JP3262623B2 - 減圧処理方法及び装置 - Google Patents
減圧処理方法及び装置Info
- Publication number
- JP3262623B2 JP3262623B2 JP05519493A JP5519493A JP3262623B2 JP 3262623 B2 JP3262623 B2 JP 3262623B2 JP 05519493 A JP05519493 A JP 05519493A JP 5519493 A JP5519493 A JP 5519493A JP 3262623 B2 JP3262623 B2 JP 3262623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- valve
- exhaust passage
- passage
- processing unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000006837 decompression Effects 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D7/00—Forming, maintaining or circulating atmospheres in heating chambers
- F27D7/06—Forming or maintaining special atmospheres or vacuum within heating chambers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧処理装置に関し、
特に、拡散、酸化、アニール、成膜等に用いられる熱処
理装置の排気構造に関する。
特に、拡散、酸化、アニール、成膜等に用いられる熱処
理装置の排気構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、拡散、酸化、アニールあ
るいは成膜に用いられる熱処理装置の一つである縦型熱
処理装置では、熱処理部内を真空雰囲気下に設定した上
で被処理体の熱処理が行なわれる。このような真空雰囲
気の設定は、大気中の酸素や水分等の不純物が被処理体
上に付着するのを防止するための処理である。このた
め、熱処理部の排気系には排気ポンプが設けられるとと
もに、排気ポンプと熱処理部との間に接続されている排
気経路にはトラップが配置されている。このトラップで
は、熱処理部からの不純物や生成物を凝着させることで
捕集するようになっている。
るいは成膜に用いられる熱処理装置の一つである縦型熱
処理装置では、熱処理部内を真空雰囲気下に設定した上
で被処理体の熱処理が行なわれる。このような真空雰囲
気の設定は、大気中の酸素や水分等の不純物が被処理体
上に付着するのを防止するための処理である。このた
め、熱処理部の排気系には排気ポンプが設けられるとと
もに、排気ポンプと熱処理部との間に接続されている排
気経路にはトラップが配置されている。このトラップで
は、熱処理部からの不純物や生成物を凝着させることで
捕集するようになっている。
【０００３】このような排気系の構造には、例えば、図
３に示す構造がある。
３に示す構造がある。
【０００４】図３において、排気系は、熱処理部１０と
排気ポンプ１２との間に接続されている排気通路１４を
備え、この排気通路１４により形成される排気経路に
は、熱処理部１０からの排気方向に沿ってトラップ手段
１６、メインバルブ１８、排気ポンプ１２がそれぞれ配
置されている。このような構造では、排気行程が設定さ
れると、排気ポンプ１２が作動し、メインバルブ１８が
開かれることで熱処理部１０内の真空排気が行なわれ、
トラップ手段１６によって不純物や生成物が捕集され
る。
排気ポンプ１２との間に接続されている排気通路１４を
備え、この排気通路１４により形成される排気経路に
は、熱処理部１０からの排気方向に沿ってトラップ手段
１６、メインバルブ１８、排気ポンプ１２がそれぞれ配
置されている。このような構造では、排気行程が設定さ
れると、排気ポンプ１２が作動し、メインバルブ１８が
開かれることで熱処理部１０内の真空排気が行なわれ、
トラップ手段１６によって不純物や生成物が捕集され
る。
【０００５】ところで、上記した排気系には、メインバ
ルブ１８が一瞬にして開放された場合の不具合を解消す
るための構造が設けられている。つまり、排気時に、メ
インバルブ１８が一瞬にして開放した場合には、熱処理
部１０内の圧力が急変してしまうことになる。このた
め、熱処理部内に配置されている被処理体が動いてしま
ったり、あるいは、内部でパーティクルを巻上げてしま
う虞れがある。
ルブ１８が一瞬にして開放された場合の不具合を解消す
るための構造が設けられている。つまり、排気時に、メ
インバルブ１８が一瞬にして開放した場合には、熱処理
部１０内の圧力が急変してしまうことになる。このた
め、熱処理部内に配置されている被処理体が動いてしま
ったり、あるいは、内部でパーティクルを巻上げてしま
う虞れがある。
【０００６】そこで、排気通路中でメインバルブ１８を
迂回するバイパス路２２が設けられており、このバイパ
ス路２２には、バイパス路２２を開閉するサブバルブ２
４が配置されている。そして、バイパス路２２は、例え
ば、メインバルブ１８により開閉される排気通路１４よ
りも少量の流量面積が設定されている。このようなバイ
パス路２２を設けた構造は、少量のガスがバイパス路２
２を流動できることによって、排気当初、熱処理部１０
からの排気を徐々に行うスロー排気のために用いられ
る。従って、バイパス路２２は、排気行程が設定された
時点でメインバルブ１８よりも先にサブバルブ２４が開
かれることにより、熱処理部１０からの排気を徐々に行
