JP3520424B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Description
さらに詳しくは、記録再生時における磁気ヘッドの偏摩
耗を効果的に抑制した磁気記録媒体に関する。
合剤樹脂、有機溶剤およびその他の必要成分からなる磁
性塗料を、ポリエステルフィルムなどの基体フィルム上
に塗布、乾燥して、塗布型磁性層を形成するか、あるい
は、強磁性金属またはそれらの合金などの強磁性材を、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレ−ティングなど
の方法により基体フィルム上に被着して、強磁性金属薄
膜層を形成するなどしてつくられている。
図5および図6に示すように、Mn−Zn系フェライト
などの酸化物系磁性材料からなる一対の入り側コア6と
出側コア7とを接合してヘッド本体8を形成し、このヘ
ッド本体8の磁気記録媒体5と摺接する前面にギャップ
9を設けて構成され、飽和磁束密度を高めるため、ギャ
ップ9を形成する入り側コア6と出側コア7の端部に、
Fe−Al−Si軽合金、Co−Nb−Zr系アモルフ
ァス合金等の金属あるいは合金の軟磁性材料からなる数
十ミクロン厚みの膜10および11を形成し、さらに記
録を所定のトラック幅で行うため、ガラス等の非磁性材
料による充填部分12および13を設けている。
複合材料で構成された高密度磁気記録用の磁気ヘッド
を、表面を平滑にして記録密度を向上させた塗布型磁性
層や、強磁性金属薄膜層と繰り返し摺接させると、コア
本体に比べて摩耗しやすい金属あるいは合金の軟磁性材
料からなる膜10および11が先行して摩耗され、入り
側コア6と出側コア7の接合部分に摩耗段差が発生して
いわゆる偏摩耗が生じ、磁気ヘッドのギャップ部分9が
凹状に変形する。
強磁性金属薄膜層等の磁性層表面と磁気ヘッドのギャッ
プ9との間の間隙が拡大し、スペ−シング損失が大きく
なって記録再生出力の低下が生じ、偏摩耗による入り側
コア6と出側コア7の接合部分の段差がさらに大きくな
ると、付着物によるヘッド目づまりやキズ等が発生す
る。
性材料の充填部分12および13と入り側コア6と出側
コア7の接合部分との間でも同様な理由で発生して、ス
ペ−シング損失が大きくなったり、付着物によるヘッド
目づまりやキズ等が発生することもあり、このような偏
摩耗を少なくするため磁気ヘッドの改良が試みられてい
る(特開平1−102713)ものの、未だ偏摩耗を充
分に抑制することができない。
されたもので、磁性層表面の性状の改善によって、記録
再生時における磁気ヘッドの偏摩耗を効果的に抑制する
ことを目的とする。
ム上に、3次元表面粗さRaが5nm以下の少なくとも
1層の磁性層を設け、この磁性層の表面に、深さがこの
磁性層の3次元表面粗さRaの 5.5倍以上で、深さ中央
部の断面積が 0.8μm2 以上の凹所を、磁性層表面1m
m2 あたり10〜2000個設けて、凹所の深さ中央部
の断面積の平均値を125μm2 以下にすることによっ
て、記録再生時における磁気ヘッドの偏摩耗を効果的に
抑制することができるようにしたものである。
体フィルムとの間に非磁性層を設けたり、凹所を設けた
磁性層表面に潤滑剤を被着させたりすることによって、
記録再生時における磁気ヘッドの偏摩耗をさらに効果的
に抑制することができるようにしたものである。
模式図で示した図1を参照しながら説明する。図1にお
いて、1は3次元形状の磁性層表面を図示したものであ
り、2はこの磁性層表面1の平均面であって、3は磁性
層表面1に設けられた凹所である。
表面粗さRaは5nm以下にするのが好ましく、また凹
所3は、深さHをこの磁性層表面1の3次元表面粗さR
aの5.5倍以上とし、深さ中央部の平均面2に並行な断
面の断面積Sを 0.8μm2 以上にして、磁性層表面1m
m2 あたり10〜2000個設け、その断面積Sの平均
値が125μm2 以下となるようにするのが好ましく、
このような凹所3が磁性層表面1に形成されると、記録
再生時に磁性層表面1と摺接する際に生じる磁気ヘッド
の摩耗粉がこの凹所3に捕捉される。
磨剤のように働いて、耐摩耗性の低い部分が選択的に削
りとられることもなく、磁気ヘッドの入り側コアと出側
コアの接合部分に摩耗段差が発生するいわゆる偏摩耗が
効果的に抑制されて、スペ−シング損失が小さくなり、
記録再生出力が良好な磁気記録媒体が得られる。また、
磁気ヘッドの摩耗粉が付着したりしてヘッド目づまりや
キズ等が発生することもない。
さRaが5nmを超えると、粗面化による研磨性が増大
して凹所3の効果が減少し、また凹所3の深さHが磁性
層表面1の3次元表面粗さRaの 5.5倍未満であった
り、凹所3の中央部の平均面2に並行な断面の断面積S
が 0.8μm2 より小さかったりすると、偏摩耗の抑制効
