JP3301601B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）、スーパールミネッセ
ントダイオード（ＳＬＤ）等に使用される窒化物半導体
（Ｉｎ_aＡｌ_bＧａ_1-a-bＮ、０≦a、０≦b、a＋b≦１）
よりなる発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化物半導体は青色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ
として既に実用化されている。これらＬＥＤはサファイ
ア基板上にｎ型、ｐ型の窒化物半導体が積層されたダブ
ルへテロ構造を有し、活性層は量子井戸構造の窒化物半
導体層を有している。ＬＥＤを構成する窒化物半導体発
光素子は、このサファイア基板側を発光観測面側とする
場合と、窒化物半導体層側を発光観測面側とする場合の
２種類の態様に分けられる。一般に窒化物半導体は正と
負の電極が同一面側に設けられているため、サファイア
基板側を発光観測面とした場合、例えばリードフレーム
のような支持体に電極を接続する際に、チップサイズが
大きくなり、ハンドリング性も悪くなる欠点があるが、
透明なサファイアの性質を積極的に利用しているので、
光取り出し効率が良くなるという利点がある。一方、窒
化物半導体側を発光観測面とする場合、チップサイズも
小さくすることができ、ハンドリング性も前者の場合に
比べて非常に優れているが、サファイア基板側に漏れる
光は、例えばリードフレームの接着剤に吸収されて光取
り出し効率が悪くなるという欠点がある。一般に市販さ
れているＬＥＤは、ハンドリング性の良い後者の方が選
択されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】後者の場合、サファイ
ア基板側に漏れる光を反射させるために、サファイア基
板表面に光反射膜を形成する技術も提案されているが、
この技術では未だ十分満足できるものではなかった。ま
た、面発光レーザ素子のような半導体層内部に反射鏡を
形成する技術において、サファイア基板側に反射鏡を設
けると活性層との距離が大きすぎて、反射鏡を共振器と
するのが難しい傾向にある。

【０００４】本発明はこのような事情を鑑みてなされた
ものであって、その目的とするところは、主として基板
側に漏れる光を有効に反射させて、発光素子の光取り出
し効率を向上させることにあり、また半導体層内部に共
振器となる有効な反射鏡を有するレーザ素子を実現する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、窒
化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に形成され
た第１の窒化物半導体よりなる下地層の上に、表面に窒
化物半導体が成長しないか若しくは成長しにくい性質を
有し、かつ活性層の発光を反射する第１の反射鏡が部分
的に形成されており、さらにその第１の反射鏡の窓部か
ら、その反射鏡の表面に至るように成長された第２の窒
化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活
性層を含む複数の窒化物半導体層が積層されてなること
を特徴とする。

【０００６】さらに、本発明の発光素子は、前記第２の
窒化物半導体層の上に第２の反射鏡が部分的に形成さ
れ、その第２の反射鏡の窓部から、第２の反射鏡の表面
に至るように成長された第３の窒化物半導体を基板とし
て、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化
物半導体層が成長されてなることを特徴とする。

【０００７】前記第２の反射鏡は、第１の反射鏡の窓部
の位置に対応した第２の窒化物半導体層の上に形成され
ていることが望ましい。なお、本発明において、異種基
板、第１の反射鏡、下地層、第２の窒化物半導体より上
の活性層を含む窒化物半導体層と第２の窒化物半導体と
は必ずしも接して形成されている必要はなく、例えば窒
化物半導体と異なる材料よりなる半導体層を、それらの
間に成長させても良い。

【０００８】また本発明の発光素子では、前記反射鏡の
面積が、窓部の面積よりも大きいことを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の発光素子におい
て、異種基板から第２の窒化物半導体層を成長させるま
での各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構
造を示す模式的な断面図である。

【００１０】第２の窒化物半導体３よりなる基板を成長
させるには、まず図１（ａ）に示すように、異種基板１
の上に第１の窒化物半導体よりなる下地層２を成長さ
せ、その下地層２の上に第１の反射鏡１００を部分的に
形成する。異種基板１は従来より提案されている窒化物
半導体と異なる材料よりなり、その表面に例えばバッフ
ァ層を介して窒化物半導体が成長できる材料が選択され
る。その中でも、実用化されているサファイアの他、ス
ピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、Ｓ
ｉＣ、窒化物半導体と格子整合する酸化物系基板等が提
案されている。