なうことで、熱処理内の圧力変動を急激なものとしな
い。なお、サブバルブ２４は、排気行程設定当初で熱処
理部１０内に発生する過渡的な圧力変化を防止するもの
であるので、排気が進行して被処理体の動きやパーティ
クルの巻上げが起こらない状況になった時点で閉じられ
るか、あるいは閉じられないでメインバルブ１８の開放
と協働して主排気が行なわれる。そして、メインバルブ
１８およびサブバルブ２４は、熱処理部１０での処理が
行なわれている間、開放され、ロード／アンロード時に
行なわれる常圧への切り換え時には閉じられるようにな
っている。従って、熱処理部１０は、処理が行われてい
る間、排気されており、これによって、熱処理部１０か
らの生成物やガスは、トラップ手段１６に向け導入され
る。なお、メインバルブ１８には、例えば、加熱手段を
備えたものもあり、この構造では、バルブ自体に生成物
が付着するのを防止するようになっている。
迂回するバイパス路２２が設けられており、このバイパ
ス路２２には、バイパス路２２を開閉するサブバルブ２
４が配置されている。そして、バイパス路２２は、例え
ば、メインバルブ１８により開閉される排気通路１４よ
りも少量の流量面積が設定されている。このようなバイ
パス路２２を設けた構造は、少量のガスがバイパス路２
２を流動できることによって、排気当初、熱処理部１０
からの排気を徐々に行うスロー排気のために用いられ
る。従って、バイパス路２２は、排気行程が設定された
時点でメインバルブ１８よりも先にサブバルブ２４が開
かれることにより、熱処理部１０からの排気を徐々に行
なうことで、熱処理内の圧力変動を急激なものとしな
い。なお、サブバルブ２４は、排気行程設定当初で熱処
理部１０内に発生する過渡的な圧力変化を防止するもの
であるので、排気が進行して被処理体の動きやパーティ
クルの巻上げが起こらない状況になった時点で閉じられ
るか、あるいは閉じられないでメインバルブ１８の開放
と協働して主排気が行なわれる。そして、メインバルブ
１８およびサブバルブ２４は、熱処理部１０での処理が
行なわれている間、開放され、ロード／アンロード時に
行なわれる常圧への切り換え時には閉じられるようにな
っている。従って、熱処理部１０は、処理が行われてい
る間、排気されており、これによって、熱処理部１０か
らの生成物やガスは、トラップ手段１６に向け導入され
る。なお、メインバルブ１８には、例えば、加熱手段を
備えたものもあり、この構造では、バルブ自体に生成物
が付着するのを防止するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】ところで、このよう
な熱処理装置では、熱処理部への被処理体のロード時お
よびアンロード時に熱処理部内部の圧力が常圧に設定さ
れ、この状態で、熱処理部を開放する。このため、常圧
に戻す場合には、熱処理部内部に導入されていたプロセ
スガスの排気が終了した時点でサブバルブ２４は勿論、
メインバルブ１８が閉じられ、例えば、窒素ガス等のパ
ージガスが熱処理部１０に導入されて内圧が高められ
る。
な熱処理装置では、熱処理部への被処理体のロード時お
よびアンロード時に熱処理部内部の圧力が常圧に設定さ
れ、この状態で、熱処理部を開放する。このため、常圧
に戻す場合には、熱処理部内部に導入されていたプロセ
スガスの排気が終了した時点でサブバルブ２４は勿論、
メインバルブ１８が閉じられ、例えば、窒素ガス等のパ
ージガスが熱処理部１０に導入されて内圧が高められ
る。
【０００８】しかしながら、熱処理部の内圧を真空圧か
ら高める場合には、次のような問題があった。
ら高める場合には、次のような問題があった。
【０００９】すなわち、トラップ手段１６は、熱処理部
に連通している。このため、熱処理部１０の内圧が真空
圧から常圧に戻ると、凝着していた物質が蒸発してトラ
ップ手段１６から排気通路中に拡散することがある。特
に、プロセスガスとして用いられる成分において、例え
ば、ＳｉＮによる成膜を形成した場合に生成される塩化
アンモニュウムは、吸水性があるために比較的蒸発しや
すく、常圧に近づくに従って蒸発量も多くなり、熱処理
部への逆流現象が起きやすくなる。また、このような成
膜材質の他に、ＴＥＯＳによる成膜形成を行った場合に
は、Ｓｉ０2 が生成物となり、この場合にも、常圧に戻
るに従い蒸発量が多くなり、熱処理部内への逆流現象が
起こる。
に連通している。このため、熱処理部１０の内圧が真空
圧から常圧に戻ると、凝着していた物質が蒸発してトラ
ップ手段１６から排気通路中に拡散することがある。特
に、プロセスガスとして用いられる成分において、例え
ば、ＳｉＮによる成膜を形成した場合に生成される塩化
アンモニュウムは、吸水性があるために比較的蒸発しや
すく、常圧に近づくに従って蒸発量も多くなり、熱処理
部への逆流現象が起きやすくなる。また、このような成
膜材質の他に、ＴＥＯＳによる成膜形成を行った場合に
は、Ｓｉ０2 が生成物となり、この場合にも、常圧に戻
るに従い蒸発量が多くなり、熱処理部内への逆流現象が
起こる。
【００１０】従って、逆流したガスは、ロード／アンロ
ード態位にある被処理体上に付着してウエハを汚染する
ことがある。また、プロセスガスに用いられる成分によ
っては、リン（ＢＰＳＧ）やひ素等の有害成分を含む生
成物がトラップに捕集されている場合もある。従って、
この場合には、ロード／アンロード時に熱処理部を開放
すると、熱処理部に逆流したこれら有害ガスが外部に漏
れ出す危険がある。
ード態位にある被処理体上に付着してウエハを汚染する
ことがある。また、プロセスガスに用いられる成分によ
っては、リン（ＢＰＳＧ）やひ素等の有害成分を含む生
成物がトラップに捕集されている場合もある。従って、
この場合には、ロード／アンロード時に熱処理部を開放
