JP3352161B2 - 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は露光装置及びそれを用い
た半導体チップの製造方法に関し、特にレチクル（マス
ク）面上に形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微細な電子
回路パターンを投影レンズ系（投影光学系）によりウエ
ハ面上に投影し露光すると共に、この露光の為の光とは
波長が異なる光で投影レンズ系を介してウエハ面上の状
態を観察する機能を有する露光装置及びそれを用いた半
導体チップの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造用の微少投影型の露光装置で
は、第１物体としてのレチクルの回路パターンを投影レ
ンズ系により第２物体としてのウエハ上に投影し露光す
るが、この投影露光に先立って観察装置（検出手段）を
用いてウエハ面を観察することによりウエハ上のアライ
メントマークを検出し、この検出結果に基づいてレチク
ルとウエハとの位置整合、所謂アライメントを行ってい
る。

【０００３】このときのアライメント精度は観察装置の
光学性能に大きく依存している。この為、観察装置の性
能は露光装置において重要な要素となっている。

【０００４】従来より、露光装置において、ウエハ面に
形成したアライメントマークを観察顕微鏡系によって観
察し、投影された画像信号を用いてアライメントマーク
の位置を検出し、ウエハの位置情報を得ることが良く行
われている。

【０００５】特に近年、主に次の２つの理由から非露光
光で比較的波長幅の広い光が観察用照明光として用いら
れるようになってきた。

【０００６】第一の理由は、ウエハ面に形成したアライ
メントマークを観察する際、多くの場合、ウエハ面上に
は電子回路パターンを転写される感光材（レジスト）が
塗布されている。レジストは通常、露光波長で吸収が多
いため、露光波長ではウエハ上のアライメントマークを
レジスト膜を通して検出することが困難になってきた
り、さらに、露光光でアライメントマークを観察しよう
とすると、露光光によりレジストが感光してアライメン
トマークの検出が不安定になったり、検出できなくなっ
たりするという問題点があり、非露光光による検出方式
が望まれている。

【０００７】第二の理由は、非露光光の観察用の照明光
として、例えばハロゲンランプによる比較的波長幅の広
い光を用いると、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を
用いてウエハ上のＡＡマークを観察した時に発生しがち
な、レジスト膜や半導体プロセスに用いる種々の機能膜
の膜厚ムラによる干渉縞を低減することができ、より良
好なアライメントが行なえるというものである。

【０００８】このような理由から、アライメントマーク
の観察顕微鏡系としては、非露光光で比較的波長幅の広
い観察用照明光に対して各種収差を補正して、良好なア
ライメントマークの検出が行なえるようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
観察用の照明光として波長幅の広い光を用いた場合に、
観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正するため
に、例えばコマ収差調整用のレンズを用い、該レンズを
光軸から偏心させると、いわゆるプリズム効果により色
ずれが発生し、検出面上に投影された画像信号の位置が
色によって異なった位置に投影されるという問題点が生
じてくる。

【００１０】

【００１１】

【００１２】本発明は露光光と波長が異なる検出光（ア
ライメント光）で投影レンズ系を介してマークの検出を
行なう場合にマーク像の位置を高精度に検出することが
可能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及
びそれを用いた半導体チップの製造方法の提供を目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明の露光装
置は、露光光で第１物体のパターンを第２物体上に投影
する投影光学系と、前記第１物体と前記第２物体との相
対位置合わせを行うために、該露光光とは波長が異なる
検出光で前記第２物体のマークの像を形成し、該マーク
像を検出する検出手段とを有する露光装置であって、前
記検出手段は、該検出手段の光軸に対してその光軸が偏
心した色収差の補正された光学要素によりコマ収差を補
正していることを特徴としている。

