され
ているので、電磁波撮像装置の構成が簡素化される。
る。すなわち、請求項１に記載の発明によれば、検出基
板に放射線が入射すると、検出基板中の変換層内に電子
−正孔対であるキャリア（電荷）が生成される。この電
荷は、変換層と読み出し基板とを直接に接合する導電性
材料を介して読み出し基板によって読み出される。変換
層が導電性材料を介して直接に読み出し基板に接合され
ているので、電磁波撮像装置の構成が簡素化される。
【００１９】請求項２に記載の発明によれば、検出基板
の変換層中に生成されたキャリア（電荷）は、変換層と
アクティブマトリクス基板とを直接に接合する導電性材
料を介してアクティブマトリクス基板によって読み出さ
れる。具体的には、変換層で生成された電荷は、導電性
材料およびアクティブマトリクス基板の読み出し電極を
介して、電荷蓄積容量に蓄積される。電荷蓄積容量に蓄
積された電荷は、ＯＮ状態に切り換えられたスイッチン
グ素子を介して読み出される。
の変換層中に生成されたキャリア（電荷）は、変換層と
アクティブマトリクス基板とを直接に接合する導電性材
料を介してアクティブマトリクス基板によって読み出さ
れる。具体的には、変換層で生成された電荷は、導電性
材料およびアクティブマトリクス基板の読み出し電極を
介して、電荷蓄積容量に蓄積される。電荷蓄積容量に蓄
積された電荷は、ＯＮ状態に切り換えられたスイッチン
グ素子を介して読み出される。
【００２０】請求項３に記載の発明によれば、検出基板
の変換層に対する単位面積あたりの導電性樹脂の充填率
を２０〜９０％の範囲に設定することによって、導電性
樹脂のパターンサイズのバラツキや、クロストークが回
避される。つまり、クロストークによる画質の劣化が回
避されるとともに、製造上における歩留まりの向上が図
られる。
の変換層に対する単位面積あたりの導電性樹脂の充填率
を２０〜９０％の範囲に設定することによって、導電性
樹脂のパターンサイズのバラツキや、クロストークが回
避される。つまり、クロストークによる画質の劣化が回
避されるとともに、製造上における歩留まりの向上が図
られる。
【００２１】請求項４に記載の発明によれば、検出基板
の変換層中に生成されたキャリアは、変換層と読み出し
基板とを直接に接合する導電性樹脂を介して読み出し基
板によって読み出される。
の変換層中に生成されたキャリアは、変換層と読み出し
基板とを直接に接合する導電性樹脂を介して読み出し基
板によって読み出される。
【００２２】請求項５に記載の発明によれば、検出基板
の変換層中に生成されたキャリアは、変換層と読み出し
基板とを直接に接合する異方導電性樹脂を介して読み出
し基板によって読み出される。
の変換層中に生成されたキャリアは、変換層と読み出し
基板とを直接に接合する異方導電性樹脂を介して読み出
し基板によって読み出される。
【００２３】請求項６に記載の発明によれば、検出基板
とアクティブマトリクス基板とがそれぞれ個別に作成さ
れる。そして、アクティブマトリクス基板の各読み出し
電極上に導電性材料が設けられた後、検出基板とアクテ
ィブマトリクス基板とが貼り合わされて、検出基板の変
換層とアクティブマトリクス基板の読み出し電極とが導
電性材料を介して直接に接合される。変換層上には読み
出し電極に対応する電極はないので、検出基板とアクテ
ィブマトリクス基板とを厳密に位置合わせすることな
く、両基板が簡単に接合される。
とアクティブマトリクス基板とがそれぞれ個別に作成さ
れる。そして、アクティブマトリクス基板の各読み出し
電極上に導電性材料が設けられた後、検出基板とアクテ
ィブマトリクス基板とが貼り合わされて、検出基板の変
換層とアクティブマトリクス基板の読み出し電極とが導
電性材料を介して直接に接合される。変換層上には読み
出し電極に対応する電極はないので、検出基板とアクテ
ィブマトリクス基板とを厳密に位置合わせすることな
く、両基板が簡単に接合される。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施例を説明する。図１は、この発明に係る電磁波撮像
装置の一実施例で用いられる電磁波検出用の検出基板の
概略構成を示した断面図、図２は検出基板と読み出し基
板とを貼り合わせ接続した状態を示した断面図である。
なお、作図の便宜上、図２では１つの画素に対応する部
分を抜き出して示してある。
実施例を説明する。図１は、この発明に係る電磁波撮像
装置の一実施例で用いられる電磁波検出用の検出基板の
概略構成を示した断面図、図２は検出基板と読み出し基
板とを貼り合わせ接続した状態を示した断面図である。
なお、作図の便宜上、図２では１つの画素に対応する部
分を抜き出して示してある。
【００２５】本実施例に係る電磁波撮像装置は、大きく
分けて、入射した放射線に感応して電子−正孔対である
キャリアを生成する検出基板１０と、この検出基板１０
