JP3277445B2 - プラズマアドレス表示装置の製造方法 - Google Patents
プラズマアドレス表示装置の製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133374—Constructional arrangements; Manufacturing methods for displaying permanent signs or marks
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶セルとプラズマセ
ルとを誘電体シートを介して積層したプラズマアドレス
表示装置の製造方法に関する。
ルとを誘電体シートを介して積層したプラズマアドレス
表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶セルとプラズマセルとが誘電
体シートを介して積層されてなるプラズマアドレス表示
装置が提案されている。図2は、このプラズマアドレス
表示装置の構造の一例を示すものである。
体シートを介して積層されてなるプラズマアドレス表示
装置が提案されている。図2は、このプラズマアドレス
表示装置の構造の一例を示すものである。
【0003】図2のプラズマアドレス表示装置は、液晶
セル2とプラズマセル3とを薄板硝子(誘電体シート)
4を介して積層したフラットパネル構造を有する。液晶
セル2は、カラーフィルター基板21が液晶シール材2
2を介して所定の間隙を有した状態で薄板硝子4に接合
されている。カラーフィルタ基板21内面側の面には、
図示しないが行方向に延びる透明導電材料からなるスト
ライプ状のデータ電極が列方向(図面垂直方向)に並列
的に形成されている。カラーフィルタ基板21と薄板硝
子4との間隙には液晶が充填されて液晶層23が形成さ
れている。なお、図2では示していないが液晶層23に
は間隙の寸法を均一にするためにスペーサーが配設され
ている。
セル2とプラズマセル3とを薄板硝子(誘電体シート)
4を介して積層したフラットパネル構造を有する。液晶
セル2は、カラーフィルター基板21が液晶シール材2
2を介して所定の間隙を有した状態で薄板硝子4に接合
されている。カラーフィルタ基板21内面側の面には、
図示しないが行方向に延びる透明導電材料からなるスト
ライプ状のデータ電極が列方向(図面垂直方向)に並列
的に形成されている。カラーフィルタ基板21と薄板硝
子4との間隙には液晶が充填されて液晶層23が形成さ
れている。なお、図2では示していないが液晶層23に
は間隙の寸法を均一にするためにスペーサーが配設され
ている。
【0004】プラズマセル3においては、プラズマ基板
ガラス31が薄板硝子4と所定の間隙をもって対向して
いる。薄板硝子4側のプラズマ基板ガラス31上には、
列方向に延び、行方向に所定の間隙を持って並列的に形
成されたニッケル製などのストライプ状の表示電極32
が形成され、この表示電極32上に、絶縁性のセラミッ
クなどからなり、表示電極32より幅が狭いバリヤリブ
33が、表示電極32と等ピッチで重ね合わされて形成
されている。これらの表示電極32とバリヤリブ33を
介してプラズマ基板ガラス31が薄板硝子4と所定の間
隙を持って対向している。これら表示電極32とバリヤ
リブ33とが隔壁5を構成し、この隔壁5で区画された
密閉空間がプラズマ室34として構成されている。この
プラズマ室34は、列方向に延び、行方向に所定の間隔
で形成されている。プラズマ室34にはイオン化可能な
ガスが封入されている。このガスとしては、例えばヘリ
ウム、ネオン、アルゴンあるいはこれらの混合ガスなど
が使用される。このように、表示電極32とバリヤリブ
33は、各プラズマ室を区分けする隔壁5としての役割
を果たすと共に、各プラズマ室のギャップスペーサーと
しての役割も果たす。なお、表示電極32は、交互にア
ノード表示電極32Aとカソード表示電極32Kとなる
ようにそれぞれドライバに接続されている。プラズマ基
板ガラス31の周辺部は低融点ガラスなどを使用したフ
リットシール35が配設され、このフリットシール35
でプラズマ基板ガラス31と薄板硝子4とが気密的に接
合されている。
ガラス31が薄板硝子4と所定の間隙をもって対向して
いる。薄板硝子4側のプラズマ基板ガラス31上には、
列方向に延び、行方向に所定の間隙を持って並列的に形
成されたニッケル製などのストライプ状の表示電極32
が形成され、この表示電極32上に、絶縁性のセラミッ
クなどからなり、表示電極32より幅が狭いバリヤリブ
33が、表示電極32と等ピッチで重ね合わされて形成
されている。これらの表示電極32とバリヤリブ33を
介してプラズマ基板ガラス31が薄板硝子4と所定の間
