JP3384032B2 - Magnetostatic wave device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
に磁界が印加されるたとえばＹＩＧなどからなるフェリ
磁性基体を有する静磁波装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetostatic wave device, and more particularly to a magnetostatic wave device having a ferrimagnetic substrate such as YIG to which a magnetic field is applied.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１は従来の静磁波装置の一例を示す
斜視図である。この静磁波装置１は、フェリ磁性基体と
して短冊状のＹＩＧ薄膜２を含む。このＹＩＧ薄膜２上
には、単線状の２つの入出力用のトランスデューサ３ａ
および３ｂが、間隔を隔てて平行に設けられる。この場
合、これらのトランスデューサ３ａおよび３ｂは、ＹＩ
Ｇ薄膜２を横切るように設けられる。また、これらのト
ランスデューサ３ａおよび３ｂの一端には、入出力端子
４ａおよび４ｂがそれぞれ接続される。さらに、これら
のトランスデューサ３ａおよび３ｂの他端は、それぞれ
接地される。なお、ＹＩＧ薄膜２，トランスデューサ３
ａおよび３ｂは、ケース（図示せず）に収納される。2. Description of the Related Art FIG. 11 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave device. The magnetostatic wave device 1 includes a strip-shaped YIG thin film 2 as a ferrimagnetic substrate. On the YIG thin film 2, two single linear transducers 3a for input and output are provided.
And 3b are provided in parallel at a distance. In this case, these transducers 3a and 3b are
It is provided so as to cross the G thin film 2. Input / output terminals 4a and 4b are connected to one ends of the transducers 3a and 3b, respectively. Further, the other ends of these transducers 3a and 3b are grounded. In addition, the YIG thin film 2, the transducer 3
The a and 3b are housed in a case (not shown).
【０００３】図１４は従来の静磁波装置の他の例を示す
斜視図である。図１４に示す静磁波装置１は、図１１に
示す静磁波装置１と比べて、特に、２つのトランスデュ
ーサ３ａおよび３ｂの下に、フェリ磁性基体として短冊
状の３つのＹＩＧ薄膜２ａ，２ｂおよび２ｃが、間隔を
隔てて平行に設けられる。FIG. 14 is a perspective view showing another example of a conventional magnetostatic wave device. Compared with the magnetostatic wave device 1 shown in FIG. 11, the magnetostatic wave device 1 shown in FIG. 14 has three strip-shaped YIG thin films 2a, 2b, and 2c as a ferrimagnetic substrate, particularly below the two transducers 3a and 3b. Are provided in parallel at a distance.
【０００４】図１１および図１４に示す静磁波装置１に
は、それぞれ、ＹＩＧ薄膜の主面に直交する方向（ｚ軸
方向）に、ＹＩＧ薄膜に直流磁界Ｈが印加される。そし
て、これらの静磁波装置１では、それぞれ、たとえば一
方の入出力端子４ａから一方のトランスデューサ３ａに
高周波信号を入力すれば、このトランスデューサ３ａを
流れる高周波電流によって、このトランスデューサ３ａ
の周囲に高周波磁界が発生し、ＹＩＧ薄膜中に体積前進
静磁波が励振される。この体積前進静磁波は、一方のト
ランスデューサ３ａから他方のトランスデューサ３ｂに
伝搬される。そして、その体積前進静磁波は、他方のト
ランスデューサ３ｂで受信され、他方の入出力端子４ｂ
から所定の高周波信号として出力される。In the magnetostatic wave device 1 shown in FIGS. 11 and 14, a DC magnetic field H is applied to the YIG thin film in a direction (z-axis direction) orthogonal to the main surface of the YIG thin film. In each of these magnetostatic wave devices 1, for example, when a high frequency signal is input from one input / output terminal 4a to one transducer 3a, the high frequency current flowing through the transducer 3a causes the transducer 3a to move.