で生成された電荷を読み出す読み出し基板（以下、「ア
クティブマトリクス基板」という）２０とを備え、検出
基板１０とアクティブマトリクス基板２０とが導電性樹
脂３０を介在させて貼り合わされて、電気的に導通して
いる。導電性樹脂３０は、この発明における導電性材料
に相当する。以下、それぞれの構成および機能について
詳細に説明する。
分けて、入射した放射線に感応して電子−正孔対である
キャリアを生成する検出基板１０と、この検出基板１０
で生成された電荷を読み出す読み出し基板（以下、「ア
クティブマトリクス基板」という）２０とを備え、検出
基板１０とアクティブマトリクス基板２０とが導電性樹
脂３０を介在させて貼り合わされて、電気的に導通して
いる。導電性樹脂３０は、この発明における導電性材料
に相当する。以下、それぞれの構成および機能について
詳細に説明する。
【００２６】検出基板１０は、図１に示すように、放射
線の入射側に支持基板１１を備え、この支持基板１１の
表面（図１では下面）に、バイアス印加電極１２と、検
出対象の放射線などに感応して電子−正孔対であるキャ
リアを生成する変換層１３とが、その順に積層形成され
た構成となっている。図７に示した従来装置の検出基板
と比較して明らかなように、本実施例の検出基板１０
は、従来装置の検出基板に備わっている画素電極１４を
備えていない。
線の入射側に支持基板１１を備え、この支持基板１１の
表面（図１では下面）に、バイアス印加電極１２と、検
出対象の放射線などに感応して電子−正孔対であるキャ
リアを生成する変換層１３とが、その順に積層形成され
た構成となっている。図７に示した従来装置の検出基板
と比較して明らかなように、本実施例の検出基板１０
は、従来装置の検出基板に備わっている画素電極１４を
備えていない。
【００２７】支持基板１１は、例えば石英、ガラス、セ
ラミック（Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ）、カーボン、シリコン
などによって形成されている。バイアス印加電極１２
は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｔｉ、Ｎｉなどからなる。
ラミック（Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ）、カーボン、シリコン
などによって形成されている。バイアス印加電極１２
は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｔｉ、Ｎｉなどからなる。
【００２８】変換層１３は、検出対象である放射線（例
えば、Ｘ線）に対して感度があり、応答性が良く、安定
した特性をもつものが好ましく、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｃ
ｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＩ2 、Ｈｇ
Ｉ2 、ＴｌＢｒなどからなる、単結晶半導体材料、多結
晶半導体材料、あるいはアモルファス半導体材料が用い
られる。また、上記材料の表面に、ｎ型半導体膜や、Ｐ
型半導体膜や、ヘテロ接合膜などのブロッキング層を備
えたものを用いてもよい。
えば、Ｘ線）に対して感度があり、応答性が良く、安定
した特性をもつものが好ましく、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｃ
ｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＩ2 、Ｈｇ
Ｉ2 、ＴｌＢｒなどからなる、単結晶半導体材料、多結
晶半導体材料、あるいはアモルファス半導体材料が用い
られる。また、上記材料の表面に、ｎ型半導体膜や、Ｐ
型半導体膜や、ヘテロ接合膜などのブロッキング層を備
えたものを用いてもよい。
【００２９】アクティブマトリクス基板２０は、図２お
よび図３に示すように、絶縁基板２１上に格子状に区画
配列された電極配線２２（２２Ｘ、２２Ｙ）と、各格子
ごとに個別に設けられた複数個のスイッチング素子２３
と、各スイッチング素子２３を介して電極配線２２に接
続された複数個の読み出し電極２４と、各読み出し電極
２４に電気的に接続された複数個の電荷蓄積容量２５と
を備えている。この点は図８に示した従来装置のアクテ
ィブマトリクス基板と同様である。
よび図３に示すように、絶縁基板２１上に格子状に区画
配列された電極配線２２（２２Ｘ、２２Ｙ）と、各格子
ごとに個別に設けられた複数個のスイッチング素子２３
と、各スイッチング素子２３を介して電極配線２２に接
続された複数個の読み出し電極２４と、各読み出し電極
２４に電気的に接続された複数個の電荷蓄積容量２５と
を備えている。この点は図８に示した従来装置のアクテ