隙を持って対向している。これら表示電極32とバリヤ
リブ33とが隔壁5を構成し、この隔壁5で区画された
密閉空間がプラズマ室34として構成されている。この
プラズマ室34は、列方向に延び、行方向に所定の間隔
で形成されている。プラズマ室34にはイオン化可能な
ガスが封入されている。このガスとしては、例えばヘリ
ウム、ネオン、アルゴンあるいはこれらの混合ガスなど
が使用される。このように、表示電極32とバリヤリブ
33は、各プラズマ室を区分けする隔壁5としての役割
を果たすと共に、各プラズマ室のギャップスペーサーと
しての役割も果たす。なお、表示電極32は、交互にア
ノード表示電極32Aとカソード表示電極32Kとなる
ようにそれぞれドライバに接続されている。プラズマ基
板ガラス31の周辺部は低融点ガラスなどを使用したフ
リットシール35が配設され、このフリットシール35
でプラズマ基板ガラス31と薄板硝子4とが気密的に接
合されている。
【0005】上記プラズマアドレス表示装置は、データ
電極とプラズマ室34は直交し、データ電極が列駆動単
位となり、プラズマ室34は行駆動単位となり、これら
の交差部に画素が規定されるものである。このようなプ
ラズマアドレス表示装置において、アノード表示電極3
2Aとカソード表示電極32Kとの間に所定電圧が印加
されると、そのプラズマ室の部分のガスが選択的にイオ
ン化されてプラズマ放電が発生し、その内部は略アノー
ド電位に維持される。この状態で、データ電極にデータ
電圧が印加されると、そのプラズマ室34に対応して列
方向に並ぶ画素の液晶層23に薄板硝子4を介してデー
タ電圧が書き込まれる。プラズマ放電が終了すると、プ
ラズマ室34は浮遊電位となり、対応する画素の液晶層
23に書き込まれた電圧は、次の書き込み期間(例えば
1フレーム後)まで保持される。このとき、プラズマ室
34はサンプリングスイッチとして機能し、各画素の液
晶層23はサンプリングキャパシタとして機能してい
る。
電極とプラズマ室34は直交し、データ電極が列駆動単
位となり、プラズマ室34は行駆動単位となり、これら
の交差部に画素が規定されるものである。このようなプ
ラズマアドレス表示装置において、アノード表示電極3
2Aとカソード表示電極32Kとの間に所定電圧が印加
されると、そのプラズマ室の部分のガスが選択的にイオ
ン化されてプラズマ放電が発生し、その内部は略アノー
ド電位に維持される。この状態で、データ電極にデータ
電圧が印加されると、そのプラズマ室34に対応して列
方向に並ぶ画素の液晶層23に薄板硝子4を介してデー
タ電圧が書き込まれる。プラズマ放電が終了すると、プ
ラズマ室34は浮遊電位となり、対応する画素の液晶層
23に書き込まれた電圧は、次の書き込み期間(例えば
1フレーム後)まで保持される。このとき、プラズマ室
34はサンプリングスイッチとして機能し、各画素の液
晶層23はサンプリングキャパシタとして機能してい
る。
【0006】各画素の液晶層23に対してデータ電極1
5から書き込まれたデータ電圧によって液晶が動作する
ことから画素単位で表示が行われる。従って、プラズマ
放電を発生させて列方向に並ぶ複数の画素の液晶層23
にデータ電圧を書き込むプラズマ室34を行方向に順次
走査していくことで、二次元画像の表示を行うことがで
きる。
5から書き込まれたデータ電圧によって液晶が動作する
ことから画素単位で表示が行われる。従って、プラズマ
放電を発生させて列方向に並ぶ複数の画素の液晶層23
にデータ電圧を書き込むプラズマ室34を行方向に順次
走査していくことで、二次元画像の表示を行うことがで
きる。
【0007】このようなプラズマアドレス表示装置の製
造方法について、図3で簡単に説明すると、まず、図3
(A)に示すように、プラズマ基板ガラス31上に表示
電極パターンを例えばスクリーン印刷法でストライプ状
に印刷した後、乾燥して表示電極32を形成する。
造方法について、図3で簡単に説明すると、まず、図3
(A)に示すように、プラズマ基板ガラス31上に表示
電極パターンを例えばスクリーン印刷法でストライプ状
に印刷した後、乾燥して表示電極32を形成する。
【0008】次に、ストライプ状に形成した表示電極3
2の上にスクリーン印刷でバリヤリブ33を、図3
(B)に示すように、重ねて積層する。この場合、バリ
ヤリブ33は約200μm程度の高さとするために、ス
クリーン印刷を繰り返して重ね塗りを行うことでこの高
さを出すようにしている。所定の高さのバリヤリブを印
刷した後、焼成を行い、バリヤリブの上部を研磨し、バ
リヤリブの高さを所定の高さにそろえる。
2の上にスクリーン印刷でバリヤリブ33を、図3
(B)に示すように、重ねて積層する。この場合、バリ