A high-frequency magnetic field is generated around and the volume forward magnetostatic wave is excited in the YIG thin film. This volume forward magnetostatic wave is propagated from one transducer 3a to the other transducer 3b. The volume forward magnetostatic wave is received by the other transducer 3b, and the other input / output terminal 4b.
Is output as a predetermined high frequency signal.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、図１１に示
す静磁波装置１では、ｘ軸−ｚ軸平面におけるＹＩＧ薄
膜２に印加される磁界の磁力線を図１２に示すように、
ＹＩＧ薄膜２の幅方向における両端部に磁力線が集中す
る。そのため、ｘ軸−ｚ軸平面におけるＹＩＧ薄膜２に
印加される磁界の分布を図１３に示すように、ＹＩＧ薄
膜２に印加される磁界の分布がそれぞれ不均一となり、
高次モードによるスプリアスが発生する。However, in the magnetostatic wave device 1 shown in FIG. 11, the magnetic force lines of the magnetic field applied to the YIG thin film 2 on the x-z axis plane are as shown in FIG.
The magnetic force lines are concentrated on both ends of the YIG thin film 2 in the width direction. Therefore, as shown in FIG. 13, the distribution of the magnetic field applied to the YIG thin film 2 on the x-axis-z-axis plane is non-uniform, and the distribution of the magnetic field applied to the YIG thin film 2 becomes non-uniform.
Spurious due to higher mode is generated.
【０００６】同様に、図１４に示す静磁波装置でも、ｘ
軸−ｚ軸平面におけるＹＩＧ薄膜２ａ，２ｂおよび２ｃ
に印加される磁界の磁力線を図１５に示すように、ＹＩ
Ｇ薄膜２ａ，２ｂおよび２ｃのそれぞれの幅方向におけ
る両端部に磁力線が集中し、ｘ軸−ｚ軸平面におけるＹ
ＩＧ薄膜２ａ，２ｂおよび２ｃに印加される磁界の分布
を図１６に示すように、ＹＩＧ薄膜２ａ，２ｂおよび２
ｃに印加される磁界の分布が不均一となり、高次モード
によるスプリアスが発生する。Similarly, in the magnetostatic wave device shown in FIG. 14, x
YIG thin films 2a, 2b and 2c in the axis-z axis plane
As shown in FIG. 15, the magnetic force lines of the magnetic field applied to the YI
Lines of magnetic force are concentrated on both ends in the width direction of each of the G thin films 2a, 2b, and 2c, and Y in the x-axis-z axis plane
As shown in FIG. 16, the distribution of the magnetic field applied to the IG thin films 2a, 2b and 2c is shown in FIG.
The distribution of the magnetic field applied to c becomes non-uniform, and spurious due to higher-order modes occur.
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、高
次モードによるスプリアスが抑圧される、静磁波装置を
提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device in which spurious due to a higher order mode is suppressed.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、磁界が印加
される柱状のフェリ磁性基体を有する静磁波装置であっ
て、フェリ磁性基体は、その幅方向における両端部から
中央部にわたって厚みが徐々に厚くなるように半楕円柱
状または楕円柱状に形成される、静磁波装置である。こ
の発明にかかる静磁波装置では、複数のフェリ磁性基体
が用いられてもよい。 The present invention is a magnetostatic wave device having a columnar ferrimagnetic substrate to which a magnetic field is applied, and the ferrimagnetic substrate has a thickness gradually increasing from both ends to the center in the width direction. Semi-elliptical column to be thicker
It is a magnetostatic wave device formed in a rectangular shape or an elliptic cylindrical shape . This
In the magnetostatic wave device according to the invention, a plurality of ferrimagnetic substrates are provided.
May be used.
【０００９】[0009]
【作用】フェリ磁性基体に印加される磁界の磁力線は、
フェリ磁性基体の幅方向における両端部に集中する。一
方、フェリ磁性基体は、その幅方向における両端部から
中央部にわたって厚みが徐々に厚くなるように半楕円柱
状または楕円柱状に形成される。そのため、フェリ磁性
基体に印加される磁界の分布がほぼ均一になる。したが
って、高次モードによるスプリアスが抑圧される。[Function] The magnetic field lines of the magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate are
It concentrates on both ends in the width direction of the ferrimagnetic substrate. On the other hand, the ferrimagnetic base body is a semi-elliptical cylinder whose thickness gradually increases from both ends to the center in the width direction.