【００１１】下地層２は、例えば２００℃〜９００℃の
低温において、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ（０≦X≦１）よりなる
バッファ層を介して、そのバッファ層よりも高温で窒化
物半導体を成長させることによって成長できる。本発明
では、バッファ層を含めた窒化物半導体を含んで下地層
という。つまり、下地層は複数の窒化物半導体層から成
っていても良い。但し、下地層は異種基板の上に成長さ
れるため、異種基板と下地層との熱膨張係数差、格子不
整合等の要因により結晶欠陥が非常に多く、例えば貫通
転位が１０⁹個／cm²以上あり、窒化物半導体基板となら
ない。最も好ましい下地層としてはアンドープ若しくは
ｎ型不純物濃度が１×１０¹⁷／cm³以下のＧａＮをバッ
ファ層を介して成長させる。なお、下地層と異種基板と
の間に例えばＺｎＯ等の窒化物半導体と異なる半導体よ
りなるバッファ層を成長させることもできる。

【００１２】下地層２の上に形成する第１の反射鏡１０
０は、活性層の発光を上部に反射させる作用を有すると
共に、反射鏡の窓部から反射鏡の表面に至るように横方
向に成長する第２の窒化物半導体層の結晶欠陥を少なく
する作用を有する。反射鏡は、例えばストライプ状、ド
ット状、碁盤目状等、下地層の上に部分的に形成すれば
どのような形状でも良いが、好ましくはストライプ状に
形成する。反射鏡の材料としては、窒化物半導体がその
反射鏡の表面に成長しないか若しくは成長しにくい性質
を有する材料で、活性層の発光を活性層側に反射させる
材料であれば、どのような材料でも良く、例えばＳｉＯ
₂、ＳｉxＮy、ＴｉＯ₂、ＴｉxＮy、ＺｒＯ₂等の誘電体
より成る多層膜が選択できる。これら誘電体を例えばλ
／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：誘電体の屈折率）となるよ
うに積層することにより反射鏡として作用する。またＰ
ｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ等のように、例えば銀白色の金属
で活性層の発光を反射して、表面に窒化物半導体が成長
しにくい性質を有する金属でもよい。なお、反射鏡は、
誘電体多層膜、金属等が第２の窒化物半導体の成長温度
に耐える融点を有している材料を選択することが望まし
い。

【００１３】第１の反射鏡１００は図１に示すように異
種基板１の上に成長した第１の窒化物半導体よりなる下
地層の上に形成されているが、異種基板１の上に直接形
成することもできる。例えば異種基板１にサファイアを
使用した場合には、サファイアの上に第１の窒化物半導
体２を成長させることが、より結晶欠陥の少ない第２の
窒化物半導体３を成長させる上で望ましい。一方、基板
に窒化物半導体と格子整合した基板、格子定数の近い基
板を用いる場合には、第１の反射鏡１００を直接、異種
基板に接して形成することも可能である。

【００１４】次に図１（ｂ）に示すように第２の窒化物
半導体３を、前記反射鏡を形成した下地層の窓部から成
長させる。反射鏡１００は表面に窒化物半導体が成長し
にくい性質を有しているため、第２の窒化物半導体３は
窓部から成長しだし、（ｂ）に示すように、第１の反射
鏡１００の上部では横方向に成長する。さらに成長を続
けると、図１（ｃ）に示すように、横方向及び縦方向に
成長する第２の窒化物半導体がおよそ反射鏡中央部の上
部で繋がって、窒化物半導体基板となる。このように第
２の窒化物半導体３を成長させると、下地層２の結晶欠
陥が反射鏡で覆われていることにより、横方向に成長す
る第２の窒化物半導体の結晶欠陥は、下地層から伸びて
こなくなる。また窓部から伸びてくる結晶欠陥が第２の
窒化物半導体層の途中で止まるため、第２の窒化物半導
体層成長後、表面に現れる結晶欠陥は非常に少なくな
り、例えば１０⁸個／cm²以下、さらには１０⁷個／cm²以
下になる。第２の窒化物半導体３は、アンドープ若しく
はｎ型不純物濃度が１×１０ ¹⁷／cm³以下のＧａＮを成
長させることが結晶性の良い基板を作製する上で最も好
ましい。