ヤリブ33は約200μm程度の高さとするために、ス
クリーン印刷を繰り返して重ね塗りを行うことでこの高
さを出すようにしている。所定の高さのバリヤリブを印
刷した後、焼成を行い、バリヤリブの上部を研磨し、バ
リヤリブの高さを所定の高さにそろえる。
【0009】そして、図3(C)に示すように、プラズ
マ基板ガラス31の周辺にフリットシール35をディス
ペンサーなどで形成し、このフリットシール35を介し
て薄板硝子4をバリヤリブに乗せた状態でプラズマ基板
ガラスに接合し、形成されたプラズマ室34を真空に引
いた後、ガスを注入する。
マ基板ガラス31の周辺にフリットシール35をディス
ペンサーなどで形成し、このフリットシール35を介し
て薄板硝子4をバリヤリブに乗せた状態でプラズマ基板
ガラスに接合し、形成されたプラズマ室34を真空に引
いた後、ガスを注入する。
【0010】次に、図示しない配向処理を行い、図3
(D)に示すように、液晶層を均一の厚さにするための
スペーサー24を散布し、図3(E)に示すように、液
晶シール材22を介してカラーフィルタ21を薄板硝子
4に接合して、液晶室を形成し、その後液晶を注入して
図2に示したプラズマアドレス表示装置を得ることがで
きる。
(D)に示すように、液晶層を均一の厚さにするための
スペーサー24を散布し、図3(E)に示すように、液
晶シール材22を介してカラーフィルタ21を薄板硝子
4に接合して、液晶室を形成し、その後液晶を注入して
図2に示したプラズマアドレス表示装置を得ることがで
きる。
【0011】ところで、上記薄板硝子4をバリヤリブ3
3上に乗せてプラズマ基板ガラス31に接合する際に、
図4に示すように、5〜10数μm程度のごみDが、バ
リヤリブ33上端面と薄板硝子4との間に挟まることが
ある。薄板硝子4は約50μm程度の厚さであり、薄板
硝子4上に形成される液晶層23は約7μm程度の厚さ
であるので、このような大きさのごみDがバリヤリブ3
3と薄板硝子4との間に挟まると、液晶層23のギャッ
プむらになり、その結果液晶表示のむらになる。
3上に乗せてプラズマ基板ガラス31に接合する際に、
図4に示すように、5〜10数μm程度のごみDが、バ
リヤリブ33上端面と薄板硝子4との間に挟まることが
ある。薄板硝子4は約50μm程度の厚さであり、薄板
硝子4上に形成される液晶層23は約7μm程度の厚さ
であるので、このような大きさのごみDがバリヤリブ3
3と薄板硝子4との間に挟まると、液晶層23のギャッ
プむらになり、その結果液晶表示のむらになる。
【0012】また、それだけでなく、図5に示すよう
に、スペーサー24を介してカラーフィルター基板21
を薄板硝子に接合する際に、ごみの大きさが液晶層23
のギャップより大きいと、ごみDの上の薄板硝子4に応
力が集中し、薄板硝子4が割れてしまうという問題があ
る。このため、このようなごみDが入ったパネルは不良
品となり、製造のコストを上昇させる原因となってい
る。特に、パネルが大型化すると、ごみが上記のように
挟まる率が高くなり、歩留まりが低下する。
に、スペーサー24を介してカラーフィルター基板21
を薄板硝子に接合する際に、ごみの大きさが液晶層23
のギャップより大きいと、ごみDの上の薄板硝子4に応
力が集中し、薄板硝子4が割れてしまうという問題があ
る。このため、このようなごみDが入ったパネルは不良
品となり、製造のコストを上昇させる原因となってい
る。特に、パネルが大型化すると、ごみが上記のように
挟まる率が高くなり、歩留まりが低下する。
【0013】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、ごみの混入による液晶層のギャップむらや薄板硝子
の割れを防止することができるプラズマアドレス表示装
置の製造方法を提供することを目的とする。
で、ごみの混入による液晶層のギャップむらや薄板硝子
の割れを防止することができるプラズマアドレス表示装
置の製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のプラズマアドレス表示装置の製造方法は、
液晶セルとプラズマセルとが薄板硝子を介して積層され
たプラズマアドレス表示装置の製造方法であって、前記
プラズマセルを構成するプラズマ基板ガラス上に多数並
列的に設けられた隔壁上端面に該薄板硝子を密着させて
プラズマセルを構成する際に、前記隔壁上端面と前記薄
板硝子間に挟まったごみに該薄板硝子側からレーザー光
線を照射して、ごみの該隔壁上端面からの突出を防止す
るようにしたものである。
め、本発明のプラズマアドレス表示装置の製造方法は、
液晶セルとプラズマセルとが薄板硝子を介して積層され
たプラズマアドレス表示装置の製造方法であって、前記
