JP3507459B2 - Illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 134
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は照明装置、露光装置
及びデバイス製造方法に関し、特に、LSI等の半導体
素子、CCD等の撮像素子、液晶パネル等の表示素子や
磁気ヘッド等の検出素子等の各種デバイスを製造する時
にレチクル面上のデバイスパタ−ンを適切に照明するた
めの照明装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lighting device, an exposure device and a device manufacturing method, and more particularly to semiconductor devices such as LSIs, image pickup devices such as CCDs, display devices such as liquid crystal panels and detection devices such as magnetic heads. The present invention relates to an illuminator, an exposure apparatus, and a device manufacturing method for appropriately illuminating a device pattern on a reticle surface when manufacturing various devices.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近の微細加工技術の進展は著しく、リ
ソグラフィ−で要求される解像力も0.3μmや0.2
5μmと非常に細かいものが要求されている。2. Description of the Related Art Recent progress in fine processing technology is remarkable, and the resolution required for lithography is 0.3 μm or 0.2.
A very small size of 5 μm is required.
【0003】そこで本出願人は、特開平5−28331
7号公報で、リソグラフィ−用の投影露光装置の解像力
を向上させることができる照明装置を提案している。Therefore, the present applicant has filed Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-283331.
In Japanese Patent Laid-Open No. 7-74, there is proposed an illuminating device capable of improving the resolution of a projection exposure apparatus for lithography.
【0004】図4は特開平5−283317号公報に開
示された照明装置(投影露光装置)を示している。FIG. 4 shows an illumination device (projection exposure device) disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-283317.
【0005】図4において、1は紫外線や遠紫外線を放
射する高輝度の超高圧水銀灯で、水銀灯1の発光部1a
は楕円ミラ−2の第1焦点近傍にある。水銀灯1より発
した光は、楕円ミラ−2によって反射及び集光され、コ
−ルドミラ−3で反射された後、楕円ミラ−2の第2焦
点4の近傍に発光部1aの像(発光部像)1bを形成す
る。コ−ルドミラ−3は、ガラス基板上に赤外光を透過
させ紫外光を反射する多層膜を形成して成る。In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a high-intensity ultra-high pressure mercury lamp that emits ultraviolet rays or far ultraviolet rays, and is a light emitting portion 1 a of the mercury lamp 1.
Is near the first focus of the elliptical mirror-2. The light emitted from the mercury lamp 1 is reflected and condensed by the elliptical mirror-2, reflected by the cold mirror-3, and then the image of the light emitting portion 1a (light emitting portion) near the second focus 4 of the elliptical mirror-2. Image) 1b is formed. Cold Mira-3 is formed by forming a multilayer film that transmits infrared light and reflects ultraviolet light on a glass substrate.
【0006】101は、レンズ系5、9から構成される
結像系であり、第2焦点4の近傍に形成した発光部像1
bをオプティカルインテグレ−タ10の光入射面10a
上に略結像している。レンズ系9は、ズ−ムレンズであ
り、結像系101の倍率を変えることができる構成とな
っている。7は光学素子の保持部材であり、円錐プリズ
ムや多角錐プリズム等の複数個の光学素子を光路中に切
り替えて配置できるように構成されている。レンズ系5
は楕円ミラ−2の開口の位置と保持部材7の位置とを光
学的に略共役な位置関係にしている。Reference numeral 101 denotes an image forming system composed of lens systems 5 and 9, and a light emitting portion image 1 formed near the second focal point 4.
b is a light incident surface 10a of the optical integrator 10.
The image is formed above. The lens system 9 is a zoom lens and is configured to change the magnification of the image forming system 101. Reference numeral 7 denotes a holding member for the optical element, which is configured so that a plurality of optical elements such as a conical prism and a polygonal pyramid prism can be switched and arranged in the optical path. Lens system 5
Makes the position of the opening of the elliptical mirror-2 and the position of the holding member 7 in an optically substantially conjugate positional relationship.
【0007】オプティカルインテグレ−タ10は、多数
個の光束を形成する多光束形成部材であり、多数の微小
レンズを光軸に直交する平面に沿って2次元的に配列し
て成り、その光射出面10b近傍に2次光源10cを形
成する。11は形状や大きさが互いに異なる複数の開口
部材を有する絞り部材であり、絞り部材11は光路中に
挿入する開口部材を切り替えられる機構を有している。The optical integrator 10 is a multi-beam forming member that forms a large number of light beams, and is formed by arranging a large number of minute lenses two-dimensionally along a plane orthogonal to the optical axis. The secondary light source 10c is formed near the surface 10b. Reference numeral 11 denotes a diaphragm member having a plurality of aperture members having different shapes and sizes, and the diaphragm member 11 has a mechanism capable of switching the aperture members to be inserted into the optical path.
【0008】14aはレンズ系であり、レンズ系14a
はオプティカルインテグレ−タ10の光射出面10bか
らの光束を集光する。レンズ系14aとコリメ−タレン
ズ14bとを含む集光レンズ系14は、絞り部材11と
ミラ−13を介して、光射出面10bからの光束で、レ
チクルステ−ジ16に載置した被照射面であるレチクル
15をケ−ラ−照明する。Reference numeral 14a denotes a lens system, and the lens system 14a
Collects the light beam from the light exit surface 10b of the optical integrator 10. The condenser lens system 14 including the lens system 14a and the collimator lens 14b is a light flux from the light exit surface 10b via the diaphragm member 11 and the mirror 13, and is an illuminated surface placed on the reticle stage 16. A certain reticle 15 is illuminated with a caller.
