JP3516022B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録ディスクや
相変化型の光記録ディスク等の各種光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体のうち、例えば光磁気記録デ
ィスクや相変化型の光記録ディスクなどでは、基板上
に、直接または下地層を介し、各種記録層構成材料をス
パッタリングや蒸着によって成膜している。この際、基
板材料として、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レート等の樹脂が用いられるが、光学特性や吸水性の点
で満足できない。

【０００３】特開昭６０−２６０２４号公報、特開平３
−２２３３４１号公報等には、光学特性や吸水性の点で
良好な基板材質として、ノルボルネンやデトラシクロド
デセン等のノルボルネン系の環状ポリオレフィンを用い
る旨が提案されている。

【０００４】しかし、このものは、気相成膜法による記
録層や下地層との密着性の点で未だ不十分であり、高
温、高湿下で保存すると記録層等が剥離してしまうとい
う不都合があることが判明した。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、基板と記録層や下地層との密着性が高く、耐湿性が
高く、良好な記録再生特性を与える光記録媒体を提供す
ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。 （１） 樹脂製の基板上に、直接または下地層を介して
記録層を有する光記録媒体であって、前記基板が、下記
化３のくり返し構造単位を有する環状ポリオレフィン
と、アルキルフェノール縮合物の１種以上とを含有し、
前記アルキルフェノール縮合物の含有量が０．３〜２wt
％であり、前記基板は、記録層側表層部に、熱軟化点１
００〜１４０℃のスキン層を有する光記録媒体。

【０００７】

【化３】

【０００８】（２） 前記アルキルフェノール縮合物が
下記化４の構造をもつ上記（１）に記載の光記録媒体。

【０００９】

【化４】

【００１０】（３） 前記記録層および／または下地層
が気相成膜法によって形成されたものである上記（１）
または（２）に記載の光記録媒体。 （４） 前記基板は、射出成形によって形成されている
上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （５） 前記基板は、前記スキン層の熱軟化点と、この
熱軟化点より１０〜５０℃高い第２の熱軟化点とを有す
る上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光記録媒
体。

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【作用】本発明では、上記の環状ポリオレフィンに、１
種以上のアルキルフェノール縮合物を添加した基板を用
いる。これにより、基板と記録層等の密着性が格段と向
上し、高温、高湿下で使用あるいは保存したときにも、
記録層等の剥離は生じない。

【００１８】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１９】本発明の光記録媒体１の好適例が図２に示
される。この光記録媒体１は基板２上に記録層３を有す
る光磁気記録ディスクである。

【００２０】基板２は、記録光および再生光（６００〜
９００nm程度、特に７００〜８００nm程度の半導体レー
ザー光、特に７８０nm）に対し、実質的に透明（好まし
くは透過率８０％以上）な樹脂から形成される。これに
より、基板裏面側からの記録および再生が可能となる。

【００２１】基板材質としては、前記化３をくり返し構
造単位とするノルボルネン系の環状ポリオレフィンを用
いる。

【００２２】前記化３において、Ｒ₁ およびＲ₂ は、な
かでも炭化水素残基であることが好ましく、特に、炭素
数１〜５の非置換のアルキル基であることが好ましい。
用いる環状ポリオレフィンは、このような化３のくり返
し単位のなかの同一の単位のみからなるホモポリマーで
あることが好ましいが、Ｒ₁ 、Ｒ₂ あるいはq の異なる
化３のくり返し単位の複数からなるコポリマーであって
もよい。また、場合によっては、これに加え他の構造単
位、例えばエチレン等を含むコポリマーであってもよ
い。そして、その数平均分子量は、５千〜１０万、特に
１万〜４万であることが好ましい。なお、化３におい
て、ハロゲン原子、エステル基、ニトリル基、ピリジル
基は以下において極性基と称することもある。

