JP3475533B2 - 薄膜型磁気ディスク - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はコンピュータの磁気記憶
装置等に用いられる高密度記録に適した薄膜型磁気ディ
スクに関する。特に、持ち運び可能な小型のコンピュー
タに内蔵され、高度な耐衝撃性が要求される薄膜型磁気
ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの小型化、高速化に
より、持ち運び可能なタイプのコンピュータに対する市
場が拡大している。このようなタイプのコンピュータに
対しては、高度な耐衝撃性が要求される。このためこの
ようなコンピュータの外部記憶装置の記憶媒体として用
いられる磁気ディスクに対しては高度な耐衝撃性が要求
される。高密度磁気ディスクにおいては、非磁性ディス
ク基板上に形成される磁気記録媒体が、従来の磁性粉を
樹脂で結合した塗布膜から、磁性金属をディスク基板上
にめっき法や蒸着法、スパッタリング法等で形成する薄
膜磁性金属膜に移ってきている。そして一般に、磁気デ
ィスク稼働時には磁気ヘッドがディスク面より浮上し、
停止時にはディスク面に接触するいわゆるＣＳＳ（コン
タクト・スタート・ストップ）方式が採用されている。

【０００３】図３は公知の磁気ディスクの一例の断面図
である。図３中１は非磁性基板で、例えばアルミ合金円
板と、その上に無電解めっき法等で形成されたＮｉ−Ｐ
合金層等の下地層からなる。この下地層表面には磁気ヘ
ッドの吸着を防止するため、一般に、回転する周方向に
テクスチャーと呼ばれる微細な溝状の凹凸が形成されて
いる。基板の上には下地膜２が形成されているが、この
両者の間には真空蒸着法、スパッタリング法等で島状構
造を形成したり、塗布法等で微細な粒子を配置させたり
して、テクスチャーを形成することがある。下地膜２
は、一般に磁性膜の磁気特性向上や磁性膜の密着性向上
のため形成するものであり、例えば、めっき法、イオン
プレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法など
の手法によって形成された、ＣｒあるいはＣｒを主成分
とする合金、化合物からなる膜が用いられる。

【０００４】下地膜２の上には磁性膜３が形成されてい
る。磁性膜３は、例えば、めっき法、イオンプレーティ
ング法、真空蒸着法、スパッタリング法などの手法によ
って形成された、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ等の強磁性金属また
はこれらの元素を主成分とする強磁性合金からなる膜が
一般に用いられる。この磁性膜３は、磁性膜の膜厚中心
と磁気ヘッドとの間隔を小さくする必要から、要求され
る磁気特性を満足する範囲内において、より薄いほど望
ましい。

【０００５】上記の磁性膜３は空気中で酸化腐食を起こ
し易く、また耐摩耗性も劣るため、磁性膜３の上には保
護膜４が形成されている。この保護膜４には例えばスパ
ッタリング法で作製したカーボン系保護膜、スパッタリ
ングによる成膜時に水素や炭化水素等を導入して作製し
た水素化カーボン系保護膜、ＳｉＯ₂系保護膜等が一般
的に用いられている。この保護膜４は、磁性膜３と磁気
ヘッドの間隔を小さくする必要から、より薄いほど望ま
しい。しかし、磁性膜に対する腐食防止や、磁気ヘッド
との摺動時の耐摩耗性向上の観点からは、ある程度以上
の膜厚が必要である。この保護膜４自体にイオンプレー
ティング法、スパッタリング法等により凹凸を形成した
り、塗布法を用いて保護膜４中に微細な粒子を分散させ
たりして、テクスチャーを形成することがある。

