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JP3350812B2 - Ion sensor, ion sensor plate, and manufacturing method thereof - Google Patents

Ion sensor, ion sensor plate, and manufacturing method thereof

Info

Publication number
JP3350812B2
JP3350812B2 JP09692298A JP9692298A JP3350812B2 JP 3350812 B2 JP3350812 B2 JP 3350812B2 JP 09692298 A JP09692298 A JP 09692298A JP 9692298 A JP9692298 A JP 9692298A JP 3350812 B2 JP3350812 B2 JP 3350812B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
silver halide
silver
layer
halide layer
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP09692298A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11281610A (en
Inventor
慶一 井田
正一郎 平國
政嗣 鈴木
明彦 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP09692298A priority Critical patent/JP3350812B2/en
Publication of JPH11281610A publication Critical patent/JPH11281610A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3350812B2 publication Critical patent/JP3350812B2/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、血液等を検査する各種
イオンのイオンセンサ、特にその部品である使い捨ての
簡易型イオンセンサプレートにおいて、イオン感応膜と
銀/ハロゲン化銀電極との界面における電気抵抗を小さ
くするようにしたものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion sensor for various kinds of ions for examining blood and the like, and more particularly to a disposable simple ion sensor plate which is a component thereof, which is used in an interface between an ion sensitive membrane and a silver / silver halide electrode. The present invention relates to a device in which electric resistance is reduced.

【0002】[0002]

【従来の技術】使い捨ての簡易型検査用イオンセンサプ
レートが開発され、いくつかのイオンセンサプレートが
提案されている。その一つの差動式のマルチイオンセン
サは、マルチイオンセンサプレートを測定回路に接続し
て同時に多数の異なるイオン濃度を測定するものであ
り、そのマルチイオンセンサプレートは、図2に示すよ
うに、ガラスエポキシ基板1上にエッチングにより形成
した銅電極に電解銀メッキを施した一対の検体液測定電
極2a、基準電極2bを一組にして5組設け、それぞれ
の電極の相対する端部の銀メッキ層の上に塩化銀層4
a、4bを設け、それぞれの電極の互いに遠ざかる側の
端部を外部電極としたマルチイオンセンサプレート本体
5を設け、さらに各組の塩化銀層4a、4bに連通する
透孔6a〜6e、6’a〜6’eと、後述の上部セルの
2本の流通路の先端に対応して検体液と基準液を接触さ
せる細長孔の液絡部7と、上記各組の電極2a、2bに
連通する透孔8a、8bを有するポリエステルフィルム
からなる堤体9をこのマルチイオンセンサプレート本体
5に接合する。堤体9のそれぞれの透孔6a〜6e、
6’a〜6’eを介してイオノフオアと呼ばれる大環状
化合物やイオン交換樹脂等の各種イオンのイオン感応物
質を含むそれぞれ各種別のイオン感応膜溶液を滴下し、
乾燥して上記塩化銀層4a、4bにイオン感応膜を形成
することにより合計5種の異なるイオン感応膜を設け
る。このマルチイオンセンサプレート本体5と堤体9の
接合体を透明なアクリル樹脂板からなる下部セル10の
凹部10a、10bに填め込み、透明アクリル樹脂から
なる上部セル12を下部セル10に両面接着テープによ
り接合し、上記接合体を内装する。上部セル12は、透
明板の裏面に上記透孔6a〜6e、6’a〜6’eに連
通する凹溝からなる流通路13、14を隔壁により二分
して設け、それぞれの流通路の一端には検体液投入部1
5、基準液投入部16を設けるとともに、それぞれの流
通路の他端にはこれに連通する細幅の凹溝からなる空気
抜き溝13a、14aをそれぞれL字状、その対称に配
設し、その先端を検体液投入部15、基準液投入部16
の先端に設けた縦孔13b、14bに連通し、さらに上
記検体液測定電極2a、基準電極2bの外部電極の露出
した端部に対応して図示省略した測定器の端子を挿入す
る端子挿入孔18a、18bを設けたものである。
2. Description of the Related Art Disposable simple inspection ion sensor plates have been developed, and several ion sensor plates have been proposed. The one differential-type multi-ion sensor connects a multi-ion sensor plate to a measurement circuit and measures a number of different ion concentrations at the same time, and the multi-ion sensor plate has, as shown in FIG. Five pairs of a pair of sample liquid measurement electrodes 2a and a reference electrode 2b in which electrolytic silver plating is applied to a copper electrode formed by etching on a glass epoxy substrate 1 are provided as a set, and silver plating is performed on opposite ends of each electrode. Silver chloride layer 4 on top of the layer
a, 4b, a multi-ion sensor plate main body 5 having external electrodes on the ends of the electrodes facing away from each other, and through holes 6a to 6e, 6 communicating with the respective sets of silver chloride layers 4a, 4b. 'a to 6'e, a liquid junction 7 of an elongated hole for bringing the sample liquid and the reference liquid into contact with each other at the tips of two flow paths of the upper cell described later, and the above-mentioned set of electrodes 2a, 2b. A bank 9 made of a polyester film having communicating holes 8a and 8b is joined to the multi-ion sensor plate body 5. The respective through holes 6a to 6e of the embankment body 9,
Various ion-sensitive membrane solutions each containing an ion-sensitive substance of various ions such as a macrocyclic compound called ionophore or an ion-exchange resin are dropped through 6′a to 6′e,
By drying and forming ion-sensitive films on the silver chloride layers 4a and 4b, a total of five different ion-sensitive films are provided. The joined body of the multi-ion sensor plate body 5 and the bank body 9 is inserted into the concave portions 10a and 10b of the lower cell 10 made of a transparent acrylic resin plate, and the upper cell 12 made of a transparent acrylic resin is attached to the lower cell 10 with a double-sided adhesive tape. And the above joined body is mounted. The upper cell 12 is provided on the back surface of the transparent plate with flow passages 13 and 14 formed of concave grooves communicating with the through holes 6a to 6e and 6'a to 6'e, divided into two by partition walls, and one end of each flow passage. Has a sample liquid inlet 1
5. In addition to the provision of the reference liquid inlet 16, air vent grooves 13 a, 14 a formed of narrow concave grooves communicating with the flow passages are provided at the other ends of the respective flow passages in an L-shape, respectively, and symmetrically arranged. The tip is a sample liquid inlet 15 and a reference liquid inlet 16
A terminal insertion hole for communicating with a vertical hole 13b, 14b provided at the tip of the sampler, and for inserting a terminal of a measuring instrument (not shown) corresponding to the exposed end of the external electrode of the sample liquid measurement electrode 2a and the reference electrode 2b. 18a and 18b are provided.