【００２３】このような環状ポリオレフィンは、単量体
として、例えば、ノルボルネン、およびそのアルキルお
よび／またはアルキリデン置換体、例えば、５−メチル
−２−ノルボルネン、５，６−ジメチル−２−ノルボル
ネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン
等：ジシクロペンタジエン、２，３−ジヒドロジシクロ
ペンタジエン、これらのメチル、エチル、プロピル、ブ
チル等のアルキル置換体、およびハロゲン等の極性基置
換体：ジメタノオクタヒドロナフタレン、そのアルキル
および／またはアルキリデン置換体、およびハロゲン等
の極性基置換体、例えば、６−メチル−１，４：５，８
−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、６−エチル−１，４：５，８−
ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オク
タヒドロナフタレン、６−エチリデン−１，４：５，８
−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、６−クロロ−１，４：５，８−
ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オク
タヒドロナフタレン、６−シアノ−１，４：５，８−ジ
メタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、６−ピリジル−１，４：５，８−ジ
メタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、６−メトキシカルボニル−１，４：
５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８
ａ−オクタヒドロナフタレン等；シクロペンタジエンの
３〜４量体、例えば、４，９：５，８−ジメタノ−３
ａ，４，４ａ，５，８，８ａ，９，９ａ−オクタヒドロ
−１Ｈ−ベンゾインデン、４，１１：５，１０：６，９
−トリメタノ−３ａ，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９
ａ，１０，１０ａ，１１，１１ａ−ドデカヒドロ−１Ｈ
−シクロペンタアントラセン等を使用し、公知の開環重
合方法により重合して得られる開環重合体を、通常の水
素添加方法により水素添加して製造される飽和重合体で
ある。このような環状ポリオレフィンについては、特開
平３−２２３３４１号公報、特開昭６０−２６０２４号
公報等に記載されている。この環状ポリオレフィンは、
市販品を用いてもよく、例えば日本ゼオン社製Zeonex 2
80等として市販されているものを用いることができる。

【００２４】このような基板２の樹脂には、アルキルフ
ェノール縮合物の１種以上が添加される。アルキルフェ
ノール縮合物としては前記化４で示されるものが好まし
い。

【００２５】上記において、Ｒ¹ は、炭素数３〜３０程
度の置換または非置換の直鎖あるいは分岐を有するアル
キル基が好ましく、これらが基換基を有する場合の置換
基としてはヒドロキシ基等が好ましい。

【００２６】またＡは、特に、ｐ−フェニレン基が好ま
しい。ここで、Ａで表わされるフェニレン基には、炭素
数１〜１０程度の直鎖のあるいは分岐したアルキル基等
の置換基が結合したり、後述の−Ｏ−Ｌ_n −Ｙがさらに
結合したりしていてもよい。

【００２７】Ｌは、アルキレンオキシ基−Ｒ² Ｏ−が好
ましい。この場合、Ｒ² は炭素数１〜５程度、好ましく
は１〜３の置換または非置換の直鎖または分岐を有する
アルキレン基であり、これらが基換基を有するときの置
換基としては、ヒドロキシ基等が好ましい。アルキルオ
キシ基またはエポキシ基Ｌのくり返し数ｎは、１〜３０
程度、特に１〜２０の整数である。

【００２８】

【００２９】このようなアルキルフェノール縮合物の具
体的例を表１に示す。

【００３０】

【表１】

【００３１】これらのアルキルフェノール縮合物を得る
には、通常のノニオン界面活性剤の製法に従って、プロ
ピレンあるいはブチレン等の重合物をフェノールと縮合
した後にエチレンオキサイド等と反応させればよい。こ
の際、プロピレンやブチレン等のかわりに長鎖のオレフ
ィンを用いることもできる。

【００３２】本発明で用いるアルキルフェノール縮合物
の分解温度は２５０℃〜３５０℃、より好ましくは２９
０℃〜３４０℃（ＤＳＣ）が好適である。分解温度が、
この範囲未満では成形時にガスが多量に発生してしまっ
たり、基板のガラス転移点が低下してしまう。また、こ
の範囲をこえると、相溶性が悪くなる傾向にある。

【００３３】本発明では、基板は、後述の条件で射出成
形されるのが好ましい。そして、アルキルフェノール縮
合物は、基板製造時に用いる射出成形機に充填する樹脂
ペレットに含有させることが好ましい。樹脂ペレットを
射出成形する際、樹脂ペレット中に含有させたアルキル
フェノール縮合物の９６％〜１００％が基板中に残存す
るので、基板物性の設計を精度よく行なうことができ
る。

【００３４】本発明では、アルキルフェノール縮合物の
基板樹脂中の含有量は０．３〜２wt% であり、好ましく
は、０．５〜１．５wt% とするのが好適である。この範
囲未満では本発明の実効が発現せず、この範囲をこえる
と、成形時に、基板中にガスが発生し、光記録媒体の品
質が低下する。