【００１４】請求項２の発明の露光装置は、露光光で第
１物体のパターンを第２物体上に投影する投影光学系
と、前記第１物体と前記第２物体との相対位置合わせを
行うために、該露光光とは波長が異なる検出光で前記第
２物体のマークの像を形成し、該マーク像を検出する検
出手段とを有する露光装置であって、前記検出手段は、
該検出手段の光軸に対しその光軸が偏心した、互いに分
散の異なるレンズ同士を接合した貼り合わせレンズによ
りコマ収差を補正していることを特徴としている。

【００１５】請求項３の発明は請求項１又は２の発明に
おいて、前記露光光とは波長が異なる検出光は、ハロゲ
ンランプからの光であることを特徴としている。

【００１６】請求項４の発明の半導体チップの製造方法
は、前記第１物体としてのマスクを用意し、前記第２物
体としてのウエハを用意し、請求項１乃至３いずれか１
項記載の露光装置を用いて、前記マスクの回路パターン
を照明することにより投影光学系を介して前記回路パタ
ーンの像を前記ウエハに投影することを特徴とする半導
体チップの製造方法。

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【実施例】図１は本発明を半導体素子製造用の露光装置
に適用したときの実施例１の光学系の要部概略図であ
る。

【００２０】同図において８は第１物体としてのレチク
ルでレチクルステージ１０に載置されている。３は第２
物体としてのウエハであり、その面上にはアライメント
用のマーク（ＡＡマーク）４が設けられている。５は投
影光学系で投影レンズ系よりなり、レチクル（マスク）
８面上の回路パターン等をウエハ３面上に投影してい
る。投影レンズ系５はレチクル８側とウエハ３側で共に
テレセントリック系となっている。

【００２１】９は照明系であり、露光光でレチクル８を
照明している。２はθ，Ｚステージでウエハ３を載置し
ており、ウエハ３のθ回転及びフォーカス調整、即ちＺ
方向の調整を行っている。θ，Ｚステージ２はステップ
動作を高精度に行う為のＸＹステージ１上に載置されて
いる。ＸＹステージ１にはステージ位置計測の基準とな
る光学スクウェアー（バーミラー）６が置かれており、
この光学スクウェアー６をレーザ干渉計７でモニターし
ている。

【００２２】本実施例におけるレチクル８とウエハ３と
の位置合わせ（アライメント）は予め位置関係が求めら
れている後述する基準マーク１７に対して各々位置合わ
せを行うことにより間接的に行なっている。又は実際レ
ジスト像パターン等をアライメントを行なって露光を行
ない、その誤差（オフセット）を測定し、それ以後のそ
の値を考慮してオフセット処理している。

【００２３】次にウエハ３面のマーク４の位置検出を行
なう検出手段１０１の各要素について説明する。

【００２４】１１は観察顕微鏡であり、非露光光でウエ
ハ３面上のＡＡマーク４を観察している。

【００２５】本実施例では投影レンズ５を介さないでア
ライメントを行なうオフアクシス方式を用いている。

【００２６】１４はＡＡマーク４の検出用の光源で、露
光光の波長とは異なる波長の光束（非露光光）を発する
ハロゲンランプから成っている。１５はレンズであり、
光源１４からの光束（検出光）を集光して照明用のビー
ムスプリッター１６に入射させている。１２は対物レン
ズである。

【００２７】１３は光学要素としてのレンズ群であり、
観察顕微鏡１１で発生したコマ収差を補正する為に光軸
Ｓから偏心可能となるように構成している。

【００２８】尚、本実施例においてレンズ群１３は分散
の異なる材質の正レンズと負レンズの２つのレンズより
成り、色収差も補正するようにしている。

【００２９】ビームスプリッター１６で反射したレンズ
１５からの検出光はミラーＭ₁ で反射させ、レンズ群１
３と対物レンズ１２を介してウエハ３面上のＡＡマーク
４に導光して照明している。

