JP3317175B2 - Plasma display panel - Google Patents
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関するものであ
り、特にプラズマディスプレイパネルを構成する誘電体
ガラス層やMgO層に特徴を有するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel used for a display device or the like, and more particularly to a plasma display panel characterized by a dielectric glass layer and a MgO layer constituting the plasma display panel.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3は、従来の交流型(AC型)のプラ
ズマディスプレイパネルの概略断面図を示したものであ
る。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic sectional view of a conventional alternating current (AC) type plasma display panel.
【0003】図3において31は、フロート法による歪
点が511℃で熱膨張係数が85×10-7/℃のソーダ
ライムガラスより成るフロントカバープレート(前面ガ
ラス基板)であり、この基板31上にインジウム−スズ
系の透明電極32、又その上にバス電極としての銀電極
33から成る表示電極34があり、この上をコンデンサ
の働きをする誘電体ガラス層35と結晶配向面が(11
1)面に配向した酸化マグネシウム(MgO)誘電体保
護層36がおおっている。In FIG. 3, reference numeral 31 denotes a front cover plate (front glass substrate) made of soda lime glass having a strain point of 511 ° C. by the float method and a thermal expansion coefficient of 85 × 10 −7 / ° C. There is a transparent electrode 32 of an indium-tin system, and a display electrode 34 composed of a silver electrode 33 as a bus electrode thereon. A dielectric glass layer 35 serving as a capacitor and a crystal orientation plane are formed on the display electrode 34.
1) An oriented magnesium oxide (MgO) dielectric protective layer 36 covers the surface.
【0004】従来上記の誘電体ガラス層35には、主に
酸化鉛(PbO)、酸化硼素(B2O3)、酸化硅素(S
iO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化アルミニウム(A
l2O3)から成る比較的低融点(融点500〜600
℃)で熱膨張係数が80〜83×(10-7/℃)の酸化
鉛系のガラスが用いられてきた(例えば、特開平7−1
05855公報)。Conventionally, the above-mentioned dielectric glass layer 35 mainly includes lead oxide (PbO), boron oxide (B 2 O 3 ), and silicon oxide (S
iO 2 ), zinc oxide (ZnO), aluminum oxide (A
l 2 O 3 ).
C.) and a coefficient of thermal expansion of 80 to 83.times. (10.sup.- 7 / .degree. C.).
05855).
【0005】又、上記のMgO誘電体層36の形成にあ
たっては主にMgOを原料に用いた電子ビーム加熱によ
る真空蒸着法が用いられてきた(例えば、特開平5−3
42991号公報)。[0005] In forming the MgO dielectric layer 36, a vacuum deposition method using electron beam heating and mainly using MgO as a raw material has been used (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-3).
No. 42991).
【0006】尚、37は同じく歪点が511℃で熱膨張
係数が85×10-7/℃の背面ガラス基板(バックプレ
ート)であり、この基板上にアドレス電極(銀電極)3
8および隔壁39蛍光体層40が設けられており、41
が放電ガスを封入する放電空間となっている。Reference numeral 37 denotes a back glass substrate (back plate) having a strain point of 511 ° C. and a coefficient of thermal expansion of 85 × 10 −7 / ° C., on which address electrodes (silver electrodes) 3 are formed.
8 and partition walls 39 and a phosphor layer 40 are provided.
Is a discharge space for filling a discharge gas.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】近年ハイビジョンをは
じめとする高品位、大画面テレビへの期待が高まってい
る。CRTは解像度・画質の点でプラズマディスプレイ
や液晶に対して優れているが、奥行きと重量の点で40
インチ以上の大画面には向いていない。液晶は、消費電
力が少なく、駆動電圧も低いという優れた性能を有して
いるが、画面の大きさや視野角に限界がある。これに対
して、プラズマディスプレイは、大画面の実現が可能で
あり、すでに40インチクラスの製品が開発されている
(例えば、機能材料1996年2月号Vol.16、N
o.2 7ページ)。In recent years, expectations for high-definition, large-screen televisions including high-definition televisions have been increasing. CRTs are superior to plasma displays and liquid crystals in terms of resolution and image quality, but have a depth and weight of 40%.
Not suitable for large screens larger than inches. The liquid crystal has excellent performance such as low power consumption and low driving voltage, but has limitations in screen size and viewing angle. In contrast, the plasma display is capable of realizing a large screen, and a 40-inch class product has already been developed (for example, Functional Materials, February, 1996, Vol. 16, N.
o. 27 pages).
【0008】しかしながら現行40〜42インチクラス
のプラズマディスプレイの画素レベルは、NTSCレベ
ル(画素数640×480個、セルピッチ0.43mm
×1.29mm、1セルの面積0.55mm2)である
(例えば、機能材料1996年2月号Vol.16、N
o.2 7ページ)。However, the pixel level of the current 40 to 42 inch class plasma display is NTSC level (640 × 480 pixels, cell pitch 0.43 mm).
× 1.29 mm, the area of one cell is 0.55 mm 2 ) (for example, Functional Materials, February 1996, Vol. 16, N
o. 27 pages).
【0009】近年期待されているフルスペックのハイビ
ジョンテレビの画素レベルは、画素数が1920×11
25となり、セルピッチも42インチクラスで、0.1
5mm×0.48mmで1セルの面積は0.072mm
2の細かさになる。同じ42インチの大きさでハイビジ
ョンテレビを作成した時、1画素の面積でNTSCと比
較すると、1/7〜1/8の細かさとなる。したがっ
て、放電電極(表示電極)間距離が短かくなるばかりで
なく放電空間もせまくなるため、従来のNTSCと同じ
生産性と信頼性を確保するためには従来からプラズマデ
ィスプレイ用に使用されている低歪点(511℃)で熱
膨張係数が85×10-7/℃のソーダライムガラスで
は、パネル作成の工程中に数多くある熱処理工程が51
0℃以上と高いため、ガラス基板が変形するという課題
があった(例えば、ディスプレイアンドイメージング1
996年Vol.4.pp96〜98)。[0009] The pixel level of a full-spec high definition television which is expected in recent years is 1920 × 11 pixels.
25, and the cell pitch is also 0.1 inch in the 42 inch class.
5mm x 0.48mm and the area of one cell is 0.072mm
2 fineness. When a high-definition television is created with the same size of 42 inches, the area of one pixel is 1/7 to 1/8 smaller than that of NTSC. Therefore, not only the distance between the discharge electrodes (display electrodes) is shortened, but also the discharge space is reduced. Therefore, in order to ensure the same productivity and reliability as the conventional NTSC, it has been conventionally used for a plasma display. In soda lime glass having a low strain point (511 ° C.) and a coefficient of thermal expansion of 85 × 10 −7 / ° C., there are many heat treatment steps during the panel forming step.
Since the temperature is as high as 0 ° C. or higher, there is a problem that the glass substrate is deformed (for example, display and imaging 1).
996, Vol. 4. pp 96-98).
【0010】この問題点を解決するために、近年ガラス
の歪点を高めて、熱処理工程による基板の変形を少なく
したガラス基板が、同じフロート法で開発された(例え
ば、ディスプレイアンドイメージング1996.Vol
4.pp99〜100)。このガラスの歪点は570℃
で、熱膨張係数は、550℃付近まで83×10-7/℃
程度である。In order to solve this problem, a glass substrate in which the strain point of the glass is increased in recent years to reduce the deformation of the substrate due to the heat treatment process has been developed by the same float method (for example, Display and Imaging 1996. Vol.
4. pp 99-100). The strain point of this glass is 570 ° C
And the coefficient of thermal expansion is 83 × 10 −7 / ° C. up to around 550 ° C.
It is about.
【0011】しかしながら、従来の低歪点(511℃)
用ガラス基板で使用されていたPbO系誘電体ガラス
は、低歪点用にガラスの熱的性質にあわせて開発されて
おり、歪点511℃以上で急激に熱膨張係数が大きくな
るように設計されている(511℃以上で熱膨張系数が
120×10-7/℃以上になる)。そのため、従来の低
歪点ガラス用の誘電体ガラスを用いて高歪点(550℃
以上)で低熱膨張(83×10-7/℃)の基板ガラスに
誘電体層を設けると、550〜580℃で焼成後誘電体
膜やMgO膜にクラックが入という問題点があった(す
なわち550〜580℃で誘電体ガラスを焼成するとき
は、550〜580℃でも基板ガラスに近い熱膨張係数
の誘電体ガラスを使用する必要がある)。However, the conventional low strain point (511 ° C.)
