JP3304298B2

JP3304298B2 - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP3304298B2
Application number: JP04722198A
Authority: JP
Inventors: 真弥山川; 厚志伴; 美広岡田; 淳人村井; 尚幸島田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-02-27
Filing date: 1998-02-27
Publication date: 2002-07-22
Anticipated expiration: 2018-02-27
Also published as: JPH11249127A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ワードプロセッサ
ーやパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子
手帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備え
たカメラ一体型ＶＴＲなどに用いられる液晶表示装置の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピューターなどの
ＯＡ（ＯｆｆｉｃｅＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器のポ
ータブル化が進み、表示装置の低コスト化が重要な課題
となってきている。この表示装置は、電気光学特性を有
する表示媒体を挟んで、各々電極を形成した一対の基板
が設けられ、その電極間に電圧を印加することによって
表示を行う構成である。

【０００３】このような表示媒体としては、液晶、エレ
クトロルミネッセンス、プラズマ、エレクトロクロミッ
クなどが使用されており、特に、液晶を用いた液晶表示
装置（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａ
ｙ；ＬＣＤ）は、低消費電力での表示が可能であるため
に、最も実用化が進んでいる。

【０００４】この液晶表示装置の表示モードおよび駆動
方法について考えると、超捩れネマティック（Ｓｕｐｅ
ｒＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ；ＳＴＮ）を初め
とする単純マトリクス方式は、最も低コスト化を実現で
きる部類に属する。

【０００５】しかし、今後、情報のマルチメディア化が
進むにつれ、ディスプレイの高解像度化、高コントラス
ト化、多階調化（マルチカラー、フルカラー）および高
視野角化が要求されるようになるので、単純マトリクス
方式では対応が困難であると考えられる。

【０００６】そこで、個々の画素にスイッチング素子
（アクティブ素子）を設けて駆動可能な走査線（走査電
極とも称される）の本数を増加させるアクティブマトリ
クス方式が提案され、この技術により、ディスプレイの
高解像度化、高コントラスト化、多階調化および高視野
角化が達成されつつある。

【０００７】アクティブマトリクス方式の液晶表示装置
においては、マトリクス状に設けられた画素電極と、該
画素電極の近傍を通る走査線とが、アクティブ素子を介
して電気的に接続された構成となっている。

【０００８】このアクティブ素子としては、２端子の非
線形素子（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａ
ｌ；ＭＩＭ）、あるいは３端子の非線形素子があり、現
在採用されているアクティブ素子の代表格は、３端子素
子の薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）である。

【０００９】また、近年、より低消費電力化の要求が高
まり、通常バックライトを必要とする透過型の液晶表示
装置に代わり、反射型の液晶表示装置の開発が盛んに行
われている。このような反射型の液晶表示装置は、外部
からの入射光を反射手段によって反射させることにより
表示を行うというものである。

【００１０】さらに、反射型と透過型との両方の機能を
合わせ持った液晶表示装置も特許出願により提案されて
いる（特願平９−２０１１７６号）。この特許出願によ
り提案された液晶表示装置は、１つの表示画素内に反射
部と透過部とを作り込むことにより、周囲が真っ暗の場
合には、バックライトからの透過部を透過する光を利用
して表示を行ない、また、外光が暗い場合には、バック
ライトからの透過部を透過する光と反射部により反射す
る光との両方を利用して表示を行ない、さらに、外光が
明るい場合には、反射部により反射する光を利用して表
示を行うというような構成の反射透過両用型の液晶表示
装置である。

【００１１】このような反射光を利用して表示を行う液
晶表示装置として、明るい表示を得るためには、あらゆ
る角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散
乱する光の強度を増加させる必要がある。そのために
は、最適な反射特性を有する反射板を作製することが必
要であり、ガラスなどからなる基板の表面に、最適な反
射特性を有するために制御された凹凸を形成し、その上
に、Ａｇなどの薄膜を形成した反射板を形成する必要が
ある。

【００１２】実施されている方法としては、例えば、基
板上に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列され
た遮光手段を介して感光性樹脂を露光および現像した後
に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成する。そ
して、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体保護膜
を形成し、その絶縁体保護膜上に金属薄膜からなる反射
板を形成する方法である。