【0009】17は、投影光学系であり、レチクル15
に描かれたパタ−ンをウエハ−チャック19に載置した
ウエハ−18の感光面上に縮小投影している。20は、
ステ−ジであり、ウエハ−チャック19をその上に載置
している。オプティカルインテグレ−タ10の光射出面
10b近傍の2次光源10cは集光レンズ系14により
投影光学系17の瞳17a近傍に結像している。A projection optical system 17 includes a reticle 15
The pattern depicted in FIG. 3 is reduced and projected onto the photosensitive surface of the wafer 18 placed on the wafer chuck 19. 20 is
The wafer chuck 19 is mounted on the wafer chuck 19. The secondary light source 10c near the light exit surface 10b of the optical integrator 10 forms an image near the pupil 17a of the projection optical system 17 by the condenser lens system 14.
【0010】 図4の照明装置は、レチクル15に描か
れた微細パタ−ンの方向性及び解像線幅等に応じて光学
素子の保持部材7を回転して複数個の光学素子の内の所
望の光学素子を光路中に挿入すると共に必要に応じて結
像系101の倍率を変えることにより、図5(A),
(B),(C)に示すように、オプティカルインテグレ
−タ10の光入射面10a上の光強度分布を変更して2
次光源の光強度分布(照明方法)を変更している。図5
中の斜線の部分は光強度が強い領域である。The illuminating device of FIG. 4 rotates the holding member 7 of the optical element according to the directionality of the fine pattern drawn on the reticle 15 and the resolution line width, etc. by changing the magnification of the imaging system 101 as required is inserted a desired optical element in the optical path, FIG. 5 (a), the
As shown in (B) and (C), the light intensity distribution on the light incident surface 10a of the optical integrator 10 is changed to 2
The light intensity distribution (illumination method) of the secondary light source is changed. Figure 5
The shaded area in the middle is a region where the light intensity is high.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上記照明装置におい
て、絞り部材11の開口の形状や大きさを変えたり、保
持部材7で保持した光学素子を切り替えたり、結像系1
01の結像倍率を変えたりすると、レチクル15面上や
ウエハ18面上において、無視できない照度むらが発生
する場合がある。本発明は、この種の照度むらを小さく
することができる照明装置、露光装置及びデバイス製造
方法を提供することを目的とする。In the above illumination device, the shape and size of the aperture of the diaphragm member 11 is changed, the optical element held by the holding member 7 is switched, and the imaging system 1 is used.
If the imaging magnification of 01 is changed , non-negligible illuminance unevenness occurs on the reticle 15 surface or the wafer 18 surface.
There is a case . It is an object of the present invention to provide an illumination device, an exposure device, and a device manufacturing method capable of reducing this type of uneven illuminance .
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の照明装置は、光源からの光束を用いて光源
像を形成する楕円ミラーと、入射光を用いて多光束を形
成するオプティカルインテグレータと、前記光源像を前
記オプティカルインテグレータの入射面またはその近傍
に再び結像する結像光学系とを有し、前記多光束により
被照明面を照明する照明装置において、前記結像光学系
は、該結像光学系の光軸に沿って前記光源側から順に、
前記光源像が形成される位置もしくはその近傍を前側焦
点位置とする第1レンズ系、第1の透明クサビ及び該第
1の透明クサビと実質的にクサビ角が等しい第2の透明
クサビを有する第1光偏向部材、該第1光偏向部材又は
その近傍を前側焦点位置とし前記オプティカルインテグ
レータの入射面またはその近傍を後ろ側焦点位置とする
第2レンズ系を備えており、前記第1光偏向部材の近傍
には、前記光源からの光束をリング状の光束に変換して
前記オプティカルインテグレータに照射するための円錐
状の偏向面を有する第2光偏向部材が光路中に挿脱可能
に設けられ、前記第1の透明なクサビと前記第2の透明
なクサビとは前記光軸を中心として個別に回転可能であ
り、前記第1の透明なクサビと前記第2の透明なクサビ
が回転することにより、前記光源からの光束の前記オプ
ティカルインテグレータへの入射位置を変えることを特
徴とする。In order to achieve the above object, an illumination device of the present invention forms an elliptical mirror that forms a light source image by using a light beam from a light source, and forms a multi-light beam by using incident light. An optical integrator and an imaging optical system that re-images the light source image on an incident surface of the optical integrator or in the vicinity thereof, and in an illumination device that illuminates a surface to be illuminated with the multi-beam, the imaging optical system
Is in order from the light source side along the optical axis of the imaging optical system,
A first lens system having a front focus position at or near the position where the light source image is formed, a first transparent wedge, and a second transparent wedge having a wedge angle substantially equal to that of the first transparent wedge. first light deflecting member comprises a second lens system for the entrance surface or its vicinity of the optical integrator and the first light deflection member or near the front focal position and back focal position, the first light deflection member Near
In order to convert the light flux from the light source into a ring-shaped light flux,
A cone for illuminating the optical integrator
Second light deflecting member with a circular deflection surface can be inserted into and removed from the optical path
Provided, wherein the first transparent wedge and the second transparent wedge can rotate individually about said optical axis, said first transparent wedge and the second transparent wedge By rotating, the incident position of the light beam from the light source on the optical integrator is changed.