【００１５】さらに好ましい態様として、図１（ｄ）に
示すように、第２の窒化物半導体層の上に、さらに第１
の反射鏡と同様に第２の反射鏡１０１を形成し、この第
２の反射鏡１０１の上部に、第３の窒化物半導体層４を
同様にして成長させる。第２の反射鏡１０１を形成する
ことにより、その第２の反射鏡の上部に成長させる第３
の窒化物半導体４の結晶欠陥がさらに少なくなる。それ
は下地となる第２の窒化物半導体層３の結晶欠陥が少な
いからである。好ましくは（ｄ）に示すように、第２の
反射鏡１０１の位置を、第１の反射鏡の窓部に対応した
第２の窒化物半導体層３の表面に形成することにより、
窒化物半導体層側から平面的に見て、全てが反射鏡で覆
われた形となるため、光取り出し効率がさらに向上す
る。また例えば第２の窒化物半導体３の結晶欠陥が窓部
に現れている場合には、その窓部を第２の反射鏡でさら
に覆うため、第２の反射鏡の上に横方向に成長される第
３の窒化物半導体層の結晶欠陥がさらに少なくなる。即
ち第２の反射鏡１０１は結晶欠陥が表面に現れている第
１の窒化物半導体層３の上に形成することが最も好まし
い。但し、第３の反射鏡はランダムに形成してもよい。

【００１６】本発明の反射鏡の作用は次の通りである。
反射鏡の窓部から成長されて、反射鏡の表面で横方向に
成長された窒化物半導体層は結晶欠陥が非常に少ない。
そのため、その窒化物半導体を基板とすることにより、
その基板の上に成長させる活性層を含む複数の窒化物半
導体層の結晶欠陥が窒化物半導体基板と同じように少な
くなる。従って、発光素子を作製した際には、活性層に
結晶欠陥が転位しないため、素子が長寿命となる。また
逆方向の耐圧、リーク電流の電流特性等全ての面におい
て向上する。しかも、反射鏡は活性層の発光を活性層側
に反射させる作用もあるため、基板側に漏れる光が少な
くなって、半導体側を発光観測面とする発光素子では光
取り出し効率が向上する。そのため、窓部の面積よりも
反射鏡の面積を大きくすることにより、反射部が大きく
なって光取り出し効率が向上すると共に、窓部から伸び
る結晶欠陥の数も少なくなり、さらに好ましい発光素子
が実現できる。好ましくは先にも述べたように、反射鏡
を縦方向に二段階以上に並べることにより、平面上では
反射鏡が実質的に全ての面を覆った形となるため、光取
り出し効率はさらに向上する。また、レーザ素子の場合
には、第１の反射鏡１００若しくは第２の反射鏡１０１
が半導体層内部にあり、活性層との距離が近い一方の共
振器として作用するため、窒化物半導体で面発光レーザ
素子が実現できる。

【００１７】

【実施例】［実施例１］図２は実施例１に係るＬＥＤ素
子の構造を示す模式断面図である。以下この図を元に、
実施例１を説明する。まず、サファイアよりなる異種基
板１の上にＭＯＶＰＥ法を用いて、第１の窒化物半導体
層２を成長させる。第１の窒化物半導体層２は異種基板
側から順に、５００℃で成長されたＧａＮよりなるバッ
ファ層と、バッファ層の上に１０５０℃で成長されたＧ
ａＮからなる。

【００１８】次に反応容器からウェーハを取り出し、Ｃ
ＶＤ装置により、第１の窒化物半導体層２の全面に、Ｓ
ｉＯ₂とＳｉＮよりなる誘電体多層膜を単一膜厚がλ／
４ｎとなるように、交互に複数形成し、誘電体多層膜を
形成する。

