JP3437194B2 - 耐酸化性Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体 - Google Patents
耐酸化性Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陶磁器、タイル等の迅
速焼成炉用棚板等に好ましく使用できる耐酸化性に優れ
たＳｉ−ＳｉＣ質焼結体に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体は、
その優れた耐熱性及び耐火性から工業上重要な位置を占
めており、例えば碍子、衛生陶器、食器、額縁及び陶管
等の陶磁器やタイル等の焼成用棚板として多用されてい
る。かかるＳｉＣ質焼結体のうち、ＳｉＣとＳｉを構成
成分として含むＳｉ−ＳｉＣ質焼結体が知られており、
このＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、主として半導体焼成用炉
芯管、ローラーハースキルン用ローラー・熱交換体用チ
ューブ等に用いられていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉ−
ＳｉＣ質焼結体を、窯業製品焼成用の棚板に応用した先
例は見当たらない。かかる状況の下、実際にＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体を棚板として食器、タイル及び衛生陶器等を
焼成すると、該棚板が酸化されて脆化し、クラックが発
生し、最悪の場合には破損してしまい、使用に耐えない
ことが判明した。本発明は、このような従来技術の有す
る課題に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、耐酸化性に優れ、長期間の使用に耐え得るＳｉ
−ＳｉＣ質焼結体及びその製造方法を提供することにあ
る。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意研究した結果、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の
気孔率及びＳｉＣ原料、Ｃ原料及び金属Ｓｉ原料等に混
入しているＣａその他の不純物量を制御することによ
り、前記課題が解決できることを見出し本発明を完成す
るに至った。 【０００５】 【０００６】従って、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の
製造方法は、Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉを用いて
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造するに当たり、１〜１２重
量％のＣ粉体と８８〜９９重量％のＳｉＣ粉体とを混合
し、この混合に際し、上記Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び後に
添加する金属Ｓｉに含まれる不純物の量が、製造せんと
する焼結体のＳｉとＳｉＣとから成る主相１００重量部
に対して、Ｃａが０．０１〜０．１重量部、Ａｌが０．
０２〜０．３７重量部、及びＦｅが０．０７〜０．３６
重量部であり、これらの不純物の総量が０．８重量部以
下となるように、上記Ｃ粉体とＳｉＣ粉体とを調整・混
合し、得られた混合物１００重量部に対して０．１〜１
５重量部のバインダを添加して成形原料を得、次いで、
この成形原料を成形して成形体を得、この成形体を１４
５０〜２５００℃の減圧の金属Ｓｉ雰囲気中で焼成する
に際し、得られる焼結体の気孔率が０．８％以下となる
理論量より１．０５倍以上過剰量の金属Ｓｉを、該成形
原料に添加・焼成して焼結体を得ることを特徴とする。 【０００７】 【作用】本発明においては、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の気
孔率を０．８％以下に制御し、且つＣａ等の不純物量を
所定量以下に制御した。即ち、気孔率を所定値以下に制
御することにより、この焼結体を棚板として用いた場合
等に酸素ガスと接触する面積を低減するとともに、Ｃａ
等の酸化を促進する元素の量を制御することにより、焼
結体の酸化を抑制した。 【０００８】次に、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の製
造方法について説明する。まず、成形用原料としては、
１〜１２重量％のＣ粉体、８８〜９９重量％のＳｉＣ粉
体、Ｃ粉体とＳｉＣ粉体との混合物１００重量部に対し
０．１〜１５重量部の有機質バインダー及び適当量の水
分又は有機溶剤を含有した原料を用いる。この成形用原
料を混練し、成形体を成形する。次いで、この成形体
を、金属シリコン雰囲気下で、減圧の不活性ガス雰囲気