【0013】 また、本発明の別の照明装置は、光源か
らの光束を用いて光源像を形成する楕円ミラーと、入射
光を用いて多光束を形成するオプティカルインテグレー
タと、前記光源像を前記オプティカルインテグレータの
入射面またはその近傍に再び結像する結像光学系とを有
し、前記多光束により被照明面を照明する照明装置にお
いて、前記結像光学系は、該結像光学系の光軸に沿って
前記光源側から順に、前記光源像が形成される位置もし
くはその近傍を前側焦点位置とする第1レンズ系、第1
の透明クサビ及び該第1の透明クサビと実質的にクサビ
角が等しい第2の透明クサビを有する第1光偏向部材、
該第1光偏向部材又はその近傍を前側焦点位置とし前記
オプティカルインテグレータの入射面またはその近傍を
後ろ側焦点位置とする第2レンズ系を備えており、前記
第1光偏向部材の近傍には、前記光源からの光束をリン
グ状の光束に変換して前記オプティカルインテグレータ
に照射するための円錐状の偏向面を有する第2光偏向部
材が光路中に挿脱可能に設けられ、前記第1の透明なク
サビと前記第2の透明なクサビとは前記光軸を中心とし
て個別に回転可能であり、前記第1の透明なクサビと前
記第2の透明なクサビが回転することにより、前記光源
からの光束の前記オプティカルインテグレータへの入射
位置を変えることを特徴とする。Further , another lighting device of the present invention is a light source.
Incident from an elliptical mirror that forms a light source image using these light fluxes
Optical integrator that uses light to form multiple beams
And the light source image of the optical integrator
Imaging optics that re-images on or near the plane of incidence
In the lighting device that illuminates the surface to be illuminated with the multiple luminous flux.
The imaging optical system is arranged along the optical axis of the imaging optical system.
If the position where the light source image is formed in order from the light source side
The first lens system having the front focus position in the vicinity of the first lens system
Substantially transparent wedge and the first transparent wedge and substantially wedge
A first light deflecting member having second transparent wedges with equal angles;
The first light deflecting member or the vicinity thereof is set as the front focus position, and
The input surface of the optical integrator or its vicinity.
It has a second lens system at the rear focal position,
In the vicinity of the first light deflecting member, the light flux from the light source is
Optical integrator
Second light deflector having a conical deflection surface for illuminating
The material is removably installed in the optical path, and the first transparent
The rust and the second transparent wedge are centered on the optical axis
And individually rotatable, the front and the first transparent wedge
The rotation of the second transparent wedge causes the light source to
Incident of light flux from the optical integrator to the optical integrator
Characterized by changing the position .
【0014】[0014]
【0015】[0015]
【0016】[0016]
【0017】[0017]
【0018】[0018]
【0019】[0019]
【0020】[0020]
【0021】また、本発明の露光装置は、上述のいずれ
かの照明装置によりマスクを照明し、該照明されたマス
クのパターンを投影光学系によりウエハ上に投影するこ
とを特徴としている。Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that the mask is illuminated by any one of the above-mentioned illumination apparatuses and the pattern of the illuminated mask is projected on the wafer by the projection optical system.
【0022】また、本発明のデバイス製造方法は、上述
の露光装置によりデバイスパターンでウエハを露光する
段階と、該露光したウエハを現像する段階とを含むこと
を特徴としている。The device manufacturing method of the present invention is characterized by including the steps of exposing a wafer with a device pattern by the above-described exposure apparatus and developing the exposed wafer.
【0023】[0023]
【0024】[0024]
【0025】[0025]
【0026】[0026]
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施例を示
す図である。1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
【0027】図1において、1は紫外線や遠紫外線を放
射する高輝度の超高圧水銀灯で、水銀灯1の発光部1a
は楕円ミラ−2の第1焦点近傍にある。水銀灯1より発
した光は、楕円ミラ−2によって反射及び集光され、コ
−ルドミラ−3で反射された後、楕円ミラ−2の第2焦
点4の近傍に発光部1aの像(発光部像)1bを形成す
る。コ−ルドミラ−3は、ガラス基板上に赤外光を透過
させ紫外光を反射する多層膜を形成して成る。水銀灯1
は、光軸方向に動かすことができ、例えばオプティカル
インテグレ−タ10の光入射面10a上へ入射する光束
の量が最大になるように光軸方向に関する位置を調整で
きる。In FIG. 1, reference numeral 1 is a high-intensity ultra-high pressure mercury lamp that emits ultraviolet rays and far ultraviolet rays, and is a light emitting portion 1 a of the mercury lamp 1.
Is near the first focus of the elliptical mirror-2. The light emitted from the mercury lamp 1 is reflected and condensed by the elliptical mirror-2, reflected by the cold mirror-3, and then the image of the light emitting portion 1a (light emitting portion) near the second focus 4 of the elliptical mirror-2. Image) 1b is formed. Cold Mira-3 is formed by forming a multilayer film that transmits infrared light and reflects ultraviolet light on a glass substrate. Mercury lamp 1
Can be moved in the optical axis direction, and for example, the position in the optical axis direction can be adjusted so that the amount of light flux incident on the light incident surface 10a of the optical integrator 10 is maximized.