ィブマトリクス基板と同様である。
【００３０】スイッチング素子２３は薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）で構成されており、電荷蓄積容量２５への電
荷蓄積時はＯＦＦ状態に、電荷蓄積容量２５に蓄積され
た電荷を読み出し時はＯＮ状態に、それぞれ切り換えら
れる。なお、図３では、説明の便宜上、縦３×横３のマ
トリクス構成を示しているが、実際の場合、例えば縦１
０２４×横１０２４程度のマトリクス構成となる。
（ＴＦＴ）で構成されており、電荷蓄積容量２５への電
荷蓄積時はＯＦＦ状態に、電荷蓄積容量２５に蓄積され
た電荷を読み出し時はＯＮ状態に、それぞれ切り換えら
れる。なお、図３では、説明の便宜上、縦３×横３のマ
トリクス構成を示しているが、実際の場合、例えば縦１
０２４×横１０２４程度のマトリクス構成となる。
【００３１】また、アクティブマトリクス基板２０は、
図３に示すように、変換層１３の画素領域と電荷蓄積容
量２５とを含む画素Ｄｕが、スイッチング素子２３を介
して縦横の電極配線２２Ｘ、２２Ｙに接続されている。
電極配線２２Ｘは、電荷−電圧変換器群（プリアンプ
群）２６を介してマルチプレクサ２７に接続されてい
る。また、電極配線２２Ｙはゲートドライバ２８に接続
されている。
図３に示すように、変換層１３の画素領域と電荷蓄積容
量２５とを含む画素Ｄｕが、スイッチング素子２３を介
して縦横の電極配線２２Ｘ、２２Ｙに接続されている。
電極配線２２Ｘは、電荷−電圧変換器群（プリアンプ
群）２６を介してマルチプレクサ２７に接続されてい
る。また、電極配線２２Ｙはゲートドライバ２８に接続
されている。
【００３２】各電荷蓄積容量２５に蓄積された電荷の読
み出し時には、マルチプレクサ２７およびゲートドライ
バ２８へ信号読み出し用の走査信号が送り込まれること
になる。各画素Ｄｕの特定は、Ｘ方向・Ｙ方向の配列に
沿って各画素Ｄｕへ順番に割り付けられているアドレス
（例えば、０〜１０２３）に基づいて行なわれるので、
読み出し用の走査信号は、それぞれＸ方向アドレスまた
はＹ方向アドレスを指定する信号となる。
み出し時には、マルチプレクサ２７およびゲートドライ
バ２８へ信号読み出し用の走査信号が送り込まれること
になる。各画素Ｄｕの特定は、Ｘ方向・Ｙ方向の配列に
沿って各画素Ｄｕへ順番に割り付けられているアドレス
（例えば、０〜１０２３）に基づいて行なわれるので、
読み出し用の走査信号は、それぞれＸ方向アドレスまた
はＹ方向アドレスを指定する信号となる。
【００３３】Ｙ方向の走査信号に従ってゲートドライバ
２８からＹ方向の電極配線２２Ｙに読み出し用の電圧が
印加されるのに伴い、各画素Ｄｕが行単位で選択され
る。そして、Ｘ方向の走査信号に従ってマルチプレクサ
２７が列単位で順に切り替えられることにより、選択さ
れた行の各画素Ｄｕの電荷蓄積容量２５に蓄積された電
荷が、電荷−電圧変化器群２６およびマルチプレクサ２
７を順に経て外部に送り出されることになる。
２８からＹ方向の電極配線２２Ｙに読み出し用の電圧が
印加されるのに伴い、各画素Ｄｕが行単位で選択され
る。そして、Ｘ方向の走査信号に従ってマルチプレクサ
２７が列単位で順に切り替えられることにより、選択さ
れた行の各画素Ｄｕの電荷蓄積容量２５に蓄積された電
荷が、電荷−電圧変化器群２６およびマルチプレクサ２
７を順に経て外部に送り出されることになる。
【００３４】本実施例の特徴は、図２に示すように、検
出基板１０の変換層１３と、アクティブマトリクス基板
２０の各読み出し電極２４とが、導電性樹脂３０を介し
て直接に接合されて電気的に導通している点にある。こ
の導電性樹脂３０は、接着性および感光性を有する樹脂
にカーボンの粉末を分散させたものである。このような
導電性樹脂３０を予めシート状に加工しておき、これを
アクティブマトリクス基板２０上に転写する。この転写
された樹脂に露光・現像処理を施すことにより、各読み
出し電極２４上に導電性樹脂３０のパターンを形成して
いる。このとき、パターンの形状は、直径が１００μ
ｍ、厚みが１０μｍ程度であるとともに、変換層１３に
パターン接合する導電性樹脂３０の充填率を５０％に設
定している。なお、導電性樹脂３０の充填率は、好まし
くは２０〜９０％の範囲である。
出基板１０の変換層１３と、アクティブマトリクス基板
２０の各読み出し電極２４とが、導電性樹脂３０を介し
て直接に接合されて電気的に導通している点にある。こ
の導電性樹脂３０は、接着性および感光性を有する樹脂
にカーボンの粉末を分散させたものである。このような
導電性樹脂３０を予めシート状に加工しておき、これを
アクティブマトリクス基板２０上に転写する。この転写
された樹脂に露光・現像処理を施すことにより、各読み
出し電極２４上に導電性樹脂３０のパターンを形成して
