JP3530362B2 - 自発光型画像表示装置 - Google Patents
自発光型画像表示装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 186
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 145
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 57
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 10
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 3
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- 101000972349 Phytolacca americana Lectin-A Proteins 0.000 description 1
- 101100214491 Solanum lycopersicum TFT3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- DRIUWMIAOYIBGN-UHFFFAOYSA-N lanthanum titanium Chemical compound [Ti][La] DRIUWMIAOYIBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）などの発光画素素子を備
える自発光型画像表示装置に関する。
（エレクトロルミネッセンス）などの発光画素素子を備
える自発光型画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬなどの発光画素素子を用いてド
ットマトリクスディスプレイを構成することが考えられ
ている。図１０は、１画素分の発光画素素子を示した断
面図である。この発光画素素子は、透明ガラス基板６０
１と、この透明ガラス基板６０１上に形成された透明な
画素電極６０２（例えばＩＴＯ（インジウム−スズ酸化
物）からなり、ホール注入電極として機能する。）及び
各画素電極６０２を駆動する駆動素子６０３と、前記透
明ガラス基板６０１に対向して設けられた共通電極６０
４（例えば、ＭｇＩｎからなり、電子注入電極として機
能する。）と、この共通電極６０４と前記透明ガラス基
板６０１との間に設けられ、光を画素電極６０２側へ発
する発光層６００とを備えて成る。
ットマトリクスディスプレイを構成することが考えられ
ている。図１０は、１画素分の発光画素素子を示した断
面図である。この発光画素素子は、透明ガラス基板６０
１と、この透明ガラス基板６０１上に形成された透明な
画素電極６０２（例えばＩＴＯ（インジウム−スズ酸化
物）からなり、ホール注入電極として機能する。）及び
各画素電極６０２を駆動する駆動素子６０３と、前記透
明ガラス基板６０１に対向して設けられた共通電極６０
４（例えば、ＭｇＩｎからなり、電子注入電極として機
能する。）と、この共通電極６０４と前記透明ガラス基
板６０１との間に設けられ、光を画素電極６０２側へ発
する発光層６００とを備えて成る。
【０００３】しかしなから、有機ＥＬなどの発光画素素
子は、応答速度が速く（μｓオーダー）、メモリー性が
殆どないため、画像を表示するときには、画面のちらつ
き感が高くなるという欠点がある。
子は、応答速度が速く（μｓオーダー）、メモリー性が
殆どないため、画像を表示するときには、画面のちらつ
き感が高くなるという欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、特開平８−２
４１０５７号公報（ＩＰＣ Ｇ０９Ｇ ３／３０，Ｈ
０５Ｂ ３３／０８）に開示されているように、各発光
画素素子を駆動する各薄膜トランジスタに容量を並列に
設け、薄膜トランジスタのＯＮ時に前記容量に充電を行
い、薄膜トランジスタがＯＦＦされた後にも各容量から
各発光画素素子に電流供給を行うことが考えられる。
４１０５７号公報（ＩＰＣ Ｇ０９Ｇ ３／３０，Ｈ
０５Ｂ ３３／０８）に開示されているように、各発光
画素素子を駆動する各薄膜トランジスタに容量を並列に
設け、薄膜トランジスタのＯＮ時に前記容量に充電を行
い、薄膜トランジスタがＯＦＦされた後にも各容量から
各発光画素素子に電流供給を行うことが考えられる。
【０００５】しかしながら、上記の公報には、容量をど
こに確保するかについては何ら開示されていない。一般
に、各発光画素素子用の容量を発光画素素子の形成領域
外において集合的に形成することが考えられるが、これ
では、容量形成面積が必要になった分だけ自発光型画像
表示装置が大型化してしまう。一方、各発光画素素子の
形成領域において各容量を形成した場合には、当該容量
の分だけ発光面積が浸食されて小さくなり、十分な明る
さが得られないおそれがある。
こに確保するかについては何ら開示されていない。一般
に、各発光画素素子用の容量を発光画素素子の形成領域
外において集合的に形成することが考えられるが、これ
では、容量形成面積が必要になった分だけ自発光型画像
表示装置が大型化してしまう。一方、各発光画素素子の
形成領域において各容量を形成した場合には、当該容量
の分だけ発光面積が浸食されて小さくなり、十分な明る
さが得られないおそれがある。
【０００６】また、特開平８−５４８３６号公報（ＩＰ
Ｃ Ｇ０９Ｆ ９／３３）には、容量線を設けて画素電
極との間に容量を形成すること、即ち、画素電極を容量
の一方の電極とすることが記載されている。しかし、こ
のように画素電極を容量の一方の電極とする構造では、
容量を形成するための誘電体（容量層）の形成領域を確
保することが困難である。特に、誘電体として液晶を用
いた容量構造を実現することができない。
Ｃ Ｇ０９Ｆ ９／３３）には、容量線を設けて画素電
極との間に容量を形成すること、即ち、画素電極を容量
の一方の電極とすることが記載されている。しかし、こ
のように画素電極を容量の一方の電極とする構造では、
容量を形成するための誘電体（容量層）の形成領域を確
保することが困難である。特に、誘電体として液晶を用
いた容量構造を実現することができない。
【０００７】この発明は、容量を形成するための誘電体
（容量層）の形成領域を容易に確保することができ、且
つ、各発光画素素子の発光面積を小さくすることなく、
当該発光画素素子の形成領域において各々容量が形成さ
れた自発光型画像表示装置を提供することを目的とす
る。
（容量層）の形成領域を容易に確保することができ、且
つ、各発光画素素子の発光面積を小さくすることなく、
当該発光画素素子の形成領域において各々容量が形成さ
れた自発光型画像表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の自発光型画像
表示装置は、上記の課題を解決するために、発光画素素
子に対する信号保持用の容量手段が前記発光画素素子に
対して積層状態に形成されており、前記容量手段は前記
画素電極とは別に設けられた個別容量電極を備え、この
個別容量電極は前記画素電極に電気的に接続されるもの
において、前記の容量手段における容量層は、発光画素
素子の光出射面側に形成された透明容量層であることを
特徴とする。
表示装置は、上記の課題を解決するために、発光画素素
子に対する信号保持用の容量手段が前記発光画素素子に
対して積層状態に形成されており、前記容量手段は前記
画素電極とは別に設けられた個別容量電極を備え、この
個別容量電極は前記画素電極に電気的に接続されるもの
において、前記の容量手段における容量層は、発光画素
素子の光出射面側に形成された透明容量層であることを
特徴とする。
【０００９】上記の構成であれば、各容量は発光画素素
子に対して積層状態で形成されるから、発光画素素子の
発光面積に対する浸食が無く、発光面積の狭小化が回避
できる。更に、前記容量手段は前記画素電極とは別に設
けられた個別容量電極を備えるから、容量を形成するた
めの誘電体（容量層）の形成領域を容易に確保すること
が可能となる。
子に対して積層状態で形成されるから、発光画素素子の
発光面積に対する浸食が無く、発光面積の狭小化が回避
できる。更に、前記容量手段は前記画素電極とは別に設
けられた個別容量電極を備えるから、容量を形成するた
めの誘電体（容量層）の形成領域を容易に確保すること
が可能となる。
【００１０】前記の容量手段における容量層は、発光画
素素子の光出射面側に形成された透明容量層であっても
よく、或いは、発光画素素子の光出射面の反対側の面に
形成された不透明或いは透明容量層であってもよい。ま
た、一つの駆動素子が、各発光画素素子における駆動手
段と、各発光画素素子についての各容量手段における充
電制御手段とを兼ねていてもよい。
素素子の光出射面側に形成された透明容量層であっても
よく、或いは、発光画素素子の光出射面の反対側の面に
形成された不透明或いは透明容量層であってもよい。ま
た、一つの駆動素子が、各発光画素素子における駆動手
段と、各発光画素素子についての各容量手段における充
電制御手段とを兼ねていてもよい。
【００１１】また、この発明の自発光型画像表示装置
は、透明基板と、この透明基板上に形成された透明画素
電極群及び各透明画素電極を駆動する駆動素子群と、前
記透明基板に対向して設けられた共通電極と、この共通
電極と前記透明基板との間に設けられ、光を透明画素電
極側へ発する発光層と、前記共通電極に対向して設けら
れた個別容量電極群と、前記共通電極と個別容量電極群
との間に設けられた容量層とを備え、前記個別容量電極
群と画素電極群の対応する個々の電極同士が電気的に接
続されて成ることを特徴とする。
は、透明基板と、この透明基板上に形成された透明画素
電極群及び各透明画素電極を駆動する駆動素子群と、前
記透明基板に対向して設けられた共通電極と、この共通
電極と前記透明基板との間に設けられ、光を透明画素電
極側へ発する発光層と、前記共通電極に対向して設けら
れた個別容量電極群と、前記共通電極と個別容量電極群
との間に設けられた容量層とを備え、前記個別容量電極
群と画素電極群の対応する個々の電極同士が電気的に接
続されて成ることを特徴とする。
【００１２】また、この発明の自発光型画像表示装置
は、第１透明基板と、この第１透明基板の一方の面に形
成された透明画素電極群および各透明画素電極を駆動す
る駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の面に対向し
て設けられた共通電極と、この共通電極と第１透明基板
との間に設けられ、光を前記透明画素電極側へ発する発
光層と、前記第１透明基板の他方の面に形成された透明
個別容量電極群と、第１透明基板の他方の面に対向して
設けられた第２透明基板の対向面上に形成された透明共
通容量電極と、この透明共通容量電極と第１透明基板と
の間に設けられた透明容量層とを備え、前記透明個別容
量電極群と透明画素電極群の対応する個々の電極同士が
前記第１透明基板に形成されたコンタクトホールにて接
続されて成ることを特徴とする。
は、第１透明基板と、この第１透明基板の一方の面に形
成された透明画素電極群および各透明画素電極を駆動す
る駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の面に対向し
て設けられた共通電極と、この共通電極と第１透明基板
との間に設けられ、光を前記透明画素電極側へ発する発
光層と、前記第１透明基板の他方の面に形成された透明
個別容量電極群と、第１透明基板の他方の面に対向して
設けられた第２透明基板の対向面上に形成された透明共
通容量電極と、この透明共通容量電極と第１透明基板と
の間に設けられた透明容量層とを備え、前記透明個別容
量電極群と透明画素電極群の対応する個々の電極同士が
前記第１透明基板に形成されたコンタクトホールにて接
続されて成ることを特徴とする。
【００１３】また、この発明の自発光型画像表示装置
は、第１透明基板と、この第１透明基板の一方の面に形
成された透明個別容量電極群および各透明個別容量電極
を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の面
に対向して設けられた透明共通容量電極と、この透明共
通容量電極と第１透明基板との間に設けられた透明容量
層と、前記透明共通容量電極が一方の面に形成され、他
方の面に透明画素電極群が形成された第２透明基板と、
この第２透明基板に対向して設けられた共通電極と、こ
の共通電極と透明画素電極群との間に形成され、光を透
明画素電極側へ発する発光層とを備え、前記透明個別容
量電極と透明画素電極の対応する個々の電極同士が接続
されて成ることを特徴とする。
は、第１透明基板と、この第１透明基板の一方の面に形
成された透明個別容量電極群および各透明個別容量電極
を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の面
に対向して設けられた透明共通容量電極と、この透明共
通容量電極と第１透明基板との間に設けられた透明容量
層と、前記透明共通容量電極が一方の面に形成され、他
方の面に透明画素電極群が形成された第２透明基板と、
この第２透明基板に対向して設けられた共通電極と、こ
の共通電極と透明画素電極群との間に形成され、光を透
明画素電極側へ発する発光層とを備え、前記透明個別容
量電極と透明画素電極の対応する個々の電極同士が接続
されて成ることを特徴とする。
【００１４】また、この発明の自発光型画像表示装置
は、第１透明基板と、この第１透明基板の一方の面に形
成された透明個別容量電極群および各透明個別容量電極
を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の面
に対向して設けられた第２透明基板の対向面上に形成さ
れた透明共通容量電極と、この透明共通容量電極と第１
透明基板との間に設けられた透明容量層と、前記第１透
明基板の他方の面に形成された透明画素電極群と、第１
透明基板の他方の面に対向して設けられた共通電極と、
この共通電極と透明画素電極群との間に設けられ、光を
透明画素電極側へ発する発光層とを備え、前記透明個別
容量電極群と透明画素電極群の対応する個々の電極同士
が前記第１透明基板に形成されたコンタクトホールにて
接続されて成ることを特徴とする。
は、第１透明基板と、この第１透明基板の一方の面に形
成された透明個別容量電極群および各透明個別容量電極
を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の面
に対向して設けられた第２透明基板の対向面上に形成さ
れた透明共通容量電極と、この透明共通容量電極と第１
透明基板との間に設けられた透明容量層と、前記第１透
明基板の他方の面に形成された透明画素電極群と、第１
透明基板の他方の面に対向して設けられた共通電極と、
この共通電極と透明画素電極群との間に設けられ、光を
透明画素電極側へ発する発光層とを備え、前記透明個別
容量電極群と透明画素電極群の対応する個々の電極同士
が前記第１透明基板に形成されたコンタクトホールにて
接続されて成ることを特徴とする。
【００１５】また、この発明の自発光型画像表示装置
は、基板と、この基板の一方の面に形成された個別容量
電極群および各個別容量電極を駆動する駆動素子群と、
前記基板の一方の面に対向して設けられた共通容量電極
と、この共通容量電極と基板との間に設けられた容量層
と、前記基板の他方の面に形成された画素電極群と、基
板の他方の面に対向して設けられた透明基板の対向面上
に形成された透明共通電極と、この透明共通電極と画素
電極群との間に設けられ、光を透明共通電極側へ発する
発光層とを備え、前記個別容量電極群と画素電極群の対
応する個々の電極同士が前記基板に形成されたコンタク
トホールにて接続されて成ることを特徴とする。
は、基板と、この基板の一方の面に形成された個別容量
電極群および各個別容量電極を駆動する駆動素子群と、
