JP3307059B2 - 加速器及び医療用装置並びに出射方法 - Google Patents
加速器及び医療用装置並びに出射方法Info
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Description
療に用いるのに好適な加速器に関する。
る。本装置では、加速器101内を周回する荷電粒子ビ
ームのベータトロン振動に共鳴を発生させてビームを出
射し、出射したビームを治療室103へ輸送して照射治
療に用いていた。
振動の共鳴現象と従来の加速器からのビーム出射法につ
いて説明する。
速器内を周回し、これをベータトロン振動という。ベー
タトロン振動の周回軌道一周当りの振動数をチューンと
いい、チューンは4極電磁石で制御することができる。
収束用4極電磁石5及び発散用4極電磁石6を用いてチ
ューンを(整数+1/3),(整数+2/3)、又は(整
数+1/2)に近づけておき、周回軌道上に設けた共鳴
発生用6極電磁石9を励磁すると、多数周回している荷
電粒子のうち、ある境界以上のベータトロン振動振幅を
持つ荷電粒子のベータトロン振動振幅が急激に増加す
る。この現象をベータトロン振動の共鳴という。共鳴が
発生する前記境界を安定限界といい、その大きさは4極
電磁石及び多極電磁石の磁場強度により変化する。
の共鳴を2次共鳴、(整数+1/3)又は(整数+2/
3)に近付けた時の共鳴を3次共鳴と呼ぶが、以下では
チューンを(整数+1/3)に近付ける場合を例にとっ
て説明する。共鳴の安定限界の大きさは、チューンの
(整数+1/3)からの偏差が小さいほど、6極電磁石
9の磁場強度が強いほど小さくなる。そこで従来技術で
は、6極電磁石9の強度を一定にしたままチューンをあ
る程度(整数+1/3)に近付け、周回中の荷電粒子の
うちベータトロン振動振幅が大きな荷電粒子に共鳴を発
生させ、その後、チューンをさらに(整数+1/3)に
近付けて安定限界を狭め、振動振幅が小さな荷電粒子に
も共鳴を発生させていた。このようなチューンの制御は
図2の周回軌道上に設けた4極電磁石5及び6の磁場強
度を制御することにより行われていた。また、この過程
でビームエネルギーは一定に保たれていた。
て、特開平5−198397 号公報に、偏向電磁石2や6極電
磁石9の強度を一定にするだけでなく、チューン一定、
即ち4極電磁石の磁場強度を一定としておき、ベータト
ロン振動振幅を増加させて共鳴を発生させる方法が記載
されている。このビーム出射法では、チューン一定で共
鳴の安定限界を一定に保ちつつ、高周波印加装置14か
らビームの進行方向に垂直に高周波電磁界を印加してベ
ータトロン振動振幅を増加させ共鳴を発生させている。
この出射法でもビームエネルギーは一定に保たれてい
る。
れるが、照射治療においてイオンビームが体内組織に入
ると、図3に示すように特定の深さで集中的にエネルギ
ーを放出する。この照射線量のピーク位置はブラッグピ
ークと呼ばれ、ブラッグピークの位置はビームエネルギ
ーで決まる。照射治療では、患部位置にブラッグピーク
を合わせるが、患者毎に患部の位置が異なることや、患
部の大きさがブラッグピーク前後の照射線量が高い範囲
より大きな場合があり、従来は加速器から取り出すビー
ムエネルギーは一定のまま、図4に示すように飛程調整
器106を用いてブラッグピークの位置、及びブラッグ
ピーク前後の照射線量の特性を調整していた。
struments and Methods 131 (1975)pp.437−440
に記載されており、ビームを重金属やプラスチックガラ
スを通過させて調整している。この場合、患部の深さや
大きさに応じて飛程調整器の形状や大きさなどを変更す
る必要があり、患者毎に異なる飛程調整器を用いる必要
がある。
のような問題点がある。
までの間にビームエネルギーを変化させることが困難で
ある。第2に、ビームエネルギーを変化させるために飛
程調整器を用いると、ビーム径が広がり、ビーム特性が
低下する恐れがある。第3に、飛程調整器を用いた医療
用装置では患者毎に異なる飛程調整器を使用する必要が
あるため、飛程調整器の製作や位置決め等に多大な時間
を要するので、患者が照射治療を受けるまでの待ち時間
が長い。
させながら小径ビームを出射できる加速器及び出射方法
を提供することにある。
受けるまでの待ち時間が短い医療用装置を提供すること
にある。
に本発明は以下の特徴を備える。