又は真空中に置き、成形体中に金属シリコンを含浸させ
てＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造する。 【０００９】上記成形体の作製に際し、Ｃ粉体、ＳｉＣ
粉体及び含浸に用いる金属Ｓｉに含まれるＣａ、Ａｌ及
びＦｅの不純物を、得られる焼結体１００重量部に対し
て０．８重量部以下に制御する。具体的には、焼結体１
００重量部に対して、Ｃａが０．０１〜０．１重量部、
Ａｌが０．０２〜０．３７重量部、及びＦｅが０．０７
〜０．３６重量部であり、これらの不純物の総量が０．
８重量部以下となるように制御する。これらの各不純物
の量が上記所定量を超え、また不純物の総量が０．８重
量部を超えると、耐酸化性が低下する傾向を生じ好まし
くない。この不純物の制御は、Ｃ原料、ＳｉＣ原料及び
金属Ｓｉ原料を選択して用いることにより行うことがで
きる。即ち、上記不純物を所定量含有する原料を選択し
て用いることにより、得られるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体に
含有される不純物量を制御することができる。また、適
宜これら不純物を添加・除去して微調整することも可能
である。 【００１０】上記金属シリコンの含浸に当たっては、得
られるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の気孔率が０．８％以下と
なるように含浸させる。この場合の金属Ｓｉの添加量
は、含浸効率の関係等から、０．８％の気孔率を実現す
るに必要とされる理論量より過剰なものとする必要があ
る。即ち、０．８％の気孔率を実現するには、金属Ｓｉ
を当該理論量より１．０５倍以上過剰に添加する必要が
ある。この際、添加される金属Ｓｉは、Ｓｉ＋Ｃ→Ｓｉ
Ｃの反応に寄与する分と、気孔を埋める分と、余剰なＳ
ｉ分の３態様で消費される。１．０５倍未満の場合に
は、Ｓｉの含浸不良を生じ、得られる焼結体の気孔率が
増大して耐酸化性を低下させることとなり好ましくな
い。また、過剰の金属Ｓｉを付与することにより、焼結
体の表面には余分なＳｉが浸出することになるが、これ
はサンドブラスト、旋盤加工等によって除去することが
可能である。このように、金属Ｓｉを含浸させる結果、
得られるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体としては、主相が、Ｓｉ
を３〜３０重量％及びＳｉＣを７０〜９７重量％含有す
ることになる。 【００１１】また、本発明における成形体の成形方法と
しては、プレス成形、流し込み成形、押し出し成形いず
れも可能であるが、量産性の観点からはプレス成形が好
ましい。加圧方式としては油圧プレスが好ましく、この
場合の油圧プレス圧は、通常１００〜２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2である。 【００１２】 【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。なお、各例によって得られた焼結体は、以下に示
す方法により性能を評価した。 （耐酸化性の評価方法）６０ｍｍ×６０ｍｍ×５ｍｍ
（厚さ）のテストピースを切り出し、これを１１５０℃
のＨ2ＯとＯ2との混合ガス中で酸化させた。各テストピ
ースについて、以下に説明する酸化速度を測定した。 【００１３】（酸化速度） ｙ＝ｘ／１．００ × １０6／１００［ｐｐｍ／ｈ
ｒ］ 上式において、酸化初期ではテストピースの表層にＳｉ
Ｏ2質被膜が形成されるため、酸化試験開始１００ｈｒ
後のテストピースの重量を１．００とし、更にその１０
０ｈｒ後の重量をｘとした。酸化速度ｙが５０を超える
と、通常の大気雰囲気下での使用であっても酸化が２次
関数的に進行し、材料（焼結体）の劣化を生ずる。一
方、ｙが５０以下の場合には、酸化速度は次第に小さく
なるため、高温下での長期間使用に耐える材料といえ
る。 【００１４】（実施例１〜９、比較例１〜５）平均粒径
３μｍのＳｉＣ微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粉
を３０：７０（重量比）で混合したＳｉＣ粉末に対し、
平均粒径１μｍの黒鉛粉をそれぞれ所定の割合で混合し
た。この混合物１００重量部に対し有機バインダー（メ
チルセルロース）２重量部、及び水分又は有機溶剤３重
量部をで配合し、成形原料を得た。この際、不純物であ
るＣａ、Ａｌ及びＦｅを所定量含むＳｉＣ原料及びＣ原
料を用いて混合し、これら不純物の量を、後に含浸させ
る金属Ｓｉ原料をも考慮して表１に示すような値に制御
した。 【００１５】次に、これらの成形原料をボールミルを用
いて解砕し、解砕した成形原料を金型内に導入し、油圧
プレスを用いて５００ｋｇ／ｃｍ2で成形し、厚さ５ｍ
