JP3362007B2 - Semiconductor device, method of manufacturing the same, and tape carrier - Google Patents
Semiconductor device, method of manufacturing the same, and tape carrierInfo
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、その製
造方法及びそれに使用するテープキャリアに関するもの
で、特にチップサイズパッケージの樹脂封止型半導体装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a tape carrier used for the same, and more particularly to a resin-sealed semiconductor device of a chip size package.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種のパッケージはベースにプ
リント基板又はリードフレームを用いてダイスボンディ
ングを行い、ワイヤボンディングによりICと外部との
導通を図り、プリント基板、リードフレームを樹脂封止
後にカッティング、研磨等を行い、よりチップサイズに
近く形成したものが一般的であった。2. Description of the Related Art Conventionally, in this type of package, a printed circuit board or a lead frame is used as a base for die-bonding, and the IC is electrically connected to the outside by wire bonding. In general, it was formed by polishing, etc., so as to be closer to the chip size.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながらワイヤボ
ンドを行う上で基板、リードフレーム側でのボンディン
グエリアを確保するため、完成後のパッケージサイズが
ICチップのサイズに対してXY方向共に大きくなって
しまう欠点があった。However, in order to secure a bonding area on the side of the substrate and the lead frame for wire bonding, the package size after completion becomes larger than the size of the IC chip in both XY directions. There was a flaw.
【0004】また、パッケージ厚に関しては、樹脂封止
時にICチップ及びワイヤを全て覆わなければならな
い。これに加算して基板厚などもあることから、ICチ
ップ単体の厚さは約0.25mm〜0.35mmである
が、パッケージ状態では1.0mm程度になってしまう
という問題があった。Regarding the package thickness, it is necessary to cover all the IC chips and wires during resin sealing. In addition to this, the thickness of the IC chip alone is about 0.25 mm to 0.35 mm because of the substrate thickness and the like, but there is a problem that it becomes about 1.0 mm in the packaged state.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明はパッド及びバンプを形成したICチップの
主面を樹脂層で封止し、樹脂層上に設けられた外部接続
用電極とパッド及びバンプとをアウトプット用パターン
により導通をとるようにしたものである。In order to solve the above problems, the present invention seals the main surface of an IC chip on which pads and bumps are formed with a resin layer, and an external connection electrode provided on the resin layer. The pads and bumps are electrically connected by an output pattern.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施形態を
示す斜視図である。半導体装置はICチップ1と、その
主面である上面に形成された樹脂層2と、その上に設け
られた外部接続用電極例えば半田を材料とするボール3
と、ボール3とICチップ1に形成されたパッド及びバ
ンプとの導通をとるアウトプット用パターン4とを備え
ている。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention. The semiconductor device includes an IC chip 1, a resin layer 2 formed on an upper surface of the IC chip 1, and external connection electrodes provided thereon, for example, balls 3 made of solder.
And an output pattern 4 for establishing electrical continuity between the ball 3 and the pads and bumps formed on the IC chip 1.
【0007】図2は図1のA部の拡大断面図である。I
Cチップ1の主面には電極パッドにバンプ処理を施した
パッド及びバンプ5が形成され、パッド及びバンプ5に
はアウトプット用パターン4が接合されている。FIG. 2 is an enlarged sectional view of the portion A in FIG. I
Pads and bumps 5 obtained by subjecting the electrode pads to bump processing are formed on the main surface of the C chip 1, and the output patterns 4 are bonded to the pads and bumps 5.
【0008】樹脂層2はICチップ1の主面を封止する
ように形成され、樹脂層2上には、その表面に露出して
いるアウトプット用パターン4に取り付けされたボール
3が設けられている。The resin layer 2 is formed so as to seal the main surface of the IC chip 1, and the balls 3 attached to the output patterns 4 exposed on the surface are provided on the resin layer 2. ing.
【0009】ボール3とパッド及びバンプ5は樹脂層2
を通して、アウトプット用パターン4により導通がとら
れている。The ball 3, the pad and the bump 5 are made of the resin layer 2
Conduction is established through the output pattern 4.
