JP3522845B2 - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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Description
晶表示パネルに関し、特に表示品位の高い液晶表示パネ
ルに関する。
位の高い画像を得るために、薄膜トランジスタをスイッ
チング素子として用いたアクティブマトリクス駆動方式
の表示装置の開発がさかんである。これは、スイッチン
グ素子のない単純マトリクス駆動方式に比べて、走査電
極数に関係なく高いコントラスト比が得られるため、解
像度が高い大容量表示においても、鮮明な画像が得られ
るからである。
晶表示装置に於て、広く用いられている液晶表示モード
に、TN(Twisted Nematic )方式のNW(Normally W
hite)モードがある。TN方式は、基板間で液晶分子が
90゜捻れた構成をもつ液晶パネルを、2枚の偏光板に
よりはさんだものである。また、2枚の偏光板の偏光軸
方向が、互いに直交し、かつ一方の偏光板はその偏光軸
が、一方の基板に接している液晶分子の長軸方向と平行
か垂直になるように貼り合わせているモードがNWモー
ドである。このTN方式のNWモードの場合、基板間に
電圧無印加またはあるしきい値電圧付近の低電圧印加に
おいて白表示、それより高い電圧において黒表示とな
る。
パネルに電圧を印加すると液晶分子は捻れ構造をほどき
ながら、電界の向きに配列しようとし、この分子の配列
状態により、パネルを通過してくる光の偏光特性が変わ
り、光の透過率が変調されるからである。この偏光特性
を変化させる作用を有するものが、液晶の複屈折性であ
るが、通常TN方式に使用される液晶分子は棒状に例え
られ、その棒状分子の長軸方向に光軸を1つ持つ複屈折
媒体であり、図9(a)のように、長軸方向の屈折率2
2は、短軸方向の屈折率23よりも大きいような、液晶
分子4に対する屈折率楕円体24を持つ。
図9(b)の光線進行方向25に対する屈折率異方性Δ
n’と液晶層の厚みd’との積である、リタデーション
R=Δn’・d’がある。Δn’の大きさは、光線進行
方向25を法線に持つ平面と屈折率楕円体24との交線
で表される楕円の、長軸26と短軸27との長さの差と
して表すことができる。
電圧を印加すると、理想的には全ての液晶分子は電圧印
加方向(基板法線方向)にその長軸が向く。したがっ
て、基板法線方向に入射した光は、ちょうど液晶分子の
光軸方向に進行するので、Δn’=0となり、リタデー
ションRは生じない。このため、液晶パネルは入射側偏
光板により偏光された直線偏光に何の変化ももたらさ
ず、出射側偏光板により完全に遮蔽され、光は透過され
ず全くの黒表示が得られるのである。
でのTN型液晶表示装置では、以下のような問題が生じ
る。NWモードの場合、電圧を印加して液晶分子が基板
面に対して完全に垂直に立ち上がれば、基板に垂直な方
向から見て真の黒となるものである。しかしながら、こ
のように液晶分子が完全に立ち上がっても、偏光板の偏
光軸の方位とずれた角度で、かつ基板法線に対して傾い
た角度で光が入射すると、もはや真の黒とはならなくな
る。この現象は、NWモードの場合、偏光軸から45゜
ずれた方位においてもっとも顕著である。これは、この
ような斜めに入射した光は、液晶分子の光軸に対して傾
いて進行するため、Δn’が0にはならず、したがって
リタデーションRも0ではなくなり、入射直線偏光を変
化させてしまうために、出射側偏光板をわずかに透過す
る成分を持ち、真の黒とはならなくなるからである。
0に示すように、理想的に液晶分子4がすべて基板法線
方向9に立ち上がったと仮定した液晶パネルに、入射側
偏光板8aの偏光軸7aから45゜ずれた方位で、かつ
基板法線に対し入射角θをもった光線28が入射したと
する。このときの、入射直線偏光が液晶パネルを経て、
入射側偏光板8aの偏光軸7aに対して直交方向の偏光
軸7bを有する出射側偏光板8bを透過した後での透過
率Tと、入射角θとの間には、図11に示すような関係
を持つ。このときの液晶パネルのΔn・d=0.5μm
である。
黒表示を行った場合、入射角依存性即ち視角依存性が著
しく大きいことがわかる。実際には電圧をかなり印加し
ても、基板界面付近の液晶分子は、基板との相互作用が
強く立ち上がりにくく、液晶層中心部の液晶分子も完全
には立ち上がることはなく、黒表示での視角依存性はさ
らに顕著である。
ネルは、見る角度によって、その表示画面の明るさが異
