JP3454589B2 - 圧電デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、機械的強度を有する、
幅すべり振動部が形成される圧電デバイス及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より種々構成の圧電体を使用した振
動部を有する圧電デバイスが提案されている。かかる圧
電デバイスは、ＡＴカットの圧電体の厚みにより振動数
を決定する厚みすべりを利用した圧電デバイスと、ＳＬ
カットあるいはＨＴカットの圧電体の幅の大きさにより
振動数を決定する幅すべりを利用した圧電デバイスに分
類される。

【０００３】図２３は、上記分類における圧電デバイス
の内、ＡＴカット厚みすべりを利用する振動子の従来の
構成例である。特に図２３（１）は、一般的なＡＴカッ
ト厚みすべり振動子の例であり、振動子を一部切り欠い
て示している。

【０００４】図２３（１）において、６０は、ＡＴカッ
ト圧電基体である。６１は電極であり、６２は一対の支
持部材兼電極取り出し端子である。一対の部材６２は、
表面電極６１に接続され、他方の部材６１は、図示しな
い、圧電基体６０の裏面に形成される電極に接続され
る。

【０００５】図２３（２）は、高周波化を狙い振動部６
３をエッチング加工を利用して薄くし、支持構造と一体
化したダイアフラム型のＡＴカット厚みすべり振動子の
構造である。

【０００６】図２３（１）及び図２３（２）のいずれの
構造も、その振動周波数は、厚みｔ1 、ｔ2 で決定され
る。

【０００７】即ち、（振動周波数）ｆ＝（定数）Ａ／
（厚み）ｔ の関係で振動周波数が決定される。例え
ば、５０ＭＨｚで、厚みは約３５μｍとなる。

【０００８】図２４は、図２３の振動子構造を用いたＭ
ＣＦ（モノリシッククリスタルフィルタ）である。図２
３との比較において、電極６１が、二つの電極６１１、
６１２に分離されている。二つの電極６１１、６１２間
の結合度により、通過帯域幅が調整されるフィルタであ
る。

【０００９】更に、図２５は、ＳＬ／ＨＴカット幅すべ
り振動子の従来の構成例である。図２５（１）は、一般
的なＳＬ／ＨＴカット幅すべり振動子の例である。

【００１０】図２５（１）において、７０は、ＳＬ／Ｈ
Ｔカット圧電振動体部である。７１は電極であり、７２
は支持軸である。

【００１１】図２５（２）は、エッチング加工を利用し
て支持構造と一体化したＳＬ／ＨＴ幅すべり振動子の構
造であり、一枚の圧電体を振動体部７０及び支持部７３
を残しエッチング加工して作られている。

【００１２】更に、図２５（１）及び図２５（２）おい
て、対向電極は、図示省略されているがそれぞれ圧電振
動体部７０の裏面に形成されている。

【００１３】図２５（１）及び図２５（２）のいずれの
構造も、その振動周波数は、振動体部の幅ｈ1 、ｈ2 で
決定される。

【００１４】即ち、（振動周波数）ｆ＝（定数）Ｂ／
（幅）ｈ の関係で振動周波数が決定される。例えば、
５０ＭＨｚで、振動体部７０の幅は約５０μｍとなる。

【００１５】図２６は、図２５（２）の振動体部構造を
用いたＭＣＦ（モノリシッククリスタルフィルタ））で
ある。図２５（２）との比較において、電極７１が、二
つの電極７１１、７１２に分離されている。図２４にお
けると同様に二つの電極７１１、７１２間の結合度の調
整により、通過帯域幅が決められてフィルタを構成す
る。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、機械加
工精度の向上に加えて、プラズマやリアクティブイオン
を利用したドライエッチング加工により、高周波用に適
した前記の図２３（２）、図２５（２）あるいは図２６
に示されるような振動子等が提案されている。