プラズマセルを構成するプラズマ基板ガラス上に多数並
列的に設けられた隔壁上端面に該薄板硝子を密着させて
プラズマセルを構成する際に、前記隔壁上端面と前記薄
板硝子間に挟まったごみに該薄板硝子側からレーザー光
線を照射して、ごみの該隔壁上端面からの突出を防止す
るようにしたものである。
【0015】この場合、前記レーザー光線の照射によ
り、前記隔壁上端面にごみを埋め込める穴を形成するこ
とができる。
り、前記隔壁上端面にごみを埋め込める穴を形成するこ
とができる。
【0016】
【作用】本発明のプラズマアドレス表示装置の製造方法
は、プラズマアドレス表示装置においては、液晶セル部
とプラズマセル部との隔壁としての薄板硝子が光を透過
するガラスであることに着目し、隔壁上端面と薄板硝子
間に挟まったごみに該薄板硝子側から約50μm程度の
厚さの薄板硝子を通してレーザー光線を照射することに
より、ごみを除くようにしたものである。このようにレ
ーザー光線を隔壁上端面に存するごみに照射すると、有
機系のごみは蒸発し、またセラミックなどのごみは溶融
し、あるいは溶融し難い材料やガラスなどの光を透過す
る材料のごみは、隔壁上端面にレーザーで穴を形成する
ことで、ごみを隔壁上端面に埋め込むことができ、いず
れにしても隔壁上端面からごみが突出することを防止す
ることができる。
は、プラズマアドレス表示装置においては、液晶セル部
とプラズマセル部との隔壁としての薄板硝子が光を透過
するガラスであることに着目し、隔壁上端面と薄板硝子
間に挟まったごみに該薄板硝子側から約50μm程度の
厚さの薄板硝子を通してレーザー光線を照射することに
より、ごみを除くようにしたものである。このようにレ
ーザー光線を隔壁上端面に存するごみに照射すると、有
機系のごみは蒸発し、またセラミックなどのごみは溶融
し、あるいは溶融し難い材料やガラスなどの光を透過す
る材料のごみは、隔壁上端面にレーザーで穴を形成する
ことで、ごみを隔壁上端面に埋め込むことができ、いず
れにしても隔壁上端面からごみが突出することを防止す
ることができる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に図面
を参照しながら説明する。図1は、本発明のプラズマア
ドレス表示装置の製造方法の工程の一例を説明する概略
断面図である。
を参照しながら説明する。図1は、本発明のプラズマア
ドレス表示装置の製造方法の工程の一例を説明する概略
断面図である。
【0018】図1(A)に示す工程は、図3(C)に相
当するもので、プラズマ基板ガラス31に表示電極32
を形成した後、この表示電極32の上にバリヤリブを等
ピッチで設け、更に薄板硝子4をフリットシール35を
介してプラズマ基板ガラス31に接合した後、プラズマ
室34を真空にすることにより薄板硝子4をバリヤリブ
33の上端面に密着させたときに、バリヤリブ33上端
面と薄板硝子4の間にごみDが挟まった状態を示すもの
である。
当するもので、プラズマ基板ガラス31に表示電極32
を形成した後、この表示電極32の上にバリヤリブを等
ピッチで設け、更に薄板硝子4をフリットシール35を
介してプラズマ基板ガラス31に接合した後、プラズマ
室34を真空にすることにより薄板硝子4をバリヤリブ
33の上端面に密着させたときに、バリヤリブ33上端
面と薄板硝子4の間にごみDが挟まった状態を示すもの
である。
【0019】このように挟まるごみDは、例えば薄板硝
子4に付着していたもの、あるいはバリヤリブ33の上
端面に付着していたものがある。いずれにしても、薄板
硝子4を張って初めてわかる場合が多い。ごみDがバリ
ヤリブ33上端面と薄板硝子4の間に挟まると、図1
(A)に示すように、プラズマ室34内は約60〜80
Torr程度の圧力であるので、薄板硝子4は大気圧で
押圧されて、ごみDの部分で膨らむ。これは、目視で、
例えば横方向に近い斜めから見ると容易に識別でき、ご
みDが挟まった箇所を容易に検知することができる。
子4に付着していたもの、あるいはバリヤリブ33の上
端面に付着していたものがある。いずれにしても、薄板
硝子4を張って初めてわかる場合が多い。ごみDがバリ
ヤリブ33上端面と薄板硝子4の間に挟まると、図1
(A)に示すように、プラズマ室34内は約60〜80
Torr程度の圧力であるので、薄板硝子4は大気圧で
押圧されて、ごみDの部分で膨らむ。これは、目視で、
例えば横方向に近い斜めから見ると容易に識別でき、ご
みDが挟まった箇所を容易に検知することができる。
【0020】そして、ごみDが挟まった箇所に薄板硝子
4の上から薄板硝子4を通してレーザー光線を照射す
る。この場合、カメラで確認しながらレーザーの出力を
調整することができる。レーザーの照射範囲は、ごみD