いる。このとき、パターンの形状は、直径が１００μ
ｍ、厚みが１０μｍ程度であるとともに、変換層１３に
パターン接合する導電性樹脂３０の充填率を５０％に設
定している。なお、導電性樹脂３０の充填率は、好まし
くは２０〜９０％の範囲である。
【００３５】導電性樹脂３０の充填率が、２０％未満で
あると電荷収集効率や、読み出し応答性が低下するから
である。
あると電荷収集効率や、読み出し応答性が低下するから
である。
【００３６】逆に、導電性樹脂３０の充填率が９０％を
越えると、後述する製造方法の加熱プレス処理の工程
で、パターン形状およびサイズにバラツキが生じ、隣接
する導電性樹脂３０同士が接触してしまう。つまり、画
素間クロストークが発生するからである。
越えると、後述する製造方法の加熱プレス処理の工程
で、パターン形状およびサイズにバラツキが生じ、隣接
する導電性樹脂３０同士が接触してしまう。つまり、画
素間クロストークが発生するからである。
【００３７】導電性樹脂３０を構成する接着性樹脂とし
ては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、変性ウレタ
ン樹脂などがある。また、導電性を持たせる材料として
は、カーボン以外にＡｕ、Ａｇなどの金属粒子、Ｎｉメ
ッキを施した金属粒子、ＩＴＯなどの透明導電性粒子な
ど分散させたものであってもよい。
ては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、変性ウレタ
ン樹脂などがある。また、導電性を持たせる材料として
は、カーボン以外にＡｕ、Ａｇなどの金属粒子、Ｎｉメ
ッキを施した金属粒子、ＩＴＯなどの透明導電性粒子な
ど分散させたものであってもよい。
【００３８】なお、上記構成の電磁波撮像装置を用いて
発明者が実験を行ったところ、その接続抵抗はＭΩ（メ
ガオーム）以下であり、この範囲内の接続抵抗であれば
電磁波撮像装置の感度・分解能・残像等の画像特性は劣
化せず、読み取り電極を別途備えた従来装置となんら遜
色のない画像を得られることが確認されている。
発明者が実験を行ったところ、その接続抵抗はＭΩ（メ
ガオーム）以下であり、この範囲内の接続抵抗であれば
電磁波撮像装置の感度・分解能・残像等の画像特性は劣
化せず、読み取り電極を別途備えた従来装置となんら遜
色のない画像を得られることが確認されている。
【００３９】次に、上述した構成を備えた電磁波撮像装
置の製造方法について説明する。検出基板１０およびア
クティブマトリクス基板２０は個別に作成される。具体
的には、検出基板１０は、各種真空蒸着法，ＣＶＤ（化
学的気相堆積法）などの薄膜形成技術を利用して、支持
基板１１の表面にバイアス印加電極１２、変換層１３を
その順に積層堆積して形成される。
置の製造方法について説明する。検出基板１０およびア
クティブマトリクス基板２０は個別に作成される。具体
的には、検出基板１０は、各種真空蒸着法，ＣＶＤ（化
学的気相堆積法）などの薄膜形成技術を利用して、支持
基板１１の表面にバイアス印加電極１２、変換層１３を
その順に積層堆積して形成される。
【００４０】一方、アクティブマトリクス基板２０は、
上述したような薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法を
利用して、絶縁基板２１の上にスイッチング素子２３で
ある薄膜トランジスタや電荷蓄積容量２５などを作り込
むことにより形成される。
上述したような薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法を
利用して、絶縁基板２１の上にスイッチング素子２３で
ある薄膜トランジスタや電荷蓄積容量２５などを作り込
むことにより形成される。
【００４１】次に、図４および図５を参照して検出基板
１０とアクティブマトリクス基板２０とを導電性樹脂３
０で接続する手法を説明する。図４はアクティブマトリ
クス基板２０上に導電性樹脂３０を設ける工程を、図５
は検出基板１０とアクティブマトリクス基板２０とを貼
り合わせる工程を、それぞれ示している。
１０とアクティブマトリクス基板２０とを導電性樹脂３
０で接続する手法を説明する。図４はアクティブマトリ
クス基板２０上に導電性樹脂３０を設ける工程を、図５
は検出基板１０とアクティブマトリクス基板２０とを貼
り合わせる工程を、それぞれ示している。
【００４２】まず、導電性樹脂３０が予め塗布されてい
るフィルム状のベースをアクティブマトリクス基板２０
に貼り付けて、導電性樹脂３０をアクティブマトリクス
基板２０に転写する（図４（ａ）参照）。この導電性樹
脂３０は、上述したように接着性および感光性を備えた
ものである。なお、同種の導電性樹脂３０をスピンコー
ト法を利用してアクティブマトリクス基板２０上に塗布
してもよい。
るフィルム状のベースをアクティブマトリクス基板２０