The PbO-based dielectric glass used for the glass substrate for glass has been developed according to the thermal properties of the glass for a low strain point, and is designed so that the thermal expansion coefficient suddenly increases at a strain point of 511 ° C or higher. (The thermal expansion coefficient becomes 120 × 10 −7 / ° C. or more at 511 ° C. or more). Therefore, using a conventional dielectric glass for low strain point glass, a high strain point (550 ° C.) is used.
When a dielectric layer is provided on a substrate glass having a low thermal expansion (83 × 10 −7 / ° C.) as described above, there is a problem that cracks occur in the dielectric film and the MgO film after firing at 550 to 580 ° C. When firing the dielectric glass at 550 to 580 ° C, it is necessary to use a dielectric glass having a thermal expansion coefficient close to that of the substrate glass even at 550 to 580 ° C).
【0012】又一方、高精細パネルになるにしたがっ
て、誘電体ガラス層およびMgO保護層の高耐圧化、高
信頼の確保、および高容量化が必要となる。On the other hand, as a panel becomes higher in definition, it is necessary to increase the dielectric strength of the dielectric glass layer and the MgO protective layer, ensure high reliability, and increase the capacity.
【0013】特に誘電体ガラス層の高耐圧化、高信頼性
化に対しては、これら層中の気泡や欠陥の抑制が必要で
あり又、高容量化(セル面積が減少するため、コンデン
サとしての同一容量を保障するためには、誘電体ガラス
層の膜厚を薄くする必要がある)に対しては、誘電体ガ
ラス層の膜厚を薄くする必要がある。In particular, in order to increase the breakdown voltage and the reliability of the dielectric glass layer, it is necessary to suppress bubbles and defects in these layers, and to increase the capacity (since the cell area is reduced, the capacitor is used as a capacitor). In order to ensure the same capacitance, it is necessary to reduce the thickness of the dielectric glass layer).
【0014】従来のPbO系誘電体ガラスを用いて誘電
体ガラス層を従来より薄く形成し、ハイビジョン用のプ
ラズマディスプレイパネルに適応すると、膜中の気泡や
欠陥のためにパネルをエージングする工程での不良率が
高くなるという課題があった。When a dielectric glass layer is formed thinner than before using a conventional PbO-based dielectric glass and applied to a high-definition plasma display panel, the process of aging the panel due to bubbles and defects in the film is required. There was a problem that the defect rate was high.
【0015】又、フロントパネル上の銀電極中の銀が誘
電体ガラス焼成時に、ガラス基板側に拡散し、フロート
法で作成されたガラス中のスズイオン(Snイオン)に
還元されて、銀のコロイドを発生し、黄色に変色すると
いう課題があった。特にハイビジョンのように電極ピッ
チがせまくなると、パネルに黄色のフィルターがかかっ
た状態となり画質上の大きな課題となる。Further, silver in the silver electrode on the front panel diffuses toward the glass substrate when the dielectric glass is fired, and is reduced to tin ions (Sn ions) in the glass produced by the float method, and the silver colloid is formed. And a problem of discoloration to yellow. In particular, when the electrode pitch is small as in the case of high-definition television, a yellow filter is applied to the panel, which is a major problem in image quality.
【0016】そこで本発明は、誘電体ガラス層を改善す
ることにより、信頼性が高く、高品質で欠陥の少ないプ
ラズマディスプレイパネルを提供することを主な目的と
するものである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma display panel having high reliability, high quality and few defects by improving the dielectric glass layer.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイオパネルは、上記の目的を達成するため、従来用
いられてきた、熱膨張係数が80〜83×10-7/℃
で、熱的性質が低歪点(510℃)のソーダライムガラ
ス基板に合った、PbO−B2O3−SiO2系、PbO
−B2O3−SiO2−ZnO系、あるいはPbO−B2O
3−SiO2−Al 2O3系の誘電体ガラスでなく、高歪点
ガラス(歪点550℃以上)の熱的性質に合い、しかも
熱膨張係数が70〜78(×10-7/℃)で、気泡消滅
が容易な金属酸化物を加えた誘電体ガラスを用いる構成
となっている。SUMMARY OF THE INVENTION A plasma display according to the present invention is provided.
To achieve the above objectives, the pleiopanel
It has been said that the coefficient of thermal expansion is 80-83 × 10-7/ ℃
Soda lime glass with low thermal properties (510 ° C)
PbO-B suitable for substrateTwoOThree-SiOTwoSystem, PbO
-BTwoOThree-SiOTwo-ZnO-based or PbO-BTwoO
Three-SiOTwo-Al TwoOThreeHigh strain point instead of dielectric glass
Matches the thermal properties of glass (strain point 550 ° C or higher), and
The coefficient of thermal expansion is 70 to 78 (× 10-7/ ℃), bubbles disappear
Using dielectric glass to which metal oxide is easily added
It has become.
【0018】この構成により、誘電体ガラスを焼成後、
誘電体ガラスやMgO膜にクラックやピンホールや気泡
等の欠陥の少ない誘電体ガラス層が形成でき、結果とし
て、ハイビジョンのようにセルピッチやセル面積が小さ
いパネルにおいても信頼性の高いパネルを得ることがで
きる。With this configuration, after firing the dielectric glass,
A dielectric glass layer with few defects such as cracks, pinholes and bubbles can be formed on a dielectric glass or MgO film, and as a result, a highly reliable panel can be obtained even in a panel having a small cell pitch or cell area such as a high-definition television. Can be.
【0019】又、PbO−B2O3−SiO2−ZnO系
ガラスに遷移金属の酸化物であるK2O、Cu2O、Co
O、Cr2O3、V2O5、Nio、MnO等を小量ガラス
に添加することでガラスの粘度を低下させると同時にガ
ラスを青あるいは緑色に着色させAgコロイドの黄色や
Neのオレンジ色を画面上キャンセルさせることがで
き、結果として画質の向上を図ることも可能となる。In addition, a transition metal oxide such as K 2 O, Cu 2 O, or Co is added to a PbO—B 2 O 3 —SiO 2 —ZnO-based glass.
O, Cr 2 O 3 , V 2 O 5 , Nio, MnO, etc. are added to a small amount of glass to lower the viscosity of the glass and at the same time to color the glass blue or green, and to make the Ag colloid yellow or Ne orange. Can be canceled on the screen, and as a result, the image quality can be improved.
【0020】[0020]
(実施の形態1)以下では本発明の実施の形態における
プラズマディスプレイパネルについて、図面を参照しな
がら説明する。Embodiment 1 Hereinafter, a plasma display panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0021】図1は、本発明の一実施の形態における交
流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断面図を
示したものである。熱膨張係数が83×10-7/℃でガ
ラスの歪点が570℃であるSiO2−Al2O3−R2O
−R’O系(R2Oはアルカリ金属の酸化物、R’O
は、アルカリ土類金属の酸化物、ガラスの商品名PD−
200、旭ガラス(株)製)の前面ガラス基板11上に
スクリーン印刷後焼成することによって得られた銀電極
12を形成し、この上に70重量%の酸化鉛(Pb
O)、6重量%の酸化硼素(B2O3)、22重量%の酸
化硅素(SiO2)、1重量%の酸化亜鉛(ZnO)、
1重量%の酸化カリウム(K2O)から成る熱膨張係数
78×10-7/℃の誘電体ガラス層13をスクリーン印
刷後560℃で20分間焼成して、約25μmの膜厚に
形成した。この時、誘電体ガラス上にクラックの発生は
なかった。FIG. 1 is a schematic sectional view of an AC surface discharge type plasma display panel according to an embodiment of the present invention. SiO 2 —Al 2 O 3 —R 2 O having a coefficient of thermal expansion of 83 × 10 −7 / ° C. and a strain point of glass of 570 ° C.
-R'O system (R 2 O is an oxide of an alkali metal, R'O
Is an alkaline earth metal oxide, glass trade name PD-
200, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), a silver electrode 12 obtained by screen printing and firing was formed on a front glass substrate 11, and 70% by weight of lead oxide (Pb) was formed thereon.
O), 6% by weight boron oxide (B 2 O 3 ), 22% by weight silicon oxide (SiO 2 ), 1% by weight zinc oxide (ZnO),
A dielectric glass layer 13 composed of 1% by weight of potassium oxide (K 2 O) and having a coefficient of thermal expansion of 78 × 10 −7 / ° C. was fired at 560 ° C. for 20 minutes after screen printing to form a film having a thickness of about 25 μm. . At this time, no crack was generated on the dielectric glass.
