JP3427562B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、キノンジアジド系化合
物、アルカリ可溶性樹脂および特定の溶剤系を含有する
ポジ型レジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型レジスト組成物は一般に、キノン
ジアジド系化合物およびアルカリ可溶性樹脂を溶剤に溶
解させたものであり、シリコンウェハーなどの基体上に
塗布して露光することにより、集積回路の製作に利用さ
れている。集積回路は近年、高集積化に伴って微細化が
進み、今やハーフミクロンのパターン形成が要求される
ようになってきている。そしてポジ型レジスト組成物に
ついては、より優れた解像度、γ値、耐熱性、プロファ
イル、塗布性などの諸特性、さらには露光マージンや焦
点深度など、プロセス上の各種マージンが要求されてい
る。

【０００３】レジスト用の溶剤としては従来、セロソル
ブ系の化合物が一般に用いられてきたが、セロソルブ系
化合物の安全衛生上の問題から、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、乳
酸エチル、２−ヘプタノンなどが、代替溶剤として提案
されている。しかしながら、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートやシクロヘキサノンを用いる
と、レジストの耐熱性が低下する傾向にある。 一方、
乳酸エチルを用いると、粘度が高いため、ストリエーシ
ョンが大きくなったり、あるいはウェハーの端まで塗布
できなくなるなど、塗布性に関する問題が起こる。また
２−ヘプタノンは、それに対するある種のキノンジアジ
ド系化合物の溶解性が、セロソルブ系溶剤を用いた場合
に比べて若干低いという問題を有していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決して、キノンジアジド系化合物の溶解
性に優れた溶剤を用い、プロファイル、塗布性、耐熱性
などの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物を提供する
ことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明は、（Ａ）キノンジアジド系化合物、
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、ならびに（Ｃ）２−ヘプタ
ノン、乳酸エチルおよびγ−ブチロラクトンを含む溶剤
系を含有してなり、溶剤系（Ｃ）全体の量を基準に、γ
−ブチロラクトンを０.5重量％以上、そして乳酸エチル
を１０重量％以上含有するポジ型レジスト組成物を提供
するものである。

【０００６】成分（Ａ）のキノンジアジド系化合物は、
通常、フェノール性水酸基を有する化合物のキノンジア
ジドスルホン酸エステル、特にｏ−キノンジアジドスル
ホン酸エステルであることができる。ここでいうｏ−キ
ノンジアジドスルホン酸は、例えば、１，２−ベンゾキ
ノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸などを包含する。 かかるｏ−キ
ノンジアジドスルホン酸エステルは、一般に、フェノー
ル性水酸基を有する化合物とｏ−キノンジアジドスルホ
ン酸ハライドとを、有機または無機の塩基の存在下で縮
合させることにより、製造することができる。

【０００７】キノンジアジド系化合物の製造に用いられ
るフェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば
次のようなものを挙げることができる。

【０００８】ハイドロキノン、レゾルシン、フロログル
シン、没食子酸アルキルエステルのような多価フェノー
ル類；

【０００９】下記一般式（Ｉ）

【００１０】

【００１１】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、
Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ およびＲ¹⁰のうち二つは水酸基
であり、残りは互いに独立に、水素または水酸基であ
る）で示されるヒドロキシベンゾフェノン系化合物；

【００１２】下記一般式（II）

【００１３】

【００１４】（式中、Ｘ¹ およびＸ² の一方は水酸基、
他方は水素、水酸基または炭素数１〜４のアルキルであ
り、Ｚ¹ 、Ｚ² 、Ｚ³ 、Ｚ⁴ 、Ｚ⁵ 、Ｚ⁶ およびＺ⁷ の
うち二つは水酸基であり、残りは互いに独立に、水素、
水酸基または炭素数１〜４のアルキルであり、Ｒ¹¹、Ｒ
¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は互いに独立に、水
素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜４のアルケ
ニル、炭素数５〜８のシクロアルキルまたはアリールで
ある）で示されるヒドロキシヘキサヒドロキサンテン系
化合物；

【００１５】下記一般式(III)