【０００６】保護膜４上には磁気ヘッドとの接触時の耐
摺動特性を向上させる目的で潤滑剤層５が形成されてい
る。この潤滑剤層５には、例えばイタリアのモンテフル
オス（Ｍｏｎｔｅｆｌｕｏｓ）社のＦＯＭＢＬＩＮ Ａ
Ｍ２００１，ＦＯＭＢＬＩＮＺ−ＤＯＬや、デュポン社
のＫＲＹＴＯＸ １４３、ダイキン社のデムナムシリー
ズ等のパーフロロアルキルエーテル系潤滑剤が一般に用
いられる。このような金属あるいは金属化合物からなる
連続磁性薄膜である磁性膜３を有する磁気ディスクは、
塗布型の磁気ディスクに比較して磁性膜をきわめて薄い
薄膜にでき、高記録密度化に適した磁気ディスクとして
広く使用されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の磁気ディスクを持ち運び可能な小型コンピュータ内
蔵の磁気ディスク装置に適用した場合、落下等の衝撃を
受けることにより記録した情報の一部が失われるという
問題が生じることが知られている。この情報の欠損は、
落下等の衝撃により磁気ヘッドが磁気ディスクにたたき
つけられ、基板が塑性変形することにより発生する。こ
のため最近、耐衝撃性を向上させる目的で、基板の種類
を、同一の応力が作用した場合に、より変形の生じにく
いガラス等の材料に変更することが検討されはじめてい
る。しかしながら、これに関して、発明者らが検討を行
ったところ、基板をガラス等の変形の生じにくい材料に
変更することにより磁気ディスクの耐衝撃性は相当程度
向上するものの、これだけでは、落下等の衝撃に耐える
のに十分な耐衝撃性が得られないことが明らかになっ
た。本発明の目的は、耐衝撃性に優れた薄膜型磁気ディ
スクを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともガ
ラス基板と該ガラス基板表面上に形成された下地膜と該
下地膜上に形成された磁性膜と該磁性膜上に形成された
保護膜と該保護膜上に形成された潤滑剤層とを有してな
る薄膜型磁気ディスクにおいて、該ガラス基板表面のビ
ッカース硬度が１２００以上（但し１２００を除く）で
あり、かつ、該ガラス基板の表面と該磁性膜の間に介在
する該下地膜を含む膜厚と該磁性膜の膜厚の総和が８０
ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜型磁気ディスクで
ある。

【０００９】磁気ディスクを組み込んだ磁気ディスク装
置を高い位置から落下させた場合は、磁気ディスクはか
なりの確率でエラーが発生してしまうことがある。これ
は図４において、磁気ヘッドの衝突による基板自体の変
形量ａが大きく、この基板上に形成された下地膜及び磁
性膜が塑性変形を起こしてしまうときである。すなわち
保護膜表面での窪み量ｂが大きくなり、そのため、衝突
痕領域においては磁気ディスクの通常駆動時において、
磁気膜の膜厚中心と磁気ヘッドの間隔が初期の設計値よ
りも拡大することになり、出力が減少し、エラーとなっ
てしまう。本発明者は上記の現象を考察検討し、本発明
をなすに至った理由を以下に述べる。従来より図３に示
すような構成の磁気ディスクが用いられている。このよ
うな構成の磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置に対
して、特に磁気ディスク稼働時に落下等の衝撃を与えた
場合、磁気ヘッドが磁気ディスクに対して激しくたたき
つけられる。これにより、磁気ディスク表面に衝突痕が
形成される。図４に、この衝突痕の断面図を概念的に示
す。図中、１は無電解めっき法等でＮｉ−Ｐ合金層を形
成したＡｌ合金基板、２は下地膜、３は磁性膜、４は保
護膜、５は潤滑層である。磁気ヘッドの衝突により、磁
気ディスク基板が主として変形し、これによりその上部
に形成されている磁気膜等も陥没する。このような衝突
痕領域においては、磁気ディスクの通常駆動時におい
て、磁気膜の膜厚中心と磁気ヘッドの間隔が初期の設計
値よりも拡大することになり、出力が減少し、エラーと
なる。

【００１０】本発明者は、非磁性基板として表面硬度が
大きく変形が生じにくいガラス基板を用いるとともに、
下地膜と磁性膜の膜厚をある値以下にすることによっ
て、これらの膜の変形量を小さくできることを見出し
た。すなわち磁気ディスクを組み込んだ磁気ディスク装
置の動作中に、種々の加速度を作用させる衝撃試験を行
ったところ、驚くべきことに下地膜と磁性膜の膜厚の和
が小さくなるにしたがってエラーの発生確率は減少して
いくということを見出したのである。このとき衝突痕が
生じた領域では、磁気ディスクの通常駆動時において、
磁気膜の膜厚中心と磁気ヘッドの間隔が初期の設計値に
対する拡大幅が小さくなり、したがって出力の減少幅が
小さくなり、エラーが生ずる確率が小さくなることを見
い出したのである。

