JP3359535B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
素からなる(セリウム以外のランタノイド元素を含まな
い)固溶体微粒子及び酸化ケイ素微粒子を含む微粒子研
磨材を用いることによる半導体装置の製造方法に関する
ものであり、具体的には、Si3 N4 研磨速度に対する
SiO2 研磨速度の比(選択比)が高いのでSi3 N4
をストッパーとして用いて表面のSiO2 膜を研磨除去
する場合に用いる半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
野のうち、微細な表面粗さが要求される分野について
は、コロイダルシリカを用いて研磨することが一般的で
ある。しかし、コロイダルシリカを用いた研磨では研磨
速度が低い(遅い)ので、研磨加工量が多い場合には、
例えば特開昭64−40267号公報に開示されている
ように、前加工として研磨速度の高い(速い)酸化セリ
ウムを主体とする研磨材で研磨加工を行い、その後、コ
ロイダルシリカに切替えて研磨を行う。このような二段
階の研磨加工になると、研磨加工設備が余分に必要にな
り、切替え時の段取に要する時間が無駄になる等のため
能率が著しく低下することになる。
傾向にあることから、コロイダルシリカに代わる研磨
材、即ち、研磨で達成される表面粗さがコロイダルシリ
カ研磨材で達成される微細な表面粗さと同等以上であ
り、研磨加工速度が酸化セリウムで達成される研磨加工
速度並みとなる研磨材は特に重要である。本出願人が先
に出願した特願平6−272761号において、半導体
装置の製造工程で用いるための平均粒径が0.1μm以
下の酸化セリウムからなる研磨材を提案した。この微粒
子研磨材においては、従来の酸化セリウム系研磨材にお
ける常識を破り、0.1μm以下という微細な粒子であ
っても良好な研磨加工速度が得られ、シリカ系研磨材を
用いるよりも圧倒的に高い研磨加工速度が達成できた。
る研磨材を用いて石英ガラスを研磨すると、従来の酸化
セリウム系研磨材を用いて達成される表面粗さよりも微
細な表面粗さを得ることができた。にもかかわらず、研
磨加工速度は、従来の酸化セリウム系研磨材と同等レベ
ルであった。即ち、酸化セリウム微粒子を用いることに
より、研磨加工速度は酸化セリウム系研磨材並みで、達
成される表面粗さはコロイダルシリカ研磨材並みの研磨
材を得ることができる。
ような酸化セリウム微粒子研磨材では、媒体(水)中へ
の酸化セリウム微粒子の分散が悪く、それで研磨機、被
研磨加工物への研磨材微粒子の均一な供給は困難であ
る。また、研磨加工抵抗が大きい為、被研磨加工物が薄
い場合には被研磨加工物が破損したり、研磨加工機が脆
弱な場合には研磨加工圧力を上げることができないとい
う不都合がある。一方、コロイダルシリカからなる研磨
材では、研磨加工速度は研磨液のpHに敏感であり、p
Hを10以上に維持しないと再現性の良い研磨加工速度
が達成されない。pHが10以上の領域で使用する研磨
液は、研磨加工のオペレータにとって扱いの困難な、ま
た危険な研磨液である。
半導体装置を製造するに際しては、その表面を所定の形
状に加工することが必要とされる。研磨は絶縁膜の表面
を平坦に加工する有力な技術として広く用いられてい
る。特に半導体装置の加工においてはCMP法(Chemica
l Mechanical Polishing) が表面平坦化の技術として利
用されている。このCMP法においては、化学反応効果
が加わり、研磨速度が加速されることが公知である。半
導体装置を製造する際の研磨平坦化工程においは、スト
ッパーを用いて表面膜の研磨除去を実施しているが、こ
の操作においてはストッパー研磨速度に対する表面膜研
磨速度の比(選択比)が十分に大きくなる研磨材(即
ち、表面膜を研磨除去するが、ストッパーを殆ど研磨除
去しないが研磨材)を用いる必要がある。
さがコロイダルシリカ研磨材で達成される微細な表面粗
さと同等以上であり、研磨加工速度が酸化セリウムで達
成される研磨加工速度並みであり、pH6〜9程度の中
性域においても再現性の良い研磨加工速度が達成され、
媒体(水)中への分散性が良好で且つ安定しており、研
磨加工抵抗が低く、且つSi3 N4 研磨速度に対するS
iO2 研磨速度の比(選択比)が高く、従ってSi3 N
4 をストッパーとして用いて表面のSiO2 膜を研磨除
去する場合に用いるのに適する微粒子研磨材を用いるこ
とによる半導体装置の製造方法を提供することにある。
的を達成するために種々の試行錯誤を繰り返した。特公
昭53−6756号公報には、研磨速度を安定化させる
ために、シリカゾルを酸化セリウムスラリーに混合する