果が少なくなって所期の効果が得られない。
の面積1mm2 あたり10個未満では偏摩耗の抑制効果
が激減して所期の効果が得られず、2000個を超えた
り、その深さ中央部の断面積Sの平均値が125μm2
を越えたりすると、磁性層面の荒れが無視できず、研磨
性が増して偏摩耗がむしろ増加傾向となり好ましくな
い。
を塗布層でもって形成した転写フィルムを用いて、磁性
層の表面にエンボス加工を施すなどの方法で形成され、
このエンボス加工は、図2に示すように、転写フィルム
4の凹凸面と磁気記録媒体5の磁性層面とが互いに接す
るように重ねて巻き取り、巻き取った状態で所定時間加
熱処理して行われる。また、この他、凹所3は、カレン
ダ−で磁性層の表面に直接エンボス加工を施したり、バ
ックコ−ト層の凹凸を利用するなど、種々の方法で形成
される。
合、磁性粉末を、結合剤樹脂、有機溶剤およびその他の
必要成分とともに混合分散して磁性塗料を調製し、この
磁性塗料を基体フィルム上に塗布、乾燥して形成され
る。
−Fe2 O3 粉末、Fe3 O4 粉末、γ−Fe2 O3 粉
末とFe3 O4 粉末の中間酸化物粉末、Co含有Fe3
O4粉末、CrO2 粉末、バリウムフェライト粉末、ス
トロンチウムフェライト粉末およびFe粉末、Co粉
末、Fe−Ni粉末などの金属粉末がいずれも好適なも
のとして使用される。
酢酸ビニル系共重合体、ポリビニルブチラ−ル系樹脂、
繊維素系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹
脂、イソシアネ−ト化合物など、従来、磁気記録媒体に
一般に使用されるているものがいずれも使用される。
ノン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなど、一般に磁気記録媒体に使
用される有機溶剤が単独または混合して用いられる。
潤滑剤、帯電防止剤など、一般に磁性塗料中に添加され
るものが、いずれも必要に応じて添加使用される。
は、強磁性材を、真空蒸着、イオンプレ−ティング、ス
パッタリング、メッキ等の手段によって基体フィルム上
に被着するなどの方法で形成される。
によって形成する場合、使用される磁性材料としては、
Co、Ni、Fe、Co−Ni、Co−Cr、Co−
P、Co−Ni−P、Fe−Ni、Fe−Coなど、一
般に、強磁性金属薄膜層を形成するとき使用される強磁
性材がいずれも使用され、これらの強磁性材で形成され
る強磁性金属薄膜層は、厚さを0.03〜1μmの範囲内に
するのが好ましい。
布型磁性層同士あるいは強磁性金属薄膜層同士を積層す
る他、塗布型磁性層と強磁性金属薄膜層とを、たとえ
ば、塗布型磁性層上に強磁性金属薄膜層を積層形成する
などの方法で、多層に積層形成してもよい。
ィルムとの間には、さらに非磁性層を形成してもよく、
この場合、非磁性層中に含有される潤滑剤が凹所3を介
して、効率よくかつ安定的に継続して、磁気ヘッドと磁
性層表面1との摺接部分に供給され、磁性層表面1の摩
擦係数が充分に低減されて、偏摩耗が一段と抑制され
る。
溶剤およびその他の必要成分とともに混合分散して非磁
性塗料を調製し、この非磁性塗料を基体フィルム上に1
層あるいは多層に塗布し、乾燥して形成され、結合剤樹
脂および有機溶剤は、前記の塗布型磁性層の形成に使用
したものと同じものが、いずれも好適に使用される。
は、炭化水素系潤滑剤、脂肪族化合物、フッ素系潤滑
剤、シリコ−ン系潤滑剤など、従来から一般的に使用さ
れているものがいずれも好適に使用される。
えば、流動パラフィン、スクアラン、ワックス等が挙げ
られ、脂肪族化合物としては、たとえば、ラウリン酸、
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の脂肪
酸、ステアリン酸−n−ブチル等が好適なものとして挙
げられる。
ば、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレ
ン、トリクロロフルオロエチレン、パ−フルオロポリエ
−テル、パ−フルオロアルキルポリエ−テル等が挙げら
れ、シリコ−ン系潤滑剤としては、たとえば、シリコ−
ンオイル、変性シリコ−ンオイル等が挙げられる。
潤滑剤を被着してもよく、磁性層表面1に潤滑剤を被着
すると、凹所3が潤滑剤の溜りとなり、この凹所3から
磁気ヘッドと磁性層表面1との摺接部分に潤滑剤が効果
的に補給されて、磁性層表面1の摩擦係数が充分に低減
され、偏摩耗が一段と抑制される。
凹所3を有する磁性層表面1に塗布または噴霧するか、
あるいは潤滑剤溶液中に磁性層表面1を浸漬して行わ
れ、この他、基体フィルムの裏面にバックコ−ト層を設
けた場合は、バックコ−ト層中に潤滑剤を含有させて磁
性層上に転移させる方法でも行われる。
被着する潤滑剤としては、前記非磁性層中に使用される