【0028】101は、レンズ系5、9から構成される
結像系等の光学系であり、第2焦点4の近傍に形成した
発光部像1bをオプティカルインテグレ−タ10の光入
射面10a上またはその近くに再び結像している。レン
ズ系5の前側焦点位置は第2焦点4の近傍に形成した発
光部像1bの位置とほぼ一致している。レンズ系9(照
射光学系)は、ズ−ムレンズであり、結像系101の倍
率を変えることができる構成となっている。7は光学素
子の保持部材であり、円錐プリズムや多角錐プリズム等
の複数個の光学素子(第2光偏向部材)を光路中に切り
替えて配置できるように構成されている。レンズ系5
(受光光学系)は楕円ミラ−2の開口の位置と保持部材
7の位置とを光学的に略共役な位置関係にしている。図
2は保持部材7とそれに保持された複数個の光学素子6
a〜6fとを示しており、保持部材7は不図示のモータ
により中心を貫く回転軸回りに回転するターレット板で
あり、光学素子6aは円錐プリズム、光学素子6bは光
学素子6aよりも頂角が小さい円錐プリズム、光学素子
6cは四角錐プリズム、光学素子6dは光学素子6cよ
りも頂角が大きい四角錐プリズム、光学素子6eは8角
錐プリズム、光学素子6fは平行平面板(この部分は素
通しの開口でもいい。)である。Reference numeral 101 denotes an optical system such as an image forming system composed of lens systems 5 and 9, and a light emitting portion image 1b formed in the vicinity of the second focal point 4 on the light incident surface 10a of the optical integrator 10. Or it is re-imaging in the vicinity. The front focus position of the lens system 5 substantially coincides with the position of the light emitting unit image 1b formed near the second focus 4. The lens system 9 (irradiation optical system) is a zoom lens and is configured to change the magnification of the image forming system 101. Reference numeral 7 denotes a holding member for the optical element, which is configured so that a plurality of optical elements (second light deflecting members) such as a conical prism and a polygonal pyramid prism can be switched and arranged in the optical path. Lens system 5
The (light receiving optical system) makes the position of the opening of the elliptical mirror-2 and the position of the holding member 7 in an optically substantially conjugate positional relationship. FIG. 2 shows a holding member 7 and a plurality of optical elements 6 held by the holding member 7.
a to 6f, the holding member 7 is a turret plate that rotates around a rotation axis passing through the center by a motor (not shown), the optical element 6a is a conical prism, and the optical element 6b is an apex angle more than the optical element 6a. Is a small conical prism, the optical element 6c is a quadrangular pyramid prism, the optical element 6d is a quadrangular pyramid prism having a larger apex angle than the optical element 6c, the optical element 6e is an eight-sided pyramid prism, and the optical element 6f is a plane parallel plate (this portion is transparent). It may be the opening of).
【0029】オプティカルインテグレ−タ10は、多数
個の光束を形成する多光束形成部材であり、多数の微小
レンズを光軸に直交する平面に沿って2次元的に配列し
て成り、その光射出面10b近傍に2次光源10cを形
成する。オプティカルインテグレ−タ10の光入射面は
レンズ系9の後ろ側焦点位置にある。11は形状や大き
さが互いに異なる複数の開口部材を有する絞り部材であ
り、絞り部材11は光路中に挿入する開口部材を切り替
えられる機構を有している。複数の開口部材の開口形状
は、光学素子6a〜6fに対応しており、リング状、4
つ穴、8つの穴、一つ穴を含む。The optical integrator 10 is a multi-beam forming member that forms a large number of light beams, and is formed by arranging a large number of minute lenses two-dimensionally along a plane orthogonal to the optical axis. The secondary light source 10c is formed near the surface 10b. The light incident surface of the optical integrator 10 is at the focal point on the rear side of the lens system 9. Reference numeral 11 denotes a diaphragm member having a plurality of aperture members having different shapes and sizes, and the diaphragm member 11 has a mechanism capable of switching the aperture members to be inserted into the optical path. The opening shapes of the plurality of opening members correspond to the optical elements 6a to 6f and are ring-shaped, 4
Includes one hole, eight holes, and one hole.
【0030】14aはレンズ系であり、レンズ系14a
はオプティカルインテグレ−タ10の光射出面10bか
らの光束を集光する。レンズ系14aとコリメ−タレン
ズ14bとを含む集光レンズ系14は、絞り部材11と
ミラ−13を介して、光射出面10bからの光束で、レ
チクルステ−ジ16に載置した被照射面であるレチクル
15をケ−ラ−照明する。Reference numeral 14a denotes a lens system, and the lens system 14a
Collects the light beam from the light exit surface 10b of the optical integrator 10. The condenser lens system 14 including the lens system 14a and the collimator lens 14b is a light flux from the light exit surface 10b via the diaphragm member 11 and the mirror 13, and is an illuminated surface placed on the reticle stage 16. A certain reticle 15 is illuminated with a caller.
【0031】17は、投影光学系であり、レチクル15
に描かれたパタ−ンをウエハ−チャック19に載置した
ウエハ−18の感光面上に縮小投影している。20は、
XYステ−ジであり、ウエハ−チャック19をその上に
載置している。オプティカルインテグレ−タ10の光射
出面10b近傍の2次光源10cは集光レンズ14によ
り投影光学系17の瞳17a近傍に結像している。A projection optical system 17 includes a reticle 15
The pattern depicted in FIG. 3 is reduced and projected onto the photosensitive surface of the wafer 18 placed on the wafer chuck 19. 20 is
It is an XY stage, and the wafer chuck 19 is placed on it. The secondary light source 10c near the light exit surface 10b of the optical integrator 10 forms an image near the pupil 17a of the projection optical system 17 by the condenser lens 14.
【0032】 図1の照明装置は、レチクル15に描か
れた微細パタ−ンの方向性及び解像線幅等に応じて光学
素子保持部材7を回転して複数個の光学素子6a〜6f
の内の所望の光学素子を光路中に挿入すると共に必要に
応じて結像系101の倍率を変えることにより、図5
(A),(B),(C)に示すように、オプティカルイ
ンテグレ−タ10の光入射面10a上の光強度分布を変
更して2次光源の光強度分布(照明方法)を変更してい
る。図5の斜線の部分は光強度が強い領域である。The illumination device of FIG. 1 is depicted on a reticle 15.