電粒子ビームのエネルギーを変化させる。荷電粒子ビー
ムのエネルギーの制御は、次の(1)又は(2)の何れかの
方法により行う。
界を印加して、偏向電磁石及び4極電磁石の磁場強度を
変化させる。ここで、偏向電磁石と4極電磁石の磁場強
度比を概ね一定に保つ。荷電粒子がイオンの場合は、更
にエネルギー変化に対応させて高周波電界の周波数も変
化させる。
界を印加し、偏向電磁石の磁場強度を一定にして、高周
波電界の周波数を変化させる。
いて発生する。
必要な多極磁場を6極電磁石又は8極電磁石等の多極電
磁石により発生させる。出射過程で前記(1)の方法によ
り周回ビームのエネルギーを変化させる場合、多極電磁
石の磁場強度は、偏向電磁石の磁場強度との比を一定に
保つように変化させることが望ましい。
電磁界を印加して共鳴の安定限界内の荷電粒子ビームの
ベータトロン振動振幅を増加させる。ここで、高周波電
磁界の周波数スペクトルをビームエネルギーの変化に対
応させて制御する。高周波電磁界は、例えば高周波印加
装置を用いて発生する。
へ輸送する出射ビーム輸送系の機器強度もビームエネル
ギーの変化に応じて変化させる。
(2)の方法を用いた場合に分けて作用を説明する。
にエネルギーを与え、同時に偏向電磁石の磁場強度を変
化させる。ビームの曲率半径はビームエネルギーと偏向
電磁石の磁場強度で決まるので、ビームのエネルギー変
化に対応させて偏向電磁石の磁場強度を変化させること
により、ビームの曲率半径を一定に保つことができる。
即ち、出射開始時及び出射終了時の偏向電磁石の磁場強
度を出射開始時及び出射終了時のビームエネルギーに基
づいて決めればよい。
の曲率半径が小さくなり、加速器一周の周長が短くな
る。その結果、ビームが一周する時間が短くなり、例え
ばプロトンなどのイオンでは、加速空胴の高周波電界に
対する位相がビームエネルギーが増加する方へ変化す
る。従って、ビームは高周波電界からエネルギーを得
て、ビームエネルギーは増加する。
度の比が一定になるように制御することにより、ビーム
のチューンを一定にすることができる。また、このチュ
ーン一定の運転条件で更に共鳴励起用の多極電磁石と偏
向電磁石の磁場強度の比を一定に制御することにより、
共鳴の安定限界を一定にすることができる。従って、ベ
ータトロン振動の共鳴の安定限界を一定に保ったまま、
ビームエネルギーを増加することができる。但し、4極
電磁石や多極電磁石の磁場強度を一定にしても安定限界
の変化が小さい場合には、これらの電磁石の磁場強度は
概ね一定でよい。
印加する高周波電界の周波数をビームのエネルギー変化
に対応させて変化させることにより、エネルギー変化に
伴ってビームの周回周波数が変化しても、確実にビーム
エネルギーを増加することができる。
度は一定のまま、ビームに印加する高周波電界の周波数
を変えてビームにエネルギーを与える。これは、高周波
電界の周波数が変わると、ビームがエネルギーを得る高
周波電界の位相が変わるので、ビームエネルギーの増加
又は減少が起きるという現象を利用する。ただし、偏向
電磁石の強度が一定であるためビームの曲率半径が変化
するので、ビームの位置は変化する。
の大小にかかわらず適用できるが、前記(2)の方法はエ
ネルギー変化が小さい場合に適している。これは、(2)
の方法では偏向電磁石の磁場強度を一定にするため、ビ
ームのエネルギー変化に伴いビーム中心軌道の位置が変
化するので、ビームのエネルギー変化が大きい場合に真
空ダクトへ衝突する粒子が増えてしまうからである。
進行方向に垂直に高周波電磁界を印加し、エネルギーが
変化しつつ共鳴の安定限界内で安定に周回しているビー
ムのベータトロン振動振幅を増加させることにより、こ
のビームに安定限界を超えさせてベータトロン振動に共
鳴を発生させ、ビームを出射することができる。
ータトロン振動振幅をビームの進行方向に垂直な高周波
磁界又は高周波電界により増加させる方法について説明
する。いま、加速器のビーム進行方向をs方向,水平方
向をx方向,垂直方向をy方向とする。高周波磁界を用
いる場合は、ビームを出射する面(出射面)が水平面の
ときは垂直方向(y方向)に印加し、出射面が垂直面の
ときは水平方向(x方向)に印加する。加速器一周毎の
高周波磁界によるビームの軌道勾配の変化は小さいが、
この蓄積によってビームの振動振幅は次第に大きくな
る。但し、高周波磁界を印加する装置の設置位置につい
ては特に制限は無い。