潤滑剤と同じものが使用され、一般に磁気記録媒体に使
用されている潤滑剤がいずれも使用される。
じてバックコ−ト層が形成され、このバックコ−ト層
は、カ−ボンブラック、炭酸カルシウムなどの非磁性粉
末を、結合剤樹脂、有機溶剤およびその他の必要成分と
ともに混合分散してバックコ−ト層用塗料を調製し、こ
のバックコ−ト層用塗料を表面に磁性層を形成した基体
フィルムの裏面に塗布し、乾燥して形成される。
る結合剤樹脂および有機溶剤は、前記の塗布型磁性層の
形成に使用したものと同じものが、いずれも好適に使用
され、必要に応じて、分散剤、潤滑剤なども添加使用さ
れる。
ポリオレフィン類、セルロ−ス誘導体、ビニル系樹脂、
ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカ−ボネ−ト類など
のプラスチック製フィルム、さらにアルミニウム合金、
チタン合金等からなる金属フィルムなどがいずれも好適
なものとして使用される。
さらに、三官能性ポリイソシアネ−ト化合物6重量部を
加え、撹拌して非磁性塗料を調製した。
らに、三官能性ポリイソシアネ−ト化合物5重量部を加
え、撹拌して磁性塗料を調製した。
レンテレフタレ−トフィルムの中心線平均粗さRaが
3.5nmの表面に、得られた非磁性塗料を乾燥後の厚さ
が2μmとなるように塗布し、さらにその上に得られた
磁性塗料を乾燥後の厚さが0.13μmとなるよう塗布し、
乾燥した。
成のカレンダを用い、メタルロ−ルの温度110℃、線
圧300kg/cmの条件下で、カレンダ処理を行っ
た。
−ルミル中で96時間混合分散した後、さらに、三官能
性ポリイソシアネ−ト化合物15重量部を加え、撹拌し
てバックコ−ト層用塗料を調製した。
記の表面に非磁性層および磁性層を積層形成した二軸配
向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムの裏面に、乾燥
後の厚さが 1.0μmとなるように塗布、乾燥してバック
コ−ト層を形成し、磁気記録媒体原反を作製した。
ベンガラを含む下記の転写フィルム塗布層組成物をボ−
ルミル中で96時間混合分散した後、さらに、三官能性
ポリイソシアネ−ト化合物15重量部を加え、撹拌して
塗布層用塗料を調製した。
の二軸配向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムの表面
に、乾燥厚が下記表1で示される塗膜厚となるように塗
布し、乾燥後した後、カレンダ処理を行い、各種のエン
ボス面を有する下記表1に示すNo.1〜No.9の転写フ
ィルムを作製した。
ィルムNo.1の転写フィルムとを、図2に示すように、
磁気記録媒体原反5の磁性面と転写フィルム4の凹凸面
とが互いに接するように重ねて巻き取り、巻き取った状
態で、50℃の雰囲気中に240時間放置し熱処理し
て、エンボス加工を行い、磁性層の表面に凹所を形成し
た。
媒体原反5を、転写フィルム4から分離して巻き出し、
8mm幅に裁断して磁気テ−プを作製した。
理条件を、メタルロ−ルの温度110℃、線圧300k
g/cmから、メタルロ−ルの温度90℃、線圧250
kg/cmに変更した以外は、実施例1と同様にして磁
性層を形成し、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.5の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.6の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.7の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
さが10μmで中心線平均粗さRaが 3.5nmの二軸配
向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムに代えて、厚さ
が10μmで中心線平均粗さRaが 5.1nmの二軸配向
ポリエチレンテレフタレ−トフィルムを使用し、非磁性
層の形成を省いて、磁性層の乾燥後の厚さを0.13μmか
ら 2.5μmに変更した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体原反の作製し、磁気テ−プを作製した。
理条件を、メタルロ−ルの温度110℃、線圧300k
g/cmから、メタルロ−ルの温度90℃、線圧250
kg/cmに変更した以外は、実施例6と同様にして磁
性層を形成し、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.5の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.6の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.7の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