【0010】なお、ボール3として説明した外部接続用
電極は、球形に限定されるものではなく、外部接続用に
使用されるものなら突起形状のものでも良い。The external connection electrode described as the ball 3 is not limited to a spherical shape, and may be a projection shape if it is used for external connection.
【0011】ただし、現状の作業性、リフロー性を考え
ると、半田ボールが最も適している。However, considering the current workability and reflowability, solder balls are most suitable.
【0012】図3〜図7は本発明の第1の実施形態の製
造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示してい
る。3 to 7 are views showing a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, and each step is shown in a sectional view.
【0013】図3はテープキャリアを示すもので、耐熱
テープ6の表面に熱圧着用パターン7を形成し、裏面に
熱圧着パターン7と対向してアウトプット用パターン4
を形成し、アウトプット用パターン4を囲うように樹脂
止めパターン8を形成している。FIG. 3 shows a tape carrier, in which a thermocompression bonding pattern 7 is formed on the front surface of the heat resistant tape 6 and an output pattern 4 is formed on the back surface so as to face the thermocompression bonding pattern 7.
And a resin stop pattern 8 is formed so as to surround the output pattern 4.
【0014】また耐熱テープ6には、樹脂を注入するた
めの樹脂充填用穴9が設けられている。樹脂止めパター
ン8はこの樹脂充填時に必要以上の樹脂の流れを抑制す
る作用をする。Further, the heat resistant tape 6 is provided with a resin filling hole 9 for injecting a resin. The resin stop pattern 8 has the function of suppressing an unnecessary flow of resin when the resin is filled.
【0015】このように形成されたテープキャリアが準
備されると共に、主面にパッド及びバンプ5が形成され
たICチップ1が準備される。The tape carrier thus formed is prepared, and the IC chip 1 having the pads and bumps 5 formed on the main surface is prepared.
【0016】図4では、TAB(Tape Autom
ated Bonding)技術によりICチップ1上
にテープキャリアを位置決めし、TABツール10によ
りアウトプット用パターン4とパッド及びバンプ5とを
熱圧着して接合する。In FIG. 4, TAB (Tape Autom)
The tape carrier is positioned on the IC chip 1 by the aged bonding technique, and the output pattern 4 and the pads and bumps 5 are bonded by thermocompression bonding with the TAB tool 10.
【0017】図5では、耐熱テープ6に開けられた貫通
孔の樹脂充填用穴9を通して、ディスペンサ11のノズ
ル12から液状の封止樹脂を注入し、耐熱テープ6とI
Cチップ1の主面との間を樹脂で充填し、加熱処理をし
て硬化させ、樹脂層2を形成してICチップ1の主面を
樹脂封止する。In FIG. 5, the liquid sealing resin is injected from the nozzle 12 of the dispenser 11 through the resin filling hole 9 of the through hole formed in the heat resisting tape 6 and the heat resisting tape 6 and I.
The space between the main surface of the C chip 1 and the main surface of the IC chip 1 is filled with resin, heat-treated and cured to form a resin layer 2, and the main surface of the IC chip 1 is resin-sealed.
【0018】液状の封止樹脂を充填する際、樹脂止めパ
ターン8を形成してあるので、樹脂がICチップ1のエ
ッジを越えて流れ出すことはない。Since the resin stopper pattern 8 is formed when the liquid sealing resin is filled, the resin does not flow over the edge of the IC chip 1.
【0019】なお、樹脂止めパターン8の高さをICチ
ップ1の主面の位置まで高くした場合は、液状の樹脂が
エッジで確実に止まるので望ましいが、図に示した位置
であっても、毛細管現象により液状の樹脂は耐熱テープ
6側に吸い上げられるため、エッジを越えることはな
い。When the height of the resin stop pattern 8 is increased to the position of the main surface of the IC chip 1, the liquid resin is surely stopped at the edge, which is desirable, but even at the position shown in the figure, Since the liquid resin is sucked up to the heat-resistant tape 6 side by the capillary phenomenon, it does not cross the edge.
【0020】また、液状の封止樹脂が硬化する時、溶剤
分を含む樹脂の場合は、溶剤の揮発によって変形し、乾
燥後に体積変動が発生してしまうため、無溶剤のもの、
即ち体積変動の無い封止樹脂が望ましい。Further, when the liquid sealing resin is cured, in the case of a resin containing a solvent component, the resin is deformed by volatilization of the solvent and a volume change occurs after drying.