ｍの板状成形体（４００ｍｍ×４００ｍｍ）を得た。 【００１６】次いで、ＢＮ（窒化ホウ素）コーティング
の反応防止層を施したカーボンルツボ中に、板状成形体
及び金属Ｓｉを設置した。この際、０．８％の気孔率を
実現するに必要な金属Ｓｉの理論量に対して、金属Ｓｉ
の量が表１に示す倍率だけ過剰となるように適宜量を変
化させて設置した。この板状成形体及び金属Ｓｉを、室
温から６００℃の間は０．１Ｔｏｒｒの真空下、６００
〜１０００℃の間は２Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気
下、１０００〜１８００℃までアルゴンガス雰囲気で５
Ｔｏｒｒの減圧下で焼成することにより、金属Ｓｉを含
浸させ、かつＣａ等の不純物量を制御したＳｉ−ＳｉＣ
焼結体を製造した。なお、最高温度（１８００℃）の保
持時間は３時間とした。また、１４００〜１５００℃の
間は１０℃／ｈｒで昇温した。得られたＳｉ−ＳｉＣ焼
結体の耐酸化性の測定結果、気孔率及び組成等を表１に
示す。 【００１７】 【表１】【００１８】表１から明らかなように、本発明のＳｉ−
ＳｉＣ質焼結体は、５０ｐｐｍ／ｈｒ以下の酸化速度を
有し、優れた耐酸化性を有することが分かる。 【００１９】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の気孔率及びＳｉＣ原料、Ｃ原料
及び金属Ｓｉ原料等に混入しているＣａその他の不純物
量を制御することとしたため、耐酸化性に優れ、長期間
の使用に耐え得るＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の製造方法を提
供することができる。また、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の製
造を極めて再現性よく行うことが可能となる。従って、
本発明の焼結体は、耐酸化性等を重視する迅速焼成炉用
棚板、匣鉢、サヤ等の窯道具、特にローラーハースキル
ンを用いたタイル焼成用棚板に好ましく用いることがで
きる。
速焼成炉用棚板等に好ましく使用できる耐酸化性に優れ
たＳｉ−ＳｉＣ質焼結体に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体は、
その優れた耐熱性及び耐火性から工業上重要な位置を占
めており、例えば碍子、衛生陶器、食器、額縁及び陶管
等の陶磁器やタイル等の焼成用棚板として多用されてい
る。かかるＳｉＣ質焼結体のうち、ＳｉＣとＳｉを構成
成分として含むＳｉ−ＳｉＣ質焼結体が知られており、
このＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、主として半導体焼成用炉
芯管、ローラーハースキルン用ローラー・熱交換体用チ
ューブ等に用いられていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉ−
ＳｉＣ質焼結体を、窯業製品焼成用の棚板に応用した先
例は見当たらない。かかる状況の下、実際にＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体を棚板として食器、タイル及び衛生陶器等を
焼成すると、該棚板が酸化されて脆化し、クラックが発
生し、最悪の場合には破損してしまい、使用に耐えない
ことが判明した。本発明は、このような従来技術の有す
る課題に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、耐酸化性に優れ、長期間の使用に耐え得るＳｉ
−ＳｉＣ質焼結体及びその製造方法を提供することにあ
る。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意研究した結果、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の
気孔率及びＳｉＣ原料、Ｃ原料及び金属Ｓｉ原料等に混
入しているＣａその他の不純物量を制御することによ
り、前記課題が解決できることを見出し本発明を完成す
るに至った。 【０００５】 【０００６】従って、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の
製造方法は、Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉを用いて
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造するに当たり、１〜１２重
量％のＣ粉体と８８〜９９重量％のＳｉＣ粉体とを混合
し、この混合に際し、上記Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び後に
添加する金属Ｓｉに含まれる不純物の量が、製造せんと
する焼結体のＳｉとＳｉＣとから成る主相１００重量部