nmの二軸配向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムを
高周波スパッタリング装置に装填し、コバルト−クロム
合金(重量比8:2)を高周波スパッタリングして、二
軸配向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムの表面に、
厚さが 0.2μmで表面粗さが中心線平均粗さRaで 0.9
nmのコバルト−クロム合金からなる強磁性金属薄膜層
を形成した。
配向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムの裏面に、実
施例1と同様にしてバックコ−ト層を形成し、磁気記録
媒体原反を作製した。
例1と同様にしてエンボス加工して強磁性金属薄膜層の
表面に凹所を形成した。この磁気記録媒体原反をフッ素
化オイル(イ−・アイ・デュポン社製;クライトック
ス)の 0.2%フレオン溶液中に浸漬し、乾燥して強磁性
金属薄膜層上にフッ素化オイルを被着した。しかる後、
磁気記録媒体原反を8mm幅に裁断して磁気テ−プを作
製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.5の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.6の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.7の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
フッ素化オイルの被着処理を省いた以外は、実施例11
と同様にして磁気記録媒体原反を作製し、磁気テ−プを
作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.5の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.6の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.7の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.2の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.3の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.4の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.8の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.9の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.2の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.3の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.4の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.8の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.9の転写フィ
ルムを使用した以外は、実施例6と同様にしてエンボス
加工を行い、磁気テ−プを作製した。
理条件を、メタルロ−ル−メタルロ−ルからメタルロ−
ル−弾性体ロ−ルに変更し、メタルロ−ルの温度110
℃と線圧300kg/cmを、メタルロ−ルの温度70
℃、線圧200kg/cmに変更した以外は、実施例1
と同様にして磁性層を形成し、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.2の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.3の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.4の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.8の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.9の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例11と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