That is, a sealing resin that does not change in volume is desirable.
【0021】図6においては、テープキャリアとICチ
ップ1を剥離する。この時、耐熱テープ6に形成されて
いたアウトプット用パターン4はパッド及びバンプ5に
接合したままICチップ1側へ転写される。In FIG. 6, the tape carrier and the IC chip 1 are separated. At this time, the output pattern 4 formed on the heat resistant tape 6 is transferred to the IC chip 1 side while being bonded to the pads and bumps 5.
【0022】この後、図7において転写されたアウトプ
ット用パターン4の上部即ち樹脂層2に露出しているボ
ール付け部へめっき処理を行い、ボール3を取り付けて
チップサイズパッケージの半導体装置が得られる。After that, a plating process is performed on the upper portion of the output pattern 4 transferred in FIG. 7, that is, the ball attaching portion exposed on the resin layer 2, and the balls 3 are attached to obtain a semiconductor device of a chip size package. To be
【0023】以上のように、第1の実施形態によれば、
従来のパッケージより外形が小さくて薄い表面実装に適
したチップサイズパッケージを作ることができ、表面実
装時の実装密度を上げる効果が得られる。As described above, according to the first embodiment,
It is possible to make a chip-size package which is smaller in outer size and thinner than a conventional package and suitable for surface mounting, and it is possible to obtain an effect of increasing the mounting density during surface mounting.
【0024】図8は本発明の第2の実施形態を示す斜視
図で、第1の実施形態とは、ボール3の位置変更用パタ
ーン13をアウトプット用パターン4に付加して一部の
ボール3の取り付け位置を変更した点が異なるだけであ
る。FIG. 8 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention. In the first embodiment, the position changing pattern 13 of the ball 3 is added to the output pattern 4 so that a part of the ball is formed. The only difference is that the mounting position of 3 is changed.
【0025】図9及び図10は本発明の第2の実施形態
の製造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示し
ている。9 and 10 are views showing a manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, and each step is shown in a sectional view.
【0026】図9はテープキャリアを示したもので、耐
熱テープ6の表面に形成されたアウトプット用パターン
4に付加して、ボール3の位置を変更する時のために、
ボール3の位置変更用パターン13を形成している。そ
の他は第1の実施形態と同じである。FIG. 9 shows a tape carrier, which is added to the output pattern 4 formed on the surface of the heat-resistant tape 6 to change the position of the ball 3.
A pattern 13 for changing the position of the ball 3 is formed. Others are the same as those in the first embodiment.
【0027】このテープキャリアを使用し、第1の実施
形態と同様に、テープキャリアとICチップ1とを熱圧
着してアウトプット用パターン4とパッド及びバンプ5
を接合し、樹脂を充填して硬化させ、ICチップ1の主
面を樹脂封止し、テープキャリアを剥離してアウトプッ
ト用パターン4及び位置変更用パターン13をICチッ
プ1側に転写し、図10に示すように位置変更用パター
ン13をめっき処理してボール3を取り付ける。Using this tape carrier, as in the first embodiment, the tape carrier and the IC chip 1 are thermocompression-bonded to each other, and the output pattern 4, pads and bumps 5 are formed.
Are bonded, the resin is filled and cured, the main surface of the IC chip 1 is resin-sealed, the tape carrier is peeled off, and the output pattern 4 and the position changing pattern 13 are transferred to the IC chip 1 side, As shown in FIG. 10, the position changing pattern 13 is plated and the balls 3 are attached.
【0028】以上のように、第2の実施形態によれば、
第1の実施形態の効果に加えて、位置変更用パターン1
3を形成したので外部接続用電極のボール3の位置を容
易に変更することができる。As described above, according to the second embodiment,
In addition to the effect of the first embodiment, the position changing pattern 1
Since 3 is formed, the position of the ball 3 of the electrode for external connection can be easily changed.
【0029】図11は本発明の第3の実施形態を示す斜
視図、図12は図11のB部拡大断面図である。第1の
実施形態とは、耐熱テープ14が残存している点で大き
く異なっている。FIG. 11 is a perspective view showing a third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is an enlarged sectional view of a B part in FIG. This is largely different from the first embodiment in that the heat resistant tape 14 remains.