【0003】このような構造のマルチイオンセンサプレ
ートを使用するときは、検体液投入部15、基準液投入
部16にそれぞれ検体液、基準液を注射器等により注入
すると、流通路13、14にそれぞれの液が流通され、
透孔6a〜6e、6’a〜6’e中のイオン選択性電極
に供給されるとともに、液絡部7において検体液と基準
液は接触する。この状態で測定器の端子を端子挿入孔1
8a、18bに挿入してそれぞれの外部電極に接触させ
ることにより検体液のイオン成分が測定され、1回の検
体液、基準液の注入により合計5種類のイオンの濃度が
測定される。
When a multi-ion sensor plate having such a structure is used, a sample liquid and a reference liquid are injected into a sample liquid input section 15 and a reference liquid input section 16 by a syringe or the like, respectively. Liquid is circulated,
While being supplied to the ion-selective electrodes in the through holes 6a to 6e and 6'a to 6'e, the sample liquid and the reference liquid come into contact at the liquid junction 7. In this state, insert the terminal of the measuring instrument into the terminal insertion hole 1
The ionic components of the sample solution are measured by inserting the sample solution into each of the external electrodes 8a and 18b, and the concentrations of a total of five types of ions are measured by one injection of the sample solution and the reference solution.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような銀/塩化銀
電極のようなAg/AgX電極上にイオン感応膜を形成
した場合に、イオン感応膜とAgX層の界面の電位を安
定化し、マルチイオンセンサの検出値の精度を向上させ
るためには、AgX層におけるAgX=Ag+ +Cl-
の解離平衡を安定化させる必要があり、その安定化のた
めにイオン感応膜に安定化物質を含有させることについ
ては、先の出願(特願平9−367808号明細書)で
提案した。しかし、イオン感応膜が接触するAgX層と
の界面の抵抗が高い場合にも、測定回路内を流れる電流
とその界面の電気抵抗により発生する電圧がマルチイオ
ンセンサの出力に影響を与え易く、その出力による検出
値の精度、したがってその検出値を換算したイオン濃度
の測定精度に悪い影響を及ぼす。イオン感応膜とAgX
層との界面の電気抵抗を低くする方法としては、イオン
感応膜とAgX層との接触面積を大きくすることと、A
gX層の電気抵抗を小さくすることが挙げられる。イオ
ン感応膜とAgX層との接触面積を大きくするには、A
gXの粒子径を小さくすることによりその表面積を大き
くすることが既に知られており、特公平7−21482
号公報にはその粒子径を1μm以下にすることが示され
ている。また、例えばポリ塩化ビニル系樹脂とその可塑
剤を含有するイオン感応膜を用いる場合には、イオン感
応膜中の可塑剤含有量を多くしてAgX層の微細な凹凸
にも追従する柔軟なイオン感応膜を形成し、その接触面
積を大きくすることが、先の出願(特願平9−3678
10号明細書)において提案されている。しかしなが
ら、このようなAgXの粒子径を小さくすることや、イ
オン感応膜の接触面積を増大させることも、イン感応膜
が設けられる限られた面積の電極上においては限界があ
り、これらのことや、上述したイオン感応膜に電位安定
化物質を含有させることとともに、AgX層そのものを
改質してその電気抵抗を小さくする工夫が望まれてい
た。
When an ion-sensitive film is formed on an Ag / AgX electrode such as such a silver / silver chloride electrode, the potential at the interface between the ion-sensitive film and the AgX layer is stabilized, and to improve the accuracy of the detection value of the ion sensor, AgX in AgX layer = Ag + + Cl -
It is necessary to stabilize the dissociation equilibrium of the compound, and it has been proposed in a previous application (Japanese Patent Application No. 9-367808) to include a stabilizing substance in the ion-sensitive membrane for the stabilization. However, even when the resistance at the interface with the AgX layer contacted by the ion-sensitive film is high, the current flowing in the measurement circuit and the voltage generated by the electrical resistance at the interface easily affect the output of the multi-ion sensor, This has an adverse effect on the accuracy of the detected value by the output, and thus on the measurement accuracy of the ion concentration converted from the detected value. Ion sensitive membrane and AgX
Methods for lowering the electrical resistance at the interface with the layer include increasing the contact area between the ion-sensitive membrane and the AgX layer;
The electrical resistance of the gX layer may be reduced. To increase the contact area between the ion-sensitive membrane and the AgX layer, A
It is already known to increase the surface area by reducing the particle size of gX, and Japanese Patent Publication No. 7-21482.
The publication discloses that the particle size is 1 μm or less. Further, for example, when an ion-sensitive film containing a polyvinyl chloride resin and its plasticizer is used, a soft ion that follows the fine irregularities of the AgX layer by increasing the plasticizer content in the ion-sensitive film To form a sensitive film and increase its contact area is disclosed in the prior application (Japanese Patent Application No. 9-3678).
No. 10 specification). However, reducing the particle size of AgX and increasing the contact area of the ion-sensitive membrane have limitations on the electrode having a limited area where the in-sensitive membrane is provided. In addition, there has been a demand for a method of incorporating a potential stabilizing substance into the above-mentioned ion-sensitive membrane and modifying the AgX layer itself to reduce its electric resistance.

【0005】本発明の第1の目的は、ハロゲン化銀層の
電気抵抗を小さくできる銀/ハロゲン化銀電極を有する
イオンセンサ、イオンセンサプレート及びこれらの製造
方法を提供することにある。本発明の第2の目的は、銀
/ハロゲン化銀電極のハロゲン化銀層とイオン感応膜と
の界面における電気抵抗を小さくできるイオンセンサ、
イオンセンサプレート及びこれらの製造方法を提供する
ことにある。本発明の第3の目的は、イオン濃度の検出
値の測定精度の良いイオンセンサ、イオンセンサプレー
ト及びこれらの製造方法を提供することにある。本発明
の第4の目的は、銀/ハロゲン化銀電極のハロゲン化銀
層の銀/ハロゲンの原子比を容易、迅速に大きくできる
イオンセンサ及びイオンセンサプレートの製造方法を提
供することにある。本発明の第5の目的は、銀/ハロゲ
ン化銀電極のハロゲン化銀層の銀/ハロゲンの原子比を
ハロゲン化銀層に不純物を残すことなく、その抵抗を小
さくかつそのバラツキを少なくして大きくできるイオン
センサ及びイオンセンサプレートの製造方法を提供する
ことにある。
A first object of the present invention is to provide an ion sensor having a silver / silver halide electrode which can reduce the electric resistance of a silver halide layer, an ion sensor plate, and a method of manufacturing the same. A second object of the present invention is to provide an ion sensor capable of reducing electric resistance at an interface between a silver halide layer of a silver / silver halide electrode and an ion-sensitive film,
An object of the present invention is to provide an ion sensor plate and a method for manufacturing the same. A third object of the present invention is to provide an ion sensor, an ion sensor plate, and a method of manufacturing the same, which have high measurement accuracy of a detected value of ion concentration. A fourth object of the present invention is to provide a method of manufacturing an ion sensor and an ion sensor plate that can easily and quickly increase the silver / halogen atomic ratio of a silver halide layer of a silver / silver halide electrode. A fifth object of the present invention is to reduce the variation in the resistance and the silver / halogen atomic ratio of the silver / silver halide electrode without leaving impurities in the silver halide layer. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an ion sensor and an ion sensor plate which can be enlarged.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、(1)、銀層上に設けたその表面をハロ
ゲン化して形成されたハロゲン化銀層を改質した改質ハ
ロゲン化銀層上に特定イオンに感応するイオン感応膜の
被覆膜を有する検体液測定電極と基準電極を一対にして
少なくとも一組有するイオンセンサープレート本体を設
け、このイオンセンサプレート本体に測定回路を接続し
て検体液の特定イオン濃度を測定できるようにしたイオ
ンセンサであって、上記改質ハロゲン化銀層は上記銀層
上に上記ハロゲン化銀層を設けた後銀イオンを還元する
還元手段により処理された層であり、該改質ハロゲン化
銀層の改質が上記ハロゲン化銀層の銀とハロゲンの原子
比Ag/を少なくとも1.2とすることであるイオン
センサを提供するものである。また、本発明は、
(2)、改質ハロゲン化銀層のハロゲン化銀及び銀の粒
径が大きくても1μmである上記(1)のイオンセン
サ、(3)、銀層上に設けたその表面をハロゲン化して
形成されたハロゲン化銀層を改質した改質ハロゲン化銀
層上にイオン感応膜の被覆膜を有する検体液測定電極と
基準電極を一対にして少なくとも一組を基板上に設けた
イオンセンサプレート本体と、上記検体液測定電極に検
体液を供給する閉じた流通路と上記基準電極に基準液を
供給する閉じた流通路をそれぞれ上記基板面上に形成
し、それぞれの流通路に連通する検体液投入部、基準液
投入部を有する上部セルと、上記イオンセンサプレート
本体に設けられ上記それぞれの流通路に供給された検体
液、基準液を液絡する液絡部とを少なくとも有し、上記
改質ハロゲン化銀層は上記銀層上に上記ハロゲン化銀層
を設けた後銀イオンを還元する還元手段により処理され
た層であり、該改質ハロゲン化銀層の改質が上記ハロゲ
ン化銀層の銀とハロゲンの原子比Ag/を少なくとも
1.2とすることであるイオンセンサプレート、
(4)、改質ハロゲン化銀層のハロゲン化銀及び銀の粒
径が大きくても1μmである上記(3)のイオンセンサ
プレート、()、還元手段による処理は紫外線を主と
して含む光線照射による処理又は自然光下でハロゲンイ
オン溶液によりハロゲン化銀層の粒界をエッチングする
ことである上記(1)又は(2)のイオンセンサの製造
方法、()、還元手段による処理は紫外線を主として
含む光線照射による処理又は自然光下でハロゲンイオン
溶液によりハロゲン化銀層の粒界をエッチングすること
である上記(3)又は(4)のイオンセンサプレートの
製造方法を提供するものである。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, (1) the surface provided on a silver layer is formed by a halo.
At least one pair of a sample liquid measurement electrode and a reference electrode having a coating film of an ion-sensitive film sensitive to specific ions on a modified silver halide layer obtained by modifying a silver halide layer formed by genification An ion sensor provided with an ion sensor plate main body, and a measuring circuit connected to the ion sensor plate main body so that a specific ion concentration of a sample liquid can be measured, wherein the modified silver halide layer is the silver layer
Silver ions are reduced after providing the above silver halide layer on top
A layer treated with a reducing unit, provide an ion sensor reforming is to at least 1.2 atomic ratios Ag / X of silver and silver of the silver halide layer of the modified silver halide layer Is what you do. Also, the present invention
(2) the ion sensor of (1), wherein the grain size of silver halide and silver in the modified silver halide layer is at most 1 μm; (3) the surface thereof provided on the silver layer is halogenated;
An ion sensor comprising a pair of a sample liquid measurement electrode and a reference electrode having a coating film of an ion-sensitive film on a modified silver halide layer obtained by modifying a formed silver halide layer, and at least one set provided on a substrate. A plate body, a closed flow path for supplying a sample liquid to the sample liquid measurement electrode, and a closed flow path for supplying a reference liquid to the reference electrode are formed on the substrate surface, and communicate with the respective flow paths. A sample liquid inlet, an upper cell having a reference liquid inlet, and at least a liquid junction provided in the ion sensor plate body and supplied to the respective flow passages, a liquid junction for liquid junction of the reference liquid, The modified silver halide layer is the silver halide layer on the silver layer.
After being provided, is treated by a reducing means for reducing silver ions.
And a layer, the ion sensor plate reformer of the reforming silver halide layer is to at least 1.2 atomic ratios Ag / X of silver and silver of the silver halide layer,
(4) The ion sensor plate of ( 3 ), wherein the grain size of silver halide and silver in the modified silver halide layer is at most 1 μm. ( 5 ). method for producing an ion sensor processing or the by halogen ion solution is to etch the grain boundaries of the silver halide layer under natural light (1) or (2) by, (6), treatment with a reducing means mainly ultraviolet It is another object of the present invention to provide a method for producing an ion sensor plate according to the above (3) or (4) , wherein the grain boundary of the silver halide layer is etched with a halogen ion solution under treatment with light irradiation or natural light.