増加させるためには、高周波磁界の周波数がベータトロ
ン振動に同期する周波数成分に近い必要がある。ベータ
トロン振動に同期する周波数成分は、整数m,周回周波
数fr ,チューンの小数部νを用いて、(m+ν)fr 又
は(m−ν)fr と表せる。ビームはエネルギー分布を持
つので、エネルギーの異なる粒子はfr が異なる。エネ
ルギーが異なる全ての粒子のベータトロン振動振幅を増
加させるためには、高周波磁界は複数の周波数成分又は
連続した周波数幅を持ち、この周波数範囲にベータトロ
ン振動に同期する周波数成分が含まれていることが望ま
しい。高周波磁界の時間変化は、規則的でも不規則的で
も良い。
は、電磁石,平行線状電極,平板電極、又は円弧状電極
等を用いることができる。これらの装置にベータトロン
振動に同期する周波数成分に近い周波数の電流を流すこ
とにより、安定限界内のビームのベータトロン振動振幅
を増加することができる。
方向であるs方向に印加するか、又は出射面が水平面の
ときは水平方向(x方向)に印加し、出射面が垂直面の
ときは垂直方向(y方向)に印加する。これによって
も、高周波磁界を用いる場合と同様に安定限界内のビー
ムのベータトロン振動振幅を増加することができる。
高周波電界又は高周波磁界によって安定限界内のビーム
のベータトロン振動振幅を増加することができるが、出
射過程で前記(1)又は(2)の方法によりビームエネルギ
ーを変えるとビームの速度が変わるので、ベータトロン
振動に同期する周波数も変化する。従って、ビームエネ
ルギーの変化に応じて高周波電磁界の周波数を変化させ
ることが望ましい。高周波電磁界が複数の周波数成分を
持つ場合には夫々を変化させる必要があり、連続した周
波数幅を持つ場合には周波数幅はそのままで、周波数全
体を変化させる必要がある。但し、ベータトロン振動に
同期する周波数の変化を全て含む広い周波数幅を持つ高
周波電磁界を用いれば、周波数を変化させる必要はな
い。
ることにより、ビームエネルギーを時間的に連続して変
化させても、安定限界一定でビームを出射できるので、
エネルギーを変化させながら小径ビームを出射すること
ができる。
の機器強度をビームのエネルギー変化に応じて変化させ
ることにより、従来用いていた飛程調整器を使わなくて
も、様々な深さや大きさの患部に対して時間的に連続し
てビーム照射治療が可能となるので、患者が照射治療を
受けるまでの待ち時間を大幅に短縮することができる。
る。
の実施例を示す。本実施例はエネルギーが約20MeV
のプロトンを加速器で50〜300MeVのエネルギー
まで加速して照射治療に用いる例を示す。本医療用装置
は、プロトンビームを発生し、前段加速し、出射する前
段加速器16と、前段加速器16から出射されたビーム
を加速器111に輸送する入射ビーム輸送系17と,入
射ビーム輸送系17で輸送されたビームを入射し、加速
・蓄積し、出射する加速器111と,加速器111から
出射されたビームを治療室103に輸送する出射ビーム
輸送系102と,出射ビーム輸送系102で輸送された
ビームを用いて照射治療を行う治療室103と,各構成
機器の制御を行う制御装置110などで構成される。
15と,ビームにエネルギーを与える高周波加速空胴8
と,ビーム軌道を曲げる偏向電磁石2と,ビーム軌道を
補正する収束用4極電磁石5及び発散用4極電磁石6
と,ビームに共鳴を励起する6極電磁石9と,共鳴の安
定限界内のビームのベータトロン振動振幅を増加する高
周波印加装置14と,ビームを出射する出射器4とから
構成される。
備え、出射ビーム輸送系102は4極電磁石104及び
偏向電磁石105を備えており、共鳴励起用電磁石とし
ては6極電磁石以外に8極電磁石等の多極電磁石を用い
ることができ、高周波印加装置14としては例えば電極
を用いる。これらの機器のうち、6極電磁石9,高周波
印加装置14,出射器4,4極電磁石104及び偏向電
磁石105は、ビームを出射する過程でのみ使用する。
(患部の深さや大きさ)などに基づいて、出射開始時の
ビームエネルギーEsおよび出射終了時のビームエネル
ギーEe(但し、Es,Eeは50〜300MeVの範
囲)を決定し、これに対応する信号を制御装置110に
送信する。制御装置110は、エネルギーEsおよびE
eに対応する信号に基づいて、出射ビーム輸送系機器電
源112と加速器機器電源113を制御する。
機器強度変化パターン演算部200と、その演算結果に