前記基板の一方の面に対向して設けられた共通容量電極
と、この共通容量電極と基板との間に設けられた容量層
と、前記基板の他方の面に形成された画素電極群と、基
板の他方の面に対向して設けられた透明基板の対向面上
に形成された透明共通電極と、この透明共通電極と画素
電極群との間に設けられ、光を透明共通電極側へ発する
発光層とを備え、前記個別容量電極群と画素電極群の対
応する個々の電極同士が前記基板に形成されたコンタク
トホールにて接続されて成ることを特徴とする。
【００１６】また、この発明の自発光型画像表示装置
は、基板と、この基板の一方の面に形成された個別容量
電極群および各個別容量電極を駆動する駆動素子群と、
前記基板の一方の面に対向して設けられた共通容量電極
と、この共通容量電極と基板との間に設けられた容量層
と、前記基板の他方の面に形成された共通電極と、基板
の他方の面に対向して設けられた透明基板の対向面上に
形成された透明画素電極群と、この透明画素電極群と共
通電極との間に設けられ、光を透明画素電極側へ発する
発光層とを備え、前記個別容量電極群と透明画素電極群
の対応する個々の電極同士が前記基板に形成されたコン
タクトホール及び発光層内に設けられた導電体を介して
接続されて成ることを特徴とする。
は、基板と、この基板の一方の面に形成された個別容量
電極群および各個別容量電極を駆動する駆動素子群と、
前記基板の一方の面に対向して設けられた共通容量電極
と、この共通容量電極と基板との間に設けられた容量層
と、前記基板の他方の面に形成された共通電極と、基板
の他方の面に対向して設けられた透明基板の対向面上に
形成された透明画素電極群と、この透明画素電極群と共
通電極との間に設けられ、光を透明画素電極側へ発する
発光層とを備え、前記個別容量電極群と透明画素電極群
の対応する個々の電極同士が前記基板に形成されたコン
タクトホール及び発光層内に設けられた導電体を介して
接続されて成ることを特徴とする。
【００１７】前記の容量層や透明容量層としては、液
晶、或いは、透明誘電体セラミックを用いることができ
る。また、発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層
であってもよい。
晶、或いは、透明誘電体セラミックを用いることができ
る。また、発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層
であってもよい。
【００１８】
（実施の形態１）以下、この発明の第１の実施の形態を
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
【００１９】図１（ａ）は、この実施の形態の自発光型
画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図であり、
図１（ｂ）は同要部を詳細に示した断面図である。ただ
し、図１（ａ）では、画素電極２を透明ガラス基板１上
に直に形成しているのに対し、図１（ｂ）では、そのよ
うにはなっていない点およびその他の細かな点で互いに
相違しているが、いずれもこの実施の形態の共通の特徴
を具備するものである。図２は、この実施の形態の自発
光型画像表示パネルの１画素素子領域を平面的に示した
説明図である。また、図２中のＡ−Ａ線は、前記図１の
断面図における切断面を表している。
画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図であり、
図１（ｂ）は同要部を詳細に示した断面図である。ただ
し、図１（ａ）では、画素電極２を透明ガラス基板１上
に直に形成しているのに対し、図１（ｂ）では、そのよ
うにはなっていない点およびその他の細かな点で互いに
相違しているが、いずれもこの実施の形態の共通の特徴
を具備するものである。図２は、この実施の形態の自発
光型画像表示パネルの１画素素子領域を平面的に示した
説明図である。また、図２中のＡ−Ａ線は、前記図１の
断面図における切断面を表している。
【００２０】図１（ｂ）に示しているように、透明ガラ
ス基板１（厚み１ｍｍ）上には、層間絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）１１が形成されており、この層間絶縁膜（ＳｉＯ
2 ）１１上には複数の駆動素子３…が形成されている。
駆動素子３は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成され
る（以下、ＴＦＴ３と記述する）。このＴＦＴ３は、ソ
ース及びドレインを成すｎ+ 形のポリシリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）部と、これらｎ+ 形のポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）部
に挟まれ、チャネル部をなす非ドープのポリシリコン
（ｐ−Ｓｉ）部と、ゲート絶縁膜１２と、前記非ドープ
のポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）部上に前記ゲート絶縁膜１
２を介して配置されたゲート電極（ｎ+ 形ｐ−ＳｉとＡ
ｌを積層したもの）とから成る。そして、これらＴＦＴ
３…は、層間絶縁膜（ＳｉＯ2 ）１３にて覆われてい
る。
ス基板１（厚み１ｍｍ）上には、層間絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）１１が形成されており、この層間絶縁膜（ＳｉＯ
2 ）１１上には複数の駆動素子３…が形成されている。
駆動素子３は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成され
る（以下、ＴＦＴ３と記述する）。このＴＦＴ３は、ソ
ース及びドレインを成すｎ+ 形のポリシリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）部と、これらｎ+ 形のポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）部
に挟まれ、チャネル部をなす非ドープのポリシリコン
（ｐ−Ｓｉ）部と、ゲート絶縁膜１２と、前記非ドープ
のポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）部上に前記ゲート絶縁膜１
２を介して配置されたゲート電極（ｎ+ 形ｐ−ＳｉとＡ
ｌを積層したもの）とから成る。そして、これらＴＦＴ
３…は、層間絶縁膜（ＳｉＯ2 ）１３にて覆われてい
る。
【００２１】ＴＦＴ３のソース電極（Ａｌ）３ｂを成し
ている配線（この配線は信号線と呼ばれる）とゲート電
極３ｃを成している配線（この配線は走査線と呼ばれ
る）は互いに直交しており、これらは画素ピッチに対応
した間隔で位置している。前記の層間絶縁膜１３上に
は、透明な平坦化膜１４が形成されている。この平坦化
膜１４は、アクリル系樹脂をスピンコートすることによ
り形成される。この実施の形態では、ＴＦＴ３の高さが
０．３μｍ程度であり、上記平坦化膜１４の厚みを１．
５μｍ程度としているので、ＴＦＴ３による凹凸を殆ど
無くすことができる。これにより、平坦化のための研磨
処理を不要にすることができる。
ている配線（この配線は信号線と呼ばれる）とゲート電
極３ｃを成している配線（この配線は走査線と呼ばれ
る）は互いに直交しており、これらは画素ピッチに対応
した間隔で位置している。前記の層間絶縁膜１３上に
は、透明な平坦化膜１４が形成されている。この平坦化
膜１４は、アクリル系樹脂をスピンコートすることによ
り形成される。この実施の形態では、ＴＦＴ３の高さが
０．３μｍ程度であり、上記平坦化膜１４の厚みを１．
５μｍ程度としているので、ＴＦＴ３による凹凸を殆ど
無くすことができる。これにより、平坦化のための研磨
処理を不要にすることができる。
【００２２】ＴＦＴ３のドレイン電極３ａは、前記平坦
化膜１４、層間絶縁膜１３、及びゲート絶縁膜１２を貫
通して設けられており、ＴＦＴ３のドレインと平坦化膜
１４上に形成された透明な画素電極２とを電気的に接続
している。このような接続構造により、前記ソース電極
３ｂ及びゲート電極３ｃに適宜信号を入力することで任
意のＴＦＴ３をＯＮさせ、任意の画素電極２に対して個
別に通電することができる。画素電極２は、ホール注入
電極として機能するものであり、例えば、厚み１０００
ÅのＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）からなる。
化膜１４、層間絶縁膜１３、及びゲート絶縁膜１２を貫
通して設けられており、ＴＦＴ３のドレインと平坦化膜
１４上に形成された透明な画素電極２とを電気的に接続
している。このような接続構造により、前記ソース電極
３ｂ及びゲート電極３ｃに適宜信号を入力することで任
意のＴＦＴ３をＯＮさせ、任意の画素電極２に対して個
別に通電することができる。画素電極２は、ホール注入
電極として機能するものであり、例えば、厚み１０００
ÅのＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）からなる。
【００２３】前記の平坦化膜１４及び画素電極２上に
は、発光層５が１２００Å程度の厚みで形成されてい
る。この発光層５上には、共通電極４が形成されてい
る。各画素素子における共通電極４は、この実施の形態
では画素電極２と同様の形状および配置で各画素につい
て形成されたものであり、このため各共通電極４を図２
に示している陰極線１５によって相互に接続している。
上記の共通電極４は、電子注入電極として機能するもの
であり、例えば、厚み２０００ÅのＭｇＩｎ或いは１０
００ÅのＡｌＬｉ（アルミニウムリチウム合金）からな
る。
は、発光層５が１２００Å程度の厚みで形成されてい
る。この発光層５上には、共通電極４が形成されてい
る。各画素素子における共通電極４は、この実施の形態
では画素電極２と同様の形状および配置で各画素につい
て形成されたものであり、このため各共通電極４を図２
に示している陰極線１５によって相互に接続している。
上記の共通電極４は、電子注入電極として機能するもの
であり、例えば、厚み２０００ÅのＭｇＩｎ或いは１０
００ÅのＡｌＬｉ（アルミニウムリチウム合金）からな
る。
【００２４】共通電極４上には、容量層７が形成されて
いる。この容量層７上には、個別容量電極６（例えば、
ＩＴＯからなる）が形成されたガラス基板８が前記個別
容量電極６を前記共通電極４に対向させた状態で設けら
れている。各個別容量電極６とこれに対応する各画素電
極２は、接続部９にて電気的に接続されている。そし
て、前記の共通電極４は、例えばパネル周囲縁において
接続線１０にてアースに接続されている。上記の接続部
９は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、ＩＴＯなどから成
り、その高さは３７００Å程度である。この接続部９の
周囲には絶縁膜１６が存在している。上記接続部９及び
絶縁膜１６の形成方法は種々考えられる。例えば、画素
電極２の形成後に、基板全面にレジストを塗布し、接続
部９が形成されることになる領域のレジストを除去した
後、Ａｌの層を形成する。そして、前記レジストを除去
すると、前記除去部分にＡｌが残り、これが接続部９と
なる。次に、再び基板全面にレジストを塗布する。そし
て、絶縁膜１６が形成されることになる領域のレジスト
を除去し、この除去部分に絶縁膜を形成する。その後、
全てのレジストを除去して、発光層５や共通電極４等を
形成していけばよい。
いる。この容量層７上には、個別容量電極６（例えば、
ＩＴＯからなる）が形成されたガラス基板８が前記個別
容量電極６を前記共通電極４に対向させた状態で設けら
れている。各個別容量電極６とこれに対応する各画素電
極２は、接続部９にて電気的に接続されている。そし
て、前記の共通電極４は、例えばパネル周囲縁において
接続線１０にてアースに接続されている。上記の接続部
９は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、ＩＴＯなどから成
り、その高さは３７００Å程度である。この接続部９の
周囲には絶縁膜１６が存在している。上記接続部９及び
絶縁膜１６の形成方法は種々考えられる。例えば、画素
電極２の形成後に、基板全面にレジストを塗布し、接続
部９が形成されることになる領域のレジストを除去した
後、Ａｌの層を形成する。そして、前記レジストを除去
すると、前記除去部分にＡｌが残り、これが接続部９と
なる。次に、再び基板全面にレジストを塗布する。そし
て、絶縁膜１６が形成されることになる領域のレジスト
を除去し、この除去部分に絶縁膜を形成する。その後、
全てのレジストを除去して、発光層５や共通電極４等を
形成していけばよい。
【００２５】前記の共通電極４と、画素電極２と、各画
素電極２の部分に対応して存在する発光層５とによって
発光画素素子が構成される。そして、前記の個別容量電
極６と、その部分に対応して存在する容量層７と、前記
共通電極４とにより容量手段が構成される。この容量手
段は構造的には前記発光画素素子に対して積層状態に配
置されたものとなる。そして、電気回路的には前記発光
画素素子に対して並列に接続されたものとなり、その発
光画素素子に対する信号保持機能を具備する。つまり、
通電がなされた画素電極２においては、その部分の発光
層５が発光してその光が前記透明ガラス基板１から出射
されるとともに、前記画素電極２から接続部９を通じて
個別容量電極６にも通電がなされることになるので、当
該個別容量電極６に対応した部分の容量層７で充電、即
ち、前記発光画素素子に対する信号保持用の充電がなさ
れる。
素電極２の部分に対応して存在する発光層５とによって
発光画素素子が構成される。そして、前記の個別容量電
極６と、その部分に対応して存在する容量層７と、前記
共通電極４とにより容量手段が構成される。この容量手
段は構造的には前記発光画素素子に対して積層状態に配
置されたものとなる。そして、電気回路的には前記発光
画素素子に対して並列に接続されたものとなり、その発
光画素素子に対する信号保持機能を具備する。つまり、
通電がなされた画素電極２においては、その部分の発光
層５が発光してその光が前記透明ガラス基板１から出射
されるとともに、前記画素電極２から接続部９を通じて
個別容量電極６にも通電がなされることになるので、当
該個別容量電極６に対応した部分の容量層７で充電、即
ち、前記発光画素素子に対する信号保持用の充電がなさ
れる。
【００２６】図３は、画素電極２と共通電極４との間に
形成されている発光層５の詳細な構造を示した断面図で
ある。この発光層５は、画素電極２側に形成さたホール
輸送層５ａと、共通電極４側に形成された電子輸送層５
ｃと、これらホール輸送層５ａと電子輸送層５ｃとの間
に形成された発光層部５ｂとから成り、それぞれ有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）が用いられている。具
体的には、例えば、前記ホール輸送層５ａは、下記の第
１化学式で示されるトリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤ
ＡＴＡ）からなり、発光層部５ｂは、下記の第２化学式
で示されるジアミン誘導体（ＴＰＤ）中に下記の第３化
学式で示されるルブレンが５重量パーセントの比率でド
ープされたものからなり、電子輸送層５ｃは、下記の第
４化学式で示されるアルミニウムキノリノール（Ａｌｑ
3 ）錯体から成っている。
形成されている発光層５の詳細な構造を示した断面図で
ある。この発光層５は、画素電極２側に形成さたホール
輸送層５ａと、共通電極４側に形成された電子輸送層５
ｃと、これらホール輸送層５ａと電子輸送層５ｃとの間
に形成された発光層部５ｂとから成り、それぞれ有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）が用いられている。具