すると、熱処理部に逆流したこれら有害ガスが外部に漏
れ出す危険がある。
【００１１】しかも、熱処理部内に逆流した生成物が残
存していると、再度の排気行程が設定された場合に、所
定の真空圧に達するまでの時間が長くなる。従って、処
理行程に移るまでの待機時間が長くなることで、半導体
ウエハ製造行程でのスループットが悪化することにな
る。
存していると、再度の排気行程が設定された場合に、所
定の真空圧に達するまでの時間が長くなる。従って、処
理行程に移るまでの待機時間が長くなることで、半導体
ウエハ製造行程でのスループットが悪化することにな
る。
【００１２】そこで、本発明の目的とするところは、上
記従来の減圧処理装置における問題に鑑み、一旦排気さ
れた不純物や有害成分を処理部内に逆流させないように
する減圧処理方法を提供することにある。
記従来の減圧処理装置における問題に鑑み、一旦排気さ
れた不純物や有害成分を処理部内に逆流させないように
する減圧処理方法を提供することにある。
【００１３】また、本発明の別の目的は、排気時間を短
縮することのできる構造を備えた減圧処理装置を提供す
ることにある。
縮することのできる構造を備えた減圧処理装置を提供す
ることにある。
【００１４】
【問題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、処理部と排気手段との間に
接続されている排気通路と、この排気通路中に配置され
てこの排気通路を開閉するメインバルブと、このメイン
バルブを跨いで排気通路同士を接続するとともに上記排
気通路よりも少ない流量が設定されたバイパス路と、バ
イパス路中に配置されてこのバイパス路を開閉するサブ
バルブとを備えた減圧処理装置にて減圧処理する方法に
おいて、上記サブバルブを、減圧された処理部内を常圧
に復帰するときに上記メインバルブとともに閉じる工程
と、常圧に復帰後に、上記サブバルブが開放されて処理
部の排気側を負圧傾向に維持する工程と、を有すること
を特徴としている。
め、請求項１記載の発明は、処理部と排気手段との間に
接続されている排気通路と、この排気通路中に配置され
てこの排気通路を開閉するメインバルブと、このメイン
バルブを跨いで排気通路同士を接続するとともに上記排
気通路よりも少ない流量が設定されたバイパス路と、バ
イパス路中に配置されてこのバイパス路を開閉するサブ
バルブとを備えた減圧処理装置にて減圧処理する方法に
おいて、上記サブバルブを、減圧された処理部内を常圧
に復帰するときに上記メインバルブとともに閉じる工程
と、常圧に復帰後に、上記サブバルブが開放されて処理
部の排気側を負圧傾向に維持する工程と、を有すること
を特徴としている。
【００１５】請求項２記載の発明は、処理部と排気手段
との間に接続されている排気通路と、 この排気通路中に
配置されてこの排気通路を開閉するメインバルブと、 こ
のメインバルブを跨いで排気通路同士を接続するととも
に上記排気通路よりも少ない流量が設定されたバイパス
路と、 バイパス路中に配置されてこのバイパス路を開閉
するサブバルブと、上記処理部と上記メインバルブとの
間に設けられているトラップ手段と、このトラップ手段
と処理部との間に設けられて排気通路を絞ることのでき
る排気コンダクタンス手段とを備え、上記サブバルブ
は、減圧された処理部内を常圧に復帰するときに上記メ
インバルブとともに閉じられ、常圧に復帰後、開放され
て処理部の排気側を負圧傾向に維持し、上記排気コンダ
クタンス手段は、減圧された処理部が常圧に復帰した後
に排気通路を絞ることを特徴としている。
との間に接続されている排気通路と、 この排気通路中に
配置されてこの排気通路を開閉するメインバルブと、 こ
のメインバルブを跨いで排気通路同士を接続するととも
に上記排気通路よりも少ない流量が設定されたバイパス
路と、 バイパス路中に配置されてこのバイパス路を開閉
するサブバルブと、上記処理部と上記メインバルブとの
間に設けられているトラップ手段と、このトラップ手段
と処理部との間に設けられて排気通路を絞ることのでき
る排気コンダクタンス手段とを備え、上記サブバルブ
は、減圧された処理部内を常圧に復帰するときに上記メ
インバルブとともに閉じられ、常圧に復帰後、開放され
て処理部の排気側を負圧傾向に維持し、上記排気コンダ
クタンス手段は、減圧された処理部が常圧に復帰した後
に排気通路を絞ることを特徴としている。
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項２記載の減
圧処理装置において、上記排気コンダクタンス手段と上
記トラップ手段との間には、パージガスの供給部が設け
られていることを特徴としている。
圧処理装置において、上記排気コンダクタンス手段と上
記トラップ手段との間には、パージガスの供給部が設け
られていることを特徴としている。
【００１７】
【作用】本発明では、処理部の排気側を負圧化される。
そして、このような負圧化を維持することにより、処理
部への逆流が阻止される。すなわち、バイパス路に配置
されているサブバルブが、減圧された処理部が常圧に復
帰するときにメインバルブとともに閉じ、常圧に復帰し
た後、開放されるようになっている。従って、処理部内
と排気手段とがサブバルブを介して連通していることに
なり、これによって、処理部の排気側が負圧傾向を維持
される。特に、処理部後方にトラップ手段を配置した場
合には、トラップ手段内が負圧化されることになるの
で、トラップ手段を処理部に近接して配置した場合にお
いてもトラップ内で捕集された生成物や不純物を処理部
内に逆流させないようにすることができる。
そして、このような負圧化を維持することにより、処理
部への逆流が阻止される。すなわち、バイパス路に配置
されているサブバルブが、減圧された処理部が常圧に復