【0007】本発明において、「還元手段」とは、ハロ
ゲン化銀AgX(Xはハロゲン原子を表し、以下同様)
層の銀の比率を高める手段である。銀イオンを銀に還元
する手段が挙げられ、具体的には例えば紫外線、紫外線
を含む光線(紫外線を主として含む光線、自然光等)の
物理的還元手段のほかに、化学薬品を用いた還元剤等の
化学的還元手段を挙げることができる。紫外線や、紫外
線を含む光線をハロゲン化銀層に照射すると、ハロゲン
化銀の銀イオンは銀に還元されて遊離するが、そのハロ
ゲンイオンとしては揮発性のガスとなって揮散するもの
がその除去を簡単に行える点で好ましい。ハロゲン化銀
を還元し、ハロゲンイオンをハロゲン化銀層の系外に排
出することにより還元処理後の改質ハロン化銀層のハ
ロゲン化銀の粒径を小さくすることができ、当然のこと
ながら還元により生じた銀の粒径も当初のハロゲン化銀
より小さくすることができるとともに、銀とハロゲンと
の原子比Ag/Xを大きくすることができる。還元後の
改質ハロン化銀層のハロゲン化銀及び銀の粒径は1μ
m以下(大きくても1μm)にすることが好ましく、A
g/Xの比は1.2以上(少なくとも1.2)にする。
ハロゲン化銀の粒径を小さくすることによって表面積が
増大し、還元反応が広範囲に行なわれるので、銀イオン
の還元効率がよく、上記のAg/X比を向上させ易い。
Ag/X層のハロゲン化銀の改質をその粒界の溶解で行
う、いわゆるエッチングをハロゲンイオンを含有する溶
液(後述のハロゲンイオンを供給できる有機系塩化物等
のアルコール等の非水溶液の塩化物溶液がエッチングを
温和に行なえ、エッチングの程度を制御し易いがその他
の塩化物溶液でもよい)で行うと、ハロゲン化銀が溶液
のハロゲンイオンとAgX2 - という錯体を形成し、ハ
ロゲン化銀の粒界から溶解するため、結晶が削れ、粒径
が小さくなる。なお、溶解した粒界の間から下地の銀層
が露出し、これによってもAg/比は増大することが
観察されるが、「還元手段」にはこれも含む。このよう
に、改質ハロケン化銀層の塩化銀の粒径が小さくなるこ
とにより、イオン感応膜との接触面積が大きくなり、ま
た、ハロゲン化銀層の銀の比率が増加することにより、
本来絶縁物であるハロゲン化銀を含有するハロゲン化銀
層の電子伝導性が良くなる。
In the present invention, “reducing means” means silver halide AgX (X represents a halogen atom, and the same applies hereinafter).
It is a means to increase the proportion of silver in the layer. Means for reducing silver ions to silver are mentioned. Specifically, for example, in addition to physical reduction means of ultraviolet rays, light rays containing ultraviolet rays (light rays mainly containing ultraviolet rays, natural light, etc.), reducing agents using chemicals, etc. Means for chemical reduction. When ultraviolet rays or light rays containing ultraviolet rays are applied to the silver halide layer, the silver ions of the silver halide are reduced to silver and released, but those which become volatile gas and evaporate are removed. This is preferable in that it can be easily performed. Reducing the silver halide, it is possible to reduce the particle size of the silver halide of the reforming halo gain down and silver layer after reduction treatment by discharging halogen ions to the outside of the silver halide layer, of course In particular, the grain size of the silver produced by the reduction can be made smaller than that of the original silver halide, and the atomic ratio Ag / X between silver and halogen can be made larger. Reforming the silver halide and silver of the particle size of the halo gain emissions of silver layer after reduction 1μ
m (at most 1 μm).
The g / X ratio is at least 1.2 (at least 1.2).
Since the surface area is increased and the reduction reaction is performed over a wide range by reducing the grain size of the silver halide, the silver ion reduction efficiency is good and the Ag / X ratio is easily improved.
The silver halide in the Ag / X layer is modified by dissolving the grain boundaries, so-called etching is performed using a solution containing a halogen ion (a non-aqueous solution such as an alcohol such as an organic chloride capable of supplying a halogen ion described below). object solution performed etching mild and is easy to control the degree of etching conducted at even or) other chloride solutions, silver halide halide ions and AgX 2 solution - to form a complex of silver halide Dissolves from the grain boundaries, the crystals are shaved and the particle size is reduced. It is observed that the underlying silver layer is exposed from between the melted grain boundaries, and this also increases the Ag / X ratio, but the “reducing means” includes this. As described above, by reducing the particle size of silver chloride in the modified silver halogenated layer, the contact area with the ion-sensitive film is increased, and by increasing the ratio of silver in the silver halide layer,
The electron conductivity of a silver halide layer containing silver halide, which is originally an insulator, is improved.

【0008】本発明においては、ハロゲン化銀層の電気
抵抗を小さくするとともに、AgXの解離平衡(AgX
=Ag+ +X- )の構成物質がイオン感応膜に溶解する
ことを制御してその解離平衡を安定化(固定化)するた
めに、イオン感応膜に電位安定化物質、その関連物質を
含有させてもよく、このようにすると、ハロゲン化銀層
とイオン感応膜との界面での電位の安定化が速やかに行
われ、その電位のバラツキが少なく、製造当初のみなら
ず日数を経ても測定値の精度が良く、生産工程上のコス
トを削減できる。これらのイオン感応膜に含有させる電
位安定化物質、その関連物質としては、 Ag+ 及び
/又はX- をAgX=Ag+ +X- の解離平衡時の少な
くともAg+ 、X- の濃度(その濃度以上)含有させ
る、 においてオン感応膜にX- が含有される場
合、特にその解離平衡時の濃度より多く含有され過ぎる
場合には、特に後者ではAgXのハロゲン化銀塩はAg
1-n n 錯体となり、イオン感応膜中に溶解し易いの
で、イオン感応膜にAgXをその飽和濃度まで溶解させ
ておく、 イオン感応膜に検体液や基準液からのアニ
オンの妨害を受けないようにアニオン排除剤(例えばN
a−TPB(ナトリウム・テトラキスフェニルボレー
ト)、K−TCPB(ポッタシウム・テトラキス−p−
クロロフェニルボレート))を併用する場合には、イオ
ン感応膜中にAg+ やX- 、あるいはAgX1-n n 錯体
が高濃度に存在すると、これらのイオンや錯体がアニオ
ン排除剤と会合を起こし、イオン対となってしまうた
め、これらのイオンや錯体の有効濃度が低下するので、
イオン感応膜に添加しているイオン感応物質であるイオ
ノフオアを添加しておく、 上記〜とは別系統と
なるが、上記のアニオン排除剤をこれが検体液や基準液
からのアニオンを排除するに足る濃度を越えて(その濃
度以上)、例えばNa−TPBの場合には少なくとも1
×10-2M(モル)(1×10-2M以上)添加する。こ
れら〜の各手段は複数併用することもできる。
In the present invention, the electrical resistance of the silver halide layer is reduced and the dissociation equilibrium of AgX (AgX
= Ag + + X -) constituents is controlled to be dissolved in the ion-sensitive membrane to the dissociation equilibrium to stabilize (fixed), the potential stabilizing substances to ion-sensitive membrane, to contain the related substances In this case, the potential at the interface between the silver halide layer and the ion-sensitive film is rapidly stabilized, and the variation in the potential is small. The accuracy of the process is good, and the cost in the production process can be reduced. Potential stabilizing substances contained in these ion-sensitive membranes, and related substances, include Ag + and / or X at the concentration of at least Ag + and X at the time of dissociation equilibrium of AgX = Ag + + X ) is contained, X in ion-sensitive membrane at - If is contained, if too especially contained more than the concentration at the time of dissociation equilibrium, the silver halide salts of AgX, especially the latter Ag
Becomes X 1-n n complex, because it is easy to dissolve in the ion sensitive membrane, previously dissolved AgX to its saturation concentration in the ion-sensitive membrane is not subject to anion interference from the analyte solution and the reference solution to the ion-selective membrane As described above, an anion eliminator (for example, N
a-TPB (sodium tetrakisphenylborate), K-TCPB (potassium tetrakis-p-
When used in combination chlorophenyl borate)) is, Ag + and X in the ion-sensitive membrane - or the AgX 1-n n complex is present at a high concentration, these ions or complex cause associated with anionic exclusion agent, Because it becomes an ion pair, the effective concentration of these ions and complexes decreases,
Ionophore, which is an ion-sensitive substance added to the ion-sensitive membrane, is added in advance. This is a different system from the above, but the anion scavenger described above is sufficient to eliminate anions from the sample solution and the reference solution. Above the concentration (at least that concentration), eg at least 1 in the case of Na-TPB
X 10 -2 M (mol) (1 x 10 -2 M or more) is added. Each of these means can be used in combination.