基づいて機器強度の制御信号を電源112及び113に
送信するパターンデータ発信部201とから構成され
る。演算部200でのパターン演算の内容は200a,
200b,200cに大別される。200aでは、ま
ず、入射ビームのエネルギーEi及び出射開始エネルギ
ーEsから、これに対応するビームの運動量Pi及びP
sを求め、これに基づいてビームの入射からエネルギー
Esまでの加速で使用する機器の強度変化パターンを求
める。こうして、図5に示したように運動量を直線的に
増加させることにより機器強度も直線的に変化させるこ
とができるので、機器強度のパターン設定や制御が容易
になる。
する過程で偏向電磁石2により軌道が曲げられ、4極電
磁石により設計軌道1(通常は真空ダクト10の中心を
つなげた軌道)からのずれに比例した力で軌道勾配が変
えられて軌道補正される。4極電磁石5は水平方向にビ
ームを収束する方向に軌道勾配を変え、4極電磁石6は
水平方向にビームを発散させる方向に軌道勾配を変える
機能を持つ。垂直方向については、4極電磁石5はビー
ムを発散させ、4極電磁石6はビームを収束させる機能
を持つ。これらの4極電磁石の働きにより、ビームは設
計軌道1の周りをベータトロン振動しながら周回し、ベ
ータトロン振動の振動数は4極電磁石5及び6の励磁量
により制御できる。
でビームを安定に周回させるには、加速器一周あたりの
ベータトロン振動数(チューン)を共鳴が生じない値に
しておく必要がある。本実施例では水平方向チューンν
xが2.25、垂直方向チューンνyが1.25となるよう
に4極電磁石5及び6を調整しておく。このとき、偏向
電磁石2と4極電磁石5及び6の磁場強度はビーム入射
時の運動量Piに基づいて求める。この状態でビームは
加速器内を安定に周回するが、その過程で高周波加速空
胴8からエネルギーを与えられる。
周波数fをビームが周回する周波数friにし、高周波加
速空胴8からビームにエネルギーを与えると共に、偏向
電磁石2と4極電磁石5,偏向電磁石2と4極電磁石
6、各々の磁場強度比を一定に保ちながら、磁場強度を
増加させる。このとき、周回周波数friは加速器111
の周長及びビームの運動量から求める。これにより、偏
向電磁石2の曲線部ではビーム軌道の曲率半径が小さく
なり、1周の軌道が短くなる。この結果、ビームは高周
波加速空胴8から高周波エネルギーを与えられ、ビーム
エネルギーが増加する。そして、ビームエネルギーの増
加による遠心力増加と、偏向電磁石2の励磁量の増加に
よる向心力増加とが釣合い、ビームは同一軌道を中心に
周回する。ビームエネルギーが増加するとビームが加速
器を周回する周波数が高くなるので、高周波加速空胴8
に印加する高周波信号の周波数をビームの周回周波数に
合わせるように増加する。この過程で必要な偏向電磁石
2,4極電磁石5及び6の磁場強度や、高周波加速空胴
8の高周波の電圧及び周波数も図13の200aで求め
ておく。また、この加速過程では偏向電磁石2と4極電
磁石5,偏向電磁石2と4極電磁石6、各々の磁場強度
比を一定に保っているので、チューンは一定に保たれ
る。
射位置s=sO における位相空間(x,dx/ds)上
の荷電粒子の軌跡を図6に示す。同図の位相空間上の軌
跡は、径が異なる相似形の楕円が多数ならんでいるよう
に見えるが、楕円の径の大きさがビームのベータトロン
振動振幅の大きさに対応し、楕円の径が小さいほどベー
タトロン振動振幅も小さい。
までの加速に使用する機器の強度パターンを求めた後、
200bでビームエネルギーを変化させながら出射する
際の加速器111内の機器強度パターンを求める。20
0cでは、エネルギーを変えながら出射したビームを治
療室103に輸送するために用いる出射器4と出射ビー
ム輸送系102の機器の強度変化パターンを求める。図
13の演算部200で求めた機器強度変化パターンデー
タは発信部201から電源112及び113に送信さ
れ、各電源をこのパターンデータに基づいて制御する。
ーチャートを用いて説明する。運転方法は以下の(1)
〜(8)の手順で行う。
磁石6の電源を調整し、水平方向チューンνx を2.3
0に設定する。
2の磁場強度比をR1 ,発散用4極電磁石6と偏向電磁
石2の磁場強度比をR2 とする。
電流を流す。
ムのうちベータトロン振動振幅が大きい粒子が共鳴の安
定限界内に納まる程度の値にしておく。この値は予め計
算で求めるか、出射運転を繰り返して求める。