なるので、非常に表示品位を損ない、見づらいものとな
っている。この発明は上記問題点に鑑み、黒表示時にお
いて視角依存性が少ない表示を実現できる液晶表示パネ
ルを提供することを目的とする。
パネルは、表面にストライプ状の複数の絶縁膜を設け、
この複数の絶縁膜のうち隣あう絶縁膜上に第1および第
2の電極を平行に設けた第1の基板と、第1の基板の表
面を内側にして第1の基板と対向配置した第2の基板
と、第1および第2の基板間に挟持され基板面に対して
水平方向に液晶分子が配向したネマティック液晶と、第
1および第2の基板の両外側に配置され互いの偏光軸が
直交する一対の偏光板とを備え、第1および第2の電極
間に電圧を印加するようにしたものである。
ストライプ状の第1の絶縁膜を設け、この第1の絶縁膜
上に線状の第1の電極を設けた第1の基板と、表面にス
トライプ状の第2の絶縁膜を設け、この第2の絶縁膜上
に線状の第2の電極を設けた第2の基板と、第1および
第2の基板の表面を内側にして対向配置した基板間に挟
持され基板面に対して水平方向に液晶分子が配向したネ
マティック液晶と、第1および第2の基板の両外側に配
置され互いの偏光軸が直交する一対の偏光板とを備え、
第1の電極と第2の電極とは対向位置からずれた位置で
平行に配置し、第1および第2の電極間に電圧を印加す
るようにしたものである。
1または2記載の液晶表示パネルにおいて、ネマティッ
ク液晶の液晶分子長軸方向が第1および第2の電極と略
平行となるように、第1および第2の基板上に水平配向
処理を施したことを特徴とする。請求項4記載の液晶表
示パネルは、表面のマトリクス状に配置される複数の表
示領域を除く領域に第1の絶縁膜を設け、この第1の絶
縁膜上に各表示領域に対応した線状の絵素電極を設け、
第1の絶縁膜上に表示領域を挟んで絵素電極に平行な共
通電極を設け、第1の絶縁膜上に絵素電極に接続された
スイッチング素子を設け、第1の絶縁膜上にスイッチン
グ素子を介して絵素電極に信号を供給する信号電極を設
け、第1の絶縁膜上にスイッチング素子のスイッチング
制御を行うゲート電極を設けた第1の基板と、第1の基
板の表面を内側にして第1の基板と対向配置した第2の
基板と、第1および第2の基板間に挟持され基板面に対
して水平方向に液晶分子が配向したネマティック液晶
と、一対の基板の両外側に配置され互いの偏光軸が直交
する一対の偏光板とを備えている。
マトリクス状に配置される複数の表示領域を除く領域に
第1の絶縁膜を設け、この第1の絶縁膜上に各表示領域
に対応した線状の絵素電極を設け、第1の絶縁膜上に絵
素電極に接続されたスイッチング素子を設け、第1の絶
縁膜上にスイッチング素子を介して絵素電極に信号を供
給する信号電極を設け、第1の絶縁膜上にスイッチング
素子のスイッチング制御を行うゲート電極を設けた第1
の基板と、表面の表示領域を除く領域に第2の絶縁膜を
設け、この第2の絶縁膜上に表示領域を挟んで絵素電極
に平行な共通電極を設けた第2の基板と、第1および第
2の基板の表面を内側にして対向配置した基板間に挟持
され基板面に対して水平方向に液晶分子が配向したネマ
ティック液晶と、第1および第2の基板の両外側に配置
され互いの偏光軸が直交する一対の偏光板とを備えてい
る。
4または5記載の液晶表示パネルにおいて、ネマティッ
ク液晶の液晶分子長軸方向が共通電極および絵素電極と
略平行となるように、第1および第2の基板上に水平配
向処理を施したことを特徴とする。
および第2の電極間に電圧を印加すること、あるいは表
示領域を挟んで平行に配置した共通電極と絵素電極との
間に電圧を印加することにより、基板に対してほぼ水平
方向に電圧が印加される。このため、基板上に水平配向
された液晶分子は、電圧印加の増加に伴って、その長軸
が基板法線方向を回転軸とするような動きで回転する。
そして高い電圧印加状態では、液晶分子は電界方向に向
こうとする。このような電圧印加による液晶分子の変形
により、液晶パネルを透過する光の偏光が変調されて、
表示ができるのである。
向している液晶分子4の長軸の向きと、液晶パネルの両
面に貼られた偏光板のうち、入射側偏光板8aの偏光軸
7aの向きを等しく配置する。そして、出射側偏光板8
bの偏光軸7bを、これに直交させて配置すれば、この
ときに黒表示が得られる。この黒表示において、液晶パ
ネルに入射する光線28の入射角θを変化させるとき、
変化させる方向を偏光軸の方位と一致させた場合には、
液晶分子4による複屈折は全く生じないので、垂直入射
したときの黒と変わりのない黒を得ることができる。一
方、入射角θに対して、この黒の状態が白く浮き上がっ