に対して、Ｃａが０．０１〜０．１重量部、Ａｌが０．
０２〜０．３７重量部、及びＦｅが０．０７〜０．３６
重量部であり、これらの不純物の総量が０．８重量部以
下となるように、上記Ｃ粉体とＳｉＣ粉体とを調整・混
合し、得られた混合物１００重量部に対して０．１〜１
５重量部のバインダを添加して成形原料を得、次いで、
この成形原料を成形して成形体を得、この成形体を１４
５０〜２５００℃の減圧の金属Ｓｉ雰囲気中で焼成する
に際し、得られる焼結体の気孔率が０．８％以下となる
理論量より１．０５倍以上過剰量の金属Ｓｉを、該成形
原料に添加・焼成して焼結体を得ることを特徴とする。 【０００７】 【作用】本発明においては、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の気
孔率を０．８％以下に制御し、且つＣａ等の不純物量を
所定量以下に制御した。即ち、気孔率を所定値以下に制
御することにより、この焼結体を棚板として用いた場合
等に酸素ガスと接触する面積を低減するとともに、Ｃａ
等の酸化を促進する元素の量を制御することにより、焼
結体の酸化を抑制した。 【０００８】次に、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の製
造方法について説明する。まず、成形用原料としては、
１〜１２重量％のＣ粉体、８８〜９９重量％のＳｉＣ粉
体、Ｃ粉体とＳｉＣ粉体との混合物１００重量部に対し
０．１〜１５重量部の有機質バインダー及び適当量の水
分又は有機溶剤を含有した原料を用いる。この成形用原
料を混練し、成形体を成形する。次いで、この成形体
を、金属シリコン雰囲気下で、減圧の不活性ガス雰囲気
又は真空中に置き、成形体中に金属シリコンを含浸させ
てＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造する。 【０００９】上記成形体の作製に際し、Ｃ粉体、ＳｉＣ
粉体及び含浸に用いる金属Ｓｉに含まれるＣａ、Ａｌ及
びＦｅの不純物を、得られる焼結体１００重量部に対し
て０．８重量部以下に制御する。具体的には、焼結体１
００重量部に対して、Ｃａが０．０１〜０．１重量部、
Ａｌが０．０２〜０．３７重量部、及びＦｅが０．０７
〜０．３６重量部であり、これらの不純物の総量が０．
８重量部以下となるように制御する。これらの各不純物
の量が上記所定量を超え、また不純物の総量が０．８重
量部を超えると、耐酸化性が低下する傾向を生じ好まし
くない。この不純物の制御は、Ｃ原料、ＳｉＣ原料及び
金属Ｓｉ原料を選択して用いることにより行うことがで
きる。即ち、上記不純物を所定量含有する原料を選択し
て用いることにより、得られるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体に
含有される不純物量を制御することができる。また、適
宜これら不純物を添加・除去して微調整することも可能
である。 【００１０】上記金属シリコンの含浸に当たっては、得
られるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の気孔率が０．８％以下と
なるように含浸させる。この場合の金属Ｓｉの添加量
は、含浸効率の関係等から、０．８％の気孔率を実現す
るに必要とされる理論量より過剰なものとする必要があ
る。即ち、０．８％の気孔率を実現するには、金属Ｓｉ
を当該理論量より１．０５倍以上過剰に添加する必要が
ある。この際、添加される金属Ｓｉは、Ｓｉ＋Ｃ→Ｓｉ
Ｃの反応に寄与する分と、気孔を埋める分と、余剰なＳ
ｉ分の３態様で消費される。１．０５倍未満の場合に
は、Ｓｉの含浸不良を生じ、得られる焼結体の気孔率が
増大して耐酸化性を低下させることとなり好ましくな
い。また、過剰の金属Ｓｉを付与することにより、焼結
体の表面には余分なＳｉが浸出することになるが、これ
はサンドブラスト、旋盤加工等によって除去することが
可能である。このように、金属Ｓｉを含浸させる結果、
得られるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体としては、主相が、Ｓｉ
を３〜３０重量％及びＳｉＣを７０〜９７重量％含有す
ることになる。 【００１１】また、本発明における成形体の成形方法と
しては、プレス成形、流し込み成形、押し出し成形いず
れも可能であるが、量産性の観点からはプレス成形が好
ましい。加圧方式としては油圧プレスが好ましく、この
場合の油圧プレス圧は、通常１００〜２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2である。 【００１２】 【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。なお、各例によって得られた焼結体は、以下に示