【００１７】しかしながら、高周波となる程に、振動体
部の厚みあるいは幅が小さくなり、耐振動性や耐衝撃性
に対して問題が残る。

【００１８】したがって、本発明は、かかる従来の問題
を解決する振動子あるいはＭＣＦとして用いることが可
能な圧電デバイス及びその製造方法を提供することを目
的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明にしたがう圧電デ
バイスは、基本的構造として、圧電体基部の片面に支持
部と、この支持部に両端が接続される振動体部を有し、
この振動体部の両辺に沿って厚み方向に狭まるテーパを
有している。

【００２０】更に振動体部と支持部との接続構造とし
て、第一の構成では、前記振動体部は、前記支持部に接
続される両端部において中央部より狭められている。

【００２１】また、接続構造として、第二の構成では、
前記振動体部は、矩形状をなし、前記支持部に接続され
る端部において、矩形状の対向する両辺のそれぞれ中央
部の一点で支持される。

【００２２】更に、本発明にしたがう圧電デバイスの第
一の電極構成として、前記振動体部の表面に形成された
電極と、前記圧電体基部の前記片面に対向する面に形成
された対向電極を有し、前記両電極間に電界が付与され
て表面幅すべり振動子を構成する。

【００２３】また第二の電極構成として、前記振動体部
の表面に形成された電極と、前記片面の前記振動体部及
び、前記支持部以外の部分に形成された対向電極を有
し、前記両電極間に電界が付与される。

【００２４】更に、本発明にしたがう圧電デバイスを用
いたフィルタの第一の構成として、前記振動体部の表面
に形成される電極が、互いに分離された第一、第二の電
極であり、前記第一の電極と前記対向電極との間、及び
前記第二の電極と前記対向電極との間に電界が付与され
てＭＣＦ（モノリシッククリスタルフィルタ）を構成す
る。

【００２５】また、本発明にしたがう圧電デバイスを用
いたフィルタの第二の構成として、前記支持部に接続さ
れる一対の振動体部を有し、一対の振動体部のそれぞれ
の一端間が振動体部の幅より狭い結合体により機械的に
結合されている。

【００２６】更に、本発明にしたがう圧電デバイスを用
いたフィルタの第三の構成として、圧電体基部の片面に
支持部と、この支持部にそれぞれ両端が接続される一対
の振動体部を有し、且つ一対の振動体部の互いに隣接す
る辺が、結合体により機械的に結合されている。

【００２７】また、本発明にしたがう圧電デバイスを用
いたフィルタの第四の構成として、一組の圧電デバイス
を圧電体基部を共通とするように背中合わせに配置し、
且つこの一組の圧電デバイス素子の振動体部間で機械的
結合が生じるような圧電体基部の厚さを有する。

【００２８】更に、本発明にしたがう圧電デバイスの製
造方法は、前記の圧電デバイスにおける前記圧電体基部
の片面に支持部とこの支持部に接続される振動体部の領
域にＡｌ（アルミニウム）でマスクパターンを形成し、
前記圧電体基部を回転軸に対し所定角度（θ1 ）傾斜し
ながら回転し、且つ前記片面側からイオン流を照射して
エッチングにより、前記振動体部の両辺に沿って厚み方
向に狭まるテーパを形成する。

【００２９】更に具体的製造方法として、前記圧電体基
部を前記所定角度（θ1 ）より小さい角度（θ2 ）傾斜
しながら回転し、且つこの回転軸と平行に電極材料を蒸
着又はスパッタして前記の電極を形成する。

【００３０】

【作用】本発明においては、圧電体基部の片面に支持部
と、この支持部に接続される振動体部を有し、この振動
体部の両辺に沿って厚み方向に狭まるテーパを有してい
る。

【００３１】このように本発明では、圧電体基部の片面
に支持部と振動体部が形成されるようにしている。更
に、この振動体部が厚み方向に狭まるテーパを有してい
るので振動子本体となり、且つ圧電体基部全面において
支持される構造である。

【００３２】したがって、振動エネルギーを表面におい
て閉じ込めることができ、且つ耐振動性及び耐衝撃性に
対し、改善された構造が得られる。

【００３３】

【実施例】図１は、本発明の第一の実施例であり、ＳＬ
あるいはＨＴカット圧電体を使用し、幅すべり振動子を
構成する圧電デバイスである。尚、以下の説明において
同一または類似のものには、同一の番号及び記号を付し
て説明する。