Depending on the directionality of the fine pattern and the resolution line width, etc.
The element holding member 7 is rotated to rotate the plurality of optical elements 6a to 6f.
Insert the desired optical element in the optical path into the optical path and
Depending on the magnification of the imaging system 101,5
As shown in (A), (B), and (C),
The light intensity distribution on the light incident surface 10a of the integrator 10 is changed.
Furthermore, the light intensity distribution (illumination method) of the secondary light source is changed.
It Figure5The shaded area is a region where the light intensity is high.
【0033】図1の照明装置の特徴は光学素子保持部材
7の近傍に光軸調整装置21(第1光偏向部材)を設け
たことである。光軸調整装置21は実質的に同じクサビ
角を持つ2枚のクサビガラス21a,21bを備えてお
り、2枚のクサビガラス21a,21bは双方とも光軸
に垂直な第1面と光軸に対して傾いた第2面とを有す
る。クサビ角は第1面と第2面とが成す角度を言う。光
軸調整装置21は、クサビガラス21a,21bの各々
を、不図示の駆動装置により個別に光軸を回転軸として
回転させ、各々の光軸回りの回転角を調整する。この調
整により光軸調整装置21を通過する光束全体を所望の
方向にある角度偏向でき、光束全体のオプティカルイン
テグレ−タ10の光入射面10a上のへの入射位置を変
え、光入射面10a上の光強度分布全体を動かすことが
できる。A feature of the illuminating device shown in FIG. 1 is that an optical axis adjusting device 21 (first light deflecting member) is provided near the optical element holding member 7. The optical axis adjusting device 21 includes two wedge glasses 21a and 21b having substantially the same wedge angles, and the two wedge glasses 21a and 21b are both on the first surface and the optical axis which are perpendicular to the optical axis. And a second surface inclined with respect to the second surface. The wedge angle refers to the angle formed by the first surface and the second surface. The optical axis adjusting device 21 individually rotates each of the wedge glasses 21a and 21b by using a driving device (not shown) with the optical axis as a rotation axis, and adjusts a rotation angle around each optical axis. By this adjustment, the entire light flux passing through the optical axis adjusting device 21 can be deflected in a desired direction by an angle, the incident position of the entire light flux on the light incident surface 10a of the optical integrator 10 is changed, and the light incident surface 10a is changed. The entire light intensity distribution of can be moved.
【0034】 図1の照明装置においては、オプティカ
ルインテグレ−タ10に入射する光束全体(光強度分布
全体)の位置を変えると、被照射面であるレチクル15
やウエハ18上での照度分布が変わる。本実施例ではこ
のことを利用し、ウエハ18上での照度むらが最小にな
るようにクサビガラス21a,21bの回転角度を調整
するようにしている。In the illumination device of FIG. 1, when the position of the entire light flux (entire light intensity distribution) incident on the optical integrator 10 is changed, the reticle 15 which is the irradiated surface is changed.
The illuminance distribution on the wafer 18 changes. In the present embodiment, this is utilized to minimize the uneven illuminance on the wafer 18.
So that adjusting wedge glass 21a, the rotation angle of 21b as that.
【0035】図3は光軸調整装置21の機能を示す説明
図である。図3(A)は、光路中に平行平面板6fが挿
入されており、2枚のクサビガラス21a,21bを互
いにクサビ角を相殺する位置に設定した場合を示す図、
図3(B)は図3(A)の状態からクサビガラス21b
をある角度だけ回転した場合を示す図である。図3
(A)、(B)の右側にある図はオプティカルインテグ
レ−タ10の光入射面10aでの光強度を模式的に示す
もので、この図面から、クサビガラス21a,21bの
各々を適当な角度回転し光束全体を所望の方向にある角
度偏向することにより、オプティカルインテグレ−タ1
0の光入射面10aにおける光強度分布を光軸(中心)
に対して偏心することができることが分かる。これはレ
ンズ系9へ入射する光束全体の入射角度を変えると、光
束全体のオプティカルインテグレ−タ10の光入射面1
0aに入射する位置が変わるからである。FIG. 3 is an explanatory view showing the function of the optical axis adjusting device 21. FIG. 3A is a diagram showing a case where the plane parallel plate 6f is inserted in the optical path and the two wedge glasses 21a and 21b are set at positions where the wedge angles are offset from each other.
FIG. 3B shows a wedge glass 21b from the state of FIG. 3A.
It is a figure which shows the case where is rotated by a certain angle. Figure 3
The drawings on the right side of (A) and (B) schematically show the light intensity at the light incident surface 10a of the optical integrator 10. From this drawing, the wedge glasses 21a and 21b are respectively set at appropriate angles. The optical integrator 1 is rotated by deflecting the entire light beam by a certain angle in a desired direction.
The light intensity distribution on the light incident surface 10a of 0 is set to the optical axis (center)
It turns out that can be eccentric to. This is because when the incident angle of the entire light flux entering the lens system 9 is changed, the light incident surface 1 of the optical integrator 10 for the entire light flux is changed.
This is because the position of incidence on 0a changes.