It is formed in a rectangular shape or an elliptic cylindrical shape . Therefore, the distribution of the magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate becomes substantially uniform. Therefore, spurious due to the higher order mode is suppressed.
【００１０】[0010]
【発明の効果】この発明によれば、高次モードによるス
プリアスが抑圧される静磁波装置が得られる。この発明
にかかる静磁波装置において、フェリ磁性基体が半楕円
柱状に形成されると、フェリ磁性基体が平坦面を有する
ので、フェリ磁性基体を他の部材の平坦面上に安定に配
置することができる。 また、この発明にかかる静磁波装
置では、複数のフェリ磁性基体が用いられると、複数の
フェリ磁性基体中に静磁波が励振されるので、挿入損失
が小さくなる。 According to the present invention, it is possible to obtain a magnetostatic wave device in which spurious due to a higher order mode is suppressed. This invention
In the magnetostatic wave device, the ferrimagnetic substrate has a semi-elliptical shape.
When formed into a columnar shape, the ferrimagnetic substrate has a flat surface
Therefore, the ferrimagnetic substrate can be stably placed on the flat surface of another member.
Can be placed. Further, the magnetostatic wave device according to the present invention
If a plurality of ferrimagnetic substrates is used,
Magnetostatic wave is excited in the ferrimagnetic substrate, so insertion loss
Becomes smaller.
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments with reference to the drawings.
【００１２】[0012]
【実施例】図１はこの発明の背景となる静磁波装置の一
例を示す斜視図である。この静磁波装置１０は、たとえ
ば円柱状のＹＩＧからなるフェリ磁性基体１２を含む。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 shows an example of a magnetostatic wave device as the background of the present invention.
It is a perspective view which shows an example . The magnetostatic wave device 10 includes a ferrimagnetic substrate 12 made of, for example, a cylindrical YIG.
【００１３】フェリ磁性基体１２上には、単線状の２つ
の入出力用のトランスデューサ１４ａおよび１４ｂが、
間隔を隔てて平行に設けられる。この場合、２つのトラ
ンスデューサ１４ａおよび１４ｂは、フェリ磁性基体１
２を横切るように設けられる。On the ferrimagnetic substrate 12, two single-line transducers 14a and 14b for input and output are provided.
It is provided in parallel with a space. In this case, the two transducers 14a and 14b are connected to the ferrimagnetic substrate 1
It is provided so as to cross 2.
【００１４】これらのトランスデューサ１４ａおよび１
４ｂの一端には、入出力端子１６ａおよび１６ｂがそれ
ぞれ接続される。また、これらのトランスデューサ１４
ａおよび１４ｂの他端は、それぞれ接地される。These transducers 14a and 1
Input / output terminals 16a and 16b are connected to one end of 4b, respectively. Also, these transducers 14
The other ends of a and 14b are grounded.
【００１５】さらに、フェリ磁性基体１２の上下には、
磁石（図示せず）がそれぞれ設けられる。これらの磁石
は、フェリ磁性基体１２に直流磁界Ｈを印加するための
ものである。なお、これらの磁石は、フェリ磁性基体１
２，トランスデューサ１４ａおよび１４ｂとともに、ケ
ース（図示せず）に収納される。Further, above and below the ferrimagnetic substrate 12,
Magnets (not shown) are provided respectively. These magnets are for applying a DC magnetic field H to the ferrimagnetic substrate 12. In addition, these magnets are the ferrimagnetic substrate 1
2, along with the transducers 14a and 14b, is housed in a case (not shown).