【0009】このようにすると、では、AgX=Ag
+ +X- の解離平衡は固定化され、製造されるマルチイ
オンセンサプレート個々の電極のAgX層のAg+ 、X
- のイオン感応膜に対するわずかな溶解量のバラツキ
や、周囲の環境条件等の変化によるその溶解量の変化は
無視することができるようになり、AgX層とイオン感
応膜の界面における発生電位は非常に狭い範囲に制御さ
れる。また、では、AgXを予めイオン感応膜に混入
しておくことにより、AgX層のAgXがAgX1-n n
錯体を形成してこのイオン感応膜に溶解してくることを
避けることができ、AgX=Ag+ +X- の解離平衡は
固定化されるのに対し、その予めの混入を行わない場合
にはAgXがイオン感応膜に徐々に溶解している過程で
は、AgX層とイオン感応膜の界面におけるAgX=A
+ +X- の解離平衡も固定化しないのみならず、非常
に長い期間には下地のAgXが溶解し尽くされてAg層
が露出し、AgXと金属のAgの平衡電位の相違から、
発生電位に誤差を生じる危険があるが、前者の場合には
これを回避することができる。なお、一般的にAgXの
ハロゲン化銀塩は、X- を高濃度に含む溶液中では、A
gX1-n n 錯体として溶解することが知られている。ま
た、では、上記の会合しているイオン対の陽イオンを
イオノフオアでキレート化し、Ag+ やX- 、AgX
1-n n 錯体のいわゆる電位決定イオン、錯体のイオン感
応膜中における有効濃度を向上させて、AgX=Ag+
+X- の解離平衡を固定化できる。また、では、例え
ばNa−TPBはNa、Liを除くアルカリ金属や1価
の金属イオンM+ と反応してM−TPBの難溶性沈殿物
を生じることが知られていることから、Ag+ とも反応
し、Ag−TPBとなると考えられるが、イオン感応膜
にNa−TPBを予め上記の所定量以上含有させておく
と、AgX層の格子間のAg+ や溶解により生じたAg
+ と、AgX層とイオン感応膜の界面で反応して、Ag
−TPBが形成される。これにより、その界面にはAg
XがAg−TPBで置換された形となり、発生電位はA
g−TPB=Ag+ +TPB- の解離平衡で決定される
が、イオン感応膜中のTPBは所定濃度以上、すなわち
1×10-2M以上の高濃度に制御されているので、Ag
+ やTPB- のイオン感応膜に対する溶解は制御され、
Ag−TPB=Ag+ +TPB- の解離平衡は固定化さ
れ、発生電位は安定化する。この場合には、AgX=A
+ +X- の平衡を揺るがす原因がなくなるので、上記
、の手段を採る場合の解決しようとする問題点はな
くなる。
In this case, AgX = Ag
+ + X - is the dissociation equilibrium is immobilized, the AgX layer of the multi-ion sensor plate individual electrode manufactured Ag +, X
The slight variation in the amount of-dissolved in the ion-sensitive membrane and the change in the amount of dissolved due to changes in the surrounding environmental conditions can be neglected, and the potential generated at the interface between the AgX layer and the ion-sensitive membrane is extremely low. Is controlled within a narrow range. In addition, AgX is previously mixed into the ion-sensitive membrane, so that AgX of the AgX layer becomes AgX 1-n n
Formation of a complex and dissolution in the ion-sensitive membrane can be avoided, and the dissociation equilibrium of AgX = Ag + + X is fixed. Is gradually dissolved in the ion-sensitive membrane, AgX = A at the interface between the AgX layer and the ion-sensitive membrane.
Not only does the dissociation equilibrium of g + + X not be fixed, but over a very long period, the underlying AgX is dissolved and the Ag layer is exposed, and from the difference in the equilibrium potential of AgX and Ag of the metal,
There is a risk that an error occurs in the generated potential, but in the former case, this can be avoided. In general, a silver halide salt of AgX is used in a solution containing a high concentration of X −.
It is known to dissolve as gX 1-n n complex. In addition, cations of the above-mentioned associated ion pairs are chelated with ionophores, and Ag + , X , AgX
1-n n-called potential determining ion complex, to improve the effective concentration in the ion-sensitive membrane of the complex, AgX = Ag +
+ X - can be immobilized to the dissociation equilibrium of. Also, in, for example, since the Na-TPB is known to Na, reacts with + alkali metal or monovalent metal ions M with the exception of Li results in a poorly soluble precipitate of M-TPB, Ag + Tomo It is considered that Ag-TPB reacts with Ag-TPB. However, if Na-TPB is contained in the ion-sensitive membrane in the above-mentioned predetermined amount or more, Ag + generated between lattices of AgX layer and Ag generated by dissolution are obtained.
+ Reacts at the interface between the AgX layer and the ion-sensitive membrane to form Ag.
-TPB is formed. As a result, Ag at the interface
X is replaced with Ag-TPB, and the generated potential is A
Although determined by the dissociation equilibrium of g-TPB = Ag + + TPB , the concentration of TPB in the ion-sensitive membrane is controlled to a predetermined concentration or higher, that is, 1 × 10 −2 M or higher.
The dissolution of + and TPB -into the ion-sensitive membrane is controlled,
Ag-TPB = Ag + + TPB - the dissociation equilibrium is immobilized, evolution potential is stabilized. In this case, AgX = A
g + + X - in so cause shake equilibrium is lost, not the problem to be solved in the case of adopting a means of the above.

【0010】Cl- の供給源としては、具体的には例え
ばトリオクチルメチルアンモニウムクロリドが挙げられ
るが、一般式R4+ Cl- (Rはアルキル基を表し、
以下同様)で表されるアンモニウム塩であれば同様の効
果が得られ、また、アンモニウム塩でなくとも、例えば
一般式R4+ Cl- で表されるホスホニウム塩でもよ
い。XはClのほか、Br、IでもClの場合と同様の
効果が得られ、一般式で表せば、R4+ Br- 、R4
+ - 、R4+ Br- 、R4+ - 等の化合物を
挙げることができる。なお、上記の電位安定化に関する
発明については特願平9−367808号明細書に詳述
されており、これを利用することができる。
[0010] Cl - as a source of, but specifically include trioctylmethylammonium chloride for example, the general formula R 4 N + Cl - (R represents an alkyl group,
The same effect can be obtained as long as it is an ammonium salt represented by the following. The same is true, and a phosphonium salt represented by, for example, a general formula R 4 P + Cl may be used instead of the ammonium salt. X has the same effect as Cl in Br and I in addition to Cl. In the general formula, R 4 N + Br , R 4
N + I -, R 4 P + Br -, R 4 P + I - and the like can be given compounds. The invention relating to the above-mentioned potential stabilization is described in detail in the specification of Japanese Patent Application No. 9-367808, which can be used.