ことが開示されている。この開示に従ってコロイダルシ
リカ(SiO2 の粒径20nm、SiO2 含有率20
%)とCeO2 微粒子スラリーとを羽根式の攪拌機にて
攪拌混合したが、CeO2 の固形分を液中に安定に分散
させることはできなかった。しかしながら、このような
攪拌混合物を乾燥し、乾燥後の粉体を高温熱処理し、高
温熱処理した粉体を湿式微粉砕機により解凝集すると、
完全に分散した安定なスラリーが得られることが見出さ
れた。また、このようにして得られる安定なスラリー中
の固形物を透過電子顕微鏡で観察し、EDX元素分析及
びX線回折解析を行ったところ、CeO2 とSiO2と
の単なる混合物ではなく、CeO2 とSiO2 との固溶
体となっていることが確認された。このようにして得ら
れた研磨材は上記の目的の大部分を達成し得ることも見
出されたが、Si3 N4 研磨速度に対するSiO2 研磨
速度の比(選択比)が必ずしも十分ではなかった。
カゾル及び液体を含む混合物を攪拌混合し、この混合物
を乾燥し、乾燥後の粉体を高温熱処理し、その高温熱処
理によって生成した固溶体粉体を更にシリカゾルと混合
し、湿式微粉砕機により解凝集して得た微粒子研磨材に
ついて検討したところ、pH6〜9程度の中性域におい
てSi3 N4 研磨速度に対するSiO2 研磨速度の比
(選択比)が十分に大きく、上記の全ての目的を達成し
得ることが見出された。それで、このような固溶体を形
成することができ、長時間の放置にも沈降分離しないス
ラリーが得られるように、単結晶酸化セリウムとシリカ
ゾルとの反応操作条件、固溶体とシリカゾルとの混合比
等について種々検討した。
び液体を含む混合物を攪拌混合し、この混合物を乾燥
し、乾燥後の粉体を高温熱処理し、その高温熱処理によ
って生成した単結晶酸化セリウム及び酸化ケイ素からな
る(セリウム以外のランタノイド元素を含まない)固溶
体粉体を冷却後に再度シリカゾル及び液体と混合し、湿
式微粉砕機により解凝集してスラリーを調製した。この
高温熱処理により、SiO2 とCeO2 との固溶体が形
成され、液体中に固体が完全に分散したスラリーを得る
ことができた。これは、CeO2 粒子とSiO2 粒子と
が単一粒子レベルで近接してCeO2 とSiO2 との固
溶体が形成されたと考えられる。良好な分散が得られる
理由としては固溶体が形成されることにより個々の粒子
の分極化が促進され、粒子同志の凝集化が抑制され、小
さな凝集体しか形成されないことにあると考えられる。
研磨材を使用して研磨加工を行った所、従来の微粒子酸
化セリウム系研磨材を使用した場合に研磨加工速度が不
安定であったpH6〜9程度の中性域の液条件において
も安定的な研磨加工速度が得られ、かつ、その研磨加工
速度は従来の微粒子酸化セリウム系研磨材に比較して約
45%も高かった。このスラリー研磨材を用いて研磨加
工テストを実施したところ、研磨加工抵抗は、従来の微
粒子酸化セリウム系研磨材に比較して低く、高荷重で研
磨加工を行っても研磨機械に振動等のトラブルは生じな
かった。また、pH6〜9程度の中性域においてSi3
N4 研磨速度に対するSiO2 研磨速度の比(選択比)
が十分に大きかった。
Si3 N4 をストッパーとして用いて表面のSiO2 膜
を研磨除去する際に、単結晶酸化セリウム及び酸化ケイ
素からなる(セリウム以外のランタノイド元素を含まな
い)固溶体微粒子及び酸化ケイ素微粒子を含む微粒子研
磨材を用いて研磨除去することを特徴とする。
下、本発明の微粒子研磨材と記載する)は酸化セリウム
及び酸化ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド
元素を含まない)固溶体微粒子を含み、更に酸化ケイ素
微粒子を含む。尚、本発明において「酸化セリウム及び
酸化ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド元素
を含まない)固溶体」とは、微粒子全体にわたって固溶
体となっているものであってもよく、或いは少なくとも
表層部で固溶体になっているものであってもよく、これ
らの状態は製造条件に依存する。
微粒子と酸化ケイ素微粒子との重量比は好ましくは10
0:0.5〜15、より好ましくは100:2〜8であ
る。固溶体微粒子と酸化ケイ素微粒子との重量比が10
0:0.5よりも小さい(酸化ケイ素微粒子の相対量が
少ない)場合には、Si3 N4 研磨速度に対するSiO
2 研磨速度の比(選択比)の改善効果が小さく、また、
100:15よりも大きい(酸化ケイ素微粒子の相対量
が多い)場合には、酸化セリウムの研磨作用を阻害し始
めるので研磨速度がかえって低下することになる。
中の酸化セリウム:酸化ケイ素の重量比が100:0.