【００３４】図１（１）は、その斜視図であり、図１
（２）は、Ａ−Ｂ線に於ける断面図である。図におい
て、１は、ＳＬあるいはＨＴカットの圧電体基部であ
る。図示されるように圧電体基部１の片面側に支持部２
と、この支持部２に両端３１、３２が接続される振動体
部３を有している。

【００３５】なお、図１の例では、支持部２は枠状に形
成されている。更に、枠状の支持部２の対向する二辺に
振動体部３の両端３１、３２が接続されている。更に振
動体部３は、その中央部３０の幅に対し、支持部２の前
記対向する二辺に接続される接続部位３１、３２に向け
て幅が漸次小さくされている。

【００３６】更に、図１（２）に示されるように、この
振動体部３の、両辺に沿って厚み方向に狭まるテーパ６
を有している。このテーパ６は、一例として後に説明す
るように、イオン流を照射してエッチングにより形成さ
れる。

【００３７】また、４は振動体部３上に形成された電極
であり、５はこれと対向し、圧電体基部１の裏面に形成
される対向電極である。したがって、かかる構造により
振動体部３は、圧電体基部全面において支持され、また
振動エネルギーを表面において閉じ込めることができ
る。このため高周波に使用する場合、振動体部３の幅が
小さくなる場合であっても、従来の構造に比し、耐振動
性及び耐衝撃性に優れることが容易に理解される。

【００３８】図２は、本発明の第二の実施例であり、図
１の第一の実施例の構造を更にＭＣＦ（モノリシックク
リスタルフィルタ）に適用した構造である。図１と異な
る点は、電極４が振動体部３の中央部３０において、分
離された電極４０及び４１を有している点にある。

【００３９】更に、図２において、その断面構造は、図
１（２）に示すものと同様である。

【００４０】したがって、それぞれの電極４０及び４１
は、圧電体基部１の裏面に形成される対向電極との間で
信号が与えられる。また、分離された電極４０及び４１
の中間部３０をエッチング調整することにより通過帯域
幅が調整される。

【００４１】図３は、本発明において特徴付けられる、
振動体部３の両辺に沿って形成される厚み方向に狭まる
テーパ６の形成方法の実施例である。

【００４２】即ち、図３において、圧電体基部１の片面
側表面の支持部２と振動体部３に対応する領域部分をＡ
ｌ（アルミニウム）等の金属膜５０でパターニングす
る。ついで、圧電体基部１を回転軸８０に対し所要角度
θ1 傾斜して回転する。そして、圧電体基部１の回転軸
８０と平行にイオン流を照射する。

【００４３】これにより、イオン流が照射した部分がエ
ッチングされる。適当な深さまでこのエッチングを行う
と図示のテーパ６が形成される。尚、かかる方法による
場合は、テーパ６は、振動体部３のみでなく支持部２に
も形成される。

【００４４】図４は、図３に示す方法で形成された支持
部２と振動体部３を有する圧電デバイスを振動子に適用
する際の電極構造の実施例である。図４（１）は、既に
説明したように振動体部３の表面に電極４を形成し、更
にこれに対向するように裏面に対向電極５を形成した構
成である。

【００４５】４１、５１はそれぞれ電極４及び対向電極
５に対する電極リードである。振動体部３の表面に形成
された電極４のリード４１は、具体的には、振動に影響
を与えないように図１乃至図２に図示されるように表面
電極４を振動体部３上に沿って延長し、支持部２の電極
領域７において接続される。

【００４６】図４（２）は、更に別の電極構造であり、
振動体部３上の電極４に対向する電極５は、圧電体１の
支持部２及び振動体部３が形成される側で、支持部２及
び振動体部３以外の部分に形成される。

【００４７】かかる電極構造の特徴は、図４（１）の場
合、支持体としての圧電基体１が厚くなると、電極４及
び対向電極５間の電界Ｅが小さくなる可能性が生じる。
したがって、これを解決するための構造である。