に貼り付けて、導電性樹脂３０をアクティブマトリクス
基板２０に転写する（図４（ａ）参照）。この導電性樹
脂３０は、上述したように接着性および感光性を備えた
ものである。なお、同種の導電性樹脂３０をスピンコー
ト法を利用してアクティブマトリクス基板２０上に塗布
してもよい。
【００４３】次に、フォトマスクを介してアクティブマ
トリクス基板２０に紫外線を照射することにより、読み
出し電極２４のパターンを導電性樹脂３０に露光する
（図４（ｂ）参照）。露光したアクティブマトリクス基
板２０を有機アルカリ等で現像処理することにより、読
み出し電極２４上にパターンニングされた導電性樹脂３
０を形成する（図４（ｃ）参照）。
トリクス基板２０に紫外線を照射することにより、読み
出し電極２４のパターンを導電性樹脂３０に露光する
（図４（ｂ）参照）。露光したアクティブマトリクス基
板２０を有機アルカリ等で現像処理することにより、読
み出し電極２４上にパターンニングされた導電性樹脂３
０を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００４４】次に、検出基板１０とアクティブマトリク
ス基板２０とを対向配置させて位置合わせを行う（図５
（ａ）参照）。この発明の製造方法の場合、検出基板１
０の変換層１３の表面には個別の画素電極が設けられて
いないので、検出基板１０側の変換層１３とアクティブ
マトリクス基板２０の読み出し電極２４とが接触さえし
ていればよく、検出基板１０とアクティブマトリクス基
板２０との位置合わせを厳密に行う必要はない。
ス基板２０とを対向配置させて位置合わせを行う（図５
（ａ）参照）。この発明の製造方法の場合、検出基板１
０の変換層１３の表面には個別の画素電極が設けられて
いないので、検出基板１０側の変換層１３とアクティブ
マトリクス基板２０の読み出し電極２４とが接触さえし
ていればよく、検出基板１０とアクティブマトリクス基
板２０との位置合わせを厳密に行う必要はない。
【００４５】次に、両基板１０、２０を減圧（真空）プ
レス装置４０を用いて加熱プレス処理を行なう（図５
（ｂ）参照）。減圧プレス装置４０は、ヒータを内蔵し
たベース板４１と、内側に弾性変形可能なシート材４２
を取り付けたリング状フレーム４３とを備え、ベース板
４１とシート材４２とで区画される処理空間４４が減圧
されるように構成されている。処理空間４０を減圧する
と、大気圧によりシート材４２が内側に変形して、検出
基板１０とアクティブマトリクス基板２０とが均一に加
圧される。
レス装置４０を用いて加熱プレス処理を行なう（図５
（ｂ）参照）。減圧プレス装置４０は、ヒータを内蔵し
たベース板４１と、内側に弾性変形可能なシート材４２
を取り付けたリング状フレーム４３とを備え、ベース板
４１とシート材４２とで区画される処理空間４４が減圧
されるように構成されている。処理空間４０を減圧する
と、大気圧によりシート材４２が内側に変形して、検出
基板１０とアクティブマトリクス基板２０とが均一に加
圧される。
【００４６】両基板１０、２０に圧力が加えられた状態
で加熱することにより、両基板１０、２０の間に介在す
る導電性樹脂３０が硬化して、両基板１０、２０が完全
に貼り合わされて、実施例に係る電磁波撮像装置が完成
する。る。
で加熱することにより、両基板１０、２０の間に介在す
る導電性樹脂３０が硬化して、両基板１０、２０が完全
に貼り合わされて、実施例に係る電磁波撮像装置が完成
する。る。
【００４７】この発明は、上記実施例に限られることな
く、下記のように変形実施することができる。 （１）上記実施例では、検出基板１０の変換層１３とア
クティブマトリクス基板２０とを直接に接合する導電性
材料として導電性樹脂３０を用いたが、これに代えて異
方導電性樹脂を用いてもよいし、その他に、例えば半
田、インジウムなどの金属であってもよい。以下、異方
導電性樹脂を用いた場合を例にとって、図６を参照しな
がら説明する。異方導電性樹脂３０ａは、アクティブマ
トリクス基板２０（または、検出基板１０）の表面の略
全面を覆うように塗布されており、パターンニングをす
ることなく、そのままの状態で検出基板１０とアクティ
ブマトリクス基板２０とを対向させて圧縮・加熱処理を
行なうことにより、前記両基板１０、２０が貼り合わさ
れている。この異方導電性樹脂３０ａは、接着性を有す
る絶縁樹脂３０ｂに導電性を持たせるため、例えば直径
１０μｍ程度のＡｇなどの金属粒子３０ｃが分散されて
いる。この金属粒子３０ｃが検出基板１０とアクティブ
マトリクス基板２０との接合間隔を形成して低抵抗の導
通をとっている。また、各基板１０、２０の面方向は絶
縁樹脂３０ｂによって電気的に絶縁されているので、各
読み出し電極２４間でクロストークが発生することもな
い。なお、図６中の符号３１は、読み出し電極２４の領