【００１６】この静磁波装置１０では、たとえば一方の
入出力端子１６ａから一方のトランスデューサ１４ａに
高周波信号を入力すれば、このトランスデューサ１４ａ
を流れる高周波電流によって、このトランスデューサ１
４ａの周囲に高周波磁界が発生し、フェリ磁性基体１２
中に体積前進静磁波が励振される。この体積前進静磁波
は、一方のトランスデューサ１４ａから他方のトランス
デューサ１４ｂに伝搬される。そして、その体積前進静
磁波は、他方のトランスデューサ１４ｂで受信され、他
方の入出力端子１６ｂから所定の高周波信号として出力
される。In this magnetostatic wave device 10, for example, if a high frequency signal is input from one input / output terminal 16a to one transducer 14a, this transducer 14a
This high-frequency current flowing through this transducer 1
A high-frequency magnetic field is generated around 4a, and the ferrimagnetic substrate 12
A volume forward magnetostatic wave is excited therein. This volume forward magnetostatic wave is propagated from one transducer 14a to the other transducer 14b. Then, the volume forward magnetostatic wave is received by the other transducer 14b and output from the other input / output terminal 16b as a predetermined high frequency signal.
【００１７】また、この静磁波装置１０では、ｘ軸−ｚ
軸平面におけるフェリ磁性基体１２に印加される磁界の
磁力線を図２に示すように、フェリ磁性基体１２の幅方
向における両端部に磁力線が集中する。しかしながら、
この静磁波装置１０では、フェリ磁性基体１２がその幅
方向における両端部から中央部にわたって厚みが徐々に
厚くなるように形成されているので、ｘ軸−ｚ軸平面に
おけるフェリ磁性基体１２に印加される磁界の分布を図
３に示すように、フェリ磁性基体１２に印加される磁界
の分布がほぼ均一となり、高次モードによるスプリアス
が抑圧される。Further, in this magnetostatic wave device 10, the x-axis-z
The magnetic force lines of the magnetic field applied to the ferrimagnetic base 12 on the axial plane are concentrated on both ends of the ferrimagnetic base 12 in the width direction, as shown in FIG. However,
In this magnetostatic wave device 10, since the ferrimagnetic substrate 12 is formed so that the thickness gradually increases from both ends to the central portion in the width direction, the ferrimagnetic substrate 12 is applied to the ferrimagnetic substrate 12 in the x-z axis plane. As shown in FIG. 3, the distribution of the magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate 12 becomes substantially uniform, and spurious due to higher-order modes is suppressed.
【００１８】なお、上述の静磁波装置では、入出力端子
１６ａが入力端子として用いられ、入出力端子１６ｂが
出力端子として用いられているが、これらは逆に用いら
れてもよい。In the above magnetostatic wave device , the input / output terminal 16a is used as an input terminal and the input / output terminal 16b is used as an output terminal, but these may be used in reverse.
【００１９】図４はこの発明の背景となる静磁波装置の
他の例を示す斜視図である。図４に示す静磁波装置で
は、図１に示す静磁波装置と比べて、特に、２つのトラ
ンスデューサ１４ａおよび１４ｂの下に、円柱状のＹＩ
Ｇからなる３つのフェリ磁性基体１２ａ，１２ｂおよび
１２ｃが間隔を隔てて平行に設けられる。FIG. 4 shows a magnetostatic wave device as the background of the present invention.
It is a perspective view which shows another example . Compared with the magnetostatic wave device shown in FIG. 1, the magnetostatic wave device shown in FIG. 4 has a columnar YI, especially below the two transducers 14a and 14b.
Three ferrimagnetic substrates 12a, 12b, and 12c made of G are provided in parallel with each other at intervals.