【００４８】即ち、図４（２）において、リード４１と
５１との間に信号を付与すると、電界Ｅは、図示の矢印
に沿って、横方向に与えられる。かかる場合、図４
（１）に対し、電極４及び対向電極５間の距離が短くな
るので、所定の信号レベルで十分な電界Ｅが確保可能で
ある。

【００４９】図５は、図４（２）に示した電極構造の形
成方法を説明する図である。図５（１）は、振動体部３
の表面に形成される電極４及び対向電極５の一部拡大図
である。図５（１）において、６は、図３により説明し
た方法により振動体部３の両辺に沿って形成される厚み
方向に狭まるテーパである。

【００５０】このテーパ６は、圧電基体１を回転軸８０
に対しθ1 の角度傾斜し、回転軸６０に平行にイオン流
を照射して形成されたものである。したがって、図５に
おける電極の形成方法は、基本的に図３のテーパを形成
する方法と同様である。

【００５１】即ち、図５（２）に示すように圧電基体１
を回転軸８０に対しθ2 の角度傾斜しながら回転し、回
転軸８０に平行にＡｇ等の電極材料を蒸着またはスパッ
タにより形成する。

【００５２】ここで、電極を形成する時は、圧電基体１
を図３における傾斜角θ1 より小さいθ2 の角度で傾斜
させる。これは、図５（１）に関係が示されるようにテ
ーパ６の形成時と同様に傾斜角θ1 とすると、対向電極
５がテーパ６の端部まで形成される。かかる場合は、図
４（２）に示す横方向の電界Ｅ、即ち電束の通路が十分
に確保されないことになるり、これを防ぐためである。

【００５３】更に、上記電極の形成において、蒸着（ま
たはスパッタ）やエッチング（または逆スパッタ等）に
より周波数を調整することも可能である。 更に、図２
のＭＣＦ（モノリシッククリスタルフィルタ）において
は、振動体部間の結合度、即ち分離された電極４０及び
４１の間３０をこれら電極をマスクとしてエッチングす
ることによりフィルタの通過帯域幅を調整することが可
能である。

【００５４】図６は、本発明の第三の実施例であり、幅
すべりＭＣＦ（モノリシッククリスタルフィルタ）に適
用したものである。更に図２に示す第二の実施例に対応
するものである。図２の第二の実施例との比較におい
て、振動体部３１、３２の表面に形成される電極４１、
４２との間に電界が付与される対向する電極が、圧電基
体１の片側の振動体部３１、３２及び結合部３０以外の
部分に形成されている点にある。

【００５５】図６（１）に示されるように、振動体部３
１、３２の結合部３０と反対側の端部が９１、９２がリ
ード電極７１、７２に接続されている。このリード電極
７１、７２がフィルタとしての入出力電極となる。

【００５６】図６（２）は、図６（１）のＡ−Ｂ線での
断面図である。振動体部３１、３２の表面に形成される
電極４１、４２との間に電界が付与される対向電極５
０、５１が示されている。この電極構造は、図４（２）
において説明した内容と同一である。

【００５７】図７は、本発明の第四の実施例であり、図
６の実施例と同様に幅すべりＭＣＦ（モノリシッククリ
スタルフィルタ）に適用したものである。この実施例に
おいては、図６の実施例と結合部の振動体部３１、３２
を結合する結合部の構造が異なる。図６の実施例では、
振動体部３１、３２を結合する結合部３０は、振動体部
３１、３２の幅より狭く、且つ電極が形成されていな
い。

【００５８】これに対し、図７の構成では、図７（１）
に示すように振動体部３１、３２の隣接する辺の両端部
の、電極４１、４２と同じ材料の狭い導体部分３３、３
４により振動体部３１、３２が結合されている。他の構
造は、図６の実施例と同様である。したがって、図７
（２）に示されるＡ−Ｂ部の断面図は、図１（２）と同
様である。

