JP3533476B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
詳細には、走査タイミングに応じてスイッチング素子を
切替えて映像信号を液晶に印加する液晶表示装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device,
More specifically, the present invention relates to a liquid crystal display device that switches a switching element according to scanning timing and applies a video signal to liquid crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のスイッチング素子を用いた液晶表
示装置には、例えば、薄膜トランジスタ(TFT:thin
film transistor)を用いて各画素毎に走査タイミング
に応じて映像信号の書き込みを行なって液晶を駆動する
アクティブマトリックス型のTFT−LCDパネルが知
られている。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device using a conventional switching element includes, for example, a thin film transistor (TFT).
There is known an active matrix type TFT-LCD panel that drives a liquid crystal by writing a video signal according to a scanning timing for each pixel using a film transistor).
【0003】このアクティブマトリックス型の液晶表示
装置は、一般に、各画素毎の等価回路としては、図5に
示すように、行方向にゲートライン(走査線)1が設け
られ、列方向にドレインライン(信号線)2が設けられ
ている。そして、ドレインライン2には映像信号が入力
されるとともに、ゲートライン1には、水平走査タイミ
ングに応じてゲート電圧信号が順次入力される。In this active matrix type liquid crystal display device, generally, as an equivalent circuit for each pixel, as shown in FIG. 5, gate lines (scanning lines) 1 are provided in the row direction and drain lines in the column direction. (Signal line) 2 is provided. A video signal is input to the drain line 2 and a gate voltage signal is sequentially input to the gate line 1 in accordance with the horizontal scanning timing.
【0004】前記ゲートライン1とドレインライン2と
の交点に対応した各画素部には、スイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ(TFT)3が接続されている。
このTFT3のソース電極Sには、液晶容量CLCが接続
され、ゲート電極Gにはゲートライン1が接続され、ド
レイン電極Dにはドレインライン2が接続されている。
ここでは、TFT3にnチャネルMOSを用いている。A thin film transistor (TFT) 3 as a switching element is connected to each pixel portion corresponding to the intersection of the gate line 1 and the drain line 2.
The liquid crystal capacitance CLC is connected to the source electrode S of the TFT 3, the gate line 1 is connected to the gate electrode G, and the drain line 2 is connected to the drain electrode D.
Here, an n-channel MOS is used for the TFT 3.
【0005】そして、TFT3のゲートライン1にVGH
が印加されると、オンとなって選択された状態となる。
このとき、ドレインライン2から図7(a)に示すよう
な映像信号としてのドレイン電圧VD が液晶容量CLCに
電荷の形で書き込まれ、別なゲートライン1が選択され
ている間、選択されていないTFT3をオフすること
で、書き込まれた電荷によって画素が駆動される。Then, VGH is applied to the gate line 1 of the TFT3.
Is applied to turn on the selected state.
At this time, the drain voltage VD from the drain line 2 as a video signal as shown in FIG. 7A is written in the liquid crystal capacitance CLC in the form of charges, and is selected while another gate line 1 is selected. By turning off the non-existing TFT 3, the pixel is driven by the written charges.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の液晶表示装置にあっては、図5に示すよう
に、TFT3がゲート−ソース間寄生容量CGSを有して
いるため、TFT3をスイッチングさせて画素を駆動す
ると、液晶容量CLCに印加されるソース電圧VS の波形
が図7(a)の白抜き矢印A及びBに示すように、ドレ
イン電圧VD に対してローレベル時とハイレベル時に、
共にΔVGSだけ負側(pチャネルMOSのTFTでは正
側)にずれる歪んだ波形となる。However, in such a conventional liquid crystal display device, since the TFT 3 has a gate-source parasitic capacitance CGS as shown in FIG. 5, the TFT 3 is switched. When the pixel is driven in this manner, the waveform of the source voltage VS applied to the liquid crystal capacitance CLC is at low level and high level with respect to the drain voltage VD, as shown by white arrows A and B in FIG. 7A. ,
Both have distorted waveforms that are deviated by ΔVGS to the negative side (the positive side in a p-channel MOS TFT).
【0007】これはゲート・ソース間寄生容量CGSの影
響によってゲート電圧VG が“Low ”から“Hig
h”(pチャネルTFTでは“High”から“Low
”)に切り換わる時に、急激にソース電圧VS が変化
する飛込み特性によるもので、このΔVGSは飛込み電圧
と称されている。This is because the gate voltage VG changes from "Low" to "High" due to the influence of the gate-source parasitic capacitance CGS.
h ”(in the p-channel TFT,“ High ”to“ Low ”)
This is due to the jump-in characteristic in which the source voltage VS changes abruptly when switching to "). This .DELTA.VGS is called the jump-in voltage.
【0008】そして、ソース電圧VS 波形中のΔVGS成
分は、図7(a)に示すように、ソース電圧VS波形を
コモン電圧VCOM に対して非対称にする原因となり、こ
の液晶駆動波形の非対称性によって生じる直流成分が液
晶を劣化させるとともに、残像を発生させて画質を低下
させるという問題がある。The ΔVGS component in the source voltage VS waveform causes the source voltage VS waveform to be asymmetric with respect to the common voltage VCOM, as shown in FIG. 7A, and due to the asymmetry of the liquid crystal drive waveform. There is a problem that the generated DC component deteriorates the liquid crystal and causes an afterimage to deteriorate the image quality.