帰するときにメインバルブとともに閉じ、常圧に復帰し
た後、開放されるようになっている。従って、処理部内
と排気手段とがサブバルブを介して連通していることに
なり、これによって、処理部の排気側が負圧傾向を維持
される。特に、処理部後方にトラップ手段を配置した場
合には、トラップ手段内が負圧化されることになるの
で、トラップ手段を処理部に近接して配置した場合にお
いてもトラップ内で捕集された生成物や不純物を処理部
内に逆流させないようにすることができる。
【００１８】また、本発明では、処理部とトラップ手段
との間に、排気通路を絞ることのできる排気コンダクタ
ンス手段が設けられている。しかも、この排気コンダク
タンス手段は、減圧された処理部が常圧に復帰した後に
排気通路を絞るようになっている。従って、トラップ手
段は、排気コンダクタンス手段の介在により、負圧化が
有効に促進されることになる。処理部の排気側トラップ
手段の負圧化するにあたり、サブバルブによる少量のガ
スの流れであっても、有効に負圧化するようになってい
る。このような、処理部の排気側が負圧化傾向とされる
ことにより、処理部内での生成物の残留が抑えられるこ
とになる。従って、再度、処理部内を真空排気する場合
には、処理部からの排気時間を短縮することができる。
との間に、排気通路を絞ることのできる排気コンダクタ
ンス手段が設けられている。しかも、この排気コンダク
タンス手段は、減圧された処理部が常圧に復帰した後に
排気通路を絞るようになっている。従って、トラップ手
段は、排気コンダクタンス手段の介在により、負圧化が
有効に促進されることになる。処理部の排気側トラップ
手段の負圧化するにあたり、サブバルブによる少量のガ
スの流れであっても、有効に負圧化するようになってい
る。このような、処理部の排気側が負圧化傾向とされる
ことにより、処理部内での生成物の残留が抑えられるこ
とになる。従って、再度、処理部内を真空排気する場合
には、処理部からの排気時間を短縮することができる。
【００１９】また、本発明では、排気コンダクタンス手
段とトラップ手段との間にパージガスの供給部が設けら
れている。従って、トラップ手段をパージすることによ
り、トラップ手段内の生成物やガスの逆流を遮断するこ
とができる。
段とトラップ手段との間にパージガスの供給部が設けら
れている。従って、トラップ手段をパージすることによ
り、トラップ手段内の生成物やガスの逆流を遮断するこ
とができる。
【００２０】
【実施例】以下、図１において、本発明実施例の詳細を
説明する。
説明する。
【００２１】図１は、本発明実施例による減圧処理装置
の一例である熱処理装置に用いられる排気構造を模式的
に示す図３相当の配管図である。なお、図１において、
図３に示したものと同じ構成部品については同符号によ
り示してある。
の一例である熱処理装置に用いられる排気構造を模式的
に示す図３相当の配管図である。なお、図１において、
図３に示したものと同じ構成部品については同符号によ
り示してある。
【００２２】図１において、熱処理部１０の排気側に
は、排気ポンプ１２との間に排気通路１４が接続されて
いる。
は、排気ポンプ１２との間に排気通路１４が接続されて
いる。
【００２３】排気通路１４には、熱処理部１０から排気
ポンプ１２に向けたガスの流動方向（図示矢印方向）に
沿ってトラップ手段１６およびメインバルブ１８が配置
されている。そして、トラップ手段１６の前方には、バ
タフライバルブ２０が設けられている。
ポンプ１２に向けたガスの流動方向（図示矢印方向）に
沿ってトラップ手段１６およびメインバルブ１８が配置
されている。そして、トラップ手段１６の前方には、バ
タフライバルブ２０が設けられている。
【００２４】バタフライバルブ２０は、本実施例の特徴
的構成の一つであり、排気通路１４を開閉することによ
り、トラップ手段１６側の負圧化を向上させる排気コン
ダクタンス手段である。このため、バタフライバルブ２
０は、通常、開放されており、減圧された熱処理部内が
常圧に復帰した後に閉じる。ところで、このバタフライ
バルブ２０は、その機能からして排気通路１４を密閉す
るほどの精度を要しないものであり、閉じられた際に、
トラップ側の負圧を増大させることができる程度の隙間
が排気通路１４の内面との間に設定できればよい。
的構成の一つであり、排気通路１４を開閉することによ
り、トラップ手段１６側の負圧化を向上させる排気コン
ダクタンス手段である。このため、バタフライバルブ２
０は、通常、開放されており、減圧された熱処理部内が
常圧に復帰した後に閉じる。ところで、このバタフライ
バルブ２０は、その機能からして排気通路１４を密閉す
るほどの精度を要しないものであり、閉じられた際に、
トラップ側の負圧を増大させることができる程度の隙間
が排気通路１４の内面との間に設定できればよい。
【００２５】また、メインバルブ１８を跨いだ位置に
は、図３に示した構造と同様に、排気通路１４にそれぞ
れ端部を接続されているバイパス路２２が設けられ、ま
た、このバイパス路２２の途中には、このバイパス路２
２を開閉するためのサブバルブ２４が配置されている。
は、図３に示した構造と同様に、排気通路１４にそれぞ
れ端部を接続されているバイパス路２２が設けられ、ま
た、このバイパス路２２の途中には、このバイパス路２
２を開閉するためのサブバルブ２４が配置されている。
【００２６】さらに、トラップ手段１６は、例えば、熱
処理部１０から排出される不純物や生成物を凝着させる
ことのできるコールドトラップ構造を備えたものであ
る。
処理部１０から排出される不純物や生成物を凝着させる
ことのできるコールドトラップ構造を備えたものであ
る。
【００２７】一方、本実施例では、熱処理部１０にいま
一つの排気路２６が接続されており、この排気路２６に
は、一定圧以上に達した時点で開放するバルブ２８が配