の大きさ程度とすることがよいが、ごみDの大きさの数
倍程度広くても差し支えない。バリヤリブの幅は約10
0μm程度であるので、この程度の幅で照射しても良
い。レーザーの照射により、ごみDが有機物であれば、
蒸発又は溶融し、図1(C)に示すように、薄板硝子4
の膨らみをなくすることができる。また、ごみDが、ガ
ラス片であれば、レーザー光線は、ごみを通過してその
下のバリヤリブ33上面に穴を形成し、図1(B)に示
すように、この穴にごみDが埋め込まれ、これによって
薄板硝子4の膨らみをなくすことができる。更に、ごみ
Dがセラミックなどの無機物であれば、レーザー光線の
照射によって、溶融し、又はバリヤリブ上面にレーザー
光線で穴が形成されてごみDが埋め込まれ、同様に、薄
板硝子4の膨らみをなくすことができる。なお、バリヤ
リブDの上端面の端にあるごみはバリヤリブ33から落
下する場合もある。
4の上から薄板硝子4を通してレーザー光線を照射す
る。この場合、カメラで確認しながらレーザーの出力を
調整することができる。レーザーの照射範囲は、ごみD
の大きさ程度とすることがよいが、ごみDの大きさの数
倍程度広くても差し支えない。バリヤリブの幅は約10
0μm程度であるので、この程度の幅で照射しても良
い。レーザーの照射により、ごみDが有機物であれば、
蒸発又は溶融し、図1(C)に示すように、薄板硝子4
の膨らみをなくすることができる。また、ごみDが、ガ
ラス片であれば、レーザー光線は、ごみを通過してその
下のバリヤリブ33上面に穴を形成し、図1(B)に示
すように、この穴にごみDが埋め込まれ、これによって
薄板硝子4の膨らみをなくすことができる。更に、ごみ
Dがセラミックなどの無機物であれば、レーザー光線の
照射によって、溶融し、又はバリヤリブ上面にレーザー
光線で穴が形成されてごみDが埋め込まれ、同様に、薄
板硝子4の膨らみをなくすことができる。なお、バリヤ
リブDの上端面の端にあるごみはバリヤリブ33から落
下する場合もある。
【0021】ごみDが有機物かセラミックかの判定は困
難であるので、レーザー光線の種類、出力は、バリヤリ
ブ33を溶かす程度のものを用いることが好ましい。バ
リヤリブ33は、例えば鉛ガラスペーストにセラミック
粉末を混入したものであり、その融点は、約530℃で
ある。レーザーの種類としては、例えば、ルビー、YA
G、CO2 レーザーなどの高出力レーザーを用いるこ
とができる。勿論、薄板硝子を透過するものでなければ
ならない。また、レーザー光線の出力の調整は、例えば
スリットの調整で行うことができる。 [実施例]バリヤリブ上端面と薄板硝子との間に挟まっ
たごみに対し、Nd:YAGレーザー(波長1064n
m)を、出力エネルギー25mJの60〜80%、パル
ス幅7nsで照射したところ、ごみが消失し、薄板硝子
の膨らみがなくなったことが確認された。
難であるので、レーザー光線の種類、出力は、バリヤリ
ブ33を溶かす程度のものを用いることが好ましい。バ
リヤリブ33は、例えば鉛ガラスペーストにセラミック
粉末を混入したものであり、その融点は、約530℃で
ある。レーザーの種類としては、例えば、ルビー、YA
G、CO2 レーザーなどの高出力レーザーを用いるこ
とができる。勿論、薄板硝子を透過するものでなければ
ならない。また、レーザー光線の出力の調整は、例えば
スリットの調整で行うことができる。 [実施例]バリヤリブ上端面と薄板硝子との間に挟まっ
たごみに対し、Nd:YAGレーザー(波長1064n
m)を、出力エネルギー25mJの60〜80%、パル
ス幅7nsで照射したところ、ごみが消失し、薄板硝子
の膨らみがなくなったことが確認された。
【0022】このようにごみをレーザーで除去して、薄
板硝子の膨らみをなくした後、形成されたプラズマ室3
4にガスを注入する。次に、図示しない配向処理を行
い、図3(D)に示したように、液晶層を均一の厚さに
するためのスペーサー24を散布し、図3(E)に示す
ように、液晶シール材22を介してカラーフィルタ21
を誘電体シート4に接合して、液晶室を形成し、その後
液晶を注入して図2に示したプラズマアドレス表示装置
を得ることができる。
板硝子の膨らみをなくした後、形成されたプラズマ室3
4にガスを注入する。次に、図示しない配向処理を行
い、図3(D)に示したように、液晶層を均一の厚さに
するためのスペーサー24を散布し、図3(E)に示す
ように、液晶シール材22を介してカラーフィルタ21
を誘電体シート4に接合して、液晶室を形成し、その後
液晶を注入して図2に示したプラズマアドレス表示装置
を得ることができる。
【0023】本発明は、上記実施例に限定されるもので
はない。例えば、プラズマアドレス表示装置の構造は上