体的には、例えば、前記ホール輸送層５ａは、下記の第
１化学式で示されるトリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤ
ＡＴＡ）からなり、発光層部５ｂは、下記の第２化学式
で示されるジアミン誘導体（ＴＰＤ）中に下記の第３化
学式で示されるルブレンが５重量パーセントの比率でド
ープされたものからなり、電子輸送層５ｃは、下記の第
４化学式で示されるアルミニウムキノリノール（Ａｌｑ
3 ）錯体から成っている。
【００２７】
【化１】
【００２８】
【化２】
【００２９】
【化３】
【００３０】
【化４】
【００３１】自発光型画像表示パネルの製造は以下のよ
うにして行われる。例えば１画素サイズを５０×１５０
μｍ2 として、図１，図２に示しているごとく、透明ガ
ラス基板１上に、各画素部分に対応させてＴＦＴ３をポ
リシリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いて形成し、更に平坦化膜
１４等を形成する。そして、ドレイン電極３ａが形成さ
れることになる部分の平坦化膜１４等を除去し、画素部
分にＩＴＯ（画素電極２）を形成する。このとき、上記
ＩＴＯによってＴＦＴ３のドレイン電極３ａが形成され
る。次に、トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）
を４００Åの厚みに堆積させる。この堆積は、真空度を
５×１０-6Ｔｏｒｒとして抵抗加熱ボードを用いた真空
蒸着によって行う。次に、ジアミン誘導体（ＴＰＤ）と
ルブレンを、３００Åの厚みでルブレンの重量比が５％
となるように蒸着法により堆積する。次に、アルミニウ
ムキノリノール（Ａｌｑ3 ）を真空蒸着によって５００
Åの厚みで堆積する。更に、その上に、ＭｇＩｎ合金
（Ｍｇ：Ｉｎ＝５０：３）を抵抗加熱蒸着法により、２
０００Åの厚みで堆積する。或いは、ＡｌＬｉ合金（Ａ
ｌ：Ｌｉ＝９９．５：０．５）を抵抗加熱蒸着法によ
り、１０００Åの厚みで堆積する。このようにして製造
された自発光型画像表示パネルにおいては、電圧５Ｖ、
電流密度２ｍＡ／ｃｍ2 の条件で、各発光画素素子は２
００ｃｄ／ｍ2 の輝度で黄色の光を発することができ
る。
うにして行われる。例えば１画素サイズを５０×１５０
μｍ2 として、図１，図２に示しているごとく、透明ガ
ラス基板１上に、各画素部分に対応させてＴＦＴ３をポ
リシリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いて形成し、更に平坦化膜
１４等を形成する。そして、ドレイン電極３ａが形成さ
れることになる部分の平坦化膜１４等を除去し、画素部
分にＩＴＯ（画素電極２）を形成する。このとき、上記
ＩＴＯによってＴＦＴ３のドレイン電極３ａが形成され
る。次に、トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）
を４００Åの厚みに堆積させる。この堆積は、真空度を
５×１０-6Ｔｏｒｒとして抵抗加熱ボードを用いた真空
蒸着によって行う。次に、ジアミン誘導体（ＴＰＤ）と
ルブレンを、３００Åの厚みでルブレンの重量比が５％
となるように蒸着法により堆積する。次に、アルミニウ
ムキノリノール（Ａｌｑ3 ）を真空蒸着によって５００
Åの厚みで堆積する。更に、その上に、ＭｇＩｎ合金
（Ｍｇ：Ｉｎ＝５０：３）を抵抗加熱蒸着法により、２
０００Åの厚みで堆積する。或いは、ＡｌＬｉ合金（Ａ
ｌ：Ｌｉ＝９９．５：０．５）を抵抗加熱蒸着法によ
り、１０００Åの厚みで堆積する。このようにして製造
された自発光型画像表示パネルにおいては、電圧５Ｖ、
電流密度２ｍＡ／ｃｍ2 の条件で、各発光画素素子は２
００ｃｄ／ｍ2 の輝度で黄色の光を発することができ
る。
【００３２】容量層７は、液晶から成っている。この液
晶としては、下記の第５化学式で示されるＴＮ液晶であ
るアルキルシアノビフェニルを用いている。
晶としては、下記の第５化学式で示されるＴＮ液晶であ
るアルキルシアノビフェニルを用いている。
【００３３】
【化５】
【００３４】液晶から成る容量層７は、前述のＴＦＴ
３，画素電極２，発光層５，共通電極４が形成された透
明ガラス基板１と、既に個別容量電極６が形成されたガ
ラス基板８との間に、それらの周囲縁形状に対応したス
ペーサ（略５００Å）を介在させて両者を貼り合わせ、
前記スペーサに形成されている注入口から液晶を注入
し、前記注入口を仮封止した後、真空下で前記注入口を
液晶に浸して常圧に戻し、前記注入口を再度封止するこ
とにより得られる。
３，画素電極２，発光層５，共通電極４が形成された透
明ガラス基板１と、既に個別容量電極６が形成されたガ
ラス基板８との間に、それらの周囲縁形状に対応したス
ペーサ（略５００Å）を介在させて両者を貼り合わせ、
前記スペーサに形成されている注入口から液晶を注入
し、前記注入口を仮封止した後、真空下で前記注入口を
液晶に浸して常圧に戻し、前記注入口を再度封止するこ
とにより得られる。
【００３５】上記の構成において、ＴＦＴ３のゲート電
極３ｃとソース電極３ｂに画素点灯の信号が入力される
と、ＴＦＴ３がＯＮ状態となり、ソース電極３ｂとドレ
イン電極３ａとの間に電流が流れ、当該画素部分の発光
層５が発光すると同時に当該画素部分の容量層７に電荷
が蓄積される。そして、その後にＴＦＴ３がＯＦＦされ
ると、発光層５への本来的な電流供給が遮断されるが、
容量層７に蓄積されている電荷が発光層５へと流れ込
み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層５における
発光状態が維持されることになる。
極３ｃとソース電極３ｂに画素点灯の信号が入力される
と、ＴＦＴ３がＯＮ状態となり、ソース電極３ｂとドレ
イン電極３ａとの間に電流が流れ、当該画素部分の発光
層５が発光すると同時に当該画素部分の容量層７に電荷
が蓄積される。そして、その後にＴＦＴ３がＯＦＦされ
ると、発光層５への本来的な電流供給が遮断されるが、
容量層７に蓄積されている電荷が発光層５へと流れ込
み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層５における
発光状態が維持されることになる。
【００３６】１画素を５０×１５０μｍ2 として、ＶＧ
Ａ（Video Graphics Array６４０×４８０ドット）仕様
のＴＦＴアクティブマトリクスディスプレイを、前述の
有機ＥＬを用いて作製するときの前記容量層７の詳細に
ついて以下に説明する。ここで、フレーム周波数を６０
Ｈｚ、印加電流のデューティ比を１／４８０Ｓとして、
線順次駆動を行わせるとすると、容量手段が無い場合
（従来技術の項で説明した図９の構造に相当）において
は、１走査線当たりの発光／消灯時間比は、図４の点線
で示すように、３５μＳ／１７ｍＳとなり、画像のちら
つきが生じる。
Ａ（Video Graphics Array６４０×４８０ドット）仕様
のＴＦＴアクティブマトリクスディスプレイを、前述の
有機ＥＬを用いて作製するときの前記容量層７の詳細に
ついて以下に説明する。ここで、フレーム周波数を６０
Ｈｚ、印加電流のデューティ比を１／４８０Ｓとして、
線順次駆動を行わせるとすると、容量手段が無い場合
（従来技術の項で説明した図９の構造に相当）において
は、１走査線当たりの発光／消灯時間比は、図４の点線
で示すように、３５μＳ／１７ｍＳとなり、画像のちら
つきが生じる。
【００３７】ちらつきを生じさせないために、同図の実
線で示すごとく、容量層７の放電による発光を行わせる
こととし、同図の一点鎖線で示すごとく、前記フレーム
周波数の半分（１／２）、即ち、１／１２０Ｓ間点灯さ
せるとすると、前記容量層７に必要なコンデンサ能力
は、以下のごとくなる。なお、図４においては、横軸は
時間を示し、縦軸は発光輝度を示している。
線で示すごとく、容量層７の放電による発光を行わせる
こととし、同図の一点鎖線で示すごとく、前記フレーム
周波数の半分（１／２）、即ち、１／１２０Ｓ間点灯さ
せるとすると、前記容量層７に必要なコンデンサ能力
は、以下のごとくなる。なお、図４においては、横軸は
時間を示し、縦軸は発光輝度を示している。
【００３８】
【数１】輝度２００ｃｄ／ｍ2 を得るための１画素当た
りの電流Ｉは、 Ｉ＝２×１０（電流密度）×５０×１５０×１０
-12 （画素サイズ）＝１５×１０-8［Ａ］ １／１２０Ｓ間点灯させるために必要な電荷量Ｑは、 Ｑ＝Ｉ×Δｔ＝１５×１０-8×１／１２０＝１２５×１
０-11 ［Ｃ］ 容量層７に必要な容量Ｃは、 Ｃ＝Ｑ／Ｖ＝１２５×１０-11 ／５＝２５×１０
-11 ［Ｆ］
りの電流Ｉは、 Ｉ＝２×１０（電流密度）×５０×１５０×１０
-12 （画素サイズ）＝１５×１０-8［Ａ］ １／１２０Ｓ間点灯させるために必要な電荷量Ｑは、 Ｑ＝Ｉ×Δｔ＝１５×１０-8×１／１２０＝１２５×１
０-11 ［Ｃ］ 容量層７に必要な容量Ｃは、 Ｃ＝Ｑ／Ｖ＝１２５×１０-11 ／５＝２５×１０
-11 ［Ｆ］
【００３９】前記の容量Ｃを充足するためには、Ｓを１
画素の面積、ｄを容量層７の膜厚、ε0 を真空の誘電率
（ε0 ＝８．８５×１０-12 ［Ｆ／ｍ］）とし、液晶層
７の材料として前述のアルキルシアノビフェニル（比誘
電率ε＝約１０〜２０）を用いるとすると、以下のＡ式
のごとくなる。
画素の面積、ｄを容量層７の膜厚、ε0 を真空の誘電率
（ε0 ＝８．８５×１０-12 ［Ｆ／ｍ］）とし、液晶層
７の材料として前述のアルキルシアノビフェニル（比誘
電率ε＝約１０〜２０）を用いるとすると、以下のＡ式
のごとくなる。
【００４０】
【数２】
ｄ＝ε×ε0 ×Ｓ／Ｃ …Ａ式
＝１０×８．８５×１０-12 ×５０×１５０×１０-12 ／（２５×１０-11 ）
≒２５［Å］
【００４１】即ち、液晶層７の材料としてアルキルシア
ノビフェニルを用いた場合には、その厚みを２５Å以下
とすればよい。なお、容量手段を設けることで点灯時間
を少しでも長くできれば、それだけ、ちらつきの低減が
なされるのであるから、上記の液晶層７の材料としてア
ルキルシアノビフェニルを用いる場合において、その厚
みを２５Åよりも厚くすることを排除するものではな
い。つまり、理想的には液晶層７の厚み２５Å以下とす
るのが望ましいのであるが、容量層の製造の容易さを重
視して例えば５００Åとしてもよいものである。
ノビフェニルを用いた場合には、その厚みを２５Å以下
とすればよい。なお、容量手段を設けることで点灯時間
を少しでも長くできれば、それだけ、ちらつきの低減が
なされるのであるから、上記の液晶層７の材料としてア
ルキルシアノビフェニルを用いる場合において、その厚
みを２５Åよりも厚くすることを排除するものではな
い。つまり、理想的には液晶層７の厚み２５Å以下とす
るのが望ましいのであるが、容量層の製造の容易さを重
視して例えば５００Åとしてもよいものである。
【００４２】以上説明したように、この発明によれば、
発光画素素子の形成領域外ではなくて、発光画素素子の
形成領域に対応した領域に容量手段を形成したので、自
発光型画像表示装置の大型化を回避することができる。
そして、各容量手段は各発光画素素子に対して積層状態
で形成されるから、発光画素素子の発光面積に対する浸
食が無く、発光面積の狭小化が回避できる。更に、個別
容量電極６を備えたことで、上記の液晶等を用いて容易
に大きな容量を得ることが可能になり、必要な時間だけ
発光画素素子の点灯時間の引き延ばしを行わせて画面ち
らつきを解消できるという効果を奏する。
発光画素素子の形成領域外ではなくて、発光画素素子の
形成領域に対応した領域に容量手段を形成したので、自
発光型画像表示装置の大型化を回避することができる。
そして、各容量手段は各発光画素素子に対して積層状態
で形成されるから、発光画素素子の発光面積に対する浸
食が無く、発光面積の狭小化が回避できる。更に、個別
容量電極６を備えたことで、上記の液晶等を用いて容易
に大きな容量を得ることが可能になり、必要な時間だけ
発光画素素子の点灯時間の引き延ばしを行わせて画面ち
らつきを解消できるという効果を奏する。
【００４３】（実施の形態２）次に、第２の実施の形態
の自発光型画像表示パネルを図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図５（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図５（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図５（ａ）では、画素電極１
０２を第１透明基板１０１上に直に形成しているのに対
し、図５（ｂ）では、そのようにはなっていない点およ
びその他の細かな点で互いに相違しているが、いずれも
この実施の形態の共通の特徴を具備するものである。図
５（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示パネルの
１画素素子領域を平面的に示した説明図である。図５
（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図５（ａ）（ｂ）の断面図
における切断面を表している。なお、駆動素子１０３を
成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様であるから、図
１（ｂ）における符号と同一の符号を付記してその説明
を省略する。
の自発光型画像表示パネルを図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図５（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図５（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図５（ａ）では、画素電極１
０２を第１透明基板１０１上に直に形成しているのに対
し、図５（ｂ）では、そのようにはなっていない点およ
びその他の細かな点で互いに相違しているが、いずれも
この実施の形態の共通の特徴を具備するものである。図
５（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示パネルの
１画素素子領域を平面的に示した説明図である。図５
（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図５（ａ）（ｂ）の断面図
における切断面を表している。なお、駆動素子１０３を
成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様であるから、図
１（ｂ）における符号と同一の符号を付記してその説明
を省略する。
【００４４】この実施の形態の自発光型画像表示パネル
は、第１透明基板１０１と、この第１透明基板１０１の
一方の面に形成された透明画素電極（ＩＴＯ）１０２お
よび各透明画素電極１０２を駆動する駆動素子１０３
と、前記第１透明基板１０１の一方の面に対向して設け
られた共通電極（ＭｇＩｎ，ＡｌＬｉ）１０４と、この
共通電極１０４と第１透明基板１０１との間に設けら
れ、光を前記画素電極１０２側へ発する発光層１０５
と、前記第１透明基板１０１の他方の面に形成された透
明な個別容量電極（ＩＴＯ）１０６と、第１透明基板１
０１の他方の面に対向して設けられた第２透明基板１２
０と、この第２透明基板１２０の一方の面（第１透明基
板１０１に対向する面）上に形成された透明共通容量電
極（ＩＴＯ）１１１と、この透明共通容量電極１１１と
第１透明基板１０１との間に設けられた透明容量層１０
７とを備える。
は、第１透明基板１０１と、この第１透明基板１０１の
一方の面に形成された透明画素電極（ＩＴＯ）１０２お
よび各透明画素電極１０２を駆動する駆動素子１０３
と、前記第１透明基板１０１の一方の面に対向して設け
られた共通電極（ＭｇＩｎ，ＡｌＬｉ）１０４と、この
共通電極１０４と第１透明基板１０１との間に設けら