【0022】次にこの誘電体ガラス層13上に酸化マグ
ネシウムをCVD法(化学蒸着法)にて成膜する方法を
図2を用いて説明する。尚、誘電体ガラス層13上の保
護膜に使用される酸化マグネシウム(MgO)から成る
保護層を、CVD法(化学蒸着法)を用いることによっ
て酸化マグネシウムの(100)面に配向させた(10
0)配向面誘電体保護層14とする。Next, a method of forming magnesium oxide on the dielectric glass layer 13 by a CVD method (chemical vapor deposition method) will be described with reference to FIG. The protective layer made of magnesium oxide (MgO) used for the protective film on the dielectric glass layer 13 was oriented on the (100) plane of magnesium oxide by using a CVD method (chemical vapor deposition method).
0) The dielectric surface protection layer 14 is used.
【0023】図2は、プラズマディスプレイパネルの保
護層を形成する際に用いるCVD装置の概略図を示した
ものである。FIG. 2 is a schematic view of a CVD apparatus used for forming a protective layer of a plasma display panel.
【0024】図2において、21はアルカリ土類の金属
気レートあるいは、シクロペンタジエニル化合物をCV
D装置内に輸送するためのアルゴン(Ar)ガスボン
ベ、22はアルカリ土類の酸化物(MgO)の原料とな
る金属キレートを加熱して蒸発させる気化器(バブラ
ー)、23はアルカリ土類の酸化物(MgO)の原料と
なるシクロペタンジエニル化合物を加熱して蒸発させる
気化器(バブラー)、24は反応ガスである酸素ボン
ベ、25はCVD装置本体、26は基板を加熱するヒー
タ、27は誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、2
8はプラズマCVDを行う時に使う高周波電源、29は
排気装置である。In FIG. 2, reference numeral 21 denotes an alkaline earth metal vapor or a cyclopentadienyl compound having a CV
Argon (Ar) gas cylinder for transporting into the D apparatus, 22 is a vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a metal chelate as a raw material of an alkaline earth oxide (MgO), 23 is an oxidation of the alkaline earth Vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a cyclopentadienyl compound as a raw material of a product (MgO), 24 is an oxygen cylinder as a reaction gas, 25 is a CVD apparatus main body, 26 is a heater for heating a substrate, and 27 is a heater for heating a substrate. A glass substrate on which a dielectric glass layer is formed, 2
Reference numeral 8 denotes a high-frequency power supply used when performing plasma CVD, and 29 denotes an exhaust device.
【0025】先ず、スクリーン印刷後焼成することによ
って作成された、銀電極上に有機バインダー(10%の
エチルセルローズを含むメーターピネオール)を含む、
70重量%のPbO、6重量%のB2O3、22重量%の
SiO2、1重量%のZnO、1重量%のK2Oから成る
鉛系の誘電体ガラス層をスクリーン印刷法で形成後56
0℃で20分間焼成して得られたガラス基板27を図2
に示すCVD装置25の350℃に加熱されたヒーター
部26上に置き、次にArボンベ21から毎分11のA
rガスを125℃に加熱された、アルカリ土類の金属キ
レートであるマグネシウムジピバブロイルメタン[Mg
(C11H19O2)2]が入った気化器22を通してガラス
基板27上に1分間流し同時にボンベ24から反応ガス
である酸素(O2)を毎分の21の割合で同じく20秒
間ガラス基板27上に流して熱CVDを行い、0.3μ
mの酸化マグネシウム(MgO)の保護層を形成した
(膜形成速度1.0μm/分)。First, an organic binder (a meter pinol containing 10% ethyl cellulose) is contained on a silver electrode, which is prepared by screen printing and then firing.
70 wt% of PbO, 6% by weight of B 2 O 3, 22 wt% of SiO 2, formed 1 wt% of ZnO, 1 wt% lead system consisting of K 2 O in the dielectric glass layer of a screen printing method After 56
The glass substrate 27 obtained by baking at 0 ° C. for 20 minutes is shown in FIG.
Is placed on a heater section 26 heated to 350 ° C. in a CVD apparatus 25 shown in FIG.
r gas heated to 125 ° C, magnesium dipivabroyl methane [Mg
(C 11 H 19 O 2 ) 2 ] is passed through the vaporizer 22 onto the glass substrate 27 for 1 minute, and at the same time, oxygen (O 2 ) as a reaction gas is supplied from the cylinder 24 at a rate of 21 / min. Thermal CVD is carried out by flowing over the substrate 27,
m of a protective layer of magnesium oxide (MgO) (film formation rate: 1.0 μm / min).
【0026】このMgO膜のX線解析を行なった結果、
この膜は、(100)面に配向していることがわかっ
た。次に図1を用いて、保護層付き前面パネルと背パネ
ルを張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成す
る方法について説明する。As a result of X-ray analysis of this MgO film,
This film was found to be oriented in the (100) plane. Next, a method of forming a plasma display panel by bonding a front panel with a protective layer and a back panel will be described with reference to FIG.
【0027】図1において、スクリーン印刷後焼成する
ことによって得られた銀電極(アドレス電極)16と高
さ0.15mmのガラス製の隔壁17(隔壁の間隔0.
15mm)およびその隔壁内に蛍光体層18[蛍光体
は、赤色;(YXGd1-X)BO 3:Eu3+、緑色;Zn2
SiO4:Mn、青色;BaMgAl10O17:Eu2+が
それぞれ隔壁で分離されているが、図1には、一色のみ
を図示している]が設けられたPD−200を用いた背
面ガラス基板15を封着用ガラスを用いて前記前面パネ
ルと張り合せ、放電ガス封入の前に、放電空間部19を
8×10-7Torr真空度に排気し、放電空間部内に1
0%キセノン(Xe)ガスを含むヘリウム(He)ガス
を放電ガスとして500Torr封入し、交流面放電型
プラズマディスプレイとした。In FIG. 1, firing is performed after screen printing.
The silver electrode (address electrode) 16 obtained by
A glass partition 17 having a thickness of 0.15 mm (interval of partition 0.1 mm).
15 mm) and a phosphor layer 18 [phosphor
Is red; (YXGd1-X) BO Three: Eu3+, Green; ZnTwo
SiOFour: Mn, blue; BaMgAlTenO17: Eu2+But
Each is separated by a partition, but only one color is shown in FIG.
The back using the PD-200 provided with
The front glass panel 15 is sealed with the front panel using glass for sealing.
Before filling the discharge gas, the discharge space 19 is
8 × 10-7Evacuate to Torr vacuum and place 1 in the discharge space.
Helium (He) gas containing 0% xenon (Xe) gas
500 Torr as a discharge gas, AC surface discharge type
A plasma display was used.
【0028】このプラズマディスプレイパネルのエージ
ングのため、放電維持電圧250V、周波数50KHz
で4時間放電させた後、パネルの欠陥(エージング中の
誘電体のブレイクダウンによる欠陥)を調べた。この結
果を下記の4つの表1の試料番号1に示す。For aging of this plasma display panel, a discharge sustaining voltage of 250 V and a frequency of 50 KHz are used.
After discharging for 4 hours, the panel was examined for defects (defects due to breakdown of the dielectric during aging). The results are shown in Sample No. 1 in Table 1 below.
【0029】[0029]
【表1】 [Table 1]
【0030】[0030]
【表2】 [Table 2]
【0031】[0031]
【表3】 [Table 3]
【0032】[0032]
【表4】 [Table 4]
【0033】(実施の形態2)以下上記と同じく図1を
参照しながら本発明実施の形態2における交流面放電型
プラズマディスプレイパネルについて説明する。(Embodiment 2) An AC surface discharge type plasma display panel according to Embodiment 2 of the present invention will be described below with reference to FIG.
【0034】熱膨張係数が84×10-7/℃で、ガラス
の歪点が610℃のSiO2−Al2O3−R2O−R’O
系(R2Oは、アルカリ金属の酸化物、R’Oはアルカ
リ土類金属の酸化物、ガラスの商品名 CS25 コー
ニング社製)前面ガラス基板11上にスクリーン印刷後
焼成することによって得られた銀電極12を形成し、こ
の上に55重量%の酸化鉛(PbO)、10重量%の酸
化硼素(B2O3)、25重量%の酸化硅素(Si
O2)、5重量%の酸化亜鉛(ZnO)、5重量%の酸
化銅(Cu2O)から成る熱膨張係数70×10-7/℃
の鉛系の誘電体ガラス層13をスクリーン印刷後580
℃で20分間焼成して、約25μmの膜厚に形成した。
その結果誘電体ガラス上には、クラックの発生はなかっ
た。SiO 2 —Al 2 O 3 —R 2 O—R′O having a coefficient of thermal expansion of 84 × 10 −7 / ° C. and a glass strain point of 610 ° C.