【0030】ICチップ1の主面にはパッド及びバンプ
5が形成され、パッド及びバンプ5にはアウトプット用
パターン4が接合されている。Pads and bumps 5 are formed on the main surface of the IC chip 1, and an output pattern 4 is bonded to the pads and bumps 5.
【0031】樹脂層2は耐熱テープ14とICチップ1
の間を充填し、ICチップ1の主面を封止するように形
成され、樹脂層2の上面には耐熱テープ14が剥離され
ずに残存している。The resin layer 2 includes the heat resistant tape 14 and the IC chip 1.
The heat-resistant tape 14 remains on the upper surface of the resin layer 2 without being peeled off.
【0032】耐熱テープ14の表面には熱圧着用パター
ン7が形成されており、その上面に外部接続用電極のボ
ール3が取り付けられている。A thermocompression bonding pattern 7 is formed on the surface of the heat resistant tape 14, and balls 3 of external connection electrodes are attached to the upper surface thereof.
【0033】また、耐熱テープ14の裏面にはアウトプ
ット用パターン4及びアウトプット用パターン4を囲う
ように樹脂止めパターン8が形成され、図の例では樹脂
止めパターン8が残されている。On the back surface of the heat-resistant tape 14, an output pattern 4 and a resin stop pattern 8 are formed so as to surround the output pattern 4. In the example shown in the figure, the resin stop pattern 8 is left.
【0034】熱圧着用パターン7とアウトプット用パタ
ーン4は耐熱テープ14に設けられたスルーホール15
によって導通がとられている。The thermocompression bonding pattern 7 and the output pattern 4 are provided with through holes 15 formed in the heat resistant tape 14.
Has been conducted by.
【0035】図13〜図17は本発明の第3の実施形態
の製造方法を示す図で、それぞれ各工程を断面図で示し
ている。13 to 17 are views showing a manufacturing method according to the third embodiment of the present invention, and each step is shown in a sectional view.
【0036】図13はテープキャリアを示したもので、
第1の実施形態のテープキャリアとは、熱圧着用パター
ン7とアウトプット用パターン4との導通をとるスルー
ホール15を設けた点が異なるだけで他は同じである。FIG. 13 shows a tape carrier,
The tape carrier of the first embodiment is the same as the tape carrier of the first embodiment except that a through hole 15 for establishing electrical connection between the thermocompression bonding pattern 7 and the output pattern 4 is provided.
【0037】第1の実施形態と同様に図14ではTAB
ツール10を用いて熱圧着し、アウトプット用パターン
4とパッド及びバンプ5を接合し、図15ではディスペ
ンサ11のノズル12から液状の封止樹脂を樹脂充填用
穴9を通して注入し、耐熱テープ14とICチップ1の
間を充填し、熱処理し、硬化させて樹脂層2を形成し、
ICチップ1の主面を樹脂封止する。As in the first embodiment, in FIG.
Thermocompression bonding is performed using a tool 10 to bond the output pattern 4 to the pads and bumps 5. In FIG. 15, the liquid sealing resin is injected from the nozzle 12 of the dispenser 11 through the resin filling hole 9, and the heat resistant tape 14 is used. Between the IC chip 1 and the IC chip 1 is filled, heat-treated and cured to form the resin layer 2,
The main surface of the IC chip 1 is resin-sealed.
【0038】図16においては、抜きパンチ16により
テープキャリア即ち耐熱テープ14を所定のパッケージ
の外形に合わせて個片抜きする。In FIG. 16, the punch carrier 16 is used to separate the tape carrier, that is, the heat-resistant tape 14 in accordance with the outer shape of a predetermined package.
【0039】図示の例では、樹脂止めパターン8を残し
たパッケージの外形になっているが、樹脂止めパターン
8を残さずにICチップ1のサイズと同じ大きさに個片
抜きしても良いことは勿論である。In the illustrated example, the outer shape of the package has the resin stop pattern 8 left. However, the resin stop pattern 8 may not be left and the individual pieces may be cut into the same size as the IC chip 1. Of course.
