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JP3333560B2 - シリコン基板のエッチング方法 - Google Patents

シリコン基板のエッチング方法

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JP3333560B2
JP3333560B2 JP30940692A JP30940692A JP3333560B2 JP 3333560 B2 JP3333560 B2 JP 3333560B2 JP 30940692 A JP30940692 A JP 30940692A JP 30940692 A JP30940692 A JP 30940692A JP 3333560 B2 JP3333560 B2 JP 3333560B2
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etching
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bridge pattern
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    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
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    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，シリコンの結晶面に対
するエッチングスピードの違いを利用してエアブリッジ
を形成するシリコン基板のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，シリコン基板上にエアブリッジを
形成する場合，シリコンの結晶面に対するエッチングス
ピードの違いを利用してエアブリッジを形成する方法が
一般的である。シリコンの結晶面に対するエッチングス
ピードの違いとは，シリコン単結晶を所定のエッチング
液（ＥＰＷ液）でエッチングすると，結晶軸によってエ
ッチング速度が大きく異なり，或る方向（１１１方向）
のエッチング速度が他の方向（１００方向及び１１０方
向）のエッチング速度に比べて極端に遅くなる現象のこ
とである。例えば，図９（ａ），（ｂ）に示すように，
面方位（１００）のシリコン基板９０１上にマスク層９
０２を形成し，これをエッチング液でエッチングする
と，４つの（１１１）面で囲まれた窪みが形成される。
換言すれば，シリコン基板９０１のエッチング液に対す
る暴露面が全て（１１１）面になるまでエッチングが進
行する。また，このようなエッチングを異方性エッチン
グという。
【０００３】このシリコンの結晶面に対するエッチング
スピードの違いを利用してエアブリッジを形成する方法
では，図１０（ａ）或いは図１１（ａ）に示すようなエ
アブリッジパターンのマスク層９０２をシリコン基板９
０１上に形成し，異方性エッチングを行うことにより，
図１０（ｂ）或いは図１１（ｂ）に示すようにエアブリ
ッジ９０３を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
シリコン基板のエッチング方法によれば，図１０及び図
１１に示したようにエアブリッジを形成することができ
るものの，異方性エッチングの特性によってエアブリッ
ジを形成するためのエアブリッジパターンに種々の制約
があるため，汎用性が低いという問題点や，シリコン基
板上のパターンレイアウトの自由度を低下させるという
問題点があった。
【０００５】例えば，図１２（ａ）に示すような大きな
面積を有したエアブリッジパターン１２０１（図中点線
部分）を作成した場合でも，同図（ｂ），（ｃ）に示す
ように状態で異方性エッチングが完了するため，エアブ
リッジは形成されない。
【０００６】一方，図１０（ａ）のように片持はり形式
でエアブリッジ９０３を大きくすることもできるが，エ
アブリッジの強度及び安定度が悪くなる。また，図１１
（ａ）のように約４５度でエアブリッジ９０３を大きく
することもできるが，同様にエアブリッジの強度及び安
定度が悪くなる。また，何れの場合も，シリコン基板上
のパターンレイアウトの自由度が極めて低い。
【０００７】本発明は上記に鑑みてなされたものであっ
て，エアブリッジパターンを含むレイアウトの自由度を
向上させ，汎用性を向上させることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために，シリコンの結晶面に対するエッチングス
ピードの違いを利用してエアブリッジを形成するシリコ
ン基板のエッチング方法において，面方位（１００）の
シリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層
を形成し，エアブリッジパターン下部のアンダーカット
された周辺曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面
より下方になるまで等方性エッチングを行った後，異方
性エッチングによってエアブリッジを形成するシリコン
基板のエッチング方法を提供するものである。
【０００９】また，本発明は上記の目的を達成するため
に，シリコンの結晶面に対するエッチングスピードの違
いを利用してエアブリッジを形成するシリコン基板のエ
ッチング方法において，面方位（１００）のシリコン基
板上にエアブリッジパターンを含むマスク層を形成し，
エアブリッジパターン下部の欠陥が周辺曲面の接線の交
点がエアブリッジパターン面より下方になる程度までシ
リコン基板の結晶構造に等方的な欠陥を発生させた後,
異方性エッチングによってエアブリッジを形成するシリ
コン基板のエッチング方法を提供するものである。
【００１０】また，本発明は上記の目的を達成するため
に，シリコンの結晶面に対するエッチングスピードの違
いを利用してエアブリッジを形成するシリコン基板のエ
ッチング方法において，面方位（１００）のシリコン基
板上にエアブリッジパターンを含むマスク層を形成し，
Ｓｉより重い不活性元素のイオンを電気的に照射してエ
アブリッジパターン下部の欠陥が周辺曲面の接線の交点
がエアブリッジパターン面より下方になる程度までシリ
コン基板の結晶構造に等方的な欠陥を発生させた後，異
方性エッチングによってエアブリッジを形成するシリコ
ン基板のエッチング方法を提供するものである。
【００１１】また，本発明は上記の目的を達成するため
に，シリコンの結晶面に対するエッチングスピードの違
いを利用してエアブリッジを形成するシリコン基板のエ
ッチング方法において，面方位（１００）のシリコン基
板上にエアブリッジパターンを含むマスク層を形成し，
Ｓｉより重い不活性元素のイオンをスパッターエッチン
グのプロセスを用いて照射してエアブリッジパターン下
部の欠陥が周辺曲面の接線の交点がエアブリッジパター
ン面より下方になる程度までシリコン基板の結晶構造に
等方的な欠陥を発生させた後，異方性エッチングによっ
てエアブリッジを形成するシリコン基板のエッチング方
法を提供するものである。
【００１２】
【００１３】
【作用】本発明のシリコン基板のエッチング方法（請求
項１）は，等方性エッチングを行った後，異方性エッチ
ングを行ってエアブリッジを形成する。
【００１４】また，本発明のシリコン基板のエッチング
方法（請求項２）は，エアブリッジパターン下部の欠陥
が周辺曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面より
下方になる程度までシリコン基板の結晶構造に等方的な
欠陥を発生させた後，異方性エッチングによってエアブ
リッジを形成する。
【００１５】また，本発明のシリコン基板のエッチング
方法（請求項３）は，Ｓｉより重い不活性元素のイオン
を電気的に照射してエアブリッジパターン下部の欠陥が
周辺曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面より下
方になる程度までシリコン基板の結晶構造に等方的な欠
陥を発生させた後，異方性エッチングによってエアブリ
ッジを形成する。
【００１６】また，本発明のシリコン基板のエッチング
方法（請求項４）は，Ｓｉより重い不活性元素のイオン
をスパッターエッチングのプロセスを用いて照射してエ
アブリッジパターン下部の欠陥が周辺曲面の接線の交点
がエアブリッジパターン面より下方になる程度までシリ
コン基板の結晶構造に等方的な欠陥を発生させた後，異
方性エッチングによってエアブリッジを形成する。
【００１７】
【００１８】
【実施例】以下，本発明のシリコン基板のエッチング方
法について，〔実施例１〕，〔実施例２〕，〔実施例
３〕，〔参考例〕の順に図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１９】〔実施例１〕 実施例１のシリコン基板のエッチング方法は，面方位
（１００）のシリコン基板上にエアブリッジパターンを
含むマスク層を形成し，エアブリッジパターン下部のア
ンダーカットされた周辺曲面の接線の交点がエアブリッ
ジパターン面より下方になるまで等方性エッチングを行
った後，異方性エッチングによってエアブリッジを形成
するものである。
【００２０】図１（ａ），（ｂ）は，実施例１のシリコ
ン基板１０１上にエアブリッジパターンを含むマスク層
１０２を形成した状態を示し，換言すれば，エッチング
を開始する前の状態を示している。ここで，マスク層は
ＳｉＯ2 層である。
【００２１】以上の構成において，図２（ａ）〜（ｅ）