れ、光を前記画素電極１０２側へ発する発光層１０５
と、前記第１透明基板１０１の他方の面に形成された透
明な個別容量電極（ＩＴＯ）１０６と、第１透明基板１
０１の他方の面に対向して設けられた第２透明基板１２
０と、この第２透明基板１２０の一方の面（第１透明基
板１０１に対向する面）上に形成された透明共通容量電
極（ＩＴＯ）１１１と、この透明共通容量電極１１１と
第１透明基板１０１との間に設けられた透明容量層１０
７とを備える。
【００４５】各個別容量電極１０６とこれに対応する各
画素電極１０２は、第１透明基板１０１等を貫通して存
在するコンタクトホール１０１ａにて接続されている。
また、透明共通容量電極１１１と共通電極１０４は、第
１透明基板１０１及び透明容量層１０７を貫通して存在
するＡｌ等から成る接続部１１０により接続され、前記
共通電極１０４は例えばパネル周囲縁部分においてアー
スに接続されている。そして、この実施の形態では、実
施の形態１と同様、発光層１０５として有機ＥＬを、透
明容量層１０７として液晶をそれぞれ用いている。
画素電極１０２は、第１透明基板１０１等を貫通して存
在するコンタクトホール１０１ａにて接続されている。
また、透明共通容量電極１１１と共通電極１０４は、第
１透明基板１０１及び透明容量層１０７を貫通して存在
するＡｌ等から成る接続部１１０により接続され、前記
共通電極１０４は例えばパネル周囲縁部分においてアー
スに接続されている。そして、この実施の形態では、実
施の形態１と同様、発光層１０５として有機ＥＬを、透
明容量層１０７として液晶をそれぞれ用いている。
【００４６】かかる構造の自発光型画像表示パネルは、
実施の形態１が発光層にて発せられた光を容量層を通さ
ずに出射しているのに対し、発光層１０５にて発せられ
た光を容量層１０７を通して出射するようになっている
点で相違する。この実施の形態２の構造においても、実
施の形態１と同様、駆動素子１０３がＯＦＦすると、容
量層１０７に蓄積されている電荷が発光層１０５へと流
れ込み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層１０５
における発光状態が維持される。そして、発光画素素子
に対して積層状態に前記発光画素素子に対する信号保持
用の容量手段が形成された構造、即ち、前記容量手段を
表示パネル面の全体に形成し得る構造であるから、容量
手段を表示パネル面とは別の領域に形成する構造に比べ
て、小型化が容易であり、且つ必要な容量を確保し易い
ので、ちらつき防止能力を格段に向上させることができ
る。
実施の形態１が発光層にて発せられた光を容量層を通さ
ずに出射しているのに対し、発光層１０５にて発せられ
た光を容量層１０７を通して出射するようになっている
点で相違する。この実施の形態２の構造においても、実
施の形態１と同様、駆動素子１０３がＯＦＦすると、容
量層１０７に蓄積されている電荷が発光層１０５へと流
れ込み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層１０５
における発光状態が維持される。そして、発光画素素子
に対して積層状態に前記発光画素素子に対する信号保持
用の容量手段が形成された構造、即ち、前記容量手段を
表示パネル面の全体に形成し得る構造であるから、容量
手段を表示パネル面とは別の領域に形成する構造に比べ
て、小型化が容易であり、且つ必要な容量を確保し易い
ので、ちらつき防止能力を格段に向上させることができ
る。
【００４７】（実施の形態３）次に、第３の実施の形態
の自発光型画像表示パネルを図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図６（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図６（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図６（ａ）では、透明個別容
量電極２０６を第１透明基板２０１上に直に形成してい
るのに対し、図６（ｂ）では、そのようにはなっていな
い点およびその他の細かな点で互いに相違しているが、
いずれもこの実施の形態の共通の特徴を具備するもので
ある。図６（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示
パネルの１画素素子領域を平面的に示した説明図であ
る。図６（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図６（ａ）（ｂ）
の断面図における切断面を表している。なお、駆動素子
２０３を成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様である
から、図１（ｂ）における符号と同一の符号を付記して
その説明を省略する。
の自発光型画像表示パネルを図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図６（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図６（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図６（ａ）では、透明個別容
量電極２０６を第１透明基板２０１上に直に形成してい
るのに対し、図６（ｂ）では、そのようにはなっていな
い点およびその他の細かな点で互いに相違しているが、
いずれもこの実施の形態の共通の特徴を具備するもので
ある。図６（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示
パネルの１画素素子領域を平面的に示した説明図であ
る。図６（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図６（ａ）（ｂ）
の断面図における切断面を表している。なお、駆動素子
２０３を成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様である
から、図１（ｂ）における符号と同一の符号を付記して
その説明を省略する。
【００４８】この実施の形態の自発光型画像表示パネル
は、第１透明基板２０１と、この第１透明基板２０１の
一方の面に形成された透明個別容量電極（ＩＴＯ）２０
６および各透明個別容量電極２０６を駆動する駆動素子
２０３と、前記第１透明基板２０１の一方の面に対向し
て設けられた透明共通容量電極（ＩＴＯ）２１１と、こ
の透明共通容量電極２１１と第１透明基板２０１との間
に設けられた透明容量層２０７と、前記透明共通容量電
極２１１が一方の面に形成され、他方の面に透明画素電
極（ＩＴＯ）２０２が形成された第２透明基板２２０
と、この第２透明基板２２０に対向して設けられた共通
電極（ＭｇＩｎ、或いはＡｌＬｉ）２０４と、この共通
電極２０４と透明画素電極２０２との間に形成され、光
を透明画素電極２０２側へ発する発光層２０５とを備え
る。
は、第１透明基板２０１と、この第１透明基板２０１の
一方の面に形成された透明個別容量電極（ＩＴＯ）２０
６および各透明個別容量電極２０６を駆動する駆動素子
２０３と、前記第１透明基板２０１の一方の面に対向し
て設けられた透明共通容量電極（ＩＴＯ）２１１と、こ
の透明共通容量電極２１１と第１透明基板２０１との間
に設けられた透明容量層２０７と、前記透明共通容量電
極２１１が一方の面に形成され、他方の面に透明画素電
極（ＩＴＯ）２０２が形成された第２透明基板２２０
と、この第２透明基板２２０に対向して設けられた共通
電極（ＭｇＩｎ、或いはＡｌＬｉ）２０４と、この共通
電極２０４と透明画素電極２０２との間に形成され、光
を透明画素電極２０２側へ発する発光層２０５とを備え
る。
【００４９】各透明個別容量電極２０６とこれに対応す
る各透明画素電極２０２は、第２透明基板２２０を貫通
して存在するＩＴＯと透明容量層２０７内に存在するＡ
ｌとから成る接続部２０９にて接続されている。また、
透明共通容量電極２１１と共通電極２０４は、第２透明
基板２２０を貫通して存在する接続部２１０にて互いに
接続され、これらは例えばパネル周囲縁部分においてア
ースに接続される。そして、この実施の形態では、実施
の形態１と同様、発光層２０５として有機ＥＬを、透明
容量層２０７として液晶をそれぞれ用いている。
る各透明画素電極２０２は、第２透明基板２２０を貫通
して存在するＩＴＯと透明容量層２０７内に存在するＡ
ｌとから成る接続部２０９にて接続されている。また、
透明共通容量電極２１１と共通電極２０４は、第２透明
基板２２０を貫通して存在する接続部２１０にて互いに
接続され、これらは例えばパネル周囲縁部分においてア
ースに接続される。そして、この実施の形態では、実施
の形態１と同様、発光層２０５として有機ＥＬを、透明
容量層２０７として液晶をそれぞれ用いている。
【００５０】この実施の形態３の自発光型画像表示パネ
ルは、前記実施の形態２では駆動素子が発光層内に設け
られているのに対し、駆動素子が容量層内に設けられて
いる点において相違する。かかる実施の形態３の構造に
おいても、実施の形態１，２と同様、駆動素子２０３が
ＯＦＦすると、容量層２０７に蓄積されている電荷が発
光層２０５へと流れ込み、この電荷の蓄積されている分
だけ発光層２０５における発光状態が維持される。そし
て、発光画素素子に対して積層状態に前記発光画素素子
に対する信号保持用の容量手段が形成された構造、即
ち、前記容量手段を表示パネル面の全体に形成し得る構
造であるから、容量手段を表示パネル面とは別の領域に
形成する構造に比べて、小型化が容易であり、且つ必要
な容量を確保し易いので、ちらつき防止能力を格段に向
上させることができる。
ルは、前記実施の形態２では駆動素子が発光層内に設け
られているのに対し、駆動素子が容量層内に設けられて
いる点において相違する。かかる実施の形態３の構造に
おいても、実施の形態１，２と同様、駆動素子２０３が
ＯＦＦすると、容量層２０７に蓄積されている電荷が発
光層２０５へと流れ込み、この電荷の蓄積されている分
だけ発光層２０５における発光状態が維持される。そし
て、発光画素素子に対して積層状態に前記発光画素素子
に対する信号保持用の容量手段が形成された構造、即
ち、前記容量手段を表示パネル面の全体に形成し得る構
造であるから、容量手段を表示パネル面とは別の領域に
形成する構造に比べて、小型化が容易であり、且つ必要
な容量を確保し易いので、ちらつき防止能力を格段に向
上させることができる。
【００５１】（実施の形態４）次に、第４の実施の形態
の自発光型画像表示パネルを図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図７（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図７（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図７（ａ）では、透明個別容
量電極３０６を第１透明基板３０１上に直に形成してい
るのに対し、図７（ｂ）では、そのようにはなっていな
い点およびその他の細かな点で互いに相違しているが、
いずれもこの実施の形態の共通の特徴を具備するもので
ある。図７（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示
パネルの１画素素子領域を平面的に示した説明図であ
る。図７（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図７（ａ）（ｂ）
の断面図における切断面を表している。なお、駆動素子
３０３を成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様である
から、図１（ｂ）における符号と同一の符号を付記して
その説明を省略する。
の自発光型画像表示パネルを図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図７（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図７（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図７（ａ）では、透明個別容
量電極３０６を第１透明基板３０１上に直に形成してい
るのに対し、図７（ｂ）では、そのようにはなっていな
い点およびその他の細かな点で互いに相違しているが、
いずれもこの実施の形態の共通の特徴を具備するもので
ある。図７（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示
パネルの１画素素子領域を平面的に示した説明図であ
る。図７（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図７（ａ）（ｂ）
の断面図における切断面を表している。なお、駆動素子
３０３を成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様である
から、図１（ｂ）における符号と同一の符号を付記して
その説明を省略する。
【００５２】この実施の形態の自発光型画像表示パネル
は、第１透明基板３０１と、この第１透明基板３０１の
一方の面に形成された透明個別容量電極（ＩＴＯ）３０
６および各透明個別容量電極３０６を駆動する駆動素子
３０３と、前記第１透明基板３０１の一方の面に対向し
て設けられた第２透明基板３２０と、第２透明基板３２
０の一方の面（前記第１透明基板３０１に対向する面）
上に形成された透明共通容量電極（ＩＴＯ）３１１と、
この透明共通容量電極３１１と第１透明基板３０１との
間に設けられた透明容量層３０７と、前記第１透明基板
３０１の他方の面に形成された透明画素電極（ＩＴＯ）
３０２と、第１透明基板３０１の他方の面に対向して設
けられた共通電極（ＡｌＬｉ）３０４と、この共通電極
３０４と透明画素電極３０２との間に設けられ、光を透
明画素電極３０２側へ発する発光層３０５とを備える。
は、第１透明基板３０１と、この第１透明基板３０１の
一方の面に形成された透明個別容量電極（ＩＴＯ）３０
６および各透明個別容量電極３０６を駆動する駆動素子
３０３と、前記第１透明基板３０１の一方の面に対向し
て設けられた第２透明基板３２０と、第２透明基板３２
０の一方の面（前記第１透明基板３０１に対向する面）
上に形成された透明共通容量電極（ＩＴＯ）３１１と、
この透明共通容量電極３１１と第１透明基板３０１との
間に設けられた透明容量層３０７と、前記第１透明基板
３０１の他方の面に形成された透明画素電極（ＩＴＯ）
３０２と、第１透明基板３０１の他方の面に対向して設
けられた共通電極（ＡｌＬｉ）３０４と、この共通電極
３０４と透明画素電極３０２との間に設けられ、光を透
明画素電極３０２側へ発する発光層３０５とを備える。
【００５３】各透明個別容量電極３０６とこれに対応す
る各透明画素電極３０２は、第１透明基板３０１、ＴＦ
Ｔの絶縁層１１，１２，１３および平坦化膜１４を貫通
して存在するコンタクトホール３０１ａにて接続されて
いる。また、透明共通容量電極３１１と共通電極３０４
は、ＴＦＴの絶縁層１１，１２，１３、平坦化膜１４、
及び容量層３０７を貫通して存在する接続部３１０にて
互いに接続され、更にパネル周囲縁部分においてアース
に接続されている。そして、この実施の形態では、実施
の形態１と同様、発光層３０５として有機ＥＬを、透明
容量層３０７として液晶をそれぞれ用いている。
る各透明画素電極３０２は、第１透明基板３０１、ＴＦ
Ｔの絶縁層１１，１２，１３および平坦化膜１４を貫通
して存在するコンタクトホール３０１ａにて接続されて
いる。また、透明共通容量電極３１１と共通電極３０４
は、ＴＦＴの絶縁層１１，１２，１３、平坦化膜１４、
及び容量層３０７を貫通して存在する接続部３１０にて
互いに接続され、更にパネル周囲縁部分においてアース
に接続されている。そして、この実施の形態では、実施