て変化するもっとも顕著な方位は、偏光軸に対して45
゜の方位のときである。このもっとも激しい方位での黒
表示による視角依存性においても、その入射角θに対す
る透過率の変化は、図5に示すように、余程液晶パネル
を斜めから見ない限り、黒の透過率はほとんど変化せ
ず、非常に視角の広い黒表示が得られることがわかる。
である。上下基板界面の液晶分子の配向方位は等しい
か、180度向いている。そして基板界面の液晶分子
は、配向規制力によって強い束縛を受けるので動かな
い。しかし基板間の液晶分子は、一方の基板から離れる
にしたがって大きくある向きにねじれ、基板間のある部
分で電極に垂直方向の方位となる。そして、さらに他方
の基板に近づくと、ある向きと逆の向きにねじれてい
き、他方の基板界面で液晶分子は初期の配向方位とな
る。このような配向状態により、白表示が得られる。
場合、一方の基板付近程電界は強く、他方の基板付近で
は弱い電界となる。このとき、一方の基板上の液晶分子
は強い配向規制力により、強い電界にもかかわらず動か
ない。したがって、基板間の分子変形は、印加電圧の割
には大きくねじれず、偏光変調も小さくなる可能性があ
る。このことは、高い電圧を印加しても表示があまり明
るくならないことを暗示している。そこで、この発明で
は電極を基板上に直接設けるのではなく、所望の厚みを
有した絶縁膜を基板上に形成した後、絶縁膜上に電極を
形成するものである。さらに電極間の絶縁膜を取り除け
ば、電極は上下両基板と隔てた部位に形成でき、液晶分
子は基板界面まで充填される。したがって、最も電界強
度の強い部分の液晶分子は、基板界面から離れているの
で、束縛を受けず大きく変形することが可能となる。
非常に明るい表示が実現できるのである。尚、基板と電
極との間隔、即ち絶縁膜の厚みは、あまり薄すぎると効
果はないので、基板間の間隙に充填された液晶層の厚み
が3μm以上のときは、少なくとも0.5μm以上は必
要である。
て、図面を参照しながら説明する。図1(a)はこの発
明の第1の実施例の液晶表示パネルの構成断面図、図1
(b)は同液晶表示パネルの構成平面図である。
基板(第2の基板)1bとの間に、基板面に対して水平
方向に液晶分子4が配向したネマティック液晶を挟持し
ている。一方の基板1aの内側面には、表示領域を除い
てストライプ状に形成した複数の窒化珪素膜(絶縁膜)
20と、表示領域を挟んで隣あう窒化珪素膜20上に平
行に配置した第1および第2の電極2A,2Bとを設け
ている。そして、一対の基板1a,1bの両外側には互
いの偏光軸7a,7b(図3)が直交する一対の偏光板
8a,8b(図3)を備え、電極2A,2B間に電圧を
印加するようにしている。また、液晶分子4の長軸方向
が電極2A,2Bと略平行となるように、ラビング処理
を施したポリイミド配向膜3a,3bを基板1a,1b
上に設けている。
A,2Bの全体の構成を示す図である。この図2では、
第1の電極2Aの一端を相互に短絡してこの第1の電極
2Aを走査電極とし、第2の電極2Bを信号電極とし、
第1の電極2A,2A間を1つの画素領域30としてい
る。このように構成される液晶表示パネルの製造方法を
説明する。
マCVD法により窒化珪素膜を約500nm形成した
後、アルミニウムを全面に約1μmの厚さになるように
蒸着した。次に、幅が5μmで線状のパターンが15μ
mの間隔で描かれているマスクを用いて、アルミニウム
をフォトリソグラフィ法により、パターニングを行い電
極2A,2Bを形成した。さらに幅が7μmで線状のパ
ターンが13μmの間隔で描かれているマスクを用い
て、窒化珪素膜をフォトリソグラフィ法により、アルミ
ニウム電極2A,2Bの真下の窒化珪素膜20が残存す
るようにパターニングを行った。この結果、図1のよう
に幅6μm、高さ500nmの窒化珪素膜20の上に、
幅4μm、高さ1μmのアルミニウム電極2A,2Bが
16μmの間隔を保って形成された。この電極2A,2
Bの形成された基板1aの全面に、ポリイミド配向膜3
aを印刷法により塗布し、硬化乾燥させた後、レーヨン
布を用いて、電極2A,2Bに平行な方向と約1゜の角
度をなすような方向に、ラビング処理を行った。さら
に、ガラス基板1a上に粒径4.5μmのガラスビーズ
18を分散した。
リイミド配向膜3bを塗布し、硬化乾燥させた後、レー
ヨン布を用いてラビング処理を行った。この時のラビン
グ処理方向は、電極2A,2Bの形成された基板1aと
貼り合わせたときに、液晶分子がホモジニアス配向とな
るような方向で行った。これらの、電極2A,2Bの形