【００１３】また、反射板を基板の外側（液晶層とは反
対側）に形成することで問題となるガラス厚みの影響に
よる二重映りの発生は、反射板を基板の内部に形成して
画素電極と兼ねる構造、つまり反射電極とすることで解
決している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
反射光を利用して表示を行う液晶表示装置においては、
反射電極としては反射率が高い材料で構成することが好
ましいのは勿論であり、その意味からはＡｇが最適であ
るが、ＡｇはＳｉ層への拡散率が高い材料であるため、
下地への拡散および反応の問題が大きい。

【００１５】これに対して、Ａｌは下地への拡散および
反応の可能性が小さく、また、集積回路におけるメタラ
イゼーションに広く用いられ、エッチング条件などの特
性も良いことから反射電極にはＡｌが用いられることが
多い。

【００１６】ところで、上述した従来の技術において、
映像信号を送る配線、および液晶駆動用のドライバの接
続用の電極には、後の工程での接続部分の酸化による高
抵抗化を防止するなどの目的で、透明な電極部分などに
用いられるＩＴＯが使用されている。

【００１７】このような配線端子部における従来の接続
電極の形成方法について、図面を用いて簡単に説明す
る。図９（ａ）〜（ｆ）は、従来の液晶表示装置の走査
配線の端子部における接続電極のプロセス断面図を示し
ており、図１０（ａ）〜（ｆ）は、従来の液晶表示装置
の信号配線の端子部における接続電極のプロセス断面図
を示している。

【００１８】走査配線および信号配線の端子部において
は、まず、図９（ａ）、図１０（ａ）に示すように、基
板上に走査配線５２となるＴａ配線を形成した後、ゲー
ト絶縁膜５５を形成する。

【００１９】次に、図９（ｂ）、図１０（ｂ）に示すよ
うに、信号配線となるＩＴＯ膜５８および信号配線膜５
９をそれぞれ形成し、その後、図９（ｃ）、図１０
（ｃ）に示すように、前工程により形成した金属層のパ
ターンニングを行い、配線端子部に下層のＩＴＯ膜５８
のみを残して、接続電極６５、接続電極６６を形成す
る。

【００２０】次に、図９（ｄ）、図１０（ｄ）に示すよ
うに、層間絶縁膜６１を形成した後、反射電極となるＡ
ｌ６３を形成する。ここで、量産工程においては、Ａｌ
は部分的に成膜することが不可能であるため、基板の全
面に成膜されることになる。このため、図９（ｅ）、図
１０（ｅ）に示すように、ＩＴＯ膜５８からなる接続電
極６５および接続電極６６の上にまでＡｌ６３からなる
反射電極膜が成膜されてしまい、その状態でフォトリソ
グラフィー法によりレジスト膜６４の露光および現像が
行われることになる。

【００２１】一般に、薄膜はバルク状態の物質と比較し
て格子欠陥が桁違いに多いため、不完全な結晶構造とな
り、従って、反射電極膜には多くのピンホールや活性領
域が生成される。そして、このような膜を現像した場合
には、アルカリ系の現像液を使用することにより、図９
（ｆ）、図１０（ｆ）に示すように、Ａｌ６３がダメー
ジを受けてしまい、ピンホールの成長や活性領域の腐食
を助長してしまうことになる。

【００２２】このように、従来の接続用電極の形成方法
においては、ＩＴＯからなる接続電極６５および接続電
極６６とＡｌ６３とに現像液が同時に接してしまい電池
系を構成してしまう。この結果、このような電池系によ
る反応により、ＩＴＯからなる接続電極６５および接続
電極６６とＡｌ６３とが腐食、溶解されてしまい、この
電食反応によりアクティブマトリクス基板の製造歩留ま
りを大幅に低下させてしまうという問題を有していた。