【0009】もっとも、上記ΔVGSが定数であれば、コ
モン電圧を調整することによって、容易に除去すること
ができる。しかし、このΔVGSは、液晶容量CLCの電圧
依存性に起因して、同様な電圧依存性を有していること
から、コモン電圧を調整するだけでは完全に除去できな
かった。そこで、上記したΔVGSの悪影響を低減するた
め、図6に示す従来例では、液晶表示パネルに補助容量
用電極を設けて補助容量CS を形成している。However, if ΔVGS is a constant, it can be easily removed by adjusting the common voltage. However, this ΔVGS has a similar voltage dependence due to the voltage dependence of the liquid crystal capacitance CLC, and therefore cannot be completely removed only by adjusting the common voltage. Therefore, in order to reduce the above-mentioned adverse effect of ΔVGS, in the conventional example shown in FIG. 6, the auxiliary capacitance electrode is provided in the liquid crystal display panel to form the auxiliary capacitance CS.
【0010】すなわち、上記ΔVGSは、ゲート−ソース
間寄生容量をCGS、液晶容量をCLC、ハイレベルVGHか
らローレベルVGLのゲート電圧を引いた値をVGHL とす
ると、下式により表される。That is, the above-mentioned ΔVGS is expressed by the following equation, where CGS is the gate-source parasitic capacitance, CLC is the liquid crystal capacitance, and VGHL is the value obtained by subtracting the gate voltage of the low level VGL from the high level VGH.
【0011】[0011]
【数1】
上式より、飛込み電圧ΔVGSを小さくするには、補助容
量CS を大きくすればよいことがわかる。しかし、この
補助容量CS をあまり大きくすると、開口率が小さくな
って、書き込み時間が長くなる問題がある。[Equation 1] From the above equation, it can be seen that in order to reduce the jump voltage ΔVGS, the auxiliary capacitance CS should be increased. However, if the auxiliary capacitance CS is made too large, the aperture ratio becomes small and the writing time becomes long.
【0012】そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなさ
れたもので、液晶に印加される駆動電圧の直流成分を無
くして、液晶が劣化し難い、高画質の得られる液晶表示
装置を提供することを目的としている。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and provides a liquid crystal display device in which the direct current component of the driving voltage applied to the liquid crystal is eliminated, the liquid crystal is less likely to deteriorate, and high image quality is obtained. Is intended.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の液晶表示
装置は、液晶表示パネルのコモン電極に対して液晶を介
して対向配置された画素電極をマトリクス状に配し、各
画素毎に設けられたスイッチング素子のゲート電極にゲ
ート配線から交番変化する所定の制御電圧を印加して選
択状態とし、該選択状態の画素電極にドレイン配線から
交番変化する所定の表示電圧を印加して表示制御する液
晶表示装置において、前記スイッチング素子が第1導電
型と第2導電型の電界効果トランジスタとを並列に接続
して構成され、列方向に隣接する画素間で共通のゲート
配線を使って同一導電型の電界効果トランジスタ同士を
接続して、前記列方向に隣接する画素間の一方の電界効
果トランジスタ同士を同時にスイッチングさせるととも
に、前記各画素毎に構成された第1導電型と第2導電型
の電界効果トランジスタを前記ゲート配線から印加され
る制御電圧で交互にスイッチングさせて表示電圧を前記
画素電極に印加することにより、上記目的を達成する。According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device in which pixel electrodes, which are arranged to face a common electrode of a liquid crystal display panel with a liquid crystal interposed therebetween, are arranged in a matrix and are provided for each pixel. A predetermined control voltage alternating from the gate wiring is applied to the gate electrode of the selected switching element to bring it into a selected state, and a predetermined display voltage alternating from the drain wiring is applied to the pixel electrode in the selected state to perform display control. In a liquid crystal display device, the switching element is configured by connecting a first conductivity type field effect transistor and a second conductivity type field effect transistor in parallel, and the same conductivity type is formed by using a common gate wiring between adjacent pixels in a column direction. Field-effect transistors are connected to each other to simultaneously switch one field-effect transistor between adjacent pixels in the column direction, and By applying a first conductivity type and a display voltage alternately by switching the control voltage applied to the field-effect transistor of the second conductivity type from said gate line is configured to the pixel electrode, to achieve the above object.
【0014】[0014]
【0015】[0015]
【0016】また、本発明の液晶表示装置は、例えば、
請求項2に記載されるように、隣接する画素間で共通の
ゲート配線を使って同一導電型の電界効果トランジスタ
同士を接続し、同じ制御電圧を供給して2ライン同時に
選択状態とするようにしてもよい。The liquid crystal display device of the present invention is, for example,
As described in claim 2, field effect transistors of the same conductivity type are connected to each other using a common gate wiring between adjacent pixels, and the same control voltage is supplied so that two lines are simultaneously selected. May be.
【0017】また、本発明の液晶表示装置は、例えば、
請求項3に記載されるように、前記ゲート配線には、フ
レーム毎あるいはフィールド毎に交互に反転した制御電
圧を印加するようにしてもよい。The liquid crystal display device of the present invention is, for example,
As described in claim 3, a control voltage which is alternately inverted for each frame or each field may be applied to the gate wiring.
【0018】[0018]
【作用】請求項1記載の液晶表示装置では、各画素毎に
設けられたスイッチング素子が第1導電型と第2導電型
の電界効果トランジスタを並列に接続して構成され、列
方向に隣接する画素間で共通のゲート配線を使って同一
導電型の電界効果トランジスタ同士を接続して、前記列
方向に隣接する画素間の一方の電界効果トランジスタ同
士を同時にスイッチングさせるとともに、各画素毎に構
成された第1導電型と第2導電型の電界効果トランジス
タをゲート配線から印加される制御電圧で交互にスイッ
チングさせて表示電圧が画素電極に印加される。In the liquid crystal display device according to the first aspect, the switching element provided for each pixel is constituted by connecting the field effect transistors of the first conductivity type and the second conductivity type in parallel, and they are adjacent to each other in the column direction. The field effect transistors of the same conductivity type are connected to each other using a common gate wiring between the pixels so that one field effect transistor between the pixels adjacent in the column direction is simultaneously switched and the field effect transistors are configured for each pixel. The display voltage is applied to the pixel electrode by alternately switching the first conductivity type field effect transistor and the second conductivity type field effect transistor with the control voltage applied from the gate line.