【００２０】図４に示す静磁波装置でも、ｘ軸−ｚ軸平
面におけるフェリ磁性基体１２ａ，１２ｂおよび１２ｃ
に印加される磁界の磁力線は、図５に示すように、フェ
リ磁性基体１２ａ，１２ｂおよび１２ｃのそれぞれの幅
方向における両端部に集中するが、フェリ磁性基体１２
ａ，１２ｂおよび１２ｃがそれぞれその幅方向における
両端部から中央部にわたって厚みが徐々に厚くなるよう
に形成されているので、ｘ軸−ｚ軸平面におけるフェリ
磁性基体１２ａ，１２ｂおよび１２ｃに印加される磁界
の分布を図６に示すように、フェリ磁性基体１２ａ，１
２ｂおよび１２ｃに印加される磁界の分布がそれぞれほ
ぼ均一となり、高次モードによるスプリアスが抑圧され
る。Also in the magnetostatic wave device shown in FIG. 4, the ferrimagnetic substrates 12a, 12b and 12c in the x-z-axis plane are also included.
The magnetic lines of force of the magnetic field applied to the ferrimagnetic base 12 are concentrated on both ends in the width direction of the ferrimagnetic bases 12a, 12b, and 12c as shown in FIG.
Since a, 12b, and 12c are formed such that the thickness gradually increases from both ends to the center in the width direction, they are applied to the ferrimagnetic substrates 12a, 12b, and 12c in the x-axis-z plane. The distribution of the magnetic field is shown in FIG.
The distributions of the magnetic fields applied to 2b and 12c are substantially uniform, and spurious due to higher-order modes are suppressed.
【００２１】さらに、図４に示す静磁波装置では、３つ
のフェリ磁性基体１２ａ，１２ｂおよび１２ｃ中に体積
前進静磁波が励振されるので、挿入損失が小さくなる。Further, in the magnetostatic wave device shown in FIG. 4, since the volume forward magnetostatic wave is excited in the three ferrimagnetic substrates 12a, 12b and 12c, the insertion loss becomes small.
【００２２】図４に示す静磁波装置のように、この発明
では、複数のフェリ磁性基体が用いられてもよい。な
お、複数のフェリ磁性基体を用いる場合には、それらは
間隔を隔てずに平行に設けられてもよい。As in the magnetostatic wave device shown in FIG. 4, a plurality of ferrimagnetic substrates may be used in the present invention. When a plurality of ferrimagnetic bases are used, they may be provided in parallel without a gap.
【００２３】図７はこの発明の一実施例を示す斜視図で
ある。図７に示す実施例では、特に、半楕円柱状のＹＩ
Ｇからなるフェリ磁性基体１２が用いられる。図７に示
す実施例では、ｘ軸−ｚ軸平面におけるフェリ磁性基体
１２に印加される磁界の磁力線を図８に示すように、フ
ェリ磁性基体１２の幅方向における両端部に磁力線が集
中するが、フェリ磁性基体１２がその幅方向における両
端部から中央部にわたって厚みが徐々に厚くなるように
半楕円柱状に形成されているので、ｘ軸−ｚ軸平面にお
けるフェリ磁性基体１２に印加される磁界の分布を図９
に示すように、フェリ磁性基体１２に印加される磁界の
分布がほぼ均一となり、高次モードによるスプリアスが
抑圧される。FIG. 7 is a perspective view showing an embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 7, in particular, a semi-elliptic columnar YI
A ferrimagnetic substrate 12 made of G is used. In the embodiment shown in FIG. 7, the magnetic field lines of a magnetic field applied to the ferrimagnetic base material 12 in the x-axis -z axis plane, as shown in FIG. 8, magnetic force lines are concentrated on both ends in the width direction of the ferrimagnetic base material 12 However, the thickness of the ferrimagnetic substrate 12 should be gradually increased from both ends to the center in the width direction.
Since it is formed in a semi-elliptical columnar shape, the distribution of the magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate 12 in the x-axis-z-axis plane is shown in FIG.
As shown in, the distribution of the magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate 12 becomes substantially uniform, and spurious due to higher-order modes is suppressed.
【００２４】さらに、図７に示す実施例では、フェリ磁
性基体１２の下部に平坦面を有するので、フェリ磁性基
体１２を他の部材の平坦面上に安定に配置することがで
きる。Further, in the embodiment shown in FIG. 7, since the ferrimagnetic base 12 has a flat surface under the ferrimagnetic base 12, the ferrimagnetic base 12 can be stably arranged on the flat surface of another member.