1〜10であることが好ましい。その重量比が100:
0.1よりも小さい(酸化ケイ素の相対量が少ない)場
合には分散効果が小さく、また、その重量比が100:
10よりも大きい(酸化ケイ素の相対量が多い)場合に
は加工速度の低下をもたらす傾向がある。
微粒子の平均粒径は、その研磨で達成される表面粗さ、
研磨加工速度及び媒体(水)中への分散性を考慮する
と、好ましくは0.01〜0.5μm、より好ましくは
0.01〜0.2μm、最も好ましくは0.01〜0.
1μmであり、平均粒径が0.01μm未満の場合には
研磨加工速度が小さく、0.5μmを超えると表面粗さ
が大きくなる。
イ素微粒子の平均粒径は、その研磨でキズが発生しない
ようにするためには、固溶体微粒子の平均粒径よりも小
さいことが好ましく、好ましくは0.5μm以下、より
好ましくは0.1μm以下、最も好ましくは0.03μ
m以下である。このような微粒子は溶融シリカを微粉砕
しても得られるが、四塩化ケイ素などのガスを高温で噴
霧して得られるヒュームドシリカや、水ガラスから析出
させて得られるコロイダルシリカや、シリコンのアルコ
キシドをアンモニアで分解して得られるコロイダルシリ
カでもよい。
発明のスラリー研磨材と記載する)の製造方法におい
て、出発物質として用いる単結晶酸化セリウム微粒子
は、例えば、硝酸第一セリウムの水溶液と塩基とを、p
Hが5〜10となる量比で攪拌混合し、続いて70〜1
00℃に急速加熱し、その温度で熟成することにより製
造される。硝酸第一セリウムの水溶液の濃度については
極端に薄いと生産性が阻害されるので好ましくないが、
特には限定されない。また、溶解度ぎりぎりまで溶けて
いても問題にはならない。
法においては、公知の何れの塩基を用いても酸化セリウ
ム単結晶を得ることができる。しかしながら、塩基とし
てアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物を用い
るとそれらのアルカリ金属又はアルカリ土類金属が最終
製品の酸化セリウム中に不純物として混入してくる。そ
のような不純物含有酸化セリウムは半導体装置の製造工
程で研磨材として使用することは不可能である。従っ
て、そのような不純物を含まない酸化セリウム単結晶を
得るためにはアンモニア水を用いることが好ましい。
くはアンモニア水とを、生成混合液のpHが5〜10と
なる量比で攪拌混合する。pHを5〜10に限定する理
由はこのpH範囲内で70〜100℃で熟成するだけで
酸化セリウムが得られるからである。pHが5未満の場
合にはセリウム化合物は溶解し、またpHが10を超え
ると水酸化セリウムが安定に存在して酸化セリウムの量
が減少する。従って、pHを5〜10、好ましくは7〜
9とする。
混合に引き続いて、その混合液を70〜100℃に急速
加熱し、その温度で熟成する。硝酸第一セリウムの水溶
液と塩基とを攪拌混合した混合液を長時間放置した後に
加熱した場合や、70〜100℃への加熱を緩やかに行
った場合には微細な酸化セリウム単結晶の収率が悪くな
ったり、得られなくなったりするので好ましくない。従
って、硝酸第一セリウムの水溶液と塩基との攪拌混合に
引き続いて、その混合液を好ましくは所要時間10分以
内で70〜100℃まで加熱する。熟成温度が70℃以
下であると熟成に必要な時間が非常に長くなり、実用的
でない。熟成温度を100℃超とするためにはオートク
レーブが必要になるので、経済性を考慮すると大気中で
熟成させることが好ましく、より好ましくは100℃で
煮沸・還流する。オートクレーブを用いて100℃超と
してももちろん酸化セリウムの合成が可能であるが、生
成物の粒径は大きくなる。
温度に依存して異なる。濃度が高ければ短くてすみ、低
ければ長時間必要であり、また温度が高ければ短くてす
み、低ければ長時間必要である。本発明の製造方法にお
いては、熟成時間は好ましくは0.2〜20時間、より
好ましくは0.5〜10時間程度である。熟成のあいだ
にセリウム(III) 水酸化物から脱水と同時にセリウム
(IV)への酸化がおこるが、この酸化は水溶液中の酸素
及び硝酸イオンから供給される酸素が使われる。硝酸第
一セリウムの水溶液の中にセリウム(IV)が混ざってい
ても問題ではないが、セリウム(IV)はCe(OH)4
を作り、これは熟成中にも脱水されないので、セリウム
(IV)の混入量は5%以下であることが望ましい。
塩基、好ましくはアンモニア水との混合速度に依存す