の形態１と同様、発光層３０５として有機ＥＬを、透明
容量層３０７として液晶をそれぞれ用いている。
【００５４】この実施の形態４の自発光型画像表示パネ
ルは、コンタクトホールによって画素電極と個別容量電
極とが接続されている点で実施の形態２と共通し、駆動
素子が容量層内に設けられているという点で実施の形態
３と共通する。この実施の形態４の構造においても、実
施の形態１等と同様、駆動素子３０３がＯＦＦすると、
容量層３０７に蓄積されている電荷が発光層３０５へと
流れ込み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層３０
５における発光状態が維持される。そして、発光画素素
子に対して積層状態に前記発光画素素子に対する信号保
持用の容量手段が形成された構造、即ち、前記容量手段
を表示パネル面の全体に形成し得る構造であるから、容
量手段を表示パネル面とは別の領域に形成する構造に比
べて、小型化が容易であり、且つ必要な容量を確保し易
いので、ちらつき防止能力を格段に向上させることがで
きる。
ルは、コンタクトホールによって画素電極と個別容量電
極とが接続されている点で実施の形態２と共通し、駆動
素子が容量層内に設けられているという点で実施の形態
３と共通する。この実施の形態４の構造においても、実
施の形態１等と同様、駆動素子３０３がＯＦＦすると、
容量層３０７に蓄積されている電荷が発光層３０５へと
流れ込み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層３０
５における発光状態が維持される。そして、発光画素素
子に対して積層状態に前記発光画素素子に対する信号保
持用の容量手段が形成された構造、即ち、前記容量手段
を表示パネル面の全体に形成し得る構造であるから、容
量手段を表示パネル面とは別の領域に形成する構造に比
べて、小型化が容易であり、且つ必要な容量を確保し易
いので、ちらつき防止能力を格段に向上させることがで
きる。
【００５５】（実施の形態５）次に、第５の実施の形態
の自発光型画像表示パネルを図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図８（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図８（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図８（ａ）では、個別容量電
極４０６をガラス基板４０１上に直に形成しているのに
対し、図８（ｂ）では、そのようにはなっていない点お
よびその他の細かな点で互いに相違しているが、いずれ
もこの実施の形態の共通の特徴を具備するものである。
図８（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示パネル
の１画素素子領域を平面的に示した説明図である。図８
（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図８（ａ）（ｂ）の断面図
における切断面を表している。なお、駆動素子４０３を
成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様であるから、図
１（ｂ）における符号と同一の符号を付記してその説明
を省略する。
の自発光型画像表示パネルを図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図８（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図８（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図８（ａ）では、個別容量電
極４０６をガラス基板４０１上に直に形成しているのに
対し、図８（ｂ）では、そのようにはなっていない点お
よびその他の細かな点で互いに相違しているが、いずれ
もこの実施の形態の共通の特徴を具備するものである。
図８（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示パネル
の１画素素子領域を平面的に示した説明図である。図８
（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図８（ａ）（ｂ）の断面図
における切断面を表している。なお、駆動素子４０３を
成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様であるから、図
１（ｂ）における符号と同一の符号を付記してその説明
を省略する。
【００５６】この実施の形態の自発光型画像表示パネル
は、ガラス基板４０１と、このガラス基板４０１の一方
の面の側に形成された個別容量電極（ＩＴＯ）４０６お
よび各個別容量電極４０６を駆動する駆動素子４０３
と、前記ガラス基板４０１の一方の面に対向して設けら
れたガラス基板４２１と、このガラス基板４２１の一方
の面（ガラス基板４０１に対向する面）上に形成された
共通容量電極（ＩＴＯ）４１１と、この共通容量電極４
１１とガラス基板４０１との間に設けられた容量層４０
７と、前記ガラス基板４０１の他方の面に形成された画
素電極（ＡｌＬｉ又はＭｇＩｎ）４０２と、ガラス基板
４０１の他方の面に対向して設けられた透明ガラス基板
４２０と、この透明ガラス基板４２０の一方の面（ガラ
ス基板４０１に対向する面）上に形成された透明共通電
極（ＩＴＯ）４０４と、この透明共通電極４０４と画素
電極４０２との間に設けられ、光を透明共通電極４０４
側へ発する発光層４０５とを備える。
は、ガラス基板４０１と、このガラス基板４０１の一方
の面の側に形成された個別容量電極（ＩＴＯ）４０６お
よび各個別容量電極４０６を駆動する駆動素子４０３
と、前記ガラス基板４０１の一方の面に対向して設けら
れたガラス基板４２１と、このガラス基板４２１の一方
の面（ガラス基板４０１に対向する面）上に形成された
共通容量電極（ＩＴＯ）４１１と、この共通容量電極４
１１とガラス基板４０１との間に設けられた容量層４０
７と、前記ガラス基板４０１の他方の面に形成された画
素電極（ＡｌＬｉ又はＭｇＩｎ）４０２と、ガラス基板
４０１の他方の面に対向して設けられた透明ガラス基板
４２０と、この透明ガラス基板４２０の一方の面（ガラ
ス基板４０１に対向する面）上に形成された透明共通電
極（ＩＴＯ）４０４と、この透明共通電極４０４と画素
電極４０２との間に設けられ、光を透明共通電極４０４
側へ発する発光層４０５とを備える。
【００５７】各個別容量電極４０６とこれに対応する各
画素電極４０２は、ガラス基板４０１、ＴＦＴの絶縁層
１１，１２，１３および平坦化膜１４を貫通して存在す
るコンタクトホール４０１ａにて接続されている。ま
た、共通容量電極４１１と透明共通電極４０４は、発光
層４０５、ＴＦＴの絶縁層１１，１２，１３、平坦化膜
１４、及び容量層４０７を貫通して存在する接続部４１
０にて互いに接続され、更に、パネル周囲縁部分におい
てゲート走査信号反転入力部又はソース信号反転入力部
に接続されている。そして、この実施の形態では、実施
の形態１と同様、発光層４０５として有機ＥＬを、透明
容量層４０７として液晶をそれぞれ用いている。
画素電極４０２は、ガラス基板４０１、ＴＦＴの絶縁層
１１，１２，１３および平坦化膜１４を貫通して存在す
るコンタクトホール４０１ａにて接続されている。ま
た、共通容量電極４１１と透明共通電極４０４は、発光
層４０５、ＴＦＴの絶縁層１１，１２，１３、平坦化膜
１４、及び容量層４０７を貫通して存在する接続部４１
０にて互いに接続され、更に、パネル周囲縁部分におい
てゲート走査信号反転入力部又はソース信号反転入力部
に接続されている。そして、この実施の形態では、実施
の形態１と同様、発光層４０５として有機ＥＬを、透明
容量層４０７として液晶をそれぞれ用いている。
【００５８】かかる構造を得るには、例えば、透明ガラ
ス基板４２０上にＩＴＯ（共通電極４０４）を形成し、
このＩＴＯ上に有機ＥＬ層となるホール輸送層、発光
層、電子輸送層をその順に形成し、接続部４１０の一部
を形成し、更に例えばＡｌＬｉ又はＭｇＩｎ（画素電極
４０２）を形成する。一方、ガラス基板４０１上には、
ＴＦＴ、ＩＴＯ（個別容量電極４０６）、及び接続部４
１０の一部を形成しておく。そして、透明ガラス基板４
２０とガラス基板４０１とを接着し、コンタクトホール
４０１ａにてＩＴＯ（個別容量電極４０６）とＡｌＬｉ
又はＭｇＩｎ（画素電極４０２）とを電気的に接続す
る。次に、ガラス基板４０１とＩＴＯ（共通容量電極４
１１）が形成されたガラス基板４２１とを貼り合わせ
る。この貼り合わせた状態で、接続部４１０が、共通容
量電極４１１と透明共通電極４０４とを電気的に接続す
る。そして、ガラス基板４０１とガラス基板４２１との
間に液晶を充填する。
ス基板４２０上にＩＴＯ（共通電極４０４）を形成し、
このＩＴＯ上に有機ＥＬ層となるホール輸送層、発光
層、電子輸送層をその順に形成し、接続部４１０の一部
を形成し、更に例えばＡｌＬｉ又はＭｇＩｎ（画素電極
４０２）を形成する。一方、ガラス基板４０１上には、
ＴＦＴ、ＩＴＯ（個別容量電極４０６）、及び接続部４
１０の一部を形成しておく。そして、透明ガラス基板４
２０とガラス基板４０１とを接着し、コンタクトホール
４０１ａにてＩＴＯ（個別容量電極４０６）とＡｌＬｉ
又はＭｇＩｎ（画素電極４０２）とを電気的に接続す
る。次に、ガラス基板４０１とＩＴＯ（共通容量電極４
１１）が形成されたガラス基板４２１とを貼り合わせ
る。この貼り合わせた状態で、接続部４１０が、共通容
量電極４１１と透明共通電極４０４とを電気的に接続す
る。そして、ガラス基板４０１とガラス基板４２１との
間に液晶を充填する。
【００５９】この実施の形態５の構造においては、図の
ごとく、ゲート信号又はソース信号の逆パルスを与える
ことで、ＴＦＴがＯＮ時は、ドレインより共通電極４０
４（ＩＴＯ）の電位が低くなり、有機ＥＬの発光層４０
５は逆バイアスで発光しないが、容量層４０７には充電
される。次にＴＦＴがＯＦＦ時は、ドレインが共通電極
４０４より電位が低くなり、容量に蓄積された電荷が発
光層４０５に流れ込み発光する。本来的な発光は短くな
るもののトータル的には発光時間を長くすることができ
る。また、ＴＦＴと反対側に発光するため、高い開口率
が得られる。
ごとく、ゲート信号又はソース信号の逆パルスを与える
ことで、ＴＦＴがＯＮ時は、ドレインより共通電極４０
４（ＩＴＯ）の電位が低くなり、有機ＥＬの発光層４０
５は逆バイアスで発光しないが、容量層４０７には充電
される。次にＴＦＴがＯＦＦ時は、ドレインが共通電極
４０４より電位が低くなり、容量に蓄積された電荷が発
光層４０５に流れ込み発光する。本来的な発光は短くな
るもののトータル的には発光時間を長くすることができ
る。また、ＴＦＴと反対側に発光するため、高い開口率
が得られる。
【００６０】（実施の形態６）次に、第６の実施の形態
の自発光型画像表示パネルを図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図９（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図９（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図９（ａ）では、個別容量電
極５０６をガラス基板５０１上に直に形成しているのに
対し、図９（ｂ）では、そのようにはなっていない点お
よびその他の細かな点で互いに相違しているが、いずれ
もこの実施の形態の共通の特徴を具備するものである。
図９（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示パネル
の１画素素子領域を平面的に示した説明図である。図９
（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図９（ａ）（ｂ）の断面図
における切断面を表している。なお、駆動素子５０３を
成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様であるから、図
１（ｂ）における符号と同一の符号を付記してその説明
を省略する。
の自発光型画像表示パネルを図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に
基づいて説明する。図９（ａ）は当該パネルの要部を簡
略的に示した断面図であり、図９（ｂ）は同要部を具体
的に示した断面図である。図９（ａ）では、個別容量電
極５０６をガラス基板５０１上に直に形成しているのに
対し、図９（ｂ）では、そのようにはなっていない点お
よびその他の細かな点で互いに相違しているが、いずれ
もこの実施の形態の共通の特徴を具備するものである。
図９（ｃ）はこの実施の形態の自発光型画像表示パネル
の１画素素子領域を平面的に示した説明図である。図９
（ｃ）中のＡ−Ａ線は、前記図９（ａ）（ｂ）の断面図
における切断面を表している。なお、駆動素子５０３を
成すＴＦＴの構造は実施の形態１と同様であるから、図
１（ｂ）における符号と同一の符号を付記してその説明
を省略する。
【００６１】この実施の形態の自発光型画像表示パネル
は、ガラス基板５０１と、このガラス基板５０１の一方
の面の側に形成された個別容量電極（ＩＴＯ）５０６お
よび各個別容量電極５０６を駆動する駆動素子５０３
と、前記ガラス基板５０１の一方の面に対向して設けら
れたガラス基板５２１と、このガラス基板５２１の一方
の面（ガラス基板５０１に対向する面）上に形成された
共通容量電極（ＩＴＯ）５１１と、この共通容量電極５
１１とガラス基板５０１との間に設けられた容量層５０
７と、前記ガラス基板５０１の他方の面に形成された共
通電極（ＡｌＬｉ）５０２と、ガラス基板５０１の他方
の面に対向して設けられた透明ガラス基板５２０と、こ
の透明ガラス基板５２０の一方の面（ガラス基板５０１
に対向する面）上に形成された透明画素電極（ＩＴＯ）
５０４と、この透明画素電極５０４と共通電極５０２と
の間に設けられ、光を透明画素電極５０４側へ発する発
光層５０５とを備える。
は、ガラス基板５０１と、このガラス基板５０１の一方
の面の側に形成された個別容量電極（ＩＴＯ）５０６お
よび各個別容量電極５０６を駆動する駆動素子５０３
と、前記ガラス基板５０１の一方の面に対向して設けら
れたガラス基板５２１と、このガラス基板５２１の一方
の面（ガラス基板５０１に対向する面）上に形成された
共通容量電極（ＩＴＯ）５１１と、この共通容量電極５
１１とガラス基板５０１との間に設けられた容量層５０
７と、前記ガラス基板５０１の他方の面に形成された共
通電極（ＡｌＬｉ）５０２と、ガラス基板５０１の他方
の面に対向して設けられた透明ガラス基板５２０と、こ
の透明ガラス基板５２０の一方の面（ガラス基板５０１
に対向する面）上に形成された透明画素電極（ＩＴＯ）
５０４と、この透明画素電極５０４と共通電極５０２と
の間に設けられ、光を透明画素電極５０４側へ発する発
光層５０５とを備える。
【００６２】各個別容量電極５０６とこれに対応する各
画素電極５０４は、ガラス基板５０１、ＴＦＴの絶縁層
１１，１２，１３および平坦化膜１４を貫通して存在す
るコンタクトホール５０１ａ及び発光層５０５内に存在
するＡｌ金属５０１ｂにて接続されている。また、共通
容量電極５１１と共通電極５０２は、ガラス基板５０
１、ＴＦＴの絶縁層１１，１２，１３、平坦化膜１４、
及び容量層５０７を貫通して存在する接続部５１０にて
互いに接続され、更に、パネル周囲縁部分においてアー
スに接続されている。そして、この実施の形態では、実
施の形態１と同様、発光層５０５として有機ＥＬを、透
明容量層５０７として液晶をそれぞれ用いている。な
お、Ａｌ金属５０１ｂの周囲に絶縁膜を形成しても良
い。
画素電極５０４は、ガラス基板５０１、ＴＦＴの絶縁層
１１，１２，１３および平坦化膜１４を貫通して存在す