【００１６】

【００１７】（式中、Ｙ¹ およびＹ² の一方は水酸基、
他方は水素、水酸基または炭素数１〜４のアルキルであ
り、Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ¹³、Ｚ¹⁴、Ｚ¹⁵、Ｚ¹⁶およびＺ¹⁷の
うち二つは水酸基であり、残りは互いに独立に、水素、
ハロゲン、水酸基、炭素数１〜４のアルキル、炭素数５
〜８のシクロアルキルまたはアリールであり、Ｒ²¹、Ｒ
²²およびＲ²³は互いに独立に、水素、炭素数１〜１０の
アルキル、炭素数２〜４のアルケニル、シクロヘキシル
またはアリールであり、Ｒ²⁴およびＲ²⁵の一方は炭素数
１〜１０のアルキル、炭素数２〜４のアルケニル、シク
ロヘキシルまたはアリールであり、他方は水素、炭素数
１〜１０のアルキル、炭素数２〜４のアルケニル、シク
ロヘキシルまたはアリールである）で示されるヒドロキ
シフラバン系化合物；

【００１８】下記一般式（IV）

【００１９】

【００２０】（式中、Ｙ³、Ｙ⁴、Ｙ⁵ およびＹ⁶ のうち
一つは水酸基であり、残りは互いに独立に、水素、ハロ
ゲン、水酸基または炭素数１〜４のアルキルであり、Ｚ
²¹、Ｚ²²、Ｚ²³、Ｚ²⁴、Ｚ²⁵およびＺ²⁶のうち一つは水
酸基であり、 残りは互いに独立に、水素、ハロゲン、
水酸基、炭素数１〜４のアルキルまたはアリールであ
り、Ｑ¹ およびＱ² は互いに独立に、水素、炭素数１〜
４のアルキル、炭素数２〜４のアルケニル、炭素数５〜
８のシクロアルキル、炭素数１〜４のアルコキシまたは
アリールであるが、 Ｑ¹ およびＱ² の少なくとも一方
が水素である場合は、−Ｃ(Ｑ¹)(Ｑ²)−のオルソ位にあ
る水酸基に対してさらにオルソ位がアルキルまたはアリ
ールである）で示されるヒドロキシジフェニルメタン系
化合物など。

【００２１】前記一般式（II）で示されるヒドロキシヘ
キサヒドロキサンテン系化合物およびそれのキノンジア
ジドスルホン酸エステルは、特開平 3-185447 号公報
(=USP5,283,155) にさらに具体的に説明されており、前
記一般式(III) で示されるヒドロキシフラバン系化合物
およびそれのキノンジアジドスルホン酸エステルは、特
開平 2-84650号公報 (=USP 5,059,507) 、特開平 4-241
353 号公報、 特開平4-295472 号公報(=EP-A-505,987)
などにさらに具体的に説明されており、また前記一般
式（IV）で示されるヒドロキシジフェニルメタン系化合
物およびそれのキノンジアジドスルホン酸エステルは、
特開平2-269351号公報(=USP 5,290,656)にさらに具体的
に説明されている。

【００２２】以上説明したフェノール性水酸基を有する
化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルのなかで
も、本発明の溶剤系は特に、前記一般式（Ｉ）で示され
るヒドロキシベンゾフェノン系化合物のキノンジアジド
スルホン酸エステルに対して、高い効果を発揮する。一
般式（Ｉ）で示されるヒドロキシベンゾフェノン系化合
物として、具体的には例えば、次のようなものを挙げる
ことができる。

【００２３】２，４−ジヒドロキシベンゾフェノンのよ
うな ジヒドロキシベンゾフェノン類；２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，２′，５−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，３′−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４′−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３′，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
３′，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，
４′−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４′，５−
トリヒドロキシベンゾフェノン、２′，３，４−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、３，３′，４−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、３，４，４′−トリヒドロキシベン
ゾフェノンのようなトリヒドロキシベンゾフェノン類；
２，３，３′，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２′，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２′，３，４′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２′，５，５′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、 ２，３′，４′，５−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３′，５，５′−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンのようなテトラヒドロキシベンゾフェノ
ン類；２，２′，３，４，４′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２′，３，４，５′−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２′，３，３′，４−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３，３′，４，５′−ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノンのようなペンタヒドロキ
シベンゾフェノン類；２，３，３′，４，４′，５′−
ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、 ２，２′，３，
３′，４，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンのよ
うなヘキサヒドロキシベンゾフェノン類など。