【００１１】本発明におけるガラス基板としては、表面
のビッカース硬度が６００以上であることが必要であ
る。ビッカース硬度が６００より小さいと、衝撃により
磁気ヘッドが磁気ディスクにたたきつけられたときに、
基板表面が変形してしまい、耐衝撃性を十分向上させる
ことができない。基板自体の変形量をできるだけ小さく
するために、基板自体の表面硬度はより高いことが好ま
しい。基板自体の表面硬度としては、ビッカース硬度で
８００以上であることがより好ましく、１２００以上で
あることが特に好ましい。このような材料としては、ガ
ラス、結晶化ガラス、アモルファスカーボン、ＳｉＣ等
が挙げられる。このような材料の中で特に、磁気ヘッド
の浮上高さをできるだけ小さくするための表面平坦性、
材料コスト、加工性等からガラスが好ましく使用され
る。ガラスの組成は特に限定されないが、耐候性に優れ
たアルミノシリケートガラス、低コストなソーダライム
シリケートガラスが好まれて使用される。これらのガラ
ス基板は、その機械的強度を向上させる目的で、化学強
化処理がほどこされる。

【００１２】本発明の磁気ディスクにおいては、非磁性
基板であるガラス基板上に下地膜が形成されている。下
地膜は、一般に磁性膜の磁気特性向上や磁性膜の密着性
向上のため形成するものであり、例えば、めっき法、イ
オンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法
などの手法によって形成された、ＣｒあるいはＣｒを主
成分とする合金、化合物からなる膜あるいはＷ膜が用い
られる。特に、磁気特性向上の面から、Ｃｒを主成分と
する合金が好まれて使用される。さらに、従来一般的に
知られている研磨テープ或いは研磨砥粒を用いた方法に
より、テクスチャーを形成することが困難であるガラス
等の非磁性基板の採用時には、該非磁性基板と下地膜の
間に、真空蒸着法、スパッタリング法等で島状構造を形
成したり、塗布法等で微細な粒子を配置させたりして、
テクスチャーを形成することが好んで行われる。また、
テクスチャー形成を容易にする目的で、あるいは磁気特
性を向上させる目的で下地膜と前記非磁性基板との間に
さらに中間膜を形成してもよい。

【００１３】本発明においては、下地膜上に磁性膜が形
成されている。該磁性膜は、例えば、めっき法、イオン
プレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法など
の手法によって形成された、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ等の強磁
性金属またはこれらの元素を主成分とする強磁性合金か
らなる膜が一般に用いられる。

【００１４】本発明において、上記の磁性膜は空気中で
酸化腐食を起こし易く、また耐摩耗性も劣るため、磁性
膜の上には保護膜が形成される。この保護膜には例えば
スパッタリング法で作製したカーボン系保護膜、スパッ
タリングによる成膜時に水素や炭化水素等を導入して作
製した水素化カーボン系保護膜、ＳｉＯ₂系保護膜等が
一般的に用いられる。この保護膜は、磁性膜と磁気ヘッ
ドの間隔を小さくする必要から、より薄いほど望まし
い。しかし、磁性膜に対する腐食防止や、磁気ヘッドと
の摺動時の耐摩耗性向上の観点からは、ある程度以上の
膜厚が必要である。この保護膜自体にスパッタリング法
により凹凸を形成したり、塗布法を用いて保護膜中に微
細な粒子を分散させたりして、テクスチャーを形成して
もよい。

【００１５】本発明においては、保護膜上に磁気ヘッド
との接触時の耐摺動特性を向上させる目的で潤滑剤層が
形成される。この潤滑剤層には、例えばイタリアのモン
テフルオス（Ｍｏｎｔｅｆｌｕｏｓ）社のＦＯＭＢＬＩ
Ｎ ＡＭ２００１，ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＯＬや、デ
ュポン社のＫＲＹＴＯＸ １４３、ダイキン社のデムナ
ムシリーズ等のパーフロロアルキルエーテル系潤滑剤が
好まれて用いられる。