【0011】また、本発明においては、イオン感応膜の
材料としてポリ塩化ビニル系樹脂を用い、イオン感応膜
中に可塑剤を40〜80重量%含有させてもよく、この
可塑剤を65〜80重量%含有させる場合には、イオン
感応膜用樹脂溶液中の可塑剤は、ポリ塩化ビニル系樹脂
に対する溶解性が大きくない、いわゆる貧溶媒であるの
で、その樹脂に対する使用割合を高めることによりこの
樹脂やイオノフオアその他の添加物の可塑剤に対する分
散状態を向上させることができ、その溶液を滴下して塗
布膜を形成し、自然乾燥させるときに溶媒が揮発すると
きにも、塗布膜の表面や内部に対流が発生し難くなっ
て、「ゆず肌」を生ぜず、添加したイオノフオアや添加
塩、さらには添加した上述した電位安定化物質の分散状
態も良く維持され、また、その塗布膜の流動性も維持さ
れており、より均一な組成の膜にすることができる。こ
のように電位安定化物質やイオノフオア等の分散状態も
よく、均一組成の膜が形成されると、検体液や基準液の
水分の浸透状態が均一化され、測定値のバラツキを少な
くできる。また、可塑剤のポリ塩化ビニル系樹脂に対す
る使用量を多くしたイオン感応膜は柔軟性が十分にあ
り、下地の上記改質ハロゲン化銀層の微細な凹凸にも追
従して密着し、その接触面積を増大でき、イオン感応膜
とハロゲン化銀層の界面の抵抗を小さくすることができ
るとともに、イオン感応膜中に含有されている電位安定
化物質やイオノフオア等は、上述したハロゲン化銀等の
化学平衡を安定化するような制御が効率良く働き、これ
により初期特性が良くなるのみならず、ハロゲン化銀層
とイオン感応膜との界面における電位が速やかに安定
し、初期特性のバラツキが少なく、測定値のバラツキを
少なくできる。初期特性の安定化が速ければその検査も
速やかに行なえ、そのバラツキが少なければ歩留まり率
を向上できる。このようにして、信頼性が高いだけでは
なく、生産性の良いイオンセンサ及びイオンセンサプレ
ートを提供することができ、特に検体液や基準液に可塑
剤等が溶解してもその影響が少ない1回限り使用の使い
捨て型の簡易型イオンセンサ及びイオンセンサプレート
として有用である。上記のポリ塩化ビニル系樹脂として
は、塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと酢酸ビニルやビニル
アルコール、カルボキシル基含有モノマーその他のビニ
ル系モノマーの少なくとも1種との共重合体が挙げら
れ、また、上記可塑剤としては、フタル酸系可塑剤、脂
肪族二塩基酸系可塑剤、置換又は非置換フェノールと高
級アルコールとのエーテルその他の可塑剤を挙げること
ができ、これらは可塑剤が多くなる比率で用いてもよい
し、その他の場合でもよい。なお、この可塑剤含有量に
関する発明は特願平9−367810号明細書に詳述さ
れており、これを利用することができる。
In the present invention, a polyvinyl chloride resin is used as a material for the ion-sensitive film, and the plasticizer may be contained in the ion-sensitive film in an amount of 40 to 80% by weight. In the case where the resin is contained by weight, the plasticizer in the resin solution for the ion-sensitive membrane is a so-called poor solvent that does not have high solubility in the polyvinyl chloride resin, and therefore, by increasing the use ratio of the resin to the resin, And the dispersion of the ionophore and other additives in the plasticizer can be improved, and the solution is added dropwise to form a coating film. Convection hardly occurs, does not cause `` citrus skin '', the added ionophore and the added salt, and the dispersed state of the added potential stabilizing substance are also well maintained, And its fluidity of the coating film have also been maintained, it is possible to film a more uniform composition. As described above, the dispersion state of the potential stabilizing substance, the ionophore, and the like is also good. When a film having a uniform composition is formed, the state of penetration of the moisture of the sample liquid and the reference liquid is made uniform, and the dispersion of measured values can be reduced. In addition, the ion-sensitive membrane in which the plasticizer is used in an increased amount with respect to the polyvinyl chloride resin has sufficient flexibility, adheres closely to the fine irregularities of the above-mentioned modified silver halide layer, and contacts the ion-sensitive membrane. The area can be increased, the resistance at the interface between the ion-sensitive film and the silver halide layer can be reduced, and the potential stabilizing substances and ionophores contained in the ion-sensitive film are the same as those of the silver halide described above. Control that stabilizes the chemical equilibrium works efficiently, which not only improves initial characteristics, but also quickly stabilizes the potential at the interface between the silver halide layer and the ion-sensitive film, and reduces variations in initial characteristics. In addition, variations in measured values can be reduced. If the initial characteristics are quickly stabilized, the inspection can be performed quickly, and if the variation is small, the yield rate can be improved. In this way, it is possible to provide an ion sensor and an ion sensor plate having not only high reliability but also high productivity. In particular, even if a plasticizer or the like is dissolved in a sample liquid or a reference liquid, the influence thereof is small. It is useful as a one-time use disposable simple ion sensor and ion sensor plate. Examples of the polyvinyl chloride resin include a vinyl chloride resin, a copolymer of vinyl chloride and at least one of vinyl acetate, vinyl alcohol, a carboxyl group-containing monomer, and other vinyl monomers. As the phthalic acid-based plasticizer, aliphatic dibasic acid-based plasticizer, ethers of substituted or unsubstituted phenols and higher alcohols and other plasticizers can be mentioned, and these are used in a ratio where the plasticizer increases. Or other cases. The invention relating to the content of the plasticizer is described in detail in Japanese Patent Application No. 9-368810, which can be used.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】上述したように、図2に示すマル
チイオンセンサプレート本体5と堤体9の接合体を作成
するが、図1に検体液を供給する側の電極の周囲の断面
図を示す。図中、1はガラスエポキシ基板、2aは検体
液測定電極、4aは改質ハロゲン化銀層、3は図2には
図示省略したが塩化銀層等のハロゲン化銀層のうち透孔
6aに臨ませた部分の一部と電極の外側端部(外部電
極)を除いて被覆し、図示省略した他の電極についても
同様に被覆し、実際にはそれぞれの該当する部分を除い
てマルチイオンセンサプレート本体5の表面を被覆する
絶縁膜、4cは窓部、9は堤体、6aは透孔、2dはイ
オン感応膜である。ここで、詳細は図示省略したが改質
ハロゲン化銀層4aは、検体液測定電極2aの銅箔に銀
メッキを施した後、例えば電解による陽極酸化等の手段
によって1μm又はこれよりやや大きい粒径のハロゲン
化銀層を形成し、このハロゲン化銀層に対して銀の比率
を高める還元手段として、銀イオンを還元する例えば紫
外線、紫外線を含む光線等の物理的還元手段や、塩化物
溶液によるエッチング手段を用いることにより形成され
る。紫外線や、紫外線を含む光線をハロゲン化銀層に照
射すると、ハロゲン化銀の銀が還元されて遊離するが、
そのハロゲンイオンとしては揮発性のガスとなって揮散
し易く、通常よく用いられ、その取り扱いが容易である
塩素イオンが好ましい。銀イオンは還元されると銀とな
り、ハロゲンイオンを除外することにより、また、粒子
の粒界がエッチングにより溶解されることにより、ハロ
ケン化銀層のハロゲン化銀の結晶の粒径を1μm以下
(大きくても1μm、以下同様)、好ましくは0.8μ
m以下、より好ましくは0.7μm以下にすることがで
きるが、還元により生じた銀の粒径もこのようにでき
る。また、塩化銀層の結晶の銀とハロゲンとの原子比A
g/Xを大きくすることができ、1.2以上(少なくと
も1.2、以下同様)、好ましくは1.3以上、より好
ましくは1.6以上とすることができる。このように、
ハロゲン化銀層の粒子の粒径が小さくなるとその表面積
が増大し、イオン感応膜との接触面積が大きくなるとと
にも、還元された銀の比率が高まると、電子伝導性が良
くなり、電気抵抗を減少させることができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, a joined body of a multi-ion sensor plate main body 5 and a bank body 9 shown in FIG. 2 is prepared. FIG. 1 is a cross-sectional view around an electrode on the side for supplying a sample liquid. Is shown. In the figure, 1 is a glass epoxy substrate, 2a is a sample liquid measuring electrode, 4a is a modified silver halide layer, 3 is not shown in FIG. 2, but is formed in a through hole 6a of a silver halide layer such as a silver chloride layer. The multi-ion sensor is covered except for a part of the exposed portion and the outer end (external electrode) of the electrode, and the other electrodes not shown are also covered. An insulating film covering the surface of the plate body 5, 4c is a window, 9 is a bank, 6a is a through hole, and 2d is an ion sensitive film. Here, although not shown in detail, the modified silver halide layer 4a is formed by plating the copper foil of the sample liquid measuring electrode 2a with silver, and then, for example, by means of electrolytic anodic oxidation or the like. Forming a silver halide layer having a diameter, as a reducing means for increasing the ratio of silver to the silver halide layer, for example, ultraviolet light for reducing silver ions, a physical reducing means such as a light ray containing ultraviolet light, or a chloride solution Is formed by using the etching means according to (1). When ultraviolet rays or light rays containing ultraviolet rays are irradiated on the silver halide layer, silver of the silver halide is reduced and released,
As the halogen ion, a chlorine ion which is easily used as a volatile gas and is easily used and usually easy to handle is preferable. The silver ions become silver when reduced, and by excluding the halogen ions, and by dissolving the grain boundaries of the grains by etching, the grain size of the silver halide crystals in the silver halogenated layer is 1 μm or less ( At most 1 μm, the same applies hereinafter), preferably 0.8 μm
m, more preferably 0.7 μm or less, but the particle size of the silver produced by the reduction can be adjusted in this manner. In addition, the atomic ratio A of silver and halogen in the crystals of the silver chloride layer
g / X can be increased, and can be set to 1.2 or more (at least 1.2, the same applies to the following), preferably 1.3 or more, more preferably 1.6 or more. in this way,
As the grain size of the silver halide layer becomes smaller, its surface area increases, and the contact area with the ion-sensitive membrane increases.As the proportion of reduced silver increases, the electron conductivity improves, Resistance can be reduced.