【００３０】１９は基準マーク１７の照明用の光源でＬ
ＥＤ等から成っている。１８はレンズである。光源１９
からの光束はレンズ１８で集光し、基準マーク１７に導
光し、照明している。２０は基準マーク用のビームスプ
リッターであり、基準マーク１７からの光束を反射させ
てミラーＭ₂ を介してエレクターレンズ２１に入射して
いる。エレクターレンズ２１は基準マーク１７及びウエ
ハ３面上のＡＡマーク４を各々ＣＣＤカメラ２２の撮像
面に結像している。本実施例における検出手段１０１は
以上の各要素を有している。

【００３１】本実施例において光源１４から出射した非
露光光（検出光）は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
ー１６、ミラーＭ₁ 、レンズ群１３、対物レンズ１２を
経て、ウエハ３上のＡＡマーク４を照明する。ウエハ３
上のＡＡマーク４の観察像情報は、順にレンズ群１３、
対物レンズ１２、ミラーＭ₁ 、ビームスプリッター１
６、ビームスプリッター２０、ミラーＭ₂ 、エレクター
レンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２上に結像する。

【００３２】本実施例においては観察顕微鏡１１で発生
したコマ収差を後述するように光軸Ｓから偏心可能に設
けたレンズ群１３で補正している。これにより良好なＡ
Ａマーク４の観察像がＣＣＤカメラ２２上に形成される
ようにしている。

【００３３】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤより成る光源１９から出射した光をレンズ１８
により集光して照明され、ビームスプリッター２０、ミ
ラーＭ₂ を介しエレクターレンズ２１を経てＣＣＤカメ
ラ２２上に結像する。

【００３４】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なＸＹステージ１の位置情報を得て、こ
れにより高精度のアライメントを行っている。

【００３５】次に本実施例のコマ収差調整用のレンズ群
１３の光学的作用について図２を用いて説明する。

【００３６】本実施例のレンズ群１３は分散の異なる２
つのレンズを接合してレンズ群１３で発生する色収差を
補正した接合色補正レンズを光軸から偏心させるように
構成して、検出面２２上に色による像ずれを発生させな
いで観察顕微鏡１１全体で発生しているコマ収差を補正
できるようにしている。

【００３７】図２（Ａ）は顕微鏡用結像レンズにより検
出面上に像を形成している様子を示したもので、図２
（Ｂ）は１枚のレンズ１３を光軸から偏心させたとき
に、いわゆるプリズム効果による色ずれが発生している
様子を示している。

【００３８】図２（Ｃ）は分散の異なる２つのレンズを
接合して色収差を補正した接合色補正レンズ１３により
検出面上に像を形成している様子を示している。

【００３９】図２（Ｄ）は図２（Ｃ）の接合色補正レン
ズ１３を光軸から偏心させたときに、検出面上に色によ
る像ずれが発生しないことを示している。

【００４０】本実施例では以上のようにレンズ群１３を
構成することにより、観察顕微鏡１１全体で発生するコ
マ収差を補正し、検出面（ＣＣＤカメラ２２の撮像面）
に良好なるＡＡマーク４の像を形成している。

【００４１】又、本実施例では非露光光としてハロゲン
ランプによる露光光の波長より中心波長が異なり、かつ
比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±３０ｎｍ）を
用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を用いてウエ
ハ上のＡＡマークを観察するときに発生しがちなレジス
ト膜による干渉縞を低減し、これにより良好なアライメ
ントを行っている。

【００４２】図３は本発明を半導体素子製造用の露光装
置に適用したときの実施例２の光学系の要部概略図であ
る。図３において図１で示した部材と同じ部材には同一
符番を付している。

【００４３】本実施例は図１の実施例１に比べて、ウエ
ハ３上のＡＡマーク４を投影レンズ５を介した光を用い
て観察している点が異っており、即ちＴＴＬ方式でアラ
イメントを行っている点と光学系２４を用いた点が異っ
ており、その他の構成は略同じである。