る。その両成分を高速攪拌している小型タンクやスタテ
ックミキサーに連続投入することにより瞬時に混合する
と、熟成後に得られる酸化セリウムの粒径が細かくな
り、10〜20nmの粒子が得られる。硝酸第一セリウ
ムの水溶液にアンモニア水を徐々に添加すると熟成後に
得られる酸化セリウムの粒径が大きくなる。従って、ア
ンモニアの添加を2段階で行い、その量と時間を調節す
ることにより希望の粒径の酸化セリウムをつくることが
できる。
ウム超微粒子になっており、従って焼成の必要はない。
このスラリーから硝酸イオンと塩基成分のイオン、例え
ばアンモニウムイオンとを洗浄・除去する。洗浄手段は
デカンテーションを繰り返すか、リパルプでもよいし、
また連続リパルプ装置と言えるロータリーフィルタープ
レスやセラミックフィルター・中空子膜・限外ろ過膜を
使った微粉洗浄装置でもよい。
て、出発物質として用いるシリカゾルは特には限定され
ず、市販品として一般に入手できる何れのものでもよ
い。また、本発明のスラリー研磨材の製造方法で用いる
液体は特には限定されず、通常は水である。本発明のス
ラリー研磨材の製造方法においては、スラリー研磨材の
製造における操作の容易性、得られたスラリー研磨材の
分散安定性及び研磨機能等を考慮すると、出発原料の酸
化セリウム微粒子:シリカゾル(固形分として計算した
値):液体の配合比は重量比で好ましくは100:0.
2〜20:50〜500、より好ましくは100:1〜
15:100〜200である。
て攪拌混合、乾燥及び湿式微粉砕機による解凝集は当業
者に周知の手段によって実施することができる。本発明
のスラリー研磨材の製造方法において高温熱処理は、シ
リカ成分のガラス化及びコストを考慮して、好ましくは
150〜1200℃、より好ましくは800〜900℃
で実施される。
ては、固溶体粉体とシリカゾル及び液体との混合法とし
ては、固溶体粉体及びシリカゾルの各々のスラリーを混
合しても、固溶体粉体及びシリカゾルの何れかのスラリ
ーと残りの成分の粉体とを混合しても、固溶体粉体とシ
リカゾル粉体と液体とを混合してもよい。また、必要に
より、固溶体粉体及びシリカゾル粉体はそれぞれ混合前
に微粉砕しても、混合後に微粉砕してもよい。
る本発明のスラリー研磨材はそのままで研磨材として用
いることができ、また、所望により乾燥し、必要により
解凝集処理し、使用する時に媒体(水)を入れてスラリ
ーとしてもよい。乾燥するときは乾燥凝集が強く起きな
いように真空乾燥機やスプレードライヤーなどのスラリ
ー乾燥機を使うことが好ましい。
あり、媒体(水)中での分散性が良好で且つ安定してお
り、そのまま研磨材として石英ガラスの研磨加工に適用
すると、研磨加工速度は従来の微粒子酸化セリウム研磨
材の45%以上高く、研磨加工抵抗も低く、コロイダル
シリカで達成される表面粗さと同等以上の表面粗さを得
ることができる。
の中性域においてSiO2 に対する研磨速度が高く維持
されたまま、Si3 N4 に対する研磨速度が非常に低く
なっているので、即ち、Si3 N4 研磨速度に対するS
iO2 研磨速度の比(選択比)が高いので、半導体装置
の製造工程においてSi3 N4 をストッパーとして用い
て表面のSiO2 膜を研磨除去するのに適している。本
発明で用いる研磨材においてはpH6〜9程度の中性域
においてSi3 N4 研磨速度に対するSiO2研磨速度
の比、即ち選択比が、通常は20以上、製造条件により
50以上、最適条件では100以上となる。
る。 実施例1 1モル濃度の硝酸第一セリウム水溶液20リットル及び
3モル濃度のアンモニア水20リットルを調製した。そ
の両者を60リットルの容器に同時に投入し、攪拌機を
用いて500rpmで攪拌した。この混合液のpHは9
であった。5分間攪拌した後に蒸気を注入して3分間で
100℃に昇温させ、1時間100℃に維持した。その
後デカンテーションを5回繰り返して硝酸イオンとアン
モニウムイオンを取り除いて酸化セリウム粒子含有スラ
リーを得た。
スラリーを濾過・乾燥した。半値幅から求めた結晶子径
は20nmであった。また得られた酸化セリウム粒子を
解凝集した後の超微粒子のTEM写真から、粒径がそろ
った平均粒径20nm程度の単分散の粒子であることが
わかった。この粒子の比表面積は23m2/gであり、こ
の比表面積から計算した対応粒径はほぼ20nmであっ
た。また300℃で加熱して重量減を測定した結果1.