をR3 とする。この時、出射器4の位置における位相空
間上の荷電粒子の軌跡は図8に示すように三角形状にな
る。 (3)高周波印加装置14から、不規則に時間変化する周
波数帯域の広い高周波電磁界をビームに印加する。
同図の電極25及び26は棒状電極で、水平方向(図の
x方向)に対向させて時間変化信号を印加する。棒状電
極に符号が逆の電流を広帯域高周波電源24から流すこ
とにより、図9に示すようにx方向の電場と−y方向の
磁場がビームに加わる。負荷抵抗23は印加した電流が
電極端部から高周波電源24側に反射しないように設置
している。
不規則信号とし、ビームのエネルギーがEsの時の周回
周波数をfrsとすると、0.25frs〜0.35frs程度
の周波数帯域を含む周波数スペクトルを持たせる。即
ち、中心周波数を0.30frsとし、周波数幅Δfが
0.1frsとなる周波数スペクトルを持たせる。
ームのチューンがベータトロン振動振幅に依存して変化
することに起因する。即ち、ベータトロン振動振幅が極
めて小さいビームのチューンは4極電磁石で設定した
2.30 になっているが、共鳴発生用の6極電磁石9の
影響で、安定限界近くのベータトロン振動振幅の大きな
ビームのチューンはこの値から2.3333−2.30=0.0333程
度ずれる。従って、振動振幅がこれらの間にあるビーム
のチューンも2.3333と2.30 の間に連続的に分布する
ので、安定限界内の全てのビームのベータトロン振動振
幅を増加させるためには、ビームのチューン分布を含む
周波数成分を持たせることが望ましい。
ムに高周波電磁界を印加することにより、ビームの軌道
勾配が電場,磁場の作用で変化し、図8に示す位相空間
内のビームのベータトロン振動振幅が増加して、安定限
界を超えた粒子は共鳴によりベータトロン振動振幅が急
激に増加する。図8の位相空間内に示す数字はビームの
周回数を示しており、周回に伴い出射器電極4a,4b
間に入り、出射器4から出射される。
eへ変化させる。
ビームに印加する高周波電磁界の周波数をfrsからfre
へ変化させる。
R3 が一定となるように、4極電磁石5,6及び6極電
磁石9の磁場強度を変化させる。
sからEeに変化するため、周回周波数はfrsからfre
に変化する。(4)〜(6)の出射過程におけるビームのエ
ネルギー、運動量及び周回周波数、並びに各磁場強度の
時間変化を図5に示す。
らビームに印加する高周波電磁界の中心周波数を、周波
数幅はΔf=0.1frs のままで、0.3frsから0.3
freへ変化させる。
するのに伴い、ベータトロン振動に同期する周波数も変
化するので、(7)によりビームのエネルギーを変化しな
がら各粒子のベータトロン振動振幅を増加することがで
きる。従って、初期のベータトロン振動振幅が小さな粒
子もやがて図8の安定限界を超え、出射器4から出射さ
れる。図8の位相空間で安定限界は一定であり、出射器
4の入口での軌道勾配dx/dsも出射過程で一定に保
たれる。
量が所望の変化をするように、予め制御装置110の演
算部200bで求めておき、発信部201から加速器機
器電源113にパターン信号を送信して行う。これによ
り、ビームのエネルギーを変化しながら出射することが
可能となる。
化に対応させて、出射器4及び出射ビーム輸送系102
の構成機器の強度を変化させる。
ーに対応させて、出射器4の強度、並びに出射ビーム輸
送系102の偏向電磁石105及び4極電磁石104の
磁場強度と、加速器111の偏向電磁石2の磁場強度の
比を一定にするように変化させる。
2の構成機器の強度変化は予め制御装置110の演算部
200cで求めておき、発信部201から加速器機器電
源113内の出射器4の電源、及び出射ビーム輸送系機
器電源112にパターン信号を送信して、加速器111
の他の機器と同期させて制御する。
限界一定で出射するので、図8から分かるように、出射
器4の入口部での軌道勾配は一定になる。更に、出射器
4及び出射ビーム輸送系102の構成機器の強度と、偏
向電磁石2の強度の比を一定に保つことにより、径の小
さなビームを治療室103へ連続して出射できる。
に適用した第2の実施例を説明する。本実施例が第1の
実施例と異なる点は、偏向電磁石11に収束用4極電磁
石の機能を、偏向電磁石12に発散用4極電磁石の機能
を持たせて、第1の実施例の多数の4極電磁石を省略し
ていることである。4極電磁石としてはチューンを調整