【００４４】図３において光学系２４は投影レンズ５で
発生した収差（例えば非点収差）を補正する為の平行平
面板より成っている。

【００４５】本実施例においてハロゲンランプ１４から
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
ー１６、レンズ群１３、対物レンズ１２、光学系２４、
ミラー２３、投影レンズ系５を経てウエハ３上のＡＡマ
ーク４を照明する。

【００４６】ウエハ３上のＡＡマーク４の観察像情報は
順に投影レンズ５、ミラー２３、光学系２４、対物レン
ズ１２、レンズ群１３、ビームスプリッター１６、ビー
ムスプリッター２０、エレクターレンズ２１を経てＣＣ
Ｄカメラ２２上に結像する。このとき、投影レンズ系５
はレチクル８上に描かれた電子回路パターンをウエハ３
上に投影する為に露光光に対して良好に収差補正されて
いる。この為、非露光光が投影レンズ５を通過した際、
収差が発生する。

【００４７】本実施例においては投影レンズ系５で発生
した球面収差と軸上色収差等を対物レンズ１２で補正
し、同じくコマ収差を光軸から偏心可能に設けたレンズ
群１３で補正するように構成し、良好なＡＡマーク４の
観察像がＣＣＤカメラ２２上に形成されるようにしてい
る。

【００４８】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、対物エレク
ターレンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２上に結像する。

【００４９】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。

【００５０】以上のように実施例１，２においてはウエ
ハ上のＡＡマークを非露光光で観察してアライメントを
行う際、観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正
するための光学系要素を色収差の補正された光学系要素
で構成することで、観察顕微鏡全体で発生しているコマ
収差を補正した際、検出面上に色による像ずれを防止し
ている。

【００５１】これによりウエハ面上に塗布したレジスト
の膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、
ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが
変化した場合、ウエハ面に形成したアライメントマーク
検出信号の分光特性の変化に伴って、検出面上に投影さ
れる画像信号の位置が変化したときのアライメント誤差
を少なくし、アライメント精度の向上を図っている。

【００５２】図４は本発明を半導体素子製造用の露光装
置に適用したときの参考例１の光学系の要部概略図であ
る。図４において図１で示した部材と同じ部材には同一
符番を付している。

【００５３】本参考例は図１の実施例１に比べて、ＣＣ
Ｄカメラ２２の前方に後述するように少なくとも２つの
透明な楔形プリズムより成る光学部材４１を配置し、観
察顕微鏡１１の各光学要素の誤差等により発生した色に
よるＡＡマーク像のＣＣＤカメラ２２面上での位置ずれ
を補正していること、そしてコマ収差補正のレンズ群１
３を省略していることが異っており、その他の構成は略
同じである。

【００５４】次に本参考例の構成について図１の説明と
一部重複するが順次説明する。

【００５５】本参考例においてハロゲンランプ１４から
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
１６、ミラーＭ_１、対物レンズ１２を経てウエハ３上の
ＡＡマーク４を照明する。

【００５６】ウエハ３上のＡＡマーク４の観察像情報は
順に対物レンズ１２、ミラーＭ₁ 、ビームスプリッター
１６、ビームスプリッター２０、ミラーＭ₂ 、エレクタ
ーレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２上
に結像する。

【００５７】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、ミラーＭ
₂ 、対物エレクターレンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。

【００５８】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。

【００５９】本参考例では実施例１と同様に非露光光と
してハロゲンランプによる露光光の波長より中心波長が
異なり、かつ比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±
３０ｎｍ）を用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源
を用いてウエハ上のＡＡマークを観察するときに発生し
がちなレジスト膜による干渉縞を低減し、これにより良
好なアライメントを行っている。

【００６０】次に本参考例の光学部材４１の光学的作用
について図５を用いて説明する。

【００６１】本参考例において光学部材４１は２枚のく
さび板４１ａ，４１ｂを用いて観察顕微鏡系１１の光学
系要素の誤差等によって発生した色による投影像の位置
ずれを補正している。