るコンタクトホール５０１ａ及び発光層５０５内に存在
するＡｌ金属５０１ｂにて接続されている。また、共通
容量電極５１１と共通電極５０２は、ガラス基板５０
１、ＴＦＴの絶縁層１１，１２，１３、平坦化膜１４、
及び容量層５０７を貫通して存在する接続部５１０にて
互いに接続され、更に、パネル周囲縁部分においてアー
スに接続されている。そして、この実施の形態では、実
施の形態１と同様、発光層５０５として有機ＥＬを、透
明容量層５０７として液晶をそれぞれ用いている。な
お、Ａｌ金属５０１ｂの周囲に絶縁膜を形成しても良
い。
【００６３】かかる構造を得るには、例えば、透明ガラ
ス基板５２０上にＩＴＯ（透明画素電極５０４）及びＡ
ｌ金属５０１ｂを形成し、このＩＴＯ上に有機ＥＬ層と
なるホール輸送層、発光層、電子輸送層をその順に形成
し、更に例えばＡｌＬｉ（共通電極５０２）を形成す
る。一方、ガラス基板５０１上には、ＴＦＴ、ＩＴＯ
（個別容量電極５０６）、及び接続部５１０を形成して
おく。そして、透明ガラス基板５２０とガラス基板５０
１とを接着し、コンタクトホール５０１ａ及びＡｌ金属
５０１ｂにてＩＴＯ（個別容量電極５０６）とＩＴＯ
（透明画素電極５０４）とを電気的に接続する。次に、
ガラス基板５０１とＩＴＯ（共通容量電極５１１）が形
成されたガラス基板５２１とを貼り合わせる。この貼り
合わせた状態で、接続部５１０が、共通容量電極５１１
と共通電極５０２とを電気的に接続する。そして、ガラ
ス基板５０１とガラス基板５２１との間に液晶を充填す
る。
ス基板５２０上にＩＴＯ（透明画素電極５０４）及びＡ
ｌ金属５０１ｂを形成し、このＩＴＯ上に有機ＥＬ層と
なるホール輸送層、発光層、電子輸送層をその順に形成
し、更に例えばＡｌＬｉ（共通電極５０２）を形成す
る。一方、ガラス基板５０１上には、ＴＦＴ、ＩＴＯ
（個別容量電極５０６）、及び接続部５１０を形成して
おく。そして、透明ガラス基板５２０とガラス基板５０
１とを接着し、コンタクトホール５０１ａ及びＡｌ金属
５０１ｂにてＩＴＯ（個別容量電極５０６）とＩＴＯ
（透明画素電極５０４）とを電気的に接続する。次に、
ガラス基板５０１とＩＴＯ（共通容量電極５１１）が形
成されたガラス基板５２１とを貼り合わせる。この貼り
合わせた状態で、接続部５１０が、共通容量電極５１１
と共通電極５０２とを電気的に接続する。そして、ガラ
ス基板５０１とガラス基板５２１との間に液晶を充填す
る。
【００６４】この実施の形態６の構造においても、実施
の形態１等と同様、駆動素子５０３がＯＦＦすると、容
量層５０７に蓄積されている電荷が発光層５０５へと流
れ込み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層５０５
における発光状態が維持される。そして、発光画素素子
に対して積層状態に前記発光画素素子に対する信号保持
用の容量手段が形成された構造、即ち、前記容量手段を
表示パネル面の全体に形成し得る構造であるから、容量
手段を表示パネル面とは別の領域に形成する構造に比べ
て、小型化が容易であり、且つ必要な容量を確保し易い
ので、ちらつき防止能力を格段に向上させることができ
る。また、ＴＦＴと反対側に発光するため、高い開口率
が得られる。
の形態１等と同様、駆動素子５０３がＯＦＦすると、容
量層５０７に蓄積されている電荷が発光層５０５へと流
れ込み、この電荷の蓄積されている分だけ発光層５０５
における発光状態が維持される。そして、発光画素素子
に対して積層状態に前記発光画素素子に対する信号保持
用の容量手段が形成された構造、即ち、前記容量手段を
表示パネル面の全体に形成し得る構造であるから、容量
手段を表示パネル面とは別の領域に形成する構造に比べ
て、小型化が容易であり、且つ必要な容量を確保し易い
ので、ちらつき防止能力を格段に向上させることができ
る。また、ＴＦＴと反対側に発光するため、高い開口率
が得られる。
【００６５】なお、以上の実施例においては、容量層と
して液晶を用いる場合を示したが、液晶に代えて誘電体
セラミックスを用いることもできる。勿論、図５のごと
く容量層を通して光が出射される構造にあっては、誘電
体セラミックとして透明なものを用いることになる。
して液晶を用いる場合を示したが、液晶に代えて誘電体
セラミックスを用いることもできる。勿論、図５のごと
く容量層を通して光が出射される構造にあっては、誘電
体セラミックとして透明なものを用いることになる。
【００６６】透明誘電体セラミックスとしては、ＰＬＺ
Ｔ（ランタンチタンジルコン酸鉛）や［ＺｎＯ，（Ｐｂ
・Ｂａ）（Ｚｒ・Ｔｉ）Ｏ3 ］などがある。前記ＰＬＺ
Ｔを用いる場合、その比誘電率εは約１０００程度であ
るから、この値を実施の形態１で示したＡ式に当てはめ
ると、当該ＰＬＺＴの必要厚みｄは、ｄ＝１０００×
８．８５×１０-12 ×５０×１５０×１０-12 ／（２５
×１０-11 ） ＝２５００となる。即ち、容量層として
ＰＬＺＴを用いる場合には、前記条件の下では、その厚
みとして２５００［Å］以下が必要となる。
Ｔ（ランタンチタンジルコン酸鉛）や［ＺｎＯ，（Ｐｂ
・Ｂａ）（Ｚｒ・Ｔｉ）Ｏ3 ］などがある。前記ＰＬＺ
Ｔを用いる場合、その比誘電率εは約１０００程度であ
るから、この値を実施の形態１で示したＡ式に当てはめ
ると、当該ＰＬＺＴの必要厚みｄは、ｄ＝１０００×
８．８５×１０-12 ×５０×１５０×１０-12 ／（２５
×１０-11 ） ＝２５００となる。即ち、容量層として
ＰＬＺＴを用いる場合には、前記条件の下では、その厚
みとして２５００［Å］以下が必要となる。
【００６７】容量層として透明誘電体セラミックスを用
いる場合において、実施形態２で示した図５の構造を採
用した場合の製造方法を図５を参照して説明する。ま
ず、第２透明基板１２０上にＩＴＯ（透明共通容量電極
１１１）を形成し、このＩＴＯ上にＰＬＺＴをスパッタ
リング法などの薄膜成形法などにより形成する。また、
接続部１１０の一部を形成しておく。そして、前記ＰＬ
ＺＴ上にＩＴＯ（個別容量電極１０６）が形成された第
１透明基板１０１を貼りつける。そして、この第１透明
基板１０１上に、駆動素子（ＴＦＴ）１０３及びＩＴＯ
（画素電極１０２）を形成し、コンタクホール１０１ａ
にてＩＴＯ（画素電極１０２）とＩＴＯ（個別容量電極
１０６）とを接続する。次に、ＩＴＯ（画素電極１０
２）上にトリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）を
４００Åの厚みに堆積させる。この堆積は、真空度を５
×１０-6Ｔｏｒｒとして抵抗加熱ボードを用いた真空蒸
着によって行う。次に、ジアミン誘導体（ＴＰＤ）とル
ブレンを、３００Åの厚みでルブレンの重量比が５％と
なるように蒸着法により堆積する。次に、アルミニウム
キノリノール（Ａｌｑ3 ）を真空蒸着によって５００Å
の厚みで堆積する。更に、その上に、例えば、ＭｇＩｎ
合金（Ｍｇ：Ｉｎ＝５０：３）を抵抗加熱蒸着法によ
り、２０００Åの厚みで堆積する。
いる場合において、実施形態２で示した図５の構造を採
用した場合の製造方法を図５を参照して説明する。ま
ず、第２透明基板１２０上にＩＴＯ（透明共通容量電極
１１１）を形成し、このＩＴＯ上にＰＬＺＴをスパッタ
リング法などの薄膜成形法などにより形成する。また、
接続部１１０の一部を形成しておく。そして、前記ＰＬ
ＺＴ上にＩＴＯ（個別容量電極１０６）が形成された第
１透明基板１０１を貼りつける。そして、この第１透明
基板１０１上に、駆動素子（ＴＦＴ）１０３及びＩＴＯ
（画素電極１０２）を形成し、コンタクホール１０１ａ
にてＩＴＯ（画素電極１０２）とＩＴＯ（個別容量電極
１０６）とを接続する。次に、ＩＴＯ（画素電極１０
２）上にトリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）を
４００Åの厚みに堆積させる。この堆積は、真空度を５
×１０-6Ｔｏｒｒとして抵抗加熱ボードを用いた真空蒸
着によって行う。次に、ジアミン誘導体（ＴＰＤ）とル
ブレンを、３００Åの厚みでルブレンの重量比が５％と
なるように蒸着法により堆積する。次に、アルミニウム
キノリノール（Ａｌｑ3 ）を真空蒸着によって５００Å
の厚みで堆積する。更に、その上に、例えば、ＭｇＩｎ
合金（Ｍｇ：Ｉｎ＝５０：３）を抵抗加熱蒸着法によ
り、２０００Åの厚みで堆積する。
【００６８】なお、有機ＥＬは、高熱が加わると発光機
能を無くすおそれがあるので、有機ＥＬから成る発光層
の形成後に誘電体セラミックを形成するのは望ましくな
い。前述した工程によって形成するか、或いは予め誘電
体セラミックが堆積された基板を発光画素素子が形成さ
れたものに貼り合わせて形成するのが望ましい。この貼
り合わせによる製造法は、例えば、図１の構造において
誘電体セラミックス（この構造の場合は透明でなくても
よい）を用いる場合に好適である。また、この意味か
ら、形成に熱を必要としない液晶を容量層に用いた構造
の方が製造が容易に行えるという利点がある。
能を無くすおそれがあるので、有機ＥＬから成る発光層
の形成後に誘電体セラミックを形成するのは望ましくな
い。前述した工程によって形成するか、或いは予め誘電
体セラミックが堆積された基板を発光画素素子が形成さ
れたものに貼り合わせて形成するのが望ましい。この貼
り合わせによる製造法は、例えば、図１の構造において
誘電体セラミックス（この構造の場合は透明でなくても
よい）を用いる場合に好適である。また、この意味か
ら、形成に熱を必要としない液晶を容量層に用いた構造
の方が製造が容易に行えるという利点がある。
【００６９】また、以上の実施例では、発光層である有
機ＥＬ層として３層構造のものを示したが２層構造のも
のでもよい。また、各容量層は画素面積と同程度の大き
さで形成できるので、大きな容量が確保できるのである
が、必ずしも画素面積と同程度とする必要はなく、必要
な容量や容量層の膜厚との関係で決めればよいものであ
る。また、ＭｇＩｎ合金に代えて、アルミニウムリチウ
ム合金（Ａｌ：Ｌｉ＝９９．５：０．５）を用いてもよ
い。また、容量層として液晶を用いる場合に、この液晶
を偏光板で挟み、発光層の発光時にその対応する液晶部
分が透光状態となるように構成してもよいものである。
機ＥＬ層として３層構造のものを示したが２層構造のも
のでもよい。また、各容量層は画素面積と同程度の大き
さで形成できるので、大きな容量が確保できるのである
が、必ずしも画素面積と同程度とする必要はなく、必要
な容量や容量層の膜厚との関係で決めればよいものであ
る。また、ＭｇＩｎ合金に代えて、アルミニウムリチウ
ム合金（Ａｌ：Ｌｉ＝９９．５：０．５）を用いてもよ
い。また、容量層として液晶を用いる場合に、この液晶
を偏光板で挟み、発光層の発光時にその対応する液晶部
分が透光状態となるように構成してもよいものである。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光画素素子の形成領域に対応した領域で各容量が
形成されるので、自発光型画像表示装置の大型化を回避
することができる。そして、このように発光画素素子の
形成領域に対応した領域で各容量が形成されるものの、
積層状態で形成されるから、発光画素素子の発光面積に
対する浸食が無く、発光面積の狭小化が回避できる。更
に、液晶等を用いて容易に大きな容量を得ることができ
るので、必要な時間だけ発光画素素子の点灯時間の引き
延ばしを行わせて画面ちらつきを解消できるという効果
を奏する。
ば、発光画素素子の形成領域に対応した領域で各容量が
形成されるので、自発光型画像表示装置の大型化を回避
することができる。そして、このように発光画素素子の
形成領域に対応した領域で各容量が形成されるものの、
積層状態で形成されるから、発光画素素子の発光面積に
対する浸食が無く、発光面積の狭小化が回避できる。更
に、液晶等を用いて容易に大きな容量を得ることができ
るので、必要な時間だけ発光画素素子の点灯時間の引き
延ばしを行わせて画面ちらつきを解消できるという効果
を奏する。
【図１】同図（ａ）はこの発明の第１の実施の形態の自
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図である。
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図である。
【図２】この発明の自発光型画像表示パネルの概略の平
面図である。
面図である。
【図３】この発明の自発光型画像表示パネルの発光層の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図４】この発明の自発光型画像表示パネルにおける発
光画素素子の点灯時間の引き延ばしの様子を示す説明図
である。
光画素素子の点灯時間の引き延ばしの様子を示す説明図
である。
【図５】同図（ａ）はこの発明の第２の実施の形態の自
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
【図６】同図（ａ）はこの発明の第３の実施の形態の自
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
【図７】同図（ａ）はこの発明の第４の実施の形態の自
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
【図８】同図（ａ）はこの発明の第５の実施の形態の自
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
【図９】同図（ａ）はこの発明の第６の実施の形態の自
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
発光型画像表示パネルの要部を簡略的に示した断面図で
あり、同図（ｂ）は同要部の具体的な断面図であり、同
図（ｃ）は同パネルの一発光画素素子部分を示した概略
の平面図である。
【図１０】従来の自発光型画像表示パネルの断面図であ
る。
る。
１ 透明ガラス基板
２ 透明画素電極
３ 駆動素子
４ 共通電極
５ 発光層
６ 個別容量電極
７ 容量層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G09F 9/30 - 9/46
H05B 33/00 - 33/28
Claims (13)
- 【請求項１】 発光画素素子に対する信号保持用の容量
手段が前記発光画素素子に対して積層状態に形成されて
おり、前記容量手段は前記画素電極とは別に設けられた
個別容量電極を備え、この個別容量電極は前記画素電極
に電気的に接続される自発光型画像表示装置において、
前記の容量手段における容量層は、発光画素素子の光出
射面側に形成された透明容量層であることを特徴とする
自発光型画像表示装置。 - 【請求項２】 請求項１の自発光型画像表示装置におい
て、上記個別容量電極は透明であることを特徴とする自
発光型画像表示装置。 - 【請求項３】 請求項１の自発光型画像表示装置におい
て、前記の容量手段における容量層は、発光画素素子の
光出射面の反対側の面に形成された不透明或いは透明容
量層であることを特徴とする自発光型画像表示装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３の自発光型画像表
示装置において、一つの駆動素子が、各発光画素素子に
おける駆動手段と、各発光画素素子についての各容量手
段における充電制御手段とを兼ねていることを特徴とす
る自発光型画像表示装置。 - 【請求項５】 透明基板と、この透明基板上に形成され
た透明画素電極群及び各透明画素電極を駆動する駆動素
子群と、前記透明基板に対向して設けられた共通電極
と、この共通電極と前記透明基板との間に設けられ、光
を透明画素電極側へ発する発光層と、前記共通電極に対
向して設けられた個別容量電極群と、前記共通電極と個
別容量電極群との間に設けられた容量層とを備え、前記
個別容量電極群と画素電極群の対応する個々の電極同士
が電気的に接続されて成ることを特徴とする自発光型画