を参照してエッチングの工程について説明する。尚，図
２（ａ）〜（ｅ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の処理過
程における状態を示している。先ず，同図（ａ）のよう
にマスク層１０２が形成されたシリコン基板１０１にシ
リコンのみ選択的な等方性エッチングを行う。等方性エ
ッチングによって同図（ｂ）のようにエッチングが進
み，マスク層１０２の下部もアンダーカットされる。同
図（ｃ）に示すように，エアブリッジパターン１０３の
下部のアンダーカットされた周辺曲面の接線の交点がエ
アブリッジパターン１０３面より下方になるまで等方性
エッチングを行う。
【００２２】同図（ｃ）の状態から，更に異方性エッチ
ングを進めると，同図（ｄ）を経て同図（ｅ）に至り，
エアブリッジパターン１０３の下部に空洞が形成され，
エアブリッジパターン１０３がエアブリッジとなる。こ
こで，同図（ｄ）の間隙ｔが同図（ｃ）における接線の
交点とエアブリッジパターン１０３面との間隙に相当す
る。この間隙ｔはｔ＞０．１μｍであることが望まし
い。また，同図（ｅ）のアンダーカットの幅ｈはｈ＞
０．１μｍとなる。
【００２３】図３（ａ），（ｂ）は，図１（ａ），
（ｂ）が上記の工程を経て処理された後の最終的な状態
を示す。図から明らかなように面積の大きさエアブリッ
ジパターン１０３がエアブリッジとして完成している。
また，エアブリッジを四隅で架橋しているので安定性が
良い。図４は，このようにして作成したエアブリッジを
用いてフローセンサを形成した例を示す。エアブリッジ
１０３上にヒータ４０１を効率良く配線することができ
る。
【００２４】図５（ａ）は他のエアブリッジパターンを
マスク層として，実施例１のシリコン基板のエッチング
方法を施し例を示し，図５（ｂ）は従来の方法で処理し
た比較例を示す。同図（ｂ）のように異方性エッチング
のみではエアブリッジを形成することはできないが，同
図（ａ）に示すように等方性エッチング後，異方性エッ
チングを行うことにより，（１１１）面に対して０°ま
たは９０°に囲まれたパターンでも下部に空洞を形成
し，エアブリッジを形成することができる。
【００２５】〔実施例２〕 実施例２のシリコン基板のエッチング方法は，面方位
（１００）のシリコン基板上にエアブリッジパターンを
含むマスク層を形成し，Ｓｉより重い不活性元素のイオ
ンを電気的に照射してシリコン基板の結晶構造に等方的
な欠陥を発生させた後，異方性エッチングによってエア
ブリッジを形成するものである。尚，実施例２において
も図１（ａ），（ｂ）と同様のエアブリッジパターンを
用いるものとする。
【００２６】図６（ａ）〜（ｃ）は，図１（ａ）のＡ−
Ａ断面図の実施例２における処理過程の状態を示す説明
図である。先ず，シリコン基板１０１にマイナス印加電
圧をかけて，マスク層１０２を介してＡｒ+ イオンを照
射すると，同図（ａ）に示すように，シリコン基板１０
１上の結晶構造に乱れを生じて等方的に欠陥６０１を発
生する。
【００２７】次に，この欠陥６０１の周辺曲面の接線の
交点がエアブリッジパターン面より下方になる程度まで
Ａｒ+ イオンを照射して，欠陥６０１を広げる。同図
（ｂ）の状態になったら，Ａｒ+ イオンを照射をやめて
異方性エッチングを開始する。異方性エッチングによっ
て最終的に同図（ｃ）の状態に至り，エアブリッジが形
成される。従って，実施例２でも実施例１と同様の効果
を得ることができる。
【００２８】〔実施例３〕 実施例３のシリコン基板１０１は，面方位（１００）の
シリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層
を形成し，Ｓｉより重い不活性元素のイオンをスパッタ
ーエッチングのプロセスを用いて照射してシリコン基板
の結晶構造に等方的な欠陥を発生させた後，異方性エッ
チングによってエアブリッジを形成するものである。
尚，実施例３においても図１（ａ），（ｂ）と同様のエ
アブリッジパターンを用いるものとする。
【００２９】図７（ａ）〜（ｃ）は，図１（ａ）のＡ−
Ａ断面図の実施例３における処理過程の状態を示す説明
図である。先ず，シリコン基板１０１上にＡｒ+ イオン
をスパッターエッチングのプロセスを用いて照射する
と，同図（ａ）に示すように，シリコン基板１０１（及
びマスク層の一部）が削られて，同時にシリコン基板１
０１上の結晶構造に乱れを生じて等方的に欠陥７０１を
発生する。
【００３０】次に，この欠陥７０１の周辺曲面の接線の
交点がエアブリッジパターン面より下方になる程度まで
Ａｒ+ イオンを照射して，欠陥７０１を広げる。同図
（ｂ）の状態になったら，Ａｒ+ イオンを照射をやめて
異方性エッチングを開始する。異方性エッチングによっ
て最終的に同図（ｃ）の状態に至り，エアブリッジが形
成される。従って，実施例３でも実施例１と同様の効果
を得ることができる。