【００２５】図１０は図７に示す実施例の変形例を示す
斜視図である。図１０に示す実施例では、図７に示す実
施例と比べて、フェリ磁性基体１２が楕円柱状に形成さ
れる。図１０に示す実施例でも、図７に示す実施例と同
様に、フェリ磁性基体１２に印加される磁界の分布がほ
ぼ均一となり、高次モードによるスプリアスが抑圧され
る。FIG. 10 is a perspective view showing a modification of the embodiment shown in FIG. In the embodiment shown in FIG. 10, compared with the embodiment shown in FIG. 7, the ferrimagnetic substrate 12 is formed in an elliptic cylindrical shape. In the embodiment shown in FIG. 10 as well, similar to the embodiment shown in FIG. 7, the distribution of the magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate 12 becomes substantially uniform, and spurious due to higher-order modes is suppressed.
【００２６】図７および図１０に示す各実施例のよう
に、この発明では、フェリ磁性基体は、半楕円柱状や楕
円柱状に形成され、その幅方向における両端部から中央
部にわたって厚みが徐々に厚くなるように形成される。As in each of the embodiments shown in FIGS. 7 and 10 , in the present invention, the ferrimagnetic substrate is formed in a semi- elliptic column shape or an elliptic column shape, and the thickness thereof gradually increases from both end portions to the central portion in the width direction. Ru is formed to be thick.
【００２７】なお、上述の各実施例では、それぞれ、単
線状のトランスデューサが用いられているが、この発明
では、複線状のトランスデューサが用いられてもよい。
そして、複線状のトランスデューサを用いれば、挿入損
失が小さくなる。In each of the above-mentioned embodiments, a single-line transducer is used, but in the present invention, a multi-line transducer may be used.
And, if a double-line transducer is used, the insertion loss becomes small.
【００２８】また、フェリ磁性基体には、ｚ軸方向に限
らずトランスデューサの延びる方向（ｘ軸方向）に磁界
が印加されてもよい。この場合、フェリ磁性基体中に
は、表面静磁波が励振される。A magnetic field may be applied to the ferrimagnetic substrate not only in the z-axis direction but also in the direction in which the transducer extends (x-axis direction). In this case, a surface magnetostatic wave is excited in the ferrimagnetic substrate.
【図１】この発明の背景となる静磁波装置の一例を示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a magnetostatic wave device as the background of the present invention.
【図２】図１に示す静磁波装置のフェリ磁性基体に印加
される磁界の磁力線を示す図解図である。FIG. 2 is an illustrative view showing magnetic force lines of a magnetic field applied to a ferrimagnetic substrate of the magnetostatic wave device shown in FIG.
【図３】図１に示す静磁波装置のフェリ磁性基体に印加
される磁界の分布を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a distribution of a magnetic field applied to a ferrimagnetic substrate of the magnetostatic wave device shown in FIG.
【図４】この発明の背景となる静磁波装置の他の例を示
す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing another example of a magnetostatic wave device as the background of the present invention.
【図５】図４に示す静磁波装置のフェリ磁性基体に印加
される磁界の磁力線を示す図解図である。5 is an illustrative view showing magnetic force lines of a magnetic field applied to a ferrimagnetic substrate of the magnetostatic wave device shown in FIG.
【図６】図４に示す静磁波装置のフェリ磁性基体に印加
される磁界の分布を示すグラフである。6 is a graph showing a distribution of a magnetic field applied to a ferrimagnetic substrate of the magnetostatic wave device shown in FIG.
【図７】この発明の一実施例を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.
【図８】図７に示す実施例のフェリ磁性基体に印加され
る磁界の磁力線を示す図解図である。FIG. 8 is an illustrative view showing magnetic force lines of a magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate of the embodiment shown in FIG.