【0036】 以下、光軸調整装置21を用いた照度む
らの調整手順の一例を示す。
1.照明方法を決定する。
2.決定した照明方法に最適なように光学系を変更す
る。光学素子(6a〜6f)の選択。結像系101の倍
率の設定(レンズ系9のズ−ム位置の決定)。絞り11
の選択(開口形状、大きさの選択)。水銀灯1の光軸方
向への位置の変更。etc
3.レチクル15をステージ16から外し、XYステ−
ジ20上にある不図示の照度むら測定器により投影光学
系17の像面での照度分布を測定する。
4.測定した照度分布より、照度むらが最小になるクサ
ビガラス21a,21bの回転角を算出し、不図示の駆
動装置によりクサビガラス21a,21bをそれぞれ指
定位置に回転させる。Hereinafter, the illuminance using the optical axis adjusting device 21
An example of these adjustment procedures will be shown. 1. Determine the lighting method. 2. Change the optical system so that it is optimal for the determined lighting method. Selection of optical elements (6a-6f). Setting of magnification of the image forming system 101 (determination of zoom position of the lens system 9). Aperture 11
(Selection of opening shape and size). Change the position of the mercury lamp 1 in the optical axis direction. etc 3. Remove the reticle 15 from the stage 16 and move the XY stage.
An illuminance unevenness measuring device (not shown) on the screen 20 measures the illuminance distribution on the image plane of the projection optical system 17. 4. From the measured illuminance distribution, the rotation angles of the wedge glasses 21a and 21b that minimize the illuminance unevenness are calculated, and the wedge glasses 21a and 21b are rotated to designated positions by a driving device (not shown).
【0037】尚、上記の測定はレチクル15のパターン
面が位置する所の物体面でもいい。The above measurement may be performed on the object surface where the pattern surface of the reticle 15 is located.
【0038】上記調整手順においては照明方法の切り替
え毎に照度分布を測定し、測定結果によりクサビガラス
21a,21bの回転角を算出することになるが、あら
かじめ実験により各照明方法におけるクサビガラス21
a,21bの回転角を求めてメモリに記憶しておき、照
明方法切り替え時にクサビガラス21a,21bを自動
的に所定角度回転しても良い。In the above adjustment procedure, the illuminance distribution is measured every time the lighting method is switched, and the rotation angles of the wedge glasses 21a and 21b are calculated from the measurement results.
The rotation angles of a and 21b may be obtained and stored in a memory, and the wedge glasses 21a and 21b may be automatically rotated by a predetermined angle when switching the illumination method.
【0039】 また、各照明方法毎にクサビガラス21
a,21bの指定回転角度を持たずに、使用する全照明
方法において、照度むらが平均的によくなる回転角度を
求め、その角度にクサビガラス21a,21bを固定し
ておいてもよい。Wedge glass 21 is used for each lighting method.
Instead of having the designated rotation angles of a and 21b, in all the illumination methods to be used, the rotation angle at which the illuminance unevenness becomes better on average is obtained, and the wedge glass 21a and 21b may be fixed to that angle.
【0040】本実施例では光軸調整装置21を同一角度
を持った2枚のクサビガラスにより構成させているが、
3枚以上のクサビガラスにより構成しても良い。この場
合は最もクサビ角が大きいクサビガラスのクサビ角が他
の2枚以上のクサビガラスのクサビ角の合計以下である
必要がある。In the present embodiment, the optical axis adjusting device 21 is composed of two wedge glasses having the same angle.
It may be composed of three or more wedge glasses. In this case, the wedge angle of the wedge glass having the largest wedge angle needs to be equal to or less than the sum of the wedge angles of the other two or more wedge glasses.
【0041】本実施例においては光軸調整装置21を光
学素子6a〜6fより光源側に配置しているが、光軸調
整装置21を光学素子6a〜6fよりオプティカルイン
テグレ−タ10側に配置してもよい。要は、オプティカ
ルインテグレ−タ10の光入射面10aへの入射角度を
あまり変えずに入射位置を変えることができる場所に配
置すれば良いのである。In this embodiment, the optical axis adjusting device 21 is arranged closer to the light source side than the optical elements 6a to 6f, but the optical axis adjusting device 21 is arranged closer to the optical integrator 10 side than the optical elements 6a to 6f. May be. The point is that the optical integrator 10 may be arranged at a position where the incident position can be changed without significantly changing the incident angle to the light incident surface 10a of the optical integrator 10.
【0042】 上記各実施例では照明方法を変更した時
にクサビガラスにより被照射面での照度むらが最小にな
るように調整しているが、必ずしもそのかぎりではな
く、例えば、光学系の経時変化(レンズやミラーのコ−
ティングの特性変化やランプのア−クの輝度分布変化)
により照度むらが発生した時に自動的に調整するように
してもよい。In each of the above embodiments, when the illumination method is changed, the wedge glass is used to adjust the illuminance unevenness on the surface to be illuminated to the minimum. However, this is not necessarily the case, and, for example, changes over time in the optical system ( Lens and mirror
(Characteristic change of lighting and change of luminance distribution of arc of lamp)
Therefore, when the illuminance unevenness occurs, it may be automatically adjusted .
【0043】また上記各実施例では光学素子6a〜6f
の数を6種類として説明しているが、この数には限定さ
れない。光学素子が無い場合にも本発明は適用出来る。In each of the above embodiments, the optical elements 6a to 6f are used.
However, the number is not limited to this. The present invention can be applied even when there is no optical element.
【0044】次に図1乃至図3の投影露光装置を利用し
たデバイスの製造方法の一実施例を説明する。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the projection exposure apparatus of FIGS. 1 to 3 will be described.