成された基板1aと、もう一方の透明なガラス基板1b
とを、配向膜3a,3bの形成された側の面を互いに向
かい合わせて貼り合わせたところ、上下基板1a,1b
間では5μmの間隔を保ったセルを作製することができ
た。このようにして作製されたセルにメルク社製のネマ
ティック液晶でΔnが0.095であるZLI−479
2を、5μmの間隙に注入し、液晶パネル5を得た。
ネル5の外側の一方の面に、ラビング方向6(電圧無印
加時に水平配向している液晶分子4の長軸方向)と平行
になるように偏光軸7aを設定した入射側偏光板8aを
設け、もう一方の面には、偏光軸7bが入射側偏光板8
aの偏光軸7aと直交するように出射側偏光板8bを設
けた。
晶パネル5の基板法線方向9に、光を入射させたとこ
ろ、出射側偏光板8bにより全く光は遮断され、良好な
黒表示が得られた。この黒表示において、液晶パネルに
入射する光線28の入射角θを変化させるとき、変化さ
せる方向を偏光軸7aの方位と一致させた場合には、液
晶分子4による複屈折は全く生じないので、垂直入射し
たときの黒と変わりのない黒を得ることができる。一
方、入射角θに対して、この黒の状態が白く浮き上がっ
て変化するもっとも顕著な方位は、偏光軸7aに対して
45゜の方位のときである。
5゜の角度をなす方位において、光の入射角θを変化さ
せて、出射側偏光板8bを透過してくる光量を測定した
ところ、図5のような透過率−入射角曲線が得られ、入
射角40゜以内においては透過率10%以下と、広い入
射角範囲において、良好な黒が得られ、視角特性の広い
ことが判明した。
2A,2B間に30Hzの矩形波を印加したところ、液
晶パネルの透過率は増加しはじめ、約6Vの電圧のとき
に、非常に明るい表示が得られた。この時の中心部の明
るさは、出射側偏光板8bの偏光軸7bを入射側偏光板
8aの偏光軸7aと平行に配置して、液晶パネル5に電
圧を印加しないときに測定した透過率に対して、85%
の透過率を有していることがわかった。
は、白黒ともに良好でコントラスト比が高く、また黒表
示時の視角特性も広い、優れた画像を得ることができ
た。 〔第2の実施例〕以下、この発明の第2の実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。図6(a)はこの発
明の第2の実施例の液晶表示パネルの構成断面図、図6
(b)は同液晶表示パネルの構成平面図である。
電極2A,2Bと基板1aとの間の絶縁膜として、窒化
珪素膜20の代わりに、ポリイミド膜21を形成したこ
とである。その他の構成は第1の実施例と同様である。
この実施例の液晶表示パネルの製造方法を説明する。第
1の実施例と異なる点は、絶縁膜を形成する過程が、窒
化珪素膜をプラズマCVDで形成するのではなく、ポリ
イミドを印刷方式により塗布するところにある。印刷に
は、凹版オフセット方式を採用した。凹版は幅が8μm
でピッチが12μmの線状の溝が形成されたものであ
る。まず、凹版上のポリイミド前駆体溶液を、シリコン
ブランケットにより、透明なガラス基板1a上に転写し
た。この後、250℃で約1時間加熱して硬化し、ポリ
イミド膜21を形成した。得られたポリイミド膜21の
厚さは約0.5μmであり、幅は約10μmで10μm
の間隔で形成されていた。次にアルミニウムを全面に約
1μmの厚さになるように蒸着した後、幅が5μmで線
状のパターンが15μmの間隔で描かれているマスクを
用いて、アルミニウムをポリイミド膜21の真上に残存
するようにパターニングを行い電極2A,2Bを形成し
た。この結果、図6のように幅10μm、高さ0.5μ
mのポリイミド膜21の上に、幅4μm、高さ1μmの
アルミニウム電極2A,2Bが16μmの間隔を保って
形成された。
に、ポリイミド配向膜3aを印刷法により基板全面に塗
布し、硬化乾燥させた後、レーヨン布を用いて、電極2
A,2Bに平行な方向と約1゜の角度をなすような方向
に、ラビング処理を行った。さらに、ガラス基板1a上
に粒径4.5μmのガラスビーズ18を分散した。もう
一方の透明なガラス基板1bにも、ポリイミド配向膜3
bを塗布し、硬化乾燥させた後、レーヨン布を用いてラ
ビング処理を行った。この時のラビング処理方向は、電
極2A,2Bの形成された基板1aと貼り合わせたとき
に、液晶分子がホモジニアス配向となるような方向で行
った。
板1aと、もう一方の透明なガラス基板1bとを、配向
膜3a,3bの形成された側の面を互いに向かい合わせ
て貼り合わせたところ、上下基板1a,1b間では5μ
mの間隔を保ったセルを作製することができた。このよ