3%であった。これらの結果から、個々の粒子は単結晶
であると判断される。
ーとした。このスラリーを100℃に温度設定されたオ
ーブン中で水を蒸発乾固させて粉末を得た。その後この
粉末を電気炉中に800℃で5時間保持した後、徐冷し
て粉末を得た。少量のこの粉末と純水とを混合し、その
混合物をマイクログリッドに滴下し、乾燥させて透過型
電子顕微鏡用試料とした。この試料について、粒子の約
3nmφの領域に電子ビームを入射してEDX元素分析
を行い、Ce及びSiについて定量を行ったところ、各
粒子はSiを0.4〜1.7重量%含有するCeO2 粒
子であった。また、X線回折により格子定数の変化を調
べたところ、このSi含有CeO2 試料の格子定数はC
eO2 の格子定数よりも小さかった。Ce4+6配位のイ
オン半径は0.80Åであり、Si4+6配位のイオン半
径は0.40Åであるので、SiがCeO2 粒子中に固
溶していることは明らかである。上記のようにして得た
徐冷後の粉末に純水を加えて再度スラリー化し、更に上
記のシリカゾル0.4リットル加え、コロイドミルにて
解凝集を行ってスラリー研磨材を得た。
ようにして調べた。スラリー研磨材を、固形分濃度が5
重量%になるように水で希釈し、この希釈スラリーを1
リットルのメスシリンダーに1リットル分取し、充分震
とうした後静置し、その後、時間の経過と共に最上部の
上澄み80ccを分取し、その中に含有される固形分濃
度を測定した。その結果は次の通りであった。
研磨加工を行い、研磨加工速度(μm/分)を求めた。
その際のpHについては、塩酸、水酸化カリウムを用い
て2〜12の間で変動させた。スラリー濃度は10%に
調整し、図1に示す研磨機を用いて研磨加工を行った。
図1において、1は研磨布、2は被研磨加工物保持具、
3は被研磨加工物抑え治具、4はエアーシリンダー、5
は研磨定盤、6はスラリー研磨材、7は被研磨加工物で
ある。 被研磨加工物 溶融石英(50×50×2mm) 研磨布 ロデール・ニッタ製 SUBA600 研磨加工圧力 0.12Kg/cm2 研磨加工時間 20分
最も研磨加工速度の高いpHにおいて、研磨加工を10
回繰り返した。また、その際のpH値を研磨加工開始時
と10回目の研磨加工の終了時について測定した。それ
らの結果は次の通りであった。
リー研磨材を用い、研磨布をロデール・ニッタ製MHタ
イプとし、研磨加工圧力を0.4Kg/cm2にした以
外は実施例2と同じ条件で研磨加工を行ったところ、研
磨加工抵抗による研磨機の振動も発生することがなく、
また研磨加工速度は2.8μm/分の高い値を示した。
ロデール・ニッタ製MHタイプの研磨布は酸化セリウム
系研磨材に対しては研磨加工抵抗の高い研磨布であり、
このタイプの研磨布にて研磨加工できれば、その研磨材
は研磨抵抗の高くないものであると認識できる。
加工条件で研磨加工を行った後の表面粗さ(Å)をテン
コール・ジャパン(株)社製表面粗さ計、PC−10に
て測定した。比較の為に、フジミ・インコーポレイテッ
ド(株)製コロイダルシリカ コンポールEXを30%
の固形分濃度で用いて実施例2の条件にて研磨加工した
際の表面粗さを同じ装置にて測定した。その結果は次の
通りであった。
膜からなる絶縁膜を設け、エッチングによって深さ0.
