JP3350810B2 - イオンセンサ及びイオンセンサプレート - Google Patents
イオンセンサ及びイオンセンサプレートInfo
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Description
イオンのイオンセンサ、特にその部品である使い捨ての
簡易型イオンセンサプレートにおいて、測定値の精度を
向上させるとともに、測定値が安定化するまでに要する
時間を短縮するようにしたものに関する。
ロゲン化銀層を設けた〔銀/ハロゲン化銀(Ag/Ag
X)電極〕/内部電解質溶液/イオン感応膜(ISM)
の構造を有するが、内部電解質溶液を用いるために容器
を必要とすることから、小型化、ディスポーザブル化
(使い捨て化)等が困難であった。そこで、使い捨ての
簡易型検査用イオンセンサプレートが開発され、いくつ
かのイオンセンサプレートが提案されている。その一つ
の差動式のマルチイオンセンサは、マルチイオンセンサ
プレートを測定回路に接続して同時に多数の異なるイオ
ン濃度を測定するものであり、そのマルチイオンセンサ
プレートは、図2に示すように、ガラスエポキシ基板1
上にエッチングにより形成した銅電極に電解銀メッキを
施した一対の検体液測定電極2a、基準電極2bを一組
にして5組設け、それぞれの電極の相対する端部の銀メ
ッキ層の上に塩化銀層4a、4bを設け、それぞれの電
極の互いに遠ざかる側の端部を外部電極としたマルチイ
オンセンサプレート本体5を設け、さらに各組の塩化銀
層4a、4bに連通する透孔6a〜6e、6’a〜6’
eと、後述の上部セルの2本の流通路の先端に対応して
検体液と基準液を接触させる細長孔の液絡部7と、上記
各組の電極2a、2bに連通する透孔8a、8bを有す
るポリエステルフィルムからなる堤体9をこのマルチイ
オンセンサプレート本体5に接合する。堤体9のそれぞ
れの透孔6a〜6e、6’a〜6’eを介してイオノフ
オアと呼ばれる大環状化合物やイオン交換樹脂等の各種
イオンのイオン感応物質を含むそれぞれ各種別のイオン
感応膜溶液を滴下し、乾燥して上記塩化銀層4a、4b
にイオン感応膜を形成することにより合計5種の異なる
イオン感応膜を設ける。このマルチイオンセンサプレー
ト本体5と堤体9の接合体を透明なアクリル樹脂板から
なる下部セル10の凹部10a、10bに填め込み、透
明アクリル樹脂からなる上部セル12を下部セル10に
両面接着テープにより接合し、上記接合体を内装する。
上部セル12は、透明板の裏面に上記透孔6a〜6e、
6’a〜6’eに連通する凹溝からなる流通路13、1
4を隔壁により二分して設け、それぞれの流通路の一端
には検体液投入部15、基準液投入部16を設けるとと
もに、それぞれの流通路の他端にはこれに連通する細幅
の凹溝からなる空気抜き溝13a、14aをそれぞれL
字状、その対称に配設し、その先端を検体液投入部1
5、基準液投入部16の先端に設けた縦孔13b、14
bに連通し、さらに上記検体液測定電極2a、基準電極
2bの外部電極の露出した端部に対応して図示省略した
測定器の端子を挿入する端子挿入孔18a、18bを設
けたものである。
ートを使用するときは、検体液投入部15、基準液投入
部16にそれぞれ検体液、基準液を注射器等により注入
すると、流通路13、14にそれぞれの液が流通され、
透孔6a〜6e、6’a〜6’e中のイオン選択性電極
に供給されるとともに、液絡部7において検体液と基準
液は接触する。この状態で測定器の端子を端子挿入孔1
8a、18bに挿入してそれぞれの外部電極に接触させ
ることにより検体液のイオン成分が測定され、1回の検
体液、基準液の注入により合計5種類のイオンの濃度が
測定される。
オン感応膜を形成した場合にも、その発生電位は一般的
なイオンセンサと同様に、AgX=Ag+ +X- の解離
平衡によって決定されるが、イオン感応膜として例えば
ポリ塩化ビニル系樹脂とその可塑剤を含有するものを用
いると、下地のAgXが主として可塑剤の溶解力により
イオン感応膜に溶解され、一般的なイオンセンサにおけ
る内部電解質溶液に相当する機能を果たすことができ
る。その際、AgX層のAgXの粒径や表面粗さ等の制
御によりその溶解量はある程度制御され、発生電位は比
較的狭い範囲に制御されることを先の出願(特願平1−
135728号明細書、特願平1−222909号明細
書)で明らかにした。
うなAgXがイオン感応膜に自然に溶解することを放置
したままでは、その溶解過程の過渡的変化があるのみな
らず、周囲の温度や湿度等の環境条件の変化に伴って、
AgXのイオン感応膜に対する溶解量は変わるので、上
述したように単にAgX層の物性を制御するだけでは、
そのわずかな相違までは制御しきれない。ところが、そ
の一方では、測定値のバラツキが少ない、いわゆる高精
度のイオンセンサを求める要求が強まっているので、結
局のところ、その重要な部品であるイオンセンサプレー
トの実際の製造現場における品質管理上の検査において
は、その相違が電極の発生電位の誤差となって現れるこ
とから、初期特性における補正を行ったり、規格内のも
のだけを選択する選別を行なう必要があり、しかもその
誤差を少なくしようとすればAgXのイオン感応膜に対
する溶解量がそれ以上は進まないような平衡状態になる
まで待つ必要があり、生産工程上コスト的に不利になら
ことを免れないという問題がある。また、AgXのイオ
ン感応膜に対する溶解は、イオンセンサプレートを製造
後だけではなく経時的にも起こり、30日経てもAgX
層とイオン感応膜との界面での電位は安定せず、そのバ
ラツキは拡大することがある。
その安定化のための時間を要しないイオンセンサ及びイ
オンセンサプレートを提供することにある。本発明の第
2の目的は、製造当初のみならず日数を経ても測定値の
精度のよいイオンセンサ及びイオンセンサプレートを提
供することにある。本発明の第3の目的は、生産工程上
のコストを削減できるイオンセンサ及びイオンセンサプ
レートを提供することにある。
決するために、(1)、銀層上に設けたハロゲン化銀層
上に特定イオンに感応するイオン感応膜の被覆膜を有す
る検体液測定電極と基準電極を一対にして少なくとも一
組有するイオンセンサープレート本体を設け、このイオ
ンセンサプレート本体に測定回路を接続して検体液の特
定イオン濃度を測定できるようにしたイオンセンサにお
いて、上記イオン感応膜は単一層からなりかつ上記ハロ
ゲン化銀層と該イオン感応膜の界面における電位を安定
化させる電位安定化物質を含有するイオンセンサを提供
するものである。また、本発明は、(2)、電位安定化
物質がハロゲンイオン及び/又は銀イオン、又はハロゲ
ンイオン及び/又は銀イオンを解離する化合物である上
記(1)のイオンセンサ、(3)、電位安定化物質がハ
ロゲン化銀である上記(1)又は(2)のイオンセン
サ、(4)、イオン感応膜に検体液及び/又は基準液か
らのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤を含
有し、かつ該イオン感応膜に用いるイオン感応物質を検
出しようとするイオンに感応するに足る濃度より多く含
有させた上記(1)ないし(3)のいずれかのイオンセ
ンサ、(5)、イオン感応膜に検体液及び/又は基準液
からのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤を
含有し、かつ電位安定化物質がその妨害を排除するに足
る濃度より多く含有させたアニオン排除剤である上記
(1)のイオンセンサ、(6)、銀層上に設けたハロゲ
ン化銀層上にイオン感応膜の被覆膜を有する検体液測定
電極と基準電極を一対にして少なくとも一組を基板上に
設けたイオンセンサプレート本体と、上記検体液測定電
極に検体液を供給する閉じた流通路と上記基準電極に基
準液を供給する閉じた流通路をそれぞれ上記基板面上に
形成し、それぞれの流通路に連通する検体液投入部、基
準液投入部を有する上部セルと、上記イオンセンサプレ
ート本体に設けられ上記それぞれの流通路に供給された
検体液、基準液を液絡する液絡部とを少なくとも有し、
上記イオン感応膜は単一層からなりかつ上記ハロゲン化
銀層と該イオン感応膜の界面における電位を安定化させ
る電位安定化物質を含有するイオンセンサプレート、
(7)、電位安定化物質がハロゲンイオン及び/又は銀
イオン、又はハロゲンイオン及び/又は銀イオンを解離
する化合物である上記(6)のイオンセンサプレート、
(8)、電位安定化物質がハロゲン化銀である上記
(6)又は(7)のイオンセンサプレート、(9)、イ
オン感応膜に検体液及び/又は基準液からのアニオンに
よる妨害を排除するアニオン排除剤を含有し、かつ該イ
オン感応膜に用いるイオン感応物質を検出しようとする
イオンに感応するに足る濃度より多く含有させた上記
(6)ないし(8)のいずれかのイオンセンサプレー
ト、(10)、イオン感応膜に検体液及び/又は基準液
からのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤を
含有し、かつ電位安定化物質がその妨害を排除するに足
る濃度より多く含有させたアニオン排除剤である上記
(6)のイオンセンサプレートを提供するものである。
チイオンセンサプレート本体5と堤体9の接合体を作製
し、堤体の透孔6a〜6e、6’a〜6’eの例えば透
孔6a、6’aに、ポリ塩化ビニル系樹脂、可塑剤、イ
オン感応物質、電位安定化物質、必要に応じてアニオン
排除剤等の添加塩を含有する特定のイオンのイオン感応
膜用樹脂溶液を滴下し、乾燥させて特定イオンのイオン
感応膜を形成し、特定イオンのイオン感応性電極を形成
する。図1に検体液を供給する側の電極の周囲の断面図
を示す。図中、1はガラスエポキシ基板、2aは検体液
測定電極、4aは塩化銀層、3は図2には図示省略した
が塩化銀層のうち透孔6aに臨ませた部分と電極の外側
端部を除いて被覆し、図示しない他の電極についても同
様で、実際にはそれぞれの該当する部分を除いてマルチ
イオンセンサプレート本体5の表面を被覆する絶縁膜、
4cは窓部、9は堤体、6aは透孔、2dはイオン感応
膜である。また、他の透孔6bと6’b、6cと6’
c、6dと6’d、6eと6’eにはそれぞれ異なるイ
オン感応膜用樹脂溶液を上記と同様に滴下し、乾燥する
ことによりそれぞれ異なる他の特定のイオン感応膜を形
成したイオン感応性電極を形成する。
レート本体5と堤体9の接合体を透明なアクリル樹脂板
からなる下部セル10の凹部10a、10bに填め込
み、この下部セル10に透明アクリル樹脂からなる上部
セル12を両面接着テープにより接合し、上記接合体を
内装する。このような構造のマルチイオンセンサプレー
トの検体液投入部15、基準液投入部16にそれぞれ検
体液、基準液を注射器等により注入し、流通路13、1
4にそれぞれの液を流通させ、それぞれの液を透孔6a
〜6e、6’a〜6’e中のイオン感応性電極に供給す
るとともに、両者を液絡部7において接触させ、電気的
導通をなし得る状態にする。それから、図示省略した測
定器の端子を端子挿入孔18a、18bに挿入してその
電極に接触させることにより検体液中の5種の異なるイ
オン濃度を測定できる。
電位安定化物質、その関連物質としては、 Ag+ 及
び/又はX- をAgX=Ag+ +X- (Xはハロゲン原
子を表し、以下同様)の解離平衡時の少なくともA
g+ 、X- の濃度(その濃度以上)含有させる、
においてンオン感応膜にX- が含有される場合、特にそ
の解離平衡時の濃度より多く含有され過ぎる場合には、
特に後者ではAgXのハロゲン化銀塩はAgX1-n n 錯
体となり、イオン感応膜中に溶解し易いので、イオン感
応膜にAgXをその飽和濃度まで溶解させておく、
イオン感応膜に検体液や基準液からのアニオンの妨害を
受けないようにアニオン排除剤(例えばNa−TPB
(ナトリウム・テトラキスフェニルボレート)、K−T
CPB(ポッタシウム・テトラキス−p−クロロフェニ
ルボレート))を併用する場合には、イオン感応膜中に
Ag+ やX- 、あるいはAgX1-n n 錯体が高濃度に存
在すると、これらのイオンや錯体がアニオン排除剤と会
合を起こし、イオン対となってしまうため、これらのイ
オンや錯体の有効濃度が低下するので、イオン感応膜に
添加しているイオン感応物質であるイオノフオアを添加
しておく、 上記〜とは別系統となるが、上記の
アニオン排除剤をこれが検体液や基準液からのアニオン
を排除するに足る濃度を越えて(その濃度以上)、例え
ばNa−TPBの場合には少なくとも1×10-2M(モ
ル)(1×10-2M以上)添加する。これら〜の各
手段は複数併用することもできる。
+ +X- の解離平衡は固定化され、製造されるマルチイ
オンセンサプレート個々の電極のAgX層のAg+ 、X
- のイオン感応膜に対するわずかな溶解量のバラツキ
や、周囲の環境条件等の変化によるその溶解量の変化は
無視することができるようになり、AgX層とイオン感
応膜の界面における発生電位は非常に狭い範囲に制御さ
れる。また、では、AgXを予めイオン感応膜に混入
しておくことにより、AgX層のAgXがAgX1-n n
錯体を形成してこのイオン感応膜に溶解してくることを
避けることができ、AgX=Ag+ +X- の解離平衡は
固定化されるのに対し、その予めの混入を行わない場合
にはAgXがイオン感応膜に徐々に溶解している過程で
は、AgX層とイオン感応膜の界面におけるAgX=A
g+ +X- の解離平衡も固定化しないのみならず、非常
に長い期間には下地のAgXが溶解し尽くされてAg層
が露出し、AgXと金属のAgの平衡電位の相違から、
発生電位に誤差を生じる危険があるが、前者の場合には
これを回避することができる。なお、一般的にAgXの
ハロゲン化銀塩は、X- を高濃度に含む溶液中では、A
gX1-n n 錯体として溶解することが知られている。ま
た、では、上記の会合しているイオン対の陽イオンを
イオノフオアでキレート化し、Ag+ やX- 、AgX
1-n n 錯体のいわゆる電位決定イオン、錯体のイオン感
応膜中における有効濃度を向上させて、AgX=Ag+
+X- の解離平衡を固定化できる。また、では、例え
ばNa−TPBはNa、Liを除くアルカリ金属や1価
の金属イオンM+ と反応してM−TPBの難溶性沈殿物
を生じることが知られていることから、Ag+ とも反応
し、Ag−TPBとなると考えられるが、イオン感応膜
にNa−TPBを予め上記の所定量以上含有させておく
と、AgX層の格子間のAg+ や溶解により生じたAg
+ と、AgX層とイオン感応膜の界面で反応して、Ag
−TPBが形成される。これにより、その界面にはAg
XがAg−TPBで置換された形となり、発生電位はA
g−TPB=Ag+ +TPB- の解離平衡で決定される
が、イオン感応膜中のTPBは所定濃度以上、すなわち
1×10-2M以上の高濃度に制御されているので、Ag
+ やTPB- のイオン感応膜に対する溶解は制御され、
Ag−TPB=Ag+ +TPB- の解離平衡は固定化さ
れ、発生電位は安定化する。この場合には、AgX=A
g+ +X- の平衡を揺るがす原因がなくなるので、上記
、の手段を採る場合の解決しようとする問題点はな
くなる。Cl- の供給源としては、具体的には例えばト
リオクチルメチルアンモニウムクロリドが挙げられる
が、一般式R4 N+ Cl- (Rはアルキル基を表し、以
下同様)で表されるアンモニウム塩であれば同様の効果
が得られ、また、アンモニウム塩でなくとも、例えば一
般式R4 P+ Cl- で表されるホスホニウム塩でもよ
い。XはClのほか、Br、IでもClの場合と同様の
効果が得られ、一般式で表せば、R4 N+ Br- 、R4
N+ I- 、R4 P+ Br- 、R4 P+ I- 等の化合物を
挙げることができる。上記のポリ塩化ビニル系樹脂とし
ては、塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと酢酸ビニルやビニ
ルアルコール、カルボキシル基含有モノマーその他のビ
ニル系モノマーの少なくとも1種との共重合体が挙げら
れ、また、上記可塑剤としては、フタル酸系可塑剤、脂
肪族二塩基酸系可塑剤、置換又は非置換フェノールと高
級アルコールとのエーテルその他の可塑剤を挙げること
ができ、これらは可塑剤が多くなる比率で用いてもよい
し、その他の場合でもよい。
より調製する。 GKT(マトリックス) 0.13g (電気化学工業社製のポリ塩化ビニル系樹脂で塩化ビニル:酢酸ビニル:ビニル アルコール=90:4:6の共重合比の共重合体) NPOE(2−ニトロフェニルオクチルエーテル)(可塑剤) 0.2g トリオクチルメチルアンモニウムクロリド(Cl- 源) 0.808mg ビス(12−クラウン−4)(Naイオノフオア) 13.26mg Na−TPB(ナトリウム・テトラキスフェニルボレート) 0.39mg (アニオン排除剤としての添加塩) THF(テトラヒドロフラン)(溶剤) 2ml このイオン感応膜用樹脂溶液を上述の図1、2に基づい