【００５９】上記導体部分３３、３４は、他の電極部分
と同時にパターンニングにより形成することが出来る。
特に、図７の実施例は、図６の実施例と比較すると、広
帯域のフィルタが実現可能である。

【００６０】図８は、図７の実施例と同様に狭い導体部
分３３、３４により振動体部３１、３２が結合されてい
る本発明の第五の実施例である。図７では、図７（２）
に示すように振動体部３１、３２の表面に形成された電
極４１、４２に対向して、圧電体部１の反対面に対向電
極５として形成されている。これに対し、図８の実施例
では、図８（２）に示されるように、図５の電極構造と
同じに、振動体部３１と支持部２以外の部分に対向電極
５０、５１が形成されている。

【００６１】図９は、更に別の実施例であり、電気的等
価回路は、図１の構成と同じである。互いに平行に配置
される振動体部３１、３２が、それぞれ両端部９１１、
９１２及び９２１、９２２において、支持部２に接続さ
れている。振動体部３１、３２の全表面には、それぞれ
電極４１、４２が生成されている。

【００６２】振動体部３１の表面電極４１は、支持部２
上の電極７１と接続し、振動体部３２の表面電極４２
は、支持部２上の電極７２と接続している。電極７１、
７２は、それぞれ信号の入力出力端となる。

【００６３】図９（２）に示されるように振動体部３
１、３２の表面に形成された電極４１、４２と対向する
電極５が圧電体基部１の振動体部３１、３２と反対側の
面に形成されている。更に、図９の実施例において、振
動体部３１、３２間の結合は、振動体部３１、３２の両
端部の結合体３５、３６により行われる。

【００６４】図１０は、また図９の実施例と同様に互い
に平行に配置される振動体部４１、４２が、それぞれ両
端部９１１、９１２及び９２１、９２２において、支持
部２に接続されている構成である。図９の実施例と異な
り、振動体部３１、３２の表面電極４１、４２に対向す
る電極５０、５１は、図１０（２）に示されるように、
圧電体基部１の振動体部３１、３２と同じ側にあり、振
動体部３１、３２と支持体２を除く部分に形成されてい
る。

【００６５】図１１は、又別の本発明にしたがう圧電デ
バイスの実施例であり、図１に示す実施例構成を一対有
し、対向電極５を共通として背中合わせに張り合わせて
構成される幅すべりＭＣＦ（モノリシッククリスタルフ
ィルタ）に適用したものである。

【００６６】図１１（１）のＡ−Ｂ線の断面が図１１
（２）に示される。一方の振動体部３１と他方の振動体
部３２との結合度は、それぞれの圧電体基部１１、１２
の厚みにより決められる。

【００６７】図１２は、図１１と同じ考えに基づきＭＣ
Ｆ（モノリシッククリスタルフィルタ）に適用した実施
例である。図１１との相違は、振動体部３１、３２の表
面電極４１、４２と対向する電極が振動体部３１、３２
と同じ面に形成される図４（２）の電極構造を有するも
のである。したがって、図１２（２）に示されるように
圧電体部１を共通にして、一対の圧電デバイスが背中合
わせに張り合わされている。電極４１、４２がそれぞれ
ＭＣＦの入出力端になる。

【００６８】この実施例も図１１の実施例の場合と同様
に圧電体部１の厚みに応じて、振動体部３１、３２の結
合度が調整される。

【００６９】図１３は、更に又別の本発明にしたがう圧
電デバイスの構成例である。この図１３以降に示される
実施例は、これまでの実施例に対し、振動体部の表面の
形状、したがって振動体部の表面に形成される電極の形
状が異なり、図１３（１）に示されるように振動体部３
の表面は矩形状をなしている。

【００７０】したがって表面電極４の形状も矩形状であ
る。また、振動体部３は、これまでの実施例と同様に厚
み方向に狭まるようにテーパ６を有している。

【００７１】この矩形状の表面電極４の両辺の中央部９
１、９２において、支持部２と物理的に接続されてい
る。更に、表面電極４の一辺の中央部９１で支持部２に
形成された電極７と電気的に接続されている。