【0040】図17では、個片抜きした後熱圧着用パタ
ーン7にめっき処理を行い、ボール3を取り付けて完成
する。In FIG. 17, after the individual pieces are cut out, the thermocompression bonding pattern 7 is plated and the balls 3 are attached to complete the process.
【0041】なお、第2の実施形態のように、ボール3
の位置変更用パターン13を必要に応じて形成すること
もできる。As in the second embodiment, the ball 3
The position changing pattern 13 can be formed as required.
【0042】上記したように、第3の実施形態によれ
ば、第1の実施形態の効果に加えて、耐熱テープ14を
パッケージにそのまま使用するので、耐衝撃性に優れ、
信頼性の高い半導体装置を得ることができる。As described above, according to the third embodiment, in addition to the effect of the first embodiment, since the heat-resistant tape 14 is used as it is in the package, it has excellent impact resistance,
A highly reliable semiconductor device can be obtained.
【0043】図18は本発明のテープキャリアを示す断
面図、図19は同じく平面図である。FIG. 18 is a sectional view showing the tape carrier of the present invention, and FIG. 19 is a plan view of the same.
【0044】耐熱テープ6の表面には熱圧着用パターン
7が形成され、裏面には熱圧着用パターン7と対向して
アウトプット用パターン4が形成され、このアウトプッ
ト用パターン4を囲うようにフレーム状に樹脂止めパタ
ーン8が形成され、また中央部分に樹脂を注入するため
の樹脂充填用穴9が形成されている。A thermocompression bonding pattern 7 is formed on the front surface of the heat-resistant tape 6, and an output pattern 4 is formed on the back surface so as to face the thermocompression bonding pattern 7 so that the output pattern 4 is surrounded. A resin stopper pattern 8 is formed in a frame shape, and a resin filling hole 9 for injecting resin is formed in the central portion.
【0045】耐熱テープ6は耐熱合成樹脂で構成され、
その表裏面には、各パターンの基材となる金属箔を固着
するための熱硬化性の接着剤17が設けられている。The heat-resistant tape 6 is made of heat-resistant synthetic resin,
On the front and back surfaces, a thermosetting adhesive 17 for fixing the metal foil which is the base material of each pattern is provided.
【0046】アウトプット用パターン4は、リードフレ
ームを有する半導体装置におけるインナリード及びアウ
タリードの代りに外部との導通をとる役割をする。The output pattern 4 plays a role of establishing electrical continuity with the outside in place of the inner lead and the outer lead in a semiconductor device having a lead frame.
【0047】また、アウトプット用パターン4は、IC
チップとテープキャリアの接合を行った時に、樹脂充填
のための隙間を形成させるスタンドオフ機能を有してい
る。The output pattern 4 is an IC
It has a stand-off function of forming a gap for resin filling when the chip and the tape carrier are joined.
【0048】熱圧着用パターン7は、TABツールによ
りアウトプット用パターン4とICチップのパッド及び
バンプ5(図2等)を熱圧着して接合するのに使用され
る。The thermocompression bonding pattern 7 is used to bond the output pattern 4 and the pads and bumps 5 (FIG. 2 etc.) of the IC chip by thermocompression bonding with a TAB tool.
【0049】なお、第3の実施形態の場合における熱圧
着パターン7は、ボールマウント時にはそのままアウト
プット用パターンとして機能する。The thermocompression bonding pattern 7 in the case of the third embodiment functions as it is as an output pattern during ball mounting.
【0050】樹脂止めパターン8は、液状の封止樹脂を
注入し、充填する際、ICチップのエッジからはみ出さ
ないようにストッパの役割をするもので、その高さは図
の位置又はICチップのエッジまでの高さ即ちアウトプ
ット用パターン4の高さあるいはそれ以上の高さであっ
ても良い。The resin stopper pattern 8 serves as a stopper so as not to protrude from the edge of the IC chip when the liquid sealing resin is injected and filled, and its height is at the position shown in the figure or at the IC chip. To the edge, that is, the height of the output pattern 4 or higher.
【0051】耐熱テープ6の両側に設けられたテープ送
り穴18はテープキャリアを搬送するためのものであ
る。The tape feed holes 18 provided on both sides of the heat resistant tape 6 are for carrying the tape carrier.