像表示装置。 - 【請求項６】 第１透明基板と、この第１透明基板の一
方の面に形成された透明画素電極群および各透明画素電
極を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板の一方の
面に対向して設けられた共通電極と、この共通電極と第
１透明基板との間に設けられ、光を前記透明画素電極側
へ発する発光層と、前記第１透明基板の他方の面に形成
された透明個別容量電極群と、第１透明基板の他方の面
に対向して設けられた第２透明基板の対向面上に形成さ
れた透明共通容量電極と、この透明共通容量電極と第１
透明基板との間に設けられた透明容量層とを備え、前記
透明個別容量電極群と透明画素電極群の対応する個々の
電極同士が前記第１透明基板に形成されたコンタクトホ
ールにて接続されて成ることを特徴とする自発光型画像
表示装置。 - 【請求項７】 第１透明基板と、この第１透明基板の一
方の面に形成された透明個別容量電極群および各透明個
別容量電極を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板
の一方の面に対向して設けられた透明共通容量電極と、
この透明共通容量電極と第１透明基板との間に設けられ
た透明容量層と、前記透明共通容量電極が一方の面に形
成され、他方の面に個別透明画素電極群が形成された第
２透明基板と、この第２透明基板に対向して設けられた
共通電極と、この共通電極と透明画素電極群との間に形
成され、光を透明画素電極側へ発する発光層とを備え、
前記透明個別容量電極と透明画素電極の対応する個々の
電極同士が接続されて成ることを特徴とする自発光型画
像表示装置。 - 【請求項８】 第１透明基板と、この第１透明基板の一
方の面に形成された透明個別容量電極群および各透明個
別容量電極を駆動する駆動素子群と、前記第１透明基板
の一方の面に対向して設けられた第２透明基板の対向面
上に形成された透明共通容量電極と、この透明共通容量
電極と第１透明基板との間に設けられた透明容量層と、
前記第１透明基板の他方の面に形成された透明画素電極
群と、第１透明基板の他方の面に対向して設けられた共
通電極と、この共通電極と透明画素電極群との間に設け
られ、光を透明画素電極側へ発する発光層とを備え、前
記透明個別容量電極群と透明画素電極群の対応する個々
の電極同士が前記第１透明基板に形成されたコンタクト
ホールにて接続されて成ることを特徴とする自発光型画
像表示装置。 - 【請求項９】 基板と、この基板の一方の面に形成され
た個別容量電極群および各個別容量電極を駆動する駆動
素子群と、前記基板の一方の面に対向して設けられた共
通容量電極と、この共通容量電極と基板との間に設けら
れた容量層と、前記基板の他方の面に形成された画素電
極群と、基板の他方の面に対向して設けられた透明基板
の対向面上に形成された透明共通電極と、この透明共通
電極と画素電極群との間に設けられ、光を透明共通電極
側へ発する発光層とを備え、前記個別容量電極群と画素
電極群の対応する個々の電極同士が前記基板に形成され
たコンタクトホールにて接続されて成ることを特徴とす
る自発光型画像表示装置。 - 【請求項１０】 基板と、この基板の一方の面に形成さ
れた個別容量電極群および各個別容量電極を駆動する駆
動素子群と、前記基板の一方の面に対向して設けられた
共通容量電極と、この共通容量電極と基板との間に設け
られた容量層と、前記基板の他方の面に形成された共通
電極と、基板の他方の面に対向して設けられた透明基板
の対向面上に形成された透明画素電極群と、この透明画
素電極群と共通電極との間に設けられ、光を透明画素電
極側へ発する発光層とを備え、前記個別容量電極群と透
明画素電極群の対応する個々の電極同士が前記基板に形
成されたコンタクトホール及び発光層内に設けられた導
電体を介して接続されて成ることを特徴とする自発光型
画像表示装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至請求項１０における容量
層又は透明容量層は、液晶層であることを特徴とする自
発光型画像表示装置。 - 【請求項１２】 請求項１乃至請求項１０における容量
層又は透明容量層は、誘電体セラミック層又は透明誘電
体セラミック層であることを特徴とする自発光型画像表
示装置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至請求項１２の発光層は、
有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とす
る自発光型画像表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31382397A JP3530362B2 (ja) | 1996-12-19 | 1997-11-14 | 自発光型画像表示装置 |
| US08/991,180 US6046547A (en) | 1996-12-19 | 1997-12-16 | Self-emission type image display device |
| EP97122328A EP0849721A3 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Self-emission type image display device |
| CN97108771A CN1112034C (zh) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | 自发光型图像显示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33922896 | 1996-12-19 | ||
| JP8-339228 | 1996-12-19 | ||
| JP31382397A JP3530362B2 (ja) | 1996-12-19 | 1997-11-14 | 自発光型画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10232628A JPH10232628A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3530362B2 true JP3530362B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=26567722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31382397A Expired - Fee Related JP3530362B2 (ja) | 1996-12-19 | 1997-11-14 | 自発光型画像表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6046547A (ja) |
| EP (1) | EP0849721A3 (ja) |
| JP (1) | JP3530362B2 (ja) |
| CN (1) | CN1112034C (ja) |
Families Citing this family (91)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462722B1 (en) | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
| JP3528182B2 (ja) | 1997-02-17 | 2004-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
| US6972753B1 (en) * | 1998-10-02 | 2005-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel, display device provided with touch panel and electronic equipment provided with display device |
| US6274887B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US6518594B1 (en) * | 1998-11-16 | 2003-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor devices |
| US6277679B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film transistor |
| JP4334045B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2009-09-16 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7697052B1 (en) * | 1999-02-17 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display |
| US6677613B1 (en) * | 1999-03-03 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6512504B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| KR100316271B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2001-12-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| JP5210473B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP4627822B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| TW543206B (en) * | 1999-06-28 | 2003-07-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and electronic device |
| US6509688B1 (en) * | 1999-07-08 | 2003-01-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Electro-luminescent display with storage capacitor formed in longitudinal direction of power supply line |
| US6876145B1 (en) * | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
| KR100851156B1 (ko) | 2000-03-07 | 2008-08-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 액티브 구동형 유기 ｅｌ 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7339317B2 (en) * | 2000-06-05 | 2008-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers |
| US6864628B2 (en) * | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
| TW535137B (en) * | 2000-11-09 | 2003-06-01 | Toshiba Corp | Self-illuminating display device |
| KR100365519B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2002-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
| US7009203B2 (en) * | 2000-12-14 | 2006-03-07 | Samsung Soi Co., Ltd. | Organic EL device and method for manufacturing the same |
| SG118110A1 (en) | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
| KR100491141B1 (ko) | 2001-03-02 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 이용한 액티브매트릭스형 표시소자 및 그의 제조방법 |
| JP2002278496A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Pioneer Electronic Corp | 自発光ディスプレイ装置およびその駆動方法 |
| JP4613007B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2011-01-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6413111B1 (en) * | 2001-12-07 | 2002-07-02 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. | Pick up cap used for an electrical socket |
| TWI285515B (en) | 2002-02-22 | 2007-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
| KR20030069707A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US7078856B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-07-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Wavelength variable light source |
| JP4027149B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2007-12-26 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR100465883B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2005-01-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR20030086168A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| US7436470B2 (en) * | 2002-07-06 | 2008-10-14 | Spyder Navigations L.L.C. | Display device having liquid crystal layer and switchable optical layer |
| US9153168B2 (en) * | 2002-07-09 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for deciding duty factor in driving light-emitting device and driving method using the duty factor |