【００２３】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、製造歩留まりを容易に向上さ
せることができる反射光を利用して表示を行う液晶表示
装置の製造方法を提供することを目的としている。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を
挟んで互いに対向して配置される一対の基板のうちの一
方側の基板上に、複数の走査配線と、該走査配線と交差
して配置される複数の信号配線と、該走査配線と信号配
線との交差部近傍に配置されるスイッチング素子と、該
スイッチング素子に接続され少なくとも一部もしくは全
部が反射機能を有するＡｌからなる画素電極と、外部か
らの信号を入力するための表面がＩＴＯである接続電極
とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記一方
側の基板上に、前記複数の走査配線とスイッチング素子
とを形成する工程と、前記走査配線とスイッチング素子
とを含む基板上に、少なくとも異なるＩＴＯが下層であ
る２種以上の金属層を積層する工程と、前記金属層をパ
ターニングして、前記信号配線と前記外部からの信号を
入力するための接続電極部とを形成する工程と、次い
で、前記基板上に、層間絶縁膜をパターニングして形成
する工程と、前記層間絶縁膜を含む基板上に、反射機能
を有する材料としてＡｌを成膜する工程と、該Ａｌ膜を
パターニングして画素電極の一部もしくは全部を形成す
る工程と、前記接続電極部を構成する２種以上の金属層
のうち、ＩＴＯが表面となるように、ＩＴＯ上に形成さ
れた金属層を除去し、前記外部からの信号を入力するた
めの接続電極を形成する工程と、を有することを特徴と
しており、そのことにより、上記目的は達成される。

【００２５】なお、このとき、前記反射機能を有する材
料をパターニングする工程と、前記接続電極部を構成す
る２種以上の金属層のうちの１種以上を残して、残りの
金属層を除去する工程とは、同一のエッチャントで同時
にエッチングすることにより行われることが好ましい。

【００２６】また、前記信号配線と前記外部からの信号
を入力するための接続電極部とを構成する少なくとも異
なる２種以上の金属層は、ＩＴＯ膜と、Ｍｏ、Ｍｏが主
成分となる合金、Ｔａ、Ｔａが主成分となる合金のうち
のいずれか、もしくはその積層膜とからなることが好ま
しい。

【００２７】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、接続電極部を少なくとも異なる２種以上の金属層に
より形成しており、反射電極材料を形成した後に接続電
極となる金属層以外の金属層を除去していることによ
り、接続電極となる金属層と反射電極材料とが液晶表示
装置の製造工程中に接触することがなくなり、このた
め、接続電極と反射電極材料とが電食を起こすことがな
く、接続電極のダメージを防止することが可能となって
おり、ひいては製造歩留まりを向上させることが可能と
なっている。

【００２８】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、反射電極材料をパターニングする工程と、接続
電極部を構成する２種以上の金属層のうちの１種以上を
残して、残りの金属層を除去する工程とを、同一のエッ
チャントで同時にエッチングしていることにより、従来
の液晶表示装置の製造方法と比較して、製造工程を一切
増加させることなく、容易に製造歩留まりを向上させる
ことが可能となっている。

【００２９】さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法
によれば、信号配線と接続電極部とを構成する少なくと
も異なる２種以上の金属層を、ＩＴＯ膜と、Ｍｏ、Ｍｏ
が主成分となる合金、Ｔａ、Ｔａが主成分となる合金の
うちのいずれか、もしくはその積層膜とから構成してい
ることにより、製造工程を一切増加させることなく信号
配線をＩＴＯと金属層との積層構造とすることができる
ため、配線抵抗を下げることが可能となっている。ま
た、接続電極をＩＴＯ膜により形成することができるた
め、後工程での表面酸化などによる高抵抗化を防止する
ことが可能となっている。

【００３０】なお、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おいて、層間絶縁膜として感光性樹脂を用いることによ
り、フォトリソグラフィー工程のみによる層間絶縁膜の
パターニングが可能になるとともに、容易に十分な膜厚
の層間絶縁膜を得ることが可能になる。

【００３１】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おいて、画素電極のうちの反射機能を有する部分に対応
する層間絶縁膜表面に、複数の凹凸形状を形成しておく
ことにより、光拡散性を有する反射電極を容易に作製す
ることができ、液晶表示装置の表示品位を大幅に向上さ
せることが可能になる。

【００３２】

【発明の実施の形態】まず、図８（ａ）〜（ｃ）を用い
て、本発明の実施の形態における表示領域と接続電極領
域（配線端子部）との位置関係について簡単に説明す
る。

【００３３】図８（ａ）に示すように、本実施の形態に
おける液晶表示装置は、中央部分に液晶層を両基板によ
り挟んで貼り合わせた表示領域が構成されているととも
に、この表示領域の外側まで層間絶縁膜が形成されてい
る。さらに、この層間絶縁膜の外側には、図８（ｂ）
（ｃ）に示すように、走査配線に信号を入力するための
走査配線端子部および信号配線に信号を入力するための
信号配線端子部が形成されている。