【0045】図6はデバイス(ICやLSI等の半導体
チップ、磁気ヘッドや液晶パネルやCCD)の製造フロ
−を示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設
計した回路パタ−ンを形成したマスク(レチクル15)
を製作する。一方、ステップ3(ウエハ−製造)ではシ
リコン等の材料を用いてウエハ−(ウエハ−18)を製
造する。ステップ4(ウエハ−プロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハ−とを用いて、リソ
グラフィ−技術によってウエハ−上に実際の回路を形成
する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、
ステップ4よって作成されたウエハ−を用いてチップ化
する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボン
ディング)、パッケ−ジング工程(チップ封入)等の工
程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作成さ
れた半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。図8は上記ウエ
ハ−プロセスの詳細なフロ−を示す。ステップ11(酸
化)ではウエハ−(ウエハ−18)の表面を酸化させ
る。ステップ12(CVD)ではウエハ−の表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ−
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打ち込み)ではウエハ−にイオンを打ち込む。ステッ
プ15(レジスト処理)ではウエハ−にレジスト(感
材)を塗布する。ステップ16(露光)では上記投影露
光装置によってマスク(レチクル15)の回路パタ−ン
の像でウエハ−を露光する。ステップ17(現像)では
露光したウエハ−を現像する。ステップ18(エッチン
グ)では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステ
ップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返
し行なうことによりウエハ−上に回路パタ−ンが形成さ
れる。FIG. 6 shows a manufacturing flow of devices (semiconductor chips such as IC and LSI, magnetic heads, liquid crystal panels and CCDs). In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask (reticle 15) on which the designed circuit pattern is formed
To produce. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer (wafer-18) is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called the post process,
This is a step of forming a chip using the wafer prepared in step 4, and includes an assembly step (dicing, bonding), a packaging step (chip encapsulation) and the like. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7). FIG. 8 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer (wafer-18) is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. In step 13 (electrode formation), the wafer
An electrode is formed on the top by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. In step 15 (resist processing), a resist (photosensitive material) is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the projection exposure apparatus exposes the wafer with an image of the circuit pattern of the mask (reticle 15). In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), parts other than the developed resist are scraped off. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, a circuit pattern is formed on the wafer.
【0046】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度のデバイスを製造することが可能にな
る。By using the manufacturing method of this embodiment, it becomes possible to manufacture a highly integrated device which has been difficult in the past.
【0047】[0047]
【発明の効果】本発明を半導体素子製造用の投影投影露
光装置に適用すれば、レチクル面上の電子回路パタ−ン
をウエハ−面上に高精度で投影することができる。When the present invention is applied to the projection projection exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices, the electronic circuit pattern on the reticle surface can be projected onto the wafer surface with high accuracy.
【図1】本発明の照明装置の第1の実施例を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a lighting device of the present invention.
【図2】図1の照明装置の光学素子の一例を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing an example of an optical element of the lighting device of FIG.
【図3】図1の光軸調整装置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of the optical axis adjusting device of FIG.
【図4】従来の照明装置を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional lighting device.
【図5】図4の照明装置における照明方法の切り替え方
を示す説明図である。5 is an explanatory diagram showing how to switch an illumination method in the illumination device of FIG. 4. FIG.
【図6】デバイス製造方法のフローを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a flow of a device manufacturing method.
【図7】図6のウエハ−プロセスを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the wafer process of FIG. 6;
1 水銀灯 2 楕円ミラ− 3 コ−ルドミラ− 5、9 レンズ系 6a〜6f 光学素子 7 光学素子保持部材(タ−レット板) 10 オプティカルインテグレ−タ 11 絞り部材 15 レチクル 17 投影レンズ 18 ウエハ− 21a,21b クサビガラス 22 平行平面板 23a〜23f クサビガラス 1 Mercury lamp 2 Elliptical mirror 3 Cold Mira 5, 9 lens system 6a to 6f optical element 7 Optical element holding member (turret plate) 10 Optical integrator 11 Aperture member 15 reticle 17 Projection lens 18 wafers 21a, 21b Wedge glass 22 Parallel plane plate 23a-23f wedge glass
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G03F 7/20 521 H01L 21/30 515D G02B 7/18 A (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI G03F 7/20 521 H01L 21/30 515D G02B 7/18 A (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027
Claims (4)
る楕円ミラーと、入射光を用いて多光束を形成するオプ
ティカルインテグレータと、前記光源像を前記オプティ
カルインテグレータの入射面またはその近傍に再び結像
する結像光学系とを有し、前記多光束により被照明面を
照明する照明装置において、 前記結像光学系は、該結像光学系の光軸に沿って前記光
源側から順に、前記光源像が形成される位置もしくはそ
の近傍を前側焦点位置とする第1レンズ系、第1の透明
クサビ及び該第1の透明クサビと実質的にクサビ角が等
しい第2の透明クサビを有する第1光偏向部材、該第1
光偏向部材又はその近傍を前側焦点位置とし前記オプテ
ィカルインテグレータの入射面またはその近傍を後ろ側
焦点位置とする第2レンズ系を備えており、 前記第1光偏向部材の近傍には、 前記光源からの光束を
複数個の光束に分割し、前記複数個の光束を互いに異な
る方向に偏向することで前記複数の光束を前記オプティ
カルインテグレータの互いに異なる位置に入射させる第
2光偏向部材が光路中に挿脱可能に設けられ、 前記第1の透明なクサビと前記第2の透明なクサビとは
前記光軸を中心として個別に回転可能であり、 前記第1の透明なクサビと前記第2の透明なクサビが回
転することにより、前記光源からの光束の前記オプティ
カルインテグレータへの入射位置を変える ことを特徴と
する照明装置。1. A light source image is formed using a light flux from a light source.