【0013】 次に、図2に示すマルチイオンセンサプレ
ート本体5と堤体9の接合体の堤体の透孔6a〜6e、
6’a〜6’eの例えば透孔6a、6’aに、ポリ塩化
ビニル系樹脂、可塑剤、イオン感応物質、必要に応じて
Na−TPB、K−KTPB等のアニオン排除剤等の添
加塩、必要に応じて上述のハロゲン化銀等の解離平衡を
安定化させ、電極のハロゲン化銀層とイオン感応膜との
界面に発生する電位を安定化する上述したハロゲン化銀
の解離平衡構成物質若しくはそのイオンを解離する物
質、又は過剰に加えるアニオン排除剤の電位安定化物
質、又はこれらのアニオン排除剤及びその他の電位安定
化物質の少なくとも1つと併用されるイオン感応膜と同
じ種類で過剰量のイオノフオア等を含有する特定イオン
のイオン感応膜用樹脂溶液であって、その溶液の不揮発
分全体(乾燥後のイオン感応膜全体)に対して可塑剤が
40〜80重量%、好ましくは65〜80重量%、より
好ましく65〜78重量%、さらに好ましくは70〜7
5重量%である樹脂溶液を滴下し、乾燥させて特定イオ
ンのイオン感応膜を形成し、イオン感応性電極を形成す
る。また、他の透孔6bと6’b、6cと6’c、6d
と6’d、6eと6’eにはそれぞれ異なるイオン感応
膜用樹脂溶液を上記と同様に滴下し、乾燥することによ
りそれぞれ異なる他の特定のイオン感応膜を形成したイ
オン感応性電極を形成する。このように、電位安定化物
質、その関連物質を含有させると、上述したように、イ
オン感応膜とハロゲン化銀層との界面の電位を安定化す
ることができる。また、可塑剤を多く含有させると、可
塑剤のポリ塩化ビニル系樹脂に対する使用量を多くした
イオン感応膜は柔軟性が十分にあり、上述したようにハ
ロゲン化銀の粒径を小さくすることによりその表面積を
増大させた改質ハロゲン化銀層の表面の微細な凹凸にも
追従するので、その接触面積が増加し、その界面の電気
抵抗を小さくすることができる。
[0013] Next, the multi-ion sensor shown in FIG.
Through holes 6a to 6e of the embankment of the joint body of the main body 5 and the embankment 9;
For example, polychlorinated is formed in the through holes 6a and 6'a of 6'a to 6'e.
Vinyl resin, plasticizer, ion sensitive material, if necessary
Addition of an anion eliminator such as Na-TPB, K-KTPB, etc.
Salting and, if necessary, dissociation equilibrium of the above silver halide etc.
Stabilize the electrode between the silver halide layer and the ion-sensitive membrane.
The above-mentioned silver halide that stabilizes the potential generated at the interface
Dissociation equilibrium constituents or substances that dissociate their ions
Stabilizing substance of anion exclusion agent added in excess or excess
Quality or their anion scavengers and other potential stable
Same as ion-sensitive membrane used in combination with at least one
Specified ions containing the same type of excess ionophore
A resin solution for an ion-sensitive membrane, wherein the solution is non-volatile
Plasticizer for the whole part (the whole ion-sensitive membrane after drying)
40-80% by weight, preferably 65-80% by weight, more
Preferably 65-78% by weight, more preferably 70-7%.
5% by weight of a resin solution is added dropwise, dried, and
To form an ion-sensitive electrode and an ion-sensitive electrode
You. Further, the other through holes 6b and 6'b, 6c and 6'c, 6d
And 6'd, 6e and 6'e have different ion sensitivity
The resin solution for film is dropped in the same manner as described above and dried.
The other specific ion-sensitive membranes
Form an on-sensitive electrode. Thus, the potential stabilizer
Quality and its related substances, as described above,
Stabilizes the potential at the interface between the on-sensitive film and the silver halide layer
Can be Also, if a large amount of plasticizer is contained,
Increased the amount of plasticizer used for polyvinyl chloride resin
Ion-sensitive membranes are sufficiently flexible and, as described above,
The surface area can be reduced by reducing the particle size of silver
Increased fine irregularities on the surface of the modified silver halide layer
Following, the contact area increases, and the electrical
Resistance can be reduced.

【0014】最後の工程として、図2の場合と同様にマ
ルチイオンセンサプレート本体5と堤体9の接合体を透
明なアクリル樹脂板からなる下部セル10の凹部10
a、10bに填め込み、この下部セル10に透明アクリ
ル樹脂からなる上部セル12を両面接着テープにより接
合し、上記接合体を内装する。このような構造のマルチ
センサプレートの検体液投入部15、基準液投入部16
にそれぞれ検体液、基準液を注射器等により注入し、流
通路13、14にそれぞれの液を流通させ、それぞれの
液を透孔6a〜6e、6’a〜6’e中のイオン感応性
電極に供給するとともに、両者を液絡部7において接触
させ、電気的導通をなし得る状態にする。それから、図
示省略した測定器の端子を端子挿入孔18a、18bに
挿入してその電極の外部電極に接触させることにより検
体液中の5種の異なるイオン濃度を測定できる。
As a final step, the joined body of the multi-ion sensor plate main body 5 and the bank body 9 is replaced with a concave part 10 of a lower cell 10 made of a transparent acrylic resin plate as in the case of FIG.
a, 10b, and the upper cell 12 made of a transparent acrylic resin is bonded to the lower cell 10 with a double-sided adhesive tape, and the above-mentioned bonded body is mounted. The sample liquid inlet 15 and the reference liquid inlet 16 of the multi-sensor plate having such a structure.
Respectively, a sample solution and a reference solution are injected by a syringe or the like, and the respective solutions are passed through the flow passages 13 and 14, and the respective solutions are supplied to the ion-sensitive electrodes in the through holes 6a to 6e and 6'a to 6'e. And at the same time, they are brought into contact at the liquid junction 7 so that electrical conduction can be achieved. Then, by inserting the terminals of the measuring instrument (not shown) into the terminal insertion holes 18a and 18b and bringing them into contact with the external electrodes of the electrodes, five different ion concentrations in the sample liquid can be measured.

【0015】[0015]

【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 実施例1 図2に示すマルチイオンセンサプレート本体5の電極に
ついては、便宜上、図1に示す検体液を供給する側の電
極について説明すると、上述したように、検体液測定電
極2aの銅箔に銀メッキを施し、この銀メッキした電極
を陽極、白金メッキチタンメッシュを陰極として、塩酸
溶液中で陽極電流密度0.23A/dm2 により2分4
0秒間電解による陽極酸化処理をし、約1μmの粒径
(走査型電子顕微鏡による測定値、以下同様)の塩化銀
粒子からなる塩化銀層を形成し、この塩化銀層に対して
高圧水銀灯にて紫外線(強度70mW/cm2 )を15
0秒間照射し、改質塩化銀層4aを形成する。この紫外
線を照射した後の走査型電子顕微鏡写真を図3に示す。
この紫外線照射後の改質塩化銀層の粒径は0.2μm〜
0.7μmであった。また、この紫外線照射後の改質塩
化銀層について銀と塩素の原子比Ag/Cl比をEDS
(エネルギー分散型元素検出器)で分析したところ、図
6に示す通りであった。また、この紫外線照射後の改質
塩化銀層について抵抗値を測定した結果を図7に示す。
なお、点線は改善基準線である。このようにして検体液
を供給する側の電極が形成されるが、これと一対となる
基準液を供給する側の電極についても同様に形成し、そ
の他の対の組の電極についても同様に形成し、ついで図
2に示すようにマルチイオンセンサプレート本体5と堤
体9を接合した接合体を作成する。次に、各電極にイオ
ン感応膜を形成するために、可塑剤であるDOA(ジオ
クチルアジペート)2gにトリオクチルメチルアンモニ
ウムクロライドのような第4級アミン塩(Cl- の供給
源)を0.8mg添加し、さらに粉末のAgCl(電位
安定化物質)10mgを加え、攪拌する。その混合液の
上澄み液250mgを分取し、これにPVC(電気化学
工業社製の塩化ビニル:ビニルアルコール:酢酸ビニル
=90:6:4の共重合体)72mg、バリノマイシン
(カリウムイオン検出用イオノフオア)14mg、K−
TCPB(ポッタシウム・テトラキス(p−クロロフェ
ニル)ボレート、同仁化学社製、アニオン排除剤)1.
24mgを添加し、さらに溶媒のTHF(テトラヒドロ
フラン)250mg加え、イオン感応膜用樹脂溶液とす
る。このイオン感応膜用樹脂溶液のTHFを除く不揮発
分中に占めるDOAの割合は75重量%と近似できる。
このイオン感応膜用樹脂溶液を上述の図1、2に基づい
た説明のように、透孔6a、6’aを介して塩化銀層4
a、4bに滴下することにより塗布し、自然乾燥させて
イオン感応膜2dとしてカリウムイオン感応膜を形成し
た。このような図1、2に示す構造のマルチイオンセン
サプレートを20個作成し、製造当初のこれらのそれぞ
れを用いて、検体液として4mMのKClを含む水溶
液、基準液として所定の基準液を用いた場合の上述した
測定法による電位を測定し、その標準偏差σ(mV)を
求めた結果を図8に示す。なお、点線は改善基準線であ
る。なお、実際のカリウムイオン濃度測定値は、その電
位の測定値を予め求めておいた電位と濃度の関係に当て
はめて求める。以下同様である。
Next, embodiments of the present invention will be described. Example 1 For convenience, the electrodes of the multi-ion sensor plate main body 5 shown in FIG. 2 will be described with respect to the electrodes on the side for supplying the sample liquid shown in FIG. The silver-plated electrode was used as an anode and the platinum-plated titanium mesh was used as a cathode in a hydrochloric acid solution at an anode current density of 0.23 A / dm 2 for 2/4.
Anodize by electrolysis for 0 seconds to form a silver chloride layer composed of silver chloride particles having a particle size of about 1 μm (measured by a scanning electron microscope, the same applies hereinafter). UV (intensity 70 mW / cm 2 )
Irradiate for 0 second to form the modified silver chloride layer 4a. FIG. 3 shows a scanning electron micrograph after the irradiation with the ultraviolet rays.
The particle size of the modified silver chloride layer after this UV irradiation is 0.2 μm or more.
It was 0.7 μm. Further, the atomic ratio Ag / Cl of silver and chlorine of the modified silver chloride layer after the irradiation of the ultraviolet rays was changed to EDS.
(Energy dispersive element detector), the result was as shown in FIG. FIG. 7 shows the results of measuring the resistance value of the modified silver chloride layer after the irradiation of the ultraviolet rays.
Note that the dotted line is an improvement reference line. The electrode on the side supplying the sample liquid is formed in this manner. The electrode on the side supplying the reference liquid, which is a pair with the electrode, is formed in the same manner, and the other pairs of electrodes are formed in the same manner. Then, as shown in FIG. 2, a joined body in which the multi-ion sensor plate main body 5 and the bank body 9 are joined is prepared. Next, in order to form an ion-sensitive membrane to the electrodes, DOA plasticizers (dioctyl adipate) 2 g to trioctylmethylammonium chloride quaternary amine salts, such as chloride - chlorine (Cl sources) 0.8 mg Then, 10 mg of powdered AgCl (potential stabilizing substance) is further added, followed by stirring. A supernatant (250 mg) of the mixed solution was separated, and 72 mg of PVC (copolymer of vinyl chloride: vinyl alcohol: vinyl acetate = 90: 6: 4, manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK) and valinomycin (ionophore for potassium ion detection) were collected. ) 14 mg, K-
TCPB (potassium tetrakis (p-chlorophenyl) borate, manufactured by Dojin Chemical Co., Ltd., anion exclusion agent)
24 mg was added, and 250 mg of THF (tetrahydrofuran) as a solvent was further added to obtain a resin solution for an ion-sensitive membrane. The proportion of DOA in the non-volatile components other than THF of the resin solution for an ion-sensitive membrane can be approximated to 75% by weight.
As described with reference to FIGS. 1 and 2 above, this resin solution for an ion-sensitive film is used to form the silver chloride layer 4 through the through holes 6a and 6'a.
a and 4b were applied by dripping and dried naturally to form a potassium ion-sensitive film as an ion-sensitive film 2d. Twenty multi-ion sensor plates having the structure shown in FIGS. 1 and 2 were prepared, and an aqueous solution containing 4 mM KCl was used as a sample solution, and a predetermined reference solution was used as a reference solution, using each of them at the beginning of manufacture. FIG. 8 shows the result of measuring the potential by the above-described measuring method in the case where the voltage was applied and obtaining the standard deviation σ (mV). Note that the dotted line is an improvement reference line. The actual measured value of the potassium ion concentration is obtained by applying the measured value of the potential to the relationship between the potential and the concentration determined in advance. The same applies hereinafter.