うにして作製されたセルにメルク社製のネマティック液
晶でΔnが0.095であるZLI−4792を、5μ
mの間隙に注入し、液晶パネル5を得た。
うに、液晶パネル5の外側の一方の面に、ラビング方向
6と平行になるように偏光軸7aを設定した入射側偏光
板8aを設け、もう一方の面には、偏光軸7bが入射側
偏光板8aの偏光軸7aと直交するように出射側偏光板
8bを設けた。このような偏光板8a,8bで挟まれた
液晶パネル5の基板法線方向9に、光を入射させたとこ
ろ、出射側偏光板8bにより全く光は遮断され、良好な
黒表示が得られた。次に、入射側偏光板8aの偏光軸7
aと45゜の角度をなす方位において、光の入射角を変
化させて、出射側偏光板8bを透過してくる光量を測定
したところ、第1の実施例の図5と同じような透過率−
入射角曲線が得られ、やはり視角特性の広いことが判明
した。
2A,2B間に30Hzの矩形波を印加したところ、液
晶パネルの透過率は増加しはじめ、約6Vの電圧のとき
に、第1の実施例と同じように非常に明るい表示が得ら
れた。以上のように第1および第2の実施例によれば、
表示領域を挟んで平行に配置した第1および第2の電極
2A,2B間に電圧を印加することにより、基板1a,
1bに対してほぼ水平方向に電圧が印加される。このた
め、基板上に水平配向された液晶分子4は、電圧印加の
増加に伴って、その長軸が基板法線方向9を回転軸とす
るような動きで回転することができ、このためにとくに
黒表示時における視角特性を大幅に広げることができ、
かつ印加電圧の大きさに応じて表示画像の明るさを連続
的に変化させることができるので、階調表示が可能な高
画質な映像表示を得ることが可能となる。
A,2Bと基板1aとの間の絶縁膜として窒化珪素膜2
0,ポリイミド膜21を用いたが、他にカラーフィルタ
ーに用いられるメタクリル樹脂や、ポリウレタン樹脂、
またはアクリル樹脂のようなものでも、印刷でパターン
形成でき、同様な構成の液晶表示パネルが作製できる。
また、第1,第2の実施例では、一方の基板1a上にの
み電極2A,2Bと絶縁膜(20,21)を配置した
が、第1の電極2Aを基板1a上に形成し、第2の電極
2Bを基板1b上に形成するというように、第1および
第2の電極2A,2Bを対向位置からずらして2つの基
板1a,1b上に配置してもよい。なお、この場合も電
極2A,2Bと基板1a,1bとの間には絶縁膜を配置
する。
実施例について図面を参照しながら説明する。図7
(a)はこの発明の第3の実施例の液晶表示パネルの構
成平面図、図7(b)は同液晶表示パネルの構成断面図
である。この実施例は、基板(第1の基板)1aと基板
(第2の基板)1bとの間に、基板面に対して水平方向
に液晶分子4が配向したネマティック液晶を挟持してい
る。一方の基板1aの内側面には、マトリクス状に配置
された表示領域を除いて形成した窒化珪素膜(絶縁膜)
20と、窒化珪素膜20上に表示領域を挟んで平行に配
置し相互に短絡した複数の共通電極14と、窒化珪素膜
20上に各共通電極14に対して表示領域を挟んで平行
に配置した複数の絵素電極15と、窒化珪素膜20上に
配置され各絵素電極15に接続された薄膜トランジスタ
(スイッチング素子)13と、窒化珪素膜20上に配置
され薄膜トランジスタ13を介して絵素電極15に信号
を供給するソース電極(信号電極)11と、窒化珪素膜
20上に配置され薄膜トランジスタ13のスイッチング
制御を行うゲート電極10とを設けている。そして、一
対の基板1a,1bの両外側に互いの偏光軸7a,7b
(図3)が直交する一対の偏光板8a,8b(図3)を
備えている。また、液晶分子4の長軸方向が共通電極1
4および絵素電極15と略平行となるように、ラビング
処理を施したポリイミド配向膜(図示せず)を基板1
a,1b上に設けている。
造方法を説明する。まず、ガラス基板1aの上に窒化珪
素膜を約500nm形成した。次にクロムを蒸着し、フ
ォトエッチングによりゲート電極10を形成した。次に
ゲート絶縁膜として二酸化珪素と窒化珪素をプラズマC
VD法により約200nmの厚さに積層した。さらに同
じくプラズマCVD法によりアモルファスシリコン層を
約50nmの厚さに形成した。このアモルファスシリコ
ン層をフォトエッチングして、薄膜トランジスタ13を
形成した。次にアルミニウムを蒸着により約1μm形成
した後、フォトエッチングにより、ソース電極11と、
引出し電極(図示せず)で短絡されている線状の共通電
極14と、絵素電極15とを形成した。この後、電極1
0,11,14,15の無い部分の窒化珪素と二酸化珪