System (R 2 O is an oxide of an alkali metal, R′O is an oxide of an alkaline earth metal, trade name of glass CS25 manufactured by Corning Incorporated) Obtained by screen printing and firing on the front glass substrate 11. A silver electrode 12 is formed, on which 55% by weight of lead oxide (PbO), 10% by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), and 25% by weight of silicon oxide (Si)
O 2 ), 5% by weight zinc oxide (ZnO), 5% by weight copper oxide (Cu 2 O), having a coefficient of thermal expansion of 70 × 10 −7 / ° C.
580 after screen printing of the lead-based dielectric glass layer 13
It was baked at 20 ° C. for 20 minutes to form a film having a thickness of about 25 μm.
As a result, no crack was generated on the dielectric glass.
【0035】次に上記の誘電体ガラス層上にMgOをプ
ラズマCVD法(プラズマ化学蒸着法)にて成膜する方
法を図2を用いて説明する。Next, a method of forming MgO on the above-mentioned dielectric glass layer by a plasma CVD method (plasma chemical vapor deposition) will be described with reference to FIG.
【0036】図2は、プラズマディスプレイパネルの保
護層を形成する際に用いるCVD装置の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a CVD apparatus used for forming a protective layer of a plasma display panel.
【0037】図2において、21はアルカリ土類の金属
キレートあるいは、シクロペンタジエニル化合物をCV
D装置内に輸送するためのアルゴン(Ar)ガスボン
ベ、22はアルカリ土類の酸化物(MgO)の原料とな
る金属キレートを加熱して蒸発させる気化器(バブラ
ー)、23はアルカリ土類の酸化物(MgO)の原料と
なるシクロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる
気化器(バブラー)、24は反応ガスである酸素ボン
ベ、25はCVD装置本体、26は基板を加熱するヒー
タ、27は誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、2
8はプラズマCVDを行う時に使う高周波電源、29は
排気装置である。In FIG. 2, reference numeral 21 denotes an alkaline earth metal chelate or a cyclopentadienyl compound
Argon (Ar) gas cylinder for transporting into the D apparatus, 22 is a vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a metal chelate as a raw material of an alkaline earth oxide (MgO), 23 is an oxidation of the alkaline earth Vaporizer (bubbler) for heating and evaporating the cyclopentadienyl compound as a raw material of the product (MgO), 24 is an oxygen cylinder as a reaction gas, 25 is a CVD device main body, 26 is a heater for heating a substrate, and 27 is a heater for heating a substrate. A glass substrate on which a dielectric glass layer is formed, 2
Reference numeral 8 denotes a high-frequency power supply used when performing plasma CVD, and 29 denotes an exhaust device.
【0038】先ず、スクリーン印刷後焼成によって得ら
れた銀電極上に、有機バインダー(10%のエチルセル
ローズを含むメーターピネオール)を含む、55重量%
のPbO、10重量%のB2O3、25重量%のSi
O2、5重量%の酸化亜鉛(ZnO)、5重量%の酸化
銅(Cu2O)から成る鉛系の誘電体ガラス層をスクリ
ーン印刷法で形成後580℃で20分間焼成して得られ
たガラス基板27をCVD装置25の250℃に加熱さ
れたヒーター部26上に置き、次にArボンベ21から
毎分1リットル(l)のArガスを125℃に加熱され
た、マグネシウムのシクロペンタジエニル化合物である
Mg(C5H5)2が入った気化器21を通してガラス基
板27上に1分間流し、同時にボンベ24から反応ガス
である酸素(O2)を毎分2リットルの割合で同じく1
分間ガラス基板27上に流し、次にプラズマを発生させ
るために反応容器内を排気装置29を使用して、10T
orrに減圧し、高周波電源28から13.56MHz
の高周波電界を300ワット(300W)で20秒間印
加し、プラズマCVDを行い0.3μmの酸化マグネシ
ウム(MgO)の保護層を形成した(膜形成速度0.9
μm/分)。First, an organic binder (meter pinole containing 10% of ethyl cellulose) containing 55% by weight of an organic binder was formed on a silver electrode obtained by firing after screen printing.
PbO, 10% by weight B 2 O 3 , 25% by weight Si
A lead-based dielectric glass layer composed of O 2 , 5% by weight of zinc oxide (ZnO), and 5% by weight of copper oxide (Cu 2 O) is formed by a screen printing method and then fired at 580 ° C. for 20 minutes. The glass substrate 27 placed on the heater unit 26 heated to 250 ° C. in the CVD apparatus 25, and then 1 liter (l) of Ar gas per minute from the Ar cylinder 21 is heated to 125 ° C. for magnesium cyclopentane. It is allowed to flow for 1 minute on the glass substrate 27 through the vaporizer 21 containing Mg (C 5 H 5 ) 2 as a dienyl compound, and at the same time, oxygen (O 2 ) as a reaction gas is supplied from the cylinder 24 at a rate of 2 liters per minute. Also 1
For 10 minutes, the inside of the reaction vessel is evacuated for 10 T using the exhaust device 29 to generate plasma.
orr, and 13.56 MHz from the high frequency power supply 28
Was applied at 300 watts (300 W) for 20 seconds to perform plasma CVD to form a 0.3 μm magnesium oxide (MgO) protective layer (film formation rate 0.9).
μm / min).
【0039】このMgO膜のX線解析を行なった結果、
この膜は、(100)面に配向していることがわかっ
た。次に図1を用いて保護層付き前面パネルと背パネル
を張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成する
方法について説明する。As a result of X-ray analysis of this MgO film,
This film was found to be oriented in the (100) plane. Next, a method of manufacturing a plasma display panel by bonding a front panel with a protective layer and a back panel to each other will be described with reference to FIG.
【0040】図1においてスクリーン印刷後焼成するこ
とによって得られた銀電極16と高さ0.15mmのガ
ラス製の隔壁17(隔壁の間隔0.15mm)およびそ
の隔壁内に蛍光体層18[蛍光体は、赤色;(YxGd
1-x)BO3:Eu3+、緑色;Zn2SiO4:Mn、青
色;BaMgAl14O23:Eu2+がそれぞれ隔壁で分離
されているが、図1には、一色のみを図示している]が
設けられたCS−25を用いた背面ガラス基板15を封
着用ガラスを用いて前記前面パネルと張り合せ、放電ガ
ス封入の前に、放電空間部19を8×10-7Torrの
真空度に排気し、放電空間部内に20%キセノン(X
e)ガスを含むヘリウム(He)ガスを放電ガスとして
600Torr封入し、交流面放電型プラズマディスプ
レイパネルとした。In FIG. 1, a silver electrode 16 obtained by firing after screen printing, a glass partition 17 having a height of 0.15 mm (distance between partitions 0.15 mm), and a phosphor layer 18 [fluorescence] Body is red; (Y x Gd
1-x ) BO 3 : Eu 3+ , green; Zn 2 SiO 4 : Mn, blue; BaMgAl 14 O 23 : Eu 2+ are each separated by a partition, but FIG. 1 shows only one color. The back glass substrate 15 using CS-25 provided with the above is bonded to the front panel using sealing glass, and before the discharge gas is filled, the discharge space 19 is filled with 8 × 10 −7 Torr. After evacuating to a vacuum degree, 20% xenon (X
e) A helium (He) gas containing a gas was sealed at 600 Torr as a discharge gas to obtain an AC surface discharge type plasma display panel.
【0041】次にこのエージングのため放電維持電圧2
50V、周波数50KHzで4時間放電させた後、パネ
ルの欠陥(エージング中の誘電体のブレイクダウンによ
る欠陥)を調べた。この結果を上記の(表1)、(表
2)、(表3)及び(表4)の試料番号2に示す。Next, the discharge sustaining voltage 2
After discharging at 50 V and a frequency of 50 KHz for 4 hours, the panel was examined for defects (defects due to breakdown of the dielectric during aging). The results are shown in Sample No. 2 in (Table 1), (Table 2), (Table 3) and (Table 4).
【0042】(実施の形態3)以下上記と同じく図1を
参照しながら本発明実施の形態3における交流面放電型
プラズマディスプレイパネルについて説明する。Embodiment 3 Hereinafter, an AC surface discharge type plasma display panel according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG.