【００３４】以下、本発明の実施の形態について、図１
乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施の形態にお
ける液晶表示装置の画素部分の平面図を示しており、図
２は、図１におけるＡ−Ｂ断面図を示しており、図３
は、図１におけるＣ−Ｄ断面図を示している。

【００３５】図１乃至３に示すように、絶縁性基板１の
上には、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａなどの導電薄膜からなるゲー
ト信号線２およびゲート信号線２から延出して形成され
るゲート電極３、容量配線４がそれぞれ形成されてい
る。このときの絶縁性基板１としては、ガラスまたはガ
ラス基板の表面にベースコート膜としてＴａ₂Ｏ₅、Ｓｉ
Ｏ₂などの絶縁膜を形成したものなどが用いられる。ま
た、上述した容量配線４はゲート信号線２を兼ねてもよ
い。

【００３６】続いて、ゲート電極３の上にはゲート絶縁
膜５が形成されている。本実施の形態では、Ｐ−ＣＶＤ
法によりＳｉＮ_X膜を積層してゲート絶縁膜５とした。
なお、絶縁性を高めるために、ゲート電極３を陽極酸化
して第１の絶縁膜とし、上述したＳｉＮ_X膜を第２の絶
縁膜としてもよい。そして、半導体層（アモルファスＳ
ｉ）６が、このゲート絶縁膜５上に連続してＰ−ＣＶＤ
法により積層されている。

【００３７】次に、コンタクト層７、７´となるｎ⁺型
の不純物をドーピングしたアモルファスＳｉまたは微結
晶ＳｉがＰ−ＣＶＤ法により積層されており、このコン
タクト層７、７´と半導体層６との両Ｓｉ層が島状にパ
ターニングされている。本実施の形態では、このときの
エッチングに、ＨＣｌ＋ＳＦ₆の混合ガスによるドライ
エッチング法を採用したが、エッチングガスとして、Ｃ
Ｆ₄＋Ｏ₂の混合ガスやＢＣｌ₃ガスを使用しても構わな
い。また、Ｓｉエッチング液（ＨＦ＋ＨＮＯ₃など）を
用いたウエットエッチングによるパターニングも可能で
ある。

【００３８】次に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜が
積層されており、続けてＴａ、Ｍｏなどの金属層が積層
されている。そして、フォトリソグラフィー工程により
パターニングを行った後、金属層のエッチングを行い、
次いで、ＩＴＯ膜についてもフォトリソグラフィー工程
によりパターニングを行った後、ＩＴＯエッチング液
（ＨＣｌ＋ＨＮＯ₃、ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ₃など）を用いて
ＩＴＯ膜のエッチングを行い、信号配線９および信号配
線９´を形成した。なお、このときのＩＴＯ膜のパター
ンは、金属層をマスクとしてフォトリソグラフィー工程
無しでエッチングを行うことも可能である。

【００３９】次に、半導体層６上のｎ⁺型に不純物がド
ーピングされたアモルファスＳｉ膜あるいは微結晶Ｓｉ
膜をエッチング除去し、ソース並びにドレインのコンタ
クト層７、７´を形成してＴＦＴ１０は完成する。

【００４０】このＴＦＴ１０の完成後、例えば感光性の
アクリル系有機樹脂膜を塗布して層間絶縁膜１１を形成
し、この層間絶縁膜１１にコンタクトホール１２を形成
する。そして、最後に反射電極１３となるＡｌをスパッ
タリング法により形成して、所定の形状にパターニング
することにより本実施の形態における液晶表示装置の画
素部分は形成される。

【００４１】なお、このとき、反射電極１３を画素部の
一部分にのみ形成し、残りの画素部分については光を透
過させるような構成としてもかまわない。

【００４２】また、層間絶縁膜１１に光拡散性を持たせ
る反射電極を形成するための凹凸形状を形成しても構わ
ない。図２には示していないが、この凹凸形状の形成工
程の一例について、図４（ａ）〜（ｇ）を用いて簡単に
説明する。