域が開口された絶縁膜である。その他の構成および機能
は、先の実施例の場合と同様であるので、ここでの説明
を省略する。
く、下記のように変形実施することができる。 （１）上記実施例では、検出基板１０の変換層１３とア
クティブマトリクス基板２０とを直接に接合する導電性
材料として導電性樹脂３０を用いたが、これに代えて異
方導電性樹脂を用いてもよいし、その他に、例えば半
田、インジウムなどの金属であってもよい。以下、異方
導電性樹脂を用いた場合を例にとって、図６を参照しな
がら説明する。異方導電性樹脂３０ａは、アクティブマ
トリクス基板２０（または、検出基板１０）の表面の略
全面を覆うように塗布されており、パターンニングをす
ることなく、そのままの状態で検出基板１０とアクティ
ブマトリクス基板２０とを対向させて圧縮・加熱処理を
行なうことにより、前記両基板１０、２０が貼り合わさ
れている。この異方導電性樹脂３０ａは、接着性を有す
る絶縁樹脂３０ｂに導電性を持たせるため、例えば直径
１０μｍ程度のＡｇなどの金属粒子３０ｃが分散されて
いる。この金属粒子３０ｃが検出基板１０とアクティブ
マトリクス基板２０との接合間隔を形成して低抵抗の導
通をとっている。また、各基板１０、２０の面方向は絶
縁樹脂３０ｂによって電気的に絶縁されているので、各
読み出し電極２４間でクロストークが発生することもな
い。なお、図６中の符号３１は、読み出し電極２４の領
域が開口された絶縁膜である。その他の構成および機能
は、先の実施例の場合と同様であるので、ここでの説明
を省略する。
【００４８】（２）上記実施例では、読み出し基板がア
クティブマトリクス基板である場合を例に採って説明し
たが、この発明において、読み出し基板は必ずしもアク
ティブマトリクス基板に限らない。例えば、読み出し基
板としては、絶縁基板上に読み出し電極２４と、各電極
２４に接続する読み出し配線だけを形成し、各読み出し
配線をＣＣＤのような固体撮像素子に接続することによ
り、検出基板１０からの電荷を固体撮像素子で収集する
ようにしてもよい。
クティブマトリクス基板である場合を例に採って説明し
たが、この発明において、読み出し基板は必ずしもアク
ティブマトリクス基板に限らない。例えば、読み出し基
板としては、絶縁基板上に読み出し電極２４と、各電極
２４に接続する読み出し配線だけを形成し、各読み出し
配線をＣＣＤのような固体撮像素子に接続することによ
り、検出基板１０からの電荷を固体撮像素子で収集する
ようにしてもよい。
【００４９】（３）上記実施例では２次元マトリクス構
成の電磁波撮像装置を例に採って説明したが、この発明
は複数個の画素が直線状に配列された１次元アレイタイ
プの電磁波撮像装置にも適用することができる。
成の電磁波撮像装置を例に採って説明したが、この発明
は複数個の画素が直線状に配列された１次元アレイタイ
プの電磁波撮像装置にも適用することができる。
【００５０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば次の効果を奏する。すなわち、請求項１に記
載の発明によれば、検出基板の変換層上に画素電極を設
けることなく、検出基板の変換層と読み出し基板とを導
電性材料を介して直接に接合しているので、電磁波撮像
装置の構成を簡素化することができる。
明によれば次の効果を奏する。すなわち、請求項１に記
載の発明によれば、検出基板の変換層上に画素電極を設
けることなく、検出基板の変換層と読み出し基板とを導
電性材料を介して直接に接合しているので、電磁波撮像
装置の構成を簡素化することができる。
【００５１】また、請求項２に記載の発明によれば、検
出基板の変換層とアクティブマトリクス基板の読み出し
電極とを導電性材料を介して直接に接合しているので、
請求項１に記載の発明と同様に、電磁波撮像装置の構成
を簡素化することができる。
出基板の変換層とアクティブマトリクス基板の読み出し
電極とを導電性材料を介して直接に接合しているので、
請求項１に記載の発明と同様に、電磁波撮像装置の構成
を簡素化することができる。
【００５２】また、請求項３に記載の発明によれば、導
電性材料の充填率を変換層の単位面積当たり２０〜９０
％の範囲に設定することにより、パターンサイズのバラ
ツキおよびクロストークを回避することができる。その
結果、高感度な出力画像が得られるとともに、製造過程
での歩留まりの向上を図ることができる。
電性材料の充填率を変換層の単位面積当たり２０〜９０
％の範囲に設定することにより、パターンサイズのバラ
ツキおよびクロストークを回避することができる。その
結果、高感度な出力画像が得られるとともに、製造過程
での歩留まりの向上を図ることができる。
【００５３】さらに、請求項４および請求項５に記載の
発明によれば、検出基板の変換層と読み出し基板とを導
電性樹脂（請求項４）または異方導電性樹脂（請求項