【0043】熱膨張係数が83×10-7/℃でガラスの
歪点が582℃のSiO2−Al2O 3−R2O−R’O系
(R2Oは、アルカリ金属の酸化物、R’Oはアルカリ
土類金属の酸化物、ガラスの商品名 PP−8 日本電
気硝子社製)前面ガラス基板11上にスクリーン印刷後
焼成することによって得られた銀電極12を形成し、こ
の上に63重量%の酸化鉛(PbO)、13重量%の酸
化硼素(B2O3)、13重量%の酸化硅素(Si
O2)、10重量%の酸化亜鉛(ZnO)、1重量%の
酸化クロム(Cr2O3)から成る熱膨張係数74×10
-7/℃の鉛系の誘電体ガラス層13をスクリーン印刷後
570℃で20分間焼成して、約25μmの膜厚に形成
した。その結果誘電体ガラス上には、クラックの発生は
なかった。The coefficient of thermal expansion is 83 × 10-7/ ° C of glass
SiO with a strain point of 582 ° CTwo-AlTwoO Three-RTwoO-R'O system
(RTwoO is an alkali metal oxide, R'O is an alkali
Earth metal oxides and glass trade names PP-8 Nippon Electric
After screen printing on front glass substrate 11
A silver electrode 12 obtained by firing is formed.
63% by weight of lead oxide (PbO), 13% by weight of acid
Boron (B)TwoOThree), 13% by weight of silicon oxide (Si
OTwo) 10% by weight zinc oxide (ZnO), 1% by weight
Chromium oxide (CrTwoOThree) Of 74 × 10
-7/ Screen printing of lead-based dielectric glass layer 13 of / ° C
Baking at 570 ° C for 20 minutes to form a film of about 25μm
did. As a result, cracks do not appear on the dielectric glass.
Did not.
【0044】次にこの誘電体ガラス層上にMgOをプラ
ズマCVD法(プラズマ化学蒸着法)にて成膜する方法
を図2を用いて説明する。Next, a method of forming MgO on the dielectric glass layer by a plasma CVD method (plasma chemical vapor deposition) will be described with reference to FIG.
【0045】図2は、プラズマディスプレイパネルの保
護層を形成する際に用いるCVD装置の概略図である。
図2において、21は、アルカリ土類の金属キレートあ
るいは、シクロペンタジエニル化合物をCVD装置内に
輸送するためのアルゴン(Ar)ガスボンベ、22は、
アルカリ土類の酸化物(MgO)の原料となる金属キレ
ートを加熱して蒸発させる気化器(バブラー)、23
は、アルカリ土類の酸化物(MgO)の原料となるシク
ロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる気化器
(バブラー)、24は、反応ガスである酸素ボンベ、2
5は、CVD装置本体、26は、基板を加熱するヒー
タ、27は、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、
28は、プラズマCVDを行う時に使う高周波電源、2
9は、排気装置である。FIG. 2 is a schematic view of a CVD apparatus used for forming a protective layer of a plasma display panel.
In FIG. 2, reference numeral 21 denotes an argon (Ar) gas cylinder for transporting an alkaline-earth metal chelate or a cyclopentadienyl compound into a CVD apparatus;
Vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a metal chelate as a raw material of alkaline earth oxide (MgO), 23
Is a vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a cyclopentadienyl compound as a raw material of an alkaline earth oxide (MgO); 24 is an oxygen cylinder as a reaction gas;
5 is a CVD apparatus main body, 26 is a heater for heating the substrate, 27 is a glass substrate on which a dielectric glass layer is formed,
Reference numeral 28 denotes a high frequency power supply used when performing plasma CVD, 2
9 is an exhaust device.
【0046】先ず、スクリーン印刷後焼成によって得ら
れた銀電極上に、有機バインダー(10%のエチルセル
ローズを含むメーターピネオール)を含む、63重量%
のPbO、13重量%のB2O3、13重量%のSi
O2、10重量%の酸化亜鉛(ZnO)、1重量%の酸
化クロム(Cr2O3)から成る鉛系の誘電体ガラス層を
スクリーン印刷法で形成後570℃で20分間焼成して
得られたガラス基板27をCVD装置25の250℃に
加熱されたヒーター部26上に置き、次にArボンベ2
1から毎分1リットル(l)のArガスを125℃に加
熱された、マグネシウムのシクロペンタジエニル化合物
であるMg(C5H5)2が入った気化器21を通してガ
ラス基板27上に1分間流し同時にボンベ24から反応
ガスである酸素(O2)を毎分2リットルの割合で同じ
く1分間ガラス基板27上に流し、次にプラズマを発生
させるために反応容器内を排気装置29を使用して、1
0Torrに減圧し、高周波電源28から13.56M
Hzの高周波電界を300ワット(300W)で20秒
間印加し、プラズマCVDを行い0.3μmの酸化マグ
ネシウム(MgO)の保護層を形成した(膜形成速度
0.9μm/分)。First, on a silver electrode obtained by firing after screen printing, 63% by weight of an organic binder (meter pinole containing 10% ethyl cellulose) was contained.
PbO, 13 wt% B 2 O 3 , 13 wt% Si
A lead-based dielectric glass layer composed of O 2 , 10% by weight of zinc oxide (ZnO), and 1% by weight of chromium oxide (Cr 2 O 3 ) is formed by a screen printing method and then fired at 570 ° C. for 20 minutes. The glass substrate 27 thus placed is placed on a heater section 26 of a CVD apparatus 25 heated to 250 ° C.
1 to 1 liter / minute of Ar gas is heated onto a glass substrate 27 through a vaporizer 21 heated to 125 ° C. and containing Mg (C 5 H 5 ) 2 which is a cyclopentadienyl compound of magnesium. At the same time, oxygen (O 2 ), which is a reaction gas, is flown from the cylinder 24 at a rate of 2 liters per minute onto the glass substrate 27 for 1 minute, and then an exhaust device 29 is used in the reaction vessel to generate plasma. Then 1
The pressure was reduced to 0 Torr, and 13.56 M
A high frequency electric field of 300 Hz was applied at 300 watts (300 W) for 20 seconds, and plasma CVD was performed to form a 0.3 μm protective layer of magnesium oxide (MgO) (film formation rate: 0.9 μm / min).
【0047】このMgO膜のX線解析を行なった結果、
この膜は、(100)面に配向していることがわかっ
た。次に図1を用いて保護層付き前面パネルと背パネル
を張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成する
方法を説明する。As a result of X-ray analysis of this MgO film,
This film was found to be oriented in the (100) plane. Next, a method of fabricating a plasma display panel by bonding a front panel with a protective layer and a back panel will be described with reference to FIG.
【0048】図1においてスクリーン印刷後焼成するこ
とによって得られた銀電極16と高さ0.15mmのガ
ラス製の隔壁17(隔壁の間隔0.15mm)およびそ
の隔壁内に蛍光体層18[蛍光体は、赤色;(YxGd
1-x)BO3:Eu3+、緑色;Zn2SiO4:Mn、青
色;BaMgAl14O23:Eu2+がそれぞれ隔壁で分離
されているが、図1には、一色のみを図示している]が
設けられたPP−8を用いた背面ガラス基板15を封着
用ガラスを用いて前記前面パネルと張り合せ、放電ガス
封入の前に、放電空間部19を8×10-7Torrの真
空度に排気し、放電空間部内に20%キセノン(Xe)
ガスを含むヘリウム(He)ガスを放電ガスとして60
0Torr封入し、交流面放電型プラズマディスプレイ
パネルとした。In FIG. 1, a silver electrode 16 obtained by screen printing followed by baking, a glass partition 17 having a height of 0.15 mm (distance between partitions 0.15 mm), and a phosphor layer 18 [fluorescence] Body is red; (Y x Gd
1-x ) BO 3 : Eu 3+ , green; Zn 2 SiO 4 : Mn, blue; BaMgAl 14 O 23 : Eu 2+ are each separated by a partition, but FIG. 1 shows only one color. A back glass substrate 15 made of PP-8 provided with the above is bonded to the front panel using a sealing glass, and before filling the discharge gas, the discharge space 19 is filled with 8 × 10 −7 Torr. Evacuate to a degree of vacuum and leave 20% xenon (Xe) in the discharge space
Helium (He) gas containing gas is used as a discharge gas and 60
0 Torr was sealed to obtain an AC surface discharge type plasma display panel.
【0049】次にこのエージングのため放電維持電圧2
50V、周波数50KHzで4時間放電させた後、パネ
ルの欠陥(エージング中の誘電体のブレイクダウンによ
る欠陥)を調べた。この結果を(表1)、(表2)、
(表3)及び(表4)の試料番号3に示す。Next, the discharge sustaining voltage 2
After discharging at 50 V and a frequency of 50 KHz for 4 hours, the panel was examined for defects (defects due to breakdown of the dielectric during aging). The results are shown in (Table 1), (Table 2),
The results are shown in Sample No. 3 in (Table 3) and (Table 4).