【0052】テープキャリアを作成するには、まず耐熱
テープ6に金属箔を固着する接着剤17を塗布し、樹脂
充填用穴9及びテープ送り穴18をパンチ抜きする。To prepare the tape carrier, first, the heat-resistant tape 6 is coated with the adhesive 17 for fixing the metal foil, and the resin filling hole 9 and the tape feed hole 18 are punched out.
【0053】耐熱テープ6の表裏面に各パターンの基材
となる金属箔をラミネートし、その後エッチング技術に
より熱圧着用パターン7、アウトプット用パターン4及
び樹脂止めパターン8を形成する。On the front and back surfaces of the heat-resistant tape 6, a metal foil which is a base material of each pattern is laminated, and then a thermocompression bonding pattern 7, an output pattern 4 and a resin stopping pattern 8 are formed by an etching technique.
【0054】その際、アウトプット用パターン4の高さ
を、樹脂が充填できるだけの高さに確保するため、熱圧
着用パターン7用の表面の金属箔より裏面のアウトプッ
ト用パターン4用の金属箔を厚いものにすると良い。At this time, in order to ensure that the height of the output pattern 4 is high enough to be filled with the resin, the metal for the output pattern 4 on the rear surface is more than the metal foil on the front surface for the thermocompression bonding pattern 7. Use thick foil.
【0055】なお、各パターンを、金属箔のエッチング
ではなく、導電性ペーストなどを使用したスクリーン印
刷によって形成することもできる。Each pattern may be formed by screen printing using a conductive paste or the like instead of etching the metal foil.
【0056】また、第3の実施形態のためには、熱圧着
用パターン7とアウトプット用パターン4とを導通する
スルーホール15を、パターン形成前に公知技術により
形成する必要があることは言うまでもない。In addition, for the third embodiment, it goes without saying that it is necessary to form the through hole 15 for connecting the thermocompression bonding pattern 7 and the output pattern 4 by a known technique before pattern formation. Yes.
【0057】以上のように形成したテープキャリアを使
用することによって、上記した第1〜第3の実施形態を
実現することができる。The first to third embodiments described above can be realized by using the tape carrier formed as described above.
【0058】[0058]
【発明の効果】上記したように、本発明はICチップの
主面を樹脂封止し、樹脂層上の外部接続用電極とICチ
ップのパッド及びバンプとをアウトプット用パターンな
どで導通をとるようにしたので、外形が小さく薄い表面
実装に適したチップサイズパッケージを実現することが
できる。As described above, according to the present invention, the main surface of the IC chip is resin-sealed, and the electrodes for external connection on the resin layer and the pads and bumps of the IC chip are electrically connected by an output pattern or the like. Since this is done, it is possible to realize a chip size package having a small outer shape and suitable for thin surface mounting.
【図1】本発明の第1の実施形態を示す斜視図FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
【図2】図1のA部拡大断面図FIG. 2 is an enlarged sectional view of part A of FIG.
【図3】第1の実施形態の製造方法を示す図(その1)FIG. 3 is a view showing the manufacturing method according to the first embodiment (No. 1).
【図4】第1の実施形態の製造方法を示す図(その2)FIG. 4 is a diagram showing the manufacturing method according to the first embodiment (No. 2).
【図5】第1の実施形態の製造方法を示す図(その3)FIG. 5 is a view showing the manufacturing method according to the first embodiment (No. 3).
【図6】第1の実施形態の製造方法を示す図(その4)FIG. 6 is a view showing the manufacturing method according to the first embodiment (No. 4).
【図7】第1の実施形態の製造方法を示す図(その5)FIG. 7 is a view showing the manufacturing method according to the first embodiment (No. 5).
【図8】本発明の第2の実施形態を示す斜視図FIG. 8 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.
【図9】第2の実施形態の製造方法を示す図(その1)FIG. 9 is a view showing the manufacturing method according to the second embodiment (No. 1).
【図10】第2の実施形態の製造方法を示す図(その
2)FIG. 10 is a view showing the manufacturing method according to the second embodiment (No. 2).
【図11】本発明の第3の実施形態を示す斜視図FIG. 11 is a perspective view showing a third embodiment of the present invention.