【００６２】図５（Ａ）は１枚のくさび板５１のいわゆ
るプリズム効果により色ずれが発生している様子を示し
ている。

【００６３】図５（Ｂ）は観察顕微鏡系１１の光学系要
素の誤差等によって発生した色による投影像の位置ずれ
の様子を示している。

【００６４】図５（Ｃ）は２枚のくさび板４１ａ，４１
ｂを用いて図５（Ｂ）に示した投影像の位置ずれを補正
したもので、２枚のくさび板４１ａ，４１ｂの設定角度
を調整して、任意の方向と大きさに発生している色によ
る投影像の位置ずれを補正可能としている。

【００６５】図６，図７は本発明の参考例２、３の一部
分の光学部材４１に関する説明図である。

【００６６】参考例２、３では図４の参考例１に比べて
光学部材４１の構成が異っているだけで、その他の構成
は同じである。

【００６７】図６の参考例２では光学部材４１として分
散の異なる２つのくさび板４１ａ１，４１ａ２（４１ｂ
１，４１ｂ２）を接合した２つの平行平面板４１ａ，４
１ｂを用いて、図４で示す観察顕微鏡１１の光学系要素
の誤差等によって発生した色による投影像（ＡＡマーク
像）の位置ずれを補正している。

【００６８】本参考例では２組のくさび板の設定角度を
調整して、任意の方向と大きさに発生している色による
投影像の位置ずれを補正可能としている。特に本実施例
において、分散の異なる２枚のくさび板４１ａ１，４１
ａ２（４１ｂ１，４１ｂ２）を構成する硝材をアライメ
ントに用いる照明波長のうちある一波長（例えば中心波
長λ_０）において屈折率が同じで分散が異なるものにす
れば、この２枚のくさび板は波長λ_０に対して屈折力を
持たないので、色による投影像の位置ずれを補正するた
めに光路中にくさび板を挿入した際に、ＣＣＤカメラ２
２上に結像した観察像の光軸が変化しないという特長が
ある。

【００６９】図７の参考例３では光学部材４１として、
分散の異なる材質より成る２つのレンズ４１ｃ，４１ｄ
を接合した、全体として平行平面板となるようにしたも
のを用いており、これにより図４で示した観察顕微鏡系
１１の光学系要素の誤差等によって発生した色による投
影像の位置ずれを補正するようにしている。

【００７０】本参考例ではレンズの偏心方向と偏心量を
調整して、任意の方向と大きさに発生している色による
投影像の位置ずれを補正可能としている。

【００７１】特に本参考例において、分散の異なる材質
より成る２枚のレンズ４１ｃ，４１ｄを構成する硝材
を、アライメントに用いる照明波長のうちある一波長
（例えば中心波長λ_０）において屈折率が同じで分散が
異なるものにすれば、この２枚のレンズ波長λ_０に対し
て屈折力を持たないので、色による投影像の位置ずれを
補正するために光路中にレンズを挿入した際に、ＣＣＤ
カメラ２２上に結像した観察像の光軸が変化しないとい
う特長がある。

【００７２】図８は各参考例を半導体素子製造用の露光
装置に適用したときの参考例４の光学系の要部概略図で
ある。図８において図４に示した部材と同じ部材に同一
符番を付している。

【００７３】本参考例は図４の参考例１に比べて、ウエ
ハ３上のＡＡマーク４を投影レンズ５を介した光を用い
て観察している点が異っており、即ちＴＴＬ方式でアラ
イメントを行っている点が異っており、その他の構成は
略同じである。

【００７４】本参考例においてハロゲンランプ１４から
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
１６、対物レンズ１２、ミラーＭ_１、投影レンズ系５を
経てウエハ３上のＡＡマーク４を照明する。

【００７５】ウエハ３上のＡＡマーク４の観察像情報は
順に投影レンズ５、ミラーＭ₁ 、対物レンズ１２、ビー
ムスプリッター１６、ビームスプリッター２０、エレク
ターレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。

【００７６】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、対物エレク
ターレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。