【0050】(実施の形態4)以下上記と同じく図1を
参照しながら本発明実施の形態4における交流面放電型
プラズマディスプレイパネルについて説明する。(Embodiment 4) An AC surface discharge type plasma display panel according to Embodiment 4 of the present invention will be described below with reference to FIG.
【0051】熱膨張係数が85×10-7/℃でガラスの
歪点が603℃のSiO2−Al2O 3−R2O−R’O系
(R2Oは、アルカリ金属の酸化物、R’Oはアルカリ
土類金属の酸化物、ガラスの商品名 CP600 セン
トラル硝子社製)前面ガラス基板11上にスクリーン印
刷後焼成することによって得られた銀電極12を形成
し、この上に56重量%の酸化鉛(PbO)、25重量
%の酸化硼素(B2O3)、14重量%の酸化硅素(Si
O2)、4重量%の酸化亜鉛(ZnO)、1重量%の酸
化バナジウム(V2O5)から成る熱膨張係数72×10
-7/℃の鉛系の誘電体ガラス層13をスクリーン印刷後
575℃で20分間焼成して、約25μmの膜厚に形成
した。その結果誘電体ガラス上には、クラックの発生は
なかった。The coefficient of thermal expansion is 85 × 10-7/ ° C of glass
SiO with a strain point of 603 ° CTwo-AlTwoO Three-RTwoO-R'O system
(RTwoO is an alkali metal oxide, R'O is an alkali
Earth metal oxide, glass trade name CP600
Screen mark on front glass substrate 11)
Form silver electrode 12 obtained by firing after printing
And 56% by weight of lead oxide (PbO), 25% by weight
% Boron oxide (BTwoOThree), 14% by weight of silicon oxide (Si
OTwo), 4% by weight zinc oxide (ZnO), 1% by weight acid
Vanadium (VTwoOFive) Of 72 × 10
-7/ Screen printing of lead-based dielectric glass layer 13 of / ° C
Bake at 575 ° C for 20 minutes to form a film of about 25μm
did. As a result, cracks do not appear on the dielectric glass.
Did not.
【0052】次にこの誘電体ガラス層上にMgOをプラ
ズマCVD法(プラズマ化学蒸着法)にて成膜する方法
を図2を用いて説明する。Next, a method of forming MgO on the dielectric glass layer by a plasma CVD method (plasma chemical vapor deposition) will be described with reference to FIG.
【0053】図2は、プラズマディスプレイパネルの保
護層を形成する際に用いるCVD装置の概略図である。
図2において、21は、アルカリ土類の金属キレートあ
るいは、シクロペンタジエニル化合物をCVD装置内に
輸送するためのアルゴン(Ar)ガスボンベ、22は、
アルカリ土類の酸化物(MgO)の原料となる金属キレ
ートを加熱して蒸発させる気化器(バブラー)、23
は、アルカリ土類の酸化物(MgO)の原料となるシク
ロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる気化器
(バブラー)、24は、反応ガスである酸素ボンベ、2
5は、CVD装置本体、26は、基板を加熱するヒー
タ、27は、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、
28は、プラズマCVDを行う時に使う高周波電源、2
9は、排気装置である。FIG. 2 is a schematic view of a CVD apparatus used for forming a protective layer of a plasma display panel.
In FIG. 2, reference numeral 21 denotes an argon (Ar) gas cylinder for transporting an alkaline-earth metal chelate or a cyclopentadienyl compound into a CVD apparatus;
Vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a metal chelate as a raw material of alkaline earth oxide (MgO), 23
Is a vaporizer (bubbler) for heating and evaporating a cyclopentadienyl compound as a raw material of an alkaline earth oxide (MgO); 24 is an oxygen cylinder as a reaction gas;
5 is a CVD apparatus main body, 26 is a heater for heating the substrate, 27 is a glass substrate on which a dielectric glass layer is formed,
Reference numeral 28 denotes a high frequency power supply used when performing plasma CVD, 2
9 is an exhaust device.
【0054】先ず、スクリーン印刷後焼成によって得ら
れた銀電極上に、有機バインダー(10%のエチルセル
ローズを含むメーターピネオール)を含む、56重量%
のPbO、25重量%のB2O3、14重量%のSi
O2、4重量%の酸化亜鉛(ZnO)、1重量%の酸化
バナジウム(V2O5)から成る鉛系の誘電体ガラス層を
スクリーン印刷法で形成後550℃で10分間焼成して
得られたガラス基板27をCVD装置25の250℃に
加熱されたヒーター部26上に置き、次にArボンベ2
1から毎分1リットル(l)のArガスを125℃に加
熱された、マグネシウムのシクロペンタジエニル化合物
であるMg(C5H5)2が入った気化器21を通してガ
ラス基板27上に1分間流し同時にボンベ24から反応
ガスである酸素(O2)を毎分2リットルの割合で同じ
く1分間ガラス基板27上に流し、次にプラズマを発生
させるために反応容器内を排気装置29を使用して、1
0Torrに減圧し、高周波電源28から13.56M
Hzの高周波電界を300ワット(300W)で20秒
間印加し、プラズマCVDを行い0.3μmの酸化マグ
ネシウム(MgO)の保護層を形成した(膜形成速度
0.9μm/分)。このMgO膜のX線解析を行なった
結果、この膜は、(100)面に配向していることがわ
かった。First, on a silver electrode obtained by firing after screen printing, 56% by weight of an organic binder (meter pinole containing 10% ethyl cellulose) was added.
PbO, 25% by weight B 2 O 3 , 14% by weight Si
A lead-based dielectric glass layer composed of O 2 , 4% by weight of zinc oxide (ZnO), and 1% by weight of vanadium oxide (V 2 O 5 ) is formed by screen printing and then fired at 550 ° C. for 10 minutes. The glass substrate 27 thus placed is placed on a heater section 26 of a CVD apparatus 25 heated to 250 ° C.
1 to 1 liter / minute of Ar gas is heated onto a glass substrate 27 through a vaporizer 21 heated to 125 ° C. and containing Mg (C 5 H 5 ) 2 which is a cyclopentadienyl compound of magnesium. At the same time, oxygen (O 2 ), which is a reaction gas, is flown from the cylinder 24 at a rate of 2 liters per minute onto the glass substrate 27 for 1 minute, and then an exhaust device 29 is used in the reaction vessel to generate plasma. Then 1
The pressure was reduced to 0 Torr, and 13.56 M
A high frequency electric field of 300 Hz was applied at 300 watts (300 W) for 20 seconds, and plasma CVD was performed to form a 0.3 μm protective layer of magnesium oxide (MgO) (film formation rate: 0.9 μm / min). X-ray analysis of the MgO film showed that the film was oriented in the (100) plane.
【0055】次に図1を用いて保護層付き前面パネルと
背パネルを張り合せて、プラズマディスプレイパネルを
作成する方法を説明する。Next, a method of manufacturing a plasma display panel by laminating a front panel with a protective layer and a back panel will be described with reference to FIG.
【0056】図1においてスクリーン印刷後焼成するこ
とによって得られた銀電極16と高さ0.15mmのガ
ラス製の隔壁17(隔壁の間隔0.15mm)およびそ
の隔壁内に蛍光体層18[蛍光体は、赤色;(YxGd
1-x)BO3:Eu3+、緑色;Zn2SiO4:Mn、青
色;BaMgAl14O23:Eu2+がそれぞれ隔壁で分離
されているが、図1には、一色のみを図示している]が
設けられたCP600を用いた背面ガラス基板15を封
着用ガラスを用いて前記前面パネルと張り合せ、放電ガ
ス封入の前に、放電空間部19を8×10-7Torrの
真空度に排気し、放電空間部内に20%キセノン(X
e)ガスを含むヘリウム(He)ガスを放電ガスとして
600Torr封入し、交流面放電型プラズマディスプ
レイパネルとした。In FIG. 1, a silver electrode 16 obtained by screen printing followed by baking, a glass partition 17 having a height of 0.15 mm (distance between partitions 0.15 mm), and a phosphor layer 18 [fluorescence] Body is red; (Y x Gd
1-x ) BO 3 : Eu 3+ , green; Zn 2 SiO 4 : Mn, blue; BaMgAl 14 O 23 : Eu 2+ are each separated by a partition, but FIG. 1 shows only one color. Is attached to the front panel using a sealing glass, and before the discharge gas is filled, the discharge space portion 19 is evacuated to 8 × 10 −7 Torr. And discharge 20% xenon (X
e) A helium (He) gas containing a gas was sealed at 600 Torr as a discharge gas to obtain an AC surface discharge type plasma display panel.