【００４３】まず、ガラス基板（ａ）上に感光性樹脂を
塗布した後（ｂ）、露光現像を行い（ｃ）、焼成により
角の取れた凸部を形成する（ｄ）。そして、この凸部を
覆うように平坦化膜を塗布した後（ｅ）、露光、現像に
よりコンタクトホールを形成して（ｆ）反射電極を成膜
すれば（ｇ）、滑らかな凹凸形状を有する反射電極を形
成することが可能である。

【００４４】（実施の形態１）以下、本実施の形態１に
ついて、図５および図６を用いて説明する。図５（ａ）
〜（ｆ）は、本実施の形態１における液晶表示装置の走
査配線の端子部分における接続電極のプロセス断面図を
示しており、図６（ａ）〜（ｆ）は、本実施の形態１に
おける液晶表示装置の信号配線の端子部分における接続
電極のプロセス断面図を示している。なお、この図５
（ａ）〜（ｆ）は、図８（ｂ）におけるＸ−Ｘ断面図で
あり、図６（ａ）〜（ｆ）は、図８（ｃ）におけるＹ−
Ｙ断面図である。

【００４５】本実施の形態１における液晶表示装置の走
査配線および信号配線の端子部においては、まず、図５
（ａ）、図６（ａ）に示すように、絶縁性基板上に走査
配線２となるＴａ配線を形成した後、ゲート絶縁膜５を
形成する。

【００４６】次に、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すよう
に、信号配線となるＩＴＯ膜８および信号配線膜９をそ
れぞれ形成し、その後、図５（ｃ）、図６（ｃ）に示す
ように、前工程により形成したＩＴＯ膜８および信号配
線膜９のパターンニングを行い、配線端子部分にＩＴＯ
膜８および信号配線膜９を残して接続電極部を形成す
る。なお、このときの信号配線膜９は、ＴａやＴａを主
成分とする合金、ＴａＮのいずれか、もしくはこれらの
積層膜により構成されている。

【００４７】次に、図５（ｄ）、図６（ｄ）に示すよう
に、感光性のアクリル系有機樹脂膜を塗布して層間絶縁
膜１１を形成した後、反射電極となるＡｌ１３を形成す
る。ここで、量産工程においては、Ａｌは部分的に成膜
することが不可能であるため、基板の全面に成膜される
ことになる。このため、図５（ｅ）、図６（ｅ）に示す
ように、接続電極部であるＩＴＯ膜８および信号配線膜
９の上にまでＡｌ１３からなる反射電極膜が成膜されて
しまい、その状態でフォトリソグラフィー法によりレジ
スト膜１４の露光および現像が行われることになる。

【００４８】しかしながら、本実施の形態１において
は、従来の液晶表示装置の走査配線および信号配線の端
子部における接続電極部とは異なり、ＩＴＯ膜８上に信
号配線膜９が形成された構成となっているため、アルカ
リ系の現像液を用いてもＡｌ１３とＩＴＯ膜８とが電食
を起こすことはなく、Ａｌ１３がダメージを受けること
はない。

【００４９】次に、フォトリソグラフィー法によりレジ
スト膜１４を形成した後、反射電極となるＡｌ１３のエ
ッチングを行う。本実施の形態１においては、このＡｌ
１３のエッチング方法として、ＢＣｌ₃ガスとＣｌ₂ガス
とを使用したドライエッチング法により反射電極となる
Ａｌ１３のエッチングを行った。なお、このときのエッ
チング法によるエッチング選択性は図７（ａ）に示すと
おりである。

【００５０】本実施の形態１におけるエッチング方法で
は、Ａｌ１３をエッチングするのと同時に接続電極部上
に残っているＴａやＴａを主成分とする合金、ＴａＮの
いずれか、もしくはこれらの積層膜により構成され信号
配線膜９の除去も可能であり、最終的には、図５
（ｆ）、図６（ｆ）に示すように、配線端子部分におけ
る接続電極としては、表面にＩＴＯ膜８が残る構造とな
る。このようにして、本実施の形態１における液晶表示
装置の走査配線および信号配線の端子部分における接続
電極は形成される。