【００７２】図１３（２）は、図１３（１）のＡ−Ｂ線
での断面を示す図である。図示されるように圧電体部１
の振動体部３と反対側の面に表面電極４と対向する電極
５が形成されている。

【００７３】図１４は、更に図１３の実施例に対し、振
動体部３の表面電極４と対向する電極５０、５１が、図
１４（２）に示されるように圧電体部１の振動体部３と
同じ片面で、振動体部３及び支持部２以外の領域に形成
されている。他の特徴は図１３の例と同様である。

【００７４】図１５は、図２に示す実施例と対比される
べき本発明にしたがう圧電デバイスを幅すべりＭＣＦ
（モノリシッククリスタルフィルタ）に適用した例であ
る。

【００７５】図２との相違は、振動体部の表面電極４
０、４１が図１５の例では、矩形状の表面電極４１、４
２に置き換えられている点である。表面電極４１、４２
は互いに中央部の結合部３０で結合され、反対側は、そ
れぞれ支持部２に形成された電極７１、７２と中央点９
１、９２で電気的に接続されている。表面電極４１、４
２に対向する対向電極５は、図１５（２）に示されるよ
うに、圧電体基部１の反対面に形成されている。

【００７６】図１６は、図１５と同様に矩形状の表面電
極４１、４２を有するが、図１６（２）に示すＡ−Ｂ線
に沿う断面から明らかなように、対向電極５０、５１が
圧電体部１の振動体部３１の存在する側にあって、振動
体部３１及び支持部２以外の部分に形成されている。

【００７７】図１７の実施例は、図７の実施例と比較さ
れる構成であり、図７の実施例の振動体部３１、３２の
表面電極４１、４２を矩形状に形成している例である。
そして矩形状の振動体部３１、３２の一辺がその中央部
９１、９２において支持部２と物理的に結合し、表面電
極４１、４２も両辺中央部９１、９２において支持部２
に形成された電極７１、７２と電気的に接続されてい
る。

【００７８】図１７（２）は、図１７（１）のＡ−Ｂ線
に沿う断面図であり、電極４１に対向する電極５が圧電
体部１の振動体部３１のある片面と反対面に形成されて
いる。

【００７９】図１８の例は、図１７の構成に対し、対向
電極５０、５１が振動体部３１及び支持部２を除く部分
で、圧電体部１の振動体部３１と同じ片面に形成される
例である。他の構成及び特性は、図１７に示す実施例と
同様である。

【００８０】更に図１９及び２０は、それぞれ図９、図
１０の実施例と対比されるものであり、振動体部３１、
３２の表面電極４１、４２が矩形状をなしている点に相
違を有する。矩形状の表面電極４１、４２の両端辺の中
央部９１１、９１２、９２１、９２２で支持部２と結合
している。他の構成は、図９、図１０の実施例と同様で
ある。

【００８１】更に、図１９（２）は、図１９（１）のＡ
−Ｂ線に沿う断面図であり、電極４１、４２に対向する
電極５が圧電体基部１の振動体部３１、３２のある片面
と反対面に形成されている。

【００８２】図２１及び図２２は、それぞれ図１１、図
１２の実施例と対比されるものであり、振動体部３１、
３２の表面電極４１、４２が矩形状をなしている点に相
違を有する。矩形状の表面電極４１、４２の両端辺の中
央部９１１、９１２、９２１、９２２で支持部２と物理
的、電気的に結合している。他の構成は、図１１、図１
２の実施例と同様である。

【００８３】

【発明の効果】以上実施例に沿って説明したように、本
発明は振動体部３を厚み方向にテーパ状に加工し、振動
エネルギを表面に集中させている。これにより、機械的
強度に優れた小型の幅すべり振動子及びＭＣＦ等の圧電
デバイスが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例構成を説明する図であ
る。