【００１６】本発明においては、ガラス基板の表面か
ら、ガラス基板上に存在する磁性膜までの間に存在する
全ての膜の膜厚と、磁性膜の膜厚の総和が８０ｎｍ以下
であることが必要である。ガラス基板の表面から、該ガ
ラス基板上に存在する磁性膜までの間に存在する全ての
膜の膜厚と、前記磁性膜の膜厚の総和が８０ｎｍより大
きくなると、耐衝撃性が低下する。耐衝撃性を大きくす
る観点から、ガラス基板の表面から、該ガラス基板上に
存在する磁性膜までの間に存在する全ての膜の膜厚と、
磁性膜の膜厚の総和が５０ｎｍ以下であることがさらに
好ましく、３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
磁性膜の磁気特性を確保する上から、磁性膜の厚みは１
５ｎｍ以上とするのが好ましく、磁性膜の結晶構造を向
上させ磁気特性をよくする上で、下地膜の厚みは５ｎｍ
以上とするのが好ましい。従ってガラス基板の表面か
ら、磁性膜までの間に介在する下地膜の膜厚を含む厚み
と、磁性膜の膜厚の総和を２０〜８０ｎｍとするのが好
ましく、さらに２０〜５０ｎｍとするのが好ましく、２
０〜３０ｎｍとするのが最も好ましい。

【００１７】

【作用】本発明では、表面のビッカース硬度が１２００
以上（但し１２００を除く）であるガラス基板を用い、
かつ、ガラス基板の表面から、磁性膜までに存在する全
ての膜の膜厚と磁性膜の膜厚との総和を８０ｎｍ以下と
している。このため、落下等の衝撃により磁気ヘッドが
磁気ディスクにたたきつけられて発生する衝突痕の深さ
が最小限になり、エラーの発生確率がきわめて小さくな
る。

【００１８】

【実施例】次に本発明の実施例について説明する。（ 実施例１） 図１は本発明による磁気ディスクの実施例の拡大された
一部断面図である。ディスク基板１１として、内径２０
ｍｍ、外径６４ｍｍのアルミノシリケートガラス板を用
い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）を１ｎｍ以下に平滑研磨し
た。次いで化学強化し、洗浄した基板上に、厚さ約１０
ｎｍのＣｒＶ系金属下地膜１２、厚さ約３０ｎｍのＣｏ
ＰｔＣｒ系の磁性膜１３をそれぞれスパッタリング法で
順次形成した。この上に、塗布法を用いて厚さ約２０ｎ
ｍのＳｉＯ₂保護膜１４と高さ約４０ｎｍのＳｉＯ₂から
なる半球状突起部を多数有するテクスチャー層１５を形
成した。さらにこの上に潤滑層１６として厚さ３ｎｍの
有機高分子フッ素化合物（商品名ＡＭ２００１）をディ
ッピング法を用いて形成した。ここで、化学強化を施し
たアルミノシリケートガラス製の基板表面のビッカース
硬度は約１４００（但し、ビッカース硬度は、ＮＥＣ
（株）製超薄膜用微小硬度計ＮＥＣＭＨＡ−４００によ
り荷重１ｍＮで測定した結果より換算した。）であっ
た。実施例１の比較例として、ＣｒＶ系金属下地膜１２
の膜厚を１００ｎｍとした以外は実施例１と同一の構成
の磁気ディスクを作製し比較例１のサンプルを得た。さ
らに、実施例１の比較として、基板として無電解めっき
法により表面にＮｉ−Ｐ合金層を形成したアルミ合金板
を用いた以外は実施例１と同一の構成の磁気ディスクを
作製し比較例２のサンプルを得た。ここで、表面にＮｉ
−Ｐ合金層を形成したアルミ合金基板表面のビッカース
硬度は、約４００（但し、測定方法は実施例１と同一で
ある）であった。

【００１９】この３種類の磁気ディスクを用いて磁気デ
ィスク装置を構成し、この装置全体をディスク稼働状態
で種々の高さから所定の回数だけ落下させることによ
り、種々の加速度を作用させる衝撃試験を行った。この
とき作用した加速度と、衝撃により発生したエラー個数
の関係を表１に示す。

【００２０】

【表１】

【００２１】但し、エラーはその大きさの大小にかかわ
らず連続しているものは、１つとカウントした。これよ
り、比較例１の磁気ディスクにおいては１５０Ｇの加速
度で、比較例２の磁気ディスクにおいては１００Ｇ以下
の加速度で、すでにエラーの発生がみられるのに対し、
実施例１の磁気ディスクでは２５０Ｇの加速度において
もエラーの発生がなく、良好な耐衝撃性が実現できてい
ることがわかる。特に、比較例２の結果から明らかなよ
うに、基板表面から磁性膜までの間に存在する膜の厚さ
を薄くしても基板表面の硬度が低ければ耐衝撃性は向上
しないことが明確に認識される。