５）を介して直接に接合しているので、電磁波撮像装置
の構成を簡素化することができる。特に請求項５に記載
の発明によれば、検出基板と読み出し基板との接合に異
方導電性樹脂を用いているので、面方向の電気的絶縁を
簡単に実現することができる。
発明によれば、検出基板の変換層と読み出し基板とを導
電性樹脂（請求項４）または異方導電性樹脂（請求項
５）を介して直接に接合しているので、電磁波撮像装置
の構成を簡素化することができる。特に請求項５に記載
の発明によれば、検出基板と読み出し基板との接合に異
方導電性樹脂を用いているので、面方向の電気的絶縁を
簡単に実現することができる。
【００５４】請求項６に記載の発明によれば、検出基板
とアクティブマトリクス基板とをそれぞれ個別に作成
し、アクティブマトリクス基板の読み出し電極上に導電
性材料を設けた後に、検出基板とアクティブマトリクス
基板とを接合している。つまり、検出基板の変換層上に
画素電極がないので、検出基板とアクティブマトリクス
基板とを厳密に位置合わせすることなく、両基板を容易
に貼り合わせることができる。また、検出基板の変換層
上に画素電極がないので、画素電極を作るために変換層
の表面を研磨して平坦化するなどの必要もない。また、
検出基板の製造過程で、画素電極を作成するためのフォ
トリソグラフィ工程が介在しないので、製造工程が簡素
化されるとともに、変換層が汚染される機会が減り、汚
染による変換層の特性劣化も抑制することができる。
とアクティブマトリクス基板とをそれぞれ個別に作成
し、アクティブマトリクス基板の読み出し電極上に導電
性材料を設けた後に、検出基板とアクティブマトリクス
基板とを接合している。つまり、検出基板の変換層上に
画素電極がないので、検出基板とアクティブマトリクス
基板とを厳密に位置合わせすることなく、両基板を容易
に貼り合わせることができる。また、検出基板の変換層
上に画素電極がないので、画素電極を作るために変換層
の表面を研磨して平坦化するなどの必要もない。また、
検出基板の製造過程で、画素電極を作成するためのフォ
トリソグラフィ工程が介在しないので、製造工程が簡素
化されるとともに、変換層が汚染される機会が減り、汚
染による変換層の特性劣化も抑制することができる。
【図１】この発明の電磁波撮像装置に係る一実施例の検
出基板の断面図である。
出基板の断面図である。
【図２】この発明の一実施例である電磁波撮像装置の断
面図である。
面図である。
【図３】この発明の電磁波撮像装置に係る一実施例のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は導電性樹脂のパターンニング
工程を示した図である。
工程を示した図である。
【図５】（ａ）は基板の貼り合わせ工程を、（ｂ）は加
圧・接着工程をそれぞれ示した図である。
圧・接着工程をそれぞれ示した図である。
【図６】変形例を示した断面図である。
【図７】従来の電磁波撮像装置の検出基板を示した断面
図である。
図である。
【図８】従来の電磁波撮像装置の断面図である。
１０ … 検出基板
１１ … 支持基板
１２ … バイアス印加電極
１３ … 変換層
２０ … 読み出し基板（アクティブマトリクス基板）
２１ … 絶縁基板
２２ … 電極配線
２３ … スイッチング素子
２４ … 読み出し電極
２５ … 電荷蓄積容量
２６ … 電荷−電圧変換器群
２７ … マルチプレクサ
３０ … 導電性樹脂
３０ａ… 異方導電性樹脂
４０ … プレス装置
４１ … ベース板
４２ … シート材
４３ … リング状フレーム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ
(72)発明者 和泉 良弘
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(72)発明者 寺沼 修
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(56)参考文献 特開 平11−274460（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−63859（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/14
H01L 27/146
H01L 31/09
H04N 5/32
H04N 5/335
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）支持基板の一方面にバイアス印加
電極が形成され、検出対象の電磁波に感応して電子−正
孔対であるキャリアを生成する変換層が前記バイアス印
加電極上に積層形成された検出基板と、（ｂ）前記検出
基板で生成された電荷を読み出す読み出し基板とを備え