【図２】本発明の第二の実施例構成を説明する図であ
る。

【図３】本発明によるテーパ加工方法を説明する図であ
る。

【図４】本発明の電極構造の実施例を説明する図であ
る。

【図５】本発明の電極構造の製造方法を説明する図であ
る。

【図６】本発明の第三の実施例構成を説明する図であ
る。

【図７】本発明の第四の実施例構成を説明する図であ
る。

【図８】本発明の第五の実施例構成を説明する図であ
る。

【図９】本発明の第六の実施例構成を説明する図であ
る。

【図１０】本発明の第七の実施例構成を説明する図であ
る。

【図１１】本発明の第八の実施例構成を説明する図であ
る。

【図１２】本発明の第九の実施例構成を説明する図であ
る。

【図１３】本発明の第十の実施例構成を説明する図であ
る。

【図１４】本発明の第十一の実施例構成を説明する図で
ある。

【図１５】本発明の第十二の実施例構成を説明する図で
ある。

【図１６】本発明の第十三の実施例構成を説明する図で
ある。

【図１７】本発明の第十四の実施例構成を説明する図で
ある。

【図１８】本発明の第十五の実施例構成を説明する図で
ある。

【図１９】本発明の第十六の実施例構成を説明する図で
ある。

【図２０】本発明の第十七の実施例構成を説明する図で
ある。

【図２１】本発明の第十八の実施例構成を説明する図で
ある。

【図２２】本発明の第十九の実施例構成を説明する図で
ある。

【図２３】厚みすべり振動子の従来例を説明する図であ
る。

【図２４】厚みすべりＭＣＦの従来例を説明する図であ
る。

【図２５】幅すべり振動子の従来例を説明する図であ
る。

【図２６】幅すべりＭＣＦの従来例を説明する図であ
る。

【符号の説明】

１ 圧電体基部 ２、２１、２２ 支持部 ３、３１、３２ 振動体部 ４、４０、４１、４２ 電極 ５、５０、５１ 対向電極 ６ テーパ ３０ 結合部 ６０ 回転軸 ６２ 支持部材兼電極取り出し端子 ７０ ＳＬ／ＨＴカット圧電振動体部 ７、７１、７２ 支持部電極

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−102779（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−363905（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63489（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−198808（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−142615（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−138394（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−91030（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/00 - 9/215 H03H 9/54 - 9/60