【００５１】上述したように、本実施の形態１における
液晶表示装置の走査配線および信号配線の端子部分にお
ける接続電極の構成によれば、反射電極となるＡｌ１３
のエッチングにおいて、上述したようなガスを用いたド
ライエッチング法を用いていることにより、従来と比較
して製造工程を増加させることなく接続電極となるＩＴ
Ｏ８と反射電極となるＡｌ１３との電食を防止すること
が可能となっており、反射光を利用して表示を行う液晶
表示装置を高歩留まりかつ低コストにより作製すること
が可能となっている。

【００５２】（実施の形態２）上述した実施の形態１で
は、Ａｌ１３のエッチング方法としてドライエッチング
法を用いた接続電極の作製方法を説明したが、本実施の
形態２では、より低コストで接続電極を作製するため
に、ウエットエッチング法を用いた接続電極の作製方法
について説明する。

【００５３】本実施の形態２における製造工程は、上述
した実施の形態１と同様のフローにより行うことになる
が、信号配線膜９を形成する金属層として、Ｍｏ系の金
属層を用いた。

【００５４】そして、フォトリソグラフィー法によりレ
ジスト膜１４を形成した後、反射電極となるＡｌ１３の
エッチングを行う際に、本実施の形態２においては、こ
のＡｌ１３のエッチング方法として、リン酸＋硝酸＋酢
酸＋水からなる溶液を使用したウエットエッチング法に
より反射電極となるＡｌ１３のエッチングを行った。な
お、このときのエッチング法によるエッチング選択性は
図７（ｂ）に示すとおりである。

【００５５】本実施の形態２におけるエッチング方法で
は、Ａｌ１３をエッチングするのと同時に接続電極部上
に残っているＭｏなどからなる信号配線膜９の除去も可
能であり、最終的には、図５（ｆ）、図６（ｆ）に示す
ように、配線端子部分における接続電極としては、表面
にＩＴＯ膜８が残る構造となる。このようにして、本実
施の形態２における液晶表示装置の走査配線および信号
配線の端子部分における接続電極は形成される。

【００５６】上述したように、本実施の形態２における
液晶表示装置の走査配線および信号配線の端子部分にお
ける接続電極の構成によれば、反射電極となるＡｌ１３
のエッチングにおいて、上述したような溶液を用いたウ
エットエッチング法を用いていることにより、従来と比
較して製造工程を増加させることなく接続電極となるＩ
ＴＯ８と反射電極となるＡｌ１３との電食を防止するこ
とが可能となっており、反射光を利用して表示を行う液
晶表示装置を高歩留まりで、かつ実施の形態１と比較し
て低コストで作製することが可能となっている。

【００５７】

【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置の製造方法によれば、接続電極部を少なくとも異な
る２種以上の金属層により形成しており、反射電極材料
を形成した後に接続電極となる金属層以外の金属層を除
去していることにより、接続電極となる金属層と反射電
極材料とが液晶表示装置の製造工程中に接触することが
なくなり、このため、接続電極と反射電極材料とが電食
を起こすことがなく、接続電極のダメージを防止するこ
とが可能となっており、ひいては製造歩留まりを向上さ
せることが可能となっている。

【００５８】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、反射電極材料をパターニングする工程と、接続
電極部を構成する２種以上の金属層のうちの１種以上を
残して、残りの金属層を除去する工程とを、同一のエッ
チャントで同時にエッチングしていることにより、従来
の液晶表示装置の製造方法と比較して、製造工程を一切
増加させることなく、容易に製造歩留まりを向上させる
ことが可能となっている。

【００５９】さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法
によれば、信号配線と接続電極部とを構成する少なくと
も異なる２種以上の金属層を、ＩＴＯ膜と、Ｍｏ、Ｍｏ
が主成分となる合金、Ｔａ、Ｔａが主成分となる合金の
うちのいずれか、もしくはその積層膜とから構成してい
ることにより、製造工程を一切増加させることなく信号
配線をＩＴＯと金属層との積層構造とすることができる
ため、配線抵抗を下げることが可能となっている。ま
た、接続電極をＩＴＯ膜により形成することができるた
め、後工程での表面酸化などによる高抵抗化を防止する
ことが可能となっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本実施の形態における液晶表示装置の
画素部分の平面図を示している。