た電磁波撮像装置において、（ｃ）前記検出基板の変換
層と前記読み出し基板とが充填された単一の導電性材料
を介して直接に接合されていることを特徴とする電磁波
撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電磁波撮像装置におい
て、前記読み出し基板は、（ｂ１）絶縁基板上に格子状
に区画配列された電極配線と、（ｂ２）前記格子ごとに
個別に設けられた複数個のスイッチング素子と、（ｂ
３）前記各スイッチング素子を介して前記電極配線に接
続された複数個の読み出し電極と、（ｂ４）前記各読み
出し電極に電気的に接続された複数個の電荷蓄積容量と
を備えたアクティブマトリクス基板であり、（ｃ１）前
記検出基板の変換層と前記アクティブマトリクス基板の
各読み出し電極とが充填された単一の導電性材料を介し
て直接に接合されている電磁波撮像装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の電磁波
撮像装置において、前記導電性材料の充填率は、前記検
出基板の変換層の単位面積当たり２０〜９０％であるこ
とを特徴とする電磁波撮像装置 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の電磁波撮像装置において、前記導電性材料は、導電
性樹脂である電磁波撮像装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の電磁波撮像装置において、前記導電性材料は、異方
導電性樹脂である電磁波撮像装置。 - 【請求項６】 （ａ）支持基板の一方面にバイアス印加
電極が形成され、検出対象の電磁波に感応して電子−正
孔対であるキャリアを生成する変換層が前記バイアス印
加電極上に積層形成された検出基板と、（ｂ）前記検出
基板で生成された電荷を読み出す読み出し基板とを備
え、前記読み出し基板が、（ｂ１）絶縁基板上に格子状
に区画配列された電極配線と、（ｂ２）前記格子ごとに
個別に設けられた複数個のスイッチング素子と、（ｂ
３）前記各スイッチング素子を介して前記電極配線に接
続された複数個の読み出し電極と、（ｂ４）前記各読み
出し電極に電気的に接続された複数個の電荷蓄積容量と
を備えたアクティブマトリクス基板である電磁波撮像装
置の製造方法であって、（ｄ１）前記検出基板を作成す
る過程と、（ｄ２）前記アクティブマトリクス基板を作
成する過程と、（ｄ３）前記アクティブマトリクス基板
の各読み出し電極上に単一の導電性材料を設ける過程
と、（ｄ４）前記（ｄ１）の過程で作成された検出基板
と前記（ｄ３）の過程で単一の導電性材料が設けられた
アクティブマトリクス基板と貼り合わせて、前記検出基
板の変換層と前記アクティブマトリクス基板の各読み出
し電極とを単一の導電性材料を介して直接に接合する過
程とを備えたことを特徴とする電磁波撮像装置の製造方
法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000172068 | 2000-06-08 | ||
| JP2000-172068 | 2000-06-08 | ||
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Publications (2)
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| AU2004229041B2 (en) * | 2003-12-30 | 2011-01-20 | Lg Electronics Inc. | Door of drum-type washing machine, method of manufacturing door with hairline sheet of drum-type washing machine, and method of manufacturing hairline sheet for door |
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-
2001
- 2001-03-01 JP JP2001056991A patent/JP3537401B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-06 US US09/874,397 patent/US6949749B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US20020014593A1 (en) | 2002-02-07 |
| US6949749B2 (en) | 2005-09-27 |
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