【００１９】誘電体多層膜形成後、その誘電体多層膜の
上の所定の位置にマスクを形成して、その誘電体多層膜
を選択エッチングして、ストライプ幅１０μｍ、ストラ
イプ間隔（窓部）２μｍとし、第１の反射鏡１００とす
る。このような第１の反射鏡１００を誘電体多層膜で形
成する際、最初に第１の窒化物半導体層の全面に誘電体
多層膜を形成し、その後誘電体多層膜を選択エッチング
して、所定の形状とする技術は、窒化物半導体層の上の
所定の位置にマスクを形成して、その上から誘電体多層
膜を形成して、その後リフトオフ法により、マスクを除
去して誘電体多層膜のみを残す方法に比べて、均一な膜
厚で誘電体多層膜が形成しやすい。また、窓部の窒化物
半導体層表面もエッチングされるため、表面に現れてい
るエッチピット、結晶欠陥等を観察しやすい。この手法
の利点は、第２の反射鏡１０１の場合も同様である。

【００２０】次に第１の反射鏡１００を形成した後、ウ
ェーハをＭＯＶＰＥ反応容器内に戻し、１０５０℃でア
ンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層３を２０
μｍの膜厚で成長させる。

【００２１】第２の窒化物半導体層３成長後、ウェーハ
を反応容器から取り出し、再度ＣＶＤ装置にて、第２の
窒化物半導体層３の全面にＳｉＯ₂とＳｉＮよりなる誘
電体多層膜を形成した後、選択エッチングより、ストラ
イプ幅１０μｍ、窓部２μｍとし、第２の反射鏡１０２
とする。但し第２の反射鏡１０１の形成位置は、図２に
示すように、第１の反射鏡１００と第２の反射鏡１０１
のストライプが平行になるように形成して、平面から見
て、第１の反射鏡１００の窓部が塞がるようにする。

【００２２】次に、ウェーハを反応容器内に戻し、１０
５０℃でアンドープＧａＮよりなる第３の窒化物半導体
層４を２０μｍの膜厚で成長させる。

【００２３】続いて、１０５０℃でＳｉドープしたｎ型
ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層１１を４μｍ成長さ
せ、その上にＳｉ濃度がｎ側コンタクト層よりも少ない
ＧａＮよりなるｎ側クラッド層１２を０．１μｍ成長さ
せる。

【００２４】次に８００℃で、膜厚３０オングストロー
ムの単一量子井戸構造を有するアンドープＩｎ_0.1Ｇａ
_0.9Ｎよりなる活性層１３を成長させ、その上に１０５
０℃でＭｇドープｐ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎよりなるｐ側ク
ラッド層１４を０．１μｍ成長させ、最後に、Ｍｇドー
プｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層１５を０．５μ
ｍ成長させる。

【００２５】反応終了後、ウェーハを反応容器から取り
出し、窒素雰囲気中７００℃でアニーリングを行い、ｐ
型層をさらに低抵抗化した後、図２に示すようにｐ側コ
ンタクト層１５側からエッチングを行い、ｎ側コンタク
ト層１１の表面を露出させる。その後、最上層のｐ側コ
ンタクト層の表面のほぼ全面に透光性のオーミック用の
ｐ電極１６を形成し、その上にボンディング用のｐパッ
ド電極１７を形成する。一方、先ほど露出させたｎ側コ
ンタクト層１８の表面には、Ｗ／Ａｌよりなるｎ電極１
８を形成する。

【００２６】最後に、サファイア基板を研磨して薄くし
た後、３５０μｍ角のチップに分離して青色ＬＥＤ素子
としたところ、反射鏡を設けない従来のＬＥＤ素子に比
較して、出力で５０％以上向上し、素子寿命で数倍以上
に向上した。また逆方向の耐圧も従来のものに比較し
て、５０％以上向上した。これは第２、第３の窒化物半
導体が基板となっているために、素子自体の結晶欠陥が
少なくなり、逆方向の耐圧、素子寿命が向上したものと
推察できる。

【００２７】［実施例２］図３は本発明の実施例２に係
るＬＤ素子の構造を示す模式断面図であり、具体的には
面発光レーザ素子の構造を示している。以下この図を元
に、実施例２を説明する。

【００２８】実施例１と同様にして、サファイアよりな
る異種基板１の上に、ＧａＮバッファ層、アンドープＧ
ａＮよりなる第１の窒化物半導体層２、誘電体多層膜よ
り成るストライプ状の第１の反射鏡１００、アンドープ
ＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層３、誘電体多層膜
より成るストライプ状の第２の反射鏡１０１、アンドー
プＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層４を順に積層さ
せる。