置されている。この排気路２６は、熱処理部１０内を常
圧にするためのパージガスが導入された場合に熱処理部
１０の内圧を一定化するためのでものである。
一つの排気路２６が接続されており、この排気路２６に
は、一定圧以上に達した時点で開放するバルブ２８が配
置されている。この排気路２６は、熱処理部１０内を常
圧にするためのパージガスが導入された場合に熱処理部
１０の内圧を一定化するためのでものである。
【００２８】また、バタフライバルブ２０とトラップ手
段１６との間で、トラップ手段１６の前方側には、パー
ジガスの供給管路３０が接続されている。この供給管路
３０からは、バタフライバルブ２０が閉じられるのにあ
わせて窒素等のパージガスがトラップ手段１６の前方に
供給される。これは、熱処理部１０が開放さることによ
って排気通路中に大気が入り込んだ場合、トラップ手段
１６からのガスの逆流を阻止するために設けられてい
る。つまり、熱処理部１０が開放された際にはトラップ
手段１６にも大気が入り込む。このため、トラップ手段
１６に捕集された生成物が蒸発して熱処理部１０内に拡
散することになる。そこで、この拡散しようとする流路
にパージガスを割込ませることによって、蒸発した生成
物からのガスをトラップ手段１６側に押返すようになっ
ている。これにより、トラップ手段１６内をパージする
ことになる。
段１６との間で、トラップ手段１６の前方側には、パー
ジガスの供給管路３０が接続されている。この供給管路
３０からは、バタフライバルブ２０が閉じられるのにあ
わせて窒素等のパージガスがトラップ手段１６の前方に
供給される。これは、熱処理部１０が開放さることによ
って排気通路中に大気が入り込んだ場合、トラップ手段
１６からのガスの逆流を阻止するために設けられてい
る。つまり、熱処理部１０が開放された際にはトラップ
手段１６にも大気が入り込む。このため、トラップ手段
１６に捕集された生成物が蒸発して熱処理部１０内に拡
散することになる。そこで、この拡散しようとする流路
にパージガスを割込ませることによって、蒸発した生成
物からのガスをトラップ手段１６側に押返すようになっ
ている。これにより、トラップ手段１６内をパージする
ことになる。
【００２９】なお、バタフライバルブ２０には、図示し
ない加熱手段が設けられており、生成物の付着が防止さ
れている。
ない加熱手段が設けられており、生成物の付着が防止さ
れている。
【００３０】ところで、本実施例におけるいま一つの特
徴は、バルブの開閉時期にある。
徴は、バルブの開閉時期にある。
【００３１】すなわち、サブバルブ２４は、減圧された
熱処理部１０の内部をパージガスによって常圧に復帰す
る時にメインバルブ１８とともに閉じ、常圧に復帰した
後に開放されている。
熱処理部１０の内部をパージガスによって常圧に復帰す
る時にメインバルブ１８とともに閉じ、常圧に復帰した
後に開放されている。
【００３２】図２は、サブバルブ２４と、メインバルブ
１８およびバタフライバルブ２０との間での開閉時期を
示すタイミングチャートである。
１８およびバタフライバルブ２０との間での開閉時期を
示すタイミングチャートである。
【００３３】図２において、熱処理部１０内での処理期
間（図においては、デポ中と記載されている）では、メ
インバルブ１８、サブバルブ２４およびバタフライバル
ブ２０が開放されている。これにより、熱処理部１０の
内部は、排気ポンプ１２によって真空排気されているの
で、熱処理部１０からの生成物がトラップ手段１６によ
り捕集される。
間（図においては、デポ中と記載されている）では、メ
インバルブ１８、サブバルブ２４およびバタフライバル
ブ２０が開放されている。これにより、熱処理部１０の
内部は、排気ポンプ１２によって真空排気されているの
で、熱処理部１０からの生成物がトラップ手段１６によ
り捕集される。
【００３４】また、熱処理部１０での熱処理が終了する
と、プロセスガスの排気が行われる。この排気は、熱処
理部１０の内部に窒素等のパージガスが供給されること
によって行われ、メインバルブ１８およびサブバルブ２
４は、予め、プロセスガスの排気に要する時間の間、開
放された後、閉じられる。このとき、熱処理部１０の内
圧は徐々に高められ、常圧に達する。そして、常圧に達
したことは、図示しない圧力センサを介して検出され
る。
と、プロセスガスの排気が行われる。この排気は、熱処
理部１０の内部に窒素等のパージガスが供給されること
によって行われ、メインバルブ１８およびサブバルブ２
４は、予め、プロセスガスの排気に要する時間の間、開
放された後、閉じられる。このとき、熱処理部１０の内
圧は徐々に高められ、常圧に達する。そして、常圧に達
したことは、図示しない圧力センサを介して検出され
る。
【００３５】一方、熱処理部１０が常圧に達すると、サ
ブバルブ２４が開放されると共にバタフライバルブ２０
が閉じられる。
ブバルブ２４が開放されると共にバタフライバルブ２０
が閉じられる。
【００３６】これによって、バイパス路２２が排気ポン
プ１２に連通することになるので、トラップ手段１６が
負圧化傾向に維持される。また、この負圧化傾向は、ト
ラップ手段１６に導入されるガスの排気通路がバタフラ
イバルブ２０によって絞られることにより促進される。
なお、このときには、供給管路３０からのパージガスが
導入されているので、熱処理部１０が開放された際に大
気の流れ込みがあっても、トラップ手段１６の前方でト
ラップ手段１６からの生成物の逆流が阻止されることに
なる。
プ１２に連通することになるので、トラップ手段１６が
負圧化傾向に維持される。また、この負圧化傾向は、ト
ラップ手段１６に導入されるガスの排気通路がバタフラ
イバルブ２０によって絞られることにより促進される。
なお、このときには、供給管路３０からのパージガスが