【００２４】成分（Ｂ）のアルカリ可溶性樹脂は、レジ
スト分野で一般に用いられている各種のものであること
ができ、例えばポリビニルフェノール、ノボラック樹脂
などが挙げられる。ノボラック樹脂は、常法によりフェ
ノール性水酸基含有化合物をアルデヒドと縮合させたも
のである。ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノー
ル性水酸基含有化合物としては、例えば、フェノール、
ｏ−、ｍ−またはｐ−クレゾール、２，５−、３，５−
または３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチル
フェノール、２−、３−または４−ｔ−ブチルフェノー
ル、２−、３−または４−エチルフェノール、２−ｔ−
ブチル−４−または−５−メチルフェノール、２−シク
ロヘキシル−５−メチルフェノール、ハイドロキノン、
２−ｔ−ブチルハイドロキノン、２−ナフトール、１，
３−、１，７−または１，５−ジヒドロキシナフタレン
などが挙げられ、これらをそれぞれ単独で、または２種
以上組み合わせて用いることができる。また、ノボラッ
ク樹脂の製造に用いられるアルデヒドとしては、例え
ば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドのような脂肪
族アルデヒド類および、ベンズアルデヒド、ｏ−、ｍ−
またはｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−またはｐ
−メチルベンズアルデヒドのような芳香族アルデヒド類
が挙げられ、これらのアルデヒドもそれぞれ単独で、ま
たは必要により２種以上組み合わせて用いることができ
る。

【００２５】本発明のレジスト組成物においては、アル
カリ可溶性樹脂としてノボラック樹脂を用いるのが好ま
しく、とりわけ、縮合後に分別などの操作を施して分子
量調整をしたものが、好ましく用いられる。アルカリ可
溶性樹脂は、そのゲル浸透クロマトグラム（ＧＰＣパタ
ーン）（ＵＶ２５４nmの検出器を使用）において、ポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比が、全
パターン面積に対して２５％以下であるものが好まし
い。より好ましくは、同じくＧＰＣパターンにおいて、
ポリスチレン換算分子量で６０００以下の範囲の面積比
が、全パターン面積に対して４０％以上６５％以下の樹
脂であり、一層好ましくは、同じくＧＰＣパターンにお
いて、ポリスチレン換算分子量で６０００以下の範囲の
面積比が、全パターン面積に対して５０％以上６５％以
下の樹脂である。

【００２６】キノンジアジド系化合物とアルカリ可溶性
樹脂との割合は、重量比で１：１〜７の範囲にあるのが
好ましい。

【００２７】本発明においては、以上説明したキノンジ
アジド系化合物およびアルカリ可溶性樹脂を溶かすため
の溶剤系（Ｃ）として、２−ヘプタノン、乳酸エチルお
よびγ−ブチロラクトンの少なくとも３成分を含む混合
溶剤を用いる。溶剤を構成するこれら３成分の量につい
て述べると、溶剤系（Ｃ）全体の量を基準に、γ−ブチ
ロラクトンは０.5重量％以上であり、さらには１重量％
以上とするのが、また乳酸エチルは１重量％以上であ
り、さらには１０重量％以上とするのが好ましい。γ−
ブチロラクトンの含有量があまり少ないと、プロファイ
ルの向上効果が小さくなり、また乳酸エチルの含有量が
あまり少ないと、ある種のキノンジアジド系化合物の溶
解度が小さくなる傾向にある。さらに２−ヘプタノン
は、溶剤系（Ｃ）全体の量を基準に１０重量％以上とす
るのが好ましく、また２−ヘプタノンおよび乳酸エチル
の合計量が、溶剤系（Ｃ）全体の量を基準に５０重量％
以上となるようにするのが、より好ましい。

【００２８】この溶剤系（Ｃ）は、本発明の効果を損な
わない限りにおいて、例えば酢酸ｎ−ブチルのようなエ
ステル類、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素
類、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、ア
セトン、３−オクタノン、シクロヘキサノンのようなケ
トン類、３−メトキシブタノール、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルのようなグリコールモノエーテル
類、酢酸３−メトキシブチル、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテ
ルエステル類など、他の溶剤を含有していてもよい。

【００２９】溶剤系（Ｃ）は、ウェハーなどの基体上
に、均質でピンホールや塗りむらのない塗布膜が形成で
きるような量用いればよく、その量は特に制限されるも
のでないが、通常はレジスト組成物の全重量を基準に、
キノンジアジド系化合物およびアルカリ可溶性樹脂の合
計が３〜５０重量％の範囲の濃度となるように、溶剤系
（Ｃ）を用いるのが好ましい。