| KR100473590B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR100460210B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2004-12-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| GB0226401D0 (en) * | 2002-11-12 | 2002-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent devices and their manufacture |
| KR100489591B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2005-05-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR100768972B1 (ko) * | 2002-11-25 | 2007-10-22 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 유기 ｅｌ 표시 패널 |
| JP2004191627A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
| KR100484092B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2004342432A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Nec Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| GB0313041D0 (en) * | 2003-06-06 | 2003-07-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Display device having current-driven pixels |
| US8742421B2 (en) * | 2003-12-02 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same, and television apparatus |
| KR100557236B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| US7132796B2 (en) * | 2003-12-30 | 2006-11-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| KR20050068860A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자용 상부기판 및 그의제조방법 |
| KR100557235B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR100579549B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-05-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP4507611B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
| CN1918672B (zh) * | 2004-03-09 | 2012-10-03 | 出光兴产株式会社 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法 |
| US20060012742A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Yaw-Ming Tsai | Driving device for active matrix organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR100665941B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2007-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US7189991B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-03-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices comprising conductive members that connect electrodes to other conductive members within a substrate and processes for forming the electronic devices |
| KR101085130B1 (ko) | 2004-12-30 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| GB0506899D0 (en) | 2005-04-05 | 2005-05-11 | Plastic Logic Ltd | Multiple conductive layer TFT |
| WO2006106365A2 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-12 | Plastic Logic Limited | Multiple conductive layer tft |
| KR101132183B1 (ko) | 2005-06-29 | 2012-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| JP4611829B2 (ja) | 2005-07-19 | 2011-01-12 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光パネルの製造方法、および自発光パネル |
| KR101324756B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2013-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
| US7990047B2 (en) * | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| KR100754145B1 (ko) | 2006-03-14 | 2007-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
| JP2007250519A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| KR100762680B1 (ko) | 2006-03-14 | 2007-10-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
| JP4934599B2 (ja) * | 2007-01-29 | 2012-05-16 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| JP4993292B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2012-08-08 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネル及びその製造方法 |
| US9606078B2 (en) * | 2007-11-11 | 2017-03-28 | University Of North Florida Board Of Trustees | Nanocrystalline indum tin oxide sensors and arrays |
| JP5393136B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-01-22 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
| JP2012079469A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Brother Ind Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP5644511B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及び電子機器 |
| WO2012102194A1 (ja) | 2011-01-25 | 2012-08-02 | パナソニック株式会社 | 面状発光装置 |
| JP5862018B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2016-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 表示素子、表示素子の制御方法及び画像表示システム |
| US9312314B2 (en) * | 2012-02-02 | 2016-04-12 | Koninklijke Philips N.V. | Light apparatus for generating light |
| KR101335527B1 (ko) * | 2012-02-23 | 2013-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| TWI498220B (zh) | 2012-10-31 | 2015-09-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其製造方法 |
| KR102059167B1 (ko) | 2013-07-30 | 2020-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN103594333A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种透明电容的制造方法 |
| KR102273443B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| CN103943660B (zh) * | 2014-04-02 | 2017-10-27 | 上海中航光电子有限公司 | 一种显示装置 |
| EP2963687B1 (en) * | 2014-07-03 | 2020-03-18 | LG Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| KR102296945B1 (ko) * | 2014-07-04 | 2021-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102289934B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2021-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 센서를 포함하는 표시 장치 |
| KR102520854B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2023-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| TWI590215B (zh) * | 2016-07-11 | 2017-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN109427848B (zh) * | 2017-08-30 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
| KR102675918B1 (ko) | 2018-10-24 | 2024-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스토리지 캐패시터, 이를 이용한 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20200113118A (ko) * | 2019-03-22 | 2020-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN113451532B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 发光器件、阵列基板、显示面板及像素电路 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720778A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display unit |
| US5631664A (en) * | 1992-09-18 | 1997-05-20 | Olympus Optical Co., Ltd. | Display system utilizing electron emission by polarization reversal of ferroelectric material |
| JP2821347B2 (ja) * | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
| JP3813217B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2689917B2 (ja) * | 1994-08-10 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
| US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP31382397A patent/JP3530362B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-16 US US08/991,180 patent/US6046547A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-17 EP EP97122328A patent/EP0849721A3/en not_active Withdrawn
- 1997-12-19 CN CN97108771A patent/CN1112034C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0849721A2 (en) | 1998-06-24 |
| US6046547A (en) | 2000-04-04 |
| CN1188368A (zh) | 1998-07-22 |
| CN1112034C (zh) | 2003-06-18 |
| JPH10232628A (ja) | 1998-09-02 |
| EP0849721A3 (en) | 2003-11-12 |
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