【0057】次にこのパネルのエージングのため放電維
持電圧250V、周波数50KHzで4時間放電させた
後、パネルの欠陥(エージング中の誘電体のブレイクダ
ウンによる欠陥)を調べた。この結果を(表1)、(表
2)、(表3)及び(表4)の試料番号4に示す。Next, the panel was discharged at a discharge sustaining voltage of 250 V and a frequency of 50 KHz for 4 hours for aging, and then the panel was examined for defects (defects due to breakdown of the dielectric during aging). The results are shown in Sample No. 4 in (Table 1), (Table 2), (Table 3) and (Table 4).
【0058】以下同様にして、基板ガラスの熱膨張係数
および誘電体ガラスの組成、誘電体ガラスの熱膨張係等
を変えて、前面ガラスパネル(フロントパネル)を作成
し、背面パネル(バックパネル)と張り合せて、プラズ
マディスプレイパネルを作成し、維持電圧250V、周
波数50KHzで4時間エージングした後のパネルの欠
陥を調べた結果を上記の(表1)、(表2)、(表3)
及び(表4)の試料番号5〜33に示す。Similarly, a front glass panel (front panel) is formed by changing the thermal expansion coefficient of the substrate glass, the composition of the dielectric glass, the thermal expansion coefficient of the dielectric glass, and the like, and the rear panel (back panel). The results of examining the panel for defects after aging at a sustaining voltage of 250 V and a frequency of 50 KHz for 4 hours to prepare a plasma display panel are shown in Tables 1, 2 and 3 above.
And (Table 4) sample numbers 5 to 33.
【0059】ただし、試料番号29〜33は本発明以外
の比較例の試料である。以上本発明の実施の形態におけ
るプラズマディスプレイについて説明を行ったが、上記
の(表1)〜(表4)に記載のように、歪点が550℃
である特定のガラス基板をフロントプレート及びバック
プレートとして用いた場合、特定の金属酸化物を添加し
てやると、ガラスの粘度を低下させることができるた
め、焼成等の熱処理を経ても、誘電体ガラス層にクラッ
クやピンホールが発生することを防止することができ
る。そしてさらに、ガラスを青または緑色に着色するこ
とができるため、結果として銀のコロイドの存在に基づ
くパネルへの不要な着色を解消することも可能になる。However, sample numbers 29 to 33 are samples of comparative examples other than the present invention. The plasma display according to the embodiment of the present invention has been described above. As described in (Table 1) to (Table 4), the strain point is 550 ° C.
When a specific glass substrate is used as a front plate and a back plate, if a specific metal oxide is added, the viscosity of the glass can be reduced. Cracks and pinholes can be prevented from being generated. Further, since the glass can be colored blue or green, unnecessary coloring of the panel due to the presence of the silver colloid can be eliminated as a result.
【0060】なお、上記の金属酸化物は、ガラスの流動
性を良くし、気泡や欠陥をなくすための添加物であり、
1〜5重量%が適している。1%以下では、その効果が
発揮されず、5%以上になると耐圧が悪化したり、着色
が激しくなったりして好ましくない。The above-mentioned metal oxide is an additive for improving the fluidity of glass and eliminating bubbles and defects.
1-5% by weight is suitable. If it is 1% or less, the effect is not exhibited, and if it is 5% or more, the pressure resistance is deteriorated and coloring becomes intense, which is not preferable.
【0061】上記のように本発明のプラズマディスプレ
イパネルは特定の組成を有するガラスをフロントプレー
ト及びバックプレートとして用いることを前提としてい
る訳であるが、その組成について以下に説明する。As described above, the plasma display panel of the present invention is based on the premise that glass having a specific composition is used as the front plate and the back plate. The composition will be described below.
【0062】誘電体ガラス組成においてPbOの範囲を
55重量%〜70重量%に限定したのは55重量%以下
では、ガラスの融点が高くなり、気泡や欠陥をなくすた
めには、高歪点基板ガラスの軟化点以上の温度で誘電体
ガラスを焼成しなくてはならず、基板ガラスが変形して
しまうため好ましくない。又70重量%以上になると、
融点は下るが、誘電体ガラスの熱膨張係数が86×10
-7/℃以上になるため、焼成後の冷却時に高歪点基板ガ
ラス(熱膨張係数83〜85×10-7/℃)が割れると
いう問題が発生するため好ましくない。In the dielectric glass composition, the range of PbO is limited to 55% by weight to 70% by weight. If it is 55% by weight or less, the melting point of the glass becomes high. The dielectric glass must be fired at a temperature equal to or higher than the softening point of the glass, and the substrate glass is undesirably deformed. And when it is over 70% by weight,
Although the melting point is low, the coefficient of thermal expansion of the dielectric glass is 86 × 10
-7 / ° C. or more, which is not preferable because a problem occurs in that the substrate glass (coefficient of thermal expansion: 83 to 85 × 10 −7 / ° C.) breaks during cooling after firing.
【0063】又酸化硼素(B2O3)の範囲を6重量%〜
25重量%に限定したのは、6重量%以下ではガラスの
流動性が悪く結晶化しやすくなるため好ましくない。The range of boron oxide (B 2 O 3 ) is from 6% by weight to
It is not preferable that the content is limited to 25% by weight because if the content is 6% by weight or less, the glass has poor fluidity and tends to crystallize.
【0064】又25重量%以上になると融点が高くな
り、ガラスの流動温度(気泡がぬける温度)が高歪点基
板ガラスの軟化点付近になるため好ましくない。When the content is more than 25% by weight, the melting point becomes high, and the flow temperature of the glass (the temperature at which bubbles are removed) becomes close to the softening point of the substrate glass having a high strain point, which is not preferable.
【0065】又酸化硅素(SiO2)の範囲を6重量%
〜25重量%に限定したのは、6重量%以下では、誘電
体ガラスの耐圧が低下するため好ましくなく、25重量
%以上では、ガラスの融点が高くなりすぎて好ましくな
い。The range of silicon oxide (SiO 2 ) is 6% by weight.
The reason why the content is limited to 25% by weight or less is not preferable if the content is 6% by weight or less because the withstand voltage of the dielectric glass is reduced, and if the content is 25% by weight or more, the melting point of the glass becomes too high.
【0066】又酸化亜鉛(ZnO)は、ガラスを安定化
させるための添加物で1〜10重量%が適しており、1
%以下あるいは10%以上では効果が発揮されない。酸
化アルミ(Al2O3)もガラスを安定化させる添加物で
1〜5重量%が適しており、1%以下あるいは、10%
以上では効果が発揮されない。Zinc oxide (ZnO) is an additive for stabilizing glass, and is suitably 1 to 10% by weight.
% Or 10% or more, no effect is exhibited. Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is also an additive for stabilizing glass, and 1 to 5% by weight is suitable, and 1% or less or 10% or less.
No effect is exhibited above.
【0067】[0067]
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明による歪
点が550℃以上(550〜610℃)で熱膨張係数が
(83〜85)×10-7/℃の基板ガラス用誘電体ガラ
スであって、その熱膨張係数が(70〜78)×10-7
/℃の値を持つPbO−B2O3−SiO2−ZnO−M
O(金属酸化物)系、PbO−B2O3−SiO2−Al2
O3−MO(金属酸化物)系、およびPbO−B2O3−
SiO2−ZnO−Al2O3−MO(金属酸化物)系の
誘電体ガラス層を用いることによって、信頼性が高く、
高品質で欠陥の少ないプラズマディスプレイパネルが得
られる。As described above, according to the present invention, a dielectric glass for a substrate glass having a strain point of 550 ° C. or more (550-610 ° C.) and a coefficient of thermal expansion of (83-85) × 10 −7 / ° C. And its thermal expansion coefficient is (70-78) × 10 -7
With a value of / ℃ PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -ZnO-M
O (metal oxide) based, PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2
O 3 —MO (metal oxide) system and PbO—B 2 O 3 —
By using an SiO 2 —ZnO—Al 2 O 3 —MO (metal oxide) -based dielectric glass layer, reliability is high,
A high quality plasma display panel with few defects can be obtained.
【図1】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの断面図FIG. 1 is a sectional view of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルのMgO膜を形成する際に用いるCVD装置
の概略を示す断面図FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a CVD apparatus used when forming an MgO film of the plasma display panel according to the embodiment of the present invention.