【００３５】このような環状ポリオレフィンを用いた基
板２の記録層設層側の表層部には、スキン層が存在し、
このスキン層の熱軟化点は、１００〜１４０℃であり、
好ましくは１００〜１３５℃、さらに好ましくは１１０
〜１３５℃であることが好ましい。熱軟化点が１４０℃
を越えると密着性が低下してくる。また１００℃未満と
なると、例えば記録層積層時の耐熱性に問題が生じた
り、寸法精度が低下してきたりする。

【００３６】この場合、表層部のスキン層の熱軟化点と
は、下記のように測定された温度である。まず、被検基
板の上に針を置いて、５g 程度の荷重を加え、昇温速度
２℃／min 程度で、３０℃程度から昇温していって、針
の進入量を測定する。針の断面は直径１mm程度の円柱形
とする。

【００３７】このように測定される温度と針進入量との
関係が図１に示される。図１に示されるように、本発明
の基板では、針進入量の温度特性プロファイルにおい
て、第１の屈曲点と第２の屈曲点とが生じる。

【００３８】例えば、注型基板や、ある種の射出成形基
板では、針進入量の温度特性には１つの屈曲点しか現わ
れないか、あるいは第１の屈曲点はわずかにしか現われ
ない。また、第１の屈曲点によって生じる１段目の針進
入量は、概ね２００μｍ程度以下である。従って、これ
らから第１の屈曲点は、基板表層のスキン層の軟化点に
由来するものと考えられる。

【００３９】そこで、温度特性プロファイルの第１の屈
曲点近傍にて、針進入前の直線部と、１段目の進入時の
直線部との交点をＴ₁ とし、これをスキン層の熱軟化点
Ｔ₁と定義する。そして、本発明では、このＴ₁ を前記
のとおり規制するものである。

【００４０】一方、第２の屈曲点近傍においても、１段
目の進入時と２段目の進入時との直線部の交点をＴ₂ と
し、これを第２の熱軟化点Ｔ₂と定義する。この第２の
熱軟化点Ｔ₂ は、基板中心部での熱軟化点であると考え
られる。

【００４１】そして、この第２の熱軟化点Ｔ₂ は、第１
の熱軟化点Ｔ₁ より１０℃以上、より好ましくは１０〜
５０℃高い温度であり、１４０℃以上、特に１４５〜１
８０℃の温度であると好ましい。これにより、寸法精度
や機械的特性や耐熱性等がすぐれたものとなる。

【００４２】なお、スキン層は、基板表層部断面のＳＥ
Ｍ像からも、周囲と色の異なる層として確認でき、その
厚さは、一般に１〜２００μｍ、特に１０〜１００μｍ
程度であると考えられる。また、前記の針進入量の温度
特性プロファイルは、ＴＭＡ（熱機械分析装置、サーモ
メカニカルアナライザー）として市販されている各種装
置、例えばデュポン社製９４３熱機械分析装置等によっ
て測定すればよい。

【００４３】このようなスキン層を形成するには、特に
環状ポリオレフィンを用いて射出成形によって基板を形
成することが好ましい。

【００４４】そして、これらは、例えば注型したとき、
前記の第２の熱軟化点Ｔ₂ をもつものとする。

【００４５】射出成形時にスキン層を形成するには、射
出圧を２５０〜４００kg/cm²程度に設定することが好ま
しい。そして、溶融温度は３００〜４００℃程度、金型
温度は９０〜１２０℃程度とし、その他、保圧や型締力
等は通常の条件とすればよい。

【００４６】なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外
周面等に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。また、基
板２の記録層３形成面には、トラッキング用のグルーブ
が形成されていてもよい。

【００４７】図２に示される光磁気記録ディスクにおい
て、基板２上には、下地層としての保護層４、中間層５
を介して記録層３が形成されている。

【００４８】中間層５は、Ｃ／Ｎ比を向上させるために
設けられ、各種誘電体物質から形成されることが好まし
く、その層厚は３０〜１５０nm程度であることが好まし
い。

【００４９】また保護層４とともに記録層３の上にも保
護層６を設けることもできる。併用する場合には、保護
層４と保護層６の組成は同一であっても異っていてもよ
い。

【００５０】必要に応じて設けられる保護層４および保
護層６は、記録層３の耐食性向上のために設けられるも
のであり、これらは少なくとも一方、好ましくは両方が
設けられることが好ましい。