す方法により性能を評価した。 （耐酸化性の評価方法）６０ｍｍ×６０ｍｍ×５ｍｍ
（厚さ）のテストピースを切り出し、これを１１５０℃
のＨ2ＯとＯ2との混合ガス中で酸化させた。各テストピ
ースについて、以下に説明する酸化速度を測定した。 【００１３】（酸化速度） ｙ＝ｘ／１．００ × １０6／１００［ｐｐｍ／ｈ
ｒ］ 上式において、酸化初期ではテストピースの表層にＳｉ
Ｏ2質被膜が形成されるため、酸化試験開始１００ｈｒ
後のテストピースの重量を１．００とし、更にその１０
０ｈｒ後の重量をｘとした。酸化速度ｙが５０を超える
と、通常の大気雰囲気下での使用であっても酸化が２次
関数的に進行し、材料（焼結体）の劣化を生ずる。一
方、ｙが５０以下の場合には、酸化速度は次第に小さく
なるため、高温下での長期間使用に耐える材料といえ
る。 【００１４】（実施例１〜９、比較例１〜５）平均粒径
３μｍのＳｉＣ微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粉
を３０：７０（重量比）で混合したＳｉＣ粉末に対し、
平均粒径１μｍの黒鉛粉をそれぞれ所定の割合で混合し
た。この混合物１００重量部に対し有機バインダー（メ
チルセルロース）２重量部、及び水分又は有機溶剤３重
量部をで配合し、成形原料を得た。この際、不純物であ
るＣａ、Ａｌ及びＦｅを所定量含むＳｉＣ原料及びＣ原
料を用いて混合し、これら不純物の量を、後に含浸させ
る金属Ｓｉ原料をも考慮して表１に示すような値に制御
した。 【００１５】次に、これらの成形原料をボールミルを用
いて解砕し、解砕した成形原料を金型内に導入し、油圧
プレスを用いて５００ｋｇ／ｃｍ2で成形し、厚さ５ｍ
ｍの板状成形体（４００ｍｍ×４００ｍｍ）を得た。 【００１６】次いで、ＢＮ（窒化ホウ素）コーティング
の反応防止層を施したカーボンルツボ中に、板状成形体
及び金属Ｓｉを設置した。この際、０．８％の気孔率を
実現するに必要な金属Ｓｉの理論量に対して、金属Ｓｉ
の量が表１に示す倍率だけ過剰となるように適宜量を変
化させて設置した。この板状成形体及び金属Ｓｉを、室
温から６００℃の間は０．１Ｔｏｒｒの真空下、６００
〜１０００℃の間は２Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気
下、１０００〜１８００℃までアルゴンガス雰囲気で５
Ｔｏｒｒの減圧下で焼成することにより、金属Ｓｉを含
浸させ、かつＣａ等の不純物量を制御したＳｉ−ＳｉＣ
焼結体を製造した。なお、最高温度（１８００℃）の保
持時間は３時間とした。また、１４００〜１５００℃の
間は１０℃／ｈｒで昇温した。得られたＳｉ−ＳｉＣ焼
結体の耐酸化性の測定結果、気孔率及び組成等を表１に
示す。 【００１７】 【表１】【００１８】表１から明らかなように、本発明のＳｉ−
ＳｉＣ質焼結体は、５０ｐｐｍ／ｈｒ以下の酸化速度を
有し、優れた耐酸化性を有することが分かる。 【００１９】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の気孔率及びＳｉＣ原料、Ｃ原料
及び金属Ｓｉ原料等に混入しているＣａその他の不純物
量を制御することとしたため、耐酸化性に優れ、長期間
の使用に耐え得るＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の製造方法を提
供することができる。また、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の製
造を極めて再現性よく行うことが可能となる。従って、
本発明の焼結体は、耐酸化性等を重視する迅速焼成炉用
棚板、匣鉢、サヤ等の窯道具、特にローラーハースキル
ンを用いたタイル焼成用棚板に好ましく用いることがで
きる。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉを用い
てＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造するに当たり、 １〜１２重量％のＣ粉体と８８〜９９重量％のＳｉＣ粉
体とを混合し、 この混合に際し、上記Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び後に添加
する金属Ｓｉに含まれる不純物の量が、製造せんとする
焼結体のＳｉとＳｉＣとから成る主相１００重量部に対
して、Ｃａが０．０１〜０．１重量部、Ａｌが０．０２
〜０．３７重量部、及びＦｅが０．０７〜０．３６重量
部であり、これらの不純物の総量が０．８重量部以下と
なるように、上記Ｃ粉体とＳｉＣ粉体とを調整・混合
し、 得られた混合物１００重量部に対して０．１〜１５重量
部のバインダを添加して成形原料を得、次いで、この成
形原料を成形して成形体を得、 この成形体を１４５０〜２５００℃の減圧の金属Ｓｉ雰
囲気中で焼成するに際し、得られる焼結体の気孔率が