【0016】実施例2 実施例1において、紫外線の照射条件を70mW/cm
2 、30秒間にしたこと以外は同様にして改質塩化銀層
のAg/Cl比を求めた結果を図6、その抵抗値を測定
した結果を図7に示す。また、このようにして塩化銀層
を形成したこと以外は実施例1と同様にしてカリウムイ
オン感応膜を有する20個のマルチイオンセンサプレー
トを作成し、これらについても実施例1と同様にして電
位を測定し、その標準偏差を求めた結果を図8に示す。
Example 2 In Example 1, the irradiation condition of the ultraviolet rays was 70 mW / cm.
FIG. 6 shows the result of calculating the Ag / Cl ratio of the modified silver chloride layer in the same manner except that the time was set to 2 and 30 seconds, and FIG. 7 shows the result of measuring the resistance value. Except that the silver chloride layer was formed in this manner, 20 multi-ion sensor plates each having a potassium ion-sensitive film were prepared in the same manner as in Example 1, and the potential of these was also measured in the same manner as in Example 1. Is measured, and the standard deviation thereof is shown in FIG.

【0017】実施例3 実施例1において、塩化銀層を形成した後、その塩化銀
層を10mM(ミリモル)の塩素イオンを含む溶液(ト
リオクチルメチルアンモニウムクロリドのエタノール溶
液)に5時間浸漬し、塩化銀の粒界をわずかに溶解する
エッチングを行なった。この操作を自然光下で行なって
改質塩化銀層を形成し、その粒径の走査型電子顕微鏡写
真を図4に示す。このエッチング処理後の改質塩化銀層
の粒子の粒径は0.4μm〜0.8μmであった。ま
た、実施例1と同様に改質塩化銀層について銀と塩素の
原子比Ag/Cl比を分析した結果を図6に示し、ま
た、その改質塩化銀層について抵抗値を測定した結果を
図7に示す。このようにして改質塩化銀層を形成したこ
と以外は実施例1と同様にしてカリウムイオン感応膜を
有する20個のマルチイオンセンサプレートを作成し、
これらについても実施例1と同様にして電位を測定し、
その標準偏差を求めた結果を図8に示す。
Example 3 In Example 1, after the silver chloride layer was formed, the silver chloride layer was immersed in a solution containing 10 mM (mmol) of chloride ions (ethanol solution of trioctylmethylammonium chloride) for 5 hours. Etching was performed to slightly dissolve the silver chloride grain boundaries. This operation was performed under natural light to form a modified silver chloride layer, and a scanning electron micrograph of the particle size is shown in FIG. The particle size of the particles of the modified silver chloride layer after this etching treatment was 0.4 μm to 0.8 μm. FIG. 6 shows the result of analyzing the silver / chlorine atomic ratio Ag / Cl ratio of the modified silver chloride layer in the same manner as in Example 1, and the result of measuring the resistance value of the modified silver chloride layer. As shown in FIG. Except for forming the modified silver chloride layer in this manner, 20 multi-ion sensor plates each having a potassium ion-sensitive membrane were prepared in the same manner as in Example 1,
For these, the potential was measured in the same manner as in Example 1, and
FIG. 8 shows the result of calculating the standard deviation.

【0018】比較例1 実施例1において、紫外線の照射を行なわず、その後の
操作を自然光下で行ったこと以外は同様にして電極を形
成した。塩化銀層の粒子の粒径の走査型電子顕微鏡写真
を図5に示す。その粒径は1μm程であった。また、塩
化銀層のAg/Cl比を求めた結果を図6、その抵抗値
を測定した結果を図7に示す。また、このようにして電
極を形成したこと以外は実施例1と同様にしてカリウム
イオン感応膜を有する20個のマルチイオンセンサプレ
ートを作成し、これらについても実施例1と同様にして
電位を測定し、その標準偏差を求めた結果を図8に示
す。
Comparative Example 1 An electrode was formed in the same manner as in Example 1 except that the irradiation was not performed with ultraviolet rays and the subsequent operation was performed under natural light. FIG. 5 shows a scanning electron micrograph of the particle size of the particles in the silver chloride layer. The particle size was about 1 μm. FIG. 6 shows the result of determining the Ag / Cl ratio of the silver chloride layer, and FIG. 7 shows the result of measuring the resistance value. Except that the electrodes were formed in this manner, 20 multi-ion sensor plates each having a potassium ion-sensitive membrane were prepared in the same manner as in Example 1, and the potentials were measured for these in the same manner as in Example 1. FIG. 8 shows the result of calculating the standard deviation.

【0019】以上の結果から、実施例1が各種測定値に
おいて最も優れ、ついで実施例2、さらに実施例3の順
となっているが、実施例3の場合でも比較例よりは優れ
ており、紫外線照射の効果が大きいほど良い結果となっ
ている。
From the above results, Example 1 is the best in various measured values, followed by Example 2 and then Example 3. However, Example 3 is also superior to the comparative example. The better the effect of ultraviolet irradiation, the better the result.

【0020】上記の発明において、改質ハロゲン化銀層
の粒子の粒径を0.2μm〜0.7又は0.2μm〜
0.8μm、0.4μm〜0.7μm又は0.4μm〜
0.8μmとしてもよく、Ag/X比を1.2〜1.6
又は1.3〜1.6、1.6以上(ハロゲン化銀層存在
下)としてもよい。
In the above invention, the grain size of the grains of the modified silver halide layer is from 0.2 μm to 0.7 or from 0.2 μm to 0.2 μm.
0.8 μm, 0.4 μm to 0.7 μm or 0.4 μm
It may be 0.8 μm, and the Ag / X ratio is 1.2 to 1.6.
Alternatively, it may be 1.3 to 1.6, 1.6 or more (in the presence of a silver halide layer).