【００５１】これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒
化物、硫化物あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜
から構成されることが好ましい。また、保護層４、６
は、上記の中間層材質で形成してもよい。保護層の層厚
は３０〜３００nm程度であることが耐食性向上の点から
好ましい。

【００５２】このような保護層４、６や中間層５は、ス
パッタ、蒸着、イオンプレーティング等の各種気相成膜
法、特にスパッタによって形成されることが好ましい。

【００５３】記録層３は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。

【００５４】記録層３は、光磁気記録が行なえるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。

【００５５】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。

【００５６】この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５
〜８５at％であることが好ましい。して、残部は実質的
に希土類金属である。

【００５７】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０at％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の他の希土類金属元素を含有し
てもよい。

【００５８】このような記録層３の層厚は、通常、１０
〜１０００nm程度である。

【００５９】このような記録層３や、下地層としての中
間層５をスパッタ等の気相成膜法で設層しても、記録層
３や中間層５の基板２からの膜はがれを効果的に防止す
ることができる。

【００６０】保護層６上には、保護コート７が設層され
ることが好ましい。保護コート７は、例えば紫外線硬化
樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μ
ｍ程度の厚さに設層すればよい。保護コート７は、層状
であってもシート状であってもよい。保護コート７は、
特に放射線硬化型化合物および光重合増感剤を含有する
塗膜を放射線硬化したものであることが好ましい。

【００６１】また本発明は、この他、いわゆる相変化型
等の記録層を有し、反射率変化により記録・再生を行な
う光記録ディスクにも適用することができる。

【００６２】このような記録層としては、例えば、特公
昭５４−４１９０２号、特許第１００４８３５号などに
記載のＴｅ−Ｓｅ系合金、特開昭６２−７６０３５号な
どに記載のＴｅ−Ｇｅ系合金、特開昭６３−５６８２７
号などに記載のＴｅ−Ｉｎ系合金、特開昭６３−１６０
０２８号、特開昭６３−１６００２９号などに記載のＴ
ｅ−Ｓｎ系合金、特開昭５８−５４３３８号、特許第９
７４２５７号、特許第９７４２５８号、特許第９７４２
５７号などに記載のＴｅ酸化物系、その他各種Ｔｅ、Ｓ
ｅを主体とするカルコゲン系、Ｇｅ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｓｎ
等の非晶質−結晶質転移を生じる合金Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ
−Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ等の結晶構造変化によって色
変化を生じる合金、Ｉｎ−Ｓｂ等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。

【００６３】これらのいずれの場合も、気相成膜法によ
る下地層や保護層を有していてもよい。

【００６４】このように、本発明は気相成膜法、特にス
パッタリングにより、記録層や下地層が設けられてお
り、特に金属の記録層を有する相変化型の光記録ディス
クと、希土類金属元素等の金属を含有する記録層を有す
る光磁気記録に好適である。

【００６５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００６６】実施例１ 前記化３のくり返し単位を有する環状ポリオレフィンと
して、市販品である日本ゼオン社製Zeonex280 の分子量
２９，０００の環状ポリオレフィンのペレットを得た。
この環状ポリオレフィンのペレットには下記化５、化６
で表される２種以上のアルキルフェノール縮合物を、化
５：化６の重量比３．２：１でその総含有量を表２のよ
うにかえてサンプルNo. １〜サンプルNo. ４とした。

【００６７】

【化５】

【００６８】

【化６】

【００６９】これを３５０℃にて溶融し、金型温度１０
０℃、射出圧３５０kg/cm²で射出成形し、１２０mm径、
厚さ１．２mmの基板サンプルNo. １〜サンプルNo. ４を
得た。なおアルキルフェノールの含有量が２．３wt% で
あるサンプルNo. ４は基板内に、ガスムラあとが認めら
れた。

【００７０】基板の熱軟化点を、ＴＭＡにて下記のよう
に測定した。 針断面：１mm径円柱 荷重：５g 昇温速度：２℃/min

【００７１】上記条件にて、針進入量の温度プロファイ
ルを測定し、第１および第２の熱軟化点Ｔ₁ 、Ｔ₂ を算
出した。表２に使用基板のＴ₁ 、Ｔ₂ を示す。また、こ
の基板のＳＥＭ像から、スキン層の厚さは１００μｍ程
度以下であると考えられた。