【００３０】また本発明のレジスト組成物は、必要に応
じて、例えば、増感剤、他の添加樹脂、アルカリ可溶性
の低分子量フェノール系添加剤、界面活性剤、安定剤、
形成像を一層可視的にするための染料、その他、通常こ
の技術分野で慣用されている各種の添加剤を含有するこ
とができる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定され
るものではない。例中、含有量ないしは添加量を表す％
および部は、特にことわらないかぎり重量基準である。

【００３２】実施例１〜６および比較例１〜７ キノンジアジド系化合物として、２，３，４，４′−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸クロライドとのモル比１：
２.5の縮合反応生成物を用い、その０.1ｇに、表１に示
したそれぞれの溶剤（混合または単独）を所定量加えて
２４時間攪拌し、上記キノンジアジド系化合物が完溶し
たときの溶剤量から、上記キノンジアジド系化合物の各
溶剤に対する溶解度を算出した。溶解度は、各溶剤１０
０ｇに溶けるキノンジアジド系化合物の量（ｇ／１００
ｇ−溶剤）で表し、その結果を表１に示した。表中、溶
剤成分の欄にある"2-HP"は２−ヘプタノンを、"EL"は乳
酸エチルを、"GBL" はγ−ブチロラクトンを、そして"E
CA" はエチルセロソルブアセテートをそれぞれ表し、他
の表においても同様である。

【００３３】

【表１】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 溶剤成分とその重量比 キノンジアジド系化合物 の溶解度(g/100g-溶剤) ────────────────────────────実施例１ 2-HP 90/EL 9.5/GBL 0.5 ３ 〃 ２ 2-HP 90/EL 9/GBL 1 ４ 〃 ３ 2-HP 90/EL 5/GBL 5 ４ 〃 ４ 2-HP 92/EL 4/GBL 4 ４ 〃 ５ 2-HP 93/EL 1/GBL 6 ４ 〃 ６ 2-HP 92/EL 1/GBL 7 ４ ──────────────────────────── 比較例１ ECA 100 ３ 〃 ２ 2-HP 100 １ 〃 ３ 2-HP 95/GBL 5 ２ 〃 ４ 2-HP 90/GBL 10 ４ 〃 ５ 2-HP 95/EL 5 ２ 〃 ６ 2-HP 90/EL 10 ３ 〃 ７ 2-HP 90/EL 9.9/GBL 0.1 ３ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【００３４】実施例７〜１４および比較例８〜１０ アルカリ可溶性樹脂として、ｍ−クレゾール／ｐ−クレ
ゾールのモル比１／１混合物をホルマリンと反応させて
得たポリスチレン換算重量平均分子量 4,400のノボラッ
ク樹脂を分別することにより、ポリスチレン換算重量平
均分子量 8,000としたもの（ポリスチレン換算分子量９
００以下のＧＰＣ面積百分率１５％）、およびｍ−クレ
ゾール／ｐ−クレゾール／２−ｔ−ブチル−５−メチル
フェノールのモル比２０／２０／１混合物をホルマリン
と反応させて得たポリスチレン換算重量平均分子量 4,4
00のノボラック樹脂を分別することにより、 ポリスチ
レン換算重量平均分子量 8,000としたもの（ポリスチレ
ン換算分子量９００以下のＧＰＣ面積百分率１５％）
を、重量比３：１で組み合わせて用い、 添加剤とし
て、ｍ−クレゾールをホルマリンと反応させて得たポリ
スチレン換算重量平均分子量 350のノボラック樹脂から
クレゾールを蒸留して分別することにより、ポリスチレ
ン換算重量平均分子量 850としたノボラック樹脂、およ
び４，４′−（２−ヒドロキシベンジリデン）ジ−２，
６−キシレノールを、重量比１：３で組み合わせて用
い、またキノンジアジド系化合物として、２，３，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸クロライドとのモル
比１：２.5の縮合反応生成物を用いた。