するための4極電磁石13のみを使用しており、他の構
成機器は第1の実施例と同じであるので、ここでは説明
を省略する。
共にビームを水平方向に収束させる機能を持たせ、偏向
電磁石12にはビーム軌道を曲げると共にビームを水平
方向に発散させる機能を持たせる。
4極磁場について説明する。図11に偏向電磁石12の
磁極周りの詳細図を示す。100はギャップに面してい
る磁極面で、電磁石の曲率中心はx軸の負方向側にあ
り、ギャップ間隔は径方向の外側(x軸の正方向側)ほ
ど大きい。この磁極構造により、垂直方向(y方向)の
磁場強度は径方向の外側ほど小さくなり、水平方向即ち
x方向の磁場強度はy=0の面から離れるほど強くなる
ので、4極磁場成分が発生する。
すようにギャップ間隔を設定すると、水平方向には(1
−n)に比例し、垂直方向にはnに比例する力でビーム
の軌道勾配が変化する。
半径、rは曲率中心からの距離、nは実数である。数1
から、nの大きさ及び符号を適切に選ぶことにより、ビ
ームのチューンを所望の値に設定できる。
ことにより、ビームを偏向させる機能と、水平方向にビ
ームを収束させる機能を併せ持ち、偏向電磁石12はn
が1より大きくなるようにすることにより、ビームを偏
向させる機能と、水平方向にビームを発散させる機能を
併せ持たせている。この偏向電磁石11と12のn値を
適切に選定することによって、水平方向チューンを2.
25 ,垂直方向チューンを1.25 とする。
の情報により出射ビームのエネルギー範囲をEsからE
eとするように、加速器111へ入射したビームをまず
エネルギーEsまで加速する。但し、エネルギーEsま
での加速は、偏向電磁石11及び12の磁場強度を増加
させると共に、高周波加速空胴8からビームに印加する
高周波電磁界の周波数も増加させて行う。この過程で必
要な偏向電磁石11及び12の磁場強度、並びに高周波
加速空胴8の高周波電磁界の周波数は、予め制御装置1
10の演算部200aで求め、発信部201から電源1
13にパターンデータを送信して制御する。また、エネ
ルギーEsまでの加速においては、4極電磁石13は使
用しない。このように、偏向電磁石11及び12の磁場
強度、並びに高周波加速空胴8からビームに印加する高
周波電磁界の周波数を増加することにより、第1の実施
例と同様にエネルギーをEsまで増加することができ
る。次に、図12を用いて第2の実施例における出射過
程の運転方法を説明する。この運転方法は以下の(1)
〜(6)の手順で行う。
水平方向チューンを2.30 に設定する。
ームの運動量の比をRqpとする。第1の実施例では4極
電磁石と偏向電磁石の磁場強度比を考慮したのに対し
て、本実施例でビームの運動量と4極電磁石の磁場強度
の比を考慮するのは、本実施例では偏向電磁石の磁場強
度を一定にしてビームの運動量を変化させるためであ
る。
を流す。
ムでベータトロン振動振幅が大きい粒子が安定限界内に
納まる程度の値にするが、この値は予め計算で求める
か、出射運転を繰り返して求めておく。6極電磁石9の
磁場強度とビームの運動量の比をRspとする。
間変化する帯域の広い高周波電磁界をビームに印加す
る。
る高周波信号は不規則信号とし、ビームエネルギーがE
sからEeまで変化する過程でベータトロン振動振幅の
増加を簡単に実現するために、変化するベータトロン振
動周波数の範囲、即ち0.25frsから0.35fre程度の
帯域を含む周波数スペクトルを持たせる。ここで、frs
及びfreはビームエネルギーがEs及びEeの時の周回
周波数である。
り、出射開始から終了までのエネルギー範囲でのベータ
トロン振動周波数成分を全て含むので、第1の実施例で
述べたような周波数スペクトルの変更が不要となる。高
周波印加装置14からこのような高周波電磁界をビーム
に印加することにより、ビームの軌道勾配が電場及び磁
場の作用で変化してビームのベータトロン振動振幅が増
加し、図8に示す安定限界を超えた粒子は、共鳴により
ベータトロン振動振幅が急激に増加して出射器4から出
射される。
定で、高周波加速空胴8からビームに印加する高周波電
磁界の周波数をfrsからfreへ変化させる。
及びEeのビームの周回周波数である。
なるように、4極電磁石13及び6極電磁石9の磁場強
度を変化させる。
置110の演算部200bで求めた機器強度変化パター
ンを発信部201からパターン信号として加速器機器電
源113に送信して制御する。