【図９】図７に示す実施例のフェリ磁性基体に印加され
る磁界の分布を示すグラフである。9 is a graph showing the distribution of a magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate of the example shown in FIG.
【図１０】図７に示す実施例の変形例を示す斜視図であ
る。10 is a perspective view showing a modified example of the embodiment shown in FIG.
【図１１】従来の静磁波装置の一例を示す斜視図であ
る。FIG. 11 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave device.
【図１２】図１１に示す静磁波装置のＹＩＧ薄膜に印加
される磁界の磁力線を示す図解図である。12 is an illustrative view showing magnetic force lines of a magnetic field applied to the YIG thin film of the magnetostatic wave device shown in FIG. 11. FIG.
【図１３】図１１に示す静磁波装置のＹＩＧ薄膜に印加
される磁界の分布を示すグラフである。13 is a graph showing a distribution of a magnetic field applied to the YIG thin film of the magnetostatic wave device shown in FIG.
【図１４】従来の静磁波装置の他の例を示す斜視図であ
る。FIG. 14 is a perspective view showing another example of a conventional magnetostatic wave device.
【図１５】図１４に示す静磁波装置のＹＩＧ薄膜に印加
される磁界の磁力線を示す図解図である。15 is an illustrative view showing magnetic force lines of a magnetic field applied to the YIG thin film of the magnetostatic wave device shown in FIG.
【図１６】図１４に示す静磁波装置のＹＩＧ薄膜に印加
される磁界の分布を示すグラフである。16 is a graph showing the distribution of a magnetic field applied to the YIG thin film of the magnetostatic wave device shown in FIG.
１０ 静磁波装置 １２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ フェリ磁性基体 １４ａ，１４ｂ トランスデューサ １６ａ，１６ｂ 入出力端子 10 magnetostatic wave device 12, 12a, 12b, 12c Ferrimagnetic substrate 14a, 14b Transducer 16a, 16b Input / output terminals
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 谷 文 夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (56)参考文献 長尾司 田中善吾 管秀臣，細いＹＩ Ｇ円柱に伝わる静磁波の実験，電子情報 通信学会技術研究報告，日本，電子情報 通信学会，1989年 ９月21日，ＭＷ89− 62，ｐｐ．13−20 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 7/00 - 7/10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Fumio Kanaya 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo City, Kyoto Prefecture Murata Manufacturing Co., Ltd. Of Magnetostatic Waves Propagated in Japan, IEICE Technical Report, Japan, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, September 21, 1989, MW89-62, pp. 13-20 (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 1/20-1/219 H01P 7/ 00-7/10
Claims (2)
を有する静磁波装置であって、 前記フェリ磁性基体は、その幅方向における両端部から
中央部にわたって厚みが徐々に厚くなるように半楕円柱
状または楕円柱状に形成された、静磁波装置。1. A magnetostatic wave device having a columnar ferrimagnetic base to which a magnetic field is applied, wherein the ferrimagnetic base has a semi-elliptical shape in which the thickness gradually increases from both ends to the center in the width direction. Pillar
Magnetostatic wave device formed in a rectangular shape or an elliptic cylindrical shape .
る、請求項１に記載の静磁波装置。The magnetostatic wave device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12796493A JP3384032B2 (en) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12796493A JP3384032B2 (en) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | Magnetostatic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318803A JPH06318803A (en) | 1994-11-15 |
| JP3384032B2 true JP3384032B2 (en) | 2003-03-10 |
Family
ID=14973034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12796493A Expired - Fee Related JP3384032B2 (en) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | Magnetostatic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3384032B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | Magnetostatic wave devices for high frequency signal processing |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP12796493A patent/JP3384032B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 長尾司 田中善吾 管秀臣，細いＹＩＧ円柱に伝わる静磁波の実験，電子情報通信学会技術研究報告，日本，電子情報通信学会，１９８９年 ９月２１日，ＭＷ８９−６２，ｐｐ．１３−２０ |
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| JPH06318803A (en) | 1994-11-15 |
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