【００２９】続いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ
側コンタクト層２１を４μｍ成長させた後、膜厚２５オ
ングストロームのアンドープＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ層と、
膜厚２５オングストロームのＳｉドープＧａＮ層とを交
互に積層して、総膜厚０．４μｍの超格子より成るｎ側
クラッド層２２を成長させる。

【００３０】次に、４０オングストロームのアンドープ
Ｉｎ_0.01Ｇａ_0.95Ｎよりなる障壁層と４０オングストロ
ームのアンドープＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる井戸層とを
交互に積層し、最後に障壁層で終わり、総膜厚４４０オ
ングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層
２３を成長させる。

【００３１】次に、２５オングストロームのアンドープ
Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ層と、２５オングストロームのＭｇ
ドープＧａＮ層とを交互に積層して、総膜厚０．４μｍ
の超格子層よりなるｐ側クラッド層２４を成長させる。

【００３２】ｐ側クラッド層成長後、ウェーハを反応容
器から取り出し、円形を有するＳｉＯ₂よりなる保護膜
をそのｐ型クラッド層の表面に形成する。但し、そのマ
スクの位置は前記第２の反射鏡１０１よりも小さく、そ
の反射鏡の真上になるように形成する。

【００３３】保護膜形成後、再度、ウェーハを反応容器
内に移し、その保護膜が形成されていないｐ側クラッド
層２４の表面にＳｉドープｎ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎよりな
る電流阻止層２６を０．４μｍの膜厚で形成する。なお
この電流阻止層はＺｎ、Ｃｄのようなｐ型不純物をドー
プしてもｐ型になりにくいｐ型不純物をドープして、高
抵抗なｉ型の窒化物半導体層としてもよいし、またＡｌ
混晶比をクラッド層よりも大きくして高抵抗なｉ型Ａｌ
ＧａＮを形成することもできる。

【００３４】電流阻止層２６形成後、ウェーハを反応容
器から取り出し、保護膜を溶解除去した後、再び反応容
器内において、その電流阻止層２６の上にＭｇドープｐ
型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２５を成長させる。

【００３５】反応終了後、アニーリングを行いｐ層をさ
らに低抵抗化し、実施例１と同じく、エッチングにより
ｎ側コンタクト層２２の一部を露出させ、露出したｎ側
コンタクト層２２にｎ電極２８を形成する一方、ｐ側コ
ンタクト層の表面にｐ電極２７を形成した後、ウェーハ
をチップに分離して図３に示すような構造のレーザ素子
としたところ、室温において連続発振を示し、４１０ｎ
ｍのレーザ光がサファイア基板側から観測された。

【００３６】［実施例３］図４は本発明の実施例３に係
るＬＤ素子の構造を示す模式断面図であり、これもまた
面発光レーザ素子の構造を示している。以下この図を元
に、実施例３を説明する。

【００３７】実施例１において、サファイアよりなる異
種基板１の上に、ＧａＮバッファ層、アンドープＧａＮ
よりなる第１の窒化物半導体層２、誘電体多層膜より成
るストライプ状の第１の反射鏡１００を形成した後、第
２の窒化物半導体層３を成長させる際に、Ｓｉを５×１
０¹⁶／cm³ドープしたＧａＮを６０μｍの膜厚で成長さ
せる。この第２の窒化物半導体層の膜厚を６０μｍ以上
にするのは、後に異種基板を除去して、第２の窒化物半
導体層を基板とするためである。６０μｍよりも薄い
と、異種基板除去中に第２の窒化物半導体層が割れて、
素子作製が難しくなる傾向にある。さらにｎ型不純物を
少量ドープするのは、異種基板を除去した後に、露出さ
れる第２の窒化物半導体層３、そのものをコンタクト層
とするからである。さらに基板となる第２の窒化物半導
体層、第３の窒化物半導体層にｎ型不純物をドープする
場合、先にも述べたように１×１０¹⁷／cm³以下とする
ことが望ましい。それよりも多くすると窒化物半導体層
中の結晶欠陥の数が多くなって、結晶性の良い基板とな
りにくいからである。

【００３８】第２の窒化物半導体層３成長後、実施例１
と同様にして、第２の反射鏡１０１を形成する。第２の
反射鏡形成後、アンドープＧａＮよりなる第３の窒化物
半導体層４を１５μｍ成長させる。