０．８％以下となる理論量より１．０５倍以上過剰量の
金属Ｓｉを、該成形原料に添加・焼成して焼結体を得る
ことを特徴とするＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23845792A JP3437194B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 耐酸化性Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体 |
| PCT/JP1993/000759 WO1993025859A1 (en) | 1992-06-08 | 1993-06-07 | Shelf plate having anti-spalling, anti-creep and oxidation resistant properties |
| DE4392693T DE4392693T1 (de) | 1992-06-08 | 1993-06-07 | Temperaturwechselbeständige, kriechfeste und oxydationsfeste Einsätze |
| CN 93108410 CN1076468C (zh) | 1992-06-08 | 1993-06-08 | 耐剥落、耐爆裂性及耐氧化性的格板及其制造方法 |
| US08/734,126 US5840436A (en) | 1992-06-08 | 1996-10-21 | Spalling-resistant, creep-resistant and oxidation-resistant setters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23845792A JP3437194B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 耐酸化性Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692735A JPH0692735A (ja) | 1994-04-05 |
| JP3437194B2 true JP3437194B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=17030514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23845792A Expired - Lifetime JP3437194B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-09-07 | 耐酸化性Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3437194B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101819748B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2018-01-17 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 소성용 세터 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10167831A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Ngk Insulators Ltd | ＳｉＣ繊維強化Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料及びその製造方法 |
| JP3980262B2 (ja) | 2000-10-31 | 2007-09-26 | 日本碍子株式会社 | ＳｉＣ質熱処理用治具 |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23845792A patent/JP3437194B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101819748B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2018-01-17 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 소성용 세터 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0692735A (ja) | 1994-04-05 |
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