5μmの溝を設けた。この溝及び絶縁膜の表面にCVD
法によるSiO2 からなる、溝の底からの厚さが1.5
μmの埋め込み層及び表面層を形成した。
研磨材を用いてpHが約7の中性条件下で研磨した。研
磨荷重として0.15kg/cm2を用いた。研磨定盤も研磨
材も室温に保持した。基板と研磨定盤との相対移動速度
は約30m/分であった。研磨が進んでSi3 N4 膜が
露出した時点で、それ以上研磨が殆ど進まなくなたの
で、研磨を終了させた。この際のSi3 N4 に対する研
磨速度は0.02μm/min以下であり、SiO2 に
対する研磨速度は1.0μm/minであり、選択比は
50以上であった。この値は従来技術の選択比1〜5と
比較してずば抜けたものである。
理由については次のように考えられる。pH6〜9程度
のが中性条件下ではSiO2 粒子はSi3 N4 膜を全く
研磨しないでその表面に付着してしまう。単結晶酸化セ
リウム及び酸化ケイ素からなる(セリウム以外のランタ
ノイド元素を含まない)固溶体微粒子はSiO2 粒子が
存在しない場合にはSi3 N4 膜を多少研磨するが、S
iO2 粒子が先にSi3 N4 膜の表面に付着している場
合にはSi3 N4 膜の研磨を妨害するので、本発明の微
粒子研磨材はSi3 N4 膜を殆ど削らない。なお、pH
が6〜9程度からずれる条件下では、Si3 N4 膜表面
へのSiO2 粒子の付着が起こりにくくなるので、Si
3 N4 膜の研磨が少しであるが始まり、従って、選択比
が低下することになる。
磨で達成される表面粗さがコロイダルシリカ研磨材で達
成される微細な表面粗さと同等以上であり、研磨加工速
度が酸化セリウムで達成される研磨加工速度並みであ
り、pH6〜9程度の中性域においても再現性の良い研
磨加工速度が達成され、媒体(水)中への分散性が良好
で且つ安定しており、研磨加工抵抗が低く、且つpH6
〜9程度の中性域においてSi3 N4 研磨速度に対する
SiO2 研磨速度の比(選択比)が高い。
Claims (9)
- 【請求項1】Si3 N4 をストッパーとして用いて表面
のSiO2 膜を研磨除去する際に、単結晶酸化セリウム
及び酸化ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド
元素を含まない)固溶体微粒子及び酸化ケイ素微粒子を
含む微粒子研磨材を用いて研磨除去することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】Si3 N4 をストッパーとして用いて表面
のSiO2 膜を研磨除去する際に、単結晶酸化セリウム
及び酸化ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド
元素を含まない)固溶体微粒子及び酸化ケイ素微粒子を
含む微粒子研磨材を用いてpH6〜9の条件下で研磨除
去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】固溶体微粒子と酸化ケイ素微粒子との重量
比が100:0.5〜15である微粒子研磨材を用いる
請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】固溶体微粒子と酸化ケイ素微粒子との重量
比が100:2〜8である請求項3記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項5】固溶体微粒子中の酸化セリウム:酸化ケイ
素の重量比が100:0.1〜10である請求項1〜4
の何れかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】固溶体微粒子の平均粒径が0.01〜0.
5μmであり、酸化ケイ素微粒子の平均粒径が0.5μ
m以下である請求項1〜5の何れかに記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項7】固溶体微粒子の平均粒径が0.01〜0.
2μmであり、酸化ケイ素微粒子の平均粒径が0.1μ
m以下である請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】微粒子研磨材がスラリー研磨材である請求
項1〜7の何れかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】スラリー研磨材が、単結晶酸化セリウム微
粒子、シリカゾル及び液体を含む混合物を攪拌混合し、
該混合物を乾燥し、乾燥後の粉体を高温熱処理し、その
高温熱処理によって生成した単結晶酸化セリウム及び酸
化ケイ素からなる(セリウム以外のランタノイド元素を
含まない)固溶体粉体を冷却後に再度シリカゾル及び液
体と混合し、湿式微粉砕機により解凝集することにより
得られる、該固溶体の微粒子及び酸化ケイ素微粒子を含
むスラリー研磨材である請求項8記載の半導体装置の製
造方法。
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