【図２】図２は、図１におけるＡ−Ｂ断面図を示してい
る。

【図３】図３は、図１におけるＣ−Ｄ断面図を示してい
る。

【図４】図４（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態における
液晶表示装置の層間絶縁膜に光拡散性を持たせる反射電
極を形成するための凹凸形状を形成するためのプロセス
断面図を示している。

【図５】図５（ａ）〜（ｆ）は、本実施の形態１におけ
る液晶表示装置の走査配線の端子部分における接続電極
のプロセス断面図を示している。

【図６】図６（ａ）〜（ｆ）は、本実施の形態１におけ
る液晶表示装置の信号配線の端子部分における接続電極
のプロセス断面図を示している。

【図７】図７（ａ）は、本実施の形態１における反射電
極のエッチングによるエッチング選択性を示した表であ
り、図７（ｂ）は、本実施の形態２における反射電極の
エッチングによるエッチング選択性を示した表である。

【図８】図８（ａ）は、本発明における液晶表示装置の
全体平面図であり、（ｂ）（ｃ）は、接続電極部の拡大
平面図である。

【図９】図９（ａ）〜（ｆ）は、従来の液晶表示装置の
走査配線の端子部における接続電極のプロセス断面図を
示している。

【図１０】図１０（ａ）〜（ｆ）は、従来の液晶表示装
置の信号配線の端子部における接続電極のプロセス断面
図を示している。

【符号の説明】

１絶縁性基板２ゲート信号線（走査配線）３ゲート電極４容量配線５ゲート絶縁膜６半導体層７コンタクト層７´ コンタクト層８ＩＴＯ膜（下部信号配線）８´ ＩＴＯ膜９信号配線（信号配線膜）９´ 接続配線１０ＴＦＴ１１層間絶縁膜１２コンタクトホール１３反射電極（Ａｌ）１４レジスト膜５２ゲート信号配線（走査配線）５５ゲート絶縁膜５８ＩＴＯ膜（下部信号配線）５９信号配線（信号配線膜）６１層間絶縁膜６３反射電極（Ａｌ）６４レジスト膜６５接続電極６６接続電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村井淳人大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者島田尚幸大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開平８−254714（ＪＰ，Ａ) 特開平７−86302（ＪＰ，Ａ) 特開平６−110073（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 520 G02F 1/1345

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を挟んで互いに対向して配置され
る一対の基板のうちの一方側の基板上に、複数の走査配
線と、該走査配線と交差して配置される複数の信号配線
と、該走査配線と信号配線との交差部近傍に配置される
スイッチング素子と、該スイッチング素子に接続され少
なくとも一部もしくは全部が反射機能を有するＡｌから
なる画素電極と、外部からの信号を入力するための表面
がＩＴＯである接続電極とを有する液晶表示装置の製造
方法において、前記一方側の基板上に、前記複数の走査配線とスイッチ
ング素子とを形成する工程と、前記走査配線とスイッチング素子とを含む基板上に、少
なくとも異なるＩＴＯが下層である２種以上の金属層を
積層する工程と、前記金属層をパターニングして、前記信号配線と前記外
部からの信号を入力するための接続電極部とを形成する
工程と、次いで、前記基板上に、層間絶縁膜をパターニングして
形成する工程と、前記層間絶縁膜を含む基板上に、反射機能を有する材料
としてＡｌを成膜する工程と、該Ａｌ膜をパターニングして画素電極の一部もしくは全
部を形成する工程と、前記接続電極部を構成する２種以
上の金属層のうち、ＩＴＯが表面となるように、ＩＴＯ
上に形成された金属層を除去し、前記外部からの信号を
入力するための接続電極を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】前記反射機能を有する材料をパターニン
グする工程と、前記接続電極部を構成する２種以上の金
属層のうちの１種以上を残して、残りの金属層を除去す
る工程とは、同一のエッチャントで同時にエッチングす
ることにより行われることを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】前記信号配線と前記外部からの信号を入
力するための接続電極部とを構成する少なくとも異なる
２種以上の金属層は、ＩＴＯ膜と、Ｍｏ、Ｍｏが主成分
となる合金、Ｔａ、Ｔａが主成分となる合金のうちのい
ずれか、もしくはその積層膜とからなることを特徴とす
る請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。