厚さが10μmで表面粗さが中心線平均粗さRaで 0.8
nmの二軸配向ポリエチレンテレフタレ−トフィルムに
代えて、厚さが10μmで表面粗さが中心線平均粗さR
aで 5.1nmの二軸配向ポリエチレンテレフタレ−トフ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてコバ
ルト−クロム合金からなる強磁性金属薄膜層を形成し、
磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.2の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.3の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.4の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.8の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
o.1の転写フィルムに代えて、フィルムNo.9の転写フ
ィルムを使用した以外は、実施例15と同様にしてエン
ボス加工を行い、磁気テ−プを作製した。
プについて、磁性層の3次元形状を下記の方法で測定
し、3次元表面粗さRa、凹所の深さH、凹所中央部の
断面積S、磁性層表面の面積1mm2 あたりの凹所の個
数Nを求めた。また、得られた磁気テ−プを使用したと
きの磁気ヘッドの偏摩耗を下記の方法で測定した。
39139による光干渉式3次元表面形状測定装置Hi
−ResTOPO(米国WYKO社製)に、VLX10
0対物ヘッド(米国WYKO社製)を取りつけ、磁性層
表面70μm角の範囲を空間サンプリング間隔 0.068μ
mで形状測定を行い、得られた形状デ−タに、下記の傾
斜補正、球面補正および円筒面補正を行って、磁性層の
3次元形状を測定した。ここで、各補正を行った後の3
次元形状で高さが0に相当する平面を平均面と呼ぶ。
平方根が最小となるよな平面を算出した後、3次元デ−
タの高さから平面の高さを除算する。
方向の偏差の2乗平方根が最小となるような球面を算出
した後、3次元デ−タの高さから球面の高さを除算す
る。
方向の偏差の2乗平方根が最小となるような平均面に並
行な中心軸を持つ円筒面を算出した後、3次元デ−タの
高さから円筒面の高さを除算する。
面の3次元形状の高さの相加平均値を求め、次ぎに高さ
全ポイントと相加平均値との平均偏差を計算して、中心
面平均粗さRaを求めた。
例3〜5,8〜11,14〜17,20〜22で得られ
た磁気テ−プについては、磁性層表面の3次元形状か
ら、図1に示した平均面2からの凹所の深さを求め、こ
の深さが磁性層の3次元表面粗さRaの 5.5倍以上で、
凹所中央部の断面積が 0.8μm2 以上の凹所の深さの総
和を、深さが磁性層の3次元表面粗さRaの 5.5倍以上
で、凹所中央部の断面積が 0.8μm2 以上の凹所の数で
割って平均値として表した。
た磁気テ−プについては、深さが磁性層の3次元表面粗
さRaの4倍以上 5.5倍未満で、凹所中央部の断面積が
0.8μm2 以上の凹所の深さの総和を、深さが磁性層の
3次元表面粗さRaの4倍以上 5.5倍未満で、凹所中央
部の断面積が 0.8μm2 以上の凹所の数で割って平均値
として表した。
た磁気テ−プについては、深さが磁性層の3次元表面粗
さRaの 5.5倍以上で、凹所中央部の断面積が 0.1μm
2 以上 0.8μm2 未満の凹所の深さの総和を、深さが磁
性層の3次元表面粗さRaの5.5倍以上で、凹所中央部
の断面積が 0.1μm2 以上 0.8μm2 未満の凹所の数で
割って平均値として表した。
8、比較例3〜5,8〜11,14〜17,20〜22
で得られた磁気テ−プについては、磁性層表面の3次元
形状から、図1に示した凹所の中央部における平均面2
と平行な断面の断面積を求め、深さが磁性層の3次元表
面粗さRaの 5.5倍以上で、凹所中央部の断面積が 0.8
μm2 以上の凹所の断面積の総和を、深さが磁性層の3
次元表面粗さRaの 5.5倍以上で、凹所中央部の断面積
が 0.8μm2 以上の凹所の数で割って平均値として表し
た。
た磁気テ−プについては、深さが磁性層の3次元表面粗
さRaの4倍以上 5.5倍未満で、凹所中央部の断面積が
0.8μm2 以上の凹所の断面積の総和を、深さが磁性層
の3次元表面粗さRaの4倍以上 5.5倍未満で、凹所中
央部の断面積が 0.8μm2 以上の凹所の数で割って平均
値として表した。
た磁気テ−プについては、深さが磁性層の3次元表面粗
さRaの 5.5倍以上で、凹所中央部の断面積が 0.1μm
2 以上 0.8μm2 未満の凹所の断面積の総和を、深さが
磁性層の3次元表面粗さRaの 5.5倍以上で、凹所中央