【００２２】（実施例２） 図２は本発明による磁気ディスクの他の実施例の拡大さ
れた一部断面図である。ディスク基板２１として、内径
２０ｍｍ、外径６４ｍｍのソーダライムシリケートガラ
ス板を用い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２５ｎｍ以下に平
滑研磨した。次いで化学強化し、表面粗さ（Ｒｍａｘ）
を１ｎｍ以下に精密研磨し洗浄した基板上に、スパッタ
リング法により厚さ約５ｎｍのＴｉ膜２２を形成し、そ
の上に高さ約４０ｎｍの島状のＡｌ粒２３を形成しテク
スチャーとした。このときＡｌ膜の、スパッタリング量
から換算される平均的な厚さは２ｎｍであった。この上
に、厚さ約２０ｎｍのＣｒ系金属下地膜２４、厚さ約２
０ｎｍのＣｏＰｔＣｒ系の磁性膜２５、厚さ約２０ｎｍ
のカーボン保護膜２６をそれぞれスパッタリング法で順
次形成した。さらにこの上に潤滑膜２７として厚さ３ｎ
ｍのＡＭ２００１をディッピング法を用いて形成し実施
例２のサンプルを得た。ここで、化学強化を施したソー
ダライムシリケートガラス製の基板表面のビッカース硬
度は、約１３００（但し、ビッカース硬度は、ＮＥＣ製
超薄膜用微小硬度計ＮＥＣＭＨＡ−４００により荷重１
ｍＮで測定した結果より換算した。）であった。実施例
２の比較として、Ｃｒ系金属下地膜１２の膜厚を１００
ｎｍとした以外は、実施例２と同一の膜構成の磁気ディ
スクの比較例３のサンプルを作製した。この実施例２と
比較例３の２種類の磁気ディスクのサンプルに対して実
施例１と同様の衝撃試験を行った。このとき作用した加
速度と、衝撃により発生したエラー個数の関係を表２に
示す。これより、比較例３の磁気ディスクにおいては１
５０Ｇの加速度条件でエラーの発生がみられるのに対
し、実施例２の磁気ディスクは２５０Ｇの加速度におい
てもエラーの発生がなく、良好な耐衝撃性が実現できて
いることがわかる。

【００２３】

【表２】

【００２４】（実施例３） ディスク基板１１として、内径２０ｍｍ、外径６４ｍｍ
のアルミノシリケートガラス板を用い、表面粗さ（Ｒｍ
ａｘ）を１ｎｍ以下に平滑研磨した。次いで化学強化
し、洗浄した基板上に、種々の厚さのＣｒＶ系金属下地
膜１２、厚さ約２０ｎｍのＣｏＰｔＣｒ系の磁性膜１３
をそれぞれスパッタリング法で順次形成した。この上
に、塗布法を用いて厚さ約２０ｎｍのＳｉＯ₂保護膜１
４と高さ約４０ｎｍのＳｉＯ₂半球状突起部を多数有す
るテクスチャー層１５を形成した。さらにこの上に潤滑
層１６として厚さ３ｎｍのＡＭ２００１をディッピング
法を用いて形成した。ここで、化学強化を施したアルミ
ノシリケートガラス製の基板表面のビッカース硬度は約
１４００（但し、ビッカース硬度は、ＮＥＣ製超薄膜用
微小硬度計ＮＥＣＭＨＡ−４００により荷重１ｍＮで測
定した結果より換算した。）であった。ＣｒＶ系金属下
地膜の膜厚は、５，１０，２０，５０，１００ｎｍと変
化させた。この５種類の磁気ディスクを用いて磁気ディ
スク装置を構成し、実施例１と同一の衝撃試験を行っ
た。このとき作用した加速度と、衝撃により発生したエ
ラー個数の関係を表３に示す。これより、下地膜と磁性
膜の膜厚の和が２５ｎｍのものでは３００Ｇと最も優れ
た耐衝撃性を示し、膜厚の和が３０、４０ｎｍのもので
は２５０Ｇ、７０ｎｍのものでは、２００Ｇの比較的優
れた耐衝撃性を示した。これに対し、膜厚の和が１２０
ｎｍのものでは１００Ｇとかなり劣化している。通常こ
のような可搬性の要求される磁気ディスクに対して要求
される稼働時の耐衝撃性が２００Ｇ程度であることを考
えると、膜厚の和が８０ｎｍ以下とすることにより実用
し得る耐衝撃性が得られる。