【図3】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの
断面図FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional AC type plasma display panel.
11 前面ガラス基板(フロントカバープレート) 12 銀電極(表示電極) 13 誘電体ガラス層 14 (100)配向面誘電体保護層 15 背面ガラス基板(バックプレート) 16 アドレス電極 17 隔壁 18 蛍光体 19 放電空間 21 アルゴンガスボンベ 22 アルカリ土類(MgO)の金属キレートの気化器 23 アルカリ土類(MgO)のシクロペンタジエニル
化合物の気化器 24 酸素ガスボンベ 25 CVD装置 26 基板加熱ヒータ 27 誘電体ガラス層が形成されたガラス基板 28 プラズマを発生させるための高周波電源 29 排気装置 31 前面ガラス基板(フロントカバープレート) 32 透明電極 33 銀電極 34 表示電極 35 誘電体ガラス層 36 (111)配向面誘電体保護層(MgO層) 37 背面ガラス基板(バックプレート) 38 アドレス電極(銀電極) 39 隔壁 40 蛍光体層 41 放電空間Reference Signs List 11 front glass substrate (front cover plate) 12 silver electrode (display electrode) 13 dielectric glass layer 14 (100) oriented plane dielectric protection layer 15 rear glass substrate (back plate) 16 address electrode 17 partition wall 18 phosphor 19 discharge space Reference Signs List 21 Argon gas cylinder 22 Alkaline earth (MgO) metal chelate vaporizer 23 Alkaline earth (MgO) cyclopentadienyl compound vaporizer 24 Oxygen gas cylinder 25 CVD apparatus 26 Substrate heater 27 Dielectric glass layer is formed Glass substrate 28 High frequency power supply for generating plasma 29 Exhaust device 31 Front glass substrate (front cover plate) 32 Transparent electrode 33 Silver electrode 34 Display electrode 35 Dielectric glass layer 36 (111) oriented surface dielectric protection layer (MgO) Layer) 37 Back glass substrate (bath) 38) Address electrode (silver electrode) 39 Partition wall 40 Phosphor layer 41 Discharge space
フロントページの続き (72)発明者 石倉 靖久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平8−119665(JP,A) 特開 平4−249032(JP,A) 特開 平10−67534(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 11/00 - 17/64 C03C 3/074 Continuation of the front page (72) Inventor Yasuhisa Ishikura 1006 Kazuma Kadoma, Kazuma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-8-119665 (JP, A) JP-A-4-249032 (JP) , A) JP-A-10-67534 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 11/00-17/64 C03C 3/074
Claims (3)
が550℃以上であるガラスから成るフロントカバープ
レートと、電極及び蛍光体層が設けられ、歪点が550
℃以上であるガラスから成るバックプレートとを有し、
前記フロントカバープレートと前記バックプレートの少
なくとも一方に隔壁を設けるとともに、前記フロントカ
バープレートと前記バックプレートそれぞれの電極面を
所定のギャップを保って相対向させて封着し、内部に放
電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディスプレイ
パネルであって、前記誘電体ガラス層が、酸化鉛55重
量%〜70重量%、酸化硼素6重量%〜25重量%、酸
化硅素6重量%〜25重量%、酸化亜鉛1重量%〜10
重量%、金属酸化物1重量%〜5重量%〔ただし、金属
酸化物は酸化カリウム、酸化銅、酸化ニッケル、酸化マ
ンガン、酸化コバルト、酸化バナジウムのうちのいずれ
か一種〕で熱膨張係数が70〜78(×10-7/℃)で
あることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。An electrode and a dielectric glass layer are provided, and a front cover plate made of glass having a strain point of 550 ° C. or more; an electrode and a phosphor layer are provided;
And a back plate made of glass having a temperature of at least ℃.
A partition is provided on at least one of the front cover plate and the back plate, and the electrode surfaces of the front cover plate and the back plate are sealed so as to face each other while maintaining a predetermined gap, and a gas capable of being discharged inside. a plasma display panel comprising encapsulating medium, the dielectric glass layer, lead oxide 5 5 wt% to 70 wt%, 6 wt% to 25 wt% oxide boric arsenide, oxide硅containing 6% to 25 % by weight, oxide zinc 1% by weight to 10
Wt%, the metal oxide 1 wt% to 5 wt% [However, metal oxides are potassium, copper oxide, nickel oxide, Ma <br/> Nga emissions, oxide cobalt, of oxidized vanadium A plasma display panel having a thermal expansion coefficient of 70 to 78 (× 10 −7 / ° C.).
が550℃以上であるガラスから成るフロントカバープ
レートと、電極及び蛍光体層が設けられ、歪点が550
℃以上であるガラスから成るバックプレートとを有し、
前記フロントカバープレートと前記バックプレートの少
なくとも一方に隔壁を設けるとともに、前記フロントカ
バープレートと前記バックプレートそれぞれの電極面を
所定のギャップを保って相対向させて封着し、内部に放
電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディスプレイ
パネルであって、前記誘電体ガラス層が、酸化鉛55重
量%〜70重量%、酸化硼素6重量%〜25重量%、酸
化硅素6重量%〜25重量%、酸化アルミニウム1重量
%〜5重量%、金属酸化物1重量%〜5重量%〔ただ
し、金属酸化物は酸化カリウム、酸化銅、酸化ニッケ
ル、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化バナジウムのう
ちのいずれか一種〕で熱膨張係数が70〜78(×10
-7/℃)であることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。2. A front cover plate made of glass having an electrode and a dielectric glass layer and having a strain point of 550 ° C. or higher, and an electrode and a phosphor layer are provided and having a strain point of 550.
And a back plate made of glass having a temperature of at least ℃.
A partition is provided on at least one of the front cover plate and the back plate, and the electrode surfaces of the front cover plate and the back plate are sealed so as to face each other while maintaining a predetermined gap, and a gas capable of being discharged inside. a plasma display panel comprising encapsulating medium, the dielectric glass layer, lead oxide 5 5 wt% to 70 wt%, 6 wt% to 25 wt% oxide boric arsenide, oxide硅containing 6% to 25 wt%, oxide aluminum 1% to 5% by weight, metal oxide 1 wt% to 5 wt% [However, metal oxides are potassium, copper oxide, nickel
Le oxide manganese oxide, cobalt, thermal expansion coefficient in any one] Urn <br/> Chi oxide vanadium is 70-78 (× 10
-7 / ° C).
が550℃以上であるガラスから成るフロントカバープ
レートと、電極及び蛍光体層が設けられ、歪点が550
℃以上であるガラスから成るバックプレートとを有し、
前記フロントカバープレートと前記バックプレートの少
なくとも一方に隔壁を設けるとともに、前記フロントカ
バープレートと前記バックプレートそれぞれの電極面を
所定のギャップを保って相対向させて封着し、内部に放
電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディスプレイ
パネルであって、前記誘電体ガラス層が、酸化鉛55重
量%〜70重量%、酸化硼素6重量%〜25重量%、酸
化硅素6重量%〜25重量%、酸化亜鉛1重量%〜10
重量%、酸化アルミニウム1重量%〜5重量%、金属酸
化物1〜5重量%〔ただし、金属酸化物は酸化カリウ
ム、酸化銅、酸化ニッケル、酸化マンガン、酸化コバル
ト、酸化バナジウムのうちのいずれか一種〕で熱膨張係
数が70〜78(×10-7/℃)であることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネル。3. A front cover plate made of glass having an electrode and a dielectric glass layer and having a strain point of 550 ° C. or higher, and an electrode and a phosphor layer provided with a strain point of 550.
And a back plate made of glass having a temperature of at least ℃.
A partition is provided on at least one of the front cover plate and the back plate, and the electrode surfaces of the front cover plate and the back plate are sealed so as to face each other while maintaining a predetermined gap, and a gas capable of being discharged inside. a plasma display panel comprising encapsulating medium, the dielectric glass layer, lead oxide 5 5 wt% to 70 wt%, 6 wt% to 25 wt% oxide boric arsenide, oxide硅containing 6% to 25 % by weight, oxide zinc 1% by weight to 10
Wt%, oxide aluminum 1% to 5% by weight, metal oxide 1 to 5 wt% [However, metal oxides are potassium
Beam, copper oxide, nickel oxide, manganese oxide, cobalt
DOO, a plasma display panel having a thermal expansion coefficient in any one] of the oxide vanadium is characterized in that it is a 70~78 (× 10 -7 / ℃) .
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