部の断面積が 0.1μm2 以上 0.8μm2 未満の凹所の数
で割って平均値として表した。
例3〜5,8〜11,14〜17,20〜22で得られ
た磁気テ−プについては、磁性層表面の3次元形状か
ら、70μm角の面内における深さが磁性層の3次元表
面粗さRaの 5.5倍以上で、凹所中央部の断面積が 0.8
μm以上の凹所の個数を計数し、続けて磁性層の異なる
場所31箇所について同様に凹所の個数を求め、計32
回の計数結果の総和を6.38倍することにより、1mm2
あたりの凹所の個数を求めた。
た磁気テ−プについては、深さが磁性層の3次元表面粗
さRaの4倍以上 5.5倍未満で、凹所中央部の断面積が
0.8μm2 以上の凹所の個数を計数し、続けて磁性層の
異なる場所31箇所について同様に凹所の個数を求め、
計32回の計数結果の総和を6.38倍することにより、1
mm2 あたりの凹所の個数を求めた。
た磁気テ−プについては、深さが磁性層の3次元表面粗
さRaの 5.5倍以上で、凹所中央部の断面積が 0.1μm
2 以上 0.8μm2 未満の凹所の個数を計数し、続けて磁
性層の異なる場所31箇所について同様に凹所の個数を
求め、計32回の計数結果の総和を6.38倍することによ
り、1mm2 あたりの凹所の個数を求めた。
プを8ミリビデオ用カセットに巻き込んでT−120
(2時間用)カセットテ−プを製作し、SONY社製H
i8VTR・EV−S900に装着して、連続して10
0時間繰り返し走行させた後、磁気ヘッドを取外し、白
金コ−ティングした摺接面の3次元形状測定結果から、
コア本体と金属軟磁性体の接合部分の段差を求め偏摩耗
値とした。なお、磁気ヘッドの3次元形状測定は、米国
特許US4639139による光干渉式3次元表面形状
測定装置Hi−ResTOPO(米国WYKO社製)を
用いて行った。下記表2および表3はその結果である。
耗と磁性層の3次元表面粗さRaとの関係を図3に示
し、偏摩耗と磁性層表面1mm2 あたりの凹所の個数と
の関係を図4に示した。なお、図4において、グラフA
は塗布型磁性層を有する磁気テ−プを示し、グラフBは
強磁性金属薄膜層を有する磁気テ−プを示す。
なように、この発明で得られた磁気テ−プ(実施例1〜
18)は、比較例1ないし22で得られた磁気テ−プに
比し、いずれも偏摩耗が格段に減少しており、このこと
からこの発明で得られる磁気記録媒体は、記録再生時に
おける磁気ヘッドの偏摩耗を効果的に抑制できることが
わかる。
である。
取った状態の斜視図である。
性層3次元表面粗さRaと磁気ヘッドの偏摩耗との関係
図である。
性層表面に設けた凹所の個数と磁気ヘッドの偏摩耗との
関係図である。
る。
図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 基体フィルム上に3次元表面粗さRaが
5nm以下の少なくとも1層の磁性層を設け、この磁性
層の表面に、深さがこの磁性層の3次元表面粗さRaの
5.5倍以上で、深さ中央部の断面積が 0.8μm2 以上の
凹所を、磁性層表面1mm2 あたり10〜2000個設
けて、凹所の深さ中央部の断面積の平均値を125μm
2 以下にしたことを特徴とする磁気記録媒体 - 【請求項2】 少なくとも1層の磁性層が磁性粉末を結
合剤樹脂等とともに含む塗布型磁性層である請求項1記
載の磁気記録媒体 - 【請求項3】 少なくとも1層の磁性層が強磁性材から
なる強磁性金属薄膜層である請求項1記載の磁気記録媒
体 - 【請求項4】 磁性層が塗布型磁性層と強磁性金属薄膜
層とを組み合わせて積層した磁性層である請求項1記載
の磁気記録媒体 - 【請求項5】 基体フィルムと磁性層との間にさらに非
磁性層を設けた請求項1記載の磁気記録媒体 - 【請求項6】 磁性層上にさらに潤滑剤を存在させた請
求項1記載の磁気記録媒体
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JP04520394A JP3520424B2 (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 磁気記録媒体 |
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JPH07230617A JPH07230617A (ja) | 1995-08-29 |
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-
1994
- 1994-02-17 JP JP04520394A patent/JP3520424B2/ja not_active Expired - Fee Related
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