【００７７】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。

【００７８】以上のように参考例１〜４ではウエハ面上
のＡＡマークを非露光光で観察してアライメントを行う
際、検出面上に発生した色による像ずれを補正する光学
部材を有することで、ウエハ面上に塗布したレジストや
半導体プロセスに用いる種々の機能膜やウエハ面上に形
成したアライメントマークの膜厚などが変化した場合、
ウエハ面に形成したアライメントマーク検出信号の分光
特性の変化に伴って、検出面上に投影される画像信号の
位置が変化したときのアライメント誤差を少なくし、ア
ライメント精度の向上を図っている。

【００７９】

【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を設
定することにより、露光光と波長が異なる検出光（アラ
イメント光）で投影レンズ系を介してマークの検出をな
行う場合にマーク像の位置を高精度に検出することが可
能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及び
それを用いた半導体チップの製造方法を達成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の露光装置の実施例１の光学系の要部
概略図

【図２】 図１の観察顕微鏡のコマ収差を補正する一実
施例の説明図

【図３】 本発明の露光装置の実施例２の光学系の要部
概略図

【図４】 本発明の露光装置の参考例１の光学系の要部
概略図

【図５】 図４の色によるＡＡマーク像の位置ずれの補
正を示す説明図

【図６】 図４の色によるＡＡマーク像の位置ずれの補
正を示す説明図

【図７】 図４の色によるＡＡマーク像の位置ずれの補
正を示す説明図

【図８】 本発明の露光装置の参考例４の光学系の要部
概略図

【符号の説明】

１ ＸＹステージ ２ θステージ ３ ウエハ ４ ウエハ上にあるアライメントマーク（ＡＡマーク） ５ 投影レンズ ６ バーミラー ７ ＸＹステージの位置を計測するレーザ干渉計 ８ レチクル ９ 露光用照明系 １０ レチクルのステージ １１ 色による投影像の位置ずれを補正する光学系 １２ 対物レンズ １３ 非露光光によるウエハ上のＡＡマークを観察する
観察光学系 １４ 照明用のハロゲンランプ光源 １５ 照明用レンズ １６ 照明用のビームスプリッタ １７ 基準マーク １８ 基準マーク照明用のレンズ １９ 基準マーク照明用のＬＥＤ光源 ２０ 基準マーク用のビームスプリッタ ２１ エレクターレンズ ２２ ＣＣＤカメラ

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】露光光で第１物体のパターンを第２物体上
   に投影する投影光学系と、前記第１物体と前記第２物体
   との相対位置合わせを行うために、該露光光とは波長が
   異なる検出光で前記第２物体のマークの像を形成し、該
   マーク像を検出する検出手段とを有する露光装置であっ
   て、 前記検出手段は、該検出手段の光軸に対してその光軸が
   偏心した色収差の補正された光学要素によりコマ収差を
   補正していることを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】露光光で第１物体のパターンを第２物体上
   に投影する投影光学系と、前記第１物体と前記第２物体
   との相対位置合わせを行うために、該露光光とは波長が
   異なる検出光で前記第２物体のマークの像を形成し、該
   マーク像を検出する検出手段とを有する露光装置であっ
   て、 前記検出手段は、該検出手段の光軸に対しその光軸が偏
   心した、互いに分散の異なるレンズ同士を接合した貼り
   合わせレンズによりコマ収差を補正していることを特徴
   とする露光装置。
3. 【請求項３】前記露光光とは波長が異なる検出光は、ハ
   ロゲンランプからの光であることを特徴とする請求項１
   又は２記載の露光装置。
4. 【請求項４】前記第１物体としてのマスクを用意し、前
   記第２物体としてのウエハを用意し、請求項１乃至３い
   ずれか１項記載の露光装置を用いて、前記マスクの回路
   パターンを照明することにより投影光学系を介して前記
   回路パターンの像を前記ウエハに投影することを特徴と
   する半導体チップの製造方法。