【0019】従って、各画素において一方の導電型の電
界効果トランジスタを介して出力される飛び込み電圧波
形と、他方の導電型の電界効果トランジスタを介して出
力される飛び込み電圧波形とを互いに打ち消し合うこと
により、液晶にかかる電圧の直流成分を無くして、液晶
劣化の少ない、良好な画質が得られる。また、各画素毎
に並列接続された第1導電型と第2導電型の電界効果ト
ランジスタのうち列方向に隣接する画素間の一方の電界
効果トランジスタ同士を共通のゲート配線から供給され
る制御電圧でスイッチングさせる。従って、ゲート配線
の配線数を減少させて、各画素の開口率を大きくするこ
とができる。Therefore, in each pixel, the jump-in voltage waveform output via one conductivity type field effect transistor and the jump-in voltage waveform output via the other conductivity type field effect transistor should be canceled each other. As a result, the DC component of the voltage applied to the liquid crystal is eliminated, and good image quality with little liquid crystal deterioration can be obtained. Further, among the first conductivity type and second conductivity type field effect transistors connected in parallel for each pixel, one field effect transistor between adjacent pixels in the column direction is supplied with a control voltage from a common gate line. Switch with. Therefore, the number of gate wirings can be reduced and the aperture ratio of each pixel can be increased.
【0020】[0020]
【0021】[0021]
【0022】[0022]
【0023】請求項2記載の液晶表示装置では、隣接す
る画素間で共通のゲート配線を使って同一導電型の電界
効果トランジスタ同士を接続し、同じ制御電圧を供給し
て2ラインずつスイッチングさせるペアライン駆動が行
なわれる。従って、ゲート配線の配線数の減少に伴って
開口率が拡大するとともに、ペアライン駆動を容易に実
現できる。According to another aspect of the liquid crystal display device of the present invention, a pair of field effect transistors of the same conductivity type are connected to each other by using a common gate wiring between adjacent pixels, and the same control voltage is supplied to switch two lines at a time. Line driving is performed. Therefore, as the number of gate wirings decreases, the aperture ratio increases and pair line driving can be easily realized.
【0024】請求項3記載の液晶表示装置では、前記ゲ
ート配線にフレーム毎あるいはフィールド毎に交互に反
転した制御電圧が印加される。According to another aspect of the liquid crystal display device of the present invention, a control voltage which is alternately inverted for each frame or each field is applied to the gate wiring.
【0025】従って、液晶に印加される電圧の直流成分
が無くなり、液晶劣化の少ない、良好な画質が得られ
る。Therefore, the direct current component of the voltage applied to the liquid crystal is eliminated, and good image quality with little deterioration of the liquid crystal can be obtained.
【0026】[0026]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図1〜図4は、本発明の液晶表示装置の一実施例を示す
図である。まず、構成を説明する。図1は、本実施例に
係る液晶表示装置10の各画素に配置されたTFTの断
面図であり、このTFTは、ゲート電極が基板側に設け
られたボトムゲート型である。EXAMPLES The present invention will be described below based on examples.
1 to 4 are views showing an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. First, the configuration will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of a TFT arranged in each pixel of a liquid crystal display device 10 according to this embodiment, and this TFT is a bottom gate type in which a gate electrode is provided on the substrate side.
【0027】本実施例では、各画素ごとに設けられるア
クティブマトリクス型液晶表示装置のスイッチング素子
として、nチャネルTFTとpチャネルTFTの2種類
を用いて構成されている。図1の液晶表示装置10は、
蒸着スパッタやプラズマCVDあるいはエッチング等に
よって簿膜積層することにより形成されており、nチャ
ネルTFTの場合の断面構成を説明する。そして、もう
一方のpチャネルTFTは、例えば、図1の奥行方向に
配設されている。In this embodiment, two types of switching elements, an n-channel TFT and a p-channel TFT, are used as the switching elements of the active matrix type liquid crystal display device provided for each pixel. The liquid crystal display device 10 of FIG.
The cross-sectional structure in the case of an n-channel TFT will be described, which is formed by stacking book films by vapor deposition sputtering, plasma CVD, etching, or the like. The other p-channel TFT is arranged, for example, in the depth direction of FIG.
【0028】図1に示す液晶表示装置10は、ガラス基
板11上の所定箇所に、薄膜トランジスタ(TFT)の
一部を構成するゲート電極Gが形成されている。ここ
で、図6に示す従来例では、図1のガラス基板11上の
破線位置に画素電極16との間で補助容量CS を発生さ
せる補助容量用電極12を形成して、画素電極16に書
き込まれる駆動波形に含まれる飛込み電圧ΔVGS成分を
低減化している。しかし、補助容量用電極12は、開口
率を小さくし、書き込み速度が低下させる。In the liquid crystal display device 10 shown in FIG. 1, a gate electrode G forming a part of a thin film transistor (TFT) is formed on a glass substrate 11 at a predetermined position. Here, in the conventional example shown in FIG. 6, the auxiliary capacitance electrode 12 for generating the auxiliary capacitance Cs is formed between the pixel electrode 16 and the pixel electrode 16 at the position of the broken line on the glass substrate 11 of FIG. The jump voltage ΔVGS component included in the generated drive waveform is reduced. However, the auxiliary capacitance electrode 12 reduces the aperture ratio and reduces the writing speed.