素を、フォトエッチングにより除去すると、ガラス基板
1a上に窒化珪素膜20を介して、電極10,11,1
4,15等が形成された構成となった。なお、この実施
例では、図7(b)のように断面から見た窒化珪素膜2
0の幅は28μmであり、隣あう窒化珪素膜20,20
の間隔は7μmであり、窒化珪素膜20上の電極11,
14,15の幅は4μm,高さは1μmである。また、
隣あう窒化珪素膜20,20上に形成された共通電極1
4と絵素電極15との間隔は15μmにしている。
に、ポリイミド配向膜(図示せず)を印刷法により塗布
し、硬化乾燥させた後、レーヨン布を用いて、電極1
4,15に平行な方向と約1゜の角度をなすような方向
に、ラビング処理を行った。もう一方の透明なガラス基
板1bにも、ポリイミド配向膜(図示せず)を塗布し、
硬化乾燥させた後、レーヨン布を用いてラビング処理を
行った。この時のラビング処理方向は、電極の形成され
た基板1aと貼り合わせたときに、液晶分子4がホモジ
ニアス配向となるような方向で行った。さらに、ガラス
基板1b上に粒径3μmのガラスビーズ18を分散し
た。
もう一方のガラスビーズ18の分散された透明なガラス
基板1bとを、電極10,11,14,15等を内側に
して貼り合わせたところ、4.7μmの間隔を保ったセ
ルを作製することができた。このようにして作製された
セルにメルク社製のネマティック液晶でΔnが0.09
5であるZLI−4792を、4.7μmの間隙に注入
し、液晶パネル5を得た。
うに、液晶パネル5の外側の一方の面に、ラビング方向
と平行になるように偏光軸7aを設定した入射側偏光板
8aを設け、もう一方の面には、偏光軸7bが入射側偏
光板8aの偏光軸7aと直交するように出射側偏光板8
bを設けた。このような偏光板8a,8bで挟まれた液
晶パネルの基板法線方向9に、光を入射させたところ、
出射側偏光板8bにより全く光は遮断され、良好な黒表
示が得られた。次に、入射側偏光板8aの偏光軸7aと
45゜の角度をなす方位において、光の入射角を変化さ
せて、出射側偏光板8bを透過してくる光量を測定した
ところ、第1の実施例の図5の透過率−入射角曲線と同
じ様な特性が得られ、やはり視角特性の広いことが判明
した。
毎に30μsだけ薄膜トランジスタ13のスイッチング
がon状態となるような走査信号を印加しながら、ソー
ス電極11と共通電極14との間に16.7ms毎に極
性の変化する矩形波を印加する、アクティブマトリクス
駆動により液晶パネル5を動作させた。ソース電極11
−共通電極14間の矩形波の電圧振幅を増加させてゆく
と、これに応じて液晶パネル5の透過率は増加しはじ
め、実効電圧が約5.5Vのときに、非常に明るい表示
が得られた。この時の明るさは、90%の透過率を有し
ており、充分に明るい白表示が得られることがわかっ
た。
実施例について図面を参照しながら説明する。図8
(a)はこの発明の第4の実施例の液晶表示パネルの構
成平面図、図8(b)は同液晶表示パネルの構成断面図
である。この実施例が第3の実施例と異なる点は、共通
電極14を基板1b上に配置したことであり、共通電極
14と基板1bとの間には窒化珪素膜20′を配置して
いる。その他の構成は第3の実施例と同様である。
説明する。この実施例では、薄膜トランジスタ13を形
成するまでは、第3の実施例と全く同じである。なお、
窒化珪素膜20は第1の絶縁膜に対応する。薄膜トラン
ジスタ13を形成した後、アルミニウムを蒸着により約
1μm形成し、フォトエッチングにより、ソース電極1
1と絵素電極15とを形成した。この後、第1の実施例
同様、電極10,11,15の無い部分の窒化珪素と二
酸化珪素をフォトエッチングにより除去した。そして、
電極10,11,15の形成された基板1aの全面に、
ポリイミド配向膜(図示せず)を印刷法により塗布し、
硬化乾燥させた後、レーヨン布を用いて、電極11,1
5に平行な方向と約1゜の角度をなすような方向に、ラ
ビング処理を行った。
化珪素膜を約500nm形成した。次にアルミニウムを
約1μm形成した後、フォトエッチングにより引出し電
極(図示せず)で短絡されている線状の共通電極14を
形成した。この後、窒化珪素膜をフォトエッチングによ
り除去してパターン化した窒化珪素膜(第2の絶縁膜)
20′とした。この電極14の形成された基板1bに
も、ポリイミド配向膜(図示せず)を塗布し、硬化乾燥
させた後、レーヨン布を用いてラビング処理を行った。
この時のラビング処理方向は、電極10,11,15の
形成された基板1aと貼り合わせたときに、液晶分子4