【図12】図11のB部拡大断面図FIG. 12 is an enlarged sectional view of part B in FIG.
【図13】第3の実施形態の製造方法を示す図(その
1)FIG. 13 is a view showing the manufacturing method according to the third embodiment (No. 1).
【図14】第3の実施形態の製造方法を示す図(その
2)FIG. 14 is a view showing the manufacturing method according to the third embodiment (No. 2).
【図15】第3の実施形態の製造方法を示す図(その
3)FIG. 15 is a view showing the manufacturing method according to the third embodiment (No. 3).
【図16】第3の実施形態の製造方法を示す図(その
4)FIG. 16 is a view showing the manufacturing method according to the third embodiment (No. 4).
【図17】第3の実施形態の製造方法を示す図(その
5)FIG. 17 is a view showing the manufacturing method according to the third embodiment (No. 5).
【図18】本発明のテープキャリアを示す断面図FIG. 18 is a sectional view showing a tape carrier of the present invention.
【図19】本発明のテープキャリアを示す平面図FIG. 19 is a plan view showing a tape carrier of the present invention.
1 ICチップ 2 樹脂層 3 ボール 4 アウトプット用パターン 5 パッド及びバンプ 6,14 耐熱テープ 7 熱圧着用パターン 8 樹脂止めパターン 9 樹脂充填用穴 13 位置変更用パターン 15 スルーホール 17 接着剤 1 IC chip 2 resin layers Three balls 4 Output patterns 5 Pads and bumps 6,14 Heat resistant tape 7 Thermocompression bonding pattern 8 resin stop pattern 9 Resin filling hole 13 Position change pattern 15 through holes 17 Adhesive
Claims (8)
チップを準備する工程と、 耐熱テープの表面に熱圧着用パターンを形成し、表面に
前記熱圧着用パターンと対向してアウトプット用パター
ンを形成し、前記アウトプット用パターンを囲うように
樹脂止めパターンを形成し、樹脂を注入するための樹脂
充填用穴を形成したテープキャリアを準備する工程と、 前記熱圧着用パターンを利用して前記アウトプット用パ
ターンと前記ICチップのパッド及びバンプを熱圧着し
て接合する工程と、 前記樹脂充填用穴を通して前記テープキャリアとICチ
ップとの間に樹脂を注入し、硬化させて前記ICチップ
の主面を樹脂封止する工程と、 前記テープキャリアとICチップを剥離させて前記アウ
トプット用パターンを前記ICチップ側に転写する工程
と、 転写された前記アウトプット用パターンに外部接続用電
極を設ける工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. An IC having pads and bumps formed on its main surface
Step of preparing the chip, forming a thermocompression bonding pattern on the surface of the heat resistant tape, forming an output pattern facing the thermocompression bonding pattern on the surface, and resin-fixing so as to surround the output pattern Forming a pattern and preparing a tape carrier having a resin filling hole for injecting a resin; heating the output pattern and the pads and bumps of the IC chip by using the thermocompression bonding pattern; A step of press-bonding and joining, a step of injecting a resin between the tape carrier and the IC chip through the resin filling hole and curing the resin to seal the main surface of the IC chip with a resin, A step of peeling the IC chip and transferring the output pattern to the IC chip side; and The method of manufacturing a semiconductor device characterized by comprising a step of providing a part connecting electrode.
チップを準備する工程と、 耐熱テープの表面に熱圧着用パターンを形成し、裏面に
前記熱圧着用パターンと対向するアウトプット用パター
ンと、前記アウトプット用パターンに付加する位置変更
用パターンとを形成し、前記アウトプット用パターン及
び位置変更用パターンを囲うように樹脂止めパターンを
形成し、樹脂を注入するための樹脂充填用穴を形成した
テープキャリアを準備する工程と、 前記熱圧着用パターンを利用して前記アウトプット用パ
ターンと前記ICチップのパッド及びバンプを熱圧着し
て接合する工程と、 前記樹脂充填用穴を通して前記テープキャリアとICチ
ップとの間に樹脂を注入し、硬化させて前記ICチップ
の主面を樹脂封止する工程と、 前記テープキャリアとICチップを剥離させて前記アウ
トプット用パターン及び位置変更用パターンを前記IC
チップ側に転写する工程と、 転写された前記位置変更用パターンに外部接続用電極を
設ける工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 2. An IC having a pad and a pump formed on its main surface.