【0029】このため、本実施例では、上記補助容量用
電極12を形成することなく、飛込み電圧ΔVGSを小さ
くして、液晶に直流成分がかからないようにしている。
すなわち、本実施例では、各画素毎に設けられるスイッ
チング素子として、nチャネルTFTとpチャネルTF
Tを並列に接続し、交互にスイッチングさせる。このn
チャネルTFTとpチャネルTFTで発生する飛込み電
圧ΔVGS成分は、液晶に印加される駆動波形をそれぞれ
正側と負側にずらすことから、駆動電圧波形に生じる飛
込み電圧ΔVGS成分同士が相殺されて、直流成分を無く
すものである。For this reason, in the present embodiment, the jump voltage ΔVGS is made small without forming the auxiliary capacitance electrode 12 so that no direct current component is applied to the liquid crystal.
That is, in this embodiment, an n-channel TFT and a p-channel TF are used as a switching element provided for each pixel.
Ts are connected in parallel and switched alternately. This n
The jump voltage ΔVGS component generated in the channel TFT and the p-channel TFT shifts the drive waveform applied to the liquid crystal to the positive side and the negative side, respectively, so that the jump voltage ΔVGS components generated in the drive voltage waveform are offset to each other, and It eliminates the ingredients.
【0030】再び、図1に戻って、ガラス基板11上の
ゲート電極Gは、液晶表示パネルの行方向に配設された
ゲートラインに接続されている。そして、ゲート電極G
のガラス基板11の全上面には、窒化シリコン(Si
N)あるいは酸化シリコン(SiO)からなる絶縁膜1
3が形成されている。そして、そのゲート電極G及び絶
縁膜13の上面には、薄膜トランジスタの一部を構成す
る半導体層14が所定の形状にパターニング形成されて
いる。Returning to FIG. 1 again, the gate electrode G on the glass substrate 11 is connected to the gate line arranged in the row direction of the liquid crystal display panel. And the gate electrode G
The entire upper surface of the glass substrate 11 is covered with silicon nitride (Si
Insulating film 1 made of N) or silicon oxide (SiO)
3 is formed. Then, on the upper surfaces of the gate electrode G and the insulating film 13, the semiconductor layer 14 forming a part of the thin film transistor is patterned and formed in a predetermined shape.
【0031】この半導体層14のゲート電極Gに対応す
る中央部分は、チャネル領域14aとされ、その左右両
側部分には、n型の高濃度不純物イオン(n+ −Si)
が拡散されたドレイン領域14b及びソース領域14c
が形成されている。A central portion of the semiconductor layer 14 corresponding to the gate electrode G is formed as a channel region 14a, and n-type high-concentration impurity ions (n + -Si) are formed on both left and right sides thereof.
Drain region 14b and source region 14c diffused
Are formed.
【0032】次に、半導体層14を含む絶縁膜13の上
面には、層間絶縁膜15が形成され、さらにその層間絶
縁膜15上には、ITO(Indium Tin Oxide)からなる
画素電極16が形成されている。そして、上記層間絶縁
膜15の上記ドレイン領域14b及びソース領域14c
の上部に対応する部分には、コンタクトホール17、1
8が形成されている。このコンタクトホール17、18
部分には、アルミニウムからなりTFTの一部を構成す
るドレイン電極Dとソース電極Sが形成される。このド
レイン電極Dは、図2に示すドレインライン35に接続
され、ソース電極Sは、画素電極16に接続されてい
る。Next, an interlayer insulating film 15 is formed on the upper surface of the insulating film 13 including the semiconductor layer 14, and a pixel electrode 16 made of ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the interlayer insulating film 15. Has been done. Then, the drain region 14b and the source region 14c of the interlayer insulating film 15 are formed.
The contact holes 17, 1 are provided in the portion corresponding to the upper part of
8 is formed. These contact holes 17, 18
A drain electrode D and a source electrode S made of aluminum and forming a part of the TFT are formed on the portion. The drain electrode D is connected to the drain line 35 shown in FIG. 2, and the source electrode S is connected to the pixel electrode 16.
【0033】そして、上記した画素電極16、ソース電
極S及びドレイン電極D上には、液晶分子の配向を制御
する配向膜19が形成され、さらにその上に液晶20が
配置されている。An alignment film 19 for controlling the alignment of liquid crystal molecules is formed on the pixel electrode 16, the source electrode S and the drain electrode D, and the liquid crystal 20 is further arranged thereon.
【0034】また、液晶20を挟んだ対向面には、図示
しないITOからなるコモン電極及びガラス基板が配設
されて液晶表示パネルを構成している。上記した画素電
極16と画素電極16に対向配置されたコモン電極及び
その間の液晶20によって液晶容量CLCが形成されてい
る。なお、上記した実施例におけるTFTのシリコン
(Si)には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、
単結晶シリコン等が使われている。Further, a common electrode made of ITO and a glass substrate (not shown) are arranged on opposite surfaces sandwiching the liquid crystal 20 to form a liquid crystal display panel. A liquid crystal capacitance CLC is formed by the above-mentioned pixel electrode 16, the common electrode arranged to face the pixel electrode 16 and the liquid crystal 20 between them. In addition, the silicon (Si) of the TFT in the above-described embodiment includes amorphous silicon, polysilicon,
Single crystal silicon is used.
【0035】図2は、本実施例の液晶表示装置の各画素
毎の回路図である。本実施例のアクティブマトリクス型
の液晶表示装置は、各画素毎にnチャネルTFTとpチ
ャネルTFTのドレイン同士及びソース同士を接続して
並列接続することによりスイッチング素子が形成されて
いる。図2は、1行と2行の1列目の2画素分の回路を
示している。FIG. 2 is a circuit diagram for each pixel of the liquid crystal display device of this embodiment. In the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment, the switching element is formed by connecting the drains and sources of the n-channel TFT and the p-channel TFT for each pixel and connecting them in parallel. FIG. 2 shows a circuit for two pixels in the first column of the first row and the second row.