【００７２】この基板上に、ガラス製の保護層を高周波
マグネトロンスパッタにより４０nmの層厚に設層した。
この保護層上に、ＳｉＮ_x からなる中間層を高周波マグ
ネトロンスパッタにより層厚８０nmに設層した。次に、
この中間層上に、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₇₂Ｃｏ₅ の組成を有する記
録層を、スパッタにより層厚８０nmに設層した。

【００７３】さらに、この記録層上に、前記保護層と同
組成の保護層を高周波マグネトロンスパッタにより層厚
１００nmに設層し、この保護層上に、保護コートを設層
した。なお、保護コートは、オリゴエステルアクリレー
トを含有する紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬
化して５μｍ厚の保護膜とし、光記録ディスクサンプル
No. １〜サンプルNo. ４を得た。

【００７４】こうして作製したサンプルNo. １〜サンプ
ルNo. ４について耐食性試験を行った。すなわち、サン
プルNo. １〜サンプルNo. ４を温度８０℃、湿度８５％
ＲＨの条件下で２５００時間放置し、基板、積層体間の
状態を目視および光学顕微鏡により観察した。

【００７５】これらの状態のうち、全く異常のない場合
を◎、１０μm 〜１００μm 程度の微小なフクレがごく
わずかに発生した場合を○、またこのフクレが一部にで
はあるが明瞭に発生した場合を△、そして、全面に発生
し、かつハガレも発生した場合を×として評価した。結
果を表２に示す。

【００７６】実施例２ 実施例１において、アルキルフェノール縮合物の含有量
が、０wt% および１．２wt% であるサンプルNo. １とサ
ンプルNo. ３のペレットを用い、射出圧を３７０kg/c
m²、溶融温度を３３０℃、金型温度を８０℃とした他
は、同様に射出成形を行い、スキン層熱軟化点が１４０
℃を超えるサンプルNo. ５およびサンプルNo. ６を作製
した。結果を表２に併記する。表２に示される結果から
本発明の効果が明らかである。

【００７７】

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、高温高湿
下で保存したような場合でも記録層の基板との密着性に
不都合はない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の熱軟化点を説明するため
のグラフである。

【図２】本発明の光記録媒体の１例を示す部分断面図で
ある。

【符号の説明】

１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 中間層 ６ 保護膜 ７ 保護コート Ｔ₁ 第１の軟化点 Ｔ₂ 第２の軟化点

【表２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/105 Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｄ (72)発明者 渋谷 節子 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 甕 敦子 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−223477（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−168708（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−292601（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−39403（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−161408（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂製の基板上に、直接または下地層を介
   して記録層を有する光記録媒体であって、前記基板が、
   下記［化１］のくり返し構造単位を有する環状ポリオレ
   フィンと、下記［化２］で表されるアルキルフェノール
   縮合物の１種以上とを含有し、前記アルキルフェノール
   縮合物の含有量が0.3〜2wt％であり、前記基板は、射出
   成形によって形成されることにより、記録層側表層部
   に、熱軟化点100〜140℃のスキン層を有し、前記直接設
   層される記録層または下地層は、気相成膜法により形成
   されているディスク状基板である光記録媒体。 【化１】 (上記式中、qはO,1,2,3または4であり、RlおよびR2は、
   それぞれ水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル
   基、プロピル基、ブチル基、エチリデン基、メトキシカ
   ルボニル基、シアノ基またはピリジル基を表し、これら
   は同一でも異なっていてもよい。また、RlおよびR2は互
   いに結合して環を形成していてもよい。)【化２】 ( ただし、Ｒ ^１ は、イソブチル基、イソヘキシル基、イ
   ソヘプチル基、イソオクチル基、イソノニル基、 2,4 −
   ジメチルヘプチル基、デシル基、イソドデシル基、テト
   ラデシル基、シクロヘキシル基、オレイル基、カプロイ
   ル基またはラウロイル基、 A は、 p −フェニレン基、 o −
   メチル− p −フェニレン基または o −， m −ジイソプチル
   − p −フェニレン基、 L は、 2 −ヒドロキシ− n −プロペノ
   キシ基、エテノキシ基または 1 −メチル−エテノキシ
   基、 n は、 1 〜 30 の整数、 Y は、水素またはカルボキシメ
   チル基を表す。
2. 【請求項２】前記基板は、前記スキン層の熱軟化点と、
   この熱軟化点より10〜50℃以上高い第１の熱軟化点とを
   有する請求項１に記載の光記録ディスク。