がホモジニアス配向となるような方向で行った。さら
に、ガラス基板1b上に粒径3μmのガラスビーズ18
を分散した。
の形成された面を互いに向かい合わせて貼り合わせたと
ころ、4.7μmの間隔を保ったセルを作製することが
できた。このようにして作製されたセルにメルク社製の
ネマティック液晶でΔnが0.095であるZLI−4
792を、4.7μmの間隙に注入し、液晶パネル5を
得た。
うに、液晶パネル5の両側に偏光板8a,8bを貼合わ
せ、液晶パネル5の基板法線方向9に光を入射させたと
ころ、出射側偏光板8bにより、全く光は遮断され良好
な黒表示が得られた。透過率−入射角曲線も図5と同様
であり、やはり視角特性の広いことが判明した。次に、
第3の実施例と同様に、アクティブマトリクス駆動によ
り、液晶パネル5を動作させたところ、ソース電極11
−共通電極間14の矩形波の電圧振幅を増加させてゆく
と、これに応じて液晶パネル5の透過率は増加しはじ
め、実効電圧が約5.5Vのときに、非常に明るい表示
が得られた。また、この時の液晶パネルの透過率も92
%を有していることが確認された。
れば、表示領域を挟んで平行に配置した共通電極14と
絵素電極15との間に電圧を印加することにより、基板
1a,1bに対してほぼ水平方向に電圧が印加される。
このため、基板上に水平配向された液晶分子4は、電圧
印加の増加に伴って、その長軸が基板法線方向9を回転
軸とするような動きで回転することができ、このために
とくに黒表示時における視角特性を大幅に広げることが
でき、かつ印加電圧の大きさに応じて表示画像の明るさ
を連続的に変化させることができるので、階調表示が可
能な高画質な映像表示を得ることが可能となる。
珪素膜20,20′の代わりに、ポリイミド,メタクリ
ル樹脂,ポリウレタン樹脂またはアクリル樹脂等の絶縁
膜を用いてもよい。また、第1〜第4の実施例におい
て、窒化珪素膜20,20′、ポリイミド膜21の厚み
は、基板間の間隙に充填された液晶層の厚みが3μm以
上のときは、少なくとも0.5μm以上は必要である。
配置した第1および第2の電極間に電圧を印加するこ
と、あるいは表示領域を挟んで平行に配置した共通電極
と絵素電極との間に電圧を印加することにより、基板に
対してほぼ水平方向に電圧が印加される。このため、基
板上に水平配向された液晶分子は、電圧印加の増加に伴
って、その長軸が基板法線方向を回転軸とするような動
きで回転することができ、このためにとくに黒表示時に
おける視角特性を大幅に広げることができ、かつ印加電
圧の大きさに応じて表示画像の明るさを連続的に変化さ
せることができるので、階調表示が可能な高画質な映像
表示を得ることが可能となる。
成断面図と構成平面図である。
極の全体の構成を示す図である。
ルの偏光板と液晶パネルとの配置関係を示す図である。
ルの光学特性を表わす概念図である。
ルの黒表示における視角特性図である。
成断面図と構成平面図である。
成平面図と構成断面図である。
成平面図と構成断面図である。
概念図である。
角特性図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 表面にストライプ状の複数の絶縁膜を設
け、この複数の絶縁膜のうち隣あう絶縁膜上に第1およ
び第2の電極を平行に設けた第1の基板と、 前記第1の基板の表面を内側にして前記第1の基板と対
向配置した第2の基板と、 前記第1および第2の基板間に挟持され前記基板面に対
して水平方向に液晶分子が配向したネマティック液晶
と、 前記第1および第2の基板の両外側に配置され互いの偏
光軸が直交する一対の偏光板とを備え、 前記第1および第2の電極間に電圧を印加するようにし
た液晶表示パネル。 - 【請求項2】 表面にストライプ状の第1の絶縁膜を設
け、この第1の絶縁膜上に線状の第1の電極を設けた第
1の基板と、 表面にストライプ状の第2の絶縁膜を設け、この第2の
絶縁膜上に線状の第2の電極を設けた第2の基板と、 前記第1および第2の基板の表面を内側にして対向配置
した基板間に挟持され前記基板面に対して水平方向に液
晶分子が配向したネマティック液晶と、 前記第1および第2の基板の両外側に配置され互いの偏
光軸が直交する一対の偏光板とを備え、 前記第1の電極と前記第2の電極とは対向位置からずれ
た位置で平行に配置し、前記第1および第2の電極間に
電圧を印加するようにした液晶表示パネル。 - 【請求項3】 ネマティック液晶の液晶分子長軸方向が
第1および第2の電極と略平行となるように、第1およ
び第2の基板上に水平配向処理を施したことを特徴とす