【0036】図2の上側の画素は、nチャネルTFT3
6とpチャネルTFT37で構成され、それぞれのゲー
ト電極に固有のゲートライン31、32が別々に接続さ
れている。そして、上記ゲートライン31と32には、
奇数/偶数フレーム(あるいは、奇数/偶数フィール
ド)毎の走査タイミング合わせて、上記nチャネルTF
T36とpチャネルTFT37を交互にオンさせるゲー
トパルス信号が印加される。The upper pixel in FIG. 2 is the n-channel TFT 3
6 and a p-channel TFT 37, and gate lines 31 and 32 unique to each gate electrode are separately connected. The gate lines 31 and 32 have
The n-channel TF is set according to the scan timing for each odd / even frame (or odd / even field).
A gate pulse signal for alternately turning on T36 and p-channel TFT 37 is applied.
【0037】また、図2の下側の画素のゲートライン3
3と34も同様に奇数/偶数フレーム(あるいは、フィ
ールド)毎にnチャネルTFT38とpチャネルTFT
39を交互にオンさせるように、ゲートパルス信号が印
加される。本実施例の液晶表示装置は、上記のように構
成されており、以下動作を説明する。Further, the gate line 3 of the lower pixel of FIG.
Similarly, 3 and 34 have an n-channel TFT 38 and a p-channel TFT for each odd / even frame (or field).
A gate pulse signal is applied so that 39 is alternately turned on. The liquid crystal display device of this embodiment is configured as described above, and its operation will be described below.
【0038】図3は、本実施例のスイッチング素子に印
加されるゲートパルス信号と駆動電圧波形のタイムチャ
ートである。図3(a)には、コモン電極の基準電圧V
COMに対して、TFTのドレイン側に入力される映像信
号としてのドレイン電圧VD(破線で示す線図)と、T
FTのスイッチングによって液晶に印加されるソース電
圧VS (実線で示す線図)が示されている。また、図3
(b)は、nチャネルTFT36のゲート電極に印加さ
れるゲートパルス信号VGNであり、図3(c)は、pチ
ャネルTFT37のゲート電極に印加されるゲートパル
ス信号VGPを示している。FIG. 3 is a time chart of the gate pulse signal applied to the switching element of this embodiment and the drive voltage waveform. FIG. 3A shows the reference voltage V of the common electrode.
With respect to COM, drain voltage VD (diagram indicated by a broken line) as a video signal input to the drain side of the TFT, and T
The source voltage VS (diagram indicated by the solid line) applied to the liquid crystal by the switching of the FT is shown. Also, FIG.
3B shows the gate pulse signal VGN applied to the gate electrode of the n-channel TFT 36, and FIG. 3C shows the gate pulse signal VGP applied to the gate electrode of the p-channel TFT 37.
【0039】そこで、本実施例の液晶表示装置でインタ
ーレース走査する場合は、液晶表示パネルにマトリクス
状に配置された各画素に、映像信号を1フレーム(2フ
ィールド)毎に書き込むとともに、その映像信号を1フ
レーム毎に反転させている。Therefore, when interlaced scanning is performed by the liquid crystal display device of this embodiment, a video signal is written in each pixel arranged in a matrix on the liquid crystal display panel for each frame (2 fields), and the video signal is written. Are inverted every frame.
【0040】そして、本実施例では、奇数フレームと偶
数フレームとで各画素のスイッチング素子のnチャネル
TFTとpチャネルTFTを交互にスイッチングさせ
て、映像信号の書き込みを行なっている。In this embodiment, the video signal is written by alternately switching the n-channel TFT and the p-channel TFT of the switching element of each pixel in the odd frame and the even frame.
【0041】すなわち、図2に示すように、奇数フレー
ム時には、ゲートライン31からnチャネルTFT36
のゲート電極に対して、図3(b)に示すゲートパルス
信号VGNとしてハイレベルデータ(VGH)を印加して、
TFT36をオンし、ドレインライン35に負(反転)
のドレイン電圧VD を供給することにより液晶容量CLC
を書き込む。このとき、図3(a)の白抜き矢印Cに示
すように、ドレイン電圧VD から飛込み電圧ΔVGS分だ
け負側にずれたソース電圧VS が発生する。That is, as shown in FIG. 2, in an odd frame, the gate line 31 to the n-channel TFT 36 are used.
By applying high level data (VGH) as the gate pulse signal VGN shown in FIG.
The TFT 36 is turned on, and the drain line 35 is negative (inverted).
By supplying the drain voltage VD of
Write. At this time, as shown by the white arrow C in FIG. 3A, a source voltage VS deviated from the drain voltage VD to the negative side by the jump voltage ΔVGS is generated.
【0042】次に、図2に示すように、偶数フレーム時
には、ゲートライン32からpチャネルTFT37のゲ
ート電極に対して、図3(c)に示すゲートパルス信号
VGPとしてローレベルデータ(VGL)を印加して、TF
T37をオンし、ドレインライン35に正(非反転)の
ドレイン電圧VD を供給することにより液晶容量CLCを
書き込む。このとき、図3(a)の白抜き矢印Dに示す
ように、ドレイン電圧VD から飛込み電圧ΔVGS分だけ
正側にずれたソース電圧VS が発生する。Next, as shown in FIG. 2, in an even frame, low level data (VGL) is supplied from the gate line 32 to the gate electrode of the p-channel TFT 37 as the gate pulse signal VGP shown in FIG. 3C. Apply TF
The liquid crystal capacitance CLC is written by turning on T37 and supplying a positive (non-inverted) drain voltage VD to the drain line 35. At this time, as shown by the white arrow D in FIG. 3A, a source voltage VS deviated from the drain voltage VD to the positive side by the jump voltage ΔVGS is generated.