導入されているので、熱処理部１０が開放された際に大
気の流れ込みがあっても、トラップ手段１６の前方でト
ラップ手段１６からの生成物の逆流が阻止されることに
なる。
【００３７】本実施例によれば、既存のバイパス路に配
置されているサブバルブを用いるだけで、トラップ手段
からのガスの逆流が防止できる。
置されているサブバルブを用いるだけで、トラップ手段
からのガスの逆流が防止できる。
【００３８】なお、本実施例では、減圧処理装置の一例
として熱処理装置を挙げたが、本発明では、このような
処理装置に限るものではなく、例えば、プラズマ処理装
置等の真空雰囲気下において処理が行われ、この処理に
よって生成物をトラップする構造を備えた構造を対象と
することも可能である。
として熱処理装置を挙げたが、本発明では、このような
処理装置に限るものではなく、例えば、プラズマ処理装
置等の真空雰囲気下において処理が行われ、この処理に
よって生成物をトラップする構造を備えた構造を対象と
することも可能である。
【００３９】また、トラップ部１６の設置箇所として
は、処理部１０の後方に限らず、例えば、メインバルブ
１８の後方に設定してもよい。
は、処理部１０の後方に限らず、例えば、メインバルブ
１８の後方に設定してもよい。
【００４０】さらに、バタフライバルブ２０の後方でト
ラップ手段１６の前方に配置されている供給管路３０
は、バタフライバルブ２０の前方に接続してもよい。こ
の場合、には、熱処理部１０からのガスがバタフライバ
ルブ２０によって背圧を受けるのを利用して、パージガ
スにより熱処理部１０からのガスを遮断する。
ラップ手段１６の前方に配置されている供給管路３０
は、バタフライバルブ２０の前方に接続してもよい。こ
の場合、には、熱処理部１０からのガスがバタフライバ
ルブ２０によって背圧を受けるのを利用して、パージガ
スにより熱処理部１０からのガスを遮断する。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明では、所謂、スロー
排気のために設けられているサブバルブの開閉時期を設
定することにより、処理部の排気側を負圧化傾向に維持
することができる。従って、排気方向と逆方向である、
処理部内に向けた流れを発生させないようにすることが
可能になる。このため、特に、処理部後方にトラップ手
段を配置した場合には、トラップ手段内が負圧化される
ことになるので、トラップ手段を処理部に近接して配置
した場合においてもトラップ内で捕集された生成物や不
純物を処理部内に逆流させないようにすることができ
る。
排気のために設けられているサブバルブの開閉時期を設
定することにより、処理部の排気側を負圧化傾向に維持
することができる。従って、排気方向と逆方向である、
処理部内に向けた流れを発生させないようにすることが
可能になる。このため、特に、処理部後方にトラップ手
段を配置した場合には、トラップ手段内が負圧化される
ことになるので、トラップ手段を処理部に近接して配置
した場合においてもトラップ内で捕集された生成物や不
純物を処理部内に逆流させないようにすることができ
る。
【図１】本発明実施例による減圧処理装置のよう部を模
式的に示す配管図である。
式的に示す配管図である。
【図２】図１に示した構成でのバルブ開閉タイミングを
説明するためのタイミングチャートである。
説明するためのタイミングチャートである。
【図３】減圧処理装置に用いられる排気系の構成を説明
するための図１相当の配管図である。
するための図１相当の配管図である。
１０ 減圧処理装置の一つである熱処理装置 １２ 排気手段をなす排気ポンプ １４ 排気通路 １６ トラップ手段 １８ メインバルブ ２０ バタフライバルブ ２２ バイパス路 ２４ サブバルブ
Claims (3)
- 【請求項１】 処理部と排気手段との間に接続されてい
る排気通路と、 この排気通路中に配置されてこの排気通路を開閉するメ
インバルブと、 このメインバルブを跨いで排気通路同士を接続するとと
もに上記排気通路よりも少ない流量が設定されたバイパ
ス路と、 バイパス路中に配置されてこのバイパス路を開閉するサ
ブバルブとを備えた減圧処理装置にて減圧処理する方法
において、 上記サブバルブを、減圧された処理部内を常圧に復帰す
るときに上記メインバルブとともに閉じる工程と、 常圧に復帰後に、上記サブバルブが開放されて処理部の
排気側を負圧傾向に維持する工程と、 を有する ことを特徴とする減圧処理方法。 - 【請求項２】 処理部と排気手段との間に接続されてい
る排気通路と、 この排気通路中に配置されてこの排気通路を開閉するメ
インバルブと、 このメインバルブを跨いで排気通路同士を接続するとと
もに上記排気通路よりも少ない流量が設定されたバイパ
ス路と、 バイパス路中に配置されてこのバイパス路を開閉するサ
ブバルブと、 上記処理部と上記メインバルブとの間に設けられている
トラップ手段と、 このトラップ手段と処理部との間に設けられて排気通路
を絞ることのできる排気コンダクタンス手段とを備え、上記サブバルブは、減圧された処理部内を常圧に復帰す
るときに上記メインバルブとともに閉じられ、常圧に復
帰後、開放されて処理部の排気側を負圧傾向に維持し、 上記排気コンダクタンス手段は、減圧された処理部が常
圧に復帰した後に排気通路を絞ることを特徴とする減圧
処理装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の減圧処理装置において、 上記排気コンダクタンス手段と上記トラップ手段との間
には、パージガスの供給部が設けられていることを特徴
とする減圧処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05519493A JP3262623B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 減圧処理方法及び装置 |