【００２５】

【表３】

【００２６】（実施例４） ディスク基板１１として、内径２０ｍｍ、外径６４ｍｍ
の種々の表面硬度を有する基板を用い、表面粗さ（Ｒｍ
ａｘ）を１ｎｍ以下に平滑研磨した。次いで、洗浄した
基板上に、スパッタリング法により厚さ約５ｎｍのＴｉ
膜２２を形成し、その上に高さ約４０ｎｍの島状のＡｌ
粒２３を形成しテクスチャーとした。このときＡｌ膜
の、スパッタリング量から換算される平均的な厚さは２
ｎｍであった。この上に、厚さ約６ｎｍのＣｒ系金属下
地膜２４、厚さ約２０ｎｍのＣｏＰｔＣｒ系の磁性膜２
５、厚さ約２０ｎｍの水素化カーボン保護膜２６をそれ
ぞれスパッタリング法で順次形成した。さらにこの上に
潤滑層２７として厚さ３ｎｍのＡＭ２００１をディッピ
ング法を用いて形成した。ここで、各種基板表面のビッ
カース硬度は、ＮＥＣ製超薄膜用微小硬度計ＮＥＣＭＨ
Ａ−４００により荷重１ｍＮで測定し、その結果を換算
して求めた。この各種基板を用いて作製した磁気ディス
クに対して実施例１と同様の衝撃試験を行った。このと
き作用した加速度と、衝撃により発生したエラー個数の
関係を表４に示す。これより、基板のビッカース硬度が
６００以上の場合に十分な耐衝撃性を有することがわか
る。

【００２７】

【表４】

【００２８】以上の検討結果より、磁気ディスクの耐衝
撃性を向上させるためには、ガラス基板の表面から薄膜
磁性膜までの間に介在する下地膜の膜厚を含む厚みと薄
膜磁性膜の膜厚の総和を８０ｎｍより小さくし、ガラス
基板としてビッカース硬度１２００以上（但し１２００
を除く）のものを用いればよいことが分かる。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、持ち運び可能なコンピ
ューターへの応用に適した、耐衝撃性に極めて優れた磁
気ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の膜構成を説明するための拡
大された一部断面図である。

【図２】本発明の他の実施例の膜構成を説明するための
拡大された一部断面図である。

【図３】本発明の一実施例の一部断面図である。

【図４】衝撃により受けた磁気ディスクの変形を説明す
るために模式的に示した磁気ディスクの拡大された一部
断面図である。

【符号の説明】 １、１１、２１・・・ガラス基板、２、１２、２４・・
・下地膜、３、１３、２５・・・磁性膜、４、１４、２
６・・・保護膜、５、１６、２７・・・潤滑膜、１５・
・・テクスチャー層、２２・・・Ｔｉ膜、２３・・・島
状のＡｌ粒子からなるテクスチャー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/82

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくともガラス基板と、該ガラス基板上
   に形成された下地膜と、該下地膜上に形成された磁性膜
   と、該磁性膜上に形成された保護膜と、該保護膜上に形
   成された潤滑剤層とを有してなる薄膜型磁気ディスクに
   おいて、 該ガラス基板表面のビッカース硬度が１２００以上（但
   し１２００を除く）であり、かつ、該ガラス基板の表面
   と該磁性膜の間に介在する該下地膜を含む膜厚と該磁性
   膜の膜厚の総和が８０ｎｍ以下であることを特徴とする
   薄膜型磁気ディスク。
2. 【請求項２】該膜厚の総和が２０ｎｍ以上である請求項
   １に記載の薄膜型磁気ディスク。
3. 【請求項３】該膜厚の総和が５０ｎｍ以下である請求項
   ２に記載の薄膜型磁気ディスク。
4. 【請求項４】該膜厚の総和が３０ｎｍ以下である請求項
   ２に記載の薄膜型磁気ディスク。
5. 【請求項５】該磁性膜の膜厚が１５ｎｍ以上、該下地膜
   の膜厚が５ｎｍ以上である請求項１乃至４のいずれかの
   項に記載の薄膜型磁気ディスク。
6. 【請求項６】該下地膜がＣｒまたはＣｒを主成分とする
   金属からなる膜である請求項１乃至５のいずれかの項に
   記載の薄膜型磁気ディスク。