【0043】そして、上記した矢印Cと矢印Dの飛込み
電圧ΔVGSの絶対値は、ゲート−ソース間寄生容量をC
GS、液晶容量をCLC、ゲート電圧のハイレベルデータV
GHからローレベルデータVGLを引いた値をVGHL とする
と、下式で表わされる。The absolute value of the jump voltage ΔVGS indicated by the arrows C and D is the gate-source parasitic capacitance C
GS, liquid crystal capacity CLC, high level data V of gate voltage
When the value obtained by subtracting the low level data VGL from GH is VGHL, it is expressed by the following equation.
【0044】[0044]
【数2】
上式では、移動度等のTFTの特性が含まれていないこ
とから、nチャネルTFTとpチャネルTFTで特性差
が多少あったとしても、スイッチング時に発生する飛込
み電圧ΔVGSの絶対値は殆ど同じになる。[Equation 2] In the above equation, since the TFT characteristics such as mobility are not included, even if there is a slight characteristic difference between the n-channel TFT and the p-channel TFT, the absolute value of the jump voltage ΔVGS generated during switching is almost the same. Become.
【0045】このため、本実施例では、TFTのスイッ
チング時に発生する飛込み電圧ΔVGSを逆に利用して、
nチャネルTFTとpチャネルTFTとを交互に使うこ
とにより、基準電圧VCOM に対してソース電圧VS 波形
を対称とすることができ、液晶に印加される直流成分を
除去することができる。従って、残像等の画質劣化や液
晶劣化を回避することが可能となる。Therefore, in the present embodiment, the jump voltage ΔVGS generated at the time of switching the TFT is used in reverse,
By alternately using the n-channel TFT and the p-channel TFT, the waveform of the source voltage VS can be made symmetrical with respect to the reference voltage VCOM, and the direct current component applied to the liquid crystal can be removed. Therefore, it is possible to avoid image quality deterioration such as afterimage and liquid crystal deterioration.
【0046】次に、図4は、他の実施例に係る液晶表示
装置の回路構成を示す図である。本発明では各画素毎の
スイッチング素子がnチャネルとpチャネルのTFTが
並列に接続されているが、図4の実施例では、列(図の
上下)方向に隣接する画素間でゲートラインを共有して
いる点に特徴がある。Next, FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a liquid crystal display device according to another embodiment. In the present invention, the n-channel and p-channel TFTs of the switching element for each pixel are connected in parallel, but in the embodiment of FIG. 4, the gate line is shared between the pixels adjacent in the column (up and down direction) direction. There is a feature in doing it.
【0047】すなわち、図4に示すように、1行、2
行、3行の各画素において、ゲートライン41からは、
1行目の画素のnチャネルTFT46にゲートパルスが
供給される。また、ゲートライン42は、1行目の画素
のpチャネルTFT47と2行目の画素のpチャネルT
FT48に同一ゲートパルスを供給する。さらに、ゲー
トライン43は、2行目の画素のnチャネルTFT49
と3行目の画素のnチャネルTFT50に同一ゲートパ
ルスを供給する。そして、ゲートライン44は、3行目
の画素のpチャネルTFT51と図示しない4行目画素
のpチャネルTFTに同一ゲートパルスを供給する。That is, as shown in FIG.
In each pixel of row 3 and row 3, from the gate line 41,
A gate pulse is supplied to the n-channel TFT 46 of the pixels on the first row. In addition, the gate line 42 includes a p-channel TFT 47 of the first row pixel and a p-channel T of the second row pixel.
The same gate pulse is supplied to the FT 48. Further, the gate line 43 is the n-channel TFT 49 of the pixel in the second row.
And the same gate pulse is supplied to the n-channel TFTs 50 of the pixels in the third row. The gate line 44 supplies the same gate pulse to the p-channel TFT 51 of the pixel on the third row and the p-channel TFT of the pixel on the fourth row (not shown).
【0048】このように、隣接する画素間で同じ導電型
のTFT同士でゲートラインを共有するように構成する
ことにより、ゲートラインの配線数を減らすことが可能
となり、その分開口率を大きくして光の透過率を向上さ
せ、液晶表示画面の輝度を上げることができる。As described above, by configuring the TFTs of the same conductivity type to share the gate line between the adjacent pixels, it is possible to reduce the number of wirings of the gate line and increase the aperture ratio accordingly. Therefore, the light transmittance can be improved and the brightness of the liquid crystal display screen can be increased.
【0049】また、図4に示す液晶表示装置の場合は、
液晶の走査線を2本ずつ同時に駆動するペアライン駆動
が容易に行なえる利点がある。これは、従来の液晶表示
装置でペアライン駆動する場合は、奇数行のゲートパル
スの印加タイミングと偶数行のゲートパルスの印加タイ
ミングとを複雑に制御する必要があった。In the case of the liquid crystal display device shown in FIG. 4,
There is an advantage that pair line driving in which two scanning lines of liquid crystal are simultaneously driven can be easily performed. This is because in the case of pair line driving in the conventional liquid crystal display device, it is necessary to control the application timing of the gate pulse in the odd rows and the application timing of the gate pulse in the even rows in a complicated manner.
【0050】これに対して、図4に示す液晶表示装置の
場合は、隣接する行間でゲートラインを共有しているた
め、所定のゲートラインにゲートパルスを印加すると、
2行分を同時に選択状態とすることができ、その選択時
にドレインライン45から供給される映像信号に基づい
てペアライン駆動するものである。On the other hand, in the case of the liquid crystal display device shown in FIG. 4, since the gate line is shared between the adjacent rows, when a gate pulse is applied to a predetermined gate line,
Two rows can be simultaneously selected, and pair lines are driven based on a video signal supplied from the drain line 45 at the time of selection.