記例に限定されるものではなく、その他本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変更することができる。
はない。例えば、プラズマアドレス表示装置の構造は上
記例に限定されるものではなく、その他本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変更することができる。
【0024】
【発明の効果】本発明のプラズマアドレス表示装置の製
造方法によれば、液晶表示むらや薄板硝子の割れの原因
となる薄板硝子とバリヤリブ上端面間に挟まったごみを
確実かつ容易に除去することができる。
造方法によれば、液晶表示むらや薄板硝子の割れの原因
となる薄板硝子とバリヤリブ上端面間に挟まったごみを
確実かつ容易に除去することができる。
【図1】本発明のプラズマアドレス表示装置の製造方法
の一実施例を示す断面図である。
の一実施例を示す断面図である。
【図2】プラズマアドレス表示装置の一例を示す断面図
である。
である。
【図3】図2のプラズマアドレス表示装置の製造工程を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図4】バリヤリブと薄板硝子間にごみが挟まった状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図5】バリヤリブと薄板硝子間にごみが挟まったまま
カラーフィルタ基板を乗せた状態を示す断面図である。
カラーフィルタ基板を乗せた状態を示す断面図である。
2 液晶セル 3 プラズマセル 4 誘電体シート 5 隔壁 21 カラーフィルタ基板 22 液晶シール材 23 液晶層 31 プラズマ基板ガラス 32 表示電極 33 バリヤリブ 34 プラズマ室 35 フリットシール D ごみ
Claims (2)
- 【請求項1】液晶セルとプラズマセルとが薄板硝子を介
して積層されたプラズマアドレス表示装置の製造方法で
あって、 前記プラズマセルを構成するプラズマ基板ガラス上に多
数並列的に設けられた隔壁上端面に該薄板硝子を密着さ
せてプラズマセルを構成する際に、 前記隔壁上端面と前記薄板硝子間に挟まったごみに該薄
板硝子側からレーザー光線を照射して、ごみの該隔壁上
端面からの突出を防止することを特徴とするプラズマア
ドレス表示装置の製造方法。 - 【請求項2】前記レーザー光線の照射により、前記隔壁
上端面にごみを埋め込める穴を形成する請求項1記載の
プラズマアドレス表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11492995A JP3277445B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | プラズマアドレス表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11492995A JP3277445B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | プラズマアドレス表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08304801A JPH08304801A (ja) | 1996-11-22 |
JP3277445B2 true JP3277445B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=14650165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11492995A Expired - Fee Related JP3277445B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | プラズマアドレス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3277445B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-12 JP JP11492995A patent/JP3277445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08304801A (ja) | 1996-11-22 |
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Legal Events
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