【００３１】〔参考例〕 参考例 のシリコン基板のエッチング方法は，両方位（１
００）のシリコン基板上にエアブリッジパターンを含む
マスク層を形成し，プラズマエッチングのプロセスを用
いてシリコン基板に垂直溝（トレンチ）を形成した後，
異方性エッチングによってエアブリッジを形成するもの
である。尚，実施例３においても図１（ａ），（ｂ）と
同様のエアブリッジパターンを用いるものとする。
【００３２】図８（ａ）〜（ｃ）は，図１（ａ）のＡ−
Ａ断面図の参考例における処理過程の状態を示す説明図
である。先ず，同図（ａ）に示すように，シリコン基板
１０１上に異方的にプラズマエッチングで垂直溝（トレ
ンチ）８０１の形成を開始し，垂直溝８０１の底部頂点
の接線の交点がエアブリッジパターン面より下方になる
程度まで垂直溝８０１を掘り下げる。同図（ｂ）の状態
になったら，プラズマエッチングをやめて異方性エッチ
ングを開始する。異方性エッチングによって最終的に同
図（ｃ）の状態に至り，エアブリッジが形成される。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のシリコン基
板のエッチング方法は，面方位（１００）のシリコン基
板上にエアブリッジパターンを含むマスク層を形成し，
エアブリッジパターン下部のアンダーカットされた周辺
曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面より下方に
なるまで等方性エッチングを行った後，異方性エッチン
グによってエアブリッジを形成するため，エアブリッジ
パターンを含むレイアウトの自由度を向上させ，汎用性
を向上させることができる。
【００３４】また，本発明のシリコン基板のエッチング
方法は，面方位（１００）のシリコン基板上にエアブリ
ッジパターンを含むマスク層を形成し，エアブリッジパ
ターン下部の欠陥が周辺曲面の接線の交点がエアブリッ
ジパターン面より下方になる程度までシリコン基板の結
晶構造に等方的な欠陥を発生させた後，異方性エッチン
グによってエアブリッジを形成するため，エアブリッジ
パターンを含むレイアウトの自由度を向上させ，汎用性
を向上させることができる。
【００３５】また，本発明のシリコン基板のエッチング
方法は，面方位（１００）のシリコン基板上にエアブリ
ッジパターンを含むマスク層を形成し，Ｓｉより重い不
活性元素のイオンを電気的に照射してエアブリッジパタ
ーン下部の欠陥が周辺曲面の接線の交点がエアブリッジ
パターン面より下方になる程度までシリコン基板の結晶
構造に等方的な欠陥を発生させた後，異方性エッチング
によってエアブリッジを形成するため，エアブリッジパ
ターンを含むレイアウトの自由度を向上させ，汎用性を
向上させることができる。
【００３６】また，本発明のシリコン基板のエッチング
方法は，面方位（１００）のシリコン基板上にエアブリ
ッジパターンを含むマスク層を形成し，Ｓｉより重い不
活性元素のイオンをスパッターエッチングのプロセスを
用いて照射してエアブリッジパターン下部の欠陥が周辺
曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面より下方に
なる程度までシリコン基板の結晶構造に等方的な欠陥を
発生させた後，異方性エッチングによってエアブリッジ
を形成するため，エアブリッジパターンを含むレイアウ
トの自由度を向上させ，汎用性を向上させることができ
る。
【００３７】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のシリコン基板上にエアブリッジパタ
ーンを含むマスク層を形成した状態を示す説明図であ
る。
【図２】図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の実施例１における
処理過程の状態を示す説明図である。
【図３】図１（ａ），（ｂ）に対して実施例１の処理を
施した後の最終的な状態を示す説明図である。
【図４】実施例１で作成したエアブリッジを用いてフロ
ーセンサを形成した例を示す説明図である。
【図５】同図（ａ）は他のエアブリッジパターンをマス
ク層として実施例１のシリコン基板のエッチング方法を
施し例を示し，同図（ｂ）は従来の方法で処理した比較
例を示す説明図である。
【図６】図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の実施例２における
処理過程の状態を示す説明図である。
【図７】図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の実施例３における
処理過程の状態を示す説明図である。
【図８】図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の参考例における処
理過程の状態を示す説明図である。