【0051】例えば、図4に示すように、奇数フィール
ドでは、ゲートライン42を使って1行目と2行目、ゲ
ートライン44を使って3行目と4行目(図示しな
い)、………というように、ペアで2行同時に映像信号
を書き込む。また、偶数フィールドでは、ゲートライン
43を使って2行目と3行目、図示していないゲートラ
インを使って4行目と5行目………というように、ペア
で2行同時に映像信号を書き込むことができる。For example, as shown in FIG. 4, in the odd-numbered field, the gate line 42 is used for the first and second rows, the gate line 44 is used for the third and fourth rows (not shown), ... In this way, the video signals are written simultaneously in two lines in a pair. In the even field, the gate line 43 is used for the second and third lines, the gate line (not shown) is used for the fourth and fifth lines, and so on. You can write
【0052】このように、図4に示す液晶表示装置を使
ってペアライン駆動すると、2フィールドで1フレーム
を構成するインターレース駆動の場合、各画素では1フ
ィールド毎に映像信号が書き込まれることになり、前記
実施例で1フレーム毎に映像信号を書き込む場合と比較
すると、1各画素における電圧保持時間を短縮すること
ができる。As described above, when pair line driving is performed using the liquid crystal display device shown in FIG. 4, in the case of interlaced driving in which two fields form one frame, a video signal is written in each pixel in each field. The voltage holding time in each pixel can be shortened as compared with the case where the video signal is written in each frame in the above embodiment.
【0053】また、上記したように、ペアライン駆動す
る奇数フィールドと偶数フィールドでは、上下に1行分
だけ画素がずれるので、垂直解像度を落すことなく高画
質表示することができる。さらに、上記実施例の場合
は、奇数フィールドではnチャネルTFTのゲートを駆
動するn型ゲートラインを、偶数フィールドではpチャ
ネルTFTのゲートを駆動するp型ゲートラインを順次
走査するだけで、自動的にペアライン駆動できるため、
従来の液晶表示装置よりも簡易な構成でペアライン駆動
することができる。Further, as described above, in the odd field and the even field which are pair-line driven, the pixels are vertically displaced by one row, so that high image quality display can be performed without lowering the vertical resolution. Furthermore, in the case of the above-described embodiment, the n-type gate line driving the gate of the n-channel TFT in the odd field and the p-type gate line driving the gate of the p-channel TFT in the even field are sequentially scanned, and automatically. Because it can be pair line driven,
Pair line driving can be performed with a simpler configuration than that of a conventional liquid crystal display device.
【0054】なお、本発明の液晶表示装置のTFTの構
造は、上記したボトムゲート型に限定されるものではな
く、これ以外の構造のTFTを採用することもできる。
また、本発明の好ましい実施例は、CS電極を形成しな
いことにより開口率を向上する点にあるが、CS電極を
有している場合にも、上記した作用は全く同一に生じる
から、本発明は、CS電極を有する液晶表示装置に対し
ても、当然適用可能である。The structure of the TFT of the liquid crystal display device of the present invention is not limited to the bottom gate type described above, and TFTs having other structures can be adopted.
Further, the preferred embodiment of the present invention is to improve the aperture ratio by not forming the CS electrode. However, even when the CS electrode is provided, the above-mentioned actions are exactly the same, and therefore the present invention Can be naturally applied to a liquid crystal display device having a CS electrode.
【0055】[0055]
【発明の効果】請求項1記載の液晶表示装置によれば、
各画素内に異なる導電型の電界効果トランジスタを設け
て、交互にスイッチングが行なわれるようにゲートパル
スを印加するので、液晶に印加されるソース電圧VS の
飛込み電圧のΔVGS成分は、正側と負側の両方に交互に
現われることから、液晶に印加されるソース電圧VS 波
形がコモン電極の基準電圧VCOM に対して対称となって
直流成分が無くなり、高画質が得られるとともに液晶劣
化を防止することができる。また、各画素毎に並列接続
された異なる導電型の電界効果トランジスタのうち列方
向に隣接する画素間の一方の電界効果トランジスタ同士
を共通のゲート配線から供給される制御電圧でスイッチ
ングさせるので、ゲート配線の配線数を減少させること
ができ、液晶表示パネルの開口率を大きくすることがで
きる。According to the liquid crystal display device of the first aspect,
Since different conductivity type field effect transistors are provided in each pixel and a gate pulse is applied so that switching is performed alternately, the ΔVGS component of the jump voltage of the source voltage VS applied to the liquid crystal is positive and negative. Since they appear alternately on both sides, the waveform of the source voltage VS applied to the liquid crystal becomes symmetrical with respect to the reference voltage VCOM of the common electrode, the DC component is eliminated, and high image quality is obtained and liquid crystal deterioration is prevented. You can Further, among the field effect transistors of different conductivity types connected in parallel for each pixel, one field effect transistor between adjacent pixels in the column direction is switched by the control voltage supplied from the common gate line, The number of wirings can be reduced and the aperture ratio of the liquid crystal display panel can be increased.
【0056】[0056]
【0057】[0057]
【0058】請求項2記載の液晶表示装置によれば、隣
接する画素間で共通のゲート配線を使って同一導電型の
電界効果トランジスタ同士を接続し、同じ制御電圧を供
給して2ラインずつスイッチングさせてペアライン駆動
するようにしたので、ゲート配線の配線数の減少に伴っ
て開口率が拡大するとともに、ペアライン駆動を容易に
実現することができる。According to the liquid crystal display device of the second aspect, the field effect transistors of the same conductivity type are connected to each other by using the common gate wiring between the adjacent pixels, and the same control voltage is supplied to switch every two lines. Since the pair lines are driven in this manner, the aperture ratio increases as the number of gate lines decreases, and the pair lines can be easily driven.