射器4及び出射ビーム輸送系102の構成機器の機器強
度の比が一定となるように、各機器の強度を変化させ
る。
一定となるように、出射器4,出射ビーム輸送系102
の偏向電磁石105及び4極電磁石104の強度を変化
させる。これにより、ビームエネルギーは変化するが、
出射器4の入口部での軌道勾配は一定であるので、治療
室103に径の小さなビームを連続して出射することが
できる。
演算部200cで求めた機器強度変化パターンを発信部
201からパターン信号として加速器機器電源113に
送信して制御する。
エネルギーを50〜300MeVの範囲で変化させなが
ら出射する例を説明したが、他にCやAr等の重イオン
を用いても同様にして50〜800MeV程度のエネル
ギー範囲でビームエネルギーを変えながら、出射するこ
とができる。
らビームの出射停止時においてビームエネルギーを増加
させても加速器からのビーム出射軌道を概ね一定にして
出射できるので、エネルギーを増加させながら小径ビー
ムを出射することができる。
時間的に連続してビーム照射治療が可能となるので、患
者が照射治療を受けるまでの待ち時間を短縮し、且つ広
がりのある患部を精度良く照射することができる。
示す図。
図。
図。
を示す図。
図。
用4極電磁石、6…発散用4極電磁石、8…高周波加速
空胴、9…6極電磁石、11…収束4極電磁石機能付き
偏向電磁石、12…発散4極電磁石機能付き偏向電磁
石、13…チューン調整用4極電磁石、14…高周波印
加装置、22…真空ダクト、23…負荷抵抗、24…電
源、25,26…棒状電極、100…磁極面、101…
加速器、102…出射ビーム輸送系、103…治療室、
104…出射ビーム輸送系4極電磁石、105…出射ビ
ーム輸送系偏向電磁石、110…制御装置、111…加
速器、112…出射ビーム輸送系機器電源、113…加
速器機器電源。
Claims (10)
- 【請求項1】荷電粒子ビームを加速して出射器から出射
する加速器において、 前記荷電粒子ビームの出射開始時からその出射停止時に
おいて高周波加速空胴によりビームエネルギーを増加さ
せ、共鳴の安定限界内の前記荷電粒子ビームのベータト
ロン振動振幅をそのビームエネルギーの増加に応じて増
加させ、前記ベータトロン振動振幅の増加によって前記
安定限界を超えた前記荷電粒子ビームを、前記ビームエ
ネルギーが増加する前記出射開始時から前記出射停止時
において前記出射器から出射することを特徴とする加速
器。 - 【請求項2】荷電粒子ビームを加速して出射器から出射
する加速器において、 前記荷電粒子ビームの出射開始時からその出射停止時に
おいて高周波加速空胴により前記荷電粒子ビームの周回
方向に高周波エネルギーを付与してビームエネルギーを
増加させ、このビームエネルギーの変化に応じて該高周
波の周波数を変えながら、共鳴の安定限界内のビームの
ベータトロン振動振幅を増加させてベータトロン振動に
共鳴を発生させ、該荷電粒子ビームを、前記ビームエネ
ルギーが増加する前記出射開始時から前記出射停止時に
おいて前記出射器から出射することを特徴とする加速
器。 - 【請求項3】請求項1又は2に記載の加速器において、
前記ビームの周回方向に垂直な方向に前記高周波加速空
胴より高周波電界または高周波磁界を印加してベータト
ロン振動振幅を増加させ、共鳴の安定限界内のビームに
該安定限界を超えさせて出射することを特徴とする加速
器。 - 【請求項4】請求項3に記載の加速器において、前記安
定限界内のビームのベータトロン振動振幅を増加させる
ための高周波電界又は高周波磁界が複数の周波数成分を
含むことを特徴とする加速器。 - 【請求項5】請求項3又は4に記載の加速器において、
前記安定限界内のビームのベータトロン振動振幅を増加
させるための高周波電界又は高周波磁界の周波数を時間
的に変化させることを特徴とする加速器。 - 【請求項6】荷電粒子ビームを周回させる電磁石と、前
記ビームを出射する出射器を備えた加速器において、 前記ビームに高周波電磁界を印加して前記ビームを加速
する加速手段と、 前記ビームの偏向磁場を発生する偏向電磁石と、 前記ビームの共鳴の安定限界を規定する多極磁場を発生
する多極電磁石と、 前記安定限界内のビームのベータトロン振動振幅を増加
させて前記ビームを前記安定限界を超えさせる高周波印
加手段と、 入力したビーム出射開始時の第1ビームエネルギー値、
及び前記第1エネルギー値とは異なる、ビーム出射停止