【図９】シリコンの結晶面に対するエッチングスピード
の違いを示す説明図である。
【図１０】従来のシリコン基板のエッチング方法を示す
説明図である。
【図１１】従来のシリコン基板のエッチング方法を示す
説明図である。
【図１２】従来のシリコン基板のエッチング方法を示す
説明図である。
【符号の説明】
１０１ シリコン基板 １０２ マスク層 １０３ エアブリッジパターン（または，エアブリッ
ジ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−132217（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−124422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−77177（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−72623（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−23676（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−107637（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−15114（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/84 H01L 21/306

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリコンの結晶面に対するエッチングス
    ピードの違いを利用してエアブリッジを形成するシリコ
    ン基板のエッチング方法において，面方位（１００）の
    シリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層
    を形成し，エアブリッジパターン下部のアンダーカット
    された周辺曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面
    より下方になるまで等方性エッチングを行った後，異方
    性エッチングによってエアブリッジを形成することを特
    徴とするシリコン基板のエッチング方法。
  2. 【請求項２】 シリコンの結晶面に対するエッチングス
    ピードの違いを利用してエアブリッジを形成するシリコ
    ン基板のエッチング方法において，面方位（１００）の
    シリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層
    を形成し，エアブリッジパターン下部の欠陥が周辺曲面
    の接線の交点がエアブリッジパターン面より下方になる
    程度までシリコン基板の結晶構造に等方的な欠陥を発生
    させた後，異方性エッチングによってエアブリッジを形
    成することを特徴とするシリコン基板のエッチング方
    法。
  3. 【請求項３】 シリコンの結晶面に対するエッチングス
    ピードの違いを利用してエアブリッジを形成するシリコ
    ン基板のエッチング方法において，面方位（１００）の
    シリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層
    を形成し，Ｓｉより重い不活性元素のイオンを電気的に
    照射してエアブリッジパターン下部の欠陥が周辺曲面の
    接線の交点がエアブリッジパターン面より下方になる程
    度までシリコン基板の結晶構造に等方的な欠陥を発生さ
    せた後，異方性エッチングによってエアブリッジを形成
    することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
  4. 【請求項４】 シリコンの結晶面に対するエッチングス
    ピードの違いを利用してエアブリッジを形成するシリコ
    ン基板のエッチング方法において，面方位（１００）の
    シリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層
    を形成し，Ｓｉより重い不活性元素のイオンをスパッタ
    ーエッチングのプロセスを用いて照射してエアブリッジ
    パターン下部の欠陥が周辺曲面の接線の交点がエアブリ
    ッジパターン面より下方になる程度までシリコン基板の
    結晶構造に等方的な欠陥を発生させた後，異方性エッチ
    ングによってエアブリッジを形成することを特徴とする
    シリコン基板のエッチング方法。
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