【0059】請求項3記載の液晶表示装置によれば、ゲ
ート配線にフレーム毎あるいはフィールド毎に交互に反
転した制御電圧を印加するので、液晶に印加される電圧
の直流成分が無くなり、液晶の劣化の少ない、良好な画
質を得ることができる。According to the liquid crystal display device of the third aspect, since the control voltage which is alternately inverted for each frame or each field is applied to the gate wiring, the DC component of the voltage applied to the liquid crystal disappears, and the liquid crystal deteriorates. And good image quality can be obtained.
【図1】本実施例に係る液晶表示装置の各画素に配置さ
れたTFTの断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a TFT arranged in each pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment.
【図2】本実施例の液晶表示装置の各画素毎の回路図で
ある。FIG. 2 is a circuit diagram of each pixel of the liquid crystal display device of the present embodiment.
【図3】本実施例のスイッチング素子に印加されるゲー
トパルス信号と駆動電圧波形のタイムチャートである。FIG. 3 is a time chart of a gate pulse signal and a drive voltage waveform applied to the switching element of this embodiment.
【図4】他の実施例に係る液晶表示装置の回路構成を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a liquid crystal display device according to another embodiment.
【図5】従来例の液晶表示装置の各画素毎の回路図であ
る。FIG. 5 is a circuit diagram for each pixel of a conventional liquid crystal display device.
【図6】他の従来例の液晶表示装置の各画素毎の回路図
である。FIG. 6 is a circuit diagram of each pixel of another conventional liquid crystal display device.
【図7】従来例の課題を説明する波形図である。FIG. 7 is a waveform diagram illustrating a problem of a conventional example.
10 液晶表示装置 11 ガラス基板 12 補助容量用電極 13 絶縁膜 14 半導体層 15 層間絶縁膜 16 画素電極 17、18 コンタクトホール 31、32、33、34 ゲートライン 35 ドレインライン 36、38 nチャネルTFT 37、39 pチャネルTFT 10 Liquid crystal display device 11 glass substrate 12 Storage capacitor electrode 13 Insulating film 14 Semiconductor layer 15 Interlayer insulation film 16 pixel electrodes 17,18 Contact hole 31, 32, 33, 34 Gate line 35 drain line 36, 38 n-channel TFT 37, 39 p-channel TFT
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1368 G02F 1/133 550 G09G 3/36 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1368 G02F 1/133 550 G09G 3/36
Claims (3)
を介して対向配置された画素電極をマトリクス状に配
し、各画素毎に設けられたスイッチング素子のゲート電
極にゲート配線から交番変化する所定の制御電圧を印加
して選択状態とし、該選択状態の画素電極にドレイン配
線から交番変化する所定の表示電圧を印加して表示制御
する液晶表示装置において、 前記スイッチング素子が第1導電型と第2導電型の電界
効果トランジスタとを並列に接続して構成され、 列方向に隣接する画素間で共通のゲート配線を使って同
一導電型の電界効果トランジスタ同士を接続して、前記
列方向に隣接する画素間の一方の電界効果トランジスタ
同士を同時にスイッチングさせるとともに、前記各画素
毎に構成された第1導電型と第2導電型の電界効果トラ
ンジスタを前記ゲート配線から印加される制御電圧で交
互にスイッチングさせて表示電圧を前記画素電極に印加
することを特徴とする液晶表示装置。1. A pixel electrode arranged to face a common electrode of a liquid crystal display panel via a liquid crystal is arranged in a matrix, and a gate electrode of a switching element provided for each pixel is alternately changed from a gate wiring. In a liquid crystal display device, in which a predetermined control voltage is applied to bring a pixel into a selected state, and a predetermined display voltage which changes alternately from the drain wiring is applied to the pixel electrode in the selected state to perform display control, the switching element is of a first conductivity type. A field effect transistor of the second conductivity type is connected in parallel, and field effect transistors of the same conductivity type are connected to each other in the column direction by using a common gate wiring between pixels adjacent in the column direction. One field effect transistor between adjacent pixels is simultaneously switched, and a field effect of a first conductivity type and a second conductivity type formed for each pixel. The liquid crystal display device, characterized in that the display voltage alternately by switching the control voltage applied from the gate wiring transistor is applied to the pixel electrode.
て同一導電型の電界効果トランジスタ同士を接続し、同
じ制御電圧を供給して2ライン同時に選択状態とするこ
とを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。2. A field effect transistor of the same conductivity type is connected to each other by using a common gate line between adjacent pixels, and the same control voltage is supplied to simultaneously select two lines. 1. The liquid crystal display device according to 1.
フィールド毎に交互に反転した制御電圧を印加するよう
にしたことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a control voltage which is alternately inverted for each frame or each field is applied to the gate wiring.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18278594A JP3533476B2 (en) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18278594A JP3533476B2 (en) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | Liquid crystal display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0829751A JPH0829751A (en) | 1996-02-02 |
JP3533476B2 true JP3533476B2 (en) | 2004-05-31 |
Family
ID=16124381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18278594A Expired - Lifetime JP3533476B2 (en) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3533476B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873319B2 (en) | 2000-02-02 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | Method for driving electrooptical device, driving circuit, and electrooptical device, and electronic apparatus |
JP2009198981A (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | Driving circuit of electrooptical device, driving method of electrooptical device, electrooptical device and electronic apparatus |
JP5182633B2 (en) * | 2008-09-17 | 2013-04-17 | 株式会社リコー | Image display device |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP18278594A patent/JP3533476B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0829751A (en) | 1996-02-02 |
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