| TW083101058A TW301018B (ja) | 1993-02-17 | 1994-02-08 | |
| US08/197,873 US5415585A (en) | 1993-02-17 | 1994-02-17 | Decompression apparatus |
| KR1019940002850A KR100251876B1 (ko) | 1993-02-17 | 1994-02-17 | 감압 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05519493A JP3262623B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 減圧処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244125A JPH06244125A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3262623B2 true JP3262623B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=12991883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05519493A Expired - Fee Related JP3262623B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 減圧処理方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5415585A (ja) |
| JP (1) | JP3262623B2 (ja) |
| KR (1) | KR100251876B1 (ja) |
| TW (1) | TW301018B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900047A (en) * | 1997-11-26 | 1999-05-04 | Sony Corporation | Exhaust system for a semiconductor etcher that utilizes corrosive gas |
| KR100275738B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2000-12-15 | 윤종용 | 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법 |
| DE19906224B4 (de) * | 1999-02-15 | 2006-05-24 | Infineon Technologies Ag | Abzugsvorrichtung |
| JP3543949B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2004-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP4038352B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2008-01-23 | 株式会社日立産機システム | クリーンルーム |
| US20070012402A1 (en) * | 2003-07-08 | 2007-01-18 | Sundew Technologies, Llc | Apparatus and method for downstream pressure control and sub-atmospheric reactive gas abatement |
| JP4371425B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-11-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| KR20060056709A (ko) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | 삼성전자주식회사 | 도어 입구에 에어 커튼을 가지는 반도체 제조 장비 |
| JP4675388B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置 |
| JP4934117B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2012-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置、ガス処理方法、および記憶媒体 |
| JP5276679B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JP5921168B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2016-05-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| WO2014157071A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
| JP6667412B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| CN112349623B (zh) * | 2019-08-06 | 2024-11-29 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质 |