【００３５】上記ノボラック樹脂１０.9３部、添加剤
３.4部およびキノンジアジド系化合物４.8部を、表２に
示した組成の溶剤４７.5部に溶解した。こうして調合さ
れた溶液を０.2μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過し
てレジスト液を調製した。これを、常法により洗浄した
シリコンウェハーに回転塗布機を用いて、乾燥後の膜厚
が１.2８μm となるように塗布した。このシリコンウェ
ハーを９０℃のホットプレート上で６０秒間ベークし
た。次にこのウェハーを、４３６nm（ｇ線）の露光波長
を有する縮小投影露光機〔（株）ニコン製の "NSR-1505
G 3C" 、NA=0.42 〕を用いて、露光量を段階的に変化さ
せて露光した。これを現像液"SOPD"〔住友化学工業
（株）製〕で１分間現像することにより、ポジ型パター
ンを得た。それぞれのポジ型パターンにつき、以下のよ
うにして評価し、結果を表２に示した。

【００３６】γ値および感度（Ｅth）： 露光量の対数
に対する規格化膜厚（＝残膜厚／初期膜厚）をプロット
し、その傾きθを求め、 tanθをγ値とし、規格化膜厚
が０となる露光量を感度（Ｅth）とした。

【００３７】プロファイル： ０.7μm のラインアンド
スペースパターンを露光し、現像したときのパターンの
断面形状を走査型電子顕微鏡で観察した。そして、プロ
ファイルの良否を示す指標として、図１に示したよう
に、ボトム幅ｂにおけるラインアンドスペースパターン
が１：１になる露光量で露光し、現像したときのパター
ンにおいて、トップ平坦部の線幅ａを測定した。

【００３８】解像度： １.0μm のラインアンドスペー
スパターンが１：１になる露光量で露光し、現像したと
きの、膜減りなく分離する最小のラインアンドスペース
パターンの寸法を、走査型電子顕微鏡により求めた。

【００３９】

【表２】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 溶剤成分とその重量比 レジスト性能 Ｅth γ値 プロファ 解像度 (msec.) イル(nm) (μm) ───────────────────────────────── 実施例７ 2-HP 90/EL 1/GBL 9 160 2.0 234.4 0.65 〃 ８ 2-HP 77.5/EL 20/GBL 2.5 150 2.0 228.5 0.65 〃 ９ 2-HP 80/EL 10/GBL 10 155 2.2 316.4 0.65 〃 10 2-HP 60/EL 20/GBL 20 140 2.5 304.9 0.65 〃 11 2-HP 46/EL 27/GBL 27 135 2.5 316.4 0.65 〃 12 2-HP 33/EL 33/GBL 33 140 2.3 240.2 0.65 〃 13 2-HP 20/EL 40/GBL 40 130 2.4 281.2 0.65 〃 14 2-HP 10/EL 45/GBL 45 130 2.3 293.0 0.65 ───────────────────────────────── 比較例８ 2-HP 90/EL 10 160 1.9 0 0.65 比較例９ 2-HP 90/EL 0.5/GBL 9.5 160 2.0 193.4 0.65 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【００４０】

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、キノ
ンジアジド系化合物の溶解性に優れ、また、感度、プロ
ファイル、塗布性などのレジスト諸性能に優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例で観察したプロファイルの概略断面図で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上谷 保則 大阪市此花区春日出中３丁目１番98号 住友化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−232697（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−127374（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−150450（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34918（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34919（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）キノンジアジド系化合物、 （Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、ならびに （Ｃ）２−ヘプタノン、乳酸エチルおよびγ−ブチロラ
   クトンを含む溶剤系を含有してなり、溶剤系（Ｃ）全体
   の量を基準に、γ−ブチロラクトンを０.5重量％以上、
   そして乳酸エチルを１０重量％以上含有するポジ型レジ
   スト組成物。
2. 【請求項２】溶剤系（Ｃ）全体の量を基準に、２−ヘプ
   タノンおよび乳酸エチルを合計で５０重量％以上含有す
   る請求項１記載の組成物。
3. 【請求項３】キノンジアジド系化合物が、下記一般式
   （Ｉ） （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 、
   Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ およびＲ¹⁰のうち二つは水酸基であり、残り
   は互いに独立に、水素または水酸基である）で示される
   ヒドロキシベンゾフェノン系化合物のキノンジアジドス
   ルホン酸エステルである請求項１〜２のいずれかに記載
   の組成物。
4. 【請求項４】レジスト組成物の全重量を基準に、キノン
   ジアジド系化合物（Ａ）およびアルカリ可溶性樹脂
   （Ｂ）の合計が３〜５０重量％となるよう、溶剤系
   （Ｃ）に溶解してなる請求項１〜３のいずれかに記載の
   組成物。