【００３９】次にＳｉをドープしたＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ
より成るクラック防止層２０を０．１５μｍの膜厚で成
長させる。クラック防止層２０はＩｎを含む窒化物半導
体とすることにより、この層が緩衝層となり、後に成長
させるＡｌを含む窒化物半導体層にクラックが入りにく
くなる。なお、このクラック防止層は実施例２のレーザ
素子に入れても良いことは言うまでもない。

【００４０】あとは実施例２と同様にして、超格子より
なるｎ側クラッド層２２、ＭＱＷの活性層２３、超格子
よりなるｐ側クラッド層２４、電流阻止層２６、ｐ側コ
ンタクト層２５を積層する。

【００４１】反応終了後、アニーリングを行いｐ層をさ
らに低抵抗化した後、サファイア側から研磨して、異種
基板１、第１の窒化物半導体層２、第１の反射鏡１０１
を除去する。その後、露出させた第２の窒化物半導体層
２の表面にリング状のｎ電極を設けた後、ウェーハをチ
ップ状に分離して、図４に示すような構造のレーザ素子
としたところ、室温において連続発振を示し、同じく４
１０ｎｍのレーザ光が第２の窒化物半導体層３側から観
測された。なおｎ電極２８を形成する際に、電極接触面
のオーミックコンタクトを良くするために、イオンイン
プランテーション等の技術を用いて、第２の窒化物半導
体層の表面にｎ型不純物を高濃度にドープしても良い。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
では、反射鏡の窓部から成長されて、反射鏡の表面で横
方向に成長された窒化物半導体層の結晶欠陥が非常に少
なくなるために、その基板の上に成長させる活性層を含
む複数の窒化物半導体層の結晶欠陥が少なくなり、素子
の信頼性が向上する。また、反射鏡が活性層の発光を数
十μｍ以下という近い距離において、活性層側に反射さ
せるので、発光素子の光取り出し効率が向上する。その
ため、この反射鏡を積極的に利用すれば、面発光レーザ
素子が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の発光素子を製造する際の各工程を説
明するためのウェーハの構造をそれぞれ部分的に示す模
式断面図。

【図２】 実施例１の発光素子の構造を示す模式断面
図。

【図３】 実施例２の発光素子の構造を示す模式断面
図。

【図４】 実施例３の発光素子の構造を示す模式断面
図。

【符号の説明】

１・・・異種基板 ２・・・第１の窒化物半導体層 ３・・・第２の窒化物半導体層 ４・・・第３の窒化物半導体層 １１,２１・・・ｎ側コンタクト層 １２,２２・・・ｎ側クラッド層 １３,２３・・・活性層 １４,２４・・・ｐ側クラッド層 １５,２５・・・ｐ側コンタクト層 ２０・・・クラック防止層 ２６・・・電流阻止層 １６,２７・・・ｐ電極 １７・・・ｐパッド電極 １８,２８・・・ｎ電極 １００・・・第１の反射鏡 １０１・・・第２の反射鏡

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−308558（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−163402（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−163401（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−4048（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−191637（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−312971（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−126948（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−186178（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−321529（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−326921（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−133182（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190476（ＪＰ，Ａ) 国際公開97／11518（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種
   基板上に形成された第１の窒化物半導体よりなる下地層
   の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか若しくは成
   長しにくい性質を有し、かつ活性層の発光を反射する第
   １の反射鏡が部分的に形成されており、さらにその第１
   の反射鏡の窓部から、その反射鏡の表面に至るように成
   長された第２の窒化物半導体を基板として、その基板の
   上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が積
   層されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
2. 【請求項２】 前記第２の窒化物半導体層の上に第２の
   反射鏡が部分的に形成され、その第２の反射鏡の窓部か
   ら、第２の反射鏡の表面に至るように成長された第３の
   窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも
   活性層を含む複数の窒化物半導体層が成長されてなるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素
   子。
3. 【請求項３】 前記第２の反射鏡は、第１の反射鏡の窓
   部の位置に対応した第２の窒化物半導体層の上に形成さ
   れていることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導
   体発光素子。
4. 【請求項４】 前記反射鏡の面積が、窓部の面積よりも
   大きいことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体
   発光素子。