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】圧電体基部の片面に支持部と、両端部で前
   記支持部に接続される振動体部が形成され、前記 振動体部は、その両辺に沿って該振動体部の厚み方
   向に狭まるテーパを有し、 前記振動体部の表面に形成された電極と、前記圧電体基
   部の前記片面と反対面に形成された対向電極を有し、前
   記両電極間に電界が付与され、表面幅すべり振動子を構
   成する ことを特徴とする圧電デバイス。
2. 【請求項２】圧電体基部の片面に支持部と、両端部で前
   記支持部に接続される振動体部が形成され、 前記振動体部は、その両辺に沿って該振動体部の厚み方
   向に狭まるテーパを有し、 前記振動体部の表面に形成された電極と、前記片面と同
   一面側にあって、前記振動体部及び前記支持部以外の部
   分に形成された対向電極を有し、前記両電極間に電界が
   付与され、表面幅すべり振動子を構成することを特徴と
   する圧電デバイス。
3. 【請求項３】請求項１又は２において、 前記振動体部の表面に形成される電極が、互いに分離さ
   れた第一、第二の電極であり、 該第一の電極と前記対向電極との間、及び該第二の電極
   と前記対向電極との間に電界が付与される表面幅すべり
   ＭＣＦ（モノリシッククリスタルフィルタ）を構成する
   ことを特徴とする圧電デバイス。
4. 【請求項４】請求項１又は２において、 さらに、前記振動体部は、所定の長さ分一定幅を有し、
   該所定の長さ幅の端から前記支持部に接続される端部に
   向かって漸次狭められていることを特徴とする圧電デバ
   イス。
5. 【請求項５】請求項１において、 前記圧電体基部の片面に形成される支持部と該支持部に
   端部が接続される振動体部の表面領域に対応する領域に
   Ａｌ（アルミニウム）のマスクパターンを形成し、前記 圧電体基部を回転軸に対し所定角度傾斜しながら回
   転し、且つ前記 片面側からイオン流を照射してエッチングにより、
   前記振動体部の両辺に沿って前記振動体部の厚み方向に
   狭まる前記テーパが形成されていることを特徴とする圧
   電デバイス。
6. 【請求項６】請求項２において、 前記圧電体基部の片面に形成される支持部と該支持部に
   端部が接続される振動体部の表面領域に対応する領域に
   Ａｌ（アルミニウム）のマスクパターンを形成し、 前記圧電体基部を回転軸に対し所定角度傾斜しながら回
   転し、且つ 前記片面側からイオン流を照射してエッチングにより、
   前記振動体部の両辺に沿って前記振動体部の厚み方向に
   狭まる前記テーパが形成されていることを特徴とする圧
   電デバイス。
7. 【請求項７】請求項６において、 更に、前記圧電体基部を前記所定角度（θ1 ）より小さ
   い角度（θ2 ）傾斜しながら回転し、且つ 電極材料を蒸着又はスパッタして前記電極及び前記対向
   電極が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
8. 【請求項８】圧電体基部の片面に支持部と、両端部で前
   記支持部に接続される一対の振動体部が形成され、前記 一対の振動体部のそれぞれの一端辺間が前記振動体
   部の幅より狭い結合体により機械的に結合され、且つ前
   記一対の振動体部のそれぞれは、両辺に沿って該振動体
   部の厚み方向に狭まるテーパを有し、 更に前記一対の振動体部のそれぞれに分離して形成され
   た電極と、前記圧電体基部の前記片面と反対面に形成さ
   れた対向電極を有し、 前記分離して形成される電極と前記対向電極間に電界が
   付与される表面幅すべりＭＣＦ（モノリシッククリスタ
   ルフィルタ）を構成する ことを特徴とする圧電デバイ
   ス。
9. 【請求項９】圧電体基部の片面に支持部と、両端部で前
   記支持部に接続される一対の振動体部が形成され、 前記一対の振動体部のそれぞれの一端辺間が前記振動体
   部の幅より狭い結合体により機械的に結合され、且つ前
   記一対の振動体部のそれぞれは、両辺に沿って該振動体
   部の厚み方向に狭まるテーパを有し、 更に該一対の振動体部のそれぞれに分離して形成される
   電極と、該一対の振動体部と該支持部以外の部分に形成
   される対向電極を有し、 該分離して形成される電極と該対向電極間に電界が付与
   される表面幅すべりＭＣＦ（モノリシッククリスタルフ
   ィルタ）を構成することを特徴とする圧電デバイス。
10. 【請求項１０】請求項８または９において、 前記結合体は、前記一対の振動体部の幅方向の両端部近
    傍に分離して備えられることを特徴とする圧電デバイ
    ス。
11. 【請求項１１】請求項８又は９において、 さらに、前記一対の振動体部のそれぞれは、所定の長さ
    分一定幅を有し、該所定の長さ幅の端から前記支持部に
    接続される端部に向かって漸次狭められていることを特
    徴とする圧電デバイス。
12. 【請求項１２】請求項１に記載の圧電デバイスを一組有
    し、該一組の圧電デバイスを前記圧電体基部の反対面に
    形成された対向電極を共通とするように背中合わせに配
    置し、且つ前記一組の圧電デバイス素子の前記振動体部
    間で機械的結合が生じるような前記圧電体基部の厚さを
    有することを特徴とする圧電デバイス。
13. 【請求項１３】請求項２に記載の圧電デバイスを一組有
    し、該一組の圧電デバイスを前記圧電体基部を共通とす
    るように背中合わせに配置し、且つ前記一組の圧電デバ
    イスの前記振動体部間で機械的結合が生じるような前記
    圧電体基部の厚さを有することを特徴とする圧電デバイ
    ス。
14. 【請求項１４】請求項１、２、８又は９において、 前記振動体部は、矩形状をなし、前記支持部に接続され
    る端部において、前記矩形状の対向する両辺のそれぞれ
    中央部の一点で支持されることを特徴とする圧電デバイ
    ス。