時の第2ビームエネルギー値を用いて、前記ビーム出射
開始時から前記ビーム出射停止時においてビームエネル
ギーが変化するように前記加速手段から前記ビームに印
加する電場または磁場の周波数を制御すると共に前記多
極磁場と偏向磁場の強度比が概ね一定となるように制御
し、前記ベータトロン振動振幅を増加させるために前記
高周波印加手段から前記ビームに印加する電場または磁
場の周波数を、前記ビームエネルギーの変化に応じて制
御する制御装置と、 前記安定限界を超えた前記荷電粒子ビームを出射する出
射器とを備えたことを特徴とする加速器。 - 【請求項7】荷電粒子ビームを周回させる電磁石と、前
記ビームを出射する出射器を備えた加速器において、 前記ビームにエネルギーを付与して前記ビームを加速す
る加速手段と、 前記ビームの偏向磁場を発生する偏向電磁石と、 前記ビームの共鳴の安定限界を規定する多極磁場を発生
する多極電磁石と、 前記安定限界内のビームのベータトロン振動振幅を増加
させて前記ビームを前記安定限界を超えさせる高周波印
加手段と、 入力したビーム出射開始時の第1ビームエネルギー値、
及び前記第1エネルギー値とは異なる、ビーム出射停止
時の第2ビームエネルギー値を用いて、前記加速手段が
発生する電場又は磁場の周波数を、前記ビーム出射開始
時から前記ビーム出射停止時におけるそのビームエネル
ギーの変化に応じて制御すると共に、前記偏向磁場の強
度を概ね一定に制御し、前記ベータトロン振動振幅を増
加させるために前記高周波印加手段が発生する電場又は
磁場の周波数を、前記ビームエネルギーの変化に応じて
制御する制御装置と、 前記安定限界を超えた前記ビームを出射する出射器とを
備えたことを特徴とする加速器。 - 【請求項8】荷電粒子ビームの加速及び出射を行う加速
器と、該加速器から出射したビームを治療室に輸送する
輸送系と、該輸送系で輸送したビームを用いて照射治療
を行う治療室と、前記加速器及び輸送系の制御を行う制
御装置とを備えた医療用装置において、 前記加速器は、前記ビームにエネルギーを付与して前記
ビームを加速する加速手段と、前記ビームの偏向磁場を
発生する偏向電磁石と、前記ビームの共鳴の安定限界を
規定する多極磁場を発生する多極電磁石と、前記安定限
界内のビームのベータトロン振動振幅を増加させて前記
ビームを前記安定限界を超えさせる高周波印加手段と、
前記安定限界を超えた前記ビームを出射する出射器とを
備え、 前記制御装置は、ビーム出射開始時の第1ビームエネル
ギー値、及び前記第1エネルギー値とは異なる、ビーム
出射停止時の第2ビームエネルギー値を入力し、前記ベ
ータトロン振動振幅を増加させるために前記高周波印加
手段から前記ビームに印加する電磁場の周波数を、前記
ビーム出射開始時から前記ビーム出射停止時におけるそ
のビームエネルギーの変化に応じて制御し、前記ビーム
の出射時において前記加速器内の多極磁場と偏向磁場の
強度比、及び前記加速器内の偏向磁場と前記輸送系内の
磁場の強度比が概ね一定となるように制御することを特
徴とする医療用装置。 - 【請求項9】荷電粒子ビームを加速器で加速して出射す
る出射方法において、 前記荷電粒子ビームの出射開始時からその出射停止時に
おいてビームエネルギーを増加させ、共鳴の安定限界内
の前記荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅をそのビ
ームエネルギーの増加に応じて増加させ、前記ベータト
ロン振動振幅の増加によって該安定限界を超えた前記荷
電粒子ビームを、前記ビームエネルギーが増加する前記
出射開始時から前記出射停止時において前記加速器から
出射することを特徴とする荷電粒子ビームの出射方法。 - 【請求項10】荷電粒子ビームを加速器で加速して出射
する出射方法において、 前記荷電粒子ビームの出射開始時からその出射停止時に
おいてビームエネルギーを増加させながら、共鳴が発生
していない前記荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅
を増加させてベータトロン振動に共鳴を発生させ、前記
荷電粒子ビームを、前記ビームエネルギーが増加する前
記出射開始時から前記出射停止時において前記加速器か
ら出射することを特徴とする荷電粒子ビームの出射方
法。
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