The process of preparing the chip and forming the thermocompression bonding pattern on the surface of the heat resistant tape,
Output putter facing the thermocompression bonding pattern
And the position change added to the output pattern
And the output pattern and the output pattern and
And a resin stop pattern to surround the position change pattern.
Formed and formed a resin filling hole for injecting resin
The process of preparing a tape carrier and the output pattern using the thermocompression bonding pattern
The turn and the pads and bumps of the IC chip are thermocompression bonded
And joining the tape carrier and the IC carrier through the resin filling hole.
Resin is injected between the IC chip and
The step of sealing the main surface of the resin with a resin, and the tape carrier and the IC chip are peeled off.
The output pattern and the position changing pattern are the IC
The step of transferring to the chip side, and the external connection electrode on the transferred position changing pattern
And a step of providing the semiconductor device.
チップを準備する工程と、 耐熱テープの表面に熱圧着用パターンを形成し、裏面に
前記熱圧着用パターンと対向してアウトプット用パター
ンを形成し、前記熱圧着用パターンと前記アウトプット
用パターンとの導通をとるスルーホールを形成し、前記
アウトプット用パターンを囲うように樹脂止めパターン
を形成し、樹脂を注入するための樹脂充填用穴を形成し
たテープキャリアを準備する工程と、 前記熱圧着用パターンを利用して前記アウトプット用パ
ターンと前記ICチップのパッド及びバンプを熱圧着し
て接合する工程と、 前記樹脂充填用穴を通して前記テープキャリアとICチ
ップとの間に樹脂を注入し、硬化させて前記ICチップ
の主面を樹脂封止する工程と、 パッケージの外形に合わせて前記テープキャリアを個片
抜きする工程と、 前記熱圧着用パターンに外部接続用電極を設ける工程
と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。3. An IC having a pad and a pump formed on its main surface.
Step of preparing the chip, forming a thermocompression bonding pattern on the surface of the heat-resistant tape, forming an output pattern on the back surface facing the thermocompression bonding pattern, and then forming the thermocompression bonding pattern and the output pattern Forming a through hole for electrical continuity with, forming a resin stop pattern so as to surround the output pattern, and preparing a tape carrier having a resin filling hole for injecting resin, Thermocompression-bonding the output pattern to the pads and bumps of the IC chip using a crimping pattern, and injecting resin between the tape carrier and the IC chip through the resin filling hole , A step of curing and encapsulating the main surface of the IC chip with a resin, and a step of separating the tape carrier into pieces according to the outer shape of the package And a step of providing an electrode for external connection on the thermocompression bonding pattern, the method for manufacturing a semiconductor device.
して形成したアウトプット用パターンと、 前記アウトプット用パターンを囲うように形成した樹脂
止めパターンと、 前記耐熱テープに設けた樹脂充填用穴と、 を備えたことを特徴とするテープキャリア。4. A heat resistant tape, a thermocompression bonding pattern formed on the surface of the heat resistant tape, an output pattern formed on the back surface of the heat resistant tape so as to face the thermocompression bonding pattern, and the output. A tape carrier, comprising: a resin stopper pattern formed so as to surround the pattern for use with a resin, and a resin filling hole provided in the heat resistant tape.
前記熱圧着用パターンの高さより高く形成したことを特
徴とする請求項4記載のテープキャリア。5. The height of the output pattern is
The tape carrier according to claim 4 , wherein the tape carrier is formed to have a height higher than that of the thermocompression bonding pattern.
ト用パターンとの導通をとるスルーホールを形成したこ
とを特徴とする請求項4又は5記載のテープキャリア。6. The method of claim 4 or 5, wherein the tape carrier is characterized in that the formation of the through-holes obtain conductivity between the output pattern and the heat crimping pattern.
法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。 7. The manufacturing method according to claim 1.
A semiconductor device manufactured by the method.
キャリアを使用して製造したことを特徴とする半導体装
置。 8. The tape according to any one of claims 4 to 6.
Semiconductor device characterized by being manufactured using a carrier
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