| KR20210027601A (ko) * | 2019-08-29 | 2021-03-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 표면처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템과 이를 이용한 플라즈마 표면처리 방법 |
| KR20220046661A (ko) * | 2019-09-19 | 2022-04-14 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0114000Y2 (ja) * | 1987-01-30 | 1989-04-24 | ||
| JPH02273921A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP3149206B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP05519493A patent/JP3262623B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-08 TW TW083101058A patent/TW301018B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-02-17 KR KR1019940002850A patent/KR100251876B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-02-17 US US08/197,873 patent/US5415585A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06244125A (ja) | 1994-09-02 |
| US5415585A (en) | 1995-05-16 |
| TW301018B (ja) | 1997-03-21 |
| KR100251876B1 (ko) | 2000-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3262623B2 (ja) | 減圧処理方法及び装置 | |
| JP4335469B2 (ja) | 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置 | |
| JP3073886B2 (ja) | 基板の熱処理装置 | |
| US20080311731A1 (en) | Low pressure chemical vapor deposition of polysilicon on a wafer | |
| JP3130374B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4658243B2 (ja) | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空／パージ方法 | |
| JP4517595B2 (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
| JPH05259098A (ja) | 真空排気方法 | |
| JP3862263B2 (ja) | 真空処理装置およびその運用方法 | |
| JPH0729962A (ja) | 真空排気方法及び装置 | |
| JP2003017478A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
| JP4414869B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP4290389B2 (ja) | ランプアニ−ル装置 | |
| KR940000917B1 (ko) | 반도체기판의 매엽식 표면처리방식 | |
| JPH0693427A (ja) | 真空成膜方法 | |
| JPS6236737B2 (ja) | ||
| KR970003595Y1 (ko) | 역류방지장치가 구비된 플라즈마 화학기상증착장비 | |
| US7618830B2 (en) | Rapid thermal processing apparatus and methods | |
| JP3027778B2 (ja) | 減圧装置昇圧用パージガス導入装置 | |
| JPH09199569A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| KR200191155Y1 (ko) | 반도체 기판의 열처리 장치 | |
| JPH06349759A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH08340037A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10326730A (ja) | 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 | |
| JPH02107775A (ja) | 処理装置及びその排気方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011204 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |