JP3336283B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
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- JP3336283B2 JP3336283B2 JP00259599A JP259599A JP3336283B2 JP 3336283 B2 JP3336283 B2 JP 3336283B2 JP 00259599 A JP00259599 A JP 00259599A JP 259599 A JP259599 A JP 259599A JP 3336283 B2 JP3336283 B2 JP 3336283B2
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器内で発生する
プラズマ（例えば、磁界とマイクロ波電界によって発生
するプラズマ）で酸化膜のエッチングを行うプラズマエ
ッチング方法において、下地シリコン膜に対して高い選
択比を得るのに好適なプラズマエッチング方法に関する
ものである。
プラズマ（例えば、磁界とマイクロ波電界によって発生
するプラズマ）で酸化膜のエッチングを行うプラズマエ
ッチング方法において、下地シリコン膜に対して高い選
択比を得るのに好適なプラズマエッチング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマエッチング技術は、例え
ば、日立評論Ｖｏｌ．７１（１９８９）、Ｎｏ．５，Ｐ
３３−３８に記載のように、マイクロ波を伝播する導波
管内に石英製の放電管を有し、外部磁界とマイクロ波電
界の作用により放電管内でプラズマを発生させ、該プラ
ズマにより基板のエッチングを行うものである。
ば、日立評論Ｖｏｌ．７１（１９８９）、Ｎｏ．５，Ｐ
３３−３８に記載のように、マイクロ波を伝播する導波
管内に石英製の放電管を有し、外部磁界とマイクロ波電
界の作用により放電管内でプラズマを発生させ、該プラ
ズマにより基板のエッチングを行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、プラズマを発生する真空容器を構成する部材のエッ
チング特性への特に下地シリコン膜との選択比への影響
についての配慮が必ずしも十分でなく、下地のシリコン
膜との選択比を得るために酸化膜のエッチング速度が減
少するという問題点があった。
は、プラズマを発生する真空容器を構成する部材のエッ
チング特性への特に下地シリコン膜との選択比への影響
についての配慮が必ずしも十分でなく、下地のシリコン
膜との選択比を得るために酸化膜のエッチング速度が減
少するという問題点があった。
【０００４】本発明は、酸化膜のエッチングにおいて酸
化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地のシリコン
膜と高い選択比が得られるプラズマエッチング方法を提
供することにある。
化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地のシリコン
膜と高い選択比が得られるプラズマエッチング方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプラズマエッチング方法は、真空容器内に
封入したフッ素を含むガスをプラズマ化し、シリコン膜
上に設けた酸化膜を有する試料を前記プラズマによりエ
ッチングされるように試料台に載置してプラズマエッチ
ングする方法であって、前記真空容器内に配置した試料
台に載置された試料の周囲の電極カバーを含む領域に供
給する前記プラズマ生成用とは異なる高周波電力の供給
量を制御して、前記電極カバーに入射するイオン入射エ
ネルギーを調整し、もって該電極カバーから放出される
炭素あるいは珪素を含む物質の放出量を前記プラズマの
生成量とは独立して制御し、制御された放出量の前記物
質とプラズマ中に存在するフッ素イオンとの反応により
プラズマ中のフッ素イオンあるいはフッ素原子を減少さ
せることを特徴とするものである。
に、本発明のプラズマエッチング方法は、真空容器内に
封入したフッ素を含むガスをプラズマ化し、シリコン膜
上に設けた酸化膜を有する試料を前記プラズマによりエ
ッチングされるように試料台に載置してプラズマエッチ
ングする方法であって、前記真空容器内に配置した試料
台に載置された試料の周囲の電極カバーを含む領域に供
給する前記プラズマ生成用とは異なる高周波電力の供給
量を制御して、前記電極カバーに入射するイオン入射エ
ネルギーを調整し、もって該電極カバーから放出される
炭素あるいは珪素を含む物質の放出量を前記プラズマの
生成量とは独立して制御し、制御された放出量の前記物
質とプラズマ中に存在するフッ素イオンとの反応により
プラズマ中のフッ素イオンあるいはフッ素原子を減少さ
せることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】真空容器を構成する部材に炭化珪素を用い、該
炭化珪素に高周波電力を印加することにより、炭化珪素
の構成成分であるシリコン（珪素）或は炭素がスッパタ
される。また、プラズマ中に存在するフッ素イオンとの
反応により弗化炭素が生成する。スッパタされたシリコ
ン（珪素）或は炭素との反応によりシリコンの反応種で
あるフッ素イオン或はフッ素原子が減少し下地シリコン
膜のエッチング速度が減少する。また、フッ素イオンと
の反応により生成した弗化炭素は、下地シリコン膜のエ
ッチングを抑制し、酸化膜を選択的にエッチングする反
応種である。したがって、真空容器を構成する部材に炭
化珪素を用い、該炭化珪素に高周波電力を印加すること
により酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地シ
リコンとの高い選択比を得ることができる。
炭化珪素に高周波電力を印加することにより、炭化珪素
の構成成分であるシリコン（珪素）或は炭素がスッパタ
される。また、プラズマ中に存在するフッ素イオンとの
反応により弗化炭素が生成する。スッパタされたシリコ
ン（珪素）或は炭素との反応によりシリコンの反応種で
あるフッ素イオン或はフッ素原子が減少し下地シリコン
膜のエッチング速度が減少する。また、フッ素イオンと
の反応により生成した弗化炭素は、下地シリコン膜のエ
ッチングを抑制し、酸化膜を選択的にエッチングする反
応種である。したがって、真空容器を構成する部材に炭
化珪素を用い、該炭化珪素に高周波電力を印加すること
により酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地シ
リコンとの高い選択比を得ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【０００８】図１は、マイクロ波プラズマエッチング装
置の概略断面図を示したものである。図１によりマイク
ロ波プラズマエッチング装置の説明を行う。マグネトロ
ン１から発振したマイクロ波は、導波管２を伝播し石英
製の放電管３を介して真空容器４内に導かれる。磁界発
生用ソレノイドコイル５によって形成される磁界とマイ
クロ波電界により、エッチングガス供給装置（図中省
略）から供給されるエッチングガス６はプラズマ化され
る。このプラズマにより載置電極７に載置されている基
板８がエッチングされる。エッチング時の圧力は真空排
気装置（図中省略）によって制御される。基板８に入射
するイオンのエネルギは、載置電極７に高周波電源９か
ら供給される高周波電力によって制御される。また、こ
の高周波電力によって載置電極７上に設けられた炭化珪
素製の電極カバー１０は、構成成分であるシリコン（珪
素）或は炭素がスッパタされる。また、プラズマ中に存
在するフッ素イオンとの反応により弗化炭素を生成す
る。
置の概略断面図を示したものである。図１によりマイク
ロ波プラズマエッチング装置の説明を行う。マグネトロ
ン１から発振したマイクロ波は、導波管２を伝播し石英
製の放電管３を介して真空容器４内に導かれる。磁界発
生用ソレノイドコイル５によって形成される磁界とマイ
クロ波電界により、エッチングガス供給装置（図中省
略）から供給されるエッチングガス６はプラズマ化され
る。このプラズマにより載置電極７に載置されている基
板８がエッチングされる。エッチング時の圧力は真空排
気装置（図中省略）によって制御される。基板８に入射
するイオンのエネルギは、載置電極７に高周波電源９か
ら供給される高周波電力によって制御される。また、こ
の高周波電力によって載置電極７上に設けられた炭化珪
素製の電極カバー１０は、構成成分であるシリコン（珪
素）或は炭素がスッパタされる。また、プラズマ中に存
在するフッ素イオンとの反応により弗化炭素を生成す
る。
【０００９】表１は、エッチングガスとしてＣＨＦ ３ を
使用し、電極カバー１０にアルミナと炭化珪素を用いた
場合の酸化膜のエッチング速度と下地シリコンとの選択
比を示したものである。
使用し、電極カバー１０にアルミナと炭化珪素を用いた
場合の酸化膜のエッチング速度と下地シリコンとの選択
比を示したものである。
【００１０】
【表１】
【００１１】マイクロ波電力 １ｋＷ 圧力 １.３Ｐａ 高周波電力 １５０Ｗ
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、酸化膜のエッチング速
度の減少を抑制し、下地シリコン膜との高い選択比を得
ることができる。
度の減少を抑制し、下地シリコン膜との高い選択比を得
ることができる。
【図１】本発明によるマイクロ波プラズマエッチング装
置の一実施例を示す概略断面図である。
置の一実施例を示す概略断面図である。
３…放電管、５…ソレノイドコイル、７…載置電極、８
…基板、９…高周波電源、１０…電極カバー。
…基板、９…高周波電源、１０…電極カバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 佳恵 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 平３−177020（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−73524（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65131（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−37124（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−103619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−47130（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H05H 1/46
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に封入したフッ素を含むガス
をプラズマ化し、シリコン膜上に設けた酸化膜を有する
試料を前記プラズマによりエッチングされるように試料
台に載置してプラズマエッチングする方法であって、前
記真空容器内に配置した試料台に載置された試料の周囲
の電極カバーを含む領域に供給する前記プラズマ生成用
とは異なる高周波電力の供給量を制御して、前記電極カ
バーに入射するイオン入射エネルギーを調整し、もって
該電極カバーから放出される炭素あるいは珪素を含む物
質の放出量を前記プラズマの生成量とは独立して制御
し、制御された放出量の前記物質とプラズマ中に存在す
るフッ素イオンとの反応によりプラズマ中のフッ素イオ
ンあるいはフッ素原子を減少させることを特徴とするプ
ラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00259599A JP3336283B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00259599A JP3336283B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | プラズマエッチング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10056436A Division JPH10229074A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | マイクロ波プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274145A JPH11274145A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3336283B2 true JP3336283B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=11533748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00259599A Expired - Lifetime JP3336283B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336283B2 (ja) |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP00259599A patent/JP3336283B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11274145A (ja) | 1999-10-08 |
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