Ellipsoidal mirror and an optical
Optical integrator and the light source image
Image again at or near the entrance surface of the cal integrator
And an imaging optical system for
In the illuminating device for illuminating, the imaging optical system is configured such that the light is emitted along an optical axis of the imaging optical system.
From the source side, the position where the light source image is formed or
Lens system with the front focus position near the lens, the first transparent
The wedge angle is substantially equal to that of the wedge and the first transparent wedge.
A first light deflecting member having a new transparent wedge, the first
The optical deflection member or the vicinity thereof is set as the front focus position, and
Behind the incident surface of the optical integrator or its vicinity
A second lens system at a focal position is provided, and the light flux from the light source is divided into a plurality of light fluxes in the vicinity of the first light deflection member, and the plurality of light fluxes are deflected in mutually different directions. Thus, a second light deflecting member that allows the plurality of light beams to enter different positions of the optical integrator is detachably provided in the optical path, and the first transparent wedge and the second transparent wedge are
Individually rotatable about the optical axis, the first transparent wedge and the second transparent wedge rotate.
Turning the optical beam from the light source
A lighting device characterized by changing the incident position on the cal integrator .
る楕円ミラーと、入射光を用いて多光束を形成するオプ
ティカルインテグレータと、前記光源像を前記オプティ
カルインテグレータの入射面またはその近傍に再び結像
する結像光学系とを有し、前記多光束により被照明面を
照明する照明装置において、 前記結像光学系は、該結像光学系の光軸に沿って前記光
源側から順に、前記光源像が形成される位置もしくはそ
の近傍を前側焦点位置とする第1レンズ系、第1の透明
クサビ及び該第1の透明クサビと実質的にクサビ角が等
しい第2の透明クサビを有する第1光偏向部材、該第1
光偏向部材又はその近傍を前側焦点位置とし前記オプテ
ィカルインテグレータの入射面またはその近傍を後ろ側
焦点位置とする第2レンズ系を備えており、 前記第1光偏向部材の近傍には、 前記光源からの光束を
リング状の光束に変換して前記オプティカルインテグレ
ータに照射するための円錐状の偏向面を有する第2光偏
向部材が光路中に挿脱可能に設けられ、 前記第1の透明なクサビと前記第2の透明なクサビとは
前記光軸を中心として個別に回転可能であり、 前記第1の透明なクサビと前記第2の透明なクサビが回
転することにより、前記光源からの光束の前記オプティ
カルインテグレータへの入射位置を変える ことを特徴と
する照明装置。2. A light source image is formed using a light flux from a light source.
Ellipsoidal mirror and an optical
Optical integrator and the light source image
Image again at or near the entrance surface of the cal integrator
And an imaging optical system for
In the illuminating device for illuminating, the imaging optical system is configured such that the light is emitted along an optical axis of the imaging optical system.
From the source side, the position where the light source image is formed or
Lens system with the front focus position near the lens, the first transparent
The wedge angle is substantially equal to that of the wedge and the first transparent wedge.
A first light deflecting member having a new transparent wedge, the first
The optical deflection member or the vicinity thereof is set as the front focus position, and
Behind the incident surface of the optical integrator or its vicinity
A second lens system at a focal position is provided, and a conical deflection for converting the light beam from the light source into a ring-shaped light beam and irradiating the optical integrator in the vicinity of the first light deflection member. A second light-deflecting member having a surface is detachably provided in the optical path, and the first transparent wedge and the second transparent wedge are separated from each other.
Individually rotatable about the optical axis, the first transparent wedge and the second transparent wedge rotate.
Turning the optical beam from the light source
A lighting device characterized by changing the incident position on the cal integrator .
スクを照明し、該照明されたマスクのパターンを投影光
学系によりウエハ上に投影することを特徴とする露光装
置。3. An exposure apparatus, wherein a mask is illuminated by the illumination device according to claim 1 or 2 , and the pattern of the illuminated mask is projected onto a wafer by a projection optical system.
パターンでウエハを露光する段階と、該露光したウエハ
を現像する段階とを含むことを特徴とするデバイス製造
方法。4. A device manufacturing method comprising: exposing a wafer with a device pattern by the exposure apparatus according to claim 3; and developing the exposed wafer.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001207774A JP3507459B2 (en) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | Illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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---|---|
JP2002075859A JP2002075859A (en) | 2002-03-15 |
JP3507459B2 true JP3507459B2 (en) | 2004-03-15 |
Family
ID=19043705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001207774A Expired - Fee Related JP3507459B2 (en) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | Illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3507459B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231619A (en) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | Illumination optical device and exposure apparatus having the illumination optical device |
JP4211272B2 (en) * | 2002-04-12 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus and exposure method |
KR101124179B1 (en) | 2003-04-09 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TWI609409B (en) | 2003-10-28 | 2017-12-21 | 尼康股份有限公司 | Optical illumination device, exposure device, exposure method and device manufacturing method |
TW201809801A (en) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | Optical illuminating apparatus, exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
TWI437618B (en) | 2004-02-06 | 2014-05-11 | 尼康股份有限公司 | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
JP4583827B2 (en) * | 2004-07-21 | 2010-11-17 | 富士フイルム株式会社 | Image forming apparatus and image forming method |
CN113167919B (en) * | 2018-11-14 | 2024-09-06 | 11093568加拿大有限公司 | High-resolution multiplexing system |
-
2001
- 2001-07-09 JP JP2001207774A patent/JP3507459B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002075859A (en) | 2002-03-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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