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明によれば、銀層上に設けたその表
面をハロゲン化して形成された改質ハロゲン化銀層のA
g/X比を少なくとも1.2としたので、改質ハロゲン
化銀層の電気抵抗を小さくでき、また、改質ハロゲン化
銀層の粒子の粒径を1μm以下とすることにより、イオ
ン感応膜との接触面積を増大させることができ、これら
によりハロゲン化銀層とイオン感応膜との界面における
電気抵抗を小さくすることができ、これにより測定回路
に流れる電流により発生するイオンその界面における
電位の影響が小さくなって、その界面における電位のバ
ラツキによるノイズを減らすことができ、イオン濃度の
検出値の測定精度の良いイオンセンサ、イオンセンサプ
レートを提供することができる。また、Ag/X比を上
げるために還元手段として紫外線を主として含む光線や
自然光下でのエッチング手段を用いれば、その還元処理
が容易、迅速に行なえ、特に光線のみによる処理の場合
には薬品を使用しないで済むので、不純物を残すことな
く、低抵抗かつそのバラツキの少ない改質ハロゲン化
層を形成できる。
According to the present invention, the surface provided on the silver layer is provided.
A of the modified silver halide layer formed by halogenating the surface
Since the g / X ratio is at least 1.2, the electric resistance of the modified silver halide layer can be reduced, and the particle size of the particles of the modified silver halide layer is 1 μm or less, so that the ion-sensitive film contact area between the can be increased, these makes it possible to reduce the electric resistance at the interface between the silver halide layer and the ion-sensitive membrane, the potential at the interface of ions thereby generated by the current flowing through the measuring circuit , The noise due to the variation in the potential at the interface can be reduced, and an ion sensor and an ion sensor plate with high measurement accuracy of the ion concentration detection value can be provided. Also, if a light mainly containing ultraviolet rays or an etching means under natural light is used as the reducing means to increase the Ag / X ratio, the reduction can be performed easily and quickly. since it is not necessary to use, without leaving impurities to form a low resistance and little modification silver halide <br/> layer of the variation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のマルチイオンセンサプレー
トの部分断面図である。
FIG. 1 is a partial sectional view of a multi-ion sensor plate according to one embodiment of the present invention.

【図2】マルチイオンセンサプレートの分解斜視図であ
る。
FIG. 2 is an exploded perspective view of a multi-ion sensor plate.

【図3】本発明の一実施例のマルチイオンセンサプレー
トの電極の改質塩化銀層の電子顕微鏡写真である。
FIG. 3 is an electron micrograph of a modified silver chloride layer of an electrode of the multi-ion sensor plate according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例のマルチイオンセンサプレ
ートの電極の改質塩化銀層の電子顕微鏡写真である。
FIG. 4 is an electron micrograph of a modified silver chloride layer of an electrode of a multi-ion sensor plate according to another embodiment of the present invention.

【図5】比較例のマルチイオンセンサプレートの電極の
改質塩化銀層の電子顕微鏡写真である。
FIG. 5 is an electron micrograph of a modified silver chloride layer of an electrode of a multi-ion sensor plate of a comparative example.

【図6】本発明の実施例及び比較例のマルチイオンセン
サプレートの電極の塩化銀層のAg/Cl比を測定した
結果を示す表である。
FIG. 6 is a table showing the results of measuring the Ag / Cl ratio of the silver chloride layers of the electrodes of the multi-ion sensor plates of Examples and Comparative Examples of the present invention.

【図7】本発明の実施例及び比較例のマルチイオンセン
サプレートを使用してそれぞれの改質塩化銀層、塩化銀
層の抵抗値を示したグラフである。
FIG. 7 is a graph showing resistance values of a modified silver chloride layer and a silver chloride layer using the multi-ion sensor plates of Examples and Comparative Examples of the present invention.

【図8】本発明の実施例及び比較例のマルチイオンセン
サプレートを使用して電極の電位を測定した測定値の標
準偏差を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the standard deviation of the measured values of the potentials of the electrodes using the multi-ion sensor plates of Examples and Comparative Examples of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2a 検体液測定電極 2b 基準電極 2d イオン感応膜 5 マルチイオンセンサープレート本体 7 液絡部 13、14 流通路 2a Sample liquid measurement electrode 2b Reference electrode 2d Ion-sensitive membrane 5 Multi-ion sensor plate main body 7 Liquid junction 13, 14 Flow passage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 明彦 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−288962(JP,A) 特開 平3−87644(JP,A) 特開 昭54−133400(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 27/28 331 G01N 27/30 311 G01N 27/333 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Akihiko Mochizuki 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Yuden Co., Ltd. (56) References JP-A-6-288962 (JP, A) JP-A-3 -87644 (JP, A) JP-A-54-133400 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01N 27/28 331 G01N 27/30 311 G01N 27/333

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 銀層上に設けたその表面をハロゲン化し
て形成されたハロゲン化銀層を改質した改質ハロゲン化
銀層上に特定イオンに感応するイオン感応膜の被覆膜を
有する検体液測定電極と基準電極を一対にして少なくと
も一組有するイオンセンサープレート本体を設け、この
イオンセンサプレート本体に測定回路を接続して検体液
の特定イオン濃度を測定できるようにしたイオンセンサ
であって、上記改質ハロゲン化銀層は上記銀層上に上記
ハロゲン化銀層を設けた後銀イオンを還元する還元手段
により処理された層であり、該改質ハロゲン化銀層の改
質が上記ハロゲン化銀層の銀とハロゲンの原子比Ag/
を少なくとも1.2とすることであるイオンセンサ。
Claims: 1. A surface provided on a silver layer is halogenated.
Ion having at least one pair of a sample liquid measurement electrode and a reference electrode having a coating film of an ion-sensitive film sensitive to a specific ion on a modified silver halide layer obtained by modifying a formed silver halide layer An ion sensor provided with a sensor plate main body, and a measurement circuit connected to the ion sensor plate main body so that a specific ion concentration of a sample liquid can be measured, wherein the modified silver halide layer is provided on the silver layer.
Reduction means for reducing silver ions after providing a silver halide layer
By a layer that has been treated, modification of the modified silver halide layer is silver and the halogen of said silver halide layer atomic ratio Ag /
An ion sensor wherein X is at least 1.2.
【請求項2】 改質ハロゲン化銀層のハロゲン化銀及び
銀の粒径が大きくても1μmである請求項1に記載のイ
オンセンサ。
2. The ion sensor according to claim 1, wherein the grain size of silver halide and silver in the modified silver halide layer is at most 1 μm.
【請求項3】 銀層上に設けたその表面をハロゲン化し
て形成されたハロゲン化銀層を改質した改質ハロゲン化
銀層上にイオン感応膜の被覆膜を有する検体液測定電極
と基準電極を一対にして少なくとも一組を基板上に設け
たイオンセンサプレート本体と、上記検体液測定電極に
検体液を供給する閉じた流通路と上記基準電極に基準液
を供給する閉じた流通路をそれぞれ上記基板面上に形成
し、それぞれの流通路に連通する検体液投入部、基準液
投入部を有する上部セルと、上記イオンセンサプレート
本体に設けられ上記それぞれの流通路に供給された検体
液、基準液を液絡する液絡部とを少なくとも有し、上記
改質ハロゲン化銀層は上記銀層上に上記ハロゲン化銀層
を設けた後銀イオンを還元する還元手段により処理され
た層であり、該改質ハロゲン化銀層の改質が上記ハロゲ
ン化銀層の銀とハロゲンの原子比Ag/を少なくとも
1.2とすることであるイオンセンサプレート。
3. The surface provided on the silver layer is halogenated.
Ion having at least one pair of a sample liquid measurement electrode and a reference electrode provided on a substrate and having a coating film of an ion-sensitive film formed on a modified silver halide layer obtained by modifying the formed silver halide layer. A sensor plate body, a closed flow path for supplying a sample liquid to the sample liquid measurement electrode, and a closed flow path for supplying a reference liquid to the reference electrode are formed on the substrate surface, and communicate with the respective flow paths. A sample liquid supply section, an upper cell having a reference liquid supply section, and at least a liquid junction provided in the ion sensor plate main body and supplied to the respective flow passages, and a liquid junction section for liquid junction of the reference liquid. The modified silver halide layer is provided on the silver layer and the silver halide layer
After being provided, is treated by a reducing means for reducing silver ions.
And a layer, the ion sensor plate reformer of the reforming silver halide layer is to at least 1.2 atomic ratios Ag / X of silver and silver of the silver halide layer.
【請求項4】 改質ハロゲン化銀層のハロゲン化銀及び
銀の粒径が大きくても1μmである請求項3記載のイオ
ンセンサプレート。
4. The ion sensor plate according to claim 3, wherein the grain size of silver halide and silver in the modified silver halide layer is at most 1 μm.
【請求項5】 還元手段による処理は紫外線を主として
含む光線照射による処理又は自然光下でハロゲンイオン
溶液によりハロゲン化銀層の粒界をエッチングすること
である請求項1又は2に記載のイオンセンサの製造方
法。
Wherein the treatment with a reducing means of the ion sensor according to claim 1 or 2 grain boundaries is to etch the silver halide layer by a halogen ion solution under processing or natural light by mainly comprising light irradiating ultraviolet rays Production method.
【請求項6】 還元手段による処理は紫外線を主として
含む光線照射による処理又は自然光下でハロゲンイオン
溶液によりハロゲン化銀層の粒界をエッチングすること
である請求項3又は4に記載のイオンセンサプレートの
製造方法。
6. The ion sensor plate according to claim 3, wherein the treatment by the reducing means is treatment by irradiation with light mainly containing ultraviolet rays or etching of the grain boundaries of the silver halide layer with a halogen ion solution under natural light. Manufacturing method.
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