た説明のように、透孔6a、6’aを介して塩化銀層4
a、4bに滴下することにより塗布し、自然乾燥させて
イオン感応膜2dとしてナトリウムイオン感応膜を形成
した。このような図1、2に示す構造のマルチイオンセ
ンサプレートを20個作成し、これらのそれぞれの作製
直後と30日経過したものを用い、検体液として140
mMのNaClを含む水溶液、基準液として所定の基準
液を用いた場合の上述した測定法による電位を測定し、
その標準偏差を求めた結果を、それぞれ「初期値」、
「30日後の値」として表1に示す。この実施例は上記
とを併用した場合に属する。なお、ビス(12−ク
ラウン−4)(イオノフオア)を2mg/可塑剤0.2
g(約15mM)の標準量使用した場合は上記の場合
に属する。上記の13.26mg/可塑剤0.2gは濃
度にすると約100mMになる。
OEにバソフェナントロリンと塩化銀粉末を加えて12
時間攪拌し、その混合液の上澄み液を分取する。その後
この上澄み液にGKT、Na−TPB、ビス(12−ク
ラウン−4)及びTHFを加えて十分に溶解する。な
お、バソフェナントロリンは塩化銀粉末からAg+ をキ
レート化し、Cl-を放出させるための成分である。こ
のイオン感応膜用樹脂溶液を用いた以外は実施例1と同
様にして、ナトリウムイオン感応膜を有するマルチイオ
ンセンサプレートを作製し、実施例1と同様にこれらを
用いてナトリウムイオン濃度に対応する電位を測定し、
その測定値から求めた標準偏差を表1に示す。この実施
例は上記とを併用した場合に属する。
手順を次のように変更した以外は同様にして、ナトリウ
ムイオン感応膜を有するマルチイオンセンサプレートを
作製し、実施例1と同様にこれらを用いてナトリウムイ
オン濃度に対応する電位を測定し、その測定値から求め
た標準偏差を表1に示す。実施例1の配合に従って、N
POEにトリオクチルメチルアンモニウムクロリドを溶
解し、その中にAgCl粉末を過剰量添加して12時間
攪拌し、その混合液の上澄み液を分取する。その後、こ
の上澄み液にGKT、Na−TPB、ビス(12−クラ
ウン−4)及びTHFを加えて十分に溶解する。この実
施例は上記ととを併用した場合に属する。
より調製する。 GKT(マトリックス) 0.13g (上記の共重合体) NPOE(2−ニトロフェニルオクチルエーテル)(可塑剤) 0.2g ビス(12−クラウン−4)(Naイオノフオア) 13.26mg Na−TPB(ナトリウム・テトラキスフェニルボレート) 0.68mg (アニオン排除剤としての添加塩、1×10-2M) THF(テトラヒドロフラン)(溶剤) 2ml このイオン感応膜用樹脂溶液を用いた以外は実施例1と
同様にして、ナトリウムイオン感応膜を有するマルチイ
オンセンサプレートを作製し、実施例1と同様にこれら
を用いてナトリウムイオン濃度に対応する電位を測定
し、その測定値から求めた標準偏差を表1に示す。この
実施例は上記の場合に属する。
ロリドを使用しなかった以外は同様にして、ナトリウム
イオン感応膜を有するマルチイオンセンサプレートを作
製し、実施例1と同様にこれらを用いてナトリウムイオ
ン濃度に対応する電位を測定し、その測定値から求めた
標準偏差を表1に示す。
も、比較例のものより標準偏差、すなわちバラツキが初
期値では、1/6以下であり、30日後の値でも1/4
であり、特に実施例3のものは1/10であり、精度が
よいことがわかる。このことから、イオン感応膜に電位
安定化物質、その関連物質を含有させた場合には、含有
させない場合に比べて、塩化銀層のイオン感応膜との界
面の電位のバラツキを、初期値では標準偏差を少なくと
も半分(半分以下、以下同様)、好ましくは少なくとも
20%、30日後では標準偏差を少なくとも半分、好ま
しくは少なくとも25%とすることができ、電位安定化
物質としてアニオン排除剤を用いる場合には、さらに好
ましくは少なくとも10%とすることができる。なお、
上記表現のほかに、「AgXの解離平衡構成物質(及び
その構成物質がイオンの場合にはそのイオンを解離する
物質)の少なくとも1種をイオン感応膜に含有させる」
の表現を用いてもよい。また、上述した(1)〜(1
0)その他の発明のイオンセンサ、イオンセンサプレー
トを用いて電極電位(ハロゲン化銀層を有する電極の電
位)を安定化する方法としてもよく、上記効果の数値限
定を行ってもよい。
感応膜に電位安定化物質、その関連物質を含有させたの
で、初期特性の補正やその安定化のための時間を要せ
ず、製造当初のみならず日数を経ても測定値の精度がよ
く、生産工程上のコストを削減できるイオンセンサ及び
イオンセンサプレートを提供することができる。
施例のマルチイオンセンサプレートの部分断面図であ
る。
る。
Claims (10)
- 【請求項1】 銀層上に設けたハロゲン化銀層上に特定
イオンに感応するイオン感応膜の被覆膜を有する検体液
測定電極と基準電極を一対にして少なくとも一組有する
イオンセンサープレート本体を設け、このイオンセンサ
プレート本体に測定回路を接続して検体液の特定イオン
濃度を測定できるようにしたイオンセンサにおいて、上
記イオン感応膜は単一層からなりかつ上記ハロゲン化銀
層と該イオン感応膜の界面における電位を安定化させる
電位安定化物質を含有するイオンセンサ。 - 【請求項2】 電位安定化物質がハロゲンイオン及び/
又は銀イオン、又はハロゲンイオン及び/又は銀イオン
を解離する化合物である請求項1に記載のイオンセン
サ。 - 【請求項3】 電位安定化物質がハロゲン化銀である請
求項1又は2に記載のイオンセンサ。 - 【請求項4】 イオン感応膜に検体液及び/又は基準液
からのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤を
含有し、かつ該イオン感応膜に用いるイオン感応物質を
検出しようとするイオンに感応するに足る濃度より多く
含有させた請求項1ないし3のいずれかに記載のイオン
センサ。 - 【請求項5】 イオン感応膜に検体液及び/又は基準液
からのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤を
含有し、かつ電位安定化物質がその妨害を排除するに足
る濃度より多く含有させたアニオン排除剤である請求項
1に記載のイオンセンサ。 - 【請求項6】 銀層上に設けたハロゲン化銀層上にイオ
ン感応膜の被覆膜を有する検体液測定電極と基準電極を
一対にして少なくとも一組を基板上に設けたイオンセン
サプレート本体と、上記検体液測定電極に検体液を供給
する閉じた流通路と上記基準電極に基準液を供給する閉
じた流通路をそれぞれ上記基板面上に形成し、それぞれ
の流通路に連通する検体液投入部、基準液投入部を有す
る上部セルと、上記イオンセンサプレート本体に設けら
れ上記それぞれの流通路に供給された検体液、基準液を
液絡する液絡部とを少なくとも有し、上記イオン感応膜
は単一層からなりかつ上記ハロゲン化銀層と該イオン感
応膜の界面における電位を安定化させる電位安定化物質
を含有するイオンセンサプレート。 - 【請求項7】 電位安定化物質がハロゲンイオン及び/
又は銀イオン、又はハロゲンイオン及び/又は銀イオン
を解離する化合物である請求項6に記載のイオンセンサ
プレート。 - 【請求項8】 電位安定化物質がハロゲン化銀である請
求項6又は7に記載のイオンセンサプレート。 - 【請求項9】 イオン感応膜に検体液及び/又は基準液
からのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤を
含有し、かつ該イオン感応膜に用いるイオン感応物質を
検出しようとするイオンに感応するに足る濃度より多く
含有させた請求項6ないし8のいずれかに記載のイオン
センサプレート。 - 【請求項10】 イオン感応膜に検体液及び/又は基準
液からのアニオンによる妨害を排除するアニオン排除剤
を含有し、かつ電位安定化物質がその妨害を排除するに
足る濃度より多く含有させたアニオン排除剤である請求
項6に記載のイオンセンサプレート。
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