る請求項1または2記載の液晶表示パネル。 - 【請求項4】 表面のマトリクス状に配置される複数の
表示領域を除く領域に第1の絶縁膜を設け、この第1の
絶縁膜上に各表示領域に対応した線状の絵素電極を設
け、前記第1の絶縁膜上に前記表示領域を挟んで前記絵
素電極に平行な共通電極を設け、前記第1の絶縁膜上に
前記絵素電極に接続されたスイッチング素子を設け、前
記第1の絶縁膜上に前記スイッチング素子を介して前記
絵素電極に信号を供給する信号電極を設け、前記第1の
絶縁膜上に前記スイッチング素子のスイッチング制御を
行うゲート電極を設けた第1の基板と、 前記第1の基板の表面を内側にして前記第1の基板と対
向配置した第2の基板と、 前記第1および第2の基板間に挟持され前記基板面に対
して水平方向に液晶分子が配向したネマティック液晶
と、 前記一対の基板の両外側に配置され互いの偏光軸が直交
する一対の偏光板とを備えた液晶表示パネル。 - 【請求項5】 表面のマトリクス状に配置される複数の
表示領域を除く領域に第1の絶縁膜を設け、この第1の
絶縁膜上に各表示領域に対応した線状の絵素電極を設
け、前記第1の絶縁膜上に前記絵素電極に接続されたス
イッチング素子を設け、前記第1の絶縁膜上に前記スイ
ッチング素子を介して前記絵素電極に信号を供給する信
号電極を設け、前記第1の絶縁膜上に前記スイッチング
素子のスイッチング制御を行うゲート電極を設けた第1
の基板と、 表面の前記表示領域を除く領域に第2の絶縁膜を設け、
この第2の絶縁膜上に前記表示領域を挟んで前記絵素電
極に平行な共通電極を設けた第2の基板と、 前記第1および第2の基板の表面を内側にして対向配置
した基板間に挟持され前記基板面に対して水平方向に液
晶分子が配向したネマティック液晶と、 前記第1および第2の基板の両外側に配置され互いの偏
光軸が直交する一対の偏光板とを備えた液晶表示パネ
ル。 - 【請求項6】 ネマティック液晶の液晶分子長軸方向が
共通電極および絵素電極と略平行となるように、第1お
よび第2の基板上に水平配向処理を施したことを特徴と
する請求項4または5記載の液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21095794A JP3522845B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21095794A JP3522845B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0876107A JPH0876107A (ja) | 1996-03-22 |
JP3522845B2 true JP3522845B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=16597918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21095794A Expired - Lifetime JP3522845B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3522845B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9575379B2 (en) | 2014-07-10 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001069311A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides et son procede de fabrication, procede d'excitation d'affichage a cristaux liquides |
JP5674587B2 (ja) | 2011-08-05 | 2015-02-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP21095794A patent/JP3522845B